CN106129266B - 有机发光二极管显示器 - Google Patents
有机发光二极管显示器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106129266B CN106129266B CN201610290814.2A CN201610290814A CN106129266B CN 106129266 B CN106129266 B CN 106129266B CN 201610290814 A CN201610290814 A CN 201610290814A CN 106129266 B CN106129266 B CN 106129266B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- light emitting
- organic light
- diode display
- emitting diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 35
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims abstract description 21
- OKIIEJOIXGHUKX-UHFFFAOYSA-L cadmium iodide Chemical compound [Cd+2].[I-].[I-] OKIIEJOIXGHUKX-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 11
- UAYWVJHJZHQCIE-UHFFFAOYSA-L zinc iodide Chemical compound I[Zn]I UAYWVJHJZHQCIE-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 11
- CECABOMBVQNBEC-UHFFFAOYSA-K aluminium iodide Chemical compound I[Al](I)I CECABOMBVQNBEC-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims abstract description 9
- JTDNNCYXCFHBGG-UHFFFAOYSA-L tin(ii) iodide Chemical compound I[Sn]I JTDNNCYXCFHBGG-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 8
- 229910021612 Silver iodide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- AVWLPUQJODERGA-UHFFFAOYSA-L cobalt(2+);diiodide Chemical compound [Co+2].[I-].[I-] AVWLPUQJODERGA-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 6
- BQZGVMWPHXIKEQ-UHFFFAOYSA-L iron(ii) iodide Chemical compound [Fe+2].[I-].[I-] BQZGVMWPHXIKEQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 6
- QWYFOIJABGVEFP-UHFFFAOYSA-L manganese(ii) iodide Chemical compound [Mn+2].[I-].[I-] QWYFOIJABGVEFP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 6
- YFDLHELOZYVNJE-UHFFFAOYSA-L mercury diiodide Chemical compound I[Hg]I YFDLHELOZYVNJE-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 6
- KOECRLKKXSXCPB-UHFFFAOYSA-K triiodobismuthane Chemical compound I[Bi](I)I KOECRLKKXSXCPB-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims abstract description 6
- 229910021584 Cobalt(II) iodide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910021579 Iron(II) iodide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910021574 Manganese(II) iodide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910021588 Nickel(II) iodide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- RQQRAHKHDFPBMC-UHFFFAOYSA-L lead(ii) iodide Chemical compound I[Pb]I RQQRAHKHDFPBMC-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 19
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 9
- KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K Aluminium flouride Chemical compound F[Al](F)F KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 7
- -1 TlI Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 6
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 claims description 5
- 125000004988 dibenzothienyl group Chemical group C1(=CC=CC=2SC3=C(C21)C=CC=C3)* 0.000 claims description 5
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 3
- BFSQJYRFLQUZKX-UHFFFAOYSA-L nickel(ii) iodide Chemical compound I[Ni]I BFSQJYRFLQUZKX-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 229910001637 strontium fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 2
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(iii) oxide Chemical compound O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Chemical compound O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- MDMUQRJQFHEVFG-UHFFFAOYSA-J thorium(iv) iodide Chemical compound [I-].[I-].[I-].[I-].[Th+4] MDMUQRJQFHEVFG-UHFFFAOYSA-J 0.000 abstract description 8
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- CDQDFXDBVYMPJX-UHFFFAOYSA-K uranium(3+);triiodide Chemical compound I[U](I)I CDQDFXDBVYMPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 abstract description 8
- CMJCEVKJYRZMIA-UHFFFAOYSA-M thallium(i) iodide Chemical compound [Tl]I CMJCEVKJYRZMIA-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 6
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910017115 AlSb Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910015808 BaTe Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910004813 CaTe Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910017680 MgTe Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910004411 SrTe Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N copper(I) oxide Inorganic materials [Cu]O[Cu] BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N cuprous oxide Chemical compound [O-2].[Cu+].[Cu+] KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910000108 silver(I,III) oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 341
- 239000000463 material Substances 0.000 description 34
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 18
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 18
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 17
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 16
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 16
- TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N dibenzofuran Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3OC2=C1 TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 10
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 9
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 6
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 6
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 4
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 1,2-bis[(e)-2-phenylethenyl]benzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1\C=C\C1=CC=CC=C1 NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 0.000 description 2
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 229910052950 sphalerite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- QPBYLOWPSRZOFX-UHFFFAOYSA-J tin(iv) iodide Chemical compound I[Sn](I)(I)I QPBYLOWPSRZOFX-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- RZEAFQWWFOBINJ-UHFFFAOYSA-N 1-(2-phenylphenyl)-9h-carbazole Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1C1=CC=CC2=C1NC1=CC=CC=C12 RZEAFQWWFOBINJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VFMUXPQZKOKPOF-UHFFFAOYSA-N 2,3,7,8,12,13,17,18-octaethyl-21,23-dihydroporphyrin platinum Chemical compound [Pt].CCc1c(CC)c2cc3[nH]c(cc4nc(cc5[nH]c(cc1n2)c(CC)c5CC)c(CC)c4CC)c(CC)c3CC VFMUXPQZKOKPOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JKFYKCYQEWQPTM-UHFFFAOYSA-N 2-azaniumyl-2-(4-fluorophenyl)acetate Chemical compound OC(=O)C(N)C1=CC=C(F)C=C1 JKFYKCYQEWQPTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZYDBGLUVPLRKR-UHFFFAOYSA-N 9-(3-carbazol-9-ylphenyl)carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC(N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)=CC=C1 MZYDBGLUVPLRKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N Phenanthrene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020286 SiOxNy Inorganic materials 0.000 description 1
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTNASVGRWVSNNH-UHFFFAOYSA-N [Ir].C1(=CC=CC=C1)N1CC=CC2=CC=CC=C12.C1(=CC=CC=C1)N1CC=CC2=CC=CC=C12 Chemical compound [Ir].C1(=CC=CC=C1)N1CC=CC2=CC=CC=C12.C1(=CC=CC=C1)N1CC=CC2=CC=CC=C12 QTNASVGRWVSNNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJRJXFPRMUZBHQ-UHFFFAOYSA-N [Ir].C1C=CC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1.C1C=CC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1.C1C=CC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1 Chemical compound [Ir].C1C=CC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1.C1C=CC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1.C1C=CC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1 PJRJXFPRMUZBHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940075417 cadmium iodide Drugs 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- LSXDOTMGLUJQCM-UHFFFAOYSA-M copper(i) iodide Chemical compound I[Cu] LSXDOTMGLUJQCM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000012043 crude product Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- ZXHUJRZYLRVVNP-UHFFFAOYSA-N dibenzofuran-4-ylboronic acid Chemical compound C12=CC=CC=C2OC2=C1C=CC=C2B(O)O ZXHUJRZYLRVVNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- SHNBXKOUKNSCSQ-UHFFFAOYSA-N iridium;1-phenylisoquinoline Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12.C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12 SHNBXKOUKNSCSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229960003671 mercuric iodide Drugs 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940045105 silver iodide Drugs 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021573 transition metal iodide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
Abstract
本公开涉及有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器包括：衬底；有机发光元件，所述有机发光元件在所述衬底上；以及覆盖层，所述覆盖层在所述有机发光元件上，并且所述覆盖层包括高折射层，所述高折射层由具有等于或大于约1.7并且等于或小于约6.0的折射率的无机材料形成，其中所述无机材料包括选自以下各项中的至少一种：CuI、碘化铊(TlI)、AgI、CdI2、HgI2、SnI2、PbI2、BiI3、ZnI2、MnI2、FeI2、CoI2、NiI2、碘化铝(AlI3)、碘化钍(IV)(ThI4)、三碘化铀(UI3)、MgS、MgSe、MgTe、CaS、CaSe、CaTe、SrS、SrSe、SrTe、BaS、BaSe、BaTe、SnS、PbS、CdS、CaS、ZnS、ZnTe、PbTe、CdTe、SnSe、PbSe、CdSe、CuO、Cu2O、WO3、MoO3、SnO2、Nb2O5、Ag2O、CdO、CoO、Pr2O3、Bi2O3、Fe2O3、AlAs、GaAs、InAs、GaP、InP、AlP、AlSb、GaSb和InSb。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2015年5月6日在韩国知识产权局提交的第10-2015-0063363号韩国专利申请的优先权和权益，所述申请的全部内容通过引用结合在此。
技术领域
本公开的实施方案涉及有机发光二极管显示器。
背景技术
当前朝向轻量的并且薄的个人电脑和电视机的发展趋势需要轻量的并且薄的显示设备。满足这种需求的平板显示器(例如，液晶显示器(LCD))取代了传统的阴极射线管(CRT)。然而，因为LCD是无源显示装置，因而使用另外的背光作为光源，并且LCD具有各种问题，例如缓慢的响应时间和窄视角。
在这方面，作为具有宽视角、出色的对比度和快速响应时间的特性的自发射显示设备，有机发光二极管(OLED)显示器近来引起关注。
OLED显示器包括用于发射光的有机发光二极管，并且在所述有机发光二极管中，由一个电极注入的电子与由另一电极注入的空穴在发光层中彼此结合，从而产生激子，并且由激子输出能量以发射光。
需要可以通过有效地提取在有机发光层中产生的光从而提高光效率的各种合适的方法。
在本背景技术部分公开的以上信息仅是为了增强对本公开的背景的理解，并且因此可以包括不形成本领域技术人员在该国已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的实施方案在致力于提供其中光效率提高的有机发光二极管显示器的过程中做出。
本公开的示例性实施方案提供了有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器包括：衬底；有机发光元件，所述有机发光元件设置在所述衬底上；以及覆盖层，所述覆盖层设置在所述有机发光元件上，并且所述覆盖层包括高折射层，所述高折射层由具有等于或大于约1.7并且等于或小于约6.0的折射率的无机材料形成，其中所述无机材料可以包括选自以下各项中的至少一种：CuI、碘化铊(TlI)、AgI、CdI2、HgI2、SnI2、PbI2、BiI3、ZnI2、MnI2、FeI2、CoI2、NiI2、碘化铝(AlI3)、碘化钍(IV)(ThI4)、三碘化铀(UI3)、MgS、MgSe、MgTe、CaS、CaSe、CaTe、SrS、SrSe、SrTe、BaS、BaSe、BaTe、SnS、PbS、CdS、CaS、ZnS、ZnTe、PbTe、CdTe、SnSe、PbSe、CdSe、CuO、Cu2O、WO3、MoO3、SnO2、Nb2O5、Ag2O、CdO、CoO、Pr2O3、Bi2O3、Fe2O3、AlAs、GaAs、InAs、GaP、InP、AlP、AlSb、GaSb和InSb。
所述覆盖层可以包括低折射层，所述低折射层由具有等于或大于约1.0并且等于或小于约1.7的折射率的无机材料形成。
所述低折射层可以设置在所述高折射层和所述有机发光元件之间。
所述低折射层可以包含无机材料，所述无机材料包括卤素化合物。
所述低折射层可以包含选自以下各项中的至少一种：MgF2、LiF、AlF3、NaF、KF、RbF、CaF2、SrF2和YbF2。
包括所述低折射层和所述高折射层的折射层可以形成为多个。
所述有机发光二极管显示器可以还包括：封装衬底，所述封装衬底组装在所述衬底上并且密封所述衬底以便覆盖所述有机发光元件。
所述封装衬底与所述有机发光元件可以彼此间隔开。
所述有机发光元件可以包括：第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极彼此面对；以及发光层，所述发光层设置在所述第一电极和所述第二电极之间；其中所述覆盖层直接设置在所述第二电极上。
所述第一电极可以形成为反射层。
所述发光层可以包括：红色发光层、绿色发光层、蓝色发光层；以及辅助层，所述辅助层设置在所述蓝色发光层下方。
所述有机发光二极管显示器可以还包括：红色共振辅助层，所述红色共振辅助层设置在所述红色发光层下方；以及绿色共振辅助层，所述绿色共振辅助层设置在所述绿色发光层下方。
所述辅助层可以包含由化学式1表示的化合物。
在化学式1中，A1、A2和A3可以分别为烷基、芳基、咔唑基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃(DBF)基和联苯基，并且a、b和c可以分别各自独立地为0至4的正数。
所述辅助层可以包含由化学式2表示的化合物。
在化学式2中，a可以为0至3，b和c可以分别为0至3，X可以选自O、N或S，并且每个X可以与另一个相同或不同。
根据本公开的示例性实施方案，通过用具有高折射率的无机材料形成覆盖层，可以提高有机发光二极管显示器的光效率。
附图说明
附图与说明书一起例示了本公开主题的实施方案，并且与该描述一起用于说明本公开主题的实施方案的原理。
图1是根据本公开的示例性实施方案的有机发光二极管显示器的像素布局视图。
图2是沿线II-II所取的图1的截面视图。
图3是包括覆盖层的变型的图2的有机发光二极管显示器的示例性实施方案的截面视图。
图4是图2的有机发光元件中圆形区域A的放大截面视图。
图5是部分修改的图4的有机发光元件的截面视图。
图6是其中用填料替代空气层的图3的有机发光二极管显示器的示例性实施方案的截面视图。
具体实施方式
将参考附图在下文更充分地描述本公开的实施方案，其中示出了本公开的示例性实施方案。如本领域技术人员将认识到的，所描述的实施方案可以在不背离本发明的精神或范围的情况下以各种不同的方式修改。相反，提供本文引入的示例性实施方案以使得本公开全面并且完整，并向本领域技术人员充分地传达本发明的精神。
在附图中，为了清楚，可以将层和区域的厚度放大。此外，当将层描述为形成在另一层上或衬底上时，其意指该层可以形成在所述另一层上或所述衬底上(例如，该层可以直接在所述另一层或衬底上)，或者第三层可以插入该层与所述另一层或所述衬底之间(例如，该层可以间接在所述另一层或衬底上)。贯穿说明书，相同的附图标记指代相同的要素。
图1是根据本公开的示例性实施方案的有机发光二极管显示器的像素布局视图。图2是沿线II-II所取的图1的截面视图。
参考图1和图2，根据本公开的示例性实施方案的有机发光二极管显示器101包括衬底110、驱动电路DC、有机发光元件70、覆盖层500和封装衬底210。有机发光二极管显示器101可以还包括缓冲层120和像素限定层190。
衬底110可以由以下材料制成：无机材料，例如玻璃；有机物(例如，有机材料)，例如聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚醚砜，或它们的组合或混合物；硅片；金属；等。
缓冲层120设置在衬底110上。缓冲层120可以形成为一个或多个各种合适的无机膜和有机膜。缓冲层120阻止不需要的成分如杂质或水分渗入驱动电路DC或有机发光元件70(或减少这种不希望的成分的渗透)，并且同时使其表面平坦化。缓冲层120可以由执行这种功能的材料组成。例如，缓冲层120可以为以下各项中的任一种：氮化硅(例如，SiNx；1/2≤x≤2，例如，x＝1.33)膜、氧化硅(例如，SiOy；1≤y≤2，例如，y＝2)膜或硅的氮氧化物(例如，SiOxNy；1≤x≤2并且1≤y≤2)膜。然而，缓冲层120不是必需的组成部分，并且依赖于衬底110的型或类及工艺条件，可以不提供缓冲层120。
驱动电路DC设置在缓冲层120上。驱动电路DC包括多个薄膜晶体管10和20，并且驱动有机发光元件70。例如，根据由驱动电路DC提供的驱动信号，有机发光元件70发射光，并且显示图像。
有机发光元件70根据由驱动电路DC提供的驱动信号发射光。此外，有机发光元件70包括作为能够注入空穴的阳极的第一电极710、作为能够注入电子的阴极的第二电极730、以及设置在第一和第二电极710和730之间的发光元件层720。例如，第一电极710、发光元件层720和第二电极730依次堆叠以形成有机发光元件70。然而，本公开不限于此。例如，第一电极710可以为阴极电极，并且第二电极可以为阳极电极730。
根据本公开的示例性实施方案的第一电极710可以形成为反射层，并且第二电极730可以形成为半透射层或透明传导层。因此，由发光元件层720产生的光穿过第二电极730发射。例如，根据本公开的示例性实施方案的有机发光二极管显示器101具有前发光型腔结构。
反射层和半透射层由选自以下各项中的至少一种金属材料制成：镁(Mg)、银(Ag)、金(Au)、钙(Ca)、锂(Li)、铬(Cr)、铝(Al)，以及它们的合金。该层为反射层或是为半透射层由其厚度决定。通常，半透射层具有小于约200nm的厚度(例如，大于0至小于约200nm的厚度)。半透射层越薄，穿过半透射层的光透射率越大，并且半透射层越厚，穿过半透射层的光透射率越小。
第一电极710可以还包括透明传导层。例如，第一电极710可以具有包括反射层和透明传导层的多层结构。第一电极710的透明传导层设置在反射层和发光元件层720之间。第一电极710可以形成为具有三层结构，其中透明传导层、反射层和透明传导层依次堆叠。例如，第一电极710可以形成为具有其中氧化铟锡(ITO)、银(Ag)和氧化铟锡(ITO)依次堆叠的结构。
第一电极710可以通过溅射或真空沉积形成。
透明传导层由以下材料制成：例如，氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和/或氧化铟(In2O3)等。透明传导层具有相对高的功函。因此，当第一电极710形成为具有透明传导层时，空穴通过第一电极710平稳地注入。
发光元件层720形成为包括选自以下各项中的一个或多个的多层：发光层、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。在上述层中，如果必要或需要，可以省略除发光层之外的其余的层。当发光元件层720包括所有上述层时，空穴注入层(HIL)设置在作为阳极电极的第一电极710上，并且空穴传输层(HTL)、发光层、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)依次堆叠在空穴注入层(HIL)上。如果必要或需要，发光元件层720可以还包括另外的层。
像素限定层190包括开口1905。像素限定层190的开口1905部分地露出第一电极710。第一电极710、发光元件层720和第二电极730依次堆叠在像素限定层190的开口1905中。在这种情况下，第二电极730不仅形成在发光元件层720上，而且形成在像素限定层190上。发光元件层720中除发光层之外的层可以设置在像素限定层190和第二电极730之间。有机发光元件70在设置在像素限定层190的开口1905内的发光元件层720中发射光。例如，像素限定层190的开口1905限定发光区域。
覆盖层500形成在有机发光元件70上。覆盖层500有助于有效地或适当地向外界发射在发光元件层720中产生的光，同时保护有机发光元件70。
在本示例性实施方案中，覆盖层500包含具有等于或大于约1.7并且等于或小于约6.0的折射率(例如，约1.7至约6.0的折射率)的无机材料。在本示例性实施方案中，形成覆盖层500的无机材料包括选自以下各项的至少一种：碘化铜(CuI)、碘化铊(TlI)、碘化银(AgI)、碘化镉(CdI2)、碘化汞(HgI2)、碘化锡(SnI2)、碘化铅(PbI2)、碘化铋(BiI3)、碘化锌(ZnI2)、碘化锰(MnI2)、碘化亚铁(FeI2)、碘化钴(CoI2)、碘化镍(NiI2)、碘化铝(AlI3)、碘化钍(IV)(ThI4)和三碘化铀(UI3)，这些是过渡金属系碘化物。在卤素材料中，氟化物具有低折射特性，并且碘化物具有高折射特性。因此，因为上述作为过渡金属系碘化物的无机材料是高折射材料，其能够在低于约500摄氏度的温度热蒸发，用于热蒸发过程的热蒸发源不需要高温系统，并且由此可以降低成本。此外，即使当在与在真空中相同或基本上相同的条件下进行热蒸发时，可以在低于约250摄氏度的温度通过热蒸发方法实施沉积。因为热蒸发可以在相对低的温度进行，可以在不改变有机发光元件70的电特性的情况下出现强烈的共振。因此，当覆盖层500由过渡金属系碘化物如CuI或TlI的无机材料形成时，光效率可以在不改变有机发光元件70的电特性的情况下增加。此外，因为CuI的密度(5.67g/cm3)和TlI的密度(7.29g/cm3)高，覆盖层可以对于氧气和水分是免疫的或是基本上非反应性的。作为具有高折射率的材料的氧化物系或氮化物系材料的热蒸发温度比有机材料的热蒸发温度相对更高。
覆盖层500不限于上述示例性实施方案，并且其可以包含选自以下各项中的至少一种：MgS、MgSe、MgTe、CaS、CaSe、CaTe、SrS、SrSe、SrTe、BaS、BaSe、BaTe、SnS、PbS、CdS、CaS、ZnS、ZnTe、PbTe、CdTe、SnSe、PbSe、CdSe、CuO、Cu2O、WO3、MoO3、SnO2、Nb2O5、Ag2O、CdO、CoO、Pr2O3、Bi2O3、Fe2O3、AlAs、GaAs、InAs、GaP、InP、AlP、AlSb、GaSb和InSb。
封装衬底210设置在覆盖层500上。封装衬底210是由玻璃、石英、陶瓷、塑料等制成的绝缘衬底。将封装衬底210和衬底110组装并密封在一起以覆盖有机发光元件70。在这种情况下，封装衬底210和有机发光元件70彼此间隔开。此外，将封装衬底210和衬底110之间的间隔通过密封剂密封。
此外，空气层300设置在封装衬底210和有机发光元件70之间的间隔中。在本示例性实施方案中，空气层300可以具有比对应于高折射层的覆盖层500的折射率低的折射率。
现在将参考图3描述覆盖层500的示例性变型。
图3是具有图2的覆盖层的变型的示例性实施方案的截面视图。
在图3的示例性实施方案中，有机发光二极管显示器102包括覆盖层500，所述覆盖层500包括具有不同折射率的多层的层。覆盖层500增加了由有机发光元件70的发光元件层720发射的光的提取率，由此提高光效率。
例如，在图3中，覆盖层500具有其中低折射层510和高折射层520交替堆叠的结构。尽管图3中示出了一个低折射层510和一个高折射层520，但是覆盖层500不限于此，并且覆盖层500可以由三层或多于三层形成，包括一个或多个低折射层510和一个或多个高折射层520。例如，覆盖层可以包括多个折射层，所述多个折射层各自包括低折射层和高折射层。
在本示例性实施方案中，低折射层510可以包含具有等于或大于约1.0并且等于或小于约1.7的折射率(例如，约1.0至约1.7的折射率)的无机材料。在低折射层510中使用的无机材料可以包括I族元素系、II族元素系、镧系元素系或过渡金属系卤素化合物。在一些实施方案中，低折射层510可以包含卤素化合物如氟化合物。例如，低折射层510可以包含选自以下各项中的至少一种：MgF2、LiF、AlF3、NaF、KF、RbF、CaF2、SrF2和YbF2。
高折射层520设置在离有机发光元件70最远的顶层上。例如，高折射层520是覆盖层500的离有机发光元件70最远的层。
高折射层520可以包含具有等于或大于约1.7并且等于或小于约6.0的折射率(例如，约1.7至约6.0的折射率)的无机材料。
在高折射层520中使用的无机材料可以例如包含选自以下各项中的至少一种：CuI、碘化铊(TlI)、AgI、CdI2、HgI2、SnI2、PbI2、BiI3、ZnI2、MnI2、FeI2、CoI2、NiI2、碘化铝(AlI3)、碘化钍(IV)(ThI4)和三碘化铀(UI3)。高折射层520不限于上述示例性实施方案，并且其可以包含选自以下各项中的至少一种：MgS、MgSe、MgTe、CaS、CaSe、CaTe、SrS、SrSe、SrTe、BaS、BaSe、BaTe、SnS、PbS、CdS、CaS、ZnS、ZnTe、PbTe、CdTe、SnSe、PbSe、CdSe、CuO、Cu2O、WO3、MoO3、SnO2、Nb2O5、Ag2O、CdO、CoO、Pr2O3、Bi2O3、Fe2O3、AlAs、GaAs、InAs、GaP、InP、AlP、AlSb、GaSb和InSb。
在本示例性实施方案中，低折射层510具有约100埃至约400埃的厚度，并且高折射层520具有约400埃至约800埃的厚度。当低折射层510和高折射层520分别具有上述厚度时，由发光元件层720发射的并穿过覆盖层500的光的效率可增加至少90％。然而，根据本公开的示例性实施方案的覆盖层500的厚度不限于此。因此，如果必要或需要，可以合适地或适当地调整低折射层510和高折射层520的厚度。
归因于覆盖层500的低折射层510和高折射层520之间的折射率差值，由发光元件层720发射的光的一部分透射穿过覆盖层500，而其另一部分从覆盖层500反射(或由覆盖层500反射)。例如，光由低折射层510与高折射层520之间的界面、或高折射层520与空气层300之间的界面反射。
由覆盖层500反射的光由第一电极710或第二电极730再次反射，并重复该过程，从而将光放大。此外，光的反射可以在覆盖层500内重复，从而将光放大。例如，光的反射可以在低折射层510与高折射层520之间的界面与在高折射层520与空气层300之间的界面之间重复。
有机发光二极管显示器102可以通过这种共振效应有效地或适当地将光放大，从而提高光效率。
在一些实施方案中，因为低折射层510和高折射层520具有不同的折射率，归因于低折射层510和高折射层520之间的折射率，光由低折射层510与高折射层520之间的界面反射。与高折射层520直接接触的空气层300可以是低折射材料。在一些实施方案中，空气层300具有约1的折射率。
因此，基于空气层300的折射率以及用于制造低折射层510和高折射层520的每一个的材料的特性，低折射层510和高折射层520的每一个具有设定或预定范围的折射率。例如，依赖于高折射层520的组分，高折射层520的折射率可以等于或大于约1.0并且等于或小于约6.0(例如，约1.0至约6.0的折射率)。依赖于低折射层510的组分，低折射层510的折射率可以等于或大于约1.0并且小于约1.7(例如，约1.0至约1.7的折射率)。在这种情况下，即使低折射层510和高折射层520由相同的或基本上相同的材料组成，它们的折射率依赖于其制造方法可以彼此不同。
可以将对于图2所描述的特征和内容，以及上述区别应用至图3的示例性实施方案。
如对于本公开的示例性实施方案所描述的，与由无机材料形成的覆盖层500比较，表1示出了由有机材料形成的覆盖层500的光效率的变化。
表1
参考表1，当在覆盖层500用有机材料1形成为单有机层的情况下将光效率设定为约1.0，并且在覆盖层500用有机材料2和BAlq((1,1'-联苯基-4'-氧基)二(8-羟基-2-甲基喹啉)铝)形成为双有机层的情况下将光效率设定为约1.06时，由CuI形成的覆盖层500的实测相对光效率提高约10％，并且当覆盖层的下层由AlF3形成并且覆盖层的上层由CuI形成时，覆盖层的相对光效率提高约13％。在这种情况下，有机材料1和有机材料2可以具有约1.88至约1.90的折射率，并且它们可以为可在制造具有所述折射率的覆盖层中使用的任何合适的有机材料。
现在将更详细地描述驱动电路DC和有机发光元件70的结构。
参考图1和图2，尽管例示了具有2Tr-1Cap结构的有源矩阵(AM)型有机发光二极管显示器101，其中像素设置有两个薄膜晶体管(TFT)10和20以及一个电容器80，但是本公开不限于此。因此，有机发光二极管显示器101可以在一个像素中设置有三个或多于三个薄膜晶体管和两个或多于两个存储电容器，并可以配置为具有多种带另外的线的合适结构。本文中，像素表示显示图像的基本单元或最小单元，并且有机发光二极管显示器101通过使用多个像素显示图像。
在每个像素中形成开关薄膜晶体管10、驱动薄膜晶体管20、电容器80和有机发光元件70。这里，将包括开关薄膜晶体管10、驱动薄膜晶体管20和电容器80的构造称为驱动电路DC。此外，形成设置在一个方向上的栅极线151、与栅极线151交叉的数据线171以及公共电源线172。尽管可以通过将栅极线151、数据线171和公共电源线172作为边界限定每个像素，但是本公开不限于此。
有机发光元件70包括第一电极710、设置在第一电极710上的发光元件层720和形成在发光元件层720上的第二电极730。将来自第一电极710和第二电极730的空穴和电子注入至发光元件层720中。当由所注入的空穴和电子的结合产生的激子从激发态落至基态时，发射光。
电容器80包括一对电容器板158和178，所述电容器板158和178设置有插入其间的层间绝缘层160。这里，层间绝缘层160为(或包含)介电材料。电容器80的电容依赖于在电容器80中充入的电荷和电容器板158和178的电压确定。
开关薄膜晶体管10包括开关半导体层131、开关栅电极152、开关源电极173和开关漏电极174。驱动薄膜晶体管20包括驱动半导体层132、驱动栅电极155、驱动源电极176和驱动漏电极177。栅绝缘层127可以设置在驱动半导体层132和驱动栅电极155之间。
将开关薄膜晶体管10作为选择像素以发射光的开关使用。开关栅电极152连接至栅极线151。开关源电极173连接至数据线171。开关漏电极174与开关源电极173间隔开，并且连接至电容器板158和178中的一个(在该情况下为158)。开关漏电极174设置为与开关源电极173间隔开，并连接至电容器板158。
驱动薄膜晶体管20向第一电极710施加驱动功率用于所选像素中有机发光元件70的发光元件层720的光发射。驱动栅电极155连接至电容器板158，所述电容器板158连接至开关漏电极174。驱动源电极176和电容器板178分别连接至公共电源线172。驱动漏电极177通过接触孔连接至有机发光元件70的第一电极710。
用这种结构，开关薄膜晶体管10通过施加至栅极线151的栅电压驱动，以将施加至数据线171的数据电压传输至驱动薄膜晶体管20。对应于从公共电源线172施加至驱动薄膜晶体管20的公共电压与由开关薄膜晶体管10传输的数据电压之间的电压差值的电压存储在电容器80中，并且对应于存储在电容器80中的电压的电流通过驱动薄膜晶体管20流至有机发光元件70，以使得有机发光元件70发射光。
在下文中，将参考图4描述根据本公开的示例性实施方案的有机发光元件70。
图4是图2的有机发光元件的圆形区域A的放大截面视图。
参考图2和图4，根据本公开的示例性实施方案的有机发光元件(图2的部分“A”)包括其中第一电极710、空穴传输层714、发光层715、电子传输层777、电子注入层779和第二电极730依次堆叠的结构。
在根据本示例性实施方案的有机发光元件70中，如上所述的第一电极710形成为反射层，以便具有前发光型结构，并且作为公共电极的第二电极730可以形成为半透射层。
空穴传输层714形成在第一电极710上。空穴传输层714可以传输从形成在第一电极710与空穴传输层714之间的空穴注入层输送的空穴。空穴传输层714可以包含有机材料。例如，空穴传输层714可以包含NPD(N,N-二萘基-N,N'-二苯基联苯胺)、TPD(N,N'-二-(3-甲基苯基)-N,N’-二-(苯基)-联苯胺)、s-TAD和MTDATA(4,4’,4”-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)-三苯基胺)，但是空穴传输层不限于此。
空穴传输层714可以具有约15nm至约25nm的厚度。例如，空穴传输层714可以具有约20nm的厚度。空穴传输/注入层可以通过变换上述空穴传输层714并在空穴传输层714中包含空穴注入材料而形成为单层。
发光层715设置在空穴传输层714上。发光层715包含用于表达特定颜色的发光材料。例如，发光层715可以表达基色，如蓝色、绿色或红色，或它们的组合或混合。
发光层715可以具有约10nm至约50nm的厚度。发光层715包含主体和掺杂剂。发光层715可以包含发射红色、绿色、蓝色和白色光的材料，并且可以由磷光材料或荧光材料制成。
当发光层715发射红色光时，它可以由包含主体材料和掺杂剂的磷光材料制成，所述主体材料包括CBP(咔唑联苯)或mCP(1,3-二(咔唑-9-基)苯；所述掺杂剂包括选自以下各项的组的任意一种或多种：PIQIr(acac)(二(1-苯基异喹啉)乙酰丙酮铱)、PQIr(acac)(二(1-苯基喹啉)乙酰丙酮铱)、PQIr(三(1-苯基喹啉)铱)和PtOEP(八乙基卟啉铂)，或者它可以由荧光材料制成，所述荧光材料包括PBD:Eu(DBM)3(Phen)或苝，但是发光层不限于此。
当发光层715发射绿色光时，它可以由包含主体材料和掺杂剂材料的磷光材料制成，所述主体材料包括CBP或mCP；所述掺杂剂材料包括Ir(ppy)3(面式-三(2-苯基吡啶)铱)，或者它可以由包括Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)的荧光材料构成，但是发光层不限于此。
当发光层715发射蓝色光时，它可以由包含主体材料和掺杂剂材料的磷光材料制成，所述主体材料包括CBP或mCP；所述掺杂剂材料包括(4,6-F2ppy)2Irpic。在一些实施方案中，发光层可以由荧光材料制成，所述荧光材料包括选自以下各项的至少一种：螺-DPVBi、螺-6P、联苯乙烯基苯(DSB)、联苯乙烯基蒽(DSA)、PFO系聚合物和PPV系聚合物，但是荧光材料不限于此。
电子传输层777设置在发光层715上。电子传输层777可以将电子从第二电极730传输至发光层715。电子传输层777可以防止由第一电极710注入的空穴穿过发光层715移动至第二电极730(或者可以减少空穴的这种移动)。例如，电子传输层777起空穴阻挡层的作用，以有助于空穴和电子在发光层715中结合。
电子传输层777可以包含有机材料。例如，电子传输层777可以由选自以下各项的组的任何一种或多种制成：Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)、PBD、TAZ、螺-PBD、BAlq和SAlq，但是电子传输层不限于此。
电子注入层779设置在电子传输层777上。电子注入层779用于提高电子从第二电极730至电子传输层777的注入。根据本示例性实施方案的电子注入层779包含偶极材料和第一金属。这里，偶极材料和第一金属共沉积形成一层。第一金属可以包括选自以下各项的至少一种：Yb、Mg、Li、Na、Ca、Sr、Ba、In、Sn、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Sm和Lu。
偶极材料由彼此结合的具有不同极性的第一组分和第二组分组成，并且第一组分可以包括选自以下各项的一种：碱金属、碱土金属、稀土金属和过渡金属，并且第二组分可以包括卤素。例如，第一组分可以为包括选自以下各项的至少一种的元素：Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr和Ba，并且第二组分可以为包括选自以下各项的至少一种的元素：F、Cl、Br和I。这里，当偶极材料电离时，第一组分为成为阳离子的元素，并且第二组分可以为成为阴离子的元素。
在本示例性实施方案中，考虑到工艺余量，电子注入层779的厚度具有约5埃
的低值或最小值，并且考虑到保持电子注入层功能，电子注入层779的厚度具有约50埃
的高值或最大值，并且因此其范围可以为约5埃
至约50埃
然而，在一些实施方案中，电子注入层的厚度可以为约10埃
至约20埃
第二电极730设置在电子注入层779上。第二电极730的厚度可以为约30埃
至约300埃在本示例性实施方案中，第二电极730通过溅射沉积。
图5是部分修改的图4的有机发光元件的截面视图。
图5例示了参考图4所述的有机发光元件的发光层715的示例变型。例如，在本示例性实施方案中，发光层715可以包括红色发光层(R)、绿色发光层(G)和蓝色发光层(B)，并且辅助层(BIL)可以设置在蓝色发光层(B)的下方，以使得可以提高蓝色发光层(B)的效率。
红色发光层(R)可以具有约30nm至约50nm的厚度，绿色发光层(G)可以具有约10nm至约30nm的厚度，并且蓝色发光层(B)可以具有约10nm至约30nm的厚度。设置在蓝色发光层(B)下方的辅助层(BIL)可以具有等于或小于约20nm的厚度(例如，辅助层(BIL)可以具有大于0nm至约20nm的厚度)。通过调整空穴电荷平衡，辅助层(BIL)可以提高蓝色发光层(B)的效率。辅助层(BIL)可以包含由化学式1表示的化合物。
在化学式1中，A1、A2和A3各自独立地选自烷基、芳基、咔唑基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃(DBF)基和联苯基，并且a、b和c各自为0至4的正数。
作为由化学式1表示的化合物的实例，可以包括下列化学式1-1、1-2、1-3、1-4、1-5和1-6。
在示例性实施方案中，辅助层(BIL)可以包含由化学式2表示的化合物。
在化学式2中，a可以为0至3，b和c可以分别为0至3，X可以选自O、N或S，并且每个X可以与另一个相同或不同。
作为由化学式2表示的化合物的实例，可以包括化学式2-1、2-2、2-3、2-4、2-5和2-6。
在示例性实施方案中，辅助层(BIL)可以包含由化学式3表示的化合物。
在化学式3中，A1可以为烷基、芳基、咔唑基、二苯并噻吩基或二苯并呋喃(DBF)基，L1和L2可以为
(其中n为0至3)，并且连接至L1和L2的DBF可以被咔唑基或二苯并噻吩基替代。
在下文中，将描述根据本公开的示例性实施方案的辅助层(BIL)的制备方法(例如，合成或制造)。例如，将描述以下化学式1-1的制备方法。
<制备例>
在氩气气氛下，将6.3g的4-二苯并呋喃硼酸、4.8mg的4,4',4”-三溴三苯胺、104mg的四(三苯基膦)钯(Pd(PPh3)4)、48ml的碳酸钠(Na2CO3)溶液(2M)和48ml的甲苯置于300ml三颈烧瓶中，并在80℃反应八小时。将反应溶液用甲苯/水萃取，并用无水硫酸钠干燥。将所得物在低压下浓缩，并且通过所获得的粗产物的柱纯化获得3.9g的黄白色粉末。
在图5中，红色共振辅助层(R')可以设置在红色发光层(R)下方，并且绿色共振辅助层(G')可以设置在绿色发光层(G)下方。红色共振辅助层(R')和绿色共振辅助层(G')是可以为相应的颜色而调整共振距离的层。在一些实施方案中，可以不在对应于红色发光层(R)或绿色发光层(G)的蓝色发光层(B)下方以及在辅助层(BIL)下方单独形成共振辅助层，所述共振辅助层插入蓝色发光层(B)和辅助层(BIL)与空穴传输层714之间。
可以将关于图1至图4描述的特征和内容以及上述区别应用至图5的示例性实施方案。
图6是其中图3的空气层被填料替代的示例性实施方案的截面视图。
如图6所示，根据本公开的示例性实施方案的有机发光二极管显示器103包括设置在有机发光元件70和封装衬底210之间的间隔中的填料400。填料400填充有机发光二极管显示器103的内部，代替关于图3所述的空气层300。
填料400由有机材料例如具有约1.7或更低的折射率的聚合物制成。例如，填料400具有比覆盖层500的高折射层520的折射率低的折射率。
通过这种构造，根据本公开的示例性实施方案的有机发光二极管显示器103可以提高通过覆盖层500的光效率。
此外，因为填料400填充有机发光二极管显示器103的空的空间，有机发光二极管显示器103的机械强度和耐用性可以提高。
如本文所用，当表述如“选自以下各项中的至少一种”在要素的列举之前时，该表述修饰要素的全部列举而不修饰列举的单个要素。此外，当描述本发明的实施方案时使用“可以”是指“本公开的一个或多个实施方案”。
应理解，尽管在本文中可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等描述各种要素、组分、区域、层和/或部分(例如，第一电极和第二电极)，这些要素、组分、区域、层和/或部分不受这些术语限定。这些术语用于将一个要素、组分、区域、层或部分与另一个要素、组分、区域、层或部分区分。因此，在不背离本发明的精神和范围的情况下，可以将下面描述的第一要素、组分、区域、层或部分称为第二要素、组分、区域、层或部分。
应理解，当要素或层被称为在“在……上”、“连接至”或“耦接至”另一个要素或层时，其可以直接在所述另一个要素或层上，直接连接至或耦接至所述另一个要素或层，或者可以存在一个或多个介于中间的要素或层。此外，还应理解，当要素或层被称为在两个要素或层“之间”时，其可以是所述两个要素或层之间唯一的要素或层，或者可以还存在一个或多个介于中间的要素或层。
本文使用的术语仅用于描述具体的实施方案的目的，并且不意图限制本发明。如本文所用，单数形式“一个”和“一种”意图也包括复数形式，除非上下文另外明确指出。还应理解，当在本说明书中使用时，术语“包括”、“包括…的”、“包含”和“包含…的”指示所述特征、整数、步骤、操作、要素和/或组分的存在，但不排除一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、要素、组分和/或它们的组的存在或添加。如本文所用，术语“和/或”包括相关列出项中的一项或多项的任何和所有组合。
如本文所用，术语“基本上”、“约”以及相似的术语用作近似值的术语，而不用作程度的术语，并且其意图计入本领域技术人员公认的测量值或计算值的固有偏差。如本文所用，可以认为术语“使用”、“使用…的”和“使用的”分别与术语“用”、“用…的”和“所用的”是同义词。而且，术语“示例性”是指实例或例示说明。
除非另外定义，本文所用的所有术语(包括技术术语和科学术语)与本发明所属领域的技术人员通常所理解的具有相同含义。还应理解，术语，如在通常使用的辞典中定义的那些，应该被解释为具有与它们在相关领域和/或本说明书的上下文中的含义一致的含义，而不应以理想化的或过度形式化的含义解释，除非本文明确定义。
当结合当前所认为的实用示例性实施方案描述本公开时，应理解，本公开不限于所公开的实施方案，相反，而是意图覆盖在所附权利要求的精神和范围内所包括的各种修改和等同设置。
部分符号描述
70有机发光元件 210封装衬底
500覆盖层 510低折射层
520高折射层 BIL辅助层
Claims (10)
1.有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器包括：
衬底；
有机发光元件，所述有机发光元件在所述衬底上；以及
覆盖层，所述覆盖层在所述有机发光元件上，并且所述覆盖层包括高折射层，所述高折射层包含具有等于或大于1.7并且等于或小于6.0的折射率的无机材料，其中形成所述高折射层的所述无机材料包括选自以下各项中的至少一种：CuI、TlI、AgI、CdI2、HgI2、SnI2、PbI2、BiI3、ZnI2、MnI2、FeI2、CoI2、NiI2、AlI3、ThI4和UI3，
其中所述覆盖层还包括低折射层，所述低折射层由具有等于或大于1.0并且等于或小于1.7的折射率的无机材料形成，其中形成所述低折射层的所述无机材料包括选自以下各项中的至少一种：MgF2、LiF、AlF3、NaF、KF、RbF、CaF2、SrF2和YbF2，
其中所述覆盖层包括多个折射层，所述折射层各自包括所述低折射层和所述高折射层，以及
其中所述高折射层具有400埃至800埃的厚度，并且所述低折射层具有100埃至400埃的厚度。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中：
所述低折射层在所述高折射层和所述有机发光元件之间。
3.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器还包括：
封装衬底，所述封装衬底在所述衬底上并且密封所述衬底以覆盖所述有机发光元件。
4.如权利要求3所述的有机发光二极管显示器，其中：
所述封装衬底与所述有机发光元件彼此间隔开。
5.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中：
所述有机发光元件包括：
第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极彼此面对；以及
发光层，所述发光层在所述第一电极和所述第二电极之间；
其中所述覆盖层直接在所述第二电极上。
6.如权利要求5所述的有机发光二极管显示器，其中：
所述第一电极为反射层。
7.如权利要求6所述的有机发光二极管显示器，其中：
所述发光层包括：
红色发光层、绿色发光层、蓝色发光层；以及
辅助层，所述辅助层在所述蓝色发光层下方。
8.如权利要求7所述的有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器还包括：
红色共振辅助层，所述红色共振辅助层在所述红色发光层下方；以及
绿色共振辅助层，所述绿色共振辅助层在所述绿色发光层下方。
9.如权利要求7所述的有机发光二极管显示器，其中：
所述辅助层包含由化学式1表示的化合物：
其中，在化学式1中，A1、A2和A3各自独立地选自以下各项：烷基、芳基、咔唑基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基和联苯基，并且a、b和c各自为0至4的整数。
10.如权利要求7所述的有机发光二极管显示器，其中：
所述辅助层包含由化学式2表示的化合物：
其中，在化学式2中，a为0至3，b和c为0至3，X选自O、N和S，并且每个X与另一个相同或不同。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150063363A KR102459818B1 (ko) | 2015-05-06 | 2015-05-06 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR10-2015-0063363 | 2015-05-06 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106129266A CN106129266A (zh) | 2016-11-16 |
| CN106129266B true CN106129266B (zh) | 2020-03-03 |
Family
ID=57223188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610290814.2A Active CN106129266B (zh) | 2015-05-06 | 2016-05-04 | 有机发光二极管显示器 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US10403851B2 (zh) |
| KR (1) | KR102459818B1 (zh) |
| CN (1) | CN106129266B (zh) |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101733151B1 (ko) * | 2014-08-21 | 2017-05-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
| KR102459818B1 (ko) | 2015-05-06 | 2022-10-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102407115B1 (ko) | 2015-06-25 | 2022-06-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102318385B1 (ko) * | 2015-08-13 | 2021-10-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR20180033352A (ko) * | 2016-09-23 | 2018-04-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 캡핑층을 포함하는 유기발광 표시장치 |
| JP6151874B1 (ja) * | 2017-02-10 | 2017-06-21 | Ｌｕｍｉｏｔｅｃ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセント装置および照明装置 |
| CN106848080A (zh) * | 2017-03-02 | 2017-06-13 | 瑞声光电科技(常州)有限公司 | 一种白光oled发光器件 |
| WO2018164239A1 (ja) | 2017-03-08 | 2018-09-13 | 出光興産株式会社 | 化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、及び電子機器 |
| CN107808934A (zh) | 2017-11-30 | 2018-03-16 | 武汉天马微电子有限公司 | 有机发光显示面板和显示装置 |
| JP7253502B2 (ja) | 2018-01-29 | 2023-04-06 | 出光興産株式会社 | 化合物及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP6915874B2 (ja) * | 2018-04-09 | 2021-08-04 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 有機電界発光素子、有機電界発光パネルおよび電子機器 |
| CN108511630B (zh) * | 2018-05-31 | 2019-12-03 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示面板及显示器件 |
| EP3889151A4 (en) | 2018-11-30 | 2022-08-31 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | COMPOUND, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT MATERIAL, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT AND ELECTRONIC DEVICE |
| KR102643070B1 (ko) | 2018-12-07 | 2024-02-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계 발광 표시 장치 |
| CN109742122B (zh) * | 2019-01-10 | 2021-08-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示面板 |
| KR20200100901A (ko) | 2019-02-18 | 2020-08-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| US20220246857A1 (en) | 2019-05-31 | 2022-08-04 | Idemitsu Kosan Co.,Ltd. | Compound, material for organic electroluminescent elements, organic electroluminescent element, and electronic device |
| CN110429187B (zh) * | 2019-07-05 | 2020-12-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 薄膜电致发光器件及其制备方法、电子设备 |
| CN111769208A (zh) * | 2020-07-13 | 2020-10-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板和显示装置 |
| WO2022123431A1 (en) | 2020-12-07 | 2022-06-16 | Oti Lumionics Inc. | Patterning a conductive deposited layer using a nucleation inhibiting coating and an underlying metallic coating |
| KR102541927B1 (ko) * | 2021-02-01 | 2023-06-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| WO2022266837A1 (zh) * | 2021-06-22 | 2022-12-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101044642A (zh) * | 2004-11-16 | 2007-09-26 | 国际商业机器公司 | 包括电介质覆盖层的有机发光器件 |
| CN102074568A (zh) * | 2009-11-25 | 2011-05-25 | 三星移动显示器株式会社 | 有机发光二极管显示器 |
| CN102157543A (zh) * | 2010-01-04 | 2011-08-17 | 三星移动显示器株式会社 | 有机发光二极管显示器 |
| CN102290531A (zh) * | 2010-06-16 | 2011-12-21 | 三星移动显示器株式会社 | 有机发光装置及其制造方法 |
| CN102655164A (zh) * | 2011-03-04 | 2012-09-05 | 索尼公司 | 有机电致发光显示装置及其制造方法 |
| CN103534833A (zh) * | 2011-05-13 | 2014-01-22 | 索尼株式会社 | 有机电致发光多色发光装置 |
Family Cites Families (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3068416B2 (ja) * | 1994-08-26 | 2000-07-24 | 日本電気株式会社 | 情報記録媒体 |
| US5677572A (en) | 1996-07-29 | 1997-10-14 | Eastman Kodak Company | Bilayer electrode on a n-type semiconductor |
| KR100563675B1 (ko) * | 2002-04-09 | 2006-03-28 | 캐논 가부시끼가이샤 | 유기 발광소자 및 유기 발광소자 패키지 |
| JP5124083B2 (ja) * | 2004-06-09 | 2013-01-23 | 三星ディスプレイ株式會社 | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 |
| US20060250084A1 (en) * | 2005-05-04 | 2006-11-09 | Eastman Kodak Company | OLED device with improved light output |
| US8174187B2 (en) | 2007-01-15 | 2012-05-08 | Global Oled Technology Llc | Light-emitting device having improved light output |
| US7911133B2 (en) | 2007-05-10 | 2011-03-22 | Global Oled Technology Llc | Electroluminescent device having improved light output |
| KR100873082B1 (ko) | 2007-05-30 | 2008-12-09 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
| KR100889625B1 (ko) * | 2007-07-19 | 2009-03-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 접합방법 및 그를 이용한 유기전계발광표시장치의 제조방법 |
| JP2009044104A (ja) | 2007-08-10 | 2009-02-26 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び製造方法 |
| US7903339B2 (en) * | 2007-08-12 | 2011-03-08 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Narrow band omnidirectional reflectors and their use as structural colors |
| JP5141325B2 (ja) * | 2008-03-21 | 2013-02-13 | 凸版印刷株式会社 | 有機ｅｌディスプレイパネルの製造方法 |
| WO2009145016A1 (ja) | 2008-05-29 | 2009-12-03 | 出光興産株式会社 | 芳香族アミン誘導体及びそれらを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| EP2403316A4 (en) | 2009-02-24 | 2013-05-01 | Sumitomo Chemical Co | SUBSTRATE AND ORGANIC EL DEVICE |
| KR20130129924A (ko) | 2010-10-25 | 2013-11-29 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 유기 ｅｌ 소자, 투광성 기판 및 유기 ｅｌ 소자의 제조 방법 |
| US9715789B1 (en) * | 2010-12-20 | 2017-07-25 | Zynga Inc. | Method and system of incorporating team challenges into a social game |
| JP5844349B2 (ja) * | 2011-03-28 | 2016-01-13 | 凸版印刷株式会社 | 反射防止フィルム及びその製造方法 |
| DE102011084437A1 (de) * | 2011-10-13 | 2013-04-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lichtemittierendes Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines lichtemittierenden Bauelements |
| KR102079583B1 (ko) | 2012-02-28 | 2020-04-07 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 | 광학 커플링 층에 적합한 표면 개질된 고굴절률 나노입자를 포함하는 조성물 |
| KR101628010B1 (ko) * | 2012-03-23 | 2016-06-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전자장치용 기판의 제조 방법 |
| KR20130108026A (ko) * | 2012-03-23 | 2013-10-02 | 주식회사 엘지화학 | 유기발광소자 |
| KR20130108028A (ko) * | 2012-03-23 | 2013-10-02 | 주식회사 엘지화학 | 유기발광소자 |
| JP6003981B2 (ja) * | 2012-04-23 | 2016-10-05 | コニカミノルタ株式会社 | 透明電極、電子デバイス、および有機電界発光素子 |
| KR20140008215A (ko) | 2012-07-11 | 2014-01-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
| DE112013007836B3 (de) | 2012-07-20 | 2023-06-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Anzeigevorrichtung |
| JP6394392B2 (ja) * | 2012-07-27 | 2018-09-26 | 日本ゼオン株式会社 | 光学シート及び面光源装置 |
| KR20140033867A (ko) | 2012-09-11 | 2014-03-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 패널 |
| JP2014056666A (ja) | 2012-09-11 | 2014-03-27 | Sony Corp | 表示装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
| KR101381695B1 (ko) | 2012-09-21 | 2014-04-10 | 한국과학기술원 | 다층 반사방지막의 제조방법 |
| US9368756B2 (en) | 2012-10-12 | 2016-06-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic electroluminescence device and method of manufacturing the same |
| KR101502206B1 (ko) | 2012-11-20 | 2015-03-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광효율이 향상된 유기발광 표시장치 |
| KR102066092B1 (ko) * | 2012-12-24 | 2020-01-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR102075524B1 (ko) * | 2013-03-21 | 2020-02-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
| KR102150011B1 (ko) | 2013-06-10 | 2020-09-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| JP6137023B2 (ja) * | 2014-03-31 | 2017-05-31 | 住友大阪セメント株式会社 | 光導波路素子 |
| KR20170018417A (ko) | 2014-09-25 | 2017-02-17 | 파나소닉 아이피 매니지먼트 가부시키가이샤 | 유기 전계 발광 소자, 기재 및 발광 장치 |
| US9449627B2 (en) * | 2014-12-09 | 2016-09-20 | Seagate Technology Llc | Angled waveguide |
| KR102459818B1 (ko) | 2015-05-06 | 2022-10-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102407115B1 (ko) * | 2015-06-25 | 2022-06-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR20180016271A (ko) | 2016-08-05 | 2018-02-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
-
2015
- 2015-05-06 KR KR1020150063363A patent/KR102459818B1/ko active IP Right Grant
- 2015-12-30 US US14/985,285 patent/US10403851B2/en active Active
-
2016
- 2016-05-04 CN CN201610290814.2A patent/CN106129266B/zh active Active
-
2019
- 2019-05-20 US US16/417,386 patent/US11264591B2/en active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101044642A (zh) * | 2004-11-16 | 2007-09-26 | 国际商业机器公司 | 包括电介质覆盖层的有机发光器件 |
| CN102074568A (zh) * | 2009-11-25 | 2011-05-25 | 三星移动显示器株式会社 | 有机发光二极管显示器 |
| CN102157543A (zh) * | 2010-01-04 | 2011-08-17 | 三星移动显示器株式会社 | 有机发光二极管显示器 |
| CN102290531A (zh) * | 2010-06-16 | 2011-12-21 | 三星移动显示器株式会社 | 有机发光装置及其制造方法 |
| CN102655164A (zh) * | 2011-03-04 | 2012-09-05 | 索尼公司 | 有机电致发光显示装置及其制造方法 |
| CN103534833A (zh) * | 2011-05-13 | 2014-01-22 | 索尼株式会社 | 有机电致发光多色发光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR102459818B1 (ko) | 2022-10-27 |
| US10403851B2 (en) | 2019-09-03 |
| CN106129266A (zh) | 2016-11-16 |
| US11264591B2 (en) | 2022-03-01 |
| US20160329521A1 (en) | 2016-11-10 |
| US20190273220A1 (en) | 2019-09-05 |
| KR20160132190A (ko) | 2016-11-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106129266B (zh) | 有机发光二极管显示器 | |
| US11177461B2 (en) | Organic light emitting diode display | |
| KR101733151B1 (ko) | 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 | |
| US10665809B2 (en) | Organic light emitting diode | |
| TWI688140B (zh) | 有機發光二極體 | |
| KR102343655B1 (ko) | 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 | |
| KR102277378B1 (ko) | 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 | |
| US10003040B2 (en) | Organic light emitting diode and organic light emitting display device including the same | |
| KR102392044B1 (ko) | 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 | |
| US20220077415A1 (en) | Organic light emitting diode | |
| CN105390618B (zh) | 有机发光二极管 | |
| US20160351819A1 (en) | Organic light emitting diode and organic light emitting diode display including the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |