CN110429187B - 薄膜电致发光器件及其制备方法、电子设备 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种薄膜电致发光器件及其制备方法、电子设备，薄膜电致发光器件包括第一电极；功能结构层，设于所述第一电极上；第二电极，设于所述功能结构层上；以及覆盖层，设于所述第二电极远离所述第一电极的一侧，所述覆盖层中具有离子化合物，该离子化合物的化学式为AX2，其中A选自二价金属，X选自卤素。本发明的薄膜电致发光器件及其制备方法、电子设备，通过在阴极上设置覆盖层，有效的提高了薄膜电致发光器件的发光效率，覆盖层具有离子化合物，离子化合物为卤化物，特别是对于溴化物或者氯化物来说，能够有效降低薄膜电致发光器件的制备难度。

Description

薄膜电致发光器件及其制备方法、电子设备
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体为一种薄膜电致发光器件及其制备方法、电子设备。
背景技术
电致发光显示设备是一类自发光型的显示装置，通过载流子在各个功能层间的转移、复合产生激子，依靠高量子效率的有机化合物或金属配合物发光。其具有自发光、高亮度、高效率、高对比度、高响应性等特点。
近些年，有机电致发光二极管(OLED)的发光效率有了很大的提升，但是其内部量子效率已经接近理论极限。因此提高光取出效率成为进一步提高器件稳定性和电流效率的有效手段(如发射层金属配合物的堆积、各功能层间折射率的匹配等)。在2003年，Riel等人已尝试将具有高折射率的无机化合物，如硒化锌，蒸镀于阴极上，利用功能层之间折射率的差异提高光取出效率，但受限于无机材料蒸发温度高、蒸发速率慢等原因，这类化合物并未在薄膜电致发光器件中得到更多应用。对于器件的后续封装中所接触的高能量等离子体或紫外线，更需要一类稳定的材料可以避免电致发光设备的内部材料受到损害。
因此，一类提高电致发光器件稳定性及器件制备效率的化合物需要进一步的筛选。
发明内容
为解决上述技术问题：本发明提供一种薄膜电致发光器件及其制备方法、电子设备，通过在薄膜电致发光器件上真空蒸镀一具有离子化合物的覆盖层，以提高薄膜电致发光器件的发光效率，同时降低薄膜电致发光器件的制备难度。
解决上述问题的技术方案是：本发明提供一种薄膜电致发光器件，包括第一电极；功能结构层，设于所述第一电极上；第二电极，设于所述功能结构层上；以及覆盖层，设于所述第二电极远离所述第一电极的一侧，所述覆盖层中具有离子化合物，该离子化合物的化学式为AX2，其中A选自二价金属， X选自卤素。
在本发明一实施例中，所述二价金属为锌、镁、锡中的一种，所述卤素为氟、氯、溴、碘中的一种。
在本发明一实施例中，所述覆盖层对可见光的消光系数小于等于0.1，对可见光的透射率大于等于70％。
在本发明一实施例中，所述的薄膜电致发光器件还包括光取出层，设于所述第二电极和覆盖层之间；所述覆盖层真空蒸镀于所述光取出层远离所述第二电极的一面；所述光取出层所用材料选择所述离子化合物、咔唑衍生物、二苯基呋喃衍生物、芳胺衍生物、三嗪衍生物中的至少一种。
在本发明一实施例中，所述第一电极和所述第二电极所用材料为金属或其化合物、金属合金、导电聚合物中的至少一种。
在本发明一实施例中，所述功能结构层包括空穴注入层，设于所述第一电极上；空穴传输层，设于所述空穴注入层上；发光层，设于所述空穴传输层上；电子传输层，设于所述发光层上；电子注入层，设于所述电子传输层上；所述第二电极设于所述电子注入层上。
在本发明一实施例中，所述发光层中具有主体材料和掺杂材料，其中所述主体材料的结构式如下：
Figure BDA0002119936040000031
所述掺杂材料的结构式如下：
Figure BDA0002119936040000032
所述主体材料和所述掺杂材料的质量比为7:1-9:1。
本发明还提供了一种制备方法，用以制备所述的薄膜电致发光器件，包括以下步骤提供一导电玻璃，其表面具有所述第一电极的；通过真空蒸镀法形成所述功能结构层于所述导电玻璃具有所述第一电极的一面；通过真空蒸镀法形成所述第二电极于所述功能结构层远离所述第一电极的一侧；通过真空蒸镀法形成所述覆盖层于所述第二电极远离所述第一电极的一侧；所述覆盖层中具有离子化合物，该离子化合物的化学式为AX2，其中A选自二价金属， X选自卤素。
在本发明一实施例中，在所述的提供一所述导电玻璃步骤中，包括依次用去离子水、丙酮、异丙醇超声清洗所述导电玻璃，然后用等离子体清洗器清洗所述导电玻璃；在所述的形成所述功能结构层步骤中，包括通过真空蒸镀法依次形成空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层。
本发明还提供了一种电子设备，具有所述的薄膜电致发光器件。
本发明的优点是：本发明的薄膜电致发光器件及其制备方法、电子设备，通过在阴极上设置覆盖层，有效的提高了薄膜电致发光器件的发光效率，覆盖层具有离子化合物，离子化合物为卤化物，特别是对于溴化物或者氯化物来说，能够有效降低薄膜电致发光器件的制备难度。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明作进一步解释。
图1是本发明实施例的薄膜电致发光器件结构图。
10薄膜电致发光器件； 100电子设备；
1导电玻璃； 2第一电极；
3功能结构层； 4第二电极；
5光取出层； 6覆盖层；
3a空穴注入层； 3b空穴传输层；
3c发光层； 3d电子传输层；
3e电子注入层。
具体实施方式
以下实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「顶」、「底」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。
如图1所示，在本发明一实施例中，本发明的薄膜电致发光器件10，包括第一电极2、功能结构层3、第二电极4、光取出层5以及覆盖层6。
所述第一电极2设置在导电玻璃1的一面，所述第一电极2为阳极。所述功能结构层3包括空穴注入层3a、空穴传输层3b、发光层3c。其中所述空穴注入层3a设于所述第一电极2上；所述空穴传输层3b设于所述空穴注入层3a上；所述发光层3c设于所述空穴传输层3b上，所述第二电极4直接设置于所述发光层3c上，第二电极4为阴极。
本实施例中，所述功能结构层3还可以设置电子传输层3d、电子注入层 3e；所述电子传输层3d设于所述发光层3c上；所述电子注入层3e设于所述电子传输层3d上；所述第二电极4设于所述电子注入层3e上。
本实施例中，所述功能结构层3中还可以设置电子阻挡层(图未示)，设于所述第一电极2和所述第二电极4之间。例如可以设置在发光层3c和所述空穴传输层3b之间，使得当电流施加至阳极和阴极之间时，电子阻挡层防止电子在有机发光层3c中泄漏。
本实施例中，所述功能结构层3中还可以设置空穴阻挡层(图未示)，设于所述第一电极2和所述第二电极4之间。例如可以设置在所述电子传输层 3d和所述发光层3c之间，使得当电流施加至阳极和阴极之间时，所述空穴阻挡层能够将载流子和激子限制在所述发光层3c中。
由于所述阳极可以容易地注入空穴到空穴注入层3a或空穴传输层3b或发光层3c中，所述阳极的功函数和所述发光层3c中的发光体或所述空穴注入层3a或所述空穴传输层3b或所述空穴注入层3a或所述电子阻挡层的p型半导体材料的HOMO能级或价带能级的差的绝对值小于0.5eV，最好是小于 0.2eV。
所述阳极材料可选用导电金属或金属氧化物或导电聚合物，例如选择铝铜、金、银、镁、铁、钴、镍、钼、钯、铂、氧化铟锡、铝掺杂氧化锌等。其他合适的阳极材料是已知的，本领域普通技术人员可容易地选择使用。所述阳极材料可以使用任何合适的技术沉积，如一合适的物理气相沉积法，包含射频磁控溅射、真空热蒸发、电子束(e-beam)沉积方法等。所述阳极是图案结构化的。图案化的氧化铟锡导电玻璃1可在市场上买到，并且可以用来制备本发明的器件。
所述阴极可选用导电金属或金属氧化物或金属合金或导电聚合物。原则上，所有可用作所述薄膜电致发光器件10的阴极的材料都可能作为本发明薄膜电致发光器件10的阴极材料，例如：铝、金、银、钙、钡、镁、氟化锂和铝、镁银合金、氟化钡和铝、铜、铁、钴、镍、钼、钯、铂、氧化铟锡等。所述阴极可以容易地注入电子到电子注入层3e或电子传输层3d或直接到发光层3c中。在一个实施例中，所述阴极的功函数和所述发光层3c中发光体或所述电子注入层3e或所述电子传输层3d或所述空穴阻挡层的n型半导体材料的LUMO能级或导带能级的差的绝对值小于0.5eV，最好是小于0.2eV。阴极材料可以使用任何合适的技术沉积，如一合适的物理气相沉积法，包含射频磁控溅射、真空热蒸发、电子束(e-beam)沉积方法等。
所述发光层3c为有机发光层3c，其中掺杂有机发光材料，有机发光材料选自单重态发光体、三重态发光体或者热激活延迟荧光发光材料(TADF)。
下面对量子点发光材料、单重态发光体、三重态发光体及热激活延迟荧光发光材料(TADF)作一些较详细描述。
量子点发光材料
一般地，发光量子点可以在波长380纳米到2500纳米之间发光。例如，已发现，具有CdS核的量子点的发光波长位于约400纳米到560纳米范围；具有CdSe核的量子点的发光波长位于约490纳米到620纳米范围；具有CdTe 核的量子点的发光波长位于约620纳米到680纳米范围；具有InGaP核的量子点的发光波长位于约600纳米到700纳米范围；具有PbS核的量子点的发光波长位于约800纳米到2500纳米范围；具有PbSe核的量子点的发光波长位于约1200纳米到2500纳米范围；具有CuInGaS核的量子点的发光波长位于约600纳米到680纳米范围；具有ZnCuInGaS核的量子点的发光波长位于约500纳米到620纳米范围；具有CuInGaSe核的量子点的发光波长位于约700 纳米到1000纳米范围。
本实施例中，所述的量子点材料包含至少一种能够发出发光峰值波长位于450nm～460nm的蓝光、或发光峰值波长位于520nm～540nm的绿光、或发光峰值波长位于615nm～630nm的红光，或它们的混合物。
所包含的量子点可以选自特殊的化学组成、形貌结构和/或大小尺寸，以获得在电刺激下发出所需波长的光。量子点的窄的粒径分布能使量子点具有更窄的发光光谱。此外，根据所采用的化学组成和结构的不同，量子点的尺寸需在上述的尺寸范围内做相应调节，以获得所需波长的发光性质。
所述量子点是半导体纳米晶体。半导体纳米晶体的尺寸为约5纳米到约 15纳米的范围内。此外，根据所采用的化学组成和结构的不同，量子点的尺寸需在上述的尺寸范围内做相应调节，以获得所需波长的发光性质。
所述的半导体纳米晶体包括至少一种半导体材料，其中半导体材料可选为元素周期表IV族、II-VI族、II-V族、III-V族、III-VI族、IV-VI族、 I-III-VI族、II-IV-VI族、II-IV-V族二元或多元半导体化合物或他们的混合物。具体所述的半导体材料的实例包括，但不限制于：IV族半导体化合物，由单质Si、Ge、C和二元化合物SiC、SiGe组成；II-VI族半导体化合物，由二元化合物包括CdSe、CdTe、CdO、CdS、CdSe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgO、 HgS、HgSe、HgTe，三元化合物包括CdSeS、CdSeTe、CdSTe、CdZnS、CdZnSe、 CdZnTe、CgHgS、CdHgSe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、 HgZnS、HgSeSe及四元化合物包括CgHgSeS、CdHgSeTe、CgHgSTe、CdZnSeS、 CdZnSeTe、HgZnSeTe、HgZnSTe、CdZnSTe、HgZnSeS、组成；III-V族半导体化合物，由二元化合物包括AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、 InN、InP、InAs、InSb，三元化合物包括AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、 GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、和四元化合物包括GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、 GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb组成； IV-VI族半导体化合物，由二元化合物包括SnS、SnSe、SnTe、PbSe、PbS、PbTe，三元化合物包括SnSeS、SnSeTe、SnSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、PbSTe、 PbSeS、PbSeTe和四元化合物包括SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe组成。
所述量子点可以包含有II-VI族半导体材料，优先选自CdSe,CdS,CdTe, ZnO,ZnSe,ZnS,ZnTe,HgS,HgSe,HgTe,CdZnSe及它们的任何组合。在合适的实施方案中，由于CdSe的合成相对成熟而将此材料用于可见光的发光量子点。
所述量子点也可以包含有III-V族半导体材料，优先选自InAs,InP,InN, GaN,InSb,InAsP,InGaAs,GaAs,GaP,GaSb,AlP,AlN,AlAs,AlSb,CdSeTe, ZnCdSe及它们的任何组合。
所述量子点也可以包含有IV-VI族半导体材料，优先选自PbSe,PbTe,PbS,PbSnTe,Tl2SnTe5及它们的任何组合。
所述量子点为一核壳结构。核与壳分别相同或不同地包括一种或多种半导体材料。
所述量子点的核可以选自上述的元素周期表IV族、II-VI族、II-V族、 III-V族、III-VI族、IV-VI族、I-III-VI族、II-IV-VI族、II-IV-V族二元或多元半导体化合物。具体的用于量子点核的实例包括但不限制于ZnO、 ZnS、ZnSe、ZnTe、CdO、CdS、CdSe、CdTe、MgS、MgSe、GaAs、GaN、GaP、GaSe、GaSb、HgO、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InN、InSb、AlAs、AlN、AlP、AlSb、PbO、PbS、PbSe、PbTe、Ge、Si，及它们任意组合的合金或混合物。
所述量子点的壳选自于核相同或不同的半导体材料。可用于壳的半导体材料包括元素周期表IV族、II-VI族、II-V族、III-V族、III-VI族、IV-VI 族、I-III-VI族、II-IV-VI族、II-IV-V族二元或多元半导体化合物。具体的用于量子点核的实例包括但不限制于ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdO、CdS、 CdSe、CdTe、MgS、MgSe、GaAs、GaN、GaP、GaSe、GaSb、HgO、HgS、HgSe、 HgTe、InAs、InN、InSb、AlAs、AlN、AlP、AlSb、PbO、PbS、PbSe、PbTe、 Ge、Si，及它们任意组合的合金或混合物。
所述的具有核壳结构的量子点，壳可以包括单层或多层的结构。壳包括一种或多种与核相同或不同的半导体材料。在一个优选的实施例中，壳具有约1到20层的厚度。在一个更为优选的实施例中，壳具有约5到10层的厚度。在一些实施例中，在量子点核的表面包含有两种或两种以上的壳。用于壳的半导体材料具有比核更大的带隙。特别优先的，壳核具有I型的半导体异质结结构。用于壳的半导体材料具有比核更小的带隙。用于壳的半导体材料具有与核相同或接近的原子晶体结构。这样的选择有利于减小核壳间的应力，使量子点更为稳定。所采用的核壳量子点为(但不限制于)：
红光：CdSe/CdS,CdSe/CdS/ZnS,CdSe/CdZnS等；
绿光：CdZnSe/CdZnS,CdSe/ZnS等；
蓝光：CdS/CdZnS,CdZnS/ZnS等。
优选的量子点的制备方法是胶状生长法。在一个优选的实施例中，制备单分散的量子点的方法选自热注射法(hot-inject)和/或加热法 (heating-up)。
本实施例中，所述量子点的表面可以选择包含有有机配体。有机配体可以控制量子点的生长过程，调控量子点的相貌和减小量子点表面缺陷从而提高量子点的发光效率及稳定性。所述的有机配体可以选自吡啶，嘧啶，呋喃，胺，烷基膦，烷基膦氧化物，烷基膦酸或烷基次膦酸，烷基硫醇等。具体的有机配体的实例包括但不限制于三正辛基膦，三正辛基氧化膦，三羟基丙基膦，三丁基膦，三(十二烷基)膦，亚磷酸二丁酯，亚磷酸三丁酯，亚磷酸十八烷基酯，亚磷酸三月桂酯，亚磷酸三(十二烷基)酯，亚磷酸三异癸酯，双 (2-乙基己基)磷酸酯，三(十三烷基)磷酸酯，十六胺，油胺，十八胺，双十八胺，三十八胺，双(2-乙基己基)胺，辛胺，二辛胺，三辛胺，十二胺，双十二胺，三十二胺，十六胺，苯基磷酸，己基磷酸，四癸基磷酸，辛基磷酸，正十八烷基磷酸，丙烯二磷酸，二辛醚，二苯醚，辛硫醇，十二烷基硫醇。
本实施例中，所述量子点的表面还可以选择包含有无机配体。由无机配体保护的量子点可以通过对量子点表面有机配体进行配体交换得到。具体的无机配体的实例包括但不限制于：S2-，HS-，Se2-，HSe-，Te2-，HTe-，TeS32-， OH-，NH2-，PO43-，MoO42-等。该类无机配体量子点的例子可以参考文件： J.Am.Chem.Soc.2011,133,10612-10620；ACS Nano，2014,9,9388-9402。特此将上述列出的文件中的全部内容并入本文作为参考。
当然量子点表面具有一种或多种相同或不同的配体。
具有单分散的量子点所表现出的发光光谱具有对称的峰形和窄的半峰宽。一般地，量子点的单分散性越好，其所表现的发光峰越对称，且半峰宽越窄。优选地，所述的量子点的半峰宽小于70纳米；更优选地，所述的量子点的半峰宽小于40纳米；最优选地，所述的量子点的半峰宽小于30纳米。
所述的量子点具有10％-100％的发光量子效率。优选地，量子点具有大于 50％的发光量子效率；更加优选地，量子点具有大于80％的发光量子效率；最优选地，量子点具有大于90％的发光量子效率。
单重态发光体
单重态发光体往往有较长的共轭π电子系统。迄今，已有许多例子，例如在JP2913116B和WO2001021729A1中公开的苯乙烯胺及其衍生物，在 WO2008/00644和WO2007/140847中公开的茚并芴及其衍生物及在US7233019、 KR2006-0006760中公开的芘的三芳胺衍生物。
单重态发光体可选自一元苯乙烯胺，二元苯乙烯胺，三元苯乙烯胺，四元苯乙烯胺，苯乙烯膦，苯乙烯醚和芳胺。一个一元苯乙烯胺是指一化合物，它包含一个无取代或取代的苯乙烯基组和至少一个胺，最好是芳香胺。一个二元苯乙烯胺是指一化合物，它包含二个无取代或取代的苯乙烯基组和至少一个胺，最好是芳香胺。一个三元苯乙烯胺是指一化合物，它包含三个无取代或取代的苯乙烯基组和至少一个胺，最好是芳香胺。一个四元苯乙烯胺是指一化合物，它包含四个无取代或取代的苯乙烯基组和至少一个胺，最好是芳香胺。一个优选的苯乙烯是二苯乙烯，其可能会进一步被取代。相应的膦类和醚类的定义与胺类相似。芳基胺或芳香胺是指一种化合物，包含三个直接联接氮的无取代或取代的芳香环或杂环系统。这些芳香族或杂环的环系统中至少有一个优先选于稠环系统，并最好有至少14个芳香环原子。其中优选的例子有芳香蒽胺、芳香蒽二胺、芳香芘胺、芳香芘二胺、芳香屈胺和芳香屈二胺。一个芳香蒽胺是指一化合物，其中一个二元芳基胺基团直接联到蒽上，最好是在9的位置上。一个芳香蒽二胺是指一化合物，其中二个二元芳基胺基团直接联到蒽上，最好是在9，10的位置上。芳香芘胺，芳香芘二胺，芳香屈胺和芳香屈二胺的定义类似，其中二元芳基胺基团最好联到芘的1或1， 6位置上。
单重态发光体可选于茚并芴-胺和茚并芴-二胺、基于芴的稠环体系、芘的衍生物、芘的三芳胺衍生物以及其它具有特定结构的芘的三芳胺衍生物。其他可用作单重态发光体的材料有多环芳烃化合物，特别是如下化合物的衍生物:蒽如9，10-二(2-萘并蒽)、萘，四苯、氧杂蒽、菲、芘(如2，5，8， 11-四-t-丁基苝)、茚并芘、苯撑如(4，4’-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，1’ -联苯)、二茚并芘、十环烯、六苯并苯、芴、螺二芴、芳基芘、亚芳香基乙烯、环戊二烯如四苯基环戊二烯、红荧烯、香豆素、若丹明、喹吖啶酮、吡喃如4(二氰基亚甲基)-6-(4-对二甲氨基苯乙烯基-2-甲基)-4H-吡喃(DCM)，噻喃、双(吖嗪基)亚胺硼化合物、双(吖嗪基)亚甲基化合物、喹诺酮类化合物、噁嗪酮、苯并恶唑、苯并噻唑、苯并咪唑及吡咯并吡咯二酮。
三重态发光体
三重态发光体也称磷光发光体。三重态发光体是具有通式M(L)n的金属络合物，其中M是一金属原子，L每次出现时可以是相同或不同，是一有机配体，它通过一个或多个位置键接或配位连接到金属原子M上，n是1至6之间的整数。优先地，三重态发光体包含有螯合配体，即配体，通过至少两个结合点与金属配位，特别优先考虑的是三重态发光体包含有两个或三个相同或不同的双齿或多齿配体。螯合配体有利于提高金属络合物的稳定性。
可用作三重态发光体的金属络合物有如下形式：金属原子M选于过渡金属元素或镧系元素或锕系元素，优先选择铱、铂、钯、金、铑、钌、锇、铼、铜、银、镍、钴、钨或铕，特别优先选择铱，金，铂，钨或锇。
热激活延迟荧光发光材料(TADF)
传统有机荧光材料只能利用电激发形成的25％单线态激子发光，器件的内量子效率较低(最高为25％)。尽管磷光材料由于重原子中心强的自旋-轨道耦合增强了系间穿越，可以有效利用电激发形成的单线态激子和三线态激子发光，使器件的内量子效率达到100％。但磷光材料昂贵，材料稳定性差，器件效率滚降严重等问题限制了其在OLED中的应用。热激活延迟荧光发光材料是继有机荧光材料和有机磷光材料之后发展的第三代有机发光材料。该类材料一般具有小的单线态-三线态能级差(ΔEst)，三线态激子可以通过反系间穿越转变成单线态激子发光。这可以充分利用电激发下形成的单线态激子和三线态激子。器件内量子效率可达到100％。同时材料结构可控，性质稳定，价格便宜无需要贵金属，在OLED领域的应用前景广阔。
热激活延迟荧光发光材料(TADF)需要具有较小的单线态-三线态能级差，较好是ΔEst<0.3eV，次好是ΔEst<0.2eV，最好是ΔEst<0.1eV，现有的热激活延迟荧光发光材料(TADF)均可用以本发明的热激活延迟荧光发光材料(TADF)，以使发光层3c具有较好的荧光量子效率。
所述光取出层5设于所述第二电极4远离所述第一电极2的一侧。所述光取出层5需要有合适能级结构，本实施例中，所述光取出层5的单线态能量(S1)要大于或等于2.7eV，且小于或等于3.1eV；优选地，大于或等于2.85eV，小于或等于3.0eV。在波长小于400nm的区域有较强的吸收，波长大于400nm的可见光则吸收弱或接近零，避免器件内部材料在后续过程中受到高能光线照射而造成损伤。
所述光取出层5需要较小的消光系数，在波长为430nm时的消光系数小于0.1；优选地，小于0.003。更优选地，小于0.001。对可见光有较高的透射率，降低对设备出光效率的影响。所述光取出层5在≤400nm的波长范围有较大的消光系数；优先的，在波长为350nm时的消光系数≥0.3；较好是≥ 0.5，更好是≥0.7，最好是≥1.0。
所述光取出层5拥有较高的折射率，能够对可见光的发射进行有益导出，提高有机电子发光器件的发光效率。光取出层5材料与相邻电极之间的界面的反射率大时，光干涉的影响大，因此构成光取出层5材料的折射率优选大于相邻的电极的折射率。光取出层5在可见光范围(400nm-800nm)折射率大于1.5。本实施例中，所述光取出层5在波长630nm处折射率大于1.7；更优选地，大于1.8；最优选地，大于1.9。
所述光取出层5的厚度为10nm-200nm；一般光取出层5厚度为20nm 至150nm，较好为30nm至100nm，更好为40nm至90nm。
所述光取出层5具有较高的玻璃化温度，提升光取出层5材料的热稳定性，其玻璃化温度Tg≥100℃，可选为Tg≥120℃、Tg≥140℃、Tg≥160℃、Tg≥180℃。
本实施例中，所述光取出层5材料可选自咔唑衍生物，二苯基呋喃衍生物、芳胺衍生物、三嗪衍生物等包含如下结构式的有机化合物：
Figure BDA0002119936040000151
上述结构式中，X是CR1或N；W选自CR2R3、NR4、C(＝O)、O、S、Se等基团或离子。
Ar4、Ar5选自取代或未取代的环原子数为5至60的芳香基团或杂芳香基团；或者具有取代或未取代的环原子数为3-25的非芳香族环系。
R1-R4每次出现时，分别独立选自氢或具有1至30个C原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷氧基，或具有3至30个C原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基，或甲硅烷基，或具有1至30个C原子的酮基，或具有2至30 个C原子的烷氧基羰基，或具有7至30个C原子的芳氧基羰基、氰基(-CN)、氨基甲酰基(-C(＝O)NH2)、卤甲酰基、甲酰基(-C(＝O)-H)、异氰基、异氰酸酯、硫氰酸酯或异硫氰酸酯、羟基、硝基、CF3、Cl、Br、F、可交联的基团，或者具有5至60个环原子的取代或未取代的芳香基团或杂芳香基团，或具有5至60个环原子的芳氧基或杂芳氧基基团，或这些体系的组合。
本实施例中，所述光取出层5材料还可以选择如下基团类的化合物的一种或者组合：
Figure BDA0002119936040000161
所述覆盖层6设于所述第二电极4远离所述第一电极2的一侧，所述覆盖层6中具有离子化合物，该离子化合物的化学式为AX2，其中A选自二价金属，X选自卤素。本实施例中，所述覆盖层6和所述光取出层5的材料也可以相同，如都可以采用所述离子化合物。
所述二价金属为锌、镁、锡中的一种，所述卤素为氟、氯、溴、碘中的一种。所述覆盖层材料选自离子化合物AX2中A选自锌、镁、锡，X选自氟、氯、溴、碘。具体的，所述覆盖层6可以选自氯化镁、溴化镁、氯化锌、溴化锌、氯化亚锡、溴化亚锡。
本实施例中，所述覆盖层材料的熔点低于750℃，且沸点低于1420℃；优选的，熔点低于600℃，且沸点低于1300℃；优选的，熔点低于400℃，且沸点低于750℃。所述氯化镁熔点为714℃，沸点为1412℃；所述溴化镁熔点为700℃，沸点为1230℃；所述氯化锌熔点为283℃，沸点为732℃；所述溴化锌熔点为394℃，沸点为697℃；所述氯化亚锡熔点为247℃，沸点为623℃；溴化亚锡熔点为215℃，沸点为639℃；相比氟化锂(熔点848℃，沸点1681℃), 此类化合物蒸镀温度更低，蒸镀速率也可以更快，降低了器件制备的难度。
所述的覆盖层6在可见光范围基本无吸收，在430nm处消光系数小于0.1。
所述的覆盖层6对可见光透射率大于70％；优选的，透射率大于80％；更优选的，透射率大于90％。所述的覆盖层6厚度可以为10nm-300nm；优选的，10-200nm。
方法示例1
本发明还提供了一种制备方法，用以制备所述的薄膜电致发光器件10，包括以下步骤：
提供一表面具有所述第一电极2的导电玻璃1；具体的，在提供一表面具有所述第一电极2的导电玻璃1步骤中，包括依次用去离子水、丙酮、异丙醇超声清洗所述导电玻璃1，然后用等离子体清洗器清洗所述导电玻璃1；以提高电极功函。
通过真空蒸镀法形成所述功能结构层3于所述导电玻璃1具有所述第一电极2的一面。具体的，通过真空蒸镀法依次形成空穴注入层3a，蒸镀空穴注入层3a材料时，蒸镀速率
Figure BDA0002119936040000171
蒸镀完成后形成的空穴注入层3a的厚度为5nm。所述在空穴注入层3a上，通过真空蒸镀方式蒸镀空穴传输材料，形成的空穴传输层3b的厚度为80nm。在所述空穴传输层3b之上蒸镀发光层 3c材料，所述发光层3c材料包括主体材料、掺杂材料，所述主体材料和所述掺杂材料的质量比为7:1-9:1。形成的所述发光层3c的厚度为40nm。在所述发光层3c之上，通过真空蒸镀方式蒸镀电子传输层3d材料，形成的所述电子传输层3d的厚度为30nm。在所述电子传输层3d之上，真空蒸镀电子注入层3e材料，形成的电子注入层3e的厚度为1nm。
本实施例中，所述空穴注入层3a材料的结构式如下：
Figure BDA0002119936040000181
所述空穴传输层3b材料的结构式如下：
Figure BDA0002119936040000182
所述发光层3c中主体材料的结构式如下：
Figure BDA0002119936040000191
所述发光层3c中掺杂材料的结构式如下：
Figure BDA0002119936040000192
所述电子传输层3d中具有两种材料，两种材料的质量比为1:1，两种材料的结构式分别如下：
Figure BDA0002119936040000193
所述电子注入层3e的材料为镱。
通过真空蒸镀法形成所述第二电极4于所述功能结构层3远离所述第一电极2的一侧；在所述电子注入层3e之上，真空蒸镀阴极，本实施例中，所述阴极为镁银合金层，镁、银的掺杂比例为9:1，所述阴极的厚度15nm。
在所述阴极之上，通过真空蒸镀方式蒸镀光取出层5材料，所述光取出层5的厚度为60nm。所述光取出层5的材料结构式如下：
Figure BDA0002119936040000201
通过真空蒸镀法形成所述覆盖层6于所述第二电极4远离所述第一电极2 的一侧；具体的，在所述光取出层5上蒸镀覆盖层6氯化锌形成覆盖层6，所述覆盖层6的厚度为50nm。
最终形成薄膜电致发光器件10。
方法示例2
本方法示例与方法示例1的区别在于，所述覆盖层6所用材料为溴化锌，最终制得薄膜电致发光器件10。
方法示例3
本方法示例与方法示例1的区别在于，所述覆盖层6所用材料为氯化锡，最终制得薄膜电致发光器件10。
方法示例2
本方法示例与方法示例1的区别在于，所述覆盖层6所用材料为溴化锡，最终制得薄膜电致发光器件10。
比较例1
本方法示例与方法示例1的区别在于，所述覆盖层6所用材料为氟化锂，最终制得薄膜电致发光器件10。
下面比较方法示例2与比较例1在蒸镀相同厚度的覆盖层6所需时间的相对值以及发光效率相对值，并绘制成表1：
表1：方法示例2与比较例1在蒸镀相同厚度的覆盖层6所需时间的相对值以及发光效率相对值。
Figure BDA0002119936040000211
表1中，发光效率是电流密度为10mA/cm2时所得数据。从表1可以看出相比比较例1，本发明的电致发光器件中所涉及的化合物相比氟化锂具备更低的熔点(小于400℃)及沸点(小于750℃)。在不影响器件效率的情况下，可以有效的减少覆盖层6蒸镀所需时间，提高器件的制备效率，降低了器件制备的难度。
本发明还提供了一种电子设备100，具有所述的薄膜电致发光器件10。本发明的主要设计要点在于薄膜电致发光器件10，至于其他结构就不再一一赘述。本发明的所述电子设备100，包括具有本发明的薄膜电致发光器件10 所有电子设备100，包括显示设备，照明设备，光源，传感器等等。
以上仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种薄膜电致发光器件，其特征在于，包括
第一电极；
功能结构层，设于所述第一电极上；
第二电极，设于所述功能结构层上；
覆盖层，设于所述第二电极远离所述第一电极的一侧，所述覆盖层中具有离子化合物，该离子化合物的化学式为AX2，其中A选自二价金属，X选自卤素；以及
光取出层，设于所述第二电极和所述覆盖层之间；
其中，
所述覆盖层材料的熔点低于750℃，且沸点低于1420℃；
所述光取出层的单线态能量大于或等于2.7 eV，且小于或等于3.1 eV。
2.根据权利要求1所述的薄膜电致发光器件，其特征在于，所述二价金属为锌、镁、锡中的一种，所述卤素为氟、氯、溴、碘中的一种。
3.根据权利要求1所述的薄膜电致发光器件，其特征在于，所述覆盖层对可见光的消光系数小于等于0.1，对可见光的透射率大于等于70％。
4.根据权利要求1所述的薄膜电致发光器件，其特征在于，还包括所述覆盖层真空蒸镀于所述光取出层远离所述第二电极的一面；所述光取出层所用材料选择所述离子化合物、咔唑衍生物、二苯基呋喃衍生物、芳胺衍生物、三嗪衍生物中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的薄膜电致发光器件，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极所用材料为金属或其化合物、金属合金、导电聚合物中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的薄膜电致发光器件，其特征在于，所述功能结构层包括
空穴注入层，设于所述第一电极上；
空穴传输层，设于所述空穴注入层上；
发光层，设于所述空穴传输层上；
电子传输层，设于所述发光层上；
电子注入层，设于所述电子传输层上；
所述第二电极设于所述电子注入层上。
7.根据权利要求6所述的薄膜电致发光器件，其特征在于，所述发光层中具有主体材料和掺杂材料，其中所述主体材料的结构式如下：
Figure DEST_PATH_IMAGE002
；
所述掺杂材料的结构式如下：
Figure DEST_PATH_IMAGE004
；
所述主体材料和所述掺杂材料的质量比为7:1-9:1。
8.一种制备方法，用以制备如权利要求1-7中任意一项所述的薄膜电致发光器件，其特征在于，包括以下步骤
提供一导电玻璃，其表面具有所述第一电极；
通过真空蒸镀法形成所述功能结构层于所述导电玻璃具有所述第一电极的一面；
通过真空蒸镀法形成所述第二电极于所述功能结构层远离所述第一电极的一侧；
通过真空蒸镀法形成所述光取出层于所述第二电极远离所述第一电极的一侧；所述光取出层的单线态能量大于或等于2.7 eV，且小于或等于3.1 eV；通过真空蒸镀法形成所述覆盖层于所述第二电极远离所述第一电极的一侧；所述覆盖层中具有离子化合物，该离子化合物的化学式为AX2，其中A选自二价金属，X选自卤素。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在所述的提供所述导电玻璃的步骤中，包括依次用去离子水、丙酮、异丙醇超声清洗所述导电玻璃，然后用等离子体清洗器清洗所述导电玻璃；
在所述的形成所述功能结构层的步骤中，包括通过真空蒸镀法依次形成空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层。
10.一种电子设备，其特征在于，具有如权利要求1-7中任意一项所述的薄膜电致发光器件。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101502206B1 (ko) * 2012-11-20 2015-03-12 삼성디스플레이 주식회사 발광효율이 향상된 유기발광 표시장치
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KR102407115B1 (ko) * 2015-06-25 2022-06-09 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102118629B1 (ko) * 2017-07-14 2020-06-03 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
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CN109400488A (zh) * 2018-11-29 2019-03-01 长春海谱润斯科技有限公司 一种芳胺类衍生物及其有机电致发光器件

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