CN117042490A - 发光器件及其制作方法、显示装置 - Google Patents

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潘帅
苏亮
王士攀
庄锦勇
付东
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Guangdong Juhua Printing Display Technology Co Ltd
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Abstract

本发明涉及一种发光器件及其制作方法、显示装置。上述发光器件在第一电极层和第二电极层之间设置第一发光层和第二发光层，在第一发光层和第二发光层之间设置N型电荷产生层和P型电荷产生层，N型电荷产生层的主要作用是向第一发光层中注入电子，P型电荷产生层的主要作用是向第二发光层注入空穴，通过设置N型电荷产生层和P型电荷产生层，能够提高器件发光色纯度和发光寿命。

Description

发光器件及其制作方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种发光器件及其制作方法、及包含其的显示装置。
背景技术
发光二极管(LED)具有自发光、广视角、极高的对比度、低功耗以及快速响应等优点。然而，目前普遍利用蓝色发光材料进行发光，由于蓝色发光材料只能利用单线态发光，使其发光效率低、半峰宽较宽，导致蓝光的色纯度低，整体发光的色域面积受限，此外，蓝色发光材料的发光寿命较差。
发明内容
基于此，有必要提供一种发光器件及其制作方法、显示装置，具有较好的色纯度和寿命。
本发明的其中一个目的是提供一种发光器件，方案如下：
一种发光器件，包括依次层叠设置的基板、第一电极层、第一发光层、N型电荷产生层、P型电荷产生层、第二发光层以及第二电极层；所述第一发光层包括第一发光材料，所述第二发光层包括第二发光材料，所述第一发光材料发出的光能够激发所述第二发光材料发光。
在其中一个实施例中，所述第一发光材料为有机发光材料；所述第二发光材料为量子点发光材料；
所述N型电荷产生层的材料包括金属或掺有N型掺杂剂的有机材料，所述P型电荷产生层的材料包括过渡金属氧化物或掺杂为P型的有机材料；
所述金属选自Li、Na、K、Rb、Cs、Mg、Yb中的一种或多种；
所述掺有N型掺杂剂的有机材料中，N型掺杂剂选自Cs、K、Rb、Mg、Na、Ca、Sr、Eu和Yb中的一种或多种，有机材料选自三(8-羟基喹啉)铝、三嗪、羟基喹啉衍生物、吲哚衍生物和噻咯衍生物中的一种或多种；
所述过渡金属氧化物选自氧化钨、氧化钼、氧化钒中的一种或多种；
所述掺杂为P型的有机材料包括P型掺杂剂和基质材料，所述P型掺杂剂可以是F4-TCNQ、MoO3、FeCl3、HATCN等中的一种或多种，所述基质材料可以为芳香胺及其衍生物等的一种或多种。
在其中一个实施例中，所述第一发光材料为有机发光材料，能够发出波长为380nm～450nm的蓝光，所述第二发光层包括蓝色量子点发光层，所述蓝色量子点发光层包括蓝色量子点发光材料，所述蓝色量子点发光材料能够在电场作用下发出波长为430nm～480nm的蓝光，并且能够在所述第一发光材料的蓝光激发下发出波长为430nm～480nm的蓝光。
在其中一个实施例中，所述有机发光材料为蒽衍生物蓝色发光材料、含硼氮蓝色发光材料、硼氧蓝色发光材料和含硼硫蓝色发光材料中的至少一种；和/或
所述蓝色量子点发光材料为CdSe/ZnS或InP/ZnS。
在其中一个实施例中，所述第一电极层包括第一区域、第二区域以及第三区域，所述第一发光层设置在所述第一区域、所述第二区域以及所述第三区域上，所述蓝色量子点发光层与所述第一区域位置对应；
所述第二发光层还包括红色量子点发光层以及绿色量子点发光层，所述红色量子点发光层与所述第二区域位置对应，所述红色量子点发光层包括红色量子点发光材料，所述红色量子点发光材料能够在电场作用下发出红光，并且能够在所述第一发光材料发出的蓝光的激发下发出红光，所述绿色量子点发光层与所述第三区域位置对应，所述绿色量子点发光层包括绿色量子点发光材料，所述绿色量子点发光材料能够在电场作用下发出绿光，并且能够在所述第一发光材料发出的蓝光的激发下发出绿光。
在其中一个实施例中，所述发光器件还包括红色滤光片，所述红色滤光片设置在所述第二电极层远离所述第二发光层的一侧，所述红色滤光片与所述红色量子点发光层位置对应，所述红色滤光片能够吸收所述蓝光，并允许所述红色量子点发光材料发出的红光透过；和/或
所述发光器件还包括绿色滤光片，所述绿色滤光片设置在所述第二电极层远离所述第二发光层的一侧，所述绿色滤光片与所述绿色量子点发光层位置对应，所述绿色滤光片能够吸收所述蓝光，并允许所述绿色量子点发光材料发出的绿光透过；和/或
所述发光器件还包括蓝色滤光片，所述蓝色滤光片设置在所述第二电极层远离所述第二发光层的一侧，所述蓝色滤光片与所述蓝色量子点发光层位置对应，所述蓝色滤光片仅允许波长范围在450nm～470nm的光透过。
在其中一个实施例中，所述发光器件还包括光取出层，所述光取出层设置在所述第二电极层远离所述第二发光层的一侧。
在其中一个实施例中，所述光取出层的材料选自Alq3或ZnSe。
在其中一个实施例中，所述第一发光层与所述第一电极层之间，和/或所述第二发光层和所述P型电荷产生层之间设有空穴功能层；空穴功能层包括空穴传输层和/或空穴注入层；
所述第一发光层和所述N型电荷产生层之间，和/或所述第二发光层和所述第二电极层之间设有电子功能层；所述电子功能层包括电子传输层和/或电子注入层。
在其中一个实施例中，所述第一电极层和所述第二电极层的材料独立地选自金属、碳材料以及金属氧化物中的一种或多种，所述金属包括Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca、Yb以及Mg中的一种或多种；所述碳材料包括石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的一种或多种；所述金属氧化物包括掺杂或非掺杂金属氧化物，包括ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO以及AMO中的一种或多种，或者包括掺杂或非掺杂透明金属氧化物之间夹着金属的复合电极，所述复合电极包括AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO2/Ag/TiO2以及TiO2/Al/TiO2中的一种或多种。
在其中一个实施例中，所述空穴传输层和/或所述空穴注入层的材料包括TFB、CuPc、PVK、Poly-TPD、DNTPD、TCATA、TCCA、CBP、TPD、NPB、NPD、PEDOT:PSS、TAPC、MCC、F4-TCNQ、HATCN、4,4',4'-三(N-3-甲基苯基-N苯基氨基)三苯胺、聚苯胺、过渡金属氧化物、过渡金属硫化物、过渡金属锡化物、掺杂石墨烯、非掺杂石墨烯以及C60中的至少一种。
在其中一个实施例中，所述电子传输层和/或所述电子注入层的材料包括掺杂或非掺杂的氧化锌、氧化钡、氧化铝、氧化镍、氧化钛、氧化锡、氧化钽、氧化锆、氧化镍、氧化钛锂、氧化锌铝、氧化锌锰、氧化锌锡、氧化锌锂、氧化铟锡、硫化镉、硫化锌、硫化钼、硫化钨、硫化铜、锡化锌、磷化铟、磷化镓、硫化铜铟、硫化铜镓、钛酸钡中的一种或多种，掺杂的元素包括铝、镁、锂、锰、钇、镧、铜、镍、锆、铈、钆中的一种或多种；和/或
在其中一个实施例中，所述第一发光层和所述第二发光层独立地为量子点发光层或有机发光层；所述量子点发光层的材料包括单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种，所述单一结构量子点的材料选自II-VI族化合物、IV-VI族化合物、III-V族化合物和I-III-VI族化合物中的至少一种，其中，所述II-VI族化合物选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe及HgZnSTe中的至少一种，所述IV-VI族化合物选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe及SnPbSTe中的至少一种，所述III-V族化合物选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs或InAlPSb中的至少一种，所述I-III-VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2及AgInS2中的至少一种；所述核壳结构的量子点的核包括上述单一结构量子点中的任意一种，所述核壳结构的量子点的壳层材料包括CdS、CdTe、CdSeTe、CdZnSe、CdZnS、CdSeS、ZnSe、ZnSeS、ZnS和上述单一结构量子点中的至少一种；所述有机发光层的材料包括4,4'-双(N-咔唑)-1,1'-联苯:三[2-(对甲苯基)吡啶-C2,N)合铱(III)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺:三[2-(对甲苯基)吡啶-C2,N)合铱、二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物、芴衍生物、TBPe荧光材料、TTPX荧光材料、TBRb荧光材料及DBP荧光材料、蒽衍生物蓝色发光材料、含硼氮蓝色发光材料、硼氧蓝色发光材料和含硼硫蓝色发光材料、聚乙炔及其衍生物、聚对苯及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚芴及其衍生物中的至少一种。
本发明的另一个目的是提供一种发光器件，方案如下：
一种发光器件的制作方法，包括以下步骤：
在基板上制作第一电极层；
在所述第一电极层上制作第一发光层；
在所述第一发光层上制作N型电荷产生层；
在所述N型电荷产生层上制作P型电荷产生层；
在所述P型电荷产生层上制作第二发光层；
在所述第二发光层上制作第二电极层；
其中，所述第一发光层含有第一发光材料，所述第二发光层包括第二发光材料，所述第一发光材料发出的光能够激发所述第二发光材料发光。
本发明的又一个目的是提供一种显示装置，方案如下：
一种显示装置，包括上述任一实施例的发光器件或通过所述的制作方法制作得到的发光器件。
与传统方案相比，上述发光器件及其制作方法、显示装置具有以下有益效果：
上述发光器件在第一电极层和第二电极层之间设置第一发光层和第二发光层，并且，在第一发光层和第二发光层之间设置N型电荷产生层和P型电荷产生层，N型电荷产生层的主要作用是向第一发光层中注入电子，P型电荷产生层的主要作用是向第二发光层注入空穴，通过设置N型电荷产生层和P型电荷产生层，能够提高器件发光色纯度和发光寿命。此外，由于本申请的有机发光材料能够发出波长为380nm～450nm的蓝光，从而激发出蓝色量子点发出更纯正的蓝光，提高了发光效率。另外，上述显示装置包括所述的发光器件或通过所述的制作方法制作得到的发光器件，因而能够获得相应的技术效果。
附图说明
图1为一实施例的发光器件的结构示意图。
附图标记：100、发光器件；101、基板；102、第一电极层；1021、第一区域；1022、第二区域；1023、第三区域；103、第一发光层；104、N型电荷产生层；105、P型电荷产生层；106、第二发光层；1061、蓝色量子点发光层；1062、红色量子点发光层；1063、绿色量子点发光层；107、第二电极层；1081、蓝色滤光片；1082、红色滤光片；1083、绿色滤光片；109、第一空穴传输层；110、第一空穴注入层；111、第一电子传输层；112、第二空穴传输层；113、第二空穴注入层；114、第二电子传输层；115、第二电子注入层；116、光取出层。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将对本发明进行更全面的描述。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
本发明提供一种发光器件。
请参考图1所示，一实施例的发光器件100包括依次层叠设置的基板101、第一电极层102、第一发光层103、N型电荷产生层104、P型电荷产生层105、第二发光层106以及第二电极层107。
其中，第一发光层103包括第一发光材料。第二发光层106包括第二发光材料。并且，第一发光材料发出的光能够激发第二发光材料发光。
上述发光器件100中，在第一发光层103和第二发光层106之间设置N型电荷产生层104和P型电荷产生层105，N型电荷产生层104的主要作用是向第一发光层103中注入电子，P型电荷产生层105的主要作用是向第二发光层106注入空穴，通过设置N型电荷产生层104和P型电荷产生层105，能够提高器件发光色纯度和发光寿命。
可选地，第一发光层和第二发光层独立地为量子点发光层或有机发光层；所述量子点发光层的材料包括单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种，所述单一结构量子点的材料选自II-VI族化合物、IV-VI族化合物、III-V族化合物和I-III-VI族化合物中的至少一种，其中，所述II-VI族化合物选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe及HgZnSTe中的至少一种，所述IV-VI族化合物选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe及SnPbSTe中的至少一种，所述III-V族化合物选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs或InAlPSb中的至少一种，所述I-III-VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2及AgInS2中的至少一种；所述核壳结构的量子点的核包括上述单一结构量子点中的任意一种，所述核壳结构的量子点的壳层材料包括CdS、CdTe、CdSeTe、CdZnSe、CdZnS、CdSeS、ZnSe、ZnSeS、ZnS和上述单一结构量子点中的至少一种；所述有机发光层的材料包括4,4'-双(N-咔唑)-1,1'-联苯:三[2-(对甲苯基)吡啶-C2,N)合铱(III)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺:三[2-(对甲苯基)吡啶-C2,N)合铱、二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物、芴衍生物、TBPe荧光材料、TTPX荧光材料、TBRb荧光材料及DBP荧光材料、蒽衍生物蓝色发光材料、含硼氮蓝色发光材料、硼氧蓝色发光材料和含硼硫蓝色发光材料、聚乙炔及其衍生物、聚对苯及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚芴及其衍生物中的至少一种。
在其中一个示例中，第一发光层103的发光材料为有机发光材料，相当于将OLED和QLED叠层于一个器件内。进一步选择为有机荧光材料。有机发光材料发出的光能够激发量子点材料发光可以避免直接通过发光材料向器件外部发射光线，避免由于有机发光材料的发光效率低、半峰宽较宽而导致的色纯度低等问题。
N型电荷产生层104的主要作用是向第一发光层103中注入电子。在其中一个示例中，N型电荷产生层104的材料包括金属或者掺杂为掺有N型掺杂剂的有机材料。其中，金属例如为Li、Na、K、Rb、Cs、Mg、Yb中的一种或多种。掺有N型掺杂剂的有机材料中，N型掺杂剂选自Cs、K、Rb、Mg、Na、Ca、Sr、Eu和Yb中的一种或多种，有机材料选自三(8-羟基喹啉)铝、三嗪、羟基喹啉衍生物、吲哚衍生物和噻咯衍生物中的一种或多种。
在其中一个示例中，N型电荷产生层104是通过蒸镀金属Yb而成。
P型电荷产生层105的主要作用是向第二发光层106注入空穴。在其中一个示例中，P型电荷产生层105的材料包括过渡金属氧化物，例如为氧化钨、氧化钼、氧化钒中的至少一种。过渡金属氧化物具有相对较大的功函数，有利于空穴注入。
在其中一个示例中，P型电荷产生层105是通过蒸镀氧化钼而成。
可选地，所述第一电极层和所述第二电极层的材料独立地选自金属、碳材料以及金属氧化物中的一种或多种，所述金属包括Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca、Yb以及Mg中的一种或多种；所述碳材料包括石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的一种或多种；所述金属氧化物包括掺杂或非掺杂金属氧化物，包括ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO以及AMO中的一种或多种，或者包括掺杂或非掺杂透明金属氧化物之间夹着金属的复合电极，所述复合电极包括AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO2/Ag/TiO2以及TiO2/Al/TiO2中的一种或多种。
在其中一个示例中，第一电极层102采用高功函阳极材料，可以是金属氧化物，如氧化锌、氧化铟、氧化锡、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌以及其他类似的金属氧化物，优选为氧化铟锡。
在其中一个示例中，第二电极层107采用低功函数金属单质或合金，例如Ag、Al、Mg/Al等。第二电极层107采用Ag，并且厚度设置10～20nm，如此，具有较大的光透过率。
在其中一个示例中，第一电极层102和基板101之间设置有反射层，反射层的材料可以是高反射率金属，如银、金、铂或者其合金。由于上述发光器件100为顶发射型器件，通过在第一电极层102和基板101之间设置反射层，能够提高器件的出光率。
第一发光材料能够发出蓝光，第二发光层106包括蓝色量子点发光层1061，蓝色量子点发光层1061含有蓝色量子点发光材料，蓝色量子点发光材料能够在电场作用下发出蓝光，并且能够在蓝色发光的激发下发出蓝光。
通过设置N型电荷产生层104和P型电荷产生层105，使得量子点发光材料实现自发光，第二发光层106结合了量子点自发光和光致发光，充分利用量子点发光，其发光效率高。
随着量子点发光材料自发光的衰减，可以通过调节施加于第一发光层103的电压，增大发光材料的发光强度，弥补量子点发光材料自发光衰减所带来的光损失，从而能够提高发光器件100的使用寿命，有利于量子点发光材料自发光的商业利用。
在其中一个示例中，在第一发光层103中，第一发光材料采用有机蓝色发光材料。利用有机蓝色发光材料发出的光能够激发量子点发光材料发光，可以避免直接通过蓝色发光材料向器件外部发射光线，避免由于有机蓝色发光材料的发光效率低、半峰宽较宽而导致的蓝色纯度低等问题。
蓝色发光材料优选采用宽带隙的蓝色发光主体材料，例如可以是但不限于二[2-((氧代)二苯基膦基)苯基]醚(DPEPO)、9,9′-(1,3-苯基)二-9H-咔唑(mCP)、3,3-二(9H-咔唑-9-基)联苯(mCBP)等。
为了更好地实现第一发光层103对第二发光层106的激发作用，蓝色发光主体材料还可以选用带隙更宽、能量更强的近紫外荧光主体材料，一般包含短键共轭的紫外发光基团，如唑类衍生物、芘衍生物、苯并菲衍生物、蒽衍生物等。
蓝色客体发光材料选自波长为400nm-460nm的蓝色发光材料，优选为400nm-450nm、400nm-440nm、400nm-430nm、400nm-420nm、400nm-410nm、410-460nm、410nm-450nm、410nm-440nm、410nm-430nm、410nm-420nm420nm-460nm、420nm-450nm、420nm-440nm、420nm-430nm、430nm-460nm、430nm-450nm、430nm-440nm、440nm-460nm、440nm-450nm、450-460nm的蓝色发光材料，所述蓝色发光材料包括蒽衍生物9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)，5,9-二氧杂-13b-硼萘[3,2,1-de]蒽(OBA)衍生物等。
在其中一个示例中，第二发光层106包括蓝色量子点发光层1061，蓝色量子点发光层1061含有蓝色量子点发光材料，蓝色量子点发光材料能够在电场作用下发出蓝光，并且能够在第一发光层103的有机材料蓝色发光的激发下发出蓝光。
在其中一个示例中，第一发光材料为有机发光材料，能够发出波长为380nm～450nm的蓝光，具体如380nm～440nm、380nm～430nm、380nm～420nm、380nm～410nm、380nm～400nm、380nm～390nm、390nm～450nm、390nm～440nm、390nm～430nm、390nm～420nm、390nm～410nm、390nm～400nm、400nm～450nm、400nm～440nm、400nm～430nm、400nm～420nm、400nm～410nm、410nm～450nm、410nm～440nm、410nm～430nm、410nm～420nm、420nm～450nm、420nm～440nm、420nm～430nm、430nm～450nm、430nm～440nm、440nm～450nm的蓝光。蓝色量子点发光层1061中的蓝色量子点发光材料能够在电场作用下发出波长为430nm～480nm的蓝光，具体如430nm～480nm、430nm～470nm、430nm～460nm、430nm～450nm、430nm～440nm、440nm～380nm、440nm～470nm、440nm～460nm、440nm～450nm、450nm～480nm、450nm～470nm、450nm～460nm、460nm～480nm、460nm～470nm、470nm～480nm的蓝光。并且，蓝色量子点发光层1061中的蓝色量子点发光材料能够在第一发光材料的蓝光激发下发出波长为430nm～480nm的蓝光，具体如430nm～480nm、430nm～470nm、430nm～460nm、430nm～450nm、430nm～440nm、440nm～380nm、440nm～470nm、440nm～460nm、440nm～450nm、450nm～480nm、450nm～470nm、450nm～460nm、460nm～480nm、460nm～470nm、470nm～480nm的蓝光。
上述示例中，通过有机蓝光发光材料发出的光激发蓝色量子点发光材料发光，可以避免直接通过发光材料向器件外部发射光线，避免由于发光材料的发光效率低、半峰宽较宽而导致的色纯度低等问题。有机发光材料发出波长为380nm～450nm的蓝光，并且蓝色量子点发光材料自发光和光致发光为430nm～480nm的蓝光，能够形成高色纯度的蓝光。有机发光材料例如为蒽衍生物蓝色发光材料、含硼氮蓝色发光材料、硼氧蓝色发光材料和含硼硫蓝色发光材料中的至少一种。蓝色量子点发光材料例如为CdSe/ZnS或InP/ZnS。随着蓝色量子点发光材料自发光的衰减，可以通过调节施加于第一发光层103的电压，增大发光材料的发光强度，弥补量子点发光材料自发光衰减所带来的光损失，从而能够提高发光器件100的使用寿命，解决蓝色量子点发光材料自发光衰减快、寿命短而难以商业利用的问题。进一步地，在其中一个示例中，发光器件100还包括蓝色滤光片1081，蓝色滤光片1081设置在第二电极层107远离第二发光层106的一侧，且与蓝色量子点发光层1061位置对应。蓝色滤光片1081采用窄带蓝色滤光片，例如仅允许波长范围在450nm～470nm的光透过，提高出射蓝光的纯度。由于上述发光器件100发出的混合蓝光包含第一发光层103发出的蓝色发光、第二发光层106中的自发光和激发发光，其波长较宽，使用窄带蓝色滤光片能够窄化原本波长较宽的蓝色混合光，发出半峰宽窄、色纯度高的蓝光。
如图1所示，在其中一个示例中，第二发光层106还包括红色量子点发光层1062以及绿色量子点发光层1063。红色量子点发光层1062含有红色量子点发光材料，红色量子点发光材料能够在电场作用下发出红光，并且能够在蓝色发光的激发下发出红光。绿色量子点发光层1063含有绿色量子点发光材料，绿色量子点发光材料能够在电场作用下发出绿光，并且能够在蓝色发光的激发下发出绿光。
更具体地，第一电极层102分为第一区域1021、第二区域1022以及第三区域1023。第一发光层103设置在第一区域1021、第二区域1022以及第三区域1023上。蓝色量子点发光层1061与第一区域1021位置对应。红色量子点发光层1062与第二区域1022位置对应，绿色量子点发光层1063与第三区域1023位置对应。
上述蓝色量子点发光层1061、红色量子点发光层1062以及绿色量子点发光层1063分别构成蓝色子像素、红色子像素以及绿色子像素，各色子像素按照特定的规则排列，实现发光器件100的彩色显示。
在其中一个示例中，发光器件100还包括红色滤光片1082，红色滤光片1082设置在第二电极层107远离第二发光层106的一侧，且与红色量子点发光层1062位置对应。红色滤光片1082能够吸收所述蓝色发光，并允许红色量子点发光材料发出的红光透过。
上述示例中通过设置红色滤光片1082，吸收未完全色转换的蓝色发光，提高红色纯度。
在其中一个示例中，发光器件100还包括绿色滤光片1083，绿色滤光片1083设置在第二电极层107远离第二发光层106的一侧，且与绿色量子点发光层1063位置对应。绿色滤光片1083能够吸收所述蓝色发光，并允许绿色量子点发光材料发出的绿光透过。
上述示例中通过设置绿色滤光片1083，吸收未完全色转换的蓝色发光，提高绿色纯度。
由于红色子像素、绿色子像素结合了量子点发光材料的自发光和光致发光，蓝色子像素结合了蓝色发光、量子点自发光蓝光和量子点色转换发光，发光效率高，能够抵消由于滤光片吸收带来的光损失。
在其中一个示例中，量子点发光材料采用尺寸大小可调、核壳结构的量子点材料。其中核材料例如可以选自CdSe、InP和CsPbBr3中的一种或多种。壳材料例如可以选自CdS、ZnSe、ZnCdS2以及金属单质如Au、Ag、Cu中的一种或多种。
在其中一个示例中，核材料采用尺寸大小可调的CdSe。例如，蓝色量子点发光材料可采用粒径为2～5nm的CdSe内核，具体地可以是2～4nm、2～3nm、3～4nm，更具体地可以是2nm、3nm、4nm等的CdSe内核，其自发光或者光致发光为蓝色。绿色量子点发光材料可采用粒径为5～8nm的CdSe内核，具体地可以是5～7nm、5～6nm、6～7nm，更具体地可以是5nm、6nm、7nm等的CdSe内核，其自发光或者光致发光为绿色。红色量子点发光材料可采用粒径为8～10nm的CdSe内核，具体地可以是8～9nm、9～10nm的CdSe内核，更具体地可以是8nm、9nm、10nm等的CdSe内核，其自发光或者光致发光为红色。
进一步地，在其中一个示例中，壳材料优选为CdS。形成的CdSe/CdS量子点核壳结构经过适当的高分子聚合物配体修饰后，可溶于有机溶剂，经过喷墨打印工艺形成图案化的量子点发光层。
在其中一个示例中，发光器件100还包括设置在第一发光层103和第一电极层102之间的第一空穴传输层109和/或第一空穴注入层110。在图1所示的具体示例中，发光器件100包括第一空穴传输层109和第一空穴注入层110，第一空穴注入层110设置在第一空穴传输层109和第一电极层102之间。第一空穴传输层109和第一空穴注入层110的HOMO能级介于第一电极层102的功函数和第一发光层103的HOMO能级之间，有利于空穴注入。
在其中一个示例中，发光器件100还包括设置在第一发光层103和N型电荷产生层104之间的第一电子传输层111和/或第一电子注入层。在图1所示的具体示例中，第一发光层103和N型电荷产生层104之间设置有第一电子传输层111。第一电子传输层111包含金属螯合物Liq的唑类化合物或者菲咯啉衍生物，通过调控Liq所占的比例能够调节电子传输速率。
在其中一个示例中，发光器件100还包括设置在第二发光层106和P型电荷产生层105之间的第二空穴传输层112和/或第二空穴注入层113。在图1所示的具体示例中，发光器件100包括第二空穴传输层112和第二空穴注入层113，第二空穴传输层112设置在第二发光层106和第二空穴注入层113之间。第二空穴传输层112和第二空穴注入层113的HOMO能级介于第一电极层102的功函数和第二发光层106的价带之间，有利于空穴注入至第二发光层106。进一步地，P型电荷产生层105的材料采用过渡金属氧化物，过渡金属氧化物具有相对较大的功函数，与第二空穴传输层112和第二空穴注入层113的HOMO能级对准，有利于空穴注入。
在其中一个示例中，发光器件100还包括设置在第二发光层106和第二电极层107之间的第二电子传输层114和/或第二电子注入层115。在图1所示的具体示例中，发光器件100包括第二电子传输层114和第二电子注入层115，第二电子传输层114设置在第二电子注入层115和第二发光层106之间。
在其中一个示例中，第二电子传输层114采用高载流子传输率的ZnO或者掺杂ZnO。第二电子注入层115采用低功函的金属单质材料，例如Yb、Li、Cs、K等，优选为Yb。如此，能够有效促进第二发光层106中量子点发光材料的自发光。
空穴传输层和/或空穴注入层的材料包括TFB、CuPc、PVK、Poly-TPD、DNTPD、TCATA、TCCA、CBP、TPD、NPB、NPD、PEDOT:PSS、TAPC、MCC、F4-TCNQ、HATCN、4,4',4'-三(N-3-甲基苯基-N苯基氨基)三苯胺、聚苯胺、过渡金属氧化物、过渡金属硫化物、过渡金属锡化物、掺杂石墨烯、非掺杂石墨烯以及C60中的至少一种。
电子传输层和/或电子注入层的材料包括掺杂或非掺杂的氧化锌、氧化钡、氧化铝、氧化镍、氧化钛、氧化锡、氧化钽、氧化锆、氧化镍、氧化钛锂、氧化锌铝、氧化锌锰、氧化锌锡、氧化锌锂、氧化铟锡、硫化镉、硫化锌、硫化钼、硫化钨、硫化铜、锡化锌、磷化铟、磷化镓、硫化铜铟、硫化铜镓、钛酸钡中的一种或多种，掺杂的元素包括铝、镁、锂、锰、钇、镧、铜、镍、锆、铈、钆中的一种或多。
在其中一个示例中，发光器件100还包括光取出层116，光取出层116设置在第二电极层107远离第二发光层106的一侧上。在图1所示的具体示例中，光取出层116设置在第二电极层107和滤光片之间。光取出层116可采用高折射率有机材料制作而成。
本发明还提供一种上述任一示例的发光器件100的制作方法。
一实施例的发光器件100的制作方法包括以下步骤：
步骤S110，在基板101上制作第一电极层102。
步骤S120，在第一电极层102上制作第一发光层103。第一发光层103含有发光材料。
步骤S130，在第一发光层103上制作N型电荷产生层104。N型电荷产生层104的材料包括金属或掺有N型掺杂剂的有机材料。
步骤S140，在N型电荷产生层104上制作P型电荷产生层105。
步骤S150，在P型电荷产生层105上制作第二发光层106。第二发光层106含有第二发光材料，第一发光材料发出的光能够激发第二发光材料发光。。
步骤S160，在第二发光层106上制作第二电极层107。
上述发光器件100的制作方法在第一电极层102和第二电极层107之间设置第一发光层103和第二发光层106，并且，在第一发光层103和第二发光层106之间设置N型电荷产生层104和P型电荷产生层105，N型电荷产生层104的主要作用是向第一发光层103中注入电子，P型电荷产生层105的主要作用是向第二发光层106注入空穴，通过设置N型电荷产生层104和P型电荷产生层105，能够提高器件发光色纯度和发光寿命。
制作位于第一发光层103和第一电极层102之间的第一空穴传输层109和/或第一空穴注入层110。
在其中一个示例中，所述制作方法还包括以下步骤：
制作位于第一发光层103和N型电荷产生层104之间的第一电子传输层111和/或第一电子注入层。
在其中一个示例中，所述制作方法还包括以下步骤：
制作位于第二发光层106和P型电荷产生层105之间的第二空穴传输层112和/或第二空穴注入层113。
在其中一个示例中，所述制作方法还包括以下步骤：
制作位于第二发光层106和第二电极层107之间的第二电子传输层114和/或第二电子注入层115。
在其中一个示例中，所述制作方法还包括以下步骤：
在第二电极层107远离第二发光层106的一侧上制作光取出层116。
在其中一个示例中，第一空穴注入层110、第一空穴传输、第一发光层103、第二空穴注入层113、第二空穴传输、第二发光层106以及第二电子传输层114采用溶液法制作，包括喷墨打印、凸版印刷、喷嘴涂覆、喷涂或辊筒印刷等，优选采用喷墨打印工艺。
第一电子传输层111、N型电荷产生层104、P型电荷产生层105、第二电子注入层115、第二电极层107以及光取出层116采用蒸镀法制作。
在其中一个示例中，所述制作方法还包括以下步骤：
在第二电极层107远离第二发光层106的一侧上制作滤光片，包括蓝色滤光片1081、红色滤光片1082以及绿色滤光片1083中的至少一种。
滤光片可通过纳米压印、真空贴附或者湿法喷墨打印等方式形成于光取出层116上。在其中一个示例中，滤光片是通过真空贴附的方法形成于光取出层116上。
进一步地，本发明还提供一种显示装置，其包括上述任一示例的发光器件或通过上述任一示例的制作方法制作得到的发光器件。所述显示装置可以是但不限于电脑显示器、平板电脑、手机、智能手表、VR/AR设备等。
以下提供具体实施例的发光器件100的制作方法，对本发明作进一步说明。
实施例1
如图1所示，一具体实施例的发光器件100的制作方法，包括以下步骤：
步骤1，在具有有源矩阵TFT的基板101上溅射氧化铟锡，形成第一电极层102。对第一电极层102进行图案化，使第一电极层102分为第一区域1021、第二区域1022以及第三区域1023。
步骤2，整面喷墨打印聚3,4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT:PSS)，在第一电极层102上形成第一空穴注入层110。
步骤3，整面喷墨打印聚乙烯基咔唑(PVK)，在第一空穴注入层110上形成第一空穴传输层109。
步骤4，整面喷墨打印9,9’-(1,3-苯基)二-9H-咔唑(mCP):5wt％9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)，在第一空穴传输层109上形成发蓝色发光的第一发光层103。
步骤5，整面蒸镀4,6-双(3,5-二(3-吡啶)基苯基)-2-甲基嘧啶(B3PYMPM)，在第一发光层103上形成第一电子传输层111。
步骤6，整面蒸镀4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bhen):1wt％Yb，在第一电子传输层111上形成N型电荷产生层104。
步骤7，整面蒸镀氧化钼，在N型电荷产生层104上形成P型电荷产生层105。
步骤8，整面喷墨打印PEDOT:PSS，在P型电荷产生层105上形成第二空穴注入层113。
步骤9，整面喷墨打印PVK，在第二空穴注入层113上形成第二空穴传输层112。
步骤10，在第二空穴传输层112上对应第一区域1021的位置喷墨打印核直径为2～5nm的CdSe/CdS量子点，形成蓝色量子点发光层1061。在第二空穴传输层112上对应第二区域1022的位置喷墨打印8～10nm的CdSe/CdS，形成红色量子点发光层1062。在第二空穴传输层112上对应第三区域1023的位置喷墨打印5～8nm，形成绿色量子点发光层1063。蓝色量子点发光层1061、红色量子点发光层1062以及绿色量子点发光层1063构成第二发光层106。
步骤11，整面喷墨打印ZnO，在第二发光层106上形成第二电子传输层114。
步骤13，整面蒸镀金属Yb，在第二电子传输层114上形成第二电子注入层115。
步骤14，整面蒸镀金属Ag，在第二电子注入层115上形成第二电极层107。
步骤15，整面蒸蒸吉林奥莱德商用化CPL材料CPL008，在第二电极层107上形成光取出层116。
步骤16，在光取出层116上真空贴附滤光片，其中对应蓝色量子点发光层1061贴附蓝色滤光片1081，对应红色量子点发光层1062贴附红色滤光片1082，对应绿色量子点发光层1063贴附绿色滤光片1083。
对比例1
对比例1与实施例1的区别在于省去了步骤6和步骤7，即未制作N型电荷产生层和P型电荷产生层。
对上述实施例1和对比例1制作得到的发光器件进行性能测试，其中实施例1的发光器件的测试结果如表1所示，对比例1的发光器件的测试结果如表2所示。
表1实施例1中发光器件性能
发光效率(Cd/A) 驱动电压(V) CIEx CIEy T95@1000nit
红色子像素 57 5.4 0.692 0.292 3700h
绿色子像素 190 5.4 0.245 0.71 3000h
蓝色子像素 8.1 5.1 0.132 0.048 240h
表2对比例1中发光器件性能
发光效率(Cd/A) 驱动电压(V) CIEx CIEy T95@1000nit
红色子像素 46 5.7 0.681 0.310 3500h
绿色子像素 152 5.7 0.255 0.69 2800h
蓝色子像素 5.6 5.4 0.140 0.06 200h
由上述结果可知，相较于对比例1，实施例1通过在有机发光层和量子点发光层之间设置N型电荷产生层和P型电荷产生层，能够更好地利用量子点自发光和光致发光，使得制作得到的发光器件的发光效率更高、驱动电压更低，其中，蓝色子像素的发光效率从5.6Cd/A大幅提高至8.1Cd/A，并且，色域满足110％DCI-P3以上，能够解决发光材料色纯度偏低的问题。此外，由于本发明的有机发光材料能够发出波长为380nm～450nm的蓝光，从而激发出蓝色量子点发出更纯正的蓝光，提高了发光效率。最后，器件寿命也得到了提升，其中蓝色子像素可达到240h，寿命接近商业化的寿命要求。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种发光器件，其特征在于，包括依次层叠设置的基板、第一电极层、第一发光层、N型电荷产生层、P型电荷产生层、第二发光层以及第二电极层；所述第一发光层包括第一发光材料，所述第二发光层包括第二发光材料，所述第一发光材料发出的光能够激发所述第二发光材料发光。
2.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一发光材料为有机发光材料；所述第二发光材料为量子点发光材料；
所述N型电荷产生层的材料包括金属或掺有N型掺杂剂的有机材料，所述P型电荷产生层的材料包括过渡金属氧化物或掺杂为P型的有机材料；
所述金属选自Li、Na、K、Rb、Cs、Mg、Yb中的一种或多种；
所述掺有N型掺杂剂的有机材料中，N型掺杂剂选自Cs、K、Rb、Mg、Na、Ca、Sr、Eu和Yb中的一种或多种，有机材料选自三(8-羟基喹啉)铝、三嗪、羟基喹啉衍生物、吲哚衍生物和噻咯衍生物中的一种或多种；
所述过渡金属氧化物选自氧化钨、氧化钼、氧化钒中的一种或多种；
所述掺杂为P型的有机材料包括P型掺杂剂和基质材料，所述P型掺杂剂可以是F4-TCNQ、MoO3、FeCl3、HATCN等中的一种或多种，所述基质材料可以为芳香胺及其衍生物等的一种或多种。
3.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一发光材料为有机发光材料，能够发出波长为380nm～450nm的蓝光，所述第二发光层包括蓝色量子点发光层，所述蓝色量子点发光层包括蓝色量子点发光材料，所述蓝色量子点发光材料能够在电场作用下发出波长为430nm～480nm的蓝光，并且能够在所述第一发光材料的蓝光激发下发出波长为430nm～480nm的蓝光。
4.如权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述第一电极层包括第一区域、第二区域以及第三区域，所述第一发光层设置在所述第一区域、所述第二区域以及所述第三区域上，所述蓝色量子点发光层与所述第一区域位置对应；
所述第二发光层还包括红色量子点发光层以及绿色量子点发光层，所述红色量子点发光层与所述第二区域位置对应，所述红色量子点发光层包括红色量子点发光材料，所述红色量子点发光材料能够在电场作用下发出红光，并且能够在所述第一发光材料发出的蓝光的激发下发出红光，所述绿色量子点发光层与所述第三区域位置对应，所述绿色量子点发光层包括绿色量子点发光材料，所述绿色量子点发光材料能够在电场作用下发出绿光，并且能够在所述第一发光材料发出的蓝光的激发下发出绿光。
5.如权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括红色滤光片，所述红色滤光片设置在所述第二电极层远离所述第二发光层的一侧，所述红色滤光片与所述红色量子点发光层位置对应，所述红色滤光片能够吸收所述蓝光，并允许所述红色量子点发光材料发出的红光透过；和/或
所述发光器件还包括绿色滤光片，所述绿色滤光片设置在所述第二电极层远离所述第二发光层的一侧，所述绿色滤光片与所述绿色量子点发光层位置对应，所述绿色滤光片能够吸收所述蓝光，并允许所述绿色量子点发光材料发出的绿光透过；和/或
所述发光器件还包括蓝色滤光片，所述蓝色滤光片设置在所述第二电极层远离所述第二发光层的一侧，所述蓝色滤光片与所述蓝色量子点发光层位置对应，所述蓝色滤光片仅允许波长范围在450nm～470nm的光透过。
6.如权利要求1～5中任一项所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括光取出层，所述光取出层设置在所述第二电极层远离所述第二发光层的一侧。
7.如权利要求6所述的发光器件，其特征在于，所述第一发光层与所述第一电极层之间，和/或所述第二发光层和所述P型电荷产生层之间设有空穴功能层；空穴功能层包括空穴传输层和/或空穴注入层；
所述第一发光层和所述N型电荷产生层之间，和/或所述第二发光层和所述第二电极层之间设有电子功能层；所述电子功能层包括电子传输层和/或电子注入层。
8.如权利要求7所述的发光器件，其特征在于，所述第一电极层和所述第二电极层的材料独立地选自金属、碳材料以及金属氧化物中的一种或多种，所述金属包括Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca、Yb以及Mg中的一种或多种；所述碳材料包括石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的一种或多种；所述金属氧化物包括掺杂或非掺杂金属氧化物，包括ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO以及AMO中的一种或多种，或者包括掺杂或非掺杂透明金属氧化物之间夹着金属的复合电极，所述复合电极包括AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO2/Ag/TiO2以及TiO2/Al/TiO2中的一种或多种；和/或
所述空穴传输层和/或所述空穴注入层的材料包括TFB、CuPc、PVK、Poly-TPD、DNTPD、TCATA、TCCA、CBP、TPD、NPB、NPD、PEDOT:PSS、TAPC、MCC、F4-TCNQ、HATCN、4,4',4'-三(N-3-甲基苯基-N苯基氨基)三苯胺、聚苯胺、过渡金属氧化物、过渡金属硫化物、过渡金属锡化物、掺杂石墨烯、非掺杂石墨烯以及C60中的至少一种；
所述电子传输层和/或所述电子注入层的材料包括掺杂或非掺杂的氧化锌、氧化钡、氧化铝、氧化镍、氧化钛、氧化锡、氧化钽、氧化锆、氧化镍、氧化钛锂、氧化锌铝、氧化锌锰、氧化锌锡、氧化锌锂、氧化铟锡、硫化镉、硫化锌、硫化钼、硫化钨、硫化铜、锡化锌、磷化铟、磷化镓、硫化铜铟、硫化铜镓、钛酸钡中的一种或多种，掺杂的元素包括铝、镁、锂、锰、钇、镧、铜、镍、锆、铈、钆中的一种或多种；和/或
所述第一发光层和所述第二发光层独立地为量子点发光层或有机发光层；所述量子点发光层的材料包括单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种，所述单一结构量子点的材料选自II-VI族化合物、IV-VI族化合物、III-V族化合物和I-III-VI族化合物中的至少一种，其中，所述II-VI族化合物选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe及HgZnSTe中的至少一种，所述IV-VI族化合物选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe及SnPbSTe中的至少一种，所述III-V族化合物选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs或InAlPSb中的至少一种，所述I-III-VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2及AgInS2中的至少一种；所述核壳结构的量子点的核包括上述单一结构量子点中的任意一种，所述核壳结构的量子点的壳层材料包括CdS、CdTe、CdSeTe、CdZnSe、CdZnS、CdSeS、ZnSe、ZnSeS、ZnS和上述单一结构量子点中的至少一种；所述有机发光层的材料包括4,4'-双(N-咔唑)-1,1'-联苯:三[2-(对甲苯基)吡啶-C2,N)合铱(III)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺:三[2-(对甲苯基)吡啶-C2,N)合铱、二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物、芴衍生物、TBPe荧光材料、TTPX荧光材料、TBRb荧光材料及DBP荧光材料、蒽衍生物蓝色发光材料、含硼氮蓝色发光材料、硼氧蓝色发光材料和含硼硫蓝色发光材料、聚乙炔及其衍生物、聚对苯及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚芴及其衍生物中的至少一种；
所述光取出层的材料选自Alq3或ZnSe。
9.一种发光器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
在基板上制作第一电极层；
在所述第一电极层上制作第一发光层；
在所述第一发光层上制作N型电荷产生层；
在所述N型电荷产生层上制作P型电荷产生层；
在所述P型电荷产生层上制作第二发光层；
在所述第二发光层上制作第二电极层；
其中，所述第一发光层包括第一发光材料，所述第二发光层包括第二发光材料，所述第一发光材料发出的光能够激发所述第二发光材料发光。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～8中任一项所述的发光器件或通过权利要求9所述的制作方法制作得到的发光器件。
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