CN102290531A - 有机发光装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种有机发光装置及其制造方法。一种有机发光装置包括：基底；第一电极，设置在所述基底上；第二电极，设置在所述基底上并包括银(Ag)；发射层，位于所述第一电极和所述第二电极之间；电子注入层，位于所述发射层和所述第二电极之间并包括含碱金属的化合物和第一金属的混合物；以及覆层，设置在所述第二电极上。

Description

有机发光装置及其制造方法
本申请要求于2010年6月16日在韩国知识产权局提交的第10-2010-0057112号韩国专利申请的权益，该申请的全部公开内容通过引用被包含于此。
技术领域
当前实施例涉及一种有机发光装置和一种制造该有机发光装置的方法。
背景技术
在包括阳极、阴极以及位于阳极和阴极之间的有机层的有机发光装置中，当前广泛地使用镁(Mg)和银(Ag)的混合物来制造阴极，尤其是顶部发射发光装置的阴极。
具有低逸出功且能够良好地在电子注入层(EIL)上形成薄膜镁在电子注入和装置稳定性方面是有利的。Ag具有良好的反射特性，并且在用于形成阴极时可以与反射阳极一起形成微腔，由此提高装置的效率。
然而，由Mg和Ag制成的阴极具有非常高的电阻，因此不适合在前面板上实现质量均一的图像，并且在这方面需要额外的补偿电路。
即使在由Mg和Ag制成的阴极上进一步沉积由具有高折射率的氧化物或有机材料构成的覆层(CPL)，有机发光装置中产生的光仍会具有低透射率。此外，与由其它金属构成的薄膜型阴极相比，具有这样的薄膜的Mg-Ag阴极吸收更大量的光，因此会降低有机发光装置的效率。
为了解决这些缺陷，已经提出了Mg和Ag的组成比不同的薄膜阴极。Ag的百分比越高，薄膜型阴极的光吸收越低，光反射越高，电阻特性越好。然而，较高百分比的Ag会阻碍电子的注入，并导致有机发光装置的驱动电压较高且效率较低。另外，Mg的百分比越高，Mg导致的光吸收越高，有机发光装置的效率越低，且电阻越高。
为了改善传统的Mg-Ag薄膜型阴极的电阻和透射特性，已经提出了包括仅由Ag构成的薄膜阴极的顶部发射有机发光装置。在这方面，为提高外部发射效率而限定的顶部发射有机发光装置的覆盖区域仅由氧化物构成，并且用于电子注入层的材料局限于LIF/Al、Mg、Ag、镱(Yb)、铷(Rb)、铯(Cs)、钡(Ba)、钙(Ca)-铝(Al)、Mg-Al、Li/Al、Li2O/Al和它们的混合物。然而，考虑到氧化物的性质，高温沉积或溅射对于这样的有机发光装置来说是必要的，这会损坏薄膜Ag阴极，且会限制可用于电子注入层的材料。
因此，需要一种在合理的电阻下提供良好的光学特性且有助于电子注入的有机发光装置结构。
发明内容
当前实施例提供了一种有机发光装置，在该有机发光装置中，改善了电阻和光学特性，从而提高了该有机发光装置的效率。
当前实施例提供了一种制造该有机发光装置的方法。
根据本发明的一方面，提供了一种有机发光装置，所述有机发光装置包括：基底；第一电极，设置在所述基底上；第二电极，设置在所述基底上并包括银(Ag)；发射层，位于所述第一电极和所述第二电极之间；电子注入层，位于所述发射层和所述第二电极之间并包括含碱金属的化合物和第一金属的混合物；以及覆层，设置在所述第二电极上。
所述含碱金属的化合物可以包括从由LiF、LiQ、CsF、NaF、NaQ和Li2O组成的组中选择的至少一种材料。
所述第一金属可以包括从由镱(Yb)、铽(Tb)、钬(Ho)、钐(Sm)、铕(Eu)、镨(Pr)、铈(Ce)、铝(Al)和镁(Mg)组成的组中选择的至少一种金属。
所述含碱金属的化合物与所述第一金属的重量比可以为大约l∶9至大约9∶1。
所述含碱金属的化合物可以包括LiQ，所述第一金属可以包括Yb，LiQ与Yb的重量比可以为大约1∶1。
所述电子注入层的厚度可以为大约0.1nm至大约30nm。
所述第二电极还可以包括从由铝(Al)、铂(Pt)、镱(Yb)、钕(Nd)和镁(Mg)组成的组中选择的至少一种第二金属，并且基于100重量份的Ag，所述第二金属的量为大约0.01重量份至大约20重量份。
所述第二电极的厚度可以为大约1nm至大约30nm。
所述覆层可以包括有机材料、无机材料或它们的混合物。
所述覆层的折射率可以为大约1.2至大约5.0。
所述覆层可以包括无机材料，所述无机材料包括从由ITO、IZO、SiO2、SiNx、Y2O3、WO3、MoO3和Al2O3组成的组中选择的至少一种。
所述覆层可以包括有机材料，所述有机材料包括从由三胺衍生物、亚芳基二胺衍生物、三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)和4，4’-二咔唑基联苯(CBP)组成的组中选择的至少一种。
所述覆层的厚度可以为大约1nm至大约200nm。
所述有机发光装置还可以包括位于所述第一电极和所述发射层之间的空穴注入层、空穴传输层或空穴注入和传输层。
根据当前实施例的另一方面，提供了一种底部发射有机发光装置，所述底部发射有机发光装置包括：基底；第一电极，设置在所述基底上；第二电极，设置在所述基底上并包括银(Ag)；发射层，位于所述第一电极和所述第二电极之间；电子注入层，位于所述发射层和所述第二电极之间并包括含碱金属的化合物和第一金属的混合物；以及覆层，设置在所述第二电极的背对所述发射层的表面上。
根据当前实施例的另一方面，提供了一种制造有机发光装置的方法，所述方法包括：准备基底；在所述基底上形成第一电极；在所述第一电极上形成空穴注入和传输层；在所述空穴注入和传输层上形成发射层；在所述发射层上形成电子注入层，电子注入层包括含碱金属的化合物和第一金属的混合物；在所述电子注入层上形成包括银(Ag)的第二电极；以及在所述第二电极上形成覆层。
附图说明
通过参照附图详细地描述当前实施例的示例性实施例，当前实施例的以上和其它特征及优点将变得更加明显，在附图中：
图1是示出根据实施例的有机发光装置的结构的剖视图；
图2是示出根据实施例的包括电子注入层、第二电极和覆层的有机发光装置的局部结构的放大剖视图；
图3是示出根据实施例的有机发光装置的结构的剖视图；
图4是在蓝色波长范围内在示例1和对比示例1中制造的有机发光装置的电流密度相对于电压的曲线图；
图5是在蓝色波长范围内在示例1和对比示例1中制造的有机发光装置的发光效率相对于亮度的曲线图；
图6是在绿色波长范围内在示例1和对比示例1中制造的有机发光装置的电流密度相对于电压的曲线图；
图7是在绿色波长范围内在示例1和对比示例1中制造的有机发光装置的发光效率相对于亮度的曲线图。
具体实施方式
现在将详细参考多个实施例，在附图中示出了这些实施例的示例，以使本领域普通技术人员能够实现这些实施例的示例。在这方面，当前实施例可以具有不同的形式，且不应当解释为局限于在此提出的描述。因此，下面仅通过参照附图描述实施例，以解释本说明书的多个方面。
在附图中，为了清楚起见，会夸大层和区域的厚度。相同的标号始终指示相同的元件。应当理解，当诸如层、膜、区域或板的元件被称作“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在另一元件上，或者可以存在中间元件。
根据实施例，有机发光装置包括：基底；第一电极，设置在基底上；第二电极，设置在基底上并包括银(Ag)；发射层，位于第一电极和第二电极之间；电子注入层，位于发射层和第二电极之间，电子注入层包括含碱金属的化合物和第一金属的混合物；以及覆层，设置在第二电极上。
图1是根据实施例的有机发光装置100的剖视图。
参照图1，有机发光装置100包括基底10和设置在基底10上的第一电极20。
基底10可以是传统上在有机发光装置中使用的任何基底。基底10可以包括具有良好的机械强度、热稳定性、透明度、表面平整性、处理便利性和耐水性的材料。例如，基底10可以是玻璃基底、金属薄膜或塑料基底。尽管在图1中未示出，但是如果需要，则还可以在基底10和第一电极20之间设置平坦化层或绝缘层。
第一电极20可以构成阳极或阴极。第一电极20可以具有与红色(R)子像素、绿色(G)子像素和蓝色(B)子像素对应的图案。第一电极20可以包括具有良好的导电率的材料。第一电极20可以包括适合于形成第一电极20的任何材料。用于第一电极20的材料的非限制性示例包括Li、Mg、Al、Ag、Al-Li、Ca、Mg-In、Mg-Ag、Ca-Al、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和Al-ITO。第一电极20可以是透明电极、半透明电极或反射电极。第一电极20可以具有包括使用至少两种材料的至少两个层的结构。然而，第一电极20可以具有各种结构中的任何结构。
有机发光装置100包括位于基底10上的第二电极60。
第二电极60可以包括具有良好的导电率的Ag。Ag具有低逸出功和高反射率。第二电极60可以以各种方式，例如作为透明电极或反射电极，来实现。
基于100重量份的Ag，第二电极60还可以包括量为大约0.01重量份至大约20重量份的从由Al、Pt、Yb、Nd和Mg组成的组中选择的至少一种第二金属。第二电极60可以包括Ag和第二金属的混合物，以改善第二电极60的薄膜特性，例如透明度。当第二金属的量在该范围内时，有机发光装置可以具有适当的光吸收和电阻而没有增大驱动电压。
第二电极60的厚度可以为大约1nm至大约30nm。当第二电极60的厚度在该范围内时，有机发光装置可以具有能够容易地控制透射率和反射率且使光吸收低的良好的光学特性，并可具有良好的导电率。
第一电极20和第二电极60可以分别用作阳极和阴极，但反之亦然。
有机发光装置100可以包括位于第一电极20和第二电极60之间的有机层。有机层可以包括发射层(EML)30和电子注入层(EIL)50。例如，有机层可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子阻挡层(EBL)、EML 30、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)和EIL 50。代替HIL和HTL，可以使用能够起到HIL和HTL这两层的作用的空穴注入和传输层25。可以省略EBL、HBL和ETL中的至少一个。
有机发光装置100可以包括位于第一电极20和第二电极60之间的EML30。
EML 30可以包括各种发光材料中的任何发光材料。发光材料的示例包括：蓝色掺杂剂，例如
Figure BSA00000523930300051
二唑二聚物染料(Bis-DAPOXP)、螺化合物(Spiro-DPVBi(螺DPVBi)、Spiro-6P(螺6P))、三芳胺化合物、二(苯乙烯基)胺(DSA)、4，4′-双(9-乙基-3-咔唑乙烯撑)-1，1′-联苯(BCzVBi)、苝、2，5，8，11-四叔丁基苝(TPBe)、3，3′-(1，4-亚苯基-二-2，1-乙烯-二基)双[9-乙基-9H-咔唑](BCzVB)、4，4′-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯(DPAVBi)、4-(二对甲苯基氨基)-4′-[(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]茋(DPAVB)、4.4′-双[4-(二苯基氨基)苯乙烯基]联苯(BDAVBi)和双(3，5-二氟-2-(2-吡啶基)苯基)-(2-羧基吡啶基)铱III(FIrPic)；绿色掺杂剂，例如3-(2-苯并噻唑基)-7-(二乙基氨基)香豆素(Coumarin 6(香豆素6))、2，3，6，7-四氢-1，1，7，7，-四甲基-1H，5H，11H-10-(2-苯并噻唑基)喹嗪并-[9，9a，1gh]香豆素(C545T)、N，N′-二甲基-喹吖啶酮(DMQA)和三(2-苯基吡啶)铱(III)(Ir(ppy)3)；红色掺杂剂，例如四笨基并四苯(Rubrene(红荧烯))、三(1-苯基-异喹啉)铱(IH)(Ir(piq)3)、双(2-苯并[b]噻吩-2-基-吡啶)(乙酰丙酮化)铱(III)(Ir(btp)2(acac))、三(二苯甲酰甲烷)菲咯啉铕(III)(Eu(dbm)3(phen))、三[4，4′-二叔丁基-(2，2′)-联吡啶]钌(III)配合物(Ru(dtb-bpy)3*2(PF6))、DCM1、DCM2、铕(噻吩甲酰三氟丙酮)3(Eu(TTA)3)和丁基-6-(1，1，7，7-四甲基久洛尼定基-9-烯基)-4H-吡喃(CJTB)。然而，可以使用任何发光材料。发光材料可以包括发光聚合物。发光聚合物的示例包括芳族聚合物，例如聚苯撑、聚苯撑乙烯撑、聚噻吩、聚芴和螺芴。
在一些实施例中，EML 30可以包括发射主体和发射掺杂剂。发射掺杂利可以包括上面列出的发光材料中的任何发光材料。发射主体可以包括荧光主体或磷光主体。荧光主体的示例包括三(8-羟基-喹啉)铝(Alq3)、9，10-二(萘-2-基)蒽(AND)、3-叔丁基-9，10-二(萘-2-基)蒽(TBADN)、4，4′-双(2，2-二苯基-乙烯-1-基)联苯(DPVBi)、4，4′-双[2，2-二(4-甲基苯基)-乙烯-1-基]联苯(p-DMDPVBi)、三(9，9-二芳基芴)(TDAF)、2-(9，9′-螺二芴-2-基)-9，9′-螺二芴(BSDF)、2，7-双(9，9′-螺二芴-2-基)-9，9′-螺二芴(TSDF)、双(9，9-二芳基芴)(BDAF)、4，4′-二[2-(4-叔丁基-苯-4-基)-乙烯-1-基]联苯(p-TDPVBi)等。磷光主体的示例包括1，3-双(咔唑-9-基)苯(mCP)、1，3，5-三(咔唑-9-基)苯(tCP)、4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TcTa)、4，4′-双(咔唑-9-基)联苯(CBP)、4，4′-双(9-咔唑基)-2，2′-二甲基-联苯(CBDP)、4，4′-双(咔唑-9-基)-9，9-二甲基-芴(DMFL-CBP)、4，4′-双(咔唑-9-基)-9，9-双(9-苯基-9H-咔唑)芴(FL-4CBP)、4，4′-双(咔唑-9-基)-9，9-二甲苯基-芴(DPFL-CBP)、9，9-双(9-苯基-9H-咔唑)芴(FL-2CBP)等。
有机发光装置100可以包括位于EML 30和第二电极60之间的EIL 50。
EIL 50可以包括含碱金属的化合物和第一金属的混合物。含碱金属的化合物可以包括从由LiF、LiQ(8-羟基喹啉锂)、CsF、NaF、NaQ(8-羟基喹啉钠)和Li2O组成的组中选择的至少一种材料。第一金属可以包括从由镱(Yb)、铽(Tb)、钬(Ho)、钐(Sm)、铕(Eu)、镨(Pr)、铈(Ce)、铝(Al)和镁(Mg)组成的组中选择的至少一种材料。在含碱金属的化合物和第一金属的混合物中，如果含碱金属的化合物和第一金属相对于混合物的总重量的重量比分别用X和Y表示，则可以满足下面的关系：10≤x≤90，10≤y≤90，并且x+y＝100。当含碱金属的化合物和第一金属的重量比在这些范围内时，可以有助于电子的注入，并且包括Ag的第二电极60可以具有改善的薄膜特性，因此可以有利地吸收较少的光。
例如，EIL 50可以包括例如重量比为1∶1的LiQ和Yb的混合物。
EIL 50的厚度可以为大约0.1nm至大约30nm。当EIL 50的厚度在该范围内时，EIL 50可以具有良好的电子注入特性而没有显著增大驱动电压。
虽然未示出，但是有机发光装置100还可以包括位于EML 30和EIL 50之间的ETL。
ETL可以包括具有良好的电子传输能力的材料。例如，ETL可以包括任何已知的电子传输材料。电子传输材料的示例包括三-(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、双(8-羟基-2-甲基喹啉)-(4-苯基苯氧基)铝(Balq)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1，2，4-三唑(TAZ)、双(10-羟基苯并[h]喹啉)铍(Bebq2)和它们的衍生物。电子传输材料还可以包括金属氧化物。例如，金属氧化物可以是碱金属、碱土金属或过渡金属的氧化物。
有机发光装置100还可以包括位于EML 30和第一电极20之间的HIL和HTL中的至少一个。可选地，有机发光装置100还可以包括位于EML 30和第一电极20之间的起到HIL和HTL两者的作用的空穴注入和传输层25。
接触第一电极20且与第一电极20形成界面的有机层可以是HIL，或者如果有机发光装置不包括HIL，则所述有机层可以是HTL。在一些实施例中，有机层可以是起到HIL和HTL两者的作用的空穴注入和传输层25。
HIL可以包括任何已知的空穴注入材料。空穴注入材料的示例包括：酞菁化合物，例如铜酞菁(CuPc)等；星型胺衍生物，例如4，4′，4″-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)和4，4′，4″-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)；可溶性聚合物，例如聚苯胺/十二烷基苯磺酸(Pani/DBSA)、聚(3，4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(Pani/CSA)和聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PANI/PSS)。然而，可以使用任何空穴注入材料。
Figure BSA00000523930300081
HTL可以包括任何已知的空穴传输材料。典型的空穴传输材料包括咔唑衍生物、具有芳香缩合环的胺衍生物等。空穴传输材料的示例包括N-苯基咔唑、聚乙烯咔唑、1，3，5-三咔唑基苯、4，4’-二咔唑基联苯、间二咔唑基苯、4，4’-二咔唑基-2，2’-二甲基联苯、4，4’，4”-三(N-咔唑基)三苯胺、1，3，5-三(2-咔唑基苯基)苯、1，3，5-三(2-咔唑基-5-甲氧基苯基)苯、双(4-咔唑基苯基)硅烷、N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)-(1，1’-联苯基)-4，4’-二胺(NPB)、N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-联苯胺(TPD)、9，9-二辛基芴与N-(4-丁基苯基)二苯胺的共聚物(TFB)或9，9-二辛基芴与二-N，N-(4-丁基苯基)-二-N，N-苯基-1，4-苯撑二胺的共聚物(PFB)等。然而，可以使用任何空穴传输材料。
Figure BSA00000523930300082
空穴注入和传输层25可以包括上面列出的空穴注入材料和空穴传输材料的任何混合物。然而，可以使用上面未列出的空穴注入材料和空穴传输材料的任何适合的混合物。
有机发光装置100可以包括位于第二电极60上的覆层70。
覆层70可以包括有机材料、无机材料或这些材料的混合物。通常设置在第二电极60上的覆层70可以改善视角特性和外部发射效率。覆层70可以保护下面的第二电极60和有机层免受外部湿气或氧的劣化。
例如，有机材料可以是从由三胺衍生物、亚芳基二胺衍生物、Alq3和4，4’-二咔唑基联苯(CBP)组成的组中选择的至少一种材料。
无机材料可以是从由ITO、IZO、SiO2、SiNx、Y2O3、WO3、MoO3和Al2O3组成的组中选择的至少一种材料。
覆层70可以具有各种结构中的任何结构，例如，包括从有机材料、无机材料和它们的混合物中选择的材料的单层结构或者包括具有不同折射率的材料的多层结构。
覆层70的折射率可以与空气的折射率不同。例如，覆层70的折射率可以为大约1.2至大约5.0。当覆层70的折射率在该范围内时，覆层70可以有效地削弱第二电极60的全反射，因此可以产生更高的外部光效率。另外，覆层70可以减小色坐标和发射的光的强度根据用户视角的变化。例如，覆层70的折射率可以为大约1.2至大约3.0。
正在从覆层70穿出的光在覆层70与外部空气之间的界面处朝向第二电极60的表面反射。入射在第二电极60的表面上的光从覆层70向后反射出去。然而，未从覆层70反射的光与由覆层70反射到第二电极60的光由于它们的不同路径而发生干涉。因此，通过第二电极60的全反射，会损失较少量的光，并且较大量的光可以透射，因此提高了有机发光装置100的发射效率。从红色像素、绿色像素和蓝色像素发射的光具有不同的波长，因此，覆层70与红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素对应的区域可以具有不同的厚度，例如，范围为大约1nm至大约200nm的厚度。当覆层70的厚度为大约1nm或更大时，覆层70可以向外发射光。当覆层的厚度为大约200nm或更小时，覆层70的光吸收不会那么高，从而可以获得良好的发光效率。
图2是示出根据实施例的有机发光装置的局部结构的放大剖视图，该结构包括EIL 150、第二电极160和覆层170。
参照图2，作为有机发光装置的最上层的覆层170可以包括有机材料、无机材料或它们的混合物，以改善视角特性和外部发射效率。覆层170可以包括折射率与空气的折射率不同的材料，从而有助于光从有机发光装置发射。覆层170的厚度可以为大约1nm至大约200nm，从而获得改善的透射特性和视角特性。虽然在图2中示为包括材料的单层，但覆层170可以是具有不同折射率的多种材料的堆叠层。可以通过热沉积、涂覆等形成覆层170。
包括Ag的第二电极160位于覆层170下方。第二电极160可以透射光，并同时可以反射一部分光。与包括Mg和Ag的普通电极相比，第二电极160可以具有较低的吸光率、较高的透光率和较高的光反射率。
考虑到其透光率和反射率，第二电极160的厚度可以为大约1nm至大约30nm。基于100重量份的Ag，第二电极160可以包括量为大约0.01重量份至大约20重量份的从由Al、Pt、Yb、Nd和Mg组成的组中选择的至少一种第二金属，从而获得良好的薄膜特性。可以通过各种方法(例如热沉积、溅射等)中的任何方法形成第二电极160。
有助于电子注入的EIL 150位于第二电极160下方。EIL 150可以包括从由LiF、LiQ、CsF、NaF、NaQ和Li2O组成的组中选择的至少一种含碱金属的化合物与从由Yb、Tb、Ho、Sm、Eu、Pr、Ce、Al和Mg组成的组中选择的至少一种第一金属的混合物。含碱金属的化合物与第一金属的重量比可以为大约10∶90至大约90∶10。EIL 150的厚度可以为大约0.1nm至大约30nm。可以通过各种方法中的任何方法来形成EIL 150，例如，可以通过将含碱金属的化合物和第一金属共沉积，或可经由热沉积、真空沉积、化学气相沉积(CVD)、溅射、旋涂或旋铸(spin-casting)通过沉积含碱金属的化合物和第一金属的混合物来形成EIL 150。
图3是示出根据实施例的有机发光装置300的结构的剖视图。
参照图3，有机发光装置300包括基底210、位于基底210上的第一电极220、包括Ag的第二电极260以及位于第一电极220和第二电极260之间的包括R子像素230a、G子像素230b和B子像素230c的发射层230。包括含碱金属的化合物和第一金属的混合物的EIL 250位于发射层230和第二电极260之间。ETL 240设置在EIL 250和发射层230之间。空穴注入和传输层225设置在发射层230和第一电极220之间。覆层270设置在第二电极260上。
基底210可以包括用于驱动有机发光装置300的薄膜晶体管、电路和布线。引入的外部信号在从基底210传递至第一电极220的同时变成特定的电流水平，并到达第一电极220。
对于顶部发射有机发光装置，第一电极220可以包括金属反射层。第一电极220可以与第二电极260一起将电场施加到有机发光装置300。在当前实施例中，第一电极220可以用作阳极。第一电极220具有良好的反射特性。因此，第一电极220可以朝有机发光装置300的前侧反射入射光，并可以与具有高反射率的第二电极260一起提供微腔效应。
设置在第一电极220上的空穴注入和传输层225注入并传输电荷。
位于空穴注入和传输层225上的发射层230包括R子像素、G子像素和B子像素。
设置在发射层230上的ETL 240传输电子。
设置在ETL 240上的EIL 250包括含碱金属的化合物和第一金属的混合物，如上所述。
设置在EIL 250上的第二电极260包括Ag。在当前实施例中，第二电极160可以用作阴极。
设置在第二电极160上的覆层270包括有机材料、无机材料或它们的混合物。
虽然当前实施例描述了顶部发射有机发光装置，但当前实施例不限于此，并可以应用于具有任何结构的有机发光装置，只要它们包括基底、设置在基底上的第一电极、设置在基底上且包括银(Ag)的第二电极、位于第一电极和第二电极之间的发射层、位于发射层和第二电极之间的EIL(所述EIL包括含碱金属的化合物和第一金属的混合物)以及覆层即可。例如，对于底部发射有机发光装置，包括含碱金属的化合物和第一金属的混合物的EIL以及包括Ag的第二电极可以比上面描述的顶部发射有机发光装置的厚，覆层可以在第一电极下方。
根据实施例的有机发光装置可以是包括含有透明材料的覆层的顶部发射有机发光装置，在该顶部发射有机发光装置中，从发射层发射的光通过覆层从有机发光装置行进出去。例如，有机发光装置可以具有这样的结构，该结构包括：基底；反射第一电极，位于基底上且包括从由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li和Ca组成的组中选择的至少一种金属和从由ITO、IZO、ZnO、SnO2和In2O3组成的组中选择的至少一种导电材料；透明第二电极，位于基底上且包括Ag；发射层，位于第一电极和第二电极之间；EIL，位于发射层和第二电极之间且包括含碱金属的化合物和第一金属的混合物；空穴注入和传输层，位于发射层和第一电极之间；覆层，位于第二电极上。在顶部发射有机发光装置中，第一电极的厚度可以为大约10nm至大约300nm。第二电极的厚度可以为大约1nm至大约30nm。从发射层发射的光可以穿过覆层从装置行进出去。
例如，有机发光装置可以具有这样的结构，该结构包括：基底；第一电极；空穴注入和传输层(不是必需的)；发射层；EIL，包括重量比为1∶1的LiQ和Yb的混合物；第二电极，包括Ag；覆层，包括三胺衍生物。可选地，有机发光装置可以具有这样的结构，该结构包括：基底；空穴注入和传输层(可选的)；发射层；EIL，包括重量比为1∶1的LiQ和Yb的混合物；第二电极，包括重量比为85∶15的Ag和Yb的混合物；覆层，包括三胺衍生物。可选地，有机发光装置可以具有这样的结构，该结构包括：基底；第一电极；空穴注入和传输层(可选的)；发射层；EIL，包括重量比为1∶1的LiF和Yb的混合物；第二电极，包括Ag；覆层，包括三胺衍生物。可选地，有机发光装置可以具有这样的结构，该结构包括：基底；第一电极；HIL(可选的)；发射层；EIL，包括重量比为1∶1的LiF和Yb的混合物；第二电极，包括重量比为85∶15的Ag和Yb的混合物；覆层，包括三胺衍生物。
根据实施例的有机发光装置可以是底部发射有机发光装置，该底部发射有机发光装置包括基底，该基底包括透明材料，在该底部发射有机发光装置中，从发射层发射的光穿过基底从有机发光装置行进出去。例如，有机发光装置可以具有这样的结构，该结构包括：透明基底；透明第一电极，位于透明基底上且包括从由ITO、IZO、ZnO、SnO2和In2O3组成的组中选择的至少一种导电材料；反射第二电极，位于透明基底上且包括Ag；EML，位于第一电极和第二电极之间；EIL，位于发射层和第二电极之间且包括含碱金属的化合物和第一金属的混合物；空穴注入和传输层，位于发射层和第一电极之间；覆层，位于第二电极的背对发射层的表面上。在底部发射有机发光装置中，第二电极的厚度可以为大约1nm至大约200nm。
在下文中，将描述制造有机发光装置的方法的实施例。有机发光装置可以包括基底以及顺序地设置在基底上的第一电极、HIL、HTL、EML、ETL和EIL、第二电极以及覆层。HIL和HTL可以由空穴注入和传输层代替。可以不形成ETL。
首先，在基底上形成第一电极。基底可以是在传统的有机发光装置中使用的任何基底。在这方面，考虑到透明度、表面平整性、处理便利性和耐水性，基底可以在玻璃基底和塑料基底中选择。第一电极可以以各种形式，例如作为透明电极或反射电极，来实现。
然后，可以通过热沉积、真空沉积、化学气相沉积(CVD)、溅射、旋涂、旋铸等在第一电极上形成HIL。
当使用真空沉积形成HIL时，沉积条件可以根据用于形成HIL的材料以及将要形成的HIL的结构和热特性而改变。例如，沉积条件可以包括大约100℃至大约500℃的沉积温度、大约10-8托至大约10-3托的真空压力和大约0.01/秒至大约100
Figure BSA00000523930300132
/秒的沉积速率。
当使用旋涂形成HIL时，涂覆条件可根据用于形成HIL的材料以及将要形成的HIL的期望结构和热特性而改变。例如，涂覆速度可以为大约2000rpm至大约5000rpm，用于在涂覆之后去除溶剂而执行的热处理的温度可以为大约80℃至大约200℃。
HIL可以包括任何已知的空穴注入材料。HIL的厚度可以为大约20nm至大约200nm。当HIL的厚度为大约20nm或更大时，HIL可以具有良好的空穴注入特性。当HIL的厚度为大约200nm或更小时，可以获得适当的驱动电压。
然后，可以使用热沉积、真空沉积、CVD、溅射、旋涂、旋铸等在HIL上形成HTL。当使用真空沉积或旋涂形成HTL时，虽然用于沉积和涂覆的条件可根据用于形成HTL的材料而改变，但是用于沉积和涂覆的条件与用于形成HIL的沉积和涂覆条件类似。
HTL可以包括任何已知的空穴传输材料。HTL的厚度可以为大约10nm至大约100nm。当HTL的厚度为大约10nm或更大时，HTL可以具有良好的空穴传输特性。当HTL的厚度为大约100nm或更小时，可以获得适当的驱动电压。
代替HIL和HTL，可以使用空穴注入材料和空穴传输材料的混合物形成空穴注入和传输层。虽然空穴注入和传输层的形成方法和厚度可以根据用于形成空穴注入和传输层的材料而改变，但是用于形成空穴注入和传输层的条件可以与用于形成HIL的条件类似。
然后，可以通过使用热沉积、真空沉积、CVD、溅射、旋涂、旋铸等在HTL上形成EML。当使用真空沉积或旋涂形成EML时，虽然用于沉积和涂覆的条件可根据用于形成EML的材料而改变，但是用于沉积和涂覆的条件与用于形成HIL的沉积和涂覆条件类似。
可以使用任何已知的发光材料(例如已知的主体和掺杂剂)来形成EML。可用于形成EML的掺杂剂可以包括在本领域中众所周知的荧光掺杂剂或磷光掺杂剂。
基于100重量份的EML材料，即相当于主体和掺杂剂的总重量，掺杂利的量可以为大约0.1重量份至大约20重量份。当掺杂剂的量为0.1重量份或更多时，掺杂剂的添加会是有效的。当掺杂剂的量为20重量份或更少时，不管使用的是磷光掺杂剂还是荧光掺杂剂，均不会发生浓度猝灭。EML的厚度可以为大约10nm至大约100nm。当EML的厚度为10nm或更大时，在EML中可出现发光特性。当EML的厚度为100nm或更小时，驱动电压不会升高。
当EML包括磷光掺杂剂时，可以在EML上形成HBL，从而防止三线态激子或空穴扩散到ETL中。在这种情况下，HBL可以包括通常用于形成HBL的任何材料。HBL材料的示例包括在本领域中已知的
Figure BSA00000523930300141
二唑衍生物、三唑衍生物、菲咯啉衍生物、Balq和BCP。
然后，可以通过使用热沉积、真空沉积、CVD、溅射、旋涂、旋铸等在EML上形成ETL。当使用真空沉积或旋涂形成ETL时，虽然用于沉积和涂覆的条件可根据用于形成ETL的材料而改变，但是用于沉积和涂覆的条件与用于形成HIL的沉积和涂覆条件类似。
ETL的厚度可以为大约10nm至大约40nm。当ETL的厚度为10nm或更大时，ETL可以具有适当的电子传输速率，以产生电荷平衡。当ETL的厚度为40nm或更小时，驱动电压不会升高。
然后，可以通过使用热沉积、真空沉积、CVD、溅射、旋涂、旋铸等在ETL上形成EIL。当使用真空沉积或旋涂形成EIL时，虽然用于沉积和涂覆的条件可根据用于形成EIL的材料而改变，但是用于沉积和涂覆的条件与用于形成HIL的沉积和涂覆条件类似。
用于形成EIL的材料可以包括上面描述的含碱金属的化合物和第一金属的混合物。含碱金属的化合物可以包括从由LiF、LiQ、CsF、NaF、NaQ和Li2O组成的组中选择的至少一种材料。第一金属可以包括从由Yb、Tb、Ho、Sm、Eu、Pr、Ce、Al和Mg组成的组中选择的至少一种材料。例如，用于形成EIL的材料可以是重量比为1∶1的LiQ和Yb的混合物。
EIL的厚度可以为大约0.1nm至大约30nm。当EIL的厚度为大约0.1nm或更大时，可以确保有效的电子注入。当EIL的厚度为大约30nm或更小时，驱动电压不会升高。
然后，可以通过在EIL上沉积包括Ag的第二电极材料来形成第二电极，由此完成有机发光装置的制造。
第二电极材料还可以包括具有良好的导电率的第二金属。例如，基于100重量份的Ag，第二电极材料还可以包括量为大约0.01重量份至大约20重量份的从由Al、Pt、Yb、Nd和Mg组成的组中选择的至少一种第二金属。在顶部发射有机发光装置中，第二电极的厚度可以为大约1nm至大约30nm。
第一电极和第二电极可以分别用作阳极和阴极。然而，反之亦然。
上面描述了根据当前实施例的有机发光装置及其制造方法的实施例。然而，当前实施例不限于在图1至图3中示出的结构，根据实施例的有机发光装置可以具有其它结构。
根据实施例的有机发光装置可以包括在诸如无源矩阵有机发光显示设备或有源矩阵有机发光显示设备的各种类型的平板显示设备中。具体地说，当有机发光装置被包括在含有薄膜晶体管的有源矩阵有机发光显示设备中时，第一电极可以电连接到有源矩阵有机发光显示设备中的薄膜晶体管的源电极或漏电极。
在下文中，将参照下面的示例详细描述一个或多个实施例。这些示例不是旨在限制一个或多个实施例的目的和范围。
示例1
使用Ag在基底上形成面积为2mm×2mm的第一电极。然后，在第一电极上将ITO层沉积为70的厚度。将得到的结构进行超声波清洗并预处理(使用UV-O3或热)。
然后，在预处理的第一电极上将IDE406(Idemitsu Co..(日本东京))真空沉积为650
Figure BSA00000523930300152
的厚度，以形成HIL。在HIL上限定R发射层、G发射层和B发射层之前，通过在HIL的G发射区域和B发射区域上将HTM021(MerckCo.)分别真空沉积为600
Figure BSA00000523930300153
和700
Figure BSA00000523930300154
的厚度来形成辅助层。在HIL和辅助层上将IDE320(Idemitsu Co.)真空沉积为650
Figure BSA00000523930300155
的厚度，以形成HTL。
在HTL的B发射区域上将掺杂有5wt％BD052(Idemitsu Co.)的BH215(Idemitsu Co.)真空沉积为200
Figure BSA00000523930300156
的厚度，以形成B发射层。在HTL的G发射区域上将掺杂有7wt％Ir(PPy)3的TMM004(Merck Co.)真空沉积为200的厚度，以形成G发射层。在HTL的R发射区域上将掺杂有15wt％TER021(Merck Co.)的TMM004(Merck Co.)真空沉积为400
Figure BSA00000523930300161
的厚度，以形成R发射层。在EML上真空沉积Alq3，以形成厚度为300
Figure BSA00000523930300162
的ETL。
在ETL上将重量比为1∶1的镱(Yb)和氟化锂(LiF)沉积为20的厚度，以形成EIL。然后，将Ag真空沉积为200
Figure BSA00000523930300164
的厚度，以形成第二电极。
在第二电极上将IDE406(折射率(n)＝1.8)沉积为600的厚度，以形成覆层。
示例2
在ETL上将重量比为1∶1的Yb和8-羟基喹啉锂(LiQ)沉积为20
Figure BSA00000523930300166
的厚度以形成EIL，并在EIL上将重量比为85∶15的Ag和Yb的金属混合物真空沉积为200
Figure BSA00000523930300167
的厚度以形成第二电极，除此之外，按照与在示例1中的方法相同的方法来制造有机发光装置。
示例3
在EIL上将重量比为85∶15的Ag和Yb的金属混合物真空沉积为200
Figure BSA00000523930300168
的厚度以形成第二电极，并在第二电极上将IDE406(折射率(n)＝1.8)沉积为600
Figure BSA00000523930300169
的厚度以形成覆层，除此之外，按照与在示例1中的方法相同的方法来制造有机发光装置。
对比示例1
在ETL上将8-羟基喹啉锂(LiQ)沉积为10
Figure BSA000005239303001610
的厚度以形成EIL，并在EIL上真空沉积重量比为10∶1的Mg和Ag的金属混合物以形成第二电极，除此之外，按照与在示例1中的方法相同的方法来制造有机发光装置。
对比示例2
在ETL上将8-羟基喹啉锂(LiQ)沉积为10
Figure BSA000005239303001611
的厚度以形成EIL，除此之外，按照与在示例1中的方法相同的方法来制造有机发光装置。
对比示例3
在EIL上将重量比为10∶1的Mg和Ag的金属混合物真空沉积为120
Figure BSA000005239303001612
的厚度以形成第二电极，除此之外，按照与在示例1中的方法相同的方法来制造有机发光装置。
测量在示例1-3和对比示例1-3中制造的每个有机发光装置在50mA/cm2的电流密度下的驱动电压、亮度、发光效率和色坐标。在下面的表1中示出了结果。
表1
Figure BSA00000523930300171
图4和图5是示出在420-480nm的蓝色波长范围内示例1和对比示例1的有机发光装置的电光特性的曲线图。参照图4，示例1和对比示例1的有机发光装置在电子注入和电压方面展现出类似的驱动特性。图5是示例1和对比示例1的有机发光装置的发光效率的曲线图。参照图5，示例1的有机发光装置的发光效率比对比示例1的有机发光装置的发光效率高大约20％或更多。参照表1，与对比示例1-3的有机发光装置相比，示例1-3的有机发光装置具有类似的驱动电压，但展现出更高的发光效率。
图6和图7是示出在500-560nm的绿色波长范围内示例1和对比示例1的有机发光装置的电光特性的曲线图。图6是在绿色波长范围内示例1和对比示例1的有机发光装置的电流密度相对于电压的曲线图。参照图6，与对比示例1的有机发光装置相比，示例1的有机发光装置在同一电压电平下展现出更高的电流密度。参照图7，与发光效率为大约30cd/A的对比示例1的有机发光装置相比，示例1的有机发光装置展现出大约50cd/A或更大的较高的发光效率。综上所述，与对比示例1的有机发光装置的发光效率和驱动电压特性相比，示例1的有机发光装置的发光效率和驱动电压特性在蓝色和绿色波长范围内均更好。
根据实施例的有机发光装置包括电稳定的第二电极，因此具有改善的电子注入特性和透光率。因此，有机发光装置具有改善的驱动电压和效率特性。
虽然已经参照当前实施例的示例性实施例具体地示出并描述了当前实施例，但本领域普通技术人员应当理解，在不脱离由权利要求书限定的当前实施例的精神和范围的情况下，在此可以在形式和细节方面做出各种改变。

Claims (22)

1.一种有机发光装置，所述有机发光装置包括：
基底；
第一电极，设置在所述基底上；
第二电极，设置在所述基底上并包括银；
发射层，位于所述第一电极和所述第二电极之间；
电子注入层，位于所述发射层和所述第二电极之间并包括含碱金属的化合物和第一金属的混合物；以及
覆层，设置在所述第二电极上。
2.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述含碱金属的化合物包括从由LiF、8-羟基喹啉锂、CsF、NaF、8-羟基喹啉钠和Li2O组成的组中选择的至少一种材料。
3.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述第一金属包括从由镱、铽、钬、钐、铕、镨、铈、铝和镁组成的组中选择的至少一种金属。
4.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述含碱金属的化合物与所述第一金属的重量比为1∶9至9∶1。
5.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述含碱金属的化合物包括8-羟基喹啉锂，所述第一金属包括Yb，8-羟基喹啉锂与Yb的重量比为1∶1。
6.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述电子注入层的厚度为0.1nm至30nm。
7.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述第二电极还包括从由铝、铂、镱、钕和镁组成的组中选择的至少一种第二金属，并且基于100重量份的Ag，所述第二金属的量为0.01重量份至20重量份。
8.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述第二电极的厚度为1nm至30nm。
9.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述覆层包括有机材料、无机材料或它们的混合物。
10.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述覆层的折射率为1.2至5.0。
11.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述覆层包括无机材料，所述无机材料包括从由ITO、IZO、SiO2、氮化硅、Y2O3、WO3、MoO3和Al2O3组成的组中选择的至少一种。
12.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述覆层包括有机材料，所述有机材料包括从由三胺衍生物、亚芳基二胺衍生物、三(8-羟基喹啉)铝和4，4’-二咔唑基联苯组成的组中选择的至少一种。
13.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述覆层的厚度为1nm至200nm。
14.根据权利要求1所述的有机发光装置，所述有机发光装置还包括位于所述第一电极和所述发射层之间的空穴注入层、空穴传输层或空穴注入和传输层。
15.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述电子注入层包括重量比为1∶1的8-羟基喹啉锂和Yb的混合物，所述第二电极包括银，所述覆层包括三胺衍生物。
16.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述电子注入层包括重量比为1∶1的8-羟基喹啉锂和Yb的混合物，所述第二电极包括重量比为17∶3的Ag和Yb的混合物，所述覆层包括三胺衍生物。
17.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述电子注入层包括重量比为1∶1的LiF和Yb的混合物，所述第二电极包括银，所述覆层包括三胺衍生物。
18.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中，所述电子注入层包括重量比为1∶1的LiF和Yb的混合物，所述第二电极包括重量比为17∶3的Ag和Yb的混合物，所述覆层包括三胺衍生物。
19.一种底部发射有机发光装置，所述底部发射有机发光装置包括：
基底；
第一电极，设置在所述基底上；
第二电极，设置在所述基底上并包括银；
发射层，位于所述第一电极和所述第二电极之间；
电子注入层，位于所述发射层和所述第二电极之间并包括含碱金属的化合物和第一金属的混合物；以及
覆层，设置在所述第二电极的背对所述发射层的表面上。
20.根据权利要求19所述的底部发射有机发光装置，其中，所述第二电极的厚度为1nm至200nm。
21.一种制造有机发光装置的方法，所述方法包括：
准备基底；
在所述基底上形成第一电极；
在所述第一电极上形成空穴注入和传输层；
在所述空穴注入和传输层上形成发射层；
在所述发射层上形成电子注入层，所述电子注入层包括含碱金属的化合物和第一金属的混合物；
在所述电子注入层上形成包括银的第二电极；以及
在所述第二电极上形成覆层。
22.根据权利要求21所述的方法，其中，形成所述电子注入层的步骤包括：在所述发射层上共沉积所述含碱金属的化合物和所述第一金属；或在所述发射层上沉积所述含碱金属的化合物和所述第一金属的所述混合物，其中，通过热沉积、真空沉积、化学气相沉积、溅射、旋涂或旋铸执行所述沉积。
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Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103022377A (zh) * 2012-12-06 2013-04-03 昆山维信诺显示技术有限公司 一种oled器件
CN103681738A (zh) * 2012-08-31 2014-03-26 乐金显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
CN103730581A (zh) * 2012-10-15 2014-04-16 乐金显示有限公司 有机发光装置和使用其的有机发光显示装置
CN103855311A (zh) * 2012-11-30 2014-06-11 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光装置及其制备方法
CN104659053A (zh) * 2013-11-19 2015-05-27 三星显示有限公司 有机发光显示设备
CN106129266A (zh) * 2015-05-06 2016-11-16 三星显示有限公司 有机发光二极管显示器
CN103681738B (zh) * 2012-08-31 2016-11-30 乐金显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
CN106298848A (zh) * 2015-06-25 2017-01-04 三星显示有限公司 有机发光二极管显示器
CN110707241A (zh) * 2019-10-18 2020-01-17 昆山国显光电有限公司 一种有机发光器件和显示面板
US10566577B2 (en) 2016-12-30 2020-02-18 Shanghai Tianma AM-OLED Co., Ltd. Organic light emitting display device and organic light emitting display apparatus
US10693102B2 (en) 2017-09-15 2020-06-23 Industrial Technology Research Institute Light emitting device and transparent electrode thereof, and transparent light emitting device having a light-transmitting area and a light-opaque area
CN112470300A (zh) * 2018-07-23 2021-03-09 三星显示有限公司 有机发光装置
CN113241413A (zh) * 2015-02-24 2021-08-10 三星显示有限公司 有机发光装置
CN113493474A (zh) * 2020-04-03 2021-10-12 三星显示有限公司 缩合环化合物以及包括其的有机发光元件

Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101213498B1 (ko) * 2010-10-25 2012-12-20 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 장치
JPWO2012140863A1 (ja) * 2011-04-13 2014-07-28 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
EP2781347B1 (en) * 2011-11-17 2019-11-20 Konica Minolta, Inc. Transparent electrode and electronic device
US10374187B2 (en) 2012-05-22 2019-08-06 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting device and method of producing the same
KR101671343B1 (ko) 2012-05-22 2016-11-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 그 제조방법
JP6449766B2 (ja) * 2012-07-02 2019-01-09 ヘリアテク ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＨｅｌｉａｔｅｋ Ｇｍｂｈ 光電子デバイス用透明電極
KR101918712B1 (ko) * 2012-08-02 2018-11-15 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 장치
JP6076015B2 (ja) * 2012-09-27 2017-02-08 株式会社カネカ 有機ｅｌ発光システム
KR101900287B1 (ko) 2012-12-11 2018-09-19 덕산네오룩스 주식회사 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
KR102046157B1 (ko) * 2012-12-21 2019-12-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101970491B1 (ko) * 2012-12-28 2019-04-19 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치
KR102045374B1 (ko) * 2013-07-31 2019-12-02 엘지디스플레이 주식회사 상부 발광형 유기 발광 소자 및 그의 제조방법
KR102111563B1 (ko) 2013-10-29 2020-05-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
KR20150060058A (ko) * 2013-11-25 2015-06-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 장치
KR20150125889A (ko) 2014-04-30 2015-11-10 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
US11211575B2 (en) 2014-08-21 2021-12-28 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode
US10236464B2 (en) 2014-08-21 2019-03-19 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode
KR101668030B1 (ko) 2014-08-21 2016-10-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
US10003041B2 (en) 2014-08-21 2018-06-19 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode and organic light emitting display device including the same
KR102343279B1 (ko) * 2014-10-01 2021-12-24 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR101620092B1 (ko) 2014-11-06 2016-05-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 그 제조방법
CN105679945B (zh) * 2014-11-18 2017-12-26 上海和辉光电有限公司 蓝光有机电致发光器件及包含该器件的显示器
KR102277378B1 (ko) 2015-01-19 2021-07-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR102331598B1 (ko) 2015-03-23 2021-11-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR102495112B1 (ko) 2015-03-26 2023-02-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102447308B1 (ko) 2015-05-28 2022-09-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102318385B1 (ko) * 2015-08-13 2021-10-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102545675B1 (ko) 2016-05-11 2023-06-20 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR102631878B1 (ko) * 2016-06-28 2024-01-30 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
US20180013100A1 (en) 2016-07-06 2018-01-11 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display device
US11107998B2 (en) * 2016-08-25 2021-08-31 Konica Minolta, Inc. Transparent electrode and electronic device
KR102534578B1 (ko) 2016-10-31 2023-05-19 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 발광 표시 장치
KR102633055B1 (ko) * 2016-11-30 2024-02-01 엘지디스플레이 주식회사 백색 유기 발광 다이오드 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
JP2018170129A (ja) * 2017-03-29 2018-11-01 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置、及び表示装置の製造方法
JP6983391B2 (ja) * 2017-04-06 2021-12-17 株式会社Joled 有機ｅｌ素子、有機ｅｌ表示パネル、および、有機ｅｌ表示パネルの製造方法
KR102404572B1 (ko) 2017-08-04 2022-06-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP6855362B2 (ja) * 2017-10-27 2021-04-07 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機電界発光素子、有機電界発光装置および電子機器
JP6789275B2 (ja) 2018-10-31 2020-11-25 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ素子及び有機ｅｌ素子の製造方法、並びに有機ｅｌパネル、有機ｅｌ表示装置、電子機器
TWI754181B (zh) * 2019-01-11 2022-02-01 財團法人工業技術研究院 發光裝置及其電極
CN111435695B (zh) 2019-01-11 2021-09-14 财团法人工业技术研究院 发光装置及其电极
KR20200094548A (ko) 2019-01-30 2020-08-07 주성엔지니어링(주) 유기 발광 장치 및 이의 제조 방법
KR20200100901A (ko) * 2019-02-18 2020-08-27 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
JP7424830B2 (ja) * 2019-12-27 2024-01-30 ＪＤＩ Ｄｅｓｉｇｎ ａｎｄ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ 合同会社 有機ｅｌ素子、有機ｅｌ表示パネルおよび有機ｅｌ素子の製造方法
CN112234148B (zh) * 2020-09-08 2024-07-19 京东方科技集团股份有限公司 发光二极管、显示面板、显示装置和发光装置
KR20220097638A (ko) * 2020-12-30 2022-07-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 유기 전계 발광 소자용 다환 화합물
CN117858868A (zh) * 2021-08-20 2024-04-09 株式会社半导体能源研究所 保护层用有机金属化合物、保护层、有机半导体层的加工方法以及有机半导体器件的制造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000215983A (ja) * 1999-01-21 2000-08-04 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
CN1753589A (zh) * 2004-09-23 2006-03-29 三星Sdi株式会社 有机发光显示器及其制造方法
KR20080102576A (ko) * 2007-05-21 2008-11-26 삼성전자주식회사 유기 발광 표시 장치

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11102786A (ja) 1997-09-29 1999-04-13 Minolta Co Ltd 有機エレクトロルミネセンス素子
KR20010109321A (ko) 1999-03-24 2001-12-08 추후보정 유기 전광 소자
US7151339B2 (en) * 2004-01-30 2006-12-19 Universal Display Corporation OLED efficiency by utilization of different doping concentrations within the device emissive layer
CN1960957A (zh) * 2004-05-27 2007-05-09 出光兴产株式会社 不对称芘衍生物以及使用该衍生物的有机电致发光器件
JP2006012428A (ja) * 2004-06-22 2006-01-12 Hitachi Metals Ltd 有機ｅｌ用電極
KR100721562B1 (ko) 2004-12-03 2007-05-23 삼성에스디아이 주식회사 마그네슘-칼슘 막인 캐소드를 구비하는 유기전계발광소자및 그의 제조방법
US7304428B2 (en) 2004-12-14 2007-12-04 Eastman Kodak Company Multilayered cathode structures having silver for OLED devices
KR100766947B1 (ko) * 2006-07-05 2007-10-12 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 구비한 유기 발광 표시 장치
TWI338533B (en) * 2006-09-18 2011-03-01 Au Optronics Corp White organic electroluminescent elements and display using the same
JP4981414B2 (ja) 2006-11-07 2012-07-18 積水化学工業株式会社 液晶表示素子用シール剤、上下導通材料、及び、液晶表示素子
KR100864882B1 (ko) 2006-12-28 2008-10-22 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
JP2009054710A (ja) 2007-08-24 2009-03-12 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置
KR101434363B1 (ko) 2007-11-07 2014-08-26 삼성디스플레이 주식회사 백색 유기발광소자
JP2010056211A (ja) * 2008-08-27 2010-03-11 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置およびその製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000215983A (ja) * 1999-01-21 2000-08-04 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
CN1753589A (zh) * 2004-09-23 2006-03-29 三星Sdi株式会社 有机发光显示器及其制造方法
KR20080102576A (ko) * 2007-05-21 2008-11-26 삼성전자주식회사 유기 발광 표시 장치

Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103681738A (zh) * 2012-08-31 2014-03-26 乐金显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
CN103681738B (zh) * 2012-08-31 2016-11-30 乐金显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
CN103730581A (zh) * 2012-10-15 2014-04-16 乐金显示有限公司 有机发光装置和使用其的有机发光显示装置
CN103730581B (zh) * 2012-10-15 2016-05-18 乐金显示有限公司 有机发光装置和使用其的有机发光显示装置
CN103855311A (zh) * 2012-11-30 2014-06-11 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光装置及其制备方法
CN103022377B (zh) * 2012-12-06 2015-12-23 昆山维信诺显示技术有限公司 一种oled器件
CN103022377A (zh) * 2012-12-06 2013-04-03 昆山维信诺显示技术有限公司 一种oled器件
CN104659053B (zh) * 2013-11-19 2019-05-10 三星显示有限公司 有机发光显示设备
CN104659053A (zh) * 2013-11-19 2015-05-27 三星显示有限公司 有机发光显示设备
CN113241413A (zh) * 2015-02-24 2021-08-10 三星显示有限公司 有机发光装置
US10403851B2 (en) 2015-05-06 2019-09-03 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display
CN106129266A (zh) * 2015-05-06 2016-11-16 三星显示有限公司 有机发光二极管显示器
US11264591B2 (en) 2015-05-06 2022-03-01 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display
CN106129266B (zh) * 2015-05-06 2020-03-03 三星显示有限公司 有机发光二极管显示器
CN106298848A (zh) * 2015-06-25 2017-01-04 三星显示有限公司 有机发光二极管显示器
US10361400B2 (en) 2015-06-25 2019-07-23 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display
US11177461B2 (en) 2015-06-25 2021-11-16 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display
US10566577B2 (en) 2016-12-30 2020-02-18 Shanghai Tianma AM-OLED Co., Ltd. Organic light emitting display device and organic light emitting display apparatus
US10693102B2 (en) 2017-09-15 2020-06-23 Industrial Technology Research Institute Light emitting device and transparent electrode thereof, and transparent light emitting device having a light-transmitting area and a light-opaque area
CN112470300A (zh) * 2018-07-23 2021-03-09 三星显示有限公司 有机发光装置
US11985839B2 (en) 2018-07-23 2024-05-14 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting device
CN112470300B (zh) * 2018-07-23 2024-06-14 三星显示有限公司 有机发光装置
WO2021073154A1 (zh) * 2019-10-18 2021-04-22 昆山国显光电有限公司 一种有机发光器件和显示面板
CN110707241A (zh) * 2019-10-18 2020-01-17 昆山国显光电有限公司 一种有机发光器件和显示面板
CN113493474A (zh) * 2020-04-03 2021-10-12 三星显示有限公司 缩合环化合物以及包括其的有机发光元件

Also Published As

Publication number Publication date
JP2012004116A (ja) 2012-01-05
TWI464930B (zh) 2014-12-11
US20110309739A1 (en) 2011-12-22
CN102290531B (zh) 2014-08-20
JP5328845B2 (ja) 2013-10-30
TW201212326A (en) 2012-03-16
KR101182447B1 (ko) 2012-09-12
US8415874B2 (en) 2013-04-09
KR20110137087A (ko) 2011-12-22

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