KR101381695B1 - 다층 반사방지막의 제조방법 - Google Patents

다층 반사방지막의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 다층구조를 갖는 반사방지막의 제조방법에 관한 것으로서, 구체적으로 본 발명에 따라 이온교환법으로 금속산화물을 이온화시켜 제조한 금속산화물 이온 용액을 사용하여 용액공정을 통해 고굴절률층을 형성하는 단계를 포함하는 다층 반사방지막의 제조방법은 진공 증착방식과 같이 고가의 장비나 장시간을 요구하지 않아 경제성 및 생산성이 높으면서도 기존 용액공정에서와 달리 증착방식에서나 구현될 수 있었던 우수한 박막 균일성, 투과율 및 반사방지 성능을 나타내는 다층 반사방지막의 제조를 가능하게 하므로, 고성능 반사방지막을 필요로 하는 광범위한 분야에서 경제적인 대량생산 공정 개발에 유용하게 활용될 수 있다.

Description

다층 반사방지막의 제조방법{Method for preparing multilayer anti-reflective coating}
본 발명은 다층구조를 갖는 반사방지막의 제조방법에 관한 것으로서, 구체적으로 이온교환법으로 제조된 금속산화물 이온 용액을 사용하여 용액공정을 통해 고굴절률층을 적층시키는 공정을 포함하여 가격 경쟁력이 향상되고 단시간 내 고생산성을 나타내는 다층 반사방지막의 제조방법에 관한 것이다.
반사방지막(anti-reflective coating)은 반사율을 최소화하여 광 투과율을 높이기 위해 광학 소재 등에 적용되는 얇은 박막을 의미한다. 이러한 반사방지막은 주로 저반사, 고투과율이 요구되는 유리(glass), 필터(filter), 렌즈(lens) 등을 비롯하여, 최근 관심이 높아지고 있는 유기발광다이오드(OLED) 등의 디스플레이 또는 태양전지 등에도 광범위하게 사용되고 있다.
따라서, 반사방지막을 효과적으로 제조하는 방법에 대한 여러 연구가 이루어 지고 있으며, 특히 고굴절률을 나타내는 물질(이하, "고굴절률성 물질")과 저굴절률을 나타내는 물질(이하, "저굴절률성 물질")을 교대로 적층시켜 우수한 반사방지 효과를 나타낼 수 있도록 하는 다층(multilayer) 구조의 반사방지막에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다. 지금까지의 연구들을 살펴보면, 다층 반사방지막에서 고굴절률성 물질로 사용되는 금속산화물을 적층하는 공정으로는 주로 플라즈마, 스퍼터링과 같은 증착공정이 사용되었으나(대한민국 특허공개 제2012-0041238호, 제2011-0018069호 및 제2012-0028505호), 이러한 증착공정은 진공상태에서 대상물질을 기화시켜 수행되므로 적층면의 질이 우수한 반면, 고가의 장비 및 장시간의 진공공정으로 인해 대면적 기판에 적용하기가 곤란할 뿐 아니라 생산성이 낮고 경제적 효율성이 떨어지는 단점이 있었다.
따라서 이러한 증착공정의 한계점을 극복하기 위해 여러 가지 대안이 제시되고 있으며, 미국 특허공개 제2008/0268229호 및 대한민국 특허공개 제2012-0052367호 등에서는 금속산화물을 극성용매에 분산시키는 졸-겔법(sol-gel) 등의 용액공정을 통해 기판상에 적층하는 방법이 개시되어 있다. 그러나, 이러한 용액공정은 용액 내 분산된 입자들의 균일성에 따라 적층면의 질이 저하되거나 박막의 두께가 늘어날 수 있어 다층 반사방지막에 적용되는 경우 면저항을 높이고 투명도를 떨어뜨릴 수 있다. 따라서, 용액 내 나노 크기의 금속산화물 입자를 균일하게 분산시킬 수 있는 합성법에 대한 개발이 시급한 실정이다.
대한민국 특허공개 제2012-0041238호 대한민국 특허공개 제2011-0018069호 대한민국 특허공개 제2012-0028505호 미국 특허공개 제2008/0268229호 대한민국 특허공개 제2012-0052367호
이에 본 발명자들은 용액공정을 이용하여 증착공정에서와 같은 우수한 박막 균일성 및 투명도를 실현시키면서도 제조원가를 낮추어 경제성 및 생산성이 높은 다층 반사방지막 제조방법을 개발하기 위해 예의 연구한 결과, 이온교환법으로 금속산화물 이온 용액을 제조한 후 이를 사용하여 용액공정을 통해 고굴절률층을 적층하는 공정을 포함하는 다층 반사방지막의 제조방법이 우수한 박막 균일성 및 투명도를 구현하면서도 경제성 및 생산성을 향상시킬 수 있음을 확인하여 본 발명을 완성하였다.
따라서, 본 발명의 목적은 용액공정을 이용하여 투명도 등이 우수한 적층면을 구현할 뿐 아니라 경제성 및 생산성을 향상시킬 수 있는 다층 반사방지막의 제조방법을 제공하는 것이다.
상기 목적에 따라, 본 발명은
1) 금속산화물염을 탈이온수에 녹인 수용액을 이온교환수지로 채운 분리관에 통과시켜 금속산화물 이온 용액을 수득하는 단계;
2) 상기 단계 1)에서 수득한 금속산화물 이온 용액을 기판에 도포한 후 열처리하여 고굴절률층을 형성하는 단계; 및
3) 저굴절률성 물질을 용매에 분산시킨 용액을 도포한 후 열처리하여 저굴절률층을 형성하는 단계를 포함하는, 다층 반사방지막의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 단계 1)의 금속산화물염은 ZnO, TiO2, WO3, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), FTO(F-doped tin oxide) 및 Nb2O5을 포함하는 군으로부터 하나 이상 선택된 금속산화물의 염일 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 단계 1)을 수행 후 0 내지 3 시간 이내에 단계 2)를 수행할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 단계 2)에서 사용되는 기판은 유리, PET 또는 PEN 기판일 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 단계 2)의 금속산화물 이온 용액은 이소프로판올을 추가로 첨가한 것일 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 단계 2) 및 3)의 도포 공정은 스핀 코팅(spin coating), 롤링(rolling), 롤투롤(roll to roll), 딥코팅(deep coating) 또는 잉크젯(ink jet)의 방법으로 수행될 수 있으며, 단계 2) 및 3)의 열처리는 150 내지 300℃에서 15 내지 45분 동안 수행될 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 단계 3)의 저굴절률성 물질은 SiO2일 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 단계 2) 및 3)의 공정은 교대로 1회 이상 반복 수행될 수 있다.
본 발명에 따라 이온교환법으로 금속산화물을 이온화시켜 제조한 금속산화물 이온 용액을 사용하여 용액공정을 통해 고굴절률층을 형성하는 단계를 포함하는 다층 반사방지막의 제조방법은 진공 증착방식과 같이 고가의 장비나 장시간을 요구하지 않아 경제성 및 생산성이 높으면서도 기존 용액공정에서와는 달리 박막의 미세입자 균일성을 구현하여 증착방식에서와 같이 우수한 투과율 및 반사방지 성능을 나타내는 다층 반사방지막의 제조를 가능하게 하므로, 고성능 반사방지막을 필요로 하는 광범위한 분야에서 경제적이고 효율적인 대량생산 공정 개발에 유용하게 활용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따라 이온교환법으로 제조된 텅스텐산 이온 용액을 사용하여 용액공정을 통해 WO3 고굴절률층을 형성하는 방법을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따라 형성된 WO3 고굴절률층의 FESEM 분석(a) 및 X-선 회절분석(b) 결과이다.
도 3은 기존 용액공정에 따라 통상적인 졸-겔법 등으로 제조한 WO3ㆍH2O 용액을 사용하여 형성된 WO3 고굴절률층의 FESEM 분석 결과(a) 및 본 발명의 일실시예에 따라 형성된 WO3 고굴절률층의 TEM 분석 결과(b) 사진이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따라 형성된 고굴절률층의 AFM 결과 사진이다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따라 형성된 고굴절률층의 굴절률 측정 결과이다.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따라 제조된 다층 반사방지막으로 코팅된 유리기판(왼쪽) 및 미처리 유리기판(오른쪽)을 문자 "KAIST"가 인쇄되어 있는 종이 위에 올려 투과율(a) 및 반사방지 성능(b)을 확인한 사진이다.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따라 제조된 다층 반사방지막으로 코팅된 유리기판 및 미처리 유리기판의 반사율을 측정한 자외선/가시광선/근적외선 분광분석 결과이다.
이하, 본 발명을 단계별로 상세히 설명한다.
본 발명은
1) 금속산화물염을 탈이온수에 녹인 수용액을 이온교환수지로 채운 분리관에 통과시켜 금속산화물 이온 용액을 수득하는 단계;
2) 상기 단계 1)에서 수득한 금속산화물 이온 용액을 기판에 도포한 후 열처리하여 고굴절률층을 형성하는 단계; 및
3) 저굴절률성 물질을 용매에 분산시킨 용액을 도포한 후 열처리하여 저굴절률층을 형성하는 단계를 포함하는, 다층 반사방지막의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 단계 1)에서 사용되는 금속산화물염으로는 반사방지막에 통상적으로 사용되는 고굴절률을 나타내는 금속산화물의 염이라면 어느 것이든 사용할 수 있으며, 예를 들면 ZnO, TiO2, WO3, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), FTO(F-doped tin oxide) 및 Nb2O5을 포함하는 군으로부터 하나 이상 선택된 금속산화물의 염을 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 단계 1)에서 수득한 금속산화물 이온 용액에서는 금속산화물 이온이 불안정한 특성으로 인해 수소 이온(H+)과의 결합반응이 일어나 겔(gel)화가 진행될 수 있다. 따라서, 시간이 지날수록 금속산화물 이온 용액의 겔화로 인해 이후 용액공정을 통해 반사방지막에 적용되었을 때 투명도 등을 저하시킬 수 있으므로, 단계 1)을 수행하여 금속산화물 이온 용액을 제조한 후 0 내지 3 시간 내로, 바람직하게는 수득한 즉시 단계 2)의 용액공정을 수행하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 단계 2)에서 사용되는 기판은 유리, PET 또는 PEN 기판일 수 있으며, 친수성을 증대시키기 위해 오존 등을 처리한 것을 사용할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 단계 2)의 금속산화물 이온 용액은 기판과의 접촉각을 줄여 코팅 품질을 향상시키기 위해, 기판 상에 도포되기 전에 이소프로판올을 추가로 첨가한 것일 수 있다.
또한 상기 단계 2) 및 3)의 용액공정에서의 도포 공정은 스핀 코팅(spin coating), 롤링(rolling), 롤투롤(roll to roll), 딥코팅(deep coating) 또는 잉크젯(ink jet) 등의 통상적인 프린팅 기법을 사용하여 수행될 수 있으며, 단계 2) 및 3)의 열처리는 통상적인 방법에 따라 150 내지 300℃에서 15 내지 45분 동안 수행될 수 있다.
상기 단계 3)에서 사용되는 저굴절률성 물질로는 반사방지막에 통상적으로 사용되는 저굴절률성 물질이라면 어느 것이나 사용될 수 있으며, 예를 들면 SiO2 등을 사용할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 단계 2) 및 3)의 공정은 교대로 1회 이상 반복 수행될 수 있으며, 1 회 내지 3 회 수행하는 것이 바람직하나 이에 제한되는 것은 아니다. 또한, 단계 2) 및 3)을 수행 후, 추가로 단계 2)만 수행하여 3층 막을 형성할 수 있으며, 추가로 수행되는 단계 2) 및 3)의 각각의 반복 횟수를 반사방지의 목적 및 대상에 따라 적절히 조절하여 2층 이상의 다층막(multilayer)을 형성할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따르면, 이온교환법으로 제조된 텅스텐산 이온 용액을 사용하여 용액공정을 통해 유리 기판 상에 형성된 WO3 고굴절률층은 전계방출 주사전자현미경 분석(field emission scanning electron microscopy, FESEM) 및 X-선 회절 분석(X-ray diffraction) 결과 10 nm 이하의 WO3 나노입자들이 균일하게 밀집하여 박막을 형성하고 있음을 확인하였으며, 이는 기존 용액공정에 따라 WO3 나노입자를 통상적인 졸-겔법 등으로 물에 분산시켜 제조한 WO3ㆍH2O 용액을 유리 기판 상에 도포하고 열처리하여 형성시킨 고굴절률층이 200 nm 내지 1 ㎛ 입자크기의 거친 WO3 박막을 형성하는 것과 비교하여 현저히 우수한 효과임을 알 수 있었다.
또한, 본 발명의 일실시예에 따라 형성된 WO3 고굴절률층은 원자력현미경 분석(atomic force microscope, AFM) 및 굴절률 측정 결과, 표면거칠기(root mean square surface roughness)가 0.457 nm로 매우 작아 균일하고 고른 평탄면인 것을 확인하였을 뿐 아니라, 증착공정으로 제작한 WO3 박막에서와 같이 가시광선 영역에서 2.0 보다 높은 우수한 고굴절률(n) 특성을 나타내므로 다층반사방지막의 고굴절률층으로 매우 적합한 것을 확인하였다.
또한, 본 발명의 일실시예에 따라 유리기판 상에 제조된 다층 반사방지막은 아무것도 처리하지 않은 유리기판과 비교하여 현저히 우수한 투과율 및 반사방지 효과를 나타내는 것을 확인하였으며, 특히 미처리 유리기판과 비교하여 가시광선 파장 영역에서의 반사율을 효과적으로 낮추는 것을 확인하였다.
따라서, 본 발명에 따라 이온교환법으로 금속산화물을 이온화시켜 제조한 금속산화물 이온 용액을 사용하여 용액공정을 통해 고굴절률층을 형성하는 단계를 포함하는 다층 반사방지막의 제조방법은 진공 증착방식과 같이 고가의 장비나 장시간을 요구하지 않아 경제성 및 생산성이 높으면서도 기존 용액공정에서와 달리 증착방식에서나 구현될 수 있었던 우수한 박막 균일성, 투과율 및 반사방지 성능을 나타내는 다층 반사방지막의 제조를 가능하게 하므로, 고성능 반사방지막을 필요로 하는 광범위한 분야에서 경제적인 대량생산 공정 개발에 유용하게 활용될 수 있다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하고자 한다. 이들 실시예는 오로지 본 발명을 예시하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 이들 실시예에 의해 제한되는 것으로 해석되지 않는 것은 당 업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 자명할 것이다.
실시예 : 용액공정을 통한 다층 반사방지막의 제조
단계 1) 이온교환법을 통한 금속산화물 이온 용액의 제조
본 발명의 일실시예에 따라 고굴절률성 물질로 WO3를 사용하기 위해, 도 1에서와 같이 이온교환법을 이용하여 금속산화물 이온 용액을 제조하였다.
Na2WO4 0.297 g을 탈이온수 6 g에 녹인 수용액(0.15 M)을 양이온 교환 수지(TRILRTE SCR-BH)로 채운 유리 분리관(glass column)에 천천히 적용하여 통과시켜 투명한 노란색의 텅스텐산 용액을 수득하였다. 이때, 양이온 교환 수지는 무거운 양이온은 흡수하고 가벼운 이온은 방출하는 특성이 있으므로, 상기 적용을 통해 Na2WO4 수용액이 양이온 교환 수지를 지나면서 무거운 Na+ 이온은 흡수되어 제거되고 WO4 2 - 이온과 H+ 이온만이 유리 분리관을 통과하여 WO4 2 - 이온 및 H+ 이온만을 함유하는 텅스텐산(tungstic acid) 이온 용액(0.15 M)을 수득하게 된다.
수득한 텅스텐산 이온 용액에서는 WO4 2 - 이온이 산성에서 불안정한 특성으로 인해 하기 반응식에서와 같이 텅스텐산 이온(WO4 2 -)과 수소 이온(H+)과의 결합반응이 일어나 안정화된 WO3ㆍH2O를 형성하여 겔(gel)화가 진행될 수 있다.
<반응식>
n WO4 2 - + 2n H+ → (WO3)nㆍx H2O + (n-x) H2O
따라서, 시간이 지날수록 금속산화물 이온 용액의 겔화로 인해 용액공정을 통해 반사방지막에 적용되는 경우 투명도 등을 저하시킬 수 있으므로, 수득한 용액을 0 내지 3 시간 내로, 바람직하게는 수득한 즉시 용액공정에 사용하는 것이 바람직하다.
단계 2) 고굴절률층 형성
유리 기판(2.5×2.5 cm2)은 표면 친수성을 증대시키기 위해 오존처리한 것을 사용하였다. 상기 단계 1)에서 수득한 0.15 M의 텅스텐산 이온 용액에 기판과의 접촉각을 줄여 코팅 품질을 향상시키기 위해 이소프로필 알코올(isopropyl alcohol, IPA)을 30 중량%로 혼합시킨 후, 이를 스핀코터를 통해 상기 유리 기판 표면에 도포하고 200℃에서 30분 동안 열처리하여 WO3 고굴절률층을 형성하였다.
단계 3) 저굴절률층 형성
시판중인 SiO2 나노입자 분산 용액(SiO2 sol-gel solution SiO2 - 112233(50 ml/btl), Inostek 사)을 상기 단계 2)에서와 같이 스핀코터를 통해 상기 단계 2)에서 형성된 고굴절률층 상에 도포하고 200℃에서 30분 동안 열처리하여 SiO2 저굴절률층을 형성하였다.
시험예 1: 전계방출 주사전자현미경 분석 및 X-선 회절 분석
상기 실시예의 단계 2)에서 기판 상에 형성된 WO3 고굴절률층을 전계방출 주사전자현미경(field emission scanning electron microscopy, FESEM) 및 X-선 회절 분석기(X-ray diffractometer, RIGAKU D/MAX-2500)를 이용하여 분석하였다.
그 결과, 도 2의 a에 나타낸 고굴절률층의 FESEM 분석 사진으로부터 10 nm 이하의 WO3 나노입자들이 균일하게 밀집하여 박막을 형성하고 있음을 확인하였으며, 도 2의 b에 나타낸 X-선 회절분석(X-ray diffraction, XRD) 결과로부터 WO3 나노입자의 패턴이 WO3 단결정과 거의 일치하는 것을 확인하였다.
이로써, 본 발명에 따라 이온교환법을 통해 수득한 금속산화물 이온 용액을 사용하여 용액공정을 통해 형성된 고굴절률층은 미세한 단결정형태의 금속산화물 나노입자가 균일하게 밀집되어 형성된 것을 알 수 있다.
시험예 2: 고굴절률층 형성 비교 시험
본 발명의 일실시예에 따라 상기 실시예의 단계 2)에서 형성된 WO3 고굴절률층 및 기존 용액공정에 따라 WO3 나노입자를 통상적인 졸-겔법 등으로 물에 분산시켜 제조한 WO3ㆍH2O 용액을 유리 기판 상에 도포하고 열처리하여 형성시킨 WO3 고굴절률층의 적층면을 대상으로 FESEM 분석 또는 투과전자현미경(transmission electron microscope, TEM) 분석을 수행하여 비교하였다.
그 결과, 도 3의 a에서 볼 수 있는 바와 같이, 기존 방법에 의해 형성된 고굴절률층의 경우 WO3 입자의 크기가 200 nm 내지 1 ㎛로 다양하고, 그 형태가 얇은 판상으로서 일부는 박막의 수직방향으로 배열되어 표면이 매우 거칠게 형성되는 것을 확인하였다. 이에 반해, 본 발명에 따라 상기 실시예의 단계 2)에서 형성된 고굴절률층의 경우 금속산화물이 이온상태에서 열처리되어 제조되었으므로 도 3의 b에서와 같이 2 nm의 미세한 WO3 나노입자가 균일하게 배열된 것을 확인하였다.
따라서, 본 발명에 따라 이온상태의 금속산화물을 이용하여 용액공정을 통해 고굴절률층을 형성하는 단계를 포함하는 다층 반사방지막의 제조방법은 균일한 크기의 미세 금속산화물 나노입자 막을 구현할 수 있으므로, 고경제성 및 고생산성을 갖는 용액 공정을 이용하여 진공증착 기술에서와 같이 투명도 등이 우수한 10~100 nm 두께의 다층 반사방지 박막을 제조할 수 있음을 알 수 있다.
시험예 3: 원자력현미경 분석 및 굴절률 측정
상기 실시예에서와 동일한 방법으로 기판 상에 형성시킨 1 ㎛ ×1 ㎛ 크기의 WO3 고굴절률층을 대상으로 원자력현미경 분석(atomic force microscope, AFM) 및 굴절률 측정을 수행하였다.
그 결과, 도 4에서 볼 수 있는 바와 같이, 본 발명에 따라 형성된 고굴절률층의 표면거칠기(root mean square surface roughness)는 0.457 nm로 매우 작아 균일하고 고른 평탄면을 형성한 것을 확인하였으며, 또한 도 5에서 볼 수 있는 바와 같이, 본 발명에 따라 형성된 WO3 고굴절률층은 증착공정에 의한 WO3 박막에서와 같이 가시광선 영역에서 2.0 보다 높은 우수한 고굴절률(n) 특성을 나타내므로 다층반사방지막의 고굴절률층으로 매우 적합한 것을 확인하였다.
시험예 4: 본 발명에 따른 다층 반사방지막의 투과율 및 반사율 분석
상기 실시예에서 다층 반사방지막으로 코팅된 유리기판과 비교를 위해 반사방지막 코팅을 처리하지 않은 유리기판을 "KAIST" 문자가 인쇄된 종이 위에 올려놓고 투과율 및 반사방지 성능을 육안으로 관찰하였으며, 이들 유리기판들을 대상으로 자외선/가시광선/근적외선 분광분석(UV/Vis/NIR spectroscope)을 수행하여 반사율을 측정하였다.
그 결과, 도 6의 a 및 b에 나타낸 바와 같이, 본 발명에 따라 제조된 다층 반사방지막을 코팅시킨 유리기판은 미처리 유리기판과 비교하여 우수한 투과율(투명도)을 나타낼 뿐 아니라 비스듬한 각도에서도 효과적으로 반사를 방지하는 것을 확인하였다. 또한, 도 7에 나타낸 바와 같이, 본 발명에 따라 제조된 다층 반사방지막은 미처리 유리기판과 비교하여 가시광선 파장 영역에서 유리기판의 반사율을 현저하게 낮추는 것을 확인하였다.
따라서, 본 발명에 따라 이온교환법으로 금속산화물을 이온화시켜 제조한 금속산화물 이온 용액을 사용하여 용액공정을 통해 고굴절률층을 형성하는 단계를 포함하는 다층 반사방지막의 제조방법은 진공 증착방식과 같이 고가의 장비나 장시간을 요구하지 않아 경제성 및 생산성이 높으면서도 기존 용액공정에서와 달리 증착방식에서나 구현될 수 있었던 우수한 박막 균일성, 투과율 및 반사방지 성능을 나타내는 다층 반사방지막의 제조를 가능하게 하므로, 고성능 반사방지막을 필요로 하는 광범위한 분야에서 경제적인 대량생산 공정 개발에 유용하게 활용될 수 있다.
이제까지 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시예들을 중심으로 살펴보았다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 개시된 실시예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (8)

1) 금속산화물염을 탈이온수에 녹인 수용액을 이온교환수지로 채운 분리관에 통과시켜 금속산화물 이온 용액을 수득하는 단계;
2) 상기 단계 1)에서 수득한 금속산화물 이온 용액을 기판에 도포한 후 열처리하여 기판보다 굴절률이 높은 고굴절률층을 형성하는 단계; 및
3) 기판보다 굴절률이 낮은 저굴절률성 물질을 용매에 분산시킨 용액을 도포한 후 열처리하여 기판보다 굴절률이 낮은 저굴절률층을 형성하는 단계를 포함하되,
상기 단계 1)의 수행 후 0 내지 3시간 이내에 단계 2)를 수행하는 것을 특징으로 하는 다층 반사방지막의 제조방법.
제 1 항에 있어서,
상기 단계 1)의 금속산화물염은 ZnO, TiO2, WO3, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), FTO(F-doped tin oxide) 및 Nb2O5을 포함하는 군으로부터 하나 이상 선택된 금속산화물의 염인 것을 특징으로 하는 다층 반사방지막의 제조방법.
삭제
제 1 항에 있어서,
상기 단계 2)의 금속산화물 이온 용액은 이소프로판올을 추가로 첨가한 것임을 특징으로 하는 다층 반사방지막의 제조방법.
제 1 항에 있어서,
상기 단계 2) 및 3)의 도포 공정은 스핀 코팅(spin coating), 롤링(rolling), 롤투롤(roll to roll), 딥코팅(deep coating) 또는 잉크젯(ink jet)의 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 다층 반사방지막의 제조방법.
제 1 항에 있어서,
상기 단계 2) 및 3)의 열처리는 150 내지 300℃에서 15 내지 45분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 다층 반사방지막의 제조방법.
제 1 항에 있어서,
상기 단계 3)의 기판보다 굴절률이 낮은 저굴절률성 물질은 SiO2인 것을 특징으로 하는 다층 반사방지막의 제조방법.
제 1 항에 있어서,
상기 단계 2) 및 3)의 공정은 교대로 1회 이상 반복 수행되는 것을 특징으로 하는 다층 반사방지막의 제조방법.
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