CN106057658B - 气相生长方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够抑制在硅基板上形成氮化镓时产生裂纹的气相生长方法。实施方式的气相生长方法为，在硅基板上形成单晶的氮化铝膜，在氮化铝膜上形成单晶的氮化铝镓膜，在氮化铝镓膜上形成单晶的第一氮化镓膜，以高于第一氮化镓膜的形成工序的温度以及生长速度，在第一氮化镓膜上形成第二氮化镓膜。

Description

气相生长方法
技术领域
本发明涉及在硅基板上形成氮化镓的气相生长方法。
背景技术
作为成膜高质量的半导体膜的方法，存在外延生长技术，该外延生长技术通过气相生长使单晶膜在晶圆等的基板上生长。在外延生长中，一边对晶圆进行加热，一边向晶圆表面供给作为成膜原料的源气体等工艺气体。在晶圆表面发生源气体的热反应等，从而在晶圆表面成膜出外延单晶膜。
近年来，作为发光器件和功率器件的材料，氮化镓(GaN)类的半导体器件受到关注。作为成膜出GaN类的半导体膜的外延生长技术，存在有机金属气相生长法(MOCVD法)。
例如，在硅(Si)基板上形成氮化镓膜时存在如下的问题，即，当氮化镓膜的膜厚变厚时，由于硅与氮化镓的热膨胀系数等的差异而会在氮化镓膜上产生裂纹。例如，在日本特许公开公报特许2006-128626号中，为了解决该问题而记载了如下的方法，即，在硅基板上形成氮化铝(AlN)的缓冲层之后，以第一压力形成第一氮化镓，再以低于第一压力的第二压力形成氮化镓。
发明内容
本发明提供一种能够抑制在硅基板上形成氮化镓时产生裂纹的气相生长方法。
本发明的一个实施方式的气相生长方法为，在硅基板上形成单晶的氮化铝膜，在所述氮化铝膜上形成单晶的氮化铝镓膜，在所述氮化铝镓膜上形成单晶的第一氮化镓膜，以高于所述第一氮化镓膜的形成工序的温度以及生长速度，在所述第一氮化镓膜上形成单晶的第二氮化镓膜。
在上述实施方式的气相生长方法中，优选为，以岛状形成所述第一氮化镓膜，并将所述第一氮化镓膜的高度的平均值设置为10nm以上100nm以下。
在上述实施方式的气相生长方法中，优选为，形成所述第一氮化镓膜时的V/III比大于形成所述第二氮化镓膜时的V/III比。
在上述实施方式的气相生长方法中，优选为，形成所述第一氮化镓膜时的生长速度为3μm/hour以下。
在上述实施方式的气相生长方法中，优选为，形成所述第一氮化镓膜时的温度为950℃以上且小于1050℃，形成所述第二氮化镓膜时的温度为1000℃以上且小于1100℃。
根据本发明，可提供一种能够抑制在硅基板上形成氮化镓膜时产生裂纹的气相生长方法。
附图说明
图1是实施方式的气相生长方法的工艺流程图。
图2是示出实施方式的气相生长方法的示意剖面图。
图3是示出实施方式的气相生长方法的示意剖面图。
图4是示出实施方式的气相生长方法的示意剖面图。
附图标记说明
10：硅基板
12：氮化铝膜
14：氮化铝镓膜
16：第一氮化镓膜
18：第二氮化镓膜
具体实施方式
下面，参照附图，对本发明的实施方式进行说明。
实施方式的气相生长方法为，在硅基板上形成单晶的氮化铝膜，在氮化铝膜上形成单晶的氮化铝镓膜，在氮化铝镓膜上形成单晶的第一氮化镓膜，以高于第一氮化镓膜的形成工序的温度以及生长速度，在第一氮化镓膜上形成单晶的第二氮化镓膜。
图1是实施方式的气相生长方法的工艺流程图。另外，图2至图4是示出实施方式的气相生长方法的示意剖面图。
本实施方式的气相生长方法具备硅(Si)基板准备步骤(S100)、氮化铝膜(AlN)形成步骤(S110)、氮化铝镓膜(AlGaN)形成步骤(S120)、第一氮化镓膜(GaN)形成步骤(S130)、第二氮化镓膜(GaN)形成步骤(S140)。在本实施方式中，通过MOCVD法进行成膜。
首先，例如在氢(H2)中以1100℃进行烘烤，准备去除了自然氧化膜的(111)面的单晶的硅基板10(S100)。硅基板10的厚度例如为300μm以上1500μm以下。
接下来，在硅基板10上形成单晶的氮化铝(AlN)膜12(S110)。使氮化铝膜12在硅基板10上外延生长。
对硅基板10进行加热，作为源气体供给例如用氢(H2)进行了稀释的三甲基铝(TMA)以及用氢(H2)进行了稀释的氨(NH3)，由此使氮化铝膜12生长。TMA是铝(Al)的源气体，氨是氮(N)的源气体。
氮化铝膜12的生长温度例如设置为1000℃以上1200℃以下。从提高氮化铝膜12的结晶性的观点来看，生长温度优选为1000℃以上。氮化铝膜12的膜厚例如设置为200nm以上300nm以下。
使含镓(Ga)的单晶膜在硅基板10上外延生长时，氮化铝膜12抑制硅与镓之间发生反应而导致的含镓的单晶膜的膜质劣化，并抑制硅基板复熔。另外，发挥作为缓解硅与含镓的单晶膜之间的晶格失配的缓冲层的作用。
接下来，在氮化铝膜12上形成单晶的氮化铝镓(AlXGa(1-X)N，其中0<X<1)膜14(S120，图2)。使氮化铝镓膜14在氮化铝膜12上外延生长。
对硅基板10进行加热，作为源气体供给例如用氢(H2)进行了稀释的三甲基铝(TMA)与三甲基镓(TMG)、用氢(H2)进行了稀释的氨(NH3)，由此使氮化铝镓膜14生长。TMA是铝(Al)的源气体，TMG是镓(Ga)的源气体，氨是氮(N)的源气体。
氮化铝镓膜14的生长温度例如设置为1000℃以上1200℃以下。氮化铝镓膜14的膜厚例如设置为150nm以上500nm以下。
氮化铝镓膜14发挥作为缓解氮化铝膜12与形成在氮化铝镓膜14上层的单晶镓膜之间的晶格失配的缓冲层的作用。从缓解晶格失配的观点来看，优选使氮化铝镓膜14中的铝含量从氮化铝镓膜14向形成在氮化铝镓膜14上层的单晶镓膜的方向降低。另外，氮化铝镓膜14具备如下功能，即，使从氮化铝膜12延伸的位错的朝向弯折，抑制位错向形成在上层的单晶镓膜延伸。
接下来，在氮化铝镓膜14上形成单晶的第一氮化镓(GaN)膜16(S130，图3)。第一氮化镓膜16是在氮化铝镓膜14上以岛形状外延生长出来的岛状膜。
对硅基板10进行加热，作为源气体供给例如用氢(H2)进行了稀释的三甲基镓(TMG)、用氢(H2)进行了稀释的氨(NH3)，由此使第一氮化镓膜16生长。TMG是镓(Ga)的源气体，氨是氮(N)的源气体。
此时，将岛状的第一氮化镓膜16的高度(图3中的h)的平均值例如设置为10nm以上100nm以下，并将宽度(图3中的w)的平均值设置为10nm以上50nm以下。例如，通过利用SEM(Scanning Electron Microscope：扫描电子显微镜)观察第一氮化镓膜16生长后的剖面，能够求出第一氮化镓膜16的高度。
而且，将形成第一氮化镓膜16时的V/III比设置为例如1000以上。在此，V/III比是指，作为外延生长氮化镓时的镓(III族元素)的源气体的TMG与作为氮(V族元素)的源气体的氨的流量比。各源气体的流量单位为μmol/min。
另外，将形成第一氮化镓膜16时的生长速度例如设置为3μm/hour以下，将温度设置为例如950℃以上且小于1050℃，将压力例如设置为20kPa以上35kPa以下。
接下来，以高于第一氮化镓膜16的形成工序的温度以及生长速度，在岛状的第一氮化镓膜16上形成单晶的第二氮化镓(GaN)膜18(S140，图4)。使第二氮化镓膜18在第一氮化镓膜16上层状地外延生长。
对硅基板10进行加热，作为源气体供给例如用氢(H2)进行了稀释的三甲基镓(TMG)、用氢(H2)进行了稀释的氨(NH3)，由此使第二氮化镓膜18生长。TMG是镓(Ga)的源气体，氨是氮(N)的源气体。
第二氮化镓膜18的膜厚例如设置为3μm以上10μm以下。例如，通过利用SEM观察第二氮化镓膜18的生长后的剖面，能够求出第二氮化镓膜18的膜厚。
将形成第二氮化镓膜18时的V/III比设置为1000以下。另外，将形成第二氮化镓膜18时的生长速度设置为高于形成第一氮化镓膜16时的生长速度，例如设置为3μm/hour以上。另外，将形成第二氮化镓膜18时的温度例如设置为1000℃以上且小于1100℃，将压力例如设置为20kPa以上35kPa以下，并设置成与形成第一氮化镓膜16时的压力相同。
此外，能够向第二氮化镓膜18的一部分或者全部添加例如硅(Si)和镁(Mg)等的掺杂剂。
接下来，对实施方式的作用以及效果进行说明。
在硅基板上形成氮化镓膜时，当氮化镓膜的膜厚变厚时，有可能会由于硅与氮化镓的热膨胀系数等的差异而在氮化镓膜上产生裂纹。认为这是由于在形成氮化镓膜的过程中在氮化镓膜中产生了拉伸应力而引起的。尤其是在加快氮化镓膜的生长速度的情况下，容易产生裂纹。
在本实施方式中，使第一氮化镓膜16岛状地三维生长。此时，对氮化铝镓膜14表面的核形成的密度进行控制，使得在岛状的第一氮化镓膜16生长到足够的高度之前不会在侧面发生接触。之后，以高于第一氮化镓膜16的生长速度使第二氮化镓膜18层状地生长。通过该方法，能够在对氮化镓膜施加压缩应力的状态下进行氮化镓膜的形成。因此，既能够抑制裂纹的产生，又能够实现氮化镓膜的高速生长。另外，能够成膜出降低了结晶缺陷的氮化镓膜。
在以岛状形成第一氮化镓膜16时，优选将岛状的第一氮化镓膜16的高度(图3中的h)的平均值设置为10nm以上100nm以下，并将宽度(图3中的w)的平均值设置为10nm以上50nm以下。当低于上述范围时，在成膜第二氮化镓膜18时，有可能不会使第二氮化镓膜18的应力变为压缩应力。另外，第二氮化镓膜18的结晶性有可能会劣化。当高于上述范围时，有可能会使第二氮化镓膜18的表面形态劣化。从使第二氮化镓膜18的表面平坦的观点来看，第一氮化镓膜16的高度的平均值优选为50nm以下。
从抑制第一氮化镓膜16的生长速度、提高结晶性、使其岛状地三维生长的观点来看，形成第一氮化镓膜16时的V/III比优选为1000以上。从提高第一氮化镓膜16的结晶性、使其岛状地三维生长的观点来看，形成第一氮化镓膜16时的生长速度优选为3μm/hour以下，温度优选为950℃以上且小于1050℃，压力优选为20kPa以上35kPa以下。
另外，从加快第二氮化镓膜18的生长速度、提高生产效率的观点来看，形成第二氮化镓膜18时的V/III比优选为1000以下，更优选为500以下。优选为，形成第二氮化镓膜18时的V/III比小于形成第一氮化镓膜16时的V/III比。而且，从提高生产效率的观点来看，第二氮化镓膜18的生长速度优选为3μm/hour以上。
进一步，从使第二氮化镓膜18的生长速度快于第一氮化镓膜16的生长速度的观点来看，以1000℃以上且小于1100℃、并且高于第一氮化镓膜16的形成工序的温度进行第二氮化镓膜18的形成。而且，从提高生产效率的观点来看，形成第二氮化镓膜18时的压力优选为20kPa以上35kPa以下，并与形成第一氮化镓膜16时的压力大致相同。
根据本实施方式的气相生长方法，能够抑制在硅基板上形成膜厚较厚的氮化镓时产生裂纹。另外，能够高速成膜出降低了结晶缺陷的膜厚较厚的氮化镓膜。
以上，参照具体示例对本发明的实施方式进行了说明。上述实施方式仅仅是作为例子而列举出来的，并非对本发明进行的限定。另外，可以适当地组合各实施方式的构成要素。
在实施方式中，在气相生长方法等中省略了对说明本发明无直接必要的部分等，但是可以适当地选择并使用必要的部分等。其他具备本发明的要素且本领域的技术人员可通过适当地进行设计变更而得到所有的气相生长方法包含在本发明的保护范围内。本发明的保护范围由权利要求及其同等物的范围确定。

Claims (4)

1.一种气相生长方法，其特征在于，
在硅基板上形成单晶的氮化铝膜，
在所述氮化铝膜上形成单晶的氮化铝镓膜，
在所述氮化铝镓膜上形成单晶的第一氮化镓膜，
以高于所述第一氮化镓膜的形成工序的温度以及生长速度，在所述第一氮化镓膜上形成单晶的第二氮化镓膜，
以岛状形成所述第一氮化镓膜，并将所述第一氮化镓膜的高度的平均值设置为10nm以上50nm以下，以与所述氮化铝镓膜和所述第一氮化镓膜接触的方式形成所述第二氮化镓膜。
2.根据权利要求1所述的气相生长方法，其特征在于，
形成所述第一氮化镓膜时的V/III比大于形成所述第二氮化镓膜时的V/III比。
3.根据权利要求1所述的气相生长方法，其特征在于，
形成所述第一氮化镓膜时的生长速度为3μm/hour以下。
4.根据权利要求1所述的气相生长方法，其特征在于，
形成所述第一氮化镓膜时的温度为950℃以上且小于1050℃，形成所述第二氮化镓膜时的温度为1000℃以上且小于1100℃。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108695341B (zh) 2017-03-31 2021-01-26 环球晶圆股份有限公司 外延基板及其制造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103165771A (zh) * 2013-03-28 2013-06-19 天津三安光电有限公司 一种具有埋入式孔洞结构的氮化物底层及其制备方法
CN103348447A (zh) * 2010-11-15 2013-10-09 科林·汉弗莱斯 包括其中具有一个或多个氮化硅夹层的氮化镓的半导体晶片

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000277441A (ja) * 1999-03-26 2000-10-06 Nagoya Kogyo Univ 半導体構造とそれを備えた半導体素子及び結晶成長方法
US6649287B2 (en) * 2000-12-14 2003-11-18 Nitronex Corporation Gallium nitride materials and methods
JP3956637B2 (ja) * 2001-04-12 2007-08-08 ソニー株式会社 窒化物半導体の結晶成長方法及び半導体素子の形成方法
JP2004363500A (ja) * 2003-06-06 2004-12-24 Satoru Tanaka 窒化物系化合物半導体の製造方法および窒化物系化合物半導体
KR100674829B1 (ko) * 2004-10-29 2007-01-25 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR101220826B1 (ko) * 2005-11-22 2013-01-10 삼성코닝정밀소재 주식회사 질화갈륨 단결정 후막의 제조방법
JP5383974B2 (ja) * 2006-12-27 2014-01-08 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 半導体基板および半導体装置
US20130026480A1 (en) * 2011-07-25 2013-01-31 Bridgelux, Inc. Nucleation of Aluminum Nitride on a Silicon Substrate Using an Ammonia Preflow
KR20130081956A (ko) * 2012-01-10 2013-07-18 삼성전자주식회사 질화물 반도체층 성장 방법
US20140158976A1 (en) * 2012-12-06 2014-06-12 Sansaptak DASGUPTA Iii-n semiconductor-on-silicon structures and techniques
JP6270536B2 (ja) * 2013-06-27 2018-01-31 株式会社東芝 窒化物半導体素子、窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体層の形成方法
CN104037284B (zh) * 2014-06-10 2016-11-02 广州市众拓光电科技有限公司 一种生长在Si衬底上的GaN薄膜及其制备方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103348447A (zh) * 2010-11-15 2013-10-09 科林·汉弗莱斯 包括其中具有一个或多个氮化硅夹层的氮化镓的半导体晶片
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