CN106029831B

CN106029831B - 有机光电装置和显示设备

Info

Publication number: CN106029831B
Application number: CN201580009908.1A
Authority: CN
Inventors: 赵平锡; 姜基煜; 姜义洙; 金伦焕; 金勋; 梁容卓; 吴在镇; 柳银善; 李南宪; 柳东完; 李韩壹
Original assignee: Samsung SDI Co Ltd
Current assignee: Samsung SDI Co Ltd
Priority date: 2014-02-21
Filing date: 2015-02-05
Publication date: 2018-03-02
Anticipated expiration: 2035-02-05
Also published as: KR20150099192A; KR101861127B1; CN106029831A; KR20160013790A

Abstract

本发明涉及有机光电装置和包括该有机光电装置的显示设备，该有机光电装置包括：阳极；面对阳极的阴极；位于阳极和阴极之间的发光层；位于阳极和发光层之间的空穴传输层；以及位于空穴传输层和发光层之间的空穴传输辅助层，其中，发光层包含至少一种由化学式1表示的第一化合物和至少一种由化学式2表示的第二化合物，以及空穴传输辅助层包含由化学式3表示的部分、化学式4表示的部分和化学式5表示的部分的组合表示的第三化合物。化学式1至5与说明书中所描述的相同。

Description

有机光电装置和显示设备

技术领域

公开了有机光电装置和显示装置。

背景技术

有机光电装置是将电能转换为光能，并且反之亦然的装置。可以根据它的驱动原理将有机光电装置分类如下。一种是光电装置，其中激子由光能产生，分离成电子和空穴，并且被转移至不同的电极以产生电能，以及另一种是发光装置，其中供给电压或电流至电极以由电能产生光能。有机光电装置的实例可以是有机光电装置(organic photoelectricdevice)、有机发光二极管、有机太阳能电池和有机感光鼓(photo conductor drum)等。其中，由于对平板显示器的需求增加，最近有机发光二极管(OLED)备受关注。通过将电流施加至有机发光材料，有机发光二极管将电能转换为光，并且该有机发光二极管具有其中有机层插入在阳极和阴极之间的结构。

发明内容

[技术问题]

一种实施方式提供了能够实现具有高效性特征的有机光电装置的有机化合物。

另一实施方式提供了包括该有机光电装置的显示装置。

[技术方案]

根据一种实施方式，有机光电装置包括彼此面对的阳极和阴极，阳极和阴极之间的发光层(发射层，emission layer)，阳极和发光层之间的空穴传输层，以及空穴传输层和发光层之间的空穴传输辅助层，其中，发光层包含至少一种由化学式1表示的第一化合物和至少一种由化学式2表示的第二化合物，以及空穴传输辅助层包含由以下的组合表示的第三化合物：由化学式3表示的部分、由化学式4表示的部分和由化学式5表示的部分。

在化学式1中，

Z独立地是N、C或CR^a，

Z的至少一个是N，

R¹至R¹⁰和R^a独立地是氢、氘、取代的或未取代的C1至C10烷基基团、取代的或未取代的C6至C12芳基基团或它们的组合，

在化学式1中，取代三亚苯基的6元环的总数小于或等于6，

L¹是取代的或未取代的亚苯基基团、取代的或未取代的亚联苯基基团，或者取代的或未取代的亚三联苯基基团，

n1至n3独立地是0或1，并且

n1+n2+n3≥1，

其中，在化学式2中，

Y¹是单键、取代的或未取代的C1至C20亚烷基基团、取代的或未取代的C2至C20亚烯基基团、取代的或未取代的C6至C30亚芳基基团、取代的或未取代的C2至C30杂亚芳基基团或它们的组合，

Ar¹是取代的或未取代的C6至C30芳基基团、取代的或未取代的C2至C30杂芳基基团或它们的组合，

R¹¹至R¹⁴独立地是氢、氚、取代的或未取代的C1至C20烷基基团、取代的或未取代的C6至C50芳基基团、取代的或未取代的C2至C50杂芳基基团或它们的组合，并且

R¹¹至R¹⁴和Ar¹的至少一个包含取代的或未取代的三亚苯基基团或取代的或未取代的咔唑基，

其中，在化学式3至化学式5中，

X¹是O、S、NR^b、SO₂、PO或CO，

X²是O、S、SO₂、PO、CR^cR^d或NR^e，

R⁵⁵、R⁵⁶和R^b至R^e独立地是氢、氘、取代的或未取代的C1至C20烷基基团、取代的或未取代的C6至C30芳基基团、取代的或未取代的C3至C30杂芳基基团或它们的组合，或者与化学式5的c*的连接点，

Ar²和Ar³独立地是取代的或未取代的C6至C30芳基基团，或者取代的或未取代的C2至C30杂芳基基团，

L²、L^a和L^b独立地是单键、取代的或未取代的C1至C30亚烷基基团、取代的或未取代的C2至C6亚烯基基团、取代的或未取代的C2至C6亚炔基基团、取代的或未取代的C6至C30亚芳基基团、取代的或未取代的杂亚芳基基团或它们的组合，

化学式3的两个相邻*结合至化学式4的两个相邻*以提供稠环，

化学式3或4的a*、b*和R^b至R^e中的一个通过σ键连接至化学式5的c*，并且

没有键连至化学式5的c*的其余的a*、b*和R^b至R^e独立地是氢、氘、取代的或未取代的C1至C20烷基基团、取代的或未取代的C6至C30芳基基团、取代的或未取代的C3至C30杂芳基或它们的组合。

根据另一实施方式，提供了包括有机光电装置的显示装置。

[有利效果]

可以实现高效的有机光电装置。

附图说明

图1是根据一种实施方式的有机光电装置的示意性截面图。

具体实施方式

在下文中，详细描述本发明的实施方式。然而，这些实施方式是示例性的，本发明不限于此并且本发明是由权利要求的范围限定的。

在本说明书中，当定义不是另有规定时，术语“取代的”是指用以下各项取代来代替取代基或化合物中的至少一个氢：氘、卤素、羟基基团、氨基基团、取代的或未取代的C1至C30胺基、硝基基团、取代的或未取代的C1至C40甲硅烷基基团、C1至C30烷基基团、C1至C10烷基甲硅烷基基团、C3至C30环烷基基团、C2至C30杂环烷基基团、C6至C30芳基基团、C2至C30杂芳基基团、C1至C20烷氧基基团、氟基(fluoro group)、C1至C10三氟烷基，如三氟甲基或氰基。

另外，取代的卤素、羟基基团、氨基基团、取代的或未取代的C1至C20胺基、硝基基团、取代的或未取代的C3至C40甲硅烷基基团、C1至C30烷基基团、C1至C10烷基甲硅烷基基团、C3至C30环烷基基团、C2至C30杂环烷基基团、C6至C30芳基基团、C2至C30杂芳基基团、C1至C20烷氧基基团、氟基、C1至C10三氟烷基，如三氟甲基等或氰基的两个相邻的取代基可以彼此稠合形成环。例如，可以使取代的C6至C30芳基基团与另一相邻的取代的C6至C30芳基基团稠合以形成取代的或未取代的芴环。

在本说明书中，当不另外提供具体定义时，“杂”是指包含1至3个选自由N、O、S、P和Si组成的组的杂原子、以及在一个官能团中的剩余碳的化合物。

在本说明书中，当不另外提供定义时，术语“烷基基团”可以指脂肪族烃基。在没有任何双键或三键的情况下，烷基可以指“饱和的烷基”。

烷基基团可以是C1至C30烷基基团。更特定地，烷基基团可以是C1至C20烷基基团或C1至C10烷基基团。例如，C1至C4烷基基团在烷基链内包含1至4个碳，并且其可以选自甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基和叔丁基。

烷基基团的特定的实例可以是甲基基团、乙基基团、丙基基团、异丙基基团、丁基基团、异丁基基团、叔丁基基团、戊基基团、己基基团、环丙基基团、环丁基基团、环戊基基团、环己基基团等。

在本说明书中，“芳基基团”是指包含具有形成共轭的p轨道的环的所有元素的取代基基团，并且可以是单环、多环或稠环多环(即，环共享一对相邻的碳原子)官能团。

在本说明书中，“杂芳基基团”可以指包含1至3个选自N、O、S、P和Si的杂原子和官能团中的其余的碳的芳基基团。杂芳基可以是其中每个环包含1至3个杂原子的稠环。

更确切地，取代的或未取代的C6至C30芳基基团和/或取代的或未取代的C2至C30杂芳基基团可以是取代的或未取代的苯基基团、取代的或未取代的萘基基团、取代的或未取代的蒽基基团、取代的或未取代的菲基基团、取代的或未取代的稠四苯基(并四苯基，naphthacenyl)、取代的或未取代的芘基基团、取代的或未取代的联苯基基团、取代的或未取代的对-三联苯基基团、取代的或未取代的间-三联苯基基团、取代的或未取代的基团、取代的或未取代的三亚苯基基团、取代的或未取代的苝基基团、取代的或未取代的茚基基团、取代的或未取代的呋喃基基团、取代的或未取代的苯硫基基团、取代的或未取代的吡咯基基团、取代的或未取代的吡唑基基团、取代的或未取代的咪唑基基团、取代的或未取代的三唑基基团、取代的或未取代的噁唑基基团、取代的或未取代的噻唑基基团、取代的或未取代的噁二唑基基团、取代的或未取代的噻二唑基基团、取代的或未取代的吡啶基基团、取代的或未取代的嘧啶基基团、取代的或未取代的吡嗪基基团、取代的或未取代的三嗪基基团、取代的或未取代的苯并呋喃基基团、取代的或未取代的苯并苯硫基基团、取代的或未取代的苯并咪唑基基团、取代的或未取代的吲哚基基团、取代的或未取代的喹啉基基团、取代的或未取代的异喹啉基基团、取代的或未取代的喹唑啉基基团、取代的或未取代的喹喔啉基基团、取代的或未取代的萘啶基基团、取代的或未取代的苯并噁嗪基基团、取代的或未取代的苯并噻嗪基基团、取代的或未取代的吖啶基基团、取代的或未取代的吩嗪基基团、取代的或未取代的吩噻嗪基基团、取代的或未取代的酚噁嗪基基团、取代的或未取代的芴基基团、取代的或未取代的二苯并呋喃基基团、取代的或未取代的二苯并苯硫基基团、取代的或未取代的咔唑基基团、它们的组合或它们的组合的稠合形式，但不限于此。

在本说明书中，空穴特征是指当施加电场时赋予电子并且形成空穴的特征，以及在阳极中形成的空穴容易注入到发光层中并且由于根据HOMO水平的导电特征容易在发光层中传送的特征。

电子特征是指当施加电场时接受电子的特征，以及在阴极形成的电子容易注入到发光层中并且由于根据LUMO水平的导电特征在发光层中容易传送的特征。

在下文中，描述了根据一种实施方式的有机光电装置。

有机光电装置可以是没有特别限制地将电能转换成光能，反之亦然的任何装置，并且可以是，例如有机光电装置、有机发光二极管、有机太阳能电池和有机感光鼓。

本文中，描述了作为有机光电装置的一个实例的有机发光二极管，但是本发明并不限于此，并且可以以同样的方式应用于其他的有机光电装置。

在附图中，为了清楚，将层、膜、板、区域等的厚度放大。贯穿本说明书，相同标号代表相同要素。应理解的是，当元件，如层、膜、区域或基板被称为“在”另一元件上时，其可以是直接地在其他元件上，或者也可以存在中间元件。相反，当元件称为是“直接在”另一元件上时，不存在中间元件。

图1是根据一种实施方式的有机光电装置的示意性截面图。

参照图1，根据一种实施方式的有机光电装置包括阳极10和阴极20以及阳极10和阴极20之间的有机层30。

阳极10可以由具有高功函数的导体制成以帮助空穴注入，并且可以是，例如金属、金属氧化物和/或导电聚合物。阳极10可以是，例如金属镍、铂、钒、铬、铜、锌、金等或它们的合金；金属氧化物，如氧化锌、氧化铟、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等；金属和氧化物，如ZnO和Al，或SnO₂和Sb的组合；导电聚合物，如聚(3-甲基噻吩)、聚(3,4-(亚乙基-1,2-二氧基)噻吩)(PEDT)、聚吡咯和聚苯胺，但不限于此。

阴极20可以由具有低功函数的导体制成以帮助电子注入，并且可以是，例如金属、金属氧化物和/或导电聚合物。阴极20可以是，例如金属或它们的合金，如镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝银、锡、铅、铯、钡等；多层结构材料，如LiF/Al、LiO₂/Al、LiF/Ca、LiF/Al和BaF₂/Ca，但并不限于此。

有机层30包括空穴传输层31、发光层32以及空穴传输层31和发光层32之间的空穴传输辅助层33。

空穴传输层31是使空穴容易从阳极10传输至发光层32的层，并且可以包括，例如胺化合物，但不限于此。

胺化合物可以包含，例如至少一个芳基基团和/或杂芳基基团。例如可以由化学式a或化学式b表示胺化合物，但不限于此。

在化学式a或b中，

Ar^a至Ar^g独立地是氢、氚、取代的或未取代的C1至C20烷基基团、取代的或未取代的C6至C30芳基基团、取代的或未取代的C2至C30杂芳基基团或它们的组合，

Ar^a至Ar^c中的至少一个以及Ar^d至Ar^g中的至少一个是取代的或未取代的C6至C30芳基基团、取代的或未取代的C2至C30杂芳基基团或它们的组合，并且

Ar^h是单键、取代的或未取代的C1至C20亚烷基基团、取代的或未取代的C6至C30亚芳基基团、取代的或未取代的C2至C30杂亚芳基基团或它们的组合。

发光层32包含至少两种主体(host)和掺杂剂，并且主体包含具有其中电子特征相对强的双极性特征的第一化合物和具有其中空穴特征相对强的双极性特征的第二化合物。

第一化合物是具有其中电子特征相对强的双极性特征的化合物，并且可以由化学式1表示。

在化学式1中，

Z独立地是N、C或CR^a，

Z中的至少一个是N，

在化学式1中，取代三亚苯基基团的6元环的总数小于或等于6，

L¹是取代的或未取代的亚苯基基团、取代的或未取代的亚联苯基基团或取代的或未取代的亚三联苯基基团，并且

n1至n3独立地是0或1，n1+n2+n3≥1。

取代三亚苯基的6元环是指直接或间接连接到三亚苯基的所有6元环，并且包括由碳原子、氮原子或它们的组合组成的6元环。

取决于三亚苯基的键合位置，第一化合物可以由，例如化学式1-I或化学式1-II表示。

在化学式1-I和1-Ⅱ中，Z、R¹至R¹⁰，以及n1至n3与上述相同。

第一化合物包含三亚苯基和至少一个含氮杂芳基基团。第一化合物可以具有当向其施加电场时由于至少一个含氮环而易于接收电子的结构，并且从而降低包含第一化合物的有机光电装置的驱动电压。

另外，第一化合物通过包含易于接收空穴的三亚苯基结构和易于接收电子的含氮环部分而具有双极性结构，并可以适当平衡空穴和电子的流动，因此当施加第一化合物时改善有机光电装置的效率。

由化学式1表示的第一化合物具有至少一个作为亚芳基和/或杂亚芳基的中心的扭结结构(kink structure)。

扭结结构是亚芳基和/或杂亚芳基的两个连接部分不是直链的结构。例如，对于亚苯基基团，邻亚苯基(邻-亚苯基)和间亚苯基(间-亚苯基)具有其中连接部分不形成直链结构的扭结结构，而由于其中连接部分形成直链结构，对亚苯基(对-亚苯基)不具有扭结结构。

在化学式1中，可以作为连接基团(L)和/或亚芳基/杂亚芳基的中心形成扭结结构。

例如，当化学式1中的n1是0时，不存在连接基团(L)，可以作为亚芳基/杂亚芳基的中心形成扭结结构，以及例如该化合物可以由化学式1a或1b表示。

在化学式1a或1b中，Z、R¹至R¹⁰与上述相同。

例如，当化学式1中的n1是1时，作为连接基团(L¹)的中心形成扭结结构，并且例如，L¹可以是具有扭结结构的取代的或未取代的亚苯基基团、具有扭结结构的取代的或未取代的亚联苯基基团或具有扭结结构的取代的或未取代的亚三联苯基基团。

L¹可以选自，例如组1的取代的或未取代的基团。

[组1]

在组1中，

R¹⁵至R⁴²独立地是氢、氘、取代的或未取代的C1至C10烷基基团、取代的或未取代的C3至C30环烷基基团、取代的或未取代的C2至C30杂环烷基基团、取代的或未取代的C6至C30芳基基团、取代的或未取代的C2至C30杂芳基基团、取代的或未取代的胺基基团、取代的或未取代的C6至C30芳基胺基团、取代的或未取代的C6至C30杂芳基胺基团、取代的或未取代的C1至C30烷氧基基团、卤素、含卤素基团、氰基基团、羟基基团、氨基基团、硝基基团、羧基基团、二茂铁基或它们的组合。

第一化合物可以优选具有至少两个扭结结构和，例如两个至四个扭结结构。

第一化合物由于以上扭结结构可以适当地使电荷局部分布并控制共轭体系流动，并且因此改善施加该组合物的有机光电装置的寿命。

另外，在化学式1中，R¹至R⁶的数目，即取代三亚苯基的6元环的总数限于小于或等于6，并且从而可以减少沉积过程中由于高温导致的化合物的热分解。

另外，第一化合物依赖于该结构可以有效避免堆叠并降低过程稳定性且同时降低沉积温度。当化合物包含化学式1的连接基团(L¹)时，这种堆叠避免效果可以进一步增强。

第一化合物可以由，例如化学式1c至1t的一种表示。

在化学式1c至1t中，

Z和R¹至R¹⁰与上述相同，并且

R⁶⁰至R⁷⁷独立地是氢、氘、取代的或未取代的C1至C10烷基基团、取代的或未取代的C3至C30环烷基基团、取代的或未取代的C2至C30杂环烷基基团、取代的或未取代的C6至C30芳基基团、取代的或未取代的C2至C30杂芳基基团、取代的或未取代的胺基基团、取代的或未取代的C6至C30芳基胺基团、取代的或未取代的C6至C30杂芳基胺基团、取代的或未取代的C1至C30烷氧基基团、卤素、含卤素基团、氰基基团、羟基基团、氨基基团、硝基基团、羧基基团、二茂铁基或它们的组合。

第一化合物可以是，例如组2的化合物，但不限于此。

[组2]

可以使用至少一种或多种第一化合物。

第二化合物可以，例如由化学式2表示

在化学式2中，

Y¹是单键、取代的或未取代的C1至C20亚烷基基团、取代的或未取代的C2至C20亚烯基基团、取代的或未取代的C6至C30亚芳基基团、取代的或未取代的C2至C30杂亚芳基或它们的组合，

Ar¹是取代的或未取代的C6至C30芳基基团、取代的或未取代的C2至C30杂芳基或它们的组合，

R¹¹至R¹⁴独立地是氢、氚、取代的或未取代的C1至C20烷基基团、取代的或未取代的C6至C50芳基基团、取代的或未取代的C2至C50杂芳基或它们的组合，并且

R¹¹至R¹⁴和Ar¹中的至少一个包含取代的或未取代的三亚苯基，或者取代的或未取代的咔唑基基团。

由化学式2表示的化合物是具有双极性特征的化合物，其中空穴特征相对强，并且因此当在发光层中与第一化合物使用时电荷移动性和稳定性可以增加，并且防止空穴和/或电子在空穴传输层和发光层之间的界面处累积，且当将其用于与发光层相邻的空穴传输辅助层时电荷平衡可以加强。因此，可以显著地改善有机光电装置的发光效率和寿命特征。

由化学式2表示的化合物可以，例如由化学式2-I至化学式2-III中的至少一种表示。

在化学式2-I至2-III中，

Y¹至Y³独立地是单键、取代的或未取代的C1至C20亚烷基基团、取代的或未取代的C2至C20亚烯基基团、取代的或未取代的C6至C30亚芳基基团、取代的或未取代的C2至C30杂亚芳基或它们的组合，

Ar¹、Ar^1a和Ar^1b独立地是取代的或未取代的C6至C30芳基基团、取代的或未取代的C2至C30杂芳基基团或它们的组合，并且

R¹¹至R¹⁴和R⁴³至R⁵⁴独立地是氢、氚、取代的或未取代的C1至C20烷基基团、取代的或未取代的C6至C50芳基基团、取代的或未取代的C2至C50杂芳基基团或它们的组合。

由化学式2-I表示的化合物具有其中两个咔唑基具有连接至彼此的取代基的结构。

化学式2-I中的Ar^1a和Ar^1b是空穴或具有电子特征的取代基基团，且可以独立地是，例如取代的或未取代的苯基基团、取代的或未取代的联苯基基团、取代的或未取代的三联苯基基团、取代的或未取代的萘基基团、取代的或未取代的蒽基基团、取代的或未取代的咔唑基基团、取代的或未取代的苯并呋喃基基团、取代的或未取代的苯并苯硫基基团、取代的或未取代的芴基基团、取代的或未取代的吡啶基基团、取代的或未取代的嘧啶基基团、取代的或未取代的吡嗪基基团、取代的或未取代的三嗪基基团、取代的或未取代的三亚苯基基团、取代的或未取代的二苯并呋喃基基团、取代的或未取代的二苯并苯硫基或它们的组合。

化学式2-I中的Ar^1a和Ar^1b中的至少一个可以是，例如具有电子特征的取代基基团，且可以是，例如由化学式A表示的取代基基团。

在化学式A中，

Z独立地是N或CR^b，

A¹和A²独立地是取代的或未取代的C6至C30芳基基团、取代的或未取代的C2至C30杂芳基基团或它们的组合，

Z、A¹和A²中的至少一个包含N，并且

a和b独立地是0或1。

由化学式A表示的取代基可以是，例如组3的官能团。

[组3]

另外，化学式2-I中的Ar^1a和Ar^1b的至少一个可以是，例如具有空穴特征的取代基，且可以是，例如组4的取代基。

[组4]

由化学式2-I表示的化合物可以是，例如选自组5的化合物，但不限于此。

[组5]

由化学式2-II或2-III表示的化合物具有这样的结构，其中取代的或未取代的咔唑基和取代的或未取代的三亚苯基是键合的。

化学式2-II中的Ar¹是具有空穴或电子特征的取代基，且可以是，例如取代的或未取代的苯基基团、取代的或未取代的联苯基基团、取代的或未取代的三联苯基基团、取代的或未取代的萘基基团、取代的或未取代的蒽基基团、取代的或未取代的咔唑基基团、取代的或未取代的苯并呋喃基基团、取代的或未取代的苯并苯硫基基团、取代的或未取代的芴基基团、取代的或未取代的吡啶基基团、取代的或未取代的嘧啶基基团、取代的或未取代的吡嗪基基团、取代的或未取代的三嗪基基团、取代的或未取代的三亚苯基基团、取代的或未取代的二苯并苯硫基基团、取代的或未取代的二苯并呋喃基或它们的组合。

由化学式2-II表示的化合物可以是，例如选自组6的化合物，但不限于此。

[组6]

由化学式2-III表示的化合物可以是，例如选自组7的化合物，但不限于此。

[组7]

可以使用至少一种或多种第二化合物。在发光层32中，可以作为主体包含第一化合物和第二化合物，且例如其可以以约1:10至10:1的重量比包含其中。在此范围内，可以有效地实现双极性特征以同时改善效率和寿命。

发光层32可以进一步包含除了第一化合物和第二化合物之外的至少一种化合物。

发光层32可以进一步包含掺杂剂。将少量掺杂剂与基质(主体，host)混合以引起发光，并且掺杂剂通常可以是通过多次激发成为三重态或更高态发光的材料，如金属复合物。掺杂剂可以是，例如无机、有机或有机/无机化合物，并且可以使用它们中的一种或多种。

掺杂剂可以是红色、绿色或蓝色掺杂剂，例如磷光掺杂剂。磷光掺杂剂可以是包含Ir、Pt、Os、Ti、Zr、Hf、Eu、Tb、Tm、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd或它们的组合的有机金属化合物。磷光掺杂剂可以是，例如由化学式Z表示的化合物，但不限于此。

[化学式Z]

L₂MX

在化学式Z中，M是金属，并且L和X相同或不同，且是与M形成复合化合物的配体。

M可以是，例如Ir、Pt、Os、Ti、Zr、Hf、Eu、Tb、Tm、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd或它们的组合，并且L和X可以是，例如二齿配体(双齿配体，bidendate ligand)。

空穴传输辅助层33包含具有其中空穴特征相对强的双极性特征的第三化合物。

如以上描述的，与仅使用化合物相比，发光层32通过使用具有其中电子特征相对强的双极性特征的第一化合物和具有相对强的空穴特征的第二化合物增强电子和空穴的移动，并且因此显著改善发光效率。

当将具有偏向电子或空穴特征的材料用于形成发光层时，由于在发光层在载流子(载子，carrier)与电子或空穴传输层的界面的复合(recombination)，在包括发光层的装置中相对产生更多的激子。结果，发光层中的分子激子与空穴传输层的界面上的电荷相互作用，从而引起效率滚动式(roll-off)急剧劣化并且使发光寿命特征急剧劣化。

为了解决问题，将第一和第二化合物同时包含在发光层中以使发光区域不偏于电子传输层或空穴传输层，并且另外，可以提供包含具有其中空穴特征在空穴传输层和发光层之间相对强从而防止电荷在空穴传输层和发光层之间的界面处累积的双极性特征的第三化合物的空穴传输辅助层以及能够调节发光层中的载流子平衡的装置。因此，可以改善有机光电装置的滚降特征(roll-off characteristic)并且同时可以显著改善寿命特征。

第三化合物是由化学式3表示的部分、化学式4表示的部分和化学式5表示的部分的组合表示的化合物。

在化学式3至5中，

X¹是O、S、NR^b、SO₂、PO或CO，

X²是O、S、SO₂、PO、CR^cR^d或NR^e，

R⁵⁵、R⁵⁶和R^b至R^e独立地是氢、氘、取代的或未取代的C1至C20烷基基团、取代的或未取代的C6至C30芳基基团、取代的或未取代的C3至C30杂芳基基团或它们的组合，或与化学式5的c*的连接点，

L²、L^a和L^b独立地是单键、取代的或未取代的C1至C30亚烷基基团、取代的或未取代的C2至C6亚烯基基团、取代的或未取代的C2至C6亚炔基基团、取代的或未取代的C6至C30亚芳基基团、取代的或未取代的杂亚芳基或它们的组合，

化学式3的两个相邻*结合至化学式4的两个相邻*以提供稠环，

没有结合至化学式5的c*的其他的a*、b*和R^b至R^e独立地是氢、氘、取代的或未取代的C1至C20烷基基团、取代的或未取代的C6至C30芳基基团、取代的或未取代的C3至C30杂芳基或它们的组合。

第三化合物可以，例如由化学式6至17中的任一个表示。

在化学式6至17中，X¹、X²、R⁵⁵、R⁵⁶、Ar²、Ar³、L²、L^a和L^b与上述相同。

第三化合物可以选自，例如组8，但不限于此。

[组8]

有机层30可以进一步包括电子传输层34。电子传输层34是帮助电子从阴极20传输至发光层32的层，并且根据需要可以将其省去。

有机层30可以进一步可选地包括阳极10和空穴传输层31之间的空穴注入层(未示出)和/或阴极20和电子传输层34之间的电子注入层(未示出)。

可以将有机发光二极管应用于有机发光显示器。

[发明模式]

在下文中，将参照实施例更详细地举例说明实施方式。然而，这些实施例不应以任何方式解释为限制本发明的范围。

第一化合物的合成

合成实施例1：中间产物I-1的合成

[反应方案1]

在氮气气氛下将100g(326mmol)的2-溴代三亚苯溶解在1L二甲基甲酰胺(DMF)中，并向其添加99.2g(391mmol)的联硼酸频那醇酯(双(戊酰基)二硼，bis(pinacolato)diboron)、2.66g(3.26mmol)的(1,1’-双(二苯基膦)二茂铁)二氯钯(II)和80g(815mmol)的乙酸钾，并加热以及在150℃下回流5小时。当反应完成时，添加水至反应溶液，且过滤混合物，并在真空烘箱中干燥。分离获得的残留物并通过快速柱层析法纯化，得到113g(98％)的化合物I-1。

HRMS(70eV,EI+)：针对C24H23BO2计算的m/z：354.1791，测试为：354。

元素分析：C，81％；H，7％

合成实施例2：中间产物I-2的合成

[反应方案2]

在氮气气氛下将32.7g(107mmol)的2-溴代三亚苯溶解在0.3L的四氢呋喃(THF)中，并向其添加20g(128mmol)的3-氯苯基硼酸和1.23g(1.07mmol)的四(三苯基膦)钯，然后搅拌。向其中添加36.8g(267mmol)的水中的饱和碳酸钾，并加热获得的混合物以及在80℃下回流24小时。当反应完成时，将水添加到反应溶液中，用二氯甲烷(DCM)萃取混合物，并用无水MgSO₄处理萃取液以除去其中的水分，过滤，并在降低的压力下浓缩。分离获得的残留物并通过快速柱层析法纯化，得到22.6g(63％)的化合物I-2。

HRMS(70eV,EI+)：针对C24H15Cl计算的m/z：338.0862，测试为：338。

元素分析C，85％；H，5％

合成实施例3：中间产物I-3的合成

[反应方案3]

在氮气气氛下将22.6g(66.7mmol)的化合物I-2溶解在0.3L的二甲基甲酰胺(DMF)中，并向其添加25.4g(100mmol)的联硼酸频那醇酯、0.54g(0.67mmol)的(1,1’-双(二苯基膦)二茂铁)二氯钯(II)和16.4g(167mmol)的乙酸钾，并加热获得的混合物以及在150℃下回流48小时。当反应完成时，添加水至反应溶液，且过滤混合物，并在真空烘箱中干燥。分离获得的残留物并通过快速柱层析法纯化，得到18.6g(65％)的化合物I-3。

HRMS(70eV,EI+)：针对C30H27BO2计算的m/z：430.2104，测试为：430。

元素分析：C，84％；H，6％

合成实施例4：中间产物I-4的合成

[反应方案]

将100g(282mmol)的化合物I-1溶解于1L的四氢呋喃(THF)中，并向其中添加95.9g(339mmol)的1-溴-2-碘苯和3.26g(2.82mmol)的四(三苯基膦)钯，然后搅拌。向其添加97.4g(705mmol)的水中的饱和碳酸钾，并加热获得的混合物以及在80℃下回流53小时。当反应完成时，将水添加到反应溶液中，用二氯甲烷(DCM)萃取混合物，并用无水MgSO₄处理萃取液以除去其中的水分，过滤，并在降低的压力下浓缩。分离获得的残留物并通过快速柱层析法纯化，得到95.1g(88％)的化合物I-4。

HRMS(70eV,EI+)：针对C24H15Br计算的m/z:382.0357，测试为：382。

元素分析：C，75％；H，4％

合成实施例5：中间产物I-5的合成

[反应方案5]

在氮气气氛下将90g(235mmol)的化合物I-4溶解在0.8L的二甲基甲酰胺(DMF)中，并向其中添加71.6g(282mmol)的联硼酸频那醇酯、1.92g(2.35mmol)的(1,1’-双(二苯基膦)二茂铁)二氯钯(II)和57.7g(588mmol)的乙酸钾，并加热获得的混合物以及在150℃下回流35小时。当反应完成时，添加水至反应溶液，且过滤混合物，并在真空烘箱中干燥。分离获得的残留物并通过快速柱层析法纯化，得到74.8g(74％)的化合物I-5。

HRMS(70eV,EI+)：针对C30H27BO2计算的m/z：430.2104，测试为：430。

元素分析：C，84％；H，6％

合成实施例6：中间产物I-6的合成

[反应方案6]

在氮气气氛下将50g(116mmol)的化合物I-3溶解在0.5L的四氢呋喃(THF)中，并向其中添加39.4g(139mmol)的1-溴-3-碘苯和1.34g(1.16mmol)的四(三苯基膦)钯，然后搅拌。向其中添加40.1g(290mmol)的水中的饱和碳酸钾，并加热获得的混合物以及在80℃下回流12小时。当反应完成时，将水添加到反应溶液中，用二氯甲烷(DCM)萃取混合物，并用无水MgSO₄处理萃取液以除去其中的水分，过滤，并在降低的压力下浓缩。分离获得的残留物并通过快速柱层析法纯化，得到42.6g(80％)的化合物I-6。

HRMS(70eV,EI+)：针对C30H19Br计算的m/z：458.0670，测试为：458。

元素分析：C，78％；H，4％

合成实施例7：中间产物I-7的合成

[反应方案7]

在氮气气氛下将40g(87.1mmol)的化合物I-6溶解在0.3L的二甲基甲酰胺(DMF)中，并向其中添加26.5g(104mmol)的联硼酸频那醇酯、0.71g(0.87mmol)的(1,1’-双(二苯基膦)二茂铁)二氯钯(II)和21.4g(218mmol)的乙酸钾，并加热以及在150℃下回流26小时。当反应完成时，添加水至反应溶液，且过滤混合物，并在真空烘箱中干燥。分离获得的残留物并通过快速柱层析法纯化，得到34g(77％)的化合物I-7。

HRMS(70eV,EI+)：针对C36H31BO2计算的m/z：506.2417，测试为506。

元素分析：C，85％；H，6％

合成实施例8：化合物A-33的合成

[反应方案17]

在氮气气氛下将20g(39.5mmol)的化合物1-7溶解在0.2L的四氢呋喃(THF)中，并向其中添加10.6g(39.5mmol)的2-氯-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪和0.46g(0.4mmol)的四(三苯基膦)钯，并搅拌。向其中添加13.6g(98.8mmol)的水中的饱和碳酸钾，并加热获得的混合物以及在80℃下回流23小时。当反应完成时，将水添加到反应溶液中，用二氯甲烷(DCM)萃取混合物，并用无水MgSO₄处理萃取液以除去其中的水分，过滤，并在降低的压力下浓缩。分离获得的残留物并通过快速柱层析法纯化，得到化合物A-33(17.9g，74％)。

HRMS(70eV,EI+)：针对C45H29N3计算的m/z：611.2361，测试为611。

元素分析：C，88％；H，5％

第二化合物的合成

合成实施例9：化合物C-10的合成

[反应方案20]

将10g(34.83mmol)的苯基咔唑基硼酸、11.77g(38.31mmol)的化合物2、14.44g(104.49mmol)的碳酸钾和0.80g(0.7mmmol)的四-(三苯基膦)钯(0)悬浮在140ml的甲苯和50ml的蒸馏水中，然后回流并搅拌12小时。随后，用二氯甲烷和蒸馏水萃取生成物，并硅胶过滤由其获得的有机层。随后，通过除去其中的有机溶液并通过己烷:二氯甲烷＝7:3(v/v)的硅胶柱得到固体，并且然后用二氯甲烷和正己烷再结晶，得到14.4g的化合物C-10(产率：88％)。

HRMS(70eV,EI+)：针对C36H23N计算的m/z：469.18，测试为469

元素分析：C，92％；H，5％

合成实施例10：化合物B-10的合成

[反应方案21]

第一歩：化合物J的合成

混合26.96g(81.4mmol)的N-苯基咔唑-3-硼酸频哪醇酯、23.96g(97.36mmol)的3-溴代咔唑、230mL的四氢呋喃和100ml的2M-碳酸钾水溶液，然后在氮气流下加热回流12小时。当反应完成时，过滤通过将甲醇倒入反应物所产生的固体，再次溶解在氯苯中，向其添加活性碳和无水硫酸镁，并搅拌混合物。过滤溶液并通过使用氯苯和甲醇再结晶，得到22.6g的化合物J(产率：68％)。

HRMS(70eV,EI+)：针对C30H20N2计算的m/z：408.16，测试为408

元素分析：C，88％；H，5％

第二步：化合物B-10的合成

将22.42g(54.88mmol)的化合物J、20.43g(65.85mmol)的2-溴-4,6-二苯基吡啶和7.92g(82.32mmol)的叔丁醇钠溶解在400ml的甲苯中，然后以逐滴方式向其中添加1.65g(1.65mmol)的钯二亚苄基胺和1.78g(4.39mmol)的三丁基磷。在氮气流下在110℃下加热并搅拌反应溶液12小时。当反应完成时，过滤通过将甲醇倒入反应物中所产生的固体，并再次溶解在氯苯中，向其中添加活性碳和无水硫酸镁，并搅拌混合物。过滤溶液并通过使用氯苯和甲醇再结晶，得到28.10g的化合物B-10(产率：80％)。

HRMS(70eV,EI+)：针对C47H31N3计算的m/z：637.25，测试为：637

元素分析：C，89％；H，5％

合成实施例11：化合物B-31的合成

[反应方案22]

将9.97g(30.95mmol)的苯基咔唑基溴化物、9.78g(34.05mmol)的苯基咔唑基硼酸、12.83g(92.86mmol)的碳酸钾、1.07g(0.93mmmol)的四-(三苯基膦)钯(0)悬浮在120ml的甲苯和50ml的蒸馏水中，然后回流并搅拌12小时。随后，用二氯甲烷和蒸馏水萃取生成物，并硅胶过滤由其获得的有机层。随后，用二氯甲烷和正己烷再结晶通过除去有机溶液获得的固体，得到13.8g的化合物B-31(产率：92％)。

HRMS(70eV,EI+)：针对C36H24N2计算的m/z：484.19，测试为：484

元素分析：C，89％；H，5％

合成实施例12：化合物B-43的合成

[反应方案24]

将12.33g(30.95mmol)的二苯基咔唑基溴化物、12.37g(34.05mmol)的二苯基咔唑基硼酸、12.83g(92.86mmol)的碳酸钾和1.07g(0.93mmmol)的四-(三苯基膦)钯(0)悬浮在120ml的甲苯和50ml的蒸馏水中，然后回流并搅拌12小时。随后，用二氯甲烷和蒸馏水萃取生成物，并硅胶过滤由其获得的有机层。随后，用二氯甲烷和正己烷再结晶通过除去有机溶液获得的固体，得到18.7g的化合物B-43(产率：92％)。

HRMS(70eV,EI+)：针对C48H32N2计算的m/z：636.26，测试为：636

元素分析：C，91％；H，5％

第三化合物的合成

合成实施例13：中间产物M-1的合成

将21.5g(94.3mmol)的4-二苯并噻吩硼酸和20.3g(94.3mmol)的甲基2-溴苯甲酸酯置于圆底烧瓶，向其中添加313ml的甲苯将其溶解，向其中添加其中溶解了19.5g(141.5mmol)的碳酸钾的117ml水溶液，并搅拌混合物。然后，向其添加1.09g(0.94mmol)的四三苯基膦钯，并在氮气气氛下回流搅拌混合物12小时。当反应完成时，用乙酸乙酯萃取生成物，用硫酸镁干燥萃取的溶液并过滤，以及在降低的压力下浓缩滤液。然后，通过硅胶柱层析法用正己烷/乙酸乙酯(9:1v/v)纯化其中的产物，得到27.6g的中间产物M-1(92％产率)。

LC-质谱(理论值：318.07g/mol，测量值：M+＝318.13g/mol)

合成实施例14：中间产物M-2的合成

在降低的压力下将27.4g(86mmol)的中间产物M-1放入加热并干燥的圆底烧瓶中，向其中添加430ml的无水二乙醚，并在氮气气氛下将混合物冷却至0℃并搅拌。随后，向其中缓慢添加72mL(215mmol)的3.0M甲基溴化镁二乙醚溶液，并在氮气气氛下在室温下搅拌混合物12小时。将反应溶液冷却至0℃，向其中添加少量的蒸馏水以完成反应，向其中添加108ml的2.0M氯化铵水溶液，并用二乙醚萃取混合物。随后，用硫酸镁干燥萃取液并过滤，然后在降低的压力下浓缩。然后，不另外纯化其中的产物，但将其用于随后的反应，得到27.1g的中间产物M-2(99％产率)。

合成实施例15：中间产物M-3的合成

在降低的压力下将27.1g(85.1mmol)的中间产物M-2放入加热且干燥的圆底烧瓶中，向其中添加255ml的无水二氯甲烷将其溶解，并在氮气气氛下将溶液冷却至0℃以及搅拌。然后，向其中缓慢添加12.1g(85.1mmol)的三氟化硼二乙醚复合物，并在氮气气氛下在室温下搅拌混合物4小时。将反应溶液冷却至0℃，向其中添加少量的蒸馏水以完成反应，向其中添加85ml的1.0M碳酸氢钠水溶液，并用二氯甲烷萃取混合物。随后，用硫酸镁干燥萃取液并过滤，然后在降低的压力下浓缩。然后，通过硅胶柱层析法用正己烷/二氯甲烷(9:1v/v)纯化其中的产物，得到19.4g的中间产物M-3(76％产率)。

LC-质谱(理论值：300.10g/mol，测量值：M+＝300.21g/mol)

合成实施例16：中间产物M-4的合成

在降低的压力下将19g(63.3mmol)的中间产物M-3放入加热并干燥的圆底烧瓶中，向其中添加190ml的无水四氢呋喃将其溶解，并在氮气气氛下将溶液冷却至-20℃以及搅拌。然后，向其中缓慢添加31mL(76mmol)的2.5M正丁基锂正已烷溶液，并在氮气气氛下在室温下搅拌混合物6小时。将反应溶液冷却至-20℃，向其中缓慢添加14.3g(76mmol)的三异丙基硼酸酯，在氮气气氛下在室温下搅拌混合物6小时。将反应溶液冷却至0℃，向其中添加少量的蒸馏水以完成反应，向其中添加114ml的2.0M氢氯酸水溶液，并用二乙醚萃取混合物。随后，用硫酸镁干燥萃取液并过滤，并在降低的压力下浓缩。将其中的残留溶解在丙酮中，并通过向其中添加正己烷再结晶。然后，在降低的压力下过滤由其获得的固体，得到16.3g的中间产物M-4(75％产率)。

LC-质谱(理论值：344.10g/mol，测量值：M+＝344.19g/mol)

合成实施例17：中间产物M-5的合成

将32.5g(94.3mmol)的中间产物M-4和26.7g(94.3mmol)的1-溴-4-碘苯放入圆底烧瓶中，向其中添加313ml的甲苯将其溶解，向其中添加其中溶解了19.5g(141.5mmol)的碳酸钾的水溶液，并搅拌混合物。然后，向其中添加1.09g(0.94mmol)的四三苯基膦钯，并在氮气气氛下回流搅拌混合物12小时。当反应完成时，用乙酸乙酯萃取生成物，用硫酸镁干燥萃取液并过滤，并在降低的压力下浓缩滤液。然后，通过硅胶柱层析法用正己烷/二氯甲烷(9:1v/v)纯化其中的产物，得到39.5g的中间产物M-5(92％产率)。

LC-质谱(理论值：454.04g/mol，测量值：M+＝454.12g/mol，M+2＝456.11g/mol)

合成实施例18：中间产物M-6的合成

将20g(94.3mmol)的4-二苯并呋喃硼酸和23.5g(94.3mmol)的甲基2-溴-4-氯苯甲酸酯放入圆底烧瓶中，向其中添加313ml的甲苯将其溶解，向其中添加其中溶解了19.5g(141.5mmol)的碳酸钾的117ml水溶液，并搅拌混合物。然后，向其中添加1.09g(0.94mmol)的四三苯基膦钯，并在氮气气氛下回流搅拌混合物12小时。当反应完成时，用乙酸乙酯萃取生成物，用硫酸镁干燥萃取液并过滤，并在降低的压力下浓缩滤液。然后，通过硅胶柱层析法使用正己烷/乙酸乙酯(9:1v/v)纯化其中的产物，得到30.2g的中间产物M-6(95％产率)。

LC-质谱(理论值：336.06g/mol，测量值：M+＝336.14g/mol)

合成实施例19：中间产物M-7的合成

将29g(86mmol)的中间产物M-6放入降低的压力下加热并干燥的圆底烧瓶中，向其中添加430ml的无水二乙醚将其溶解，并在氮气气氛下将溶液冷却至0℃以及搅拌。然后，向其中缓慢添加72mL(215mmol)的3.0M甲基溴化镁二乙醚溶液，并在氮气气氛下在室温下搅拌混合物12小时。随后，将反应溶液冷却至0℃，向其中添加少量的蒸馏水以完成反应，向其中添加108ml的2.0M氯化铵水溶液，并用二乙醚萃取混合物。然后，用硫酸镁干燥萃取液并过滤，并在降低的压力下浓缩。不另外纯化其中的产物，但将其用于随后的反应，得到28.7g的中间产物M-7(99％产率)。

合成实施例20：中间产物M-8的合成

在降低的压力下将28.7g(85.1mmol)的中间产物M-7放入加热且干燥的圆底烧瓶中，向其中添加255ml的无水二氯甲烷将其溶解，并将溶液冷却至0℃，以及在氮气气氛下搅拌。然后，向其中缓慢添加12.1g(85.1mmol)的三氟化硼二乙醚复合物，并在氮气气氛下在室温下搅拌混合物4小时。当将反应溶液冷却至0℃时，向其中添加少量的蒸馏水以完成反应，向其中添加85ml的1.0M碳酸氢钠水溶液，并用二氯甲烷萃取混合物。随后，用硫酸镁干燥萃取液并过滤，然后在降低的压力下浓缩。然后，通过硅胶柱层析法使用正己烷/二氯甲烷(9:1v/v)纯化其中的产物，得到20.6g的中间产物M-8(76％产率)。

LC-质谱(理论值：318.08g/mol，测量值：M+＝318.19g/mol)

合成实施例21：中间产物M-28的合成

将21.5g(94.3mmol)的4-二苯并噻吩硼酸和23.5g(94.3mmol)的甲基2-溴-4-氯苯甲酸酯放入圆底烧瓶中，向其中添加313ml的甲苯将其溶解，向其中添加其中溶解了19.5g(141.5mmol)的碳酸钾的117ml的水溶液，并搅拌混合物。然后，向其中添加1.09g(0.94mmol)的四三苯基膦钯，并在氮气气氛下回流搅拌混合物12小时。当反应完成时，用乙酸乙酯萃取生成物，用硫酸镁干燥萃取液并过滤，并在降低的压力下浓缩。然后，通过硅胶柱层析法使用正己烷/乙酸乙酯(9:1v/v)纯化其中的产物，得到31g的中间产物M-28(93％产率)。

LC-质谱(理论值：352.03g/mol，测量值：M+＝352.07g/mol)

合成实施例22：中间产物M-29的合成

在降低的压力下将30.3g(86mmol)的中间产物M-28放入加热并干燥的圆底烧瓶中，向其中添加430ml的无水二乙醚将其溶解，并将溶液冷却至0℃以及在氮气气氛下搅拌。然后，向其中缓慢添加72mL(215mmol)的3.0M甲基溴化镁二乙醚溶液，并在氮气气氛下在室温下搅拌混合物12小时。将反应溶液冷却至0℃，向其中添加少量的蒸馏水以完成反应，向其中添加108ml的2.0M氯化铵水溶液，用二乙醚萃取混合物，用硫酸镁干燥萃取液并过滤，并在降低的压力下浓缩。然后，不另外纯化其中的产物，但将其用于随后的反应，得到30g的中间产物M-29(99％产率)。

LC-质谱(理论值：352.07g/mol，测量值：M+＝352.21g/mol)

合成实施例23：中间产物M-30的合成

在降低的压力下将30g(85.1mmol)的中间产物M-29放入加热并干燥的圆底烧瓶中，向其中添加255ml的无水二氯甲烷将其溶解，并将溶液冷却至0℃以及在氮气气氛下搅拌。然后，向其中缓慢添加12.1g(85.1mmol)的三氟化硼二乙醚复合物，并在氮气气氛下在室温下搅拌混合物4小时。将反应溶液冷却至0℃，向其中添加少量的蒸馏水以完成反应，向其中添加85ml的1.0M碳酸氢钠水溶液，用二氯甲烷萃取混合物，并用硫酸镁干燥过滤萃取液，并在降低的压力下浓缩。然后，通过硅胶柱层析法使用正己烷/二氯甲烷(9:1v/v)纯化其中的产物，得到21.1g的中间产物M-30(74％产率)。

LC-质谱(理论值：334.06g/mol，测量值：M+＝334.16g/mol)

合成实施例24：化合物I-23的合成

将10.4g(30.9mmol)的中间产物M-30、8.8g(30.9mmol)的(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)-苯基-胺和4.5g(46.35mmol)的叔丁醇钠放入圆底烧瓶中，向其中添加155ml的甲苯将其溶解。然后，随后向其中添加0.178g(0.31mmol)的Pd(dba)2和0.125g(0.62mmol)的三叔丁基膦，并在氮气气氛下回流搅拌混合物12小时。当反应完成时，用甲苯和蒸馏水萃取生成物，用硫酸镁干燥其中的有机层并过滤，并在降低的压力下浓缩。然后，通过硅胶柱层析法使用正己烷/二氯甲烷(8:2v/v)纯化其中的产物，得到16.2g的化合物I-23(90％产率)。

LC-质谱(理论值：598.23g/mol，测量值：M+＝598.33g/mol)

合成实施例25：化合物I-4的合成

将9.9g(30.9mmol)的中间产物M-8、9.9g(30.9mmol)的双(4-联苯基)胺和4.5g(46.35mmol)的叔丁醇钠放入圆底烧瓶中，向其中添加155ml的甲苯将其溶解们。然后，随后向其中添加0.178g(0.31mmol)的Pd(dba)2和0.125g(0.62mmol)的三叔丁基膦，并在氮气气氛下回流搅拌混合物12小时。当反应完成时，用甲苯和蒸馏水萃取生成物，用硫酸镁干燥其中的有机层并过滤，并在降低的压力下浓缩。然后，通过硅胶柱层析法使用正己烷/二氯甲烷(8:2v/v)纯化其中的产物，得到16.6g的化合物I-4(89％产率)。

LC-质谱(理论值：603.26g/mol，测量值：M+＝603.29g/mol)

合成实施例26：化合物E-113的合成

将14.1g(30.9mmol)的中间产物M-5、7.6g(30.9mmol)的联苯基-4-基-苯基胺和4.5g(46.35mmol)的叔丁醇钠放入圆底烧瓶中，并向其中添加155ml的甲苯将其溶解们。然后，随后向其中添加0.178g(0.31mmol)的Pd(dba)2和0.125g(0.62mmol)的三叔丁基膦，并在氮气气氛下回流搅拌混合物4小时。当反应完成时，用甲苯和蒸馏水萃取生成物，用硫酸镁干燥其中的有机层并过滤，并在降低的压力下浓缩。然后，通过硅胶柱层析法使用正己烷/二氯甲烷(8:2v/v)纯化其中的产物，得到17.3g的化合物E-113(93％产率)。

LC质谱(理论值：619.23g/mol，测量值：M+＝619.11g/mol)

合成实施例27：化合物E-23的合成

将14.1g(30.9mmol)的中间产物M-5、9.9g(30.9mmol)的双(4-联苯基)胺和4.5g(46.35mmol)的叔丁醇钠放入圆底烧瓶中，并向其中添加155ml的甲苯将其溶解们。然后，随后向其中添加0.178g(0.31mmol)的Pd(dba)2和0.125g(0.62mmol)的三叔丁基膦，并在氮气气氛下回流搅拌混合物4小时。当反应完成时，用甲苯和蒸馏水萃取生成物，用硫酸镁干燥其中的有机层并过滤，并在降低的压力下浓缩。然后，通过硅胶柱层析法使用正己烷/二氯甲烷(8:2v/v)纯化其中的产物，得到19.8g的化合物E-23(92％产率)。

LC质谱(理论值：695.26g/mol，测量值：M+＝695.37g/mol)

有机发光二极管的制造

实施例1-1

在玻璃基板上涂覆厚的ITO(铟锡氧化物)，并用蒸馏水超声洗涤涂覆的玻璃。用蒸馏水洗涤之后，用溶剂，如异丙醇、丙酮、甲醇等超声洗涤玻璃基板，将其移至等离子体清洁器以通过使用氧等离子体清洁10分钟，并移至真空沉积器(vacuum depositor)。将ITO透明电极用作阳极，将N4,N4’-联苯基-N4,N4’-双(9-苯基-9H-咔唑基-3-基)联苯基-4,4’-二胺(化合物A)真空沉积在ITO基板上以形成厚的空穴注入层，在空穴注入层(HIL)上沉积厚度的1,4,5,8,9,11-六氮杂三亚苯-六甲腈(HAT-CN)(化合物B)，并沉积厚度的N-(联苯基-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺)(化合物C)以形成空穴传输层。在空穴传输层上真空沉积厚度的合成实施例24的化合物I-23以形成空穴传输辅助层。随后地，在空穴传输辅助层上，通过真空沉积同时将合成实施例8的化合物A-33和合成实施例10的化合物B-10用作基质并且将10wt％的三(4-甲基-2,5-联苯基吡啶)铱(III)(化合物D)作为掺杂剂掺杂，以形成厚的发光层。在本文中，以1:1.的重量比使用化合物A-33和化合物B-10。

随后，在发光层上，以1:1的比值同时真空沉积8-(4-(4-(萘-2-基)-6-(萘-3-基)-1,3,5-三嗪-2-基)苯基)喹啉(化合物E)和Liq以形成厚的电子传输层，以及在电子传输层上，连续真空沉积的Liq和的Al以形成阴极，以制造有机发光二极管。

有机发光二极管具有包括六层有机薄层的结构，以及确切地具有以下结构：

实施例1-2

除了使用根据合成实施例27的化合物E-23代替化合物I-23用于空穴传输辅助层之外，根据与实施例1-1相同的方法制造有机发光二极管。

实施例2-1

除了使用根据合成实施例11的化合物B-31代替化合物B-10用于发光层之外，根据与实施例1-1相同的方法制造有机发光二极管。

实施例2-2

除了使用根据合成实施例27的化合物E-23代替化合物I-23用于空穴传输辅助层之外，根据与实施例2-1相同的方法制造有机发光二极管。

实施例3-1

除了使用根据合成实施例9的化合物C-10代替化合物B-10用于发光层之外，根据与实施例1-1相同的方法制造有机发光二极管。

实施例3-2

除了使用根据合成实施例27的化合物E-23代替化合物I-23用于空穴传输辅助层之外，根据与实施例3-1相同的方法制造有机发光二极管。

实施例4-1

除了使用根据合成实施例12的化合物B-43代替化合物B-10用于发光层之外，根据与实施例1-1相同的方法制造有机发光二极管。

实施例4-2

除了使用根据合成实施例27的化合物E-23代替化合物I-23用于空穴传输辅助层之外，根据与实施例4-1相同的方法制造有机发光二极管。

实施例4-3

除了使用根据合成实施例25的化合物I-4代替化合物I-23用于空穴传输辅助层之外，根据与实施例4-1相同的方法制造有机发光二极管。

实施例4-4

除了使用根据合成实施例26的化合物E-113代替化合物I-23用于空穴传输辅助层之外，根据与实施例4-1相同的方法制造有机发光二极管。

比较实施例1

除了不使用空穴传输辅助层之外，根据与实施例1-1相同的方法制造有机发光二极管。

比较实施例2

除了不使用空穴传输辅助层之外，根据与实施例2-1相同的方法制造有机发光二极管。

比较实施例3

除了不使用空穴传输辅助层之外，根据与实施例3-1相同的方法制造有机发光二极管。

比较实施例4

除了不使用空穴传输辅助层之外，根据与实施例4-1相同的方法制造有机发光二极管。

评估

测量根据实施例1-1至4-4和比较实施例1至4的有机发光二极管的发光效率和滚降特征。

以以下方法特定地进行测量，且结果示于表1中。

(1)取决于电压变化的电流密度变化的测量

测量在制造的有机发光二极管的单元装置(unit device)中流动(flowing)的电流值，同时使用电流-电压表(Keithley 2400)从0V至10V增加电压，并用测量的电流值除以面积以提供结果。

(2)取决于电压变化的亮度变化的测量

对于亮度，测量制造的有机发光二极管的发光率，同时使用亮度计(Minolta Cs-1000A)从0V至10V增加电压。

(3)发光效率的测量

通过使用来自项目(1)和(2)的发光率、电流密度和电压(V)，计算在相同的电流密度(10mA/cm²)下的电流效率(cd/A)。

(4)滚降测量

通过根据(3)的特征测量值(最大测量值-在6000cd/m²下的测量值/最大测量值)计算效率以％为单位的下降量测量滚降。

(5)寿命的测量

通过测量在电流效率(cd/A)降低至97％，同时亮度(cd/m²)保持在6000cd/m²所利用的时间来得到寿命。

[表1]

参照表1，根据实施例1-1至4-4的有机发光二极管，与根据比较实施例1至4的有机发光二极管相比，对寿命特征不具有大的影响，且同时表现出显著改善的发光效率和滚降特征。

虽然已经结合目前被认为是实用的示例性实施方式描述了本发明，应当理解，本发明并不限于所公开的实施方式，而是相反，旨在涵盖包括在附加权利要求书的精神和范围内的各种更改和等效的安排。因此，应将上述实施方式理解为是示例性的且不以任何方式限制本发明。

[符号描述]

10：阳极 20：阴极

30：有机层 31：空穴传输层

32：发光层 33：空穴传输辅助层

34：电子传输层

Claims

1.一种有机光电装置，包括

彼此面对的阳极和阴极，

所述阳极和所述阴极之间的发光层，

所述阳极和所述发光层之间的空穴传输层，以及

所述空穴传输层和所述发光层之间的空穴传输辅助层，

其中，所述发光层包含至少一种由化学式1表示的第一化合物和至少一种由化学式2表示的第二化合物，以及

所述空穴传输辅助层包含至少一种由以下的组合表示的第三化合物：由化学式3表示的部分、由化学式4表示的部分以及由化学式5表示的部分，

[化学式1]

其中，在化学式1中，

Z独立地是N、C或CR^a，

Z的至少一个是N，

在化学式1中，取代三亚苯基的6元环的总数小于或等于6，

n1至n3独立地是0或1，并且

n1+n2+n3≥1，

[化学式2]

其中，在化学式2中，

R¹¹至R¹⁴和Ar¹中的至少一个包含取代的或未取代的三亚苯基基团或取代的或未取代的咔唑基基团，

其中，在化学式3至5中，

X¹是O、S、NR^b、SO₂、PO或CO，

X²是O、S、SO₂、PO、CR^cR^d或NR^e，

Ar²和Ar³独立地是取代的或未取代的C6至C30芳基基团或取代的或未取代的C2至C30杂芳基基团，

化学式3的两个相邻*键连至化学式4的两个相邻*以提供稠环，

化学式3或4的a*、b*、R^b至R^e中的一个通过σ键连接至化学式5的c*，并且

没有结合至化学式5的c*的其余a*、b*和R^b至R^e独立地是氢、氘、取代的或未取代的C1至C20烷基基团、取代的或未取代的C6至C30芳基基团、取代的或未取代的C3至C30杂芳基基团或它们的组合，

其中，所述“取代的”是指用以下各项取代来代替取代基或化合物中的至少一个氢：氘、卤素、羟基基团、氨基基团、C1至C30胺基、硝基基团、C1至C40甲硅烷基基团、C1至C30烷基基团、C1至C10烷基甲硅烷基基团、C3至C30环烷基基团、C2至C30杂环烷基基团、C6至C30芳基基团、C2至C30杂芳基基团、C1至C20烷氧基基团、C1至C10三氟烷基。

2.根据权利要求1所述的有机光电装置，其中，所述第一化合物由化学式1-I或化学式1-II表示：

其中，在化学式1-I或1-II中，

Z独立地是N、C或CR^a，

Z的至少一个是N，

在化学式1-I和化学式1-II中，取代三亚苯基基团的6元环的总数小于或等于6，

L¹是取代的或未取代的亚苯基基团、取代的或未取代的亚联苯基基团或取代的或未取代的亚三联苯基基团，

n1至n3独立地是0或1，并且

n1+n2+n3≥1，

3.根据权利要求1所述的有机光电装置，其中，化学式1的L¹是单键、具有扭结结构的取代的或未取代的亚苯基、具有扭结结构的取代的或未取代的亚联苯基基团，或者具有扭结结构的取代的或未取代的亚三联苯基基团，

4.根据权利要求3所述的有机光电装置，其中，化学式1的L¹是单键，或者组1的取代的或未取代的基团中的一种：

[组1]

其中，在组1中，

R¹⁵至R⁴²独立地是氢、氘、取代的或未取代的C1至C10烷基基团、取代的或未取代的C3至C30环烷基基团、取代的或未取代的C2至C30杂环烷基基团、取代的或未取代的C6至C30芳基基团、取代的或未取代的C2至C30杂芳基基团、取代的或未取代的胺基团、取代的或未取代的C6至C30芳基胺基团、取代的或未取代的C6至C30杂芳基胺基团、取代的或未取代的C1至C30烷氧基基团、卤素、含卤素基团、氰基、羟基基团、氨基基团、硝基基团、羧基基团、二茂铁基基团或它们的组合，

5.根据权利要求1所述的有机光电装置，其中，所述第一化合物具有至少两个扭结结构。

6.根据权利要求1所述的有机光电装置，其中，所述第二化合物由化学式2-I至化学式2-III中的至少一个表示：

[化学式2-III]

其中，在化学式2-I至2-III中，

R¹¹至R¹⁴和R⁴³至R⁵⁴独立地是氢、氚、取代的或未取代的C1至C20烷基基团、取代的或未取代的C6至C50芳基基团、取代的或未取代的C2至C50杂芳基基团或它们的组合，

7.根据权利要求6所述的有机光电装置，其中，化学式2-I的Ar¹、Ar^1a和Ar^1b独立地是取代的或未取代的苯基基团、取代的或未取代的联苯基基团、取代的或未取代的三联苯基基团、取代的或未取代的萘基基团、取代的或未取代的蒽基基团、取代的或未取代的咔唑基基团、取代的或未取代的苯并呋喃基基团、取代的或未取代的苯并苯硫基基团、取代的或未取代的芴基基团、取代的或未取代的吡啶基基团、取代的或未取代的嘧啶基基团、取代的或未取代的吡嗪基基团、取代的或未取代的三嗪基基团、取代的或未取代的三亚苯基基团、取代的或未取代的二苯并呋喃基基团、取代的或未取代的二苯并苯硫基基团，或它们的组合，

8.根据权利要求6所述的有机光电装置，其中，由化学式2-I表示的所述化合物选自组5的化合物：

[组5]

9.根据权利要求6所述的有机光电装置，其中，由化学式2-II表示的所述化合物选自组6的化合物：

[组6]

10.根据权利要求6所述的有机光电装置，其中，由化学式2-III表示的所述化合物选自组7的化合物：

[组7]

11.根据权利要求1所述的有机光电装置，其中，所述第三化合物由化学式6至17中的一种表示：

其中，在化学式6至17中，

X¹是O、S、NR^b、SO₂、PO或CO，

X²是O、S、SO₂、PO、CR^cR^d或NR^e，

R⁵⁵、R⁵⁶和R^b至R^e独立地是氢、氘、取代的或未取代的C1至C20烷基基团、取代的或未取代的C6至C32芳基基团、取代的或未取代的C3至C30杂芳基基团或它们的组合，

Ar²和Ar³独立地是取代的或未取代的C6至C30芳基基团，或者取代的或未取代的C2至C30杂芳基基团，并且

12.根据权利要求1所述的有机光电装置，其中，所述空穴传输辅助层与所述空穴传输层和所述发光层的每个接触。

13.根据权利要求1所述的有机光电装置，其中，所述发光层包含1:10至10:1重量比的所述第一化合物和所述第二化合物。

14.根据权利要求1所述的有机光电装置，其中，所述发光层进一步包含磷光掺杂剂。

15.一种包括权利要求1至14中任一项所述的有机光电装置的显示装置。