CN106011993A - 一种电解去溢料溶液及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于集成电路封装技术领域，涉及一种电解去溢料溶液，包括异辛醇聚氧乙烯醚磷酸酯、无机盐、有机盐、有机碱以及去离子水，其各组分质量百分比为：异辛醇聚氧乙烯醚磷酸酯0.2‑1％、无机盐10‑20％、有机盐1‑5％、有机碱5‑15％，其余为去离子水。本发明的电解去溢料溶液能够很好地去除溢料而不损伤塑封体，也不会因过高的碱性而造成产品分层，保证了去溢料成品的质量。
Description
技术领域
本发明涉及集成电路封装技术领域，特别涉及一种电解去溢料溶液及其制备方法。
背景技术
IC(集成电路)包封过程中由于与框架的不匹配(如模具磨损、不平整等)、注塑工艺、框架表面粗糙度等问题造成塑封体在引线框架上溢出，形成溢料(毛刺)。溢料的存在会引起后续镀锡时漏镀或镀层剥离，影响镀层的焊接性能和外观。因此IC包封后电镀前都有溢料去除工艺。
现有技术中去溢料的方法一般分为三种：机械喷砂法、化学浸泡法、电解法。其中机械喷砂法容易使得塑封体表面受损，比较少使用；化学浸泡法对环境影响较大；与前两者相比，电解法更环保、更高效。但是通常的电解法去溢料又存在以下几个问题：
1)溶液普遍采取NaOH或KOH为主，含量达到50-150g/L，温度50-60℃，对部分塑封体易造成损伤；
2)过高的碱度会使金属框架与塑封体之间因析出氢气而剥离，形成产品内部的分层现象，这种问题对小塑封体大载体的封装形式尤其明显。
因此，有必要提供一种试剂来解决上述问题。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种电解去溢料溶液及其制备方法。
本发明通过如下技术方案实现上述目的：一种电解去溢料溶液，其特征在于：包括异辛醇聚氧乙烯醚磷酸酯、无机盐、有机盐、有机碱以及去离子水，其各组分质量百分比为：异辛醇聚氧乙烯醚磷酸酯0.2-1％、无机盐10-20％、有机盐1-5％、有机碱5-15％，其余为去离子水。
具体的，所述无机盐为硫酸钾或硫酸钠。
具体的，所述有机盐为单乙醇胺、二乙醇胺或α-吡络烷酮中的一种。
具体的，所述无机盐为柠檬酸钾或氨基磺酸钾。
具体的，所述化学退镀液还包括质量百分比0-5％的硝酸稳定剂。
一种电解去溢料溶液的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
①按配比将异辛醇聚氧乙烯醚磷酸酯加入10倍质量的去离子水溶解，加热至40℃，搅拌30min混合均匀
②按配比将无机盐用足量去离子水溶解完全，再按配比加入有机盐溶解完全，混合均匀；
③将以上两溶液按1:1混合，然后按配比加入有机碱和余量水，搅拌1h，即可。
采用上述技术方案，本发明技术方案的有益效果是：
本发明的电解去溢料溶液能够很好地去除溢料而不损伤塑封体，也不会因过高的碱性而造成产品分层，保证了去溢料成品的质量。
具体实施方式
一种电解去溢料溶液的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
①按配比将异辛醇聚氧乙烯醚磷酸酯加入10倍质量的去离子水溶解，加热至40℃，搅拌30min混合均匀
②按配比将无机盐用足量去离子水溶解完全，再按配比加入有机盐溶解完全，混合均匀；
③将以上两溶液按1:1混合，然后按配比加入有机碱和余量水，搅拌1h，即可。
下面结合具体实施例对本发明作进一步详细说明。
实施例1
①将0.2％异辛醇聚氧乙烯醚磷酸酯加入2％去离子水溶解，加热至40℃，搅拌30min混合均匀
②将10％硫酸钾用81％去离子水溶解完全，再加入1％柠檬酸钾溶解完全，混合均匀；
③将以上两溶液按1:1混合，然后加入5％单乙醇胺和0.8％水，搅拌1h，即可。
实施例2-6
按表1中指定的各组分质量百分比重复实验实施例1的方法，得到不同配比的电解去溢料溶液(略去去离子水)。
表1：
配方中异辛醇聚氧乙烯醚磷酸酯提供良好的浸润性能，有机碱提供弱碱性环境，有机盐减缓对铜和钢等材料的腐蚀，无机盐提高溶液导电性。
实施例1-6制得的电解去溢料溶液分别对有溢料产品按照普通电解法进行处理，并用普通强碱性电解去溢料溶液处理过的产品作为对照例，进行测试。
检测方法为：
①显微观察：将处理后产品放在显微镜下观察表面溢料残留和塑封体有无损伤情况；
②超声检查：对处理后产品进行超声扫描，检查产品内部是否有因鼓泡而发生的分层现象。
表2：
| 去溢料能力 | 塑封体损伤 | 是否分层 | |
| 实施例1 | 无溢料残留 | 塑封体无损伤无变色 | 无 |
| 实施例2 | 无溢料残留 | 塑封体无损伤无变色 | 无 |
| 实施例3 | 无溢料残留 | 塑封体无损伤无变色 | 无 |
| 实施例4 | 无溢料残留 | 塑封体无损伤无变色 | 无 |
| 实施例5 | 无溢料残留 | 塑封体无损伤无变色 | 无 |
| 实施例6 | 无溢料残留 | 塑封体无损伤无变色 | 无 |
| 对照例 | 无溢料残留 | 塑封体受损发白 | 有 |
由表2可知，相比于对照例，本发明对溢料同样具有良好的去除效果，但对塑封体不会有很大的破坏，也不会因强碱性而导致分层问题，保证了去溢料成品的质量，能够取代目前市面上常用的强碱性电解去溢料溶液。
以上所述的仅是本发明的一些实施方式。对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。
Claims (5)
1.一种电解去溢料溶液，其特征在于：包括异辛醇聚氧乙烯醚磷酸酯、无机盐、有机盐、有机碱以及去离子水，其各组分质量百分比为：异辛醇聚氧乙烯醚磷酸酯0.2-1％、无机盐10-20％、有机盐1-5％、有机碱5-15％，其余为去离子水。
2.根据权利要求1的电解去溢料溶液，其特征在于：所述无机盐为硫酸钾或硫酸钠。
3.根据权利要求1的电解去溢料溶液，其特征在于：所述有机盐为单乙醇胺、二乙醇胺或α-吡络烷酮中的一种。
4.根据权利要求1的电解去溢料溶液，其特征在于：所述无机盐为柠檬酸钾或氨基磺酸钾。
5.关于权利要求1-4任一所述的电解去溢料溶液的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
①按配比将异辛醇聚氧乙烯醚磷酸酯加入10倍质量的去离子水溶解，加热至40℃，搅拌30min混合均匀
②按配比将无机盐用足量去离子水溶解完全，再按配比加入有机盐溶解完全，混合均匀；
③将以上两溶液按1:1混合，然后按配比加入有机碱和余量水，搅拌1h，即可。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107881019A (zh) * | 2017-11-02 | 2018-04-06 | 上海新阳半导体材料股份有限公司 | 一种低碱度环保电解去除溢料的溶液、其制备方法及其应用 |
| CN114836815A (zh) * | 2022-04-19 | 2022-08-02 | 池州市鼎弘半导体科技有限公司 | 一种中性电解去溢料液 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112899765A (zh) * | 2021-01-19 | 2021-06-04 | 池州市鼎弘半导体科技有限公司 | 一种中性去溢料电解液及其制备工艺、使用方法 |
Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4781804A (en) * | 1988-03-02 | 1988-11-01 | Delco Electronics Corporation | Electrolytic organic mold flash removal |
| CN101812719A (zh) * | 2010-04-02 | 2010-08-25 | 上海元豪表面处理有限公司 | 低碱度电解去毛刺溶液、其制备方法及使用方法 |
| CN101864590A (zh) * | 2010-04-26 | 2010-10-20 | 南京三乐电子信息产业集团有限公司 | 一种钼栅网电解抛光用的电解液及其制备方法和应用 |
| CN102453444A (zh) * | 2010-10-26 | 2012-05-16 | 比亚迪股份有限公司 | 一种用于非晶合金的抛光液以及一种非晶合金的抛光方法 |
| CN102808190A (zh) * | 2012-08-31 | 2012-12-05 | 昆山艾森半导体材料有限公司 | 环保型弱碱性低温去毛刺软化液及其制备方法和使用方法 |
| CN102864458A (zh) * | 2012-08-31 | 2013-01-09 | 昆山艾森半导体材料有限公司 | 一种环保型弱酸性去毛刺软化液及其制备方法和使用方法 |
| CN103354270A (zh) * | 2013-07-01 | 2013-10-16 | 宁波康强电子股份有限公司 | 一种emc封装led引线框架去溢料工艺 |
| CN103500713A (zh) * | 2013-09-28 | 2014-01-08 | 宁波康强电子股份有限公司 | 预包封引线框架的制造方法 |
| CN104480522A (zh) * | 2014-12-03 | 2015-04-01 | 南京三乐电子信息产业集团有限公司 | 磁控管用的钽箔材料一次发射体电解去毛刺及氧化层溶液及其去毛刺方法 |
| CN105470232A (zh) * | 2015-12-30 | 2016-04-06 | 宁波康强电子股份有限公司 | 一种预包封引线框架的制造方法 |
| TW201615903A (zh) * | 2014-10-24 | 2016-05-01 | 化研科技股份有限公司 | 除溢料用電解液組合物以及溢料的除去方法 |
-
2016
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Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4781804A (en) * | 1988-03-02 | 1988-11-01 | Delco Electronics Corporation | Electrolytic organic mold flash removal |
| CN101812719A (zh) * | 2010-04-02 | 2010-08-25 | 上海元豪表面处理有限公司 | 低碱度电解去毛刺溶液、其制备方法及使用方法 |
| CN101864590A (zh) * | 2010-04-26 | 2010-10-20 | 南京三乐电子信息产业集团有限公司 | 一种钼栅网电解抛光用的电解液及其制备方法和应用 |
| CN102453444A (zh) * | 2010-10-26 | 2012-05-16 | 比亚迪股份有限公司 | 一种用于非晶合金的抛光液以及一种非晶合金的抛光方法 |
| CN102808190A (zh) * | 2012-08-31 | 2012-12-05 | 昆山艾森半导体材料有限公司 | 环保型弱碱性低温去毛刺软化液及其制备方法和使用方法 |
| CN102864458A (zh) * | 2012-08-31 | 2013-01-09 | 昆山艾森半导体材料有限公司 | 一种环保型弱酸性去毛刺软化液及其制备方法和使用方法 |
| CN103354270A (zh) * | 2013-07-01 | 2013-10-16 | 宁波康强电子股份有限公司 | 一种emc封装led引线框架去溢料工艺 |
| CN103500713A (zh) * | 2013-09-28 | 2014-01-08 | 宁波康强电子股份有限公司 | 预包封引线框架的制造方法 |
| TW201615903A (zh) * | 2014-10-24 | 2016-05-01 | 化研科技股份有限公司 | 除溢料用電解液組合物以及溢料的除去方法 |
| CN104480522A (zh) * | 2014-12-03 | 2015-04-01 | 南京三乐电子信息产业集团有限公司 | 磁控管用的钽箔材料一次发射体电解去毛刺及氧化层溶液及其去毛刺方法 |
| CN105470232A (zh) * | 2015-12-30 | 2016-04-06 | 宁波康强电子股份有限公司 | 一种预包封引线框架的制造方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 叶德洪等: "电解去溢料工序参数对IC封装体第二焊线区分层的影响", 《电镀与精饰》 * |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107881019A (zh) * | 2017-11-02 | 2018-04-06 | 上海新阳半导体材料股份有限公司 | 一种低碱度环保电解去除溢料的溶液、其制备方法及其应用 |
| CN114836815A (zh) * | 2022-04-19 | 2022-08-02 | 池州市鼎弘半导体科技有限公司 | 一种中性电解去溢料液 |
| CN114836815B (zh) * | 2022-04-19 | 2023-10-20 | 池州市鼎弘半导体科技有限公司 | 一种中性电解去溢料液 |
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