CN105940518A - 借助烧结来沉积有机光活性层 - Google Patents

Abstract

本发明涉及用于制备包括衬底(11)和至少一个层(13)的有机元器件的方法，其中所述至少一个层借助烧结工艺制备；本发明还涉及通过根据本发明的方法制备的有机元器件。

Description

借助烧结来沉积有机光活性层

技术领域

本发明涉及用于制备有机元器件的方法，所述有机元器件包括衬底和至少一个层，其中所述至少一个层借助烧结工艺制备；本发明还涉及通过根据本发明的方法制备的有机元器件。

现有技术

当前，有机电子元器件的许多应用(例如，有机发光二极管、有机发光电化学电池、有机光伏器件、有机场效应晶体管或有机光电探测器)在工艺技术方面要么通过物理气相或湿化学涂覆方法要么通过压印方法来实现，其中这些方法例如可用来构造相应的组件架构。在此，气相沉积优先应用于有机小分子的情况，湿化学工艺既应用于有机小分子的情况又应用于聚合物的情况。

(物理)气相沉积是一种基于真空的涂覆方法。与化学气相沉积相反，借助物理方法向气相中传送原料。随后将气态材料导向涂覆的衬底，该气态材料沉积在此处并形成目标层(靶层)。为使蒸汽颗粒也到达衬底并且不会由于在气体颗粒上的散射而损失，该方法必须在负压下工作。典型的工作压力处于10^-4Pa至约10Pa的范围。因此，该方法通常要求昂贵的工艺技术。

在湿化学沉积的情况中，借助溶剂、添加剂和/或分散剂将小分子或聚合物引入溶液中或引入分散液中并且借助各种涂覆方法沉积在衬底上。在此，既可使用各种涂覆技术(例如，旋涂、狭缝涂布、喷涂等)又可使用压印技术(例如，丝网印刷、柔版印刷、凹版印刷)制备均匀的湿膜。在溶液的情况下可使用各种单独的溶剂或溶剂混合物形成更均匀的层。有些涂覆方法需要额外的添加剂，以例如使溶液/分散液的粘度适应相应的涂覆技术。然而，添加剂的使用可不利地影响元器件性能。另外，多种小分子和聚合物不溶于无害的溶剂(例如，水，或诸如苯甲醚、苯乙醚的有机溶剂)，而是仅溶于有害的、部分致癌的溶剂，如氯苯、二氯苯、氯仿等。在使用这种类型的溶剂的情况下的任意元器件的制造只能在增加的且成本昂贵的安全措施、防护罩和人员培训下实现。

对于某些应用来说还需要具有多于10(数十)至多于100(数百)μm的均匀厚度的层。这种类型的应用例如是有机的、对X射线敏感的光电探测器，其通过吸收X射线的层来表征。

如果从气相中沉积这种层，则材料损失(>90％)和过低的通量(即，层厚度/时间单位)使得这样的元器件的制造是不经济的。

如果从溶液中例如通过狭缝涂布沉积这种层，则对于最大固体浓度通常不超过3％的界限(相对于溶剂计的固体)的、稳定的、典型的有机溶液/分散液而言，必须涂覆/涂布约17mm的湿膜，以随后获得500μm的探测器层厚。虽然可设想通过一种溶剂滞留方法来涂覆这种低粘度溶液，但是在余留的膜中没有干燥效应，例如膜的咖啡渍效应和/或环形或线状断裂的情况下，溶剂的均匀蒸发成为重大挑战。如果还使用溶剂如氯苯或二氯苯，则所述干燥问题还伴随着生产人员的健康风险。尤其是有机材料P3HT和PCBM(这些有机材料在文献中通常在有机光伏器件和光电二极管元器件中用作空穴或电子输送体)只能以足够的固体浓度溶解于这些类型的(卤化)溶剂中。

不仅在许多目前湿膜沉积中，而且在气相沉积中，都同样与技术相关地损失了较大的材料量。在此通常在整个活性表面上涂覆(例如，在旋涂或喷涂的情况下)。在大多数情况下，所损失的材料份额不可收回并且为多于90％。

因此，迄今却还未能令人满意地解决以下问题：在使用少量材料但无需昂贵的工艺技术并且尤其是无健康风险地构造层的情况下进行在层厚度高的均匀层上具有高通量的材料沉积。

因此，需要针对有机材料的涂覆方法，该涂覆方法实现了在制备层厚度高的均匀层时的高通量以及在无需昂贵的工艺技术的情况下的低的材料用量，尤其是在没有员工健康风险的情况下的层的构造。

发明概述

在本发明中描述了如下可能性，其中可以通过烧结工艺从干燥相沉积颗粒状的有机半导体材料。

根据一个方面，本发明涉及用于制备有机元器件的方法，所述有机元器件包括衬底和至少一个层，其中所述至少一个层借助烧结工艺制备，该方法包括：

a)准备包括至少一种有机半导体组分的粉末；

b)将所述粉末施加在衬底上；

c)施加压力以压实所述粉末。

本发明进一步涉及通过本发明的方法制备的有机元器件。

本发明的其它方面可由从属权利要求和发明详述中得到。

附图说明

附图旨在演示本发明的实施方式以及为其提供进一步的理解。它们结合附图说明一起用来阐释本发明的构思和原理。参照附图得出其它实施方式和许多所提及的优点。附图的要素并不一定是相互按比例地示出的。在附图的图中，同样的、功能相同和作用相同的要素、特征和组件各自设有相同的附图标记，除非另有说明。

图1示意性示出了光电二极管的原理作用方式。

图2示意性示出了光电二极管。

图3示意性示出了用于有机层的烧结设备的一种构造。

图4示意性示出了用于有机层的烧结设备的另一种构造。

图5示出了在烧结设备中压实前的粉末。

图6示出了压实的粉末。

图7示出了在压实前引入铝箔作为接触层。

图8示出了在压实前多种粉末的分层。

图9示出了示例性的根据本发明的光电二极管的电流电压特征曲线。

发明详述

接下来详细介绍一种新的针对有机光电活性材料的涂覆方法，即，烧结包括至少一种有机半导体组分的光电活性的有机粉末，例如烧结单相或多相的小分子、聚合物以及二者的混合物。所提及的涂覆方法对于有机光电二极管而言被证实是成功的并因此也可用于其它现有的元器件类别，例如光伏电池、发光二极管或电化学电池。

根据第一方面，本发明涉及用于制备包括衬底和至少一个层的有机元器件的方法，其中所述至少一个层借助烧结工艺制备，该方法包括：

a)准备包括有机半导体组分的粉末，或者准备由至少一种有机半导体

组分组成的粉末；

b)将所述粉末施加在衬底上；

c)施加压力以压实所述粉末。

根据具体实施方式，所述有机半导体组分是半导体性的。另外，根据具体实施方式，所述层是光电活性层。

在此，待加工的物质作为由至少一种有机半导体组分组成的或包括至少一种有机半导体组分(例如包括光电活性的有机单相或多相小分子或聚合物或二者混合物)的粉末，优选地作为干燥的粉末施加在相应元器件架构的各个待涂覆的基底/衬底上，并且随后通过例如用冲模、辊等施加压力，在特定烧结温度，例如甚至20-25℃的室温和烧结时间下被压实。在此，原料颗粒被压实并且孔隙被填充。既可设想固相烧结，即不熔化有机材料的情况下将材料压实，也可设想液相烧结，即通过熔化有机材料将材料压实(例如直接在烧结冲模与有机表面之间的接触面上)。通过在压力和任选地温度下将分子压实，间隙被这样最小化和压缩，使得在施加电压时能够例如通过各分子间或聚合物链条间的跳跃或氧化还原过程来实现电荷传输。以此方式能够实现高(和低)层厚度的均匀的有机材料层，而无需高通量的情况下的昂贵的真空工艺技术并且不存在由于可能的溶剂带来的健康风险。

根据本发明，压力的施加不是特别受限的，并且可通过适合的设备实现。根据优选实施方式，压力的施加是通过使用冲模或辊来实现的，所述冲模或辊优选地涂覆有防粘涂层如通过以防粘涂层，例如来涂覆，能够实现特别非常均匀的层表面。冲模和/或辊的使用也能够在工艺技术上易于实施。冲模或辊的材料不是特别受限的并且可包括例如铝、钢、PVC或

只要造成烧结，所施加的压力不是特别受限的。根据具体实施方式，施加0.1至10.000Mpa，更优选地0.5至200Mpa，特别优选地1至50Mpa的压力。烧结时间也不是特别受限的并且根据具体实施方式为0.1s至60min，优选地1s至30min并且特别优选地5至10min。在烧结时间过长的情况下，不能获得更好的结果并且可导致层的劣化，相反，烧结时间过短则不能实现层的充分地烘烤。

根据具体实施方式，在步骤c)中，在施加压力以压实粉末之前加热衬底，例如加热到30至300℃，优选地50至200℃的温度。由此可改善烧结过程。

根据本发明制备的层能够根据烧结的层(可能地单独熔化或在整个面积上熔化的区域)的形貌和表面光洁度验证和表征。

也可以例如通过无溶剂痕迹、不含添加剂和分散剂间接地得到关于烧结工艺的结论。作为研究方法可以考虑：光学显微镜、扫描电子显微镜、原子力显微镜、二次离子质谱气相色谱、伏安法等。

在根据本发明的方法中，衬底不是特别受限的并且可包括所有惯常地用于有机元器件的衬底。因此，衬底例如可包括玻璃、氧化铟锡(ITO)、氧化铝锌、掺杂的氧化锡、硅等。根据具体实施方式，衬底可具有第一电触点，例如金属如Cu或Al，以及ITO、氧化铝锌、掺杂的氧化锌等，和任选地第一中间层，正如例如存在于电子有机元器件中的那些。

在根据本发明的方法中，有机半导体组分不是特别受限的。根据具体实施方式，有机半导体组分由形成BHJ层(英文是bulk hetero junction(本体异质结))的至少两种化合物，例如受体材料和供体材料组成。在具体实施方式中也可包含例如第三组分如p型的二次供体聚合物。

强电子供体(电子亲和性低)的典型代表例如是共轭聚合物聚(3-己基噻吩)(P3HT)。电子受体(电子亲和性高)的典型材料是富勒烯及其衍生物，如[6,6]–苯基C61丁酸甲酯(PCBM)。此外还可以使用以下材料：例如，聚亚苯基亚乙烯(Polyphenylenvinylen)及其衍生物，如氰基衍生物CN-PPV、MEH-PPV(聚(2-(2-乙基己氧基)-5-甲氧基-对亚苯基亚乙烯))、CN-MEH-PPV、或酞菁。

对于受体材料和供体材料的合适的混合比例，BHJ层形成了由电子供体畴和电子受体畴构成的双连续网络，正如图2中关于示例性光电二极管所示出的。根据图1中示例性示出的有机光电二极管表明了有机半导体组分的作用方式。

首先，简略地阐述二极管的原理性构造和作用方式。有机光电二极管在其最简单的设计方式中由布置在两个电极之间的BHJ层(本体异质结)构成。典型的电极材料例如是ITO作为透明阳极A，而铝作为不透明阴极K。对于受体材料和供体材料的合适的混合比例，BHJ层形成了由电子供体畴和电子受体畴构成的双连续网络(图1和2)。

借助图1阐述有机光电二极管的作用方式。如果具有足够能量(hv>E_g)的光子落在供体/受体层如P3HT/PCBM-BHJ层上，则其可被共轭聚合物P3HT吸收。在此，电子从聚合物的π能带(HOMO)升入π*能带(LUMO)；由于这时在HOMO中缺失的电子而在HOMO中产生了空穴。电子和空穴通过它们的库仑引力接合并且通常形成了夫伦克尔激子。所述激子在其产生后首先在步骤1中扩散至供体-受体界面。这里，在步骤2中进行从供体4如P3HT到受体5如PCBM的电子传输。所产生的电子和空穴在步骤3中由于电场而按各传输路径(空穴穿过P3HT和电子穿过PCBM)漂移至电极。

有机的电活性材料的烧结根据本发明的涂覆方法并不限于P3HT/PCBM体系，而是能够扩展并且传递至例如具有以下特征的材料：

-一般来说用于制备半导体电极或半导体电极表面，例如还通过利用银薄片或金颗粒，

-制备颗粒层状体系如具有任意电子和空穴传输特性的可溶和不可溶的无机和有机半导体材料的混合物和层序列，尤其是制备均匀的电荷传输层，

-制备与基体结合的发射层，

-在光学结构元件和显示器上或中制备光去耦层。

在根据本发明的方法中，至少一种有机半导体组分在此作为粉末提供，其中所述粉末根据本发明不进一步受限。优选地，所述粉末作为干燥的粉末提供，其中根据具体实施方式，所述粉末中也可加入少量溶剂，例如少于10重量％，或少于5重量％的溶剂，以粉末重量计。当粉末中加入少量溶剂时，粉末可变得发粘，由此例如在施加至衬底时，可有利于粉末的加工，并且由此必要时(任选地)也可能需要较少地加热衬底。

根据具体实施方式，所述粉末由直径为0.01至200μm,优选地0.5至100μm并且特别优选地1至10μm的粉末颗粒构成。当粉末颗粒过大时，会难以压实，相反，当粉末颗粒过小时，不能形成适合的畴。最好的结果在直径为1至10μm的颗粒的情况下获得，其中颗粒直径例如可根据筛析法确定并且可使用相应的具有1和10μm的孔的筛子。

根据具体实施方式，在提供所述粉末时可能的是，将有机半导体组分，例如所述至少两种化合物借助至少一种第一溶剂溶解，随后通过添加另外的物质沉淀并且最后将所述至少一种第一溶剂和所述另外的物质去除，例如通过抽吸、过滤或蒸发溶剂等。适合用于溶解和沉淀的物质在此不受限制，可根据应用目的适当地选择并且还可包括混合物。因此，例如在使用P3HT和PCBM的情况下使用氯仿作为溶剂，使用乙醇作为沉淀剂。由此可制备对于所述烧结而言优选可应用的粉末。

在步骤b)和/或c)中制备所述层后，任选地可以施加第二中间层以及随后施加第二电触点(金属如Al、Cu，或ITO，氧化锌铝，掺杂氧化锡等)并且将它们优选地一起烧结。供选择地，也可任选地通过其它工艺步骤如蒸发等施加第二中间层以及随后第二电触点。第二电触点也可作为固定层通过粘结来施加，例如第二电触点可通过引入金属箔实现。此外，第二电触点也可用作新的底层/新的衬底，在其上可再次以本发明的方法施加新的层。因此，根据本发明也可设想多层结构。也可在具有有机半导体组分的层上施加具有有机(半导体)组分的层，从而也可在这里形成有机层的多个层，它们可彼此隔开或也可被烧结在一起。

根据具体实施方式，所述层可施加在不包括电极材料的衬底如玻璃上，并且随后可将电触点施加在步骤b)中的粉末侧上或步骤c)中的压实的粉末侧上，因此例如同样被施加在靠近该层的衬底上。

供选择地，该层可施加在临时衬底上(例如玻璃或聚合物膜)并且随后从那里取下，以作为自支撑层进一步加工。例如，所述自支撑层可在底侧和顶侧上用金属箔覆盖并烘烤或焊入。

为使该层能够更准确地定位在衬底上，根据具体实施方式，粉末的施加可被局部地定界，例如通过使用边框，进一步优选地通过使用至少在内侧涂覆有防粘涂层如的边框。边框的形状在此不是特别受限的并且可以是圆/环形、椭圆形、正方形、矩形或以另外的形状。边框高度也没有进一步的限制，然而优选地可具有与通过本发明的方法应可制备的层的厚度同样的高度或者更大的高度。因此，该层在制备后根据具体实施方式可具有至少1μm，优选地至少10μm，进一步优选地至少100μm的厚度。如上，该层的厚度取决于所期望的应用目的，但是根据具体实施方式也可为多于100μm(例如X射线探测器)或更多。边框的材料不是特别受限的并且可包括例如铝、钢、PVC或

在另一方面，本发明涉及借助根据本发明的方法制备的有机元器件。在此，通过根据本发明的方法制备的有机元器件的特征例如是由于具有空隙较少的有机半导体的改善的层而带来的更好的载流子迁移性和进而层材料的改善的密度和更好的均匀分布。在使用干燥的粉末的情况下，还避免了在有机元器件中的溶剂残留。另外在同时烧结多个层的情况下能够形成多层，其中单个层不受制备工艺的影响。因此，例如在使用溶剂涂覆的情况下，相应的刚涂覆的和任选地硬化的层在涂覆下一层时可被所使用的溶剂溶解，这可导致层边界的混合。通过根据本发明的方法，还可制备具有包含有机半导体组分的层的元器件，所述层的厚度为至少1μm，优选地至少10μm和进一步优选地至少100μm。

根据具体实施方式，该有机元器件是光电元器件，优选地光电探测器。然而此外也包括如有机光电二极管、光伏电池、发光二极管或电化学电池的元器件类别。

原则上，该涂覆方法可用于以下元器件类型：

-有机发光二极管

-有机发光电化学电池

-有机光伏器件

-有机场效应晶体管

-针对不同辐射带宽的有机光电探测器。

通过根据本发明的方法，同时实现了以下特征：高通量+均匀涂层+高的材料利用率/几乎无材料损失+无需昂贵的工艺技术+没有因溶剂剩余而造成的健康问题。

上述这些实施方式、设计方式和扩展方式能够按需以任意方式彼此结合。本发明进一步可能的设计方式、扩展方式和实施方式还包括没有明确提及的之前或在下文中的与实施例所阐述的本发明特征相关的组合。特别地，本领域技术人员也添加单个方面作为对本发明的各基本形式的改进或补充。

实施例

接下来借助几个示例性实施方式阐述本发明，然而这些实施方式不是限制性的。

下面根据有机光电二极管的制备来示例性地说明根据本发明的涂覆方法。

作为实施例，研制出P3HT/PCBM胶体。用这样的材料加工元器件层迄今都是以湿化学的方式实现的，而不是从干燥相通过烧结实现的。

基于上述理由，从这样的供体-受体材料制备烧结层存在问题。因此，将该过程分成独立的两个分步骤。

1)制备与烧结层适配的P3HT/PCBM胶体结构

首先，对由形成层所需的材料制备均匀分布的颗粒状粉末进行描述。

所有材料和溶剂都在手套箱中或者在适宜条件下清洁且无氧地进行处理，同样直至组装的、能使用的材料混合物的所有工作都在这样的条件下进行。

为此，在圆底烧瓶中将P3HT和PCBM以相同的重量比例溶解于氯仿中。随后，对该混合物进行超声处理并且向超声处理过的混合物中添加约1.5倍体积的乙醇。乙醇的添加立即导致形成细小的、在其组成上均匀的混合颗粒，所述混合颗粒在关闭超声波时缓慢地沉淀。

这时伴随着惰性气体的吹扫将圆底烧瓶将圆底烧瓶接在真空旋转蒸发仪上，以便在所调节的浴温下从混合物中去除大部分氯仿(约30℃)。

这时，借助玻璃熔块(Schlenkfritte)对余留的含乙醇的颗粒悬浮液进行抽吸并且用乙醇清洗多次，在惰性气体流中干燥。产率几乎是定量的。

在进一步处理所得到的半导体材料之前，在惰性气体中要么在研钵中要么在振动球磨机中对该材料进行精细研磨。该后处理用于在干燥所述熔块内含物(Fritteninhalt)之后形成可流动的粉末。

II)实施有机层的烧结

在图3中示出了用于有机层的烧结设备的示意图，该烧结设备包括加热板10、衬底11、(任选的)下部电极12、待烧结或经烧结的层13、填充环/边框14、压制模具15和用于施加压力的砝码/从外部施加的压力15。

为了实现具有烧结的P3HT/PCBM层的有机光电二极管，这时，用精细粉碎的P3HT/PCBM胶体粉末覆盖作为衬底11的ITO阳极结构(例如结构化的ITO玻璃)的活性区域。为了设置目标层厚度并且准确地限定待烧结的区域，可将直径比压制模具(烧结冲模)大100μm左右的填充环13放置于ITO衬底上。从而所用材料被以最准确的方式量取并且烧结边缘被均匀地界定。同时，在烧结工艺之前称量了材料重量并由此实现了对之后的层厚度的良好控制。在此，ITO衬底11位于温度被控制在室温至>160℃的加热板10上。在约5MPa的压力下，通过压力设备将压制模具14(烧结冲模)压入填充环13中、压在P3HT/PCBM胶体粉末上。另外将加热板10加热至140℃的温度。这时，压力和温度使得胶体粉末被压实在ITO阳极上。在约5-10分钟的烧结时间后释放压力并最后再次移除压制模具14。留下的是固定在ITO阳极上的烧结层12(对于本实施例，所达到的层厚度为180μm。然而在此于不用填充环的情况下进行烧结)。为了防止P3HT/PCBM余留在压制模具14上或在取下压制模具14时烧结层断裂，该压制模具可例如为由铝或钢制成的模具，在压力面上涂覆有(例如借助CVD，化学气相沉积)。压制模具14也可完全由制成。填充环13也可涂覆有

图5和6以微观层面示出了烧结机理。图5中，未压实的粉末30在衬底11上填充进填充环14中。粉末颗粒之间的距离大且不一定存在连续的接触。图6示出了在压力和温度下压实后的烧结层12。颗粒相接触并且因熔化和压制而变形。

在烧结后，将铝阴极(层厚度约200nm)借助物理气相沉积蒸镀至所述烧结层上。供选择地可示出，可在烧结过程中就引入一块冲制的铝箔31作为顶触点(参见图7)。

图8中示出了用于施加第二触点或第二层的另一替代方案。在此，将两种不同的粉末30和32层叠并且共同压制。

图9中示出了具有烧结的P3HT/PCBM层的光电二极管的电流密度-电压特征曲线。这里既绘出了暗电流特征曲线51又绘出了亮电流特征曲线52。明显可以观察到典型的有机光电二极管的整流性能，该有机光电二极管的暗电流51在-10V时为6.9×10^-6mA/cm²和在+10V时为5.5×10^-5mA/cm²。另外还观察到，在用卤素灯的光线入射时，二极管以在-10V时3.7×10^-5mA/cm²的亮电流52的形式响应。

由此首次说明了具有烧结的P3HT/PCBM异质结的有机光电二极管的基本的可行性。

图4中介绍了用于辊对辊工艺的“烧结机械”的另一实施方式。在此所涉及的是“可加热式轧机”。原则上已经存在如此工作的机械，例如以电子影印机(复印机和激光打印机)的形式，并且其可相应地适配于根据本发明的方法。图4中绘制出复印机的原理图，当墨盒24填充以所述的有机半导体材料时，该复印机能够用于在柔性衬底20上制备这样的烧结层。成像鼓(Bildtrommel)26在此通过充电设备21静电式地充电，来自光源22的光线通过样品模型V(其绘制出如在复印时待成像的所需结构)反射并且经由透镜23照射至成像鼓26上，并且因此通过用反射光去除电荷而在成像鼓26上相应地形成成像区域。这时，将有机半导体材料借助墨盒24施加至成像鼓26上并施用至由支承设备25装载的衬底20上，其中衬底20被成像鼓26和配对轧辊28导引。设置加热轧辊27作为固定单元，所述加热轧辊27例如在140-180℃对所述材料进行烧结。根据本发明的烧结工艺的所有材料都是静电活性的并且能够从(色粉)墨盒施用。以该方式也可施用电极。

对于非柔性衬底，可以通过线性的衬底传输来实现适当的复印机模块的布置。

因此，通过R2R工艺(例如使衬底在分段烧结装置(Sinterkaskade)中多次穿过)可以实现有机半导体层体系的制备和高效生产。

Claims (14)

1.用于制备有机元器件的方法，所述有机元器件包括衬底和至少一个层，其中所述至少一个层借助烧结工艺制备，所述方法包括：

a)准备包括至少一种有机半导体组分的粉末；

b)将所述粉末施加在衬底上；

c)施加压力以压实所述粉末。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在步骤c)中，在施加压力以压实所述粉末之前加热所述衬底。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述有机半导体组分由至少两种化合物组成。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述至少两种化合物借助至少一种第一溶剂溶解，随后通过添加另外的物质沉淀并且最后去除所述第一溶剂和所述另外的物质。

5.根据权利要求1至4之一所述的方法，其中，所述粉末由直径为0.01至200μm，优选地0.5至100μm并且特别优选地1至10μm的粉末颗粒形成。

6.根据前述权利要求之一所述的方法，其中，所述衬底具有第一电触点和任选地第一中间层。

7.根据前述权利要求之一所述的方法，其中，在制备所述层之后，任选地施加第二中间层以及随后施加第二电触点并且优选地将它们一起烧结。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第二电触点通过引入金属箔实现。

9.根据权利要求1至5之一所述的方法，其中，将电触点施加在步骤b)中的粉末侧上或步骤c)中经压实的粉末侧上。

10.根据前述权利要求之一所述的方法，其中，粉末的施加被局部地定界，优选地通过使用边框，进一步优选地通过使用至少在内侧涂覆有防粘涂层如的边框。

11.根据前述权利要求之一所述的方法，其中，在制备后，所述层具有至少1μm，优选地至少10μm，进一步优选地至少100μm的厚度。

12.根据前述权利要求之一所述的方法，其中，所述施加压力通过使用冲模或辊实现，所述冲模或辊优选地涂覆有防粘涂层如

13.有机元器件，其根据前述权利要求之一所述的方法制备。

14.根据权利要求13所述的有机元器件，其特征在于，所述有机元器件为光电元器件，优选地光电探测器。