CN105940480B - 用于减少掉落颗粒缺陷的底部泵送与净化以及底部臭氧清洁硬件 - Google Patents

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Abstract

本文所述的实施例总体上涉及防止半导体处理腔室内的污染物沉积以及从半导体处理腔室移除污染物。底部净化与泵送分别防止基座加热器下方的污染物沉积或从基座下方排出污染物。底部净化防止污染物沉积在基座下方，并且提供从定位成与被处理的基板基本上共面的处理腔室排气。底部泵送从处理腔室移除存在于基座下方的污染物。具体地，本文所述的实施例涉及经由基座波纹管和/或均衡端口的净化与泵送。

Description

用于减少掉落颗粒缺陷的底部泵送与净化以及底部臭氧清洁 硬件
背景
技术领域
本文所述的实施例总体上涉及防止半导体处理腔室内的污染物沉积以及从半导体处理腔室移除污染物。更具体地，本文所述的实施例涉及用于减少掉落颗粒缺陷的底部泵送与净化以及底部臭氧清洁硬件。
背景技术
紫外线(UV)半导体处理腔室和工艺可用于在半导体基板上形成含硅膜。这些膜包括低k和超低k电介质，分别具有小于大约4.0和2.5的k值。可通过将空隙并入低k电介质基质内以形成多孔的电介质材料来制造超低k电介质材料。制造多孔的电介质的方法通常涉及形成含有两种成分的前体膜：致孔剂(通常为有机材料，例如碳氢化合物)与结构化或电介质材料(例如，含硅材料)。一旦前体膜形成在基板上，就可移除致孔剂成分，从而留下结构完整的多孔电介质基质或氧化物网状物。
用于形成低k与超低k电介质的UV处理腔室在移除致孔剂的UV固化工艺期间，可能具有通过腔室的不均匀的气体流动。因此，UV处理腔室会变成涂覆有致孔剂材料，包括对允许UV光到达基板的窗的涂覆，以及对经历不均匀的气体流动的UV处理腔室的其他区域的涂覆。例如，加热器(例如，基座)下方的UV处理腔室的区域往往变成受到致孔剂残余物的污染。
UV腔室部件上积聚的或致孔剂残余物(通常为有机污染物)会导致跨基板表面的不均匀固化的膜。随着时间的推移，致孔剂残余物通过减少基板处可用的有效UV强度而减少后续UV致孔剂移除工艺的有效性。另外，过量残余物在UV腔室中的积聚是基板上的颗粒缺陷的来源。因此，热学上不稳定的有机材料(起因于用于增加多孔性的致孔剂)需要从UV处理腔室移除。用来移除致孔剂残余物的增加的清洗频率与时间不期望地导致了减少的产量。
因此，本领域中存在对改进的UV处理腔室以及使用此改进的UV处理腔室的方法的需要。
发明内容
在一个实施例中，提供一种用于处理基板的设备。所述设备包括处理腔室主体，所述处理腔室主体界定处理区域。可移动的基座组件设置在所述处理区域内，且紫外线辐射源耦接至所述腔室主体。光透射窗设置在紫外线辐射源与基座组件之间。第一端口设置成在第一区域处通过腔室主体，所述第一区域与所述基座组件的处理位置基本上共面，且第二端口设置成在第二区域处通过腔室主体的侧壁。所述第二区域位于所述第一区域下方。
在另一实施例中，提供一种用于处理基板的设备。所述设备包括处理腔室主体，所述处理腔室主体界定处理区域。可移动的基座组件设置在处理区域内。基座组件具有基座组件表面、杆和波纹管组件，所述波纹管组件围绕所述杆的至少一部分。所述波纹管组件设置在所述处理容积的外部。紫外线辐射源耦接至腔室主体，且光透射窗设置在紫外线辐射源与基座组件之间。第一端口设置成在第一区域处通过腔室主体，所述第一区域与所述基座组件的处理位置基本上共面。第二端口设置成在第二区域处通过腔室主体的底部，所述第二区域圆周地围绕所述杆。
在又另一实施例中，提供双容积处理腔室。所述腔室包括腔室主体，所述腔室主体界定第一内容积与第二内容积。第一基座组件设置在第一内容积内，第一紫外线辐射源耦接至所述腔室主体且与所述第一内容积相邻，且第一光透射窗设置在第一紫外线辐射源与第一基座组件之间。第二基座组件设置在第二内容积内，第二紫外线辐射源耦接至所述腔室主体且与所述第二内容积相邻，且第二光透射窗设置在第二紫外线辐射源与第二基座组件之间。第一端口设置在第一内容积与第二内容积之间的腔室主体的中心区域内。第一端口与第一基座组件和第二基座组件的处理位置基本上共面。第二端口设置在第一端口下方的腔室主体的中心区域内。第一端口与第二端口将第一内容积与第二内容积在容积上耦接。
附图说明
因此，为了能够详细地理解本公开的上述特征的方式，可通过参照实施例得出以上简要概括的本公开的更具体的描述，实施例中的一些在所附附图中示出。然而，注意到，所附附图仅描绘本公开的典型实施例且因此不视为限制本公开的范围，因为本公开可允许其他等效实施例。
图1描绘根据本文所述的一个实施例的处理系统的横剖面视图。
图2描绘图1的处理系统的一部分的侧视图。
图3描绘图1的处理系统的平面视图，其中移除了UV源以描绘内部部件。
为了促进理解，已经在可能的情况下使用相同的元件标号来指定附图中共有的相同元件。可设想到，一个实施例的元件和特征可有益地并入在其他实施例中而无需进一步的叙述。
具体实施方式
本文所述的实施例总体上涉及防止半导体处理腔室内的污染物沉积以及从半导体处理腔室移除污染物。底部泵送与净化基本上防止基座组件下方的污染物沉积或从基座组件下方排出污染物。底部净化基本上防止污染物沉积在基座组件下方，并且提供从定位成与被处理的基板基本上共面的处理腔室的排气。底部泵送从处理腔室移除存在于基座组件下方的污染物。具体地，本文所述的实施例涉及经由基座波纹管和/或均衡端口的净化与泵送。
图1描绘双容积处理系统100的横剖面视图。系统100描绘在市场上可从加利福尼亚州圣克拉拉市的应用材料公司购买到的300mm处理系统的示例性实施例。本文所述的实施例也可有利地使用在NANOCURETM与ONYXTM系统(这两者都可从加利福尼亚州圣克拉拉市的应用材料公司购买到)以及其他适当适配的处理系统上，包括来自其他制造商的那些系统。
处理系统100包括两个处理腔室101a、101b，所述处理腔室101a、101b基本上彼此相同。处理腔室101a、101b共享腔室主体102与腔室盖体104。处理腔室101a、101b为彼此关于中心平面129的镜像。
腔室101a界定了用于处理单一基板的处理容积124。腔室101a包括设置在处理容积124上方的UV透明窗116和UV透明气体分配喷淋头120。腔室101b界定了用于处理单一基板的处理容积126。腔室101b包括设置在处理容积上方126的UV透明窗118和UV透明气体分配喷淋头122。
腔室101a、101b共享气体面板108与真空泵110。腔室101a经由输入歧管112耦接至气体面板108，且腔室101b经由输入歧管114耦接至气体面板108。第一UV光源136经由盖体104耦接至腔室101a。窗116设置在第一UV光源136与处理容积124之间。第二UV光源138经由盖体104耦接至腔室101b。窗118设置在第二UV光源138与处理容积126之间。
处理系统100还包括基座组件150、152，所述基座组件150、152分别设置在腔室101a、101b中。衬垫166设置在腔室101a、101b的每一个内并且围绕基座组件150、152的每一个。基座组件150至少部分地设置在腔室101a内，且基座组件152至少部分地设置在腔室101b内。衬垫166屏蔽腔室主体102免受处理容积124、126中的处理化学物的影响。排气气室170径向地围绕处理容积124、126，且多个孔172形成为通过衬垫166并将排气气室170与处理容积124、126连接。多个孔172和排气气室170的至少一部分可与基座组件150、152的支撑表面154基本上共面。
真空泵110与排气气室170流体地连通，使得处理容积124、126可通过多个孔172和排气气室170来被抽气。排气气室170耦接至公共的排气气室171，公共的排气气室171延伸通过腔室底部134至泵导管174。泵导管174耦接至真空泵110以促进从公共的排气气室171泵送气体。公共的排气阀173设置在公共的排气气室171与泵110之间的泵导管174上。公共的排气阀173可打开或关闭，取决于期望的泵送操作。
基座组件150、152的支撑表面154设置在处理容积124、126内。支撑表面154通常为基座组件150、152的顶部并配置成在处理期间支撑基板。腔室101a、101b的底部区域105界定在腔室底部134与基座组件150、152的支撑表面154之间。每一基座组件150、152具有杆156，所述杆156从每一个基座组件150、152的底表面延伸通过腔室主体102的底部134。杆156耦接至相应的电机164，所述相应的电机164配置成独立地升高和降低每一个基座组件150、152。
基座波纹管端口160形成在腔室主体102的底部134中。基座波纹管端口160延伸通过腔室主体102的底部134。每一个基座波纹管端口160具有大于杆156的直径的直径并且限制每一个杆156，在每一个基座波纹管端口160处，杆156延伸通过腔室主体102的底部134。基座波纹管端口160圆周地围绕杆156。
波纹管组件158设置成环绕每一个基座波纹管端口160以防止真空泄漏到腔室主体102外。波纹管组件158限制并围封每一个杆156的设置在腔室主体102外的部分。波纹管组件158耦接在腔室主体102的底部134的外表面与基底构件180之间。基底构件180可容纳电机164和耦接至电机164的杆156的一部分。
波纹管组件158可由金属或金属化材料形成，并且可配置成形成气体流动通道162。气体流动通道162被界定为杆156与波纹管组件158之间的区域且从基座波纹管端口160延伸至基底构件180。如此，气体流动通道162形成波纹管组件158与杆156之间的中空圆柱形形状的通道。气体流动通道162流体地耦接在底部区域105与排气导管178之间。排气导管178从气体流动通道162延伸通过基底构件180至泵导管174。阀179设置在气体流动通道162与泵导管174之间的排气导管178上。当阀179关闭时，可进行经由排气气室170的泵送，且当阀179打开时，可进行经由基座波纹管端口160的泵送。当阀179打开时，公共的排气阀173可关闭，以增强底部区域105经由基座波纹管端口160的泵送。
在泵送工艺的一个实施例中，每一个腔室101a、101b的底部区域105经由基座波纹管端口160来泵送。存在于底部区域105中的气体和颗粒行进通过基座波纹管端口160、气体流动通道162和排气导管178至泵110。在此实施例中，公共的排气阀173关闭且阀179打开，使得泵与底部区域105流体地连通。例如，当腔室处于闲置并且不处理基板时，在腔室清洗处理期间执行经由基座波纹管端口160的泵送。在一个实施例中，以大约每分钟10标准升(slm,standard liter per minute)与大约50slm之间(诸如约30slm)的流动速率来执行经由每一个基座波纹管端口160的泵送。还可在基座波纹管泵送工艺期间将惰性气体提供至腔室101a、101b。例如，从气体面板108以大约5slm与大约25slm之间(诸如，对于每一个腔室101a、101b，大约15slm)的流动速率将氩气提供至两个腔室101a、101b。相信，经由气体面板108提供的氩气实现底部区域105的更有效率的清洁与泵送。
在一个实施例中，气体源168经由气体流动通道162和基座波纹管端口160流体地耦接至底部区域105。气体源168可配置来传送惰性气体或清洁气体至底部区域105。尽管示意性地绘示为物理上紧紧地靠近系统100，气体源168通常为位于系统100远处的远程气体源。气体源168耦接至导管176，所述导管176从气体源168延伸通过基底构件180。导管176与气体流动通道162流体地连通。阀177设置在气体源168与基底构件180之间的导管176上。
在一个实施例中，惰性气体或净化气体被提供至底部区域105。在操作中，沿着从气体源168、通过导管176(其中阀177打开)、气体流动通道162和基座波纹管端口160的流动路径将净化气体提供至底部区域105。在腔室101a、101b中处理基板期间，从气体源168提供净化气体。合适的净化气体包括惰性气体，例如氦、氖与氩。然而，也可使用其他的非反应性气体。在一个实施例中，以大约1slm与大约40slm之间(诸如约20slm)的流动速率来提供氩气。氩气流动可在腔室101a、101b之间划分，使得大约10slm的氩气经由基座波纹管端口160提供至每一个腔室101a、101b的底部区域105。
相信，在处理基板期间使净化气体流动防止颗粒与污染物掉落在支撑表面154下方并且沉积在界定底部区域105的腔室101a、101b的表面上。在经由基座波纹管端口160的泵送期间，腔室101a、101b的泵送经由排气气室170与泵110来进行。多个孔172和排气气室170的至少一部分与支撑表面154基本上共面。经由排气气室170的泵送从底部区域105吸取净化气体。在此实施例中，在污染物没有掉落在支撑表面154下方的情况下从腔室101a、101b排出净化气体和污染物。
在另一个实施例中，清洗气体经由气体源168提供至底部区域105。在一个实施例中，臭氧用作清洁气体，然而，设想到，也可利用其他清洁气体。在一个实施例中，由远程等离子体系统或其他类似的设备远程地生成臭氧。在另一个实施例中，沿着与上述净化气体相同的路径将臭氧提供至底部区域105。在此实施例中，腔室101a、101b被加压并被加热以促进臭氧分解成O-与O2。在清洁工艺(与基板处理分开执行)中，元素氧与存在于界定底部区域105的表面上的碳氢化合物和碳物种(致孔剂)起反应，以形成挥发性气体，诸如一氧化碳和二氧化碳，然后从腔室101a、101b排出所述挥发性气体。
在臭氧清洁处理的一个示例中，氧暴露于选定波长的UV辐射，以原位地生成臭氧。例如，光源136、138被激励以发射具有大约184.9nm与大约153.7nm之间的波长的UV辐射。UV辐射由臭氧吸收，此臭氧分解成氧气以及元素氧两者，从而清洁底部区域105。
系统100还包括均衡端口140，所述均衡端口140设置成通过系统的中心壁132。中心壁132划分腔室101a、101b，并且界定底部区域105的至少一部分。均衡端口140是与每一个腔室101a、101b的底部区域105流体地连通的开口。均衡端口140可形成在中心壁132中或者通过界定底部区域105的主体102的不同区域。均衡端口140基本上设置在支撑表面154与排气气室170下方。均衡端口140从每一个腔室101a、101b的底部区域105延伸通过中心壁132并且使每一个腔室101a、101b的底部区域105能够彼此流体地连通。
导管144从均衡端口140延伸通过中心壁132并且在出口端口142处离开腔室主体102的底部134。导管144将均衡端口140与导管178流体地耦接。阀143设置在出口端口142与导管178之间的导管144上。因此，当阀143打开时，底部区域105与泵110流体地连通。
在一个示例中，底部区域105通过均衡端口140泵送工艺来排气。在腔室处于闲置时(诸如在闲置清洁工艺期间)执行均衡端口140泵送工艺。为了能够经由均衡端口140泵送，阀173关闭且阀143打开。如此，泵110经由导管144和均衡端口140与底部区域105流体地连通。作为阀173关闭的结果，腔室101a、101b的排气经由均衡端口140进行并且不通过排气气室170。
在均衡端口140泵送工艺期间，泵110通过均衡端口140和导管144从底部区域105排出气体和污染物。在一个实施例中，经由均衡端口140以大约10slm与大约50slm之间(诸如约30slm)的流动速率从底部区域105泵送气体和污染物。也可在均衡端口140泵送工艺期间将惰性气体提供至腔室101a、101b。例如，从气体面板108以大约5slm与大约25slm之间(诸如，每一个腔室101a、101b约15slm)的流动速率来将氩气提供至两个腔室101a、101b。相信，经由气体面板108提供的氩气实现对底部区域105的更有效率的清洁与泵送。经由均衡端口140的泵送从底部区域105移除不期望的污染物而不利用排气气室170，这提供了系统100的增加的功能性。
在一个实施例中，气体源148经由导管144和均衡端口140流体地耦接到底部区域105。气体源148可配置成将惰性气体或清洁气体传送至底部区域105。尽管示意性地示为物理上紧紧地靠近系统100，气体源148通常为位于系统100远处的远程气体源。气体源148耦接至导管146，所述导管146从气体源148延伸至导管144。阀145设置在气体源148与导管144之间的导管146上。
在一个实施例中，惰性气体或净化气体被提供至底部区域105。在操作中，沿着从气体源148、通过导管146(其中阀145打开)、导管144和均衡端口140的流动路径将净化气体提供至底部区域105。在闲置清洁工艺期间，从气体源148提供净化气体。合适的净化气体包括惰性气体，诸如氦、氖与氩。然而，也可利用其他的非反应性气体。在一个实施例中，以大约10slm与大约50slm之间(诸如约30slm)的流动速率来提供氩气。氩气流动可在腔室101a、101b之间划分，使得大约15slm的氩气经由均衡端口140提供至每一个腔室101a、101b的底部区域105。
相信，在闲置清洁工艺期间使净化气体流动搅动且搅拌可能存在于界定底部区域105的表面上的颗粒与污染物。在经由均衡端口140的泵送期间，腔室101a、101b的泵送经由排气气室170与泵110来进行。经由排气气室170的泵送从底部区域105吸取净化气体。在此实施例中，净化气体与污染物从腔室101a、101b排出而不会有污染物再沉积在支撑表面154下方或波纹管组件158内。
在另一个实施例中，清洁气体经由气体源148提供至底部区域105。在一个实施例中，臭氧用作清洁气体，然而，设想到，也可使用其他清洁气体。在一个实施例中，由远程等离子体系统或其他类似的设备远程地生成臭氧。在另一个实施例中，沿着与上述净化气体相同的路径将臭氧提供至底部区域105。臭氧净化工艺可如同关于经由基座波纹管端口160的臭氧净化所述地进行
图2描绘图1的系统100的一部分的侧视图。如图所示，沿着图1的线128剖切系统100。在此视图中，省略了容纳UV光源的盖体。主体102的中心壁132描绘公共的排气气室171与均衡端口140的位置。阀173设置在排气导管174上，所述排气导管174从公共的排气气室171延伸至泵110(未示出)。
均衡端口140形成为通过中心壁132的横向相邻区域。导管144从均衡端口140延伸并且在出口端口142处离开中心壁132。阀143设置在出口端口142与导管144耦接至排气导管174的位置之间的导管144上。导管144耦接至阀173与泵110之间的排气导管174。
图3描绘图1的系统100的平面视图。在此视图中，省略了容纳UV光源的盖体，且盖体104与喷淋头120、122为可见的。公共的排气气室171中心地定位在系统100内，且排气气室170设置成与公共的排气气室171相邻。沿着中心平面129设置公共的排气气室171。腔室101a、101b是沿着中心平面129的基本上相同的镜像。导管140横向地偏离中心平面129。均衡端口140流体地耦接至导管144。此图示意在提供导管144/均衡端口140与排气气室170/公共的排气气室171之间的空间关系。
在上述的实施例中，通过泵送工艺从腔室排出污染物(诸如颗粒)，或者通过净化工艺基本上防止污染物(诸如颗粒)沉积在腔室表面上。设想到，可单独使用或彼此组合地使用一个或更多个泵送与净化工艺，以减少半导体处理腔室内的颗粒的不期望的影响。本文所述的实施例对于存在致孔剂颗粒的UV半导体处理腔室是特别有用的。也设想到，本文所述的实施例可有利地使用在双腔室处理系统以及单腔室处理系统上。处理系统可包括基座波纹管泵送/净化或均衡端口泵送/净化的元件，或者处理系统可在单一处理系统上包括基座波纹管泵送/净化与均衡端口泵送/净化两者。
虽然前述内容涉及本公开的实施例，可设计本公开的其他与进一步的实施例而不偏离本公开的基本范围，且本公开的范围由所附权利要求书确定。

Claims (15)

1.一种用于处理基板的设备，包括：
处理腔室主体，所述处理腔室主体界定处理区域以及与所述处理区域相对的底部区域，所述处理腔室主体具有：
排气端口，所述排气端口设置成在第一区域处通过所述处理腔室主体，其中所述排气端口与所述处理区域流体地连通，且所述第一区域设置成与所述处理区域相邻且与至少部分地设置在所述处理区域内的基座组件的处理位置共面；
第一泵送/净化端口，所述第一泵送/净化端口设置成在第二区域处通过所述处理腔室主体的侧壁，其中所述第二区域位于所述第一区域下方并且设置成与所述底部区域相邻；以及
第二泵送/净化端口，所述第二泵送/净化端口设置成在第三区域处通过所述处理腔室主体的底部，其中所述第三区域不同于所述第二区域和所述第一区域两者；
紫外线辐射源，所述紫外线辐射源耦接至所述处理腔室主体；以及
光透射窗，所述光透射窗设置在所述紫外线辐射源与所述基座组件之间。
2.如权利要求1所述的设备，进一步包括第一导管，所述第一导管耦接在所述排气端口与泵之间。
3.如权利要求2所述的设备，其中第一阀设置在所述排气端口与所述泵之间的所述第一导管上。
4.如权利要求3所述的设备，其中第二导管将所述第一泵送/净化端口耦接至所述第一阀与所述泵之间的所述第一导管。
5.如权利要求4所述的设备，其中第二阀设置在所述第一泵送/净化端口与所述第一导管之间的所述第二导管上。
6.如权利要求5所述的设备，其中净化气体进口耦接至所述第一泵送/净化端口与所述第二阀之间的所述第二导管。
7.一种用于处理基板的设备，包括：
处理腔室主体，所述处理腔室主体界定处理区域，所述处理腔室主体具有：
排气端口，所述排气端口设置成在第一区域处通过所述处理腔室主体；以及
泵送/净化端口，所述泵送/净化端口设置成在第二区域处通过所述处理腔室主体的底部；
基座组件，所述基座组件设置在所述处理区域内，其中所述第一区域与所述基座组件的处理位置共面，并且所述基座组件包括：
基板支撑表面；
杆，所述杆设置成通过所述第二区域；
波纹管组件，所述波纹管组件围绕所述杆的至少一部分，其中所述第二区域围绕所述杆，且所述波纹管组件设置在所述处理区域的外部；以及
气体流动通道，所述气体流动通道从所述杆与所述波纹管组件之间的所述泵送/净化端口延伸；
紫外线辐射源，所述紫外线辐射源耦接至所述处理腔室主体；以及
光透射窗，所述光透射窗设置在所述紫外线辐射源与所述基座组件之间。
8.如权利要求7所述的设备，其中第一导管将所述排气端口耦接至泵。
9.如权利要求8所述的设备，其中第一阀设置在所述排气端口与所述泵之间的所述第一导管上。
10.如权利要求9所述的设备，其中第二导管将所述气体流动通道耦接至所述第一阀与所述泵之间的所述第一导管。
11.如权利要求10所述的设备，其中第二阀设置在所述气体流动通道与所述第一导管之间的所述第二导管上。
12.如权利要求10所述的设备，其中净化气体进口耦接至所述泵送/净化端口与所述第二导管之间的所述气体流动通道。
13.一种双容积处理设备，包括：
腔室主体，所述腔室主体界定第一内容积与第二内容积；
第一基座组件，所述第一基座组件设置在所述第一内容积内；
第一波纹管组件，所述第一波纹管组件围绕所述第一基座组件的第一杆的一部分，其中所述第一波纹管组件设置在所述腔室主体的外部；
第一气体流动通道，所述第一气体流动通道设置在所述第一杆与所述第一波纹管组件之间，所述第一气体流动通道通过所述腔室主体的第一底部部分延伸至出口；
第一紫外线辐射源，所述第一紫外线辐射源耦接至所述腔室主体且与所述第一内容积相邻；
第一光透射窗，所述第一光透射窗设置在所述第一紫外线辐射源与所述第一基座组件之间；
第二基座组件，所述第二基座组件设置在所述第二内容积内；
第二波纹管组件，所述第二波纹管组件围绕所述第二基座组件的第二杆的一部分，其中所述第二波纹管组件设置在所述腔室主体的外部；
第二气体流动通道，所述第二气体流动通道设置在所述第二杆与所述第二波纹管组件之间，所述第二气体流动通道通过所述腔室主体的第二底部部分延伸至出口；
第二紫外线辐射源，所述第二紫外线辐射源耦接至所述腔室主体且与所述第二内容积相邻；
第二光透射窗，所述第二光透射窗设置在所述第二紫外线辐射源与所述第二基座组件之间，其中第一端口设置在所述第一内容积与所述第二内容积之间的所述腔室主体的中心区域内，所述第一端口与所述第一基座组件和所述第二基座组件的处理位置相邻，且其中第二端口设置在所述第一端口下方的所述腔室主体的中心区域内，且所述第一端口和所述第二端口将所述第一内容积与所述第二内容积流体地耦接；
泵，所述泵定位成使所述第一内容积和所述第二内容积都排气，其中第一导管将所述第一端口耦接至所述泵；
第一阀，所述第一阀设置在所述第一端口与所述泵之间的所述第一导管上；以及
第二导管，其中所述第二导管将所述第二端口耦接至所述第一阀与所述泵之间的所述第一导管。
14.如权利要求13所述的设备，其中第二阀设置在所述第二端口与所述第一导管之间的所述第二导管上。
15.如权利要求14所述的设备，其中净化气体进口耦接至所述第二端口与所述第二阀之间的所述第二导管。
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