TWI638417B - 用於減少落下粒子缺陷之底部泵與淨化及底部臭氧清潔硬體 - Google Patents

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Abstract

本文所述的實施例一般係關於防止半導體處理腔室內的污染物沉積以及從半導體處理腔室移除污染物。底部淨化與泵送分別可防止基座加熱器之下的污染物沉積或從基座之下排出污染物。底部淨化可防止污染物沉積於基座之下，並且提供來自處理腔室的排氣係實質上定位成共平面於要處理的基板。底部泵送可從處理腔室移除基座之下存在的污染物。具體地，本文所述的實施例係關於經由基座波紋管及/或等化埠口之淨化與泵送。

Description

用於減少落下粒子缺陷之底部泵與淨化及底部臭氧清潔硬體
本文所述的實施例一般係關於防止半導體處理腔室內的污染物沉積以及從半導體處理腔室移除污染物。更具體地，本文所述的實施例係關於用於減少落下粒子缺陷之底部泵與淨化及底部臭氧清潔硬體。
紫外線(UV)半導體處理腔室與處理可用於形成含矽膜於半導體基板上。這些膜包括低k與超低k介電質，分別具有小於大約4.0與2.5的k值。超低k介電質材料可如此製造：將空隙併入於低k介電質基質內來形成多孔的介電質材料。製造多孔的介電質的方法通常涉及形成含有兩種成分的先驅物膜：成孔劑(通常為有機材料，例如烴)與結構性或介電質材料(例如，含有矽的材料)。一旦先驅物膜形成在基板上，成孔劑成分可移除，留下結構完整的多孔介電質基質或氧化物網狀物。
用於形成低k與超低k介電質的UV處理腔室在UV 固化處理來移除成孔劑的期間，可能具有不均勻的氣體流動通過腔室。因此，UV處理腔室會變成塗覆有成孔劑材料，包括允許UV光到達基板的窗之塗覆，以及經歷不均勻氣體流動之UV處理腔室的其他區域之塗覆。例如，加熱器(例如，基座)下方之UV處理腔室的區域往往變成受到成孔劑殘餘物的污染。
UV腔室元件上積聚的或成孔劑殘餘物(通常為有機 污染物)會導致橫越基板表面的不均勻固化膜。隨著時間過去，成孔劑殘餘物會減少基板處可用的有效UV強度而減少後續UV成孔劑移除處理的有效性。另外，UV腔室中過量殘餘物的積聚是基板上的微粒缺陷的來源。因此，熱不穩定的有機材料(來自用於增加多孔性的成孔劑)需要從UV處理腔室移除。用來移除成孔劑殘餘物所增加的清洗頻率與時間非所欲地導致了減少的產量。
因此，本領域中需要改良的UV處理腔室以及使用 該改良的UV處理腔室之方法。
在一實施例中，提供用於處理基板的設備。該設備 包括處理腔室主體，處理腔室主體界定處理區域。可移動的基座組件設置於處理區域內，且紫外線輻射源耦接至腔室主體。光輸送窗設置於紫外線輻射源與基座組件之間。第一埠口在第一區域處設置通過腔室主體，第一區域實質上共平面於基座組件的處理位置，且第二埠口在第二區域處設置通過 腔室主體的側壁。第二區域位於第一區域之下。
在另一實施例中，提供用於處理基板的設備。該設備包括處理腔室主體，處理腔室主體界定處理區域。可移動的基座組件設置於處理區域內。基座組件具有基座組件表面、桿部與波紋管組件，波紋管組件圍繞桿部的至少一部分。波紋管組件設置於處理容積的外部。紫外線輻射源耦接至腔室主體，且光輸送窗設置於紫外線輻射源與基座組件之間。第一埠口在第一區域處設置通過腔室主體，第一區域實質上共平面於基座組件的處理位置。第二埠口在第二區域處設置通過腔室主體的底部，第二區域圓周地圍繞桿部。
在又另一實施例中，提供雙容積處理腔室。該腔室包括腔室主體，腔室主體界定第一內部容積與第二內部容積。第一基座組件設置於第一內部容積內，第一紫外線輻射源耦接至第一內部容積旁邊的腔室主體，且第一光輸送窗設置於第一紫外線輻射源與第一基座組件之間。第二基座組件設置於第二內部容積內，第二紫外線輻射源耦接至第二內部容積旁邊的腔室主體，且第二光輸送窗設置於第二紫外線輻射源與第二基座組件之間。第一埠口設置於第一內部容積與第二內部容積之間的腔室主體的中心區域內。第一埠口實質上共平面於第一基座組件與第二基座組件的處理位置。第二埠口設置於第一埠口之下的腔室主體的中心區域內。第一埠口與第二埠口容積地耦接第一內部容積與第二內部容積。
100‧‧‧系統
101a、101b‧‧‧處理腔室
102‧‧‧腔室主體
104‧‧‧蓋體
105‧‧‧底部區域
108‧‧‧氣體控制板
110‧‧‧真空泵
112、114‧‧‧輸入歧管
116‧‧‧UV透明窗
118‧‧‧UV透明窗
120‧‧‧UV透明氣體分配噴頭
122‧‧‧UV透明氣體分配噴頭
124‧‧‧處理容積
126‧‧‧處理容積
128‧‧‧線
129‧‧‧中心平面
132‧‧‧中心壁部
134‧‧‧腔室底部
136‧‧‧第一UV光源
138‧‧‧第二UV光源
140‧‧‧等化埠口
142‧‧‧出口埠口
143‧‧‧閥
144‧‧‧導管
145‧‧‧閥
146‧‧‧導管
148‧‧‧氣體源
150、152‧‧‧基座組件
154‧‧‧支撐表面
156‧‧‧桿部
158‧‧‧波紋管組件
160‧‧‧基座波紋管埠口
162‧‧‧氣體流動通道
164‧‧‧馬達
166‧‧‧襯墊
168‧‧‧氣體源
170‧‧‧排氣氣室
171‧‧‧共用的排氣氣室
172‧‧‧孔
173‧‧‧共用的排氣閥
174‧‧‧泵導管
176‧‧‧導管
177‧‧‧閥
178‧‧‧排氣導管
179‧‧‧閥
180‧‧‧基部構件
因此，藉由參照實施例，可更詳細瞭解本揭示案之 上述特徵，且對簡短總結於上的本揭示案有更具體的敘述，某些實施例是例示於所附圖式中。但是，注意到，所附圖式僅例示本揭示案之一般實施例且因此不視為限制其範圍，因為本揭示案可容許其他等效實施例。
第1圖根據本文所述的一實施例，例示處理系統的橫剖面視圖。
第2圖例示第1圖的處理系統的一部分的側視圖。
第3圖例示第1圖的處理系統的平面視圖，其中移除了UV源，以例示內部元件。
為了促進瞭解，已經在任何可能的地方使用相同的元件符號來表示圖式中共同的相同元件。可設想到，一實施例的元件與特徵可有利地併入在其他實施例中，而不用另外詳述。
本文所述的實施例一般係關於防止半導體處理腔室內的污染物沉積以及從半導體處理腔室移除污染物。底部泵送與淨化實質上可防止基座組件之下的污染物沉積或從基座組件之下排出污染物。底部淨化實質上可防止污染物沉積於基座組件之下，並且提供來自處理腔室的排氣係實質上定位成共平面於要處理的基板。底部泵送可從處理腔室移除基座組件之下存在的污染物。具體地，本文所述的實施例係關於經由基座波紋管及/或等化埠口之淨化與泵送。
第1圖例示雙容積處理系統100的橫剖面視圖。系統100例示300mm的PRODUCER®處理系統的範例實施例， 商業上可從加州聖克拉拉的應用材料公司取得。本文所述的實施例也可有利地使用於PRODUCER® NANOCURETM與PRODUCER® ONYXTM系統(這兩者都可從加州聖克拉拉的應用材料公司取得)與其他適合適配的處理系統上，包括來自其他製造商的那些系統。
處理系統100包括兩個處理腔室101a、101b，處理 腔室101a、101b實質上彼此相同。處理腔室101a、101b共用腔室主體102與腔室蓋體104。處理腔室101a、101b為相對於中心平面129的彼此鏡像。
腔室101a界定了用於處理單一基板的處理容積 124。腔室101a包括UV透明窗116與UV透明氣體分配噴頭120，UV透明氣體分配噴頭120設置在處理容積124之上。 腔室101b界定了用於處理單一基板的處理容積126。腔室101b包括UV透明窗118與UV透明氣體分配噴頭122，UV透明氣體分配噴頭122設置在處理容積126之上。
腔室101a、101b共用氣體控制板108與真空泵110。 腔室101a經由輸入歧管112而耦接至氣體控制板108，且腔室101b經由輸入歧管114而耦接至氣體控制板108。第一UV光源136經由蓋體104而耦接至腔室101a。窗116設置在第一UV光源136與處理容積124之間。第二UV光源138經由蓋體104而耦接至腔室101b。窗118設置在第二UV光源138與處理容積126之間。
處理系統100也包括基座組件150、152，基座組件 150、152分別設置在腔室101a、101b中。襯墊166設置在每 一腔室101a、101b內並且圍繞每一基座組件150、152。基座組件150至少部分設置在腔室101a內，且基座組件152至少部分設置在腔室101b內。襯墊166屏蔽腔室主體102免於處理容積124、126中的處理化學物。排氣氣室170徑向地圍繞處理容積124、126，且複數個孔172形成通過襯墊166、連接排氣氣室170與處理容積124、126。複數個孔172與排氣氣室170的至少一部分可實質上共平面於基座組件150、152的支撐表面154。
真空泵110流體連通於排氣氣室170，使得處理容積124、126可通過複數個孔172與排氣氣室170而泵送出。排氣氣室170耦接至共用的排氣氣室171，共用的排氣氣室171延伸通過腔室底部134至泵導管174。泵導管174耦接至真空泵110，以促進氣體從共用的排氣氣室171泵送。共用的排氣閥173設置於共用的排氣氣室171與泵110之間的泵導管174上。共用的排氣閥173可打開或關閉，取決於所欲的泵送操作。
基座組件150、152的支撐表面154設置於處理容積124、126內。支撐表面154通常為基座組件150、152的頂部，配置來在處理期間支撐基板。腔室101a、101b的底部區域105係界定於腔室底部134與基座組件150、152的支撐表面154之間。每一基座組件150、152具有桿部156，桿部156從每一基座組件150、152的底表面延伸通過腔室主體102的底部134。桿部156耦接至各自的馬達164，各自的馬達164係配置來獨立地升高與降低每一基座組件150、152。
基座波紋管埠口160形成於腔室主體102的底部134中。基座波紋管埠口160延伸通過腔室主體102的底部134。每一基座波紋管埠口160具有大於桿部156的直徑之直徑並且限制每一桿部156，其中桿部156延伸通過腔室主體102的底部134。基座波紋管埠口160圓周地圍繞桿部156。
波紋管組件158設置在每一基座波紋管埠口160的周圍，以防止真空洩漏出腔室主體102。波紋管組件158限制且圍繞每一桿部156之設置於腔室主體102外的部分。波紋管組件158耦接於腔室主體102的底部134的外表面與基部構件180之間。基部構件180可容納馬達164與耦接至馬達164之桿部156的一部分。
波紋管組件158可由金屬的或金屬化材料形成，並且可配置來形成氣體流動通道162。氣體流動通道162係界定為桿部156與波紋管組件158之間的區域、從基座波紋管埠口160延伸至基部構件180。因此，氣體流動通道162形成波紋管組件158與桿部156之間的中空圓柱形通道。氣體流動通道162流體地耦接於底部區域105與排氣導管178之間。排氣導管178從氣體流動通道162延伸通過基部構件180至泵導管174。閥179設置在氣體流動通道162與泵導管174之間的排氣導管178上。當閥179關閉時，經由排氣氣室170的泵送可進行，且當閥179打開時，經由基座波紋管埠口160的泵送可進行。當閥179打開時，共用的排氣閥173可關閉，以增強經由基座波紋管埠口160之底部區域105的泵送。
在泵送處理的一個實施例中，每一腔室101a、101b 的底部區域105經由基座波紋管埠口160而泵送。存在於底部區域105中的粒子與氣體行進通過基座波紋管埠口160、氣體流動通道162與排氣導管178至泵110。在此實施例中，共用的排氣閥173關閉，且閥179打開，使得泵流體連通於底部區域105。例如，當腔室處於閒置並且不處理基板時，在腔室清洗處理期間執行經由基座波紋管埠口160的泵送。在一實施例中，經由每一基座波紋管埠口160的泵送係以大約10每分鐘標準升(slm,standard liters per minute)與大約50slm之間的流動速率來執行，例如大約30slm。惰性氣體在基座波紋管泵送處理期間也可提供至腔室101a、101b。例如，氬氣係從氣體控制板108以大約5slm與大約25slm之間的流動速率來提供至兩腔室101a、101b，例如每一腔室101a、101b大約15slm。相信，經由氣體控制板108提供的氬氣可促成底部區域105的更有效率的清洗與泵送。
在一實施例中，氣體源168經由氣體流動通道162 與基座波紋管埠口160而流體耦接至底部區域105。氣體源168可配置來傳送惰性氣體或清洗氣體至底部區域105。雖然示意地繪示為緊密實體靠近於系統100，氣體源168通常為位於遠離系統100的遠端氣體源。氣體源168耦接至導管176，導管176從氣體源168延伸通過基部構件180。導管176流體連通於氣體流動通道162。閥177設置在氣體源168與基部構件180之間的導管176上。
在一實施例中，惰性氣體或淨化氣體係提供至底部 區域105。在操作中，淨化氣體沿著流動路徑從氣體源168、 通過導管176(其中閥177打開)、氣體流動通道162與基座波紋管埠口160而提供至底部區域105。在腔室101a、101b中處理基板的期間，淨化氣體從氣體源168提供。合適的淨化氣體包括惰性氣體，例如氦、氖與氬。但是，其他非反應性氣體也可使用。在一實施例中，以大約1slm與大約40slm之間的流動速率來提供氬氣，例如大約20slm。氬氣流動可在腔室101a、101b之間劃分，使得大約10slm的氬氣經由基座波紋管埠口160提供至每一腔室101a、101b的底部區域105。
相信，在處理基板的期間流動淨化氣體可防止粒子 與污染物落入支撐表面154之下並且沉積在界定底部區域105之腔室101a、101b的表面上。在經由基座波紋管埠口160的泵送期間，腔室101a、101b的泵送經由排氣氣室170與泵110來進行。複數個孔172與排氣氣室170的至少一部分實質上共平面於支撐表面154。經由排氣氣室170的泵送從底部區域105汲取淨化氣體。在此實施例中，淨化氣體與污染物從腔室101a、101b排出，而沒有污染物落入支撐表面154之下。
在另一實施例中，清洗氣體經由氣體源168而提供 至底部區域105。在一實施例中，臭氧係使用作為清洗氣體，但是，可設想到，其他清洗氣體也可使用。在一實施例中，臭氧由遠端電漿系統或其他類似的設備遠端地產生。在另一實施例中，臭氧係沿著如同上述的淨化氣體的相同路徑而提供至底部區域105。在此實施例中，腔室101a、101b係加壓並加熱，以促進臭氧分解成O-與O2。在清洗處理中(清洗處 理與基板處理分開執行)，元素氧與存在於界定底部區域105的表面上的烴與碳物質(成孔劑)反應，以形成揮發性氣體，例如一氧化碳與二氧化碳，揮發性氣體之後從腔室101a、101b排出。
在臭氧清洗處理的一範例中，氧係曝露於選定波長 的UV輻射，以原位產生臭氧。例如，光源136、138係激化，以發射具有大約184.9nm與大約153.7nm之間的波長的UV輻射。UV輻射由臭氧吸收，臭氧分解成氧氣與元素氧兩者，以清洗底部區域105。
系統100也包括等化埠口140係設置通過系統的中 心壁部132。中心壁部132劃分腔室101a、101b，並且界定底部區域105的至少一部分。等化埠口140為開口，流體連通於每一腔室101a、101b的底部區域105。等化埠口140可形成在中心壁部132中或者通過界定底部區域105之主體102的不同區域。等化埠口140實質上設置於支撐表面154與排氣氣室170之下。等化埠口140從每一腔室101a、101b的底部區域105延伸通過中心壁部132並且促成每一腔室101a、101b的底部區域105流體連通於彼此。
導管144從等化埠口140延伸通過中心壁部132並 且在出口埠口142處離開腔室主體102的底部134。導管144流體地耦接等化埠口140與導管178。閥143設置在出口埠口142與導管178之間的導管144上。因此，當閥143打開時，底部區域105流體連通於泵110。
在一範例中，底部區域105藉由等化埠口140泵送 處理來排氣。等化埠口140泵送處理係在腔室閒置時執行，例如在閒置清洗處理期間。為了促成經由等化埠口140的泵送，閥173關閉且閥143打開。因此，泵110經由導管144與等化埠口140而流體連通於底部區域105。因為閥173關閉，腔室101a、101b的排氣係經由等化埠口140進行，而不通過排氣氣室170。
在等化埠口140泵送處理期間，泵110通過等化埠 口140與導管144而從底部區域105排出氣體與污染物。在一實施例中，氣體與污染物經由等化埠口140以大約10slm與大約50slm之間的流動速率從底部區域105泵送，例如大約30slm。惰性氣體也可在等化埠口140泵送處理期間提供至腔室101a、101b。例如，氬氣係從氣體控制板108以大約5slm與大約25slm之間的流動速率來提供至兩腔室101a、101b，例如每一腔室101a、101b大約15slm。相信，經由氣體控制板108提供的氬氣可促成底部區域105的更有效率的清洗與泵送。經由等化埠口140的泵送可從底部區域105移除非所欲的污染物，而不需使用排氣氣室170，這提供了系統100的增加的功能性。
在一實施例中，氣體源148經由導管144與等化埠 口140而流體耦接於底部區域105。氣體源148可配置來傳送惰性氣體或清洗氣體至底部區域105。雖然示意地繪示為緊密實體靠近於系統100，氣體源148通常為位於遠離系統100的遠端氣體源。氣體源148耦接至導管146，導管146從氣體源148延伸至導管144。閥145設置在氣體源148與導管144 之間的導管146上。
在一實施例中，惰性氣體或淨化氣體係提供至底部 區域105。在操作中，淨化氣體沿著流動路徑從氣體源148、通過導管146(其中閥145打開)、導管144與等化埠口140而提供至底部區域105。在閒置清洗處理期間，淨化氣體從氣體源148提供。合適的淨化氣體包括惰性氣體，例如氦、氖與氬。但是，其他非反應性氣體也可使用。在一實施例中，以大約10slm與大約50slm之間的流動速率來提供氬氣，例如大約30slm。氬氣流動可在腔室101a、101b之間劃分，使得大約15slm的氬氣經由等化埠口140提供至每一腔室101a、101b的底部區域105。
相信，在閒置清洗處理期間流動淨化氣體可攪動且 攪拌可能存在於界定底部區域105的表面上的粒子與污染物。在經由等化埠口140的泵送期間，腔室101a、101b的泵送經由排氣氣室170與泵110來進行。經由排氣氣室170的泵送從底部區域105汲取淨化氣體。在此實施例中，淨化氣體與污染物從腔室101a、101b排出，而不會有污染物再沉積於支撐表面154之下或波紋管組件158內。
在另一實施例中，清洗氣體經由氣體源148而提供 至底部區域105。在一實施例中，臭氧係使用作為清洗氣體，但是，可設想到，其他清洗氣體也可使用。在一實施例中，臭氧由遠端電漿系統或其他類似的設備遠端地產生。在另一實施例中，臭氧係沿著如同上述的淨化氣體的相同路徑而提供至底部區域105。臭氧淨化處理可如同相關於經由基座波紋 管埠口160的臭氧淨化所述地進行
第2圖例示第1圖的系統100的一部分的側視圖。 如同所示，系統100沿著第1圖的線128剖切。在此視圖中，省略了容納UV光源的蓋體。主體102的中心壁部132例示共用的排氣氣室171與等化埠口140的位置。閥173設置在排氣導管174上，排氣導管174從共用的排氣氣室171延伸至泵110(未圖示)。
等化埠口140形成通過中心壁部132的橫向相鄰區域。導管144從等化埠口140延伸並且在出口埠口142處離開中心壁部132。閥143設置在出口埠口142與導管144耦接至排氣導管174的位置之間的導管144上。導管144耦接至閥173與泵110之間的排氣導管174。
第3圖例示第1圖的系統100的平面視圖。在此視圖中，省略了容納UV光源的蓋體，且蓋體104與噴頭120、122為可見的。共用的排氣氣室171中心地定位於系統100內，且排氣氣室170設置相鄰於共用的排氣氣室171。共用的排氣氣室171沿著中心平面129設置。腔室101a、101b實質上為沿著中心平面129的相同鏡像。導管140橫向偏離自中心平面129。等化埠口140流體耦接至導管144。此圖示係打算提供導管144/等化埠口140與排氣氣室170/共用的排氣氣室171之間的空間關係。
在上述的實施例中，污染物(例如粒子)藉由泵送處理從腔室排出，或者藉由淨化處理而實質上被防止沉積在腔室表面上。可設想到，一或更多個泵送與淨化處理可單獨 使用或彼此組合使用，以減少半導體處理腔室內的粒子的非所欲影響。本文所述的實施例對於有成孔劑粒子存在的UV半導體處理腔室特別有用。也可設想到，本文所述的實施例可有利地使用於雙腔室處理系統以及單腔室處理系統。處理系統可包括基座波紋管泵送/淨化或等化埠口泵送/淨化的元件，或者處理系統可在單一處理系統上包括基座波紋管泵送/淨化與等化埠口泵送/淨化兩者。
雖然前述是關於本揭示案之實施例，本揭示案之其他與進一步實施例可被設想出而無偏離其基本範圍，且其範圍是由下面的申請專利範圍來決定。

Claims (20)

  1. 一種用於處理一基板的設備，包括：一處理腔室主體，該處理腔室主體界定一處理區域；一基座組件，該基座組件設置於該處理區域內；一紫外線輻射源，該紫外線輻射源耦接至該腔室主體；一光輸送窗，該光輸送窗設置於該紫外線輻射源與該基座組件之間；一排氣埠口，該排氣埠口在一第一區域處設置通過該腔室主體的一側壁，該排氣埠口流體連通於該處理區域，且該第一區域設置相鄰於該處理區域；一第一泵送/淨化埠口，該第一泵送/淨化埠口在一第二區域處設置通過該腔室主體的該側壁，其中該第二區域位於該第一區域之下；及一第二泵送/淨化埠口，該第二泵送/淨化埠口在一第三區域處設置通過該腔室主體的一底部。
  2. 如請求項1所述之設備，進一步包括一第一導管，該第一導管耦接於該排氣埠口與一泵之間。
  3. 如請求項2所述之設備，其中一第一閥設置於該排氣埠口與該泵之間的該第一導管上。
  4. 如請求項3所述之設備，其中一第二導管耦接該第一泵送/淨化埠口至該第一閥與該泵之間的該第一導管。
  5. 如請求項4所述之設備，其中一第二閥設置於該第一泵送/淨化埠口與該第一導管之間的該第二導管上。
  6. 如請求項5所述之設備，其中一淨化氣體源耦接至該第一泵送/淨化埠口與該第二閥之間的該第二導管。
  7. 一種用於處理一基板的設備，包括：一處理腔室主體，該處理腔室主體界定一處理區域；一基座組件，該基座組件設置於該處理區域內，該基座組件包括一基板支撐表面、一桿部與一波紋管組件，該波紋管組件圍繞該桿部的至少一部分，該波紋管組件設置於該處理容積的外部；一紫外線輻射源，該紫外線輻射源耦接至該腔室主體；一光輸送窗，該光輸送窗設置於該紫外線輻射源與該基座組件之間；一排氣埠口，該排氣埠口在一第一區域處設置通過該腔室主體的一側壁，該第一區域實質上共平面於該基座組件的一處理位置；一第一泵送/淨化埠口，該第一泵送/淨化埠口在一第二區域處設置通過該腔室主體的該側壁，其中該第二區域位於該第一區域之下；及一第二泵送/淨化埠口，該第二泵送/淨化埠口在一第三區域處設置通過該腔室主體的一底部，其中該第三區域圓周地 圍繞該桿部。
  8. 如請求項7所述之設備，其中一氣體流動通道從該桿部與該波紋管組件之間的該第二泵送/淨化埠口延伸。
  9. 如請求項8所述之設備，其中一第一導管耦接該排氣埠口至一泵。
  10. 如請求項9所述之設備，其中一第一閥設置於該排氣埠口與該泵之間的該第一導管上。
  11. 如請求項10所述之設備，其中一第二導管耦接該氣體流動通道至該第一閥與該泵之間的該第一導管。
  12. 如請求項11所述之設備，其中一第二閥設置於該氣體流動通道與該第一導管之間的該第二導管上。
  13. 如請求項11所述之設備，其中一淨化氣體源耦接至該第二泵送/淨化埠口與該第二導管之間的該氣體流動通道。
  14. 一種雙容積處理設備，包括：一腔室主體，該腔室主體界定一第一內部容積與一第二內部容積；一第一基座組件，該第一基座組件設置於該第一內部容 積內；一第一紫外線輻射源，該第一紫外線輻射源耦接至與該第一內部容積相鄰的該腔室主體；一第一光輸送窗，該第一光輸送窗設置於該第一紫外線輻射源與該第一基座組件之間；一第二基座組件，該第二基座組件設置於該第二內部容積內；一第二紫外線輻射源，該第二紫外線輻射源耦接至與該第二內部容積相鄰的該腔室主體；一第二光輸送窗，該第二光輸送窗設置於該第二紫外線輻射源與該第二基座組件之間；一第一埠口，該第一埠口設置於該第一內部容積與該第二內部容積之間的該腔室主體的一中心區域內，該第一埠口實質上共平面於該第一基座組件與該第二基座組件的一處理位置；一第二埠口，該第二埠口設置於該第一埠口之下的該腔室主體的該中心區域內，其中該第一埠口與該第二埠口流體地耦接該第一內部容積與該第二內部容積；一第三埠口，該第三埠口設置通過該第一基座組件的一第一桿部進入該第一內部容積的該腔室主體的一底部區域；及一第四埠口，該第四埠口設置通過該第二基座組件的一第二桿部進入該第二內部容積的該腔室主體的該底部區域。
  15. 如請求項14所述之設備，其中一第一導管耦接該第一埠口至一泵，該泵係配置來排放該第一內部容積與該第二內部容積兩者。
  16. 如請求項15所述之設備，其中一第一閥設置於該第一埠口與該泵之間的該第一導管上。
  17. 如請求項16所述之設備，其中一第二導管耦接該第二埠口至該第一閥與該泵之間的該第一導管。
  18. 如請求項17所述之設備，其中一第二閥設置於該第二埠口與該第一導管之間的該第二導管上。
  19. 如請求項18所述之設備，其中一淨化氣體源耦接至該第二埠口與該第二閥之間的該第二導管。
  20. 如請求項14所述之設備，進一步包括：一第一波紋管組件與一第二波紋管組件，該第一波紋管組件圍繞該第一基座組件的該第一桿部，且該第二波紋管組件圍繞該第二基座組件的該第二桿部，其中該第一與第二波紋管組件設置於該腔室主體的外部；一第一氣體流動通道，該第一氣體流動通道設置於該第一桿部與該第一波紋管組件之間，該第一氣體流動通道從該第三埠口延伸至一出口；及 一第二氣體流動通道，該第二氣體流動通道設置於該第二桿部與該第二波紋管組件之間，該第二氣體流動通道從該第四埠口延伸至該出口。
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