KR20200123281A - 웨이퍼 가스방출을 위한 플라즈마 강화 어닐링 챔버 - Google Patents

웨이퍼 가스방출을 위한 플라즈마 강화 어닐링 챔버 Download PDF

Info

Publication number
KR20200123281A
KR20200123281A KR1020207030254A KR20207030254A KR20200123281A KR 20200123281 A KR20200123281 A KR 20200123281A KR 1020207030254 A KR1020207030254 A KR 1020207030254A KR 20207030254 A KR20207030254 A KR 20207030254A KR 20200123281 A KR20200123281 A KR 20200123281A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
conduit
source
plasma
coupled
flow controller
Prior art date
Application number
KR1020207030254A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102216500B1 (ko
Inventor
라라 호릴차크
매튜 디. 스코트니-캐슬
노먼 엘. 탐
매튜 스풀러
콩 룽 사무엘 찬
동밍 이우
스티븐 모팻
Original Assignee
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Publication of KR20200123281A publication Critical patent/KR20200123281A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102216500B1 publication Critical patent/KR102216500B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32899—Multiple chambers, e.g. cluster tools
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32357—Generation remote from the workpiece, e.g. down-stream
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32816—Pressure
    • H01J37/32834—Exhausting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32853—Hygiene
    • H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본원에서 설명되는 구현들은, 인-시튜 세정 능력을 갖는 열 기판 처리 장치를 제공한다. 본원에서 설명되는 장치는, 프로세스 체적을 한정하는 열 프로세스 챔버를 포함할 수 있고, 기판 지지부는 프로세스 체적 내에 배치될 수 있다. 하나 이상의 원격 플라즈마 공급원은 프로세스 체적과 유체 연통할 수 있고, 원격 플라즈마 공급원들은 세정 플라즈마를 프로세스 체적에 전달하도록 구성될 수 있다.

Description

웨이퍼 가스방출을 위한 플라즈마 강화 어닐링 챔버{PLASMA ENHANCED ANNEAL CHAMBER FOR WAFER OUTGASSING}
본 개시내용의 구현들은 일반적으로, 반도체 처리 챔버들에 관한 것이다. 더 구체적으로, 본원에서 설명되는 구현들은 기판 가스방출을 위한 플라즈마 강화 어닐링 챔버에 관한 것이다.
반도체 기판들의 열 처리는 반도체 제조에 다양한 목적들을 위해 일반적으로 채용된다. 상이한 유형들의 열 처리는 급속 열 처리, 레이저 처리, 침지 어닐링 등을 포함한다. 열 처리 동안 채용되는 온도들은 기판들 및 기판들 상에 배치된 재료들의 다양한 특성들을 변경시키도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 도펀트 확산, 결정학적 재료 개질(crystallographic material modification), 및 표면 개질은 열 처리에 의해 달성될 수 있는 처리 유형들 중 단지 일부일 뿐이다.
특정 열 프로세스들에서, 재료들은 열 처리되고 있는 기판들로부터 가스방출될 수 있다. 가스방출된 재료들은 일반적으로, 열 프로세스 챔버의 프로세스 체적으로부터 배출되지만, 가스방출된 재료들은 또한, 챔버 내에 배치된 챔버 벽들 및 구성요소들 상에 증착될 수 있다. 증착된 재료들은 챔버 내에 입자들을 발생시킬 수 있고 기판들 상에 재증착될 수 있으며 이는 기판 상에 궁극적으로 형성된 마이크로전자 디바이스들의 고장으로 이어질 수 있다. 챔버들의 세정은 종종, 예방 유지 보수 동안 상당한 가동 중지 시간을 필요로 하는데, 이는 열 처리의 효율을 감소시킨다.
따라서, 개선된 열 프로세스 챔버들이 관련 기술분야에 필요하다.
일 구현에서, 기판 처리 장치가 제공된다. 장치는, 제1 프로세스 체적을 한정하는 제1 열 프로세스 챔버를 포함한다. 제1 기판 지지부는 제1 프로세스 체적 내에 배치될 수 있고, 제1 원격 플라즈마 공급원은 제1 프로세스 체적에 유체적으로 결합될 수 있고, 제1 가스 공급원은 제1 원격 플라즈마 공급원에 유체적으로 결합될 수 있다. 장치는 또한, 제2 프로세스 체적을 한정하는 제2 열 프로세스 챔버를 포함한다. 제2 열 프로세스 챔버는 제1 열 프로세스 챔버와 벽을 공유한다. 제2 기판 지지부는 제2 프로세스 체적 내에 배치될 수 있고, 제2 원격 플라즈마 공급원은 제2 프로세스 체적에 유체적으로 결합될 수 있고, 제2 가스 공급원은 제2 원격 플라즈마 공급원에 유체적으로 결합될 수 있다. 배출부가 또한, 제1 프로세스 체적 및 제2 프로세스 체적에 유체적으로 결합될 수 있다.
위에서 언급된 본 개시내용의 특징들이 상세하게 이해될 수 있도록, 위에 간략하게 요약된 본 개시내용의 더 구체적인 설명이 구현들을 참조하여 이루어질 수 있으며, 이들 중 일부는 첨부 도면들에 예시되어 있다. 그러나, 첨부 도면들은 예시적인 구현들만을 예시하며 따라서 그것의 범위를 제한하는 것으로 간주되어서는 안되며, 동등한 효과의 다른 구현들을 허용할 수 있다는 점에 주목해야 한다.
도 1은, 본원에서 설명되는 일 구현에 따른, 원격 플라즈마 공급원들을 갖는 이중 챔버 열 처리 장치를 개략적으로 예시한다.
도 2는, 본원에서 설명되는 일 구현에 따른, 원격 플라즈마 공급원을 갖는 이중 챔버 열 처리 장치를 개략적으로 예시한다.
도 3은, 본원에서 설명되는 일 구현에 따른, 원격 플라즈마 공급원들을 갖는 이중 챔버 열 처리 장치를 개략적으로 예시한다.
도 4는, 본원에서 설명되는 일 구현에 따른, 원격 플라즈마 공급원들을 갖는 이중 챔버 열 처리 장치를 개략적으로 예시한다.
도 5는, 본원에서 설명되는 일 구현에 따른, 원격 플라즈마 공급원들을 갖는 이중 챔버 열 처리 장치를 개략적으로 예시한다.
도 6은, 본원에서 설명되는 일 구현에 따른, 원격 플라즈마 공급원들을 갖는 이중 챔버 열 처리 장치를 개략적으로 예시한다.
이해를 용이하게 하기 위해, 가능한 경우에, 도면들에 공통인 동일한 요소들을 지시하는 데에 동일한 참조 번호들이 사용되었다. 일 구현의 요소들 및 특징들이, 추가적인 언급 없이 다른 구현들에 유리하게 포함될 수 있다는 것이 고려된다.
본원에서 설명되는 구현들은, 인-시튜 세정 능력을 갖는 열 기판 처리 장치를 제공한다. 본원에서 설명되는 장치는, 프로세스 체적을 한정하는 열 프로세스 챔버를 포함할 수 있고, 기판 지지부는 프로세스 체적 내에 배치될 수 있다. 하나 이상의 원격 플라즈마 공급원은 프로세스 체적과 유체 연통할 수 있고, 원격 플라즈마 공급원들은 세정 플라즈마를 프로세스 체적에 전달하도록 구성될 수 있다.
도 1은, 본원에서 설명되는 일 구현에 따른, 원격 플라즈마 공급원들(126, 132)을 갖는 이중 챔버 열 처리 장치(100)를 개략적으로 예시한다. 장치(100)는, 제1 프로세스 체적(110)을 한정하는 제1 열 처리 챔버(102)를 포함한다. 제1 챔버(102)의 벽들, 예컨대, 제1 측벽들(120) 및 제1 천장(118)이 제1 프로세스 체적(110)을 더 한정한다. 벽들(120) 및 천장(118)은 상승된 처리 온도들을 견디기에 적합한 재료로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 챔버(102)는 스테인리스 강, 알루미늄, 또는 다른 적합한 금속성 재료로 형성될 수 있다. 특정 구현들에서, 프로세스 체적(110)을 한정하는 제1 챔버(102)의 표면들은, 표면 상의 증착을 증진시키거나 방지하기 위해, 다양한 재료들로 코팅될 수 있다. 예시되지 않았지만, 기판들의 열 처리 및 입자 관리를 더 개선하기 위해, 다양한 프로세스 키트들, 차폐부들 등이 제1 프로세스 체적(110) 내에 배치될 수 있다는 것이 또한 고려된다.
제1 프로세스 체적(110)은 내부에 배치된 기판에 대해, 기판을 약 400 ℃ 초과, 예컨대, 약 700 ℃ 내지 약 1200 ℃, 이를테면, 약 850 ℃ 내지 약 1100 ℃의 온도들로 가열함으로써, 열 처리를 수행하도록 구성될 수 있다. 제1 기판 지지부(106)는 제1 프로세스 체적(110) 내에 배치된다. 제1 기판 지지부(106)는 열 처리 동안 다양한 방법들, 예컨대, 진공 척킹 또는 정전 척킹에 의해 기판을 지지부 상에 유지하도록 구성될 수 있다. 기판이 다양한 다른 장치, 예컨대, 링들 또는 핀들 등에 의해 제1 기판 지지부(106) 상에 위치될 수 있고/있거나 유지될 수 있다는 것이 또한 고려된다. 제1 기판 지지부(106)는 또한, 지지부 상에 배치된 기판들의 가열을 용이하게 하기 위해, 저항성 가열 장치, 예컨대, 코일 등을 포함할 수 있다. 다른 가열 방법들, 예컨대, 램프들로부터의 전자기 에너지가, 기판을 가열하기 위해, 저항성 가열 장치와 조합하여 사용될 수 있다.
제1 원격 플라즈마 공급원(126)은 제1 프로세스 체적(110)에 결합될 수 있고, 이와 유체 연통할 수 있다. 제1 원격 플라즈마 공급원(126)은 제1 프로세스 체적(110)으로부터 원격으로 플라즈마를 발생시키고 플라즈마 생성물들을 제1 프로세스 체적(110)에 전달하도록 구성될 수 있다. 예시되지 않았지만, 제1 원격 플라즈마 공급원(126)은 RF 전원에 결합될 수 있다. 원하는 플라즈마 특성들 및 챔버 아키텍처에 따라, 제1 원격 플라즈마 공급원(126)이 용량성 결합 플라즈마 발생기 또는 유도성 결합 플라즈마 발생기일 수 있다는 것이 고려된다. 예시된 구현들을 불분명하게 하지 않기 위해, 다양한 다른 플라즈마 발생 장치, 예컨대, RF 초크들 또는 접지 장치 등은 예시되지 않는다.
플라즈마 생성물들은, 제1 원격 플라즈마 공급원(126) 및 제1 프로세스 체적(110)에 유체적으로 결합된 제1 도관(130)을 통해 제1 프로세스 체적(110)에 전달될 수 있다. 일 구현에서, 제1 도관(130)은 제1 원격 플라즈마 공급원(126)으로부터 제1 챔버(102)의 제1 천장(118)까지 연장될 수 있다. 제1 도관(130)은 임의의 적합한 형상의 도관일 수 있고, 제1 원격 플라즈마 공급원(126)에 의해 발생된 플라즈마 생성물들에 대해 주로 불활성인 재료로 형성될 수 있다. 일 구현에서, 제1 도관(130)은 석영 재료, 세라믹 재료, 또는 금속성 재료로 형성될 수 있다. 플라즈마 생성물들에 노출되는, 제1 도관(130)의 표면들은 또한, 제1 도관(130)에 대한 손상, 식각 또는 증착을 감소시키거나 방지하기 위해, 플라즈마 생성물들에 대해 불활성이거나 실질적으로 불활성인 다양한 재료들로 코팅될 수 있다.
제1 원격 플라즈마 공급원(126)은 또한, 제1 가스 공급원(128)과 유체 연통할 수 있다. 제1 가스 공급원(128)은 하나 이상의 전구체 가스를 제1 원격 플라즈마 공급원(126)에 전달한다. 제1 가스 공급원(128)은 전구체 가스들, 예컨대, 아르곤, 산소, 질소, 헬륨, 및 불소 함유 가스들, 예컨대, 삼플루오린화질소 등을 전달할 수 있다. 전구체 가스들은 제1 원격 플라즈마 공급원(126)에 개별적으로 또는 조합하여 그리고/또는 순차적으로 또는 동시에 전달될 수 있다.
작동 시에, 재료들은 열 처리된 기판들로부터 가스방출될 수 있고, 재료는 결국 제1 챔버(102)의 표면들 상에 증착되어 축적될 수 있다. 특정 구현들에서, 증착물들을 제거하는 것이 바람직할 수 있고, 적합한 전구체 가스가 제1 가스 공급원(128)으로부터 제1 원격 플라즈마 공급원(126)에 전달되도록 선택될 수 있다. 제1 원격 플라즈마 공급원(126)은 플라즈마를 발생시키고 플라즈마/플라즈마 생성물들을 제1 도관(130)을 통해 제1 프로세스 체적(110)에 전달할 수 있다. 예시되지 않았지만, 다양한 라이너들, 확산기들, 및/또는 샤워헤드들이, 제1 프로세스 체적(110)의 세정을 용이하게 하기 위해, 플라즈마/플라즈마 생성물들을 수용하고 제1 프로세스 체적(110)에 대해 플라즈마/플라즈마 생성물들을 분배할 수 있다.
플라즈마를 통해 제1 챔버(102)의 표면들로부터 제거된 재료들 및 열 처리된 기판들로부터 가스방출된 재료들은, 배출부(116)로의 배출 도관(114)에 의해, 제1 프로세스 체적(110)으로부터 배출될 수 있다. 배출부(116)는 제1 프로세스 체적(110)에 감압 환경을 발생시키고 제1 프로세스 체적(110)으로부터 가스들 및 다른 재료들을 제거하도록 구성된 펌프, 예컨대, 터보펌프일 수 있다.
장치(100)는 또한, 제1 프로세스 챔버(102)와 실질적으로 동일한 제2 프로세스 챔버(104)를 포함한다. 제2 프로세스 챔버(104)는 제2 프로세스 체적(112)을 한정하고, 제2 측벽들(124) 및 제2 천장(122)을 가지며, 내부에 배치된 제2 기판 지지부(108)를 가질 수 있다. 제2 프로세스 챔버(104)의 구성 및 재료들은 제1 프로세스 챔버(102)의 구성 및 재료들과 동일하거나 실질적으로 유사할 수 있다.
일 실시예에서, 제1 프로세스 챔버(102) 및 제2 프로세스 챔버(104)는 벽을 공유한다. 그러한 실시예에서, 제1 프로세스 챔버(102)의 측벽(120A) 및 제2 프로세스 챔버(104)의 측벽(124A)이 결합되거나, 동일한 벽이다.
제2 원격 플라즈마 공급원(132)은 제2 프로세스 체적(112)에 결합될 수 있고, 이와 유체 연통할 수 있다. 제2 원격 플라즈마 공급원(132)은 제2 프로세스 체적(112)으로부터 원격으로 플라즈마를 발생시키고 플라즈마 생성물들을 제2 프로세스 체적(112)에 전달하도록 구성될 수 있다. 플라즈마 생성물들은, 제2 원격 플라즈마 공급원(132) 및 제2 프로세스 체적(112)에 유체적으로 결합된 제2 도관(136)을 통해 제2 프로세스 체적(112)에 전달될 수 있다. 일 구현에서, 제2 도관(136)은 제2 원격 플라즈마 공급원(132)으로부터 제2 챔버(104)의 제2 천장(122)까지 연장될 수 있다. 제2 도관(136)은 임의의 적합한 형상의 도관일 수 있고, 제2 원격 플라즈마 공급원(132)에 의해 발생된 플라즈마 생성물들에 대해 주로 불활성인 재료로 형성될 수 있다. 일 구현에서, 제2 도관(136)은 석영 재료, 세라믹 재료, 또는 금속성 재료로 형성될 수 있다. 플라즈마 생성물들에 노출되는, 제2 도관(136)의 표면들은 또한, 제2 도관(136)에 대한 손상, 식각 또는 증착을 감소시키거나 방지하기 위해, 플라즈마 생성물들에 대해 불활성이거나 실질적으로 불활성인 다양한 재료들로 코팅될 수 있다.
제2 플라즈마 공급원(132)은 또한, 제2 가스 공급원(134)과 유체 연통할 수 있다. 제2 가스 공급원(134)은 하나 이상의 전구체 가스를 제2 원격 플라즈마 공급원(132)에 전달한다. 일 구현에서, 제1 가스 공급원(128) 및 제2 가스 공급원(134)은 분리된 가스 공급원들이다. 다른 구현에서, 제1 가스 공급원(128) 및 제2 가스 공급원(134)은 동일한 가스 공급원이다. 양쪽 구현에서, 제1 및 제2 가스 공급원들(128, 134)은 전구체 가스들의 임의의 원하는 조합을 전달하도록 구성될 수 있다. 일 구현에서, 제2 가스 공급원(134)은 전구체 가스들, 예컨대, 아르곤, 산소, 질소, 헬륨, 및 불소 함유 가스들, 예컨대, 삼플루오린화질소 등을 전달할 수 있다. 전구체 가스들은 제2 원격 플라즈마 공급원(132)에 개별적으로 또는 조합하여 그리고/또는 순차적으로 또는 동시에 전달될 수 있다.
작동 시에, 재료들은 열 처리된 기판들로부터 가스방출될 수 있고, 재료는 결국 제2 챔버(104)의 표면들 상에 증착되어 축적될 수 있다. 앞서 설명된 바와 같이, 증착물들을 제거하는 것이 바람직할 수 있고, 적합한 전구체 가스가 제2 가스 공급원(134)으로부터 제2 원격 플라즈마 공급원(132)에 전달되도록 선택될 수 있다. 제2 원격 플라즈마 공급원(132)은 플라즈마를 발생시키고 플라즈마/플라즈마 생성물들을 제2 도관(136)을 통해 제2 프로세스 체적(112)에 전달할 수 있다. 예시되지 않았지만, 다양한 라이너들, 확산기들, 및/또는 샤워헤드들이, 제2 프로세스 체적(112)의 세정을 용이하게 하기 위해, 플라즈마/플라즈마 생성물들을 수용하고 제2 프로세스 체적(112)에 대해 플라즈마/플라즈마 생성물들을 분배할 수 있다.
제2 프로세스 체적(112)은 또한, 배출 도관(114)을 통해 배출부(116)에 연결된다. 따라서, 제1 프로세스 체적(110) 및 제2 프로세스 체적(112)은 일반적으로 배출부(116)에 의해 펌핑된다. 배출부(116)가, 제1 프로세스 체적(110)의 감압 환경과 유사하거나 동일한 감압 환경을 제2 프로세스 체적(112)에 발생시킬 수 있다는 것이 고려된다. 배출부(116)가 제1 프로세스 체적(110) 및 제2 프로세스 체적(112)과 유체 연통하기 때문에, 배출 도관(114)은 프로세스 체적들(110, 112) 둘 모두를 배출부(116)에 결합시킨다. 배출 도관(114)은, 천장들(118, 122)의 반대쪽에 배치된, 챔버들(102, 104)의 바닥 또는 측벽들(120, 124)을 통해 제1 및 제2 챔버들(102, 104)에 결합될 수 있다.
도 2은, 본원에서 설명되는 일 구현에 따른, 원격 플라즈마 공급원(202)을 갖는 이중 챔버 열 처리 장치(200)를 개략적으로 예시한다. 예시된 구현에서, 원격 플라즈마 공급원(202)은 제1 프로세스 체적(110) 및 제2 프로세스 체적(112)과 유체 연통한다. 원격 플라즈마 공급원(202)은 제1 도관(208)을 통해 제1 프로세스 체적(110)에 유체적으로 결합될 수 있고, 또한, 제2 도관(206)을 통해 제2 프로세스 체적(112)에 유체적으로 결합될 수 있다. 일 구현에서, 제1 도관(208)은 원격 플라즈마 공급원(202)으로부터 제1 챔버(102)의 제1 천장(118)까지 연장될 수 있고, 제2 도관(206)은 원격 플라즈마 공급원(202)으로부터 제2 챔버(104)의 제2 천장(122)까지 연장될 수 있다. 가스 공급원(204)은 원격 플라즈마 공급원(202)과 유체 연통할 수 있고, 다양한 전구체들을 원격 플라즈마 공급원(202)에 전달할 수 있다. 가스 공급원(204)은 단일 가스 공급원일 수 있거나, 복수의 상이한 가스들을 제공하도록 구성될 수 있다.
원격 플라즈마 공급원(202)은 제1 및 제2 프로세스 체적들(110, 112)에 공급하기에 적합한 소정 양의 플라즈마/플라즈마 생성물들을 발생시킬 수 있다. 일 구현에서, 단일 전구체가 가스 공급원(204)으로부터 원격 플라즈마 공급원(202)에 전달될 수 있고, 후속하여 플라즈마가 발생되어 프로세스 체적들(110, 112)에 전달될 수 있다. 다른 구현에서, 다수의 전구체들이 가스 공급원으로부터 원격 플라즈마 공급원(202)에 동시에 전달될 수 있고, 전구체들의 플라즈마가 발생되어 프로세스 체적들(110, 112)에 전달될 수 있다.
또 다른 구현에서, 제1 전구체가 원격 플라즈마 공급원(202)에 전달될 수 있고, 발생된 플라즈마가 프로세스 체적들(110, 112)에 전달될 수 있다. 후속하여, 제1 전구체와 상이한 제2 전구체가 가스 공급원(204)으로부터 원격 플라즈마 공급원(202)에 전달될 수 있고, 발생된 플라즈마가 순차적으로 프로세스 체적들(110, 112)에 전달될 수 있다. 전구체들의 임의의 조합이, 임의의 순서로(즉, 순차적으로, 동시에) 가스 공급원(204)으로부터 원격 플라즈마 공급원(202)에 전달될 수 있음이 고려된다. 원격 플라즈마 공급원(202)에 의해 발생된 플라즈마 및 플라즈마 생성물들은 펄스 방식으로 또는 연속적으로 프로세스 체적들(110, 112)에 전달될 수 있다.
원격 플라즈마 공급원(202)은 도 1에 관하여 설명된 제1 플라즈마 공급원(126) 또는 제2 플라즈마 공급원(132)과 유사할 수 있다. 유사하게, 제1 도관(208) 및 제2 도관(206)은 제1 도관(130) 또는 제2 도관(136)과 동일하거나 유사한 재료들로 형성될 수 있다. 작동 시에, 제1 챔버(102) 및 제2 챔버(104)는 기판들을 열 처리할 수 있다. 열 처리가 수행된 이후, 원격 플라즈마 공급원(202)은 세정 플라즈마를 발생시키고, 플라즈마 및 플라즈마 생성물들을 제1 챔버(102) 및 제2 챔버(104) 각각의 프로세스 체적들(110, 112)에 전달한다. 그 다음, 플라즈마 생성물들 및 다른 유출물은 프로세스 체적들(110, 112)로부터 배출부(116)를 통해 배기될 수 있다.
도 3은, 본원에서 설명되는 일 구현에 따른, 원격 플라즈마 공급원들(302, 310)을 갖는 이중 챔버 열 처리 장치(300)를 개략적으로 예시한다. 예시된 실시예에서, 제1 플라즈마 공급원(302)은 제1 도관(306)을 통해 제1 챔버(102)와 유체 연통할 수 있고, 제2 도관(308)을 통해 제2 챔버(104)와 유체 연통할 수 있다. 일 구현에서, 제1 도관(306)은 제1 원격 플라즈마 공급원(302) 및 제1 챔버(102)의 제1 천장으로부터 연장될 수 있고, 제2 도관(308)은 제1 원격 플라즈마 공급원(302) 및 제2 챔버(104)의 제2 천장(122)으로부터 연장될 수 있다. 제1 원격 플라즈마 공급원(302)은 또한, 제1 가스 공급원(304)과 유체 연통한다.
제2 원격 플라즈마 공급원(310)은 제3 도관(314)을 통해 제2 챔버(104)와 유체 연통할 수 있고, 제4 도관(316)을 통해 제1 챔버(102)와 유체 연통할 수 있다. 일 구현에서, 제3 도관(314)은 제2 원격 플라즈마 공급원(310)으로부터 제2 챔버(104)의 제2 천장까지 연장될 수 있고, 제4 도관(316)은 제2 원격 플라즈마 공급원(310)으로부터 제1 챔버(102)의 제1 천장(118)까지 연장될 수 있다. 제2 가스 공급원(312)은 제2 원격 플라즈마 공급원(310)과 유체 연통한다. 제2 가스 공급원(312)은 앞서 설명된 전구체들 중 임의의 전구체를 제2 원격 플라즈마 공급원(310)에 전달하도록 구성될 수 있다. 제2 원격 플라즈마 공급원(310)은 플라즈마를 발생시키고 플라즈마 생성물들을 제2 챔버(104) 및 제1 챔버(102) 둘 모두에 전달할 수 있다.
유사하게, 제1 가스 공급원은 앞서 설명된 전구체들 중 임의의 전구체를 제1 원격 플라즈마 공급원(302)에 전달하도록 구성될 수 있다. 제1 원격 플라즈마 공급원(302)은 플라즈마를 발생시키고 플라즈마 생성물들을 제1 챔버(102) 및 제2 챔버(104) 둘 모두에 전달할 수 있다. 제1 및 제2 원격 플라즈마 공급원들(302, 310)은 임의의 유형의 또는 조합의 세정 플라즈마를 발생시키고 임의의 바람직한 방식으로, 예컨대, 펄스식 전달, 교번하는 플라즈마 유형 전달, 또는 하나 이상의 플라즈마 유형의 연속 전달로 플라즈마 생성물들을 전달할 수 있다. 일 구현에서, 제1 원격 플라즈마 공급원(302)은 제1 플라즈마 유형을 발생시키고 플라즈마 생성물들을 챔버들(102, 104)에 전달할 수 있다. 제2 원격 플라즈마 공급원(310)은 제1 플라즈마 유형과 상이한 제2 플라즈마 유형을 발생시키고 플라즈마 생성물들을 챔버들(102, 104)에 전달할 수 있다.
도 4는, 본원에서 설명되는 일 구현에 따른, 원격 플라즈마 공급원들(402, 408, 414, 420)을 갖는 이중 챔버 열 처리 장치(400)를 개략적으로 예시한다. 예시된 구현에서, 제1 원격 플라즈마 공급원(402)은 제1 도관(406)을 통해 제1 챔버(102)의 제1 프로세스 체적(110)과 유체 연통할 수 있다. 일 구현에서, 제1 도관(406)은 원격 플라즈마 공급원(402)으로부터 제1 챔버(102)의 제1 천장(118)까지 연장될 수 있다. 제1 원격 플라즈마 공급원(402)은 또한, 제1 가스 공급원(404)과 유체 연통한다. 제2 원격 플라즈마 공급원(408)은 또한, 제2 도관(412)을 통해 제1 챔버(102)의 제1 프로세스 체적(110)과 유체 연통할 수 있다. 일 구현에서, 제2 도관(412)은 제2 원격 플라즈마 공급원(408)으로부터 제1 챔버(102)의 제1 천장(118)까지 연장될 수 있다. 제2 원격 플라즈마 공급원(408)은 또한, 제2 가스 공급원(410)과 유체 연통한다.
가스 공급원들(404, 410)은 앞서 설명된 전구체들 중 임의의 전구체를 임의의 조합으로 원격 플라즈마 공급원들(402, 408)에 제공할 수 있다. 일 구현에서, 제1 가스 공급원(404)은 제1 전구체를 제1 원격 플라즈마 공급원(402)에 제공할 수 있고, 제1 플라즈마가 발생되어 제1 프로세스 체적(110)에 전달될 수 있다. 제2 가스 공급원(410)은 제1 전구체와 상이한 제2 전구체를 제2 원격 플라즈마 공급원(408)에 제공할 수 있고, 제2 플라즈마가 발생되어 제1 프로세스 체적(110)에 전달될 수 있다.
예를 들어, 제1 가스 공급원(404)은 아르곤, 헬륨, 또는 이들의 조합을 제1 원격 플라즈마 공급원(402)에 전달할 수 있다. 제1 원격 플라즈마 공급원(402)은 제1 프로세스 체적(110)으로부터 원격으로 제1 플라즈마를 발생시키고 플라즈마 생성물들(즉, 라디칼들 및/또는 이온들)을 제1 도관(406)을 통해 제1 프로세스 체적(110)에 전달할 수 있다. 제2 가스 공급원(410)은 산소, NF3, 또는 이들의 조합을 제2 원격 플라즈마 공급원(408)에 전달할 수 있다. 제2 원격 플라즈마 공급원(408)은 제1 프로세스 체적(110)으로부터 원격으로 제2 플라즈마를 발생시키고 플라즈마 생성물들을 제2 도관(112)을 통해 제1 프로세스 체적(110)에 전달할 수 있다. 제1 및 제2 플라즈마는 동시에, 교번 방식으로, 또는 제1 챔버(102) 및 챔버 내에 배치된 물품들을 세정하도록 구성된 임의의 원하는 순서로 제1 프로세스 체적(110)에 전달될 수 있다.
유사하게, 제3 원격 플라즈마 공급원(414)은 제3 도관(418)을 통해 제2 챔버(104)의 제2 프로세스 체적(112)과 유체 연통할 수 있다. 일 구현에서, 제3 도관(418)은 제3 원격 플라즈마 공급원(414)으로부터 제2 챔버(104)의 제2 천장(122)까지 연장될 수 있다. 제3 원격 플라즈마 공급원(414)은 또한, 제3 가스 공급원(416)과 유체 연통한다. 일 구현에서, 제3 가스 공급원(416)은 제1 가스 공급원(404)과 유사할 수 있다. 제4 원격 플라즈마 공급원(420)은 또한, 제4 도관(424)을 통해 제2 챔버(104)의 제2 프로세스 체적(112)과 유체 연통할 수 있다. 일 구현에서, 제4 도관(424)은 제4 원격 플라즈마 공급원(420)으로부터 제2 챔버(104)의 제2 천장(122)까지 연장될 수 있다. 제4 원격 플라즈마 공급원(420)은 또한, 제4 가스 공급원(422)과 유체 연통한다. 일 구현에서, 제4 가스 공급원(422)은 제2 가스 공급원(410)과 유사할 수 있다. 제3 및 제4 원격 플라즈마 공급원들(414, 420) 및 제3 및 제4 가스 공급원들(416, 422)이 제1 및 제2 원격 플라즈마 공급원들(402, 408) 및 제1 및 제2 가스 공급원들(404, 410)과 유사하게 구현되고 작동될 수 있다는 것이 고려된다. 일 구현에서, 기판 처리 장치는, 제1 프로세스 체적을 한정하는 제1 열 프로세스 챔버; 제2 프로세스 체적을 한정하는 제2 열 프로세스 챔버; 제1 플라즈마 도관에 의해 상기 제1 열 프로세스 챔버에 결합된 제1 원격 플라즈마 공급원; 제2 플라즈마 도관에 의해 상기 제2 열 프로세스 챔버에 결합된 제2 원격 플라즈마 공급원; 제1 캐리어 가스 도관에 의해 상기 제1 열 프로세스 챔버에 그리고 제2 캐리어 가스 도관에 의해 상기 제2 열 프로세스 챔버에 결합된 캐리어 가스 공급원; 제1 배출 도관에 의해 상기 제1 열 프로세스 챔버에 그리고 제2 배출 도관에 의해 상기 제2 열 프로세스 챔버에 결합된 배출부; 상기 제1 배출 도관 및 상기 제2 배출 도관을 상기 배출부에 결합시키는 공동 배출 도관; 상기 공동 배출 도관에 배치된 총 배출 유동 제어기; 상기 제1 배출 도관에 배치된 챔버 배출 유동 제어기; 상기 제1 열 프로세스 챔버에 배치된 제1 압력 센서; 및 상기 제2 열 프로세스 챔버에 배치된 제2 압력 센서를 포함할 수 있다. 상기 장치는 제1 공급원 도관에 의해 상기 제1 원격 플라즈마 공급원에 결합된 제1 가스 공급원, 및 제2 공급원 도관에 의해 상기 제2 원격 플라즈마 공급원에 결합된 제2 가스 공급원을 더 포함할 수 있고, 상기 캐리어 가스 공급원은 또한 상기 제1 공급원 도관 및 상기 제2 공급원 도관에 결합된다. 상기 캐리어 가스 공급원은 제1 캐리어 가스 유동 제어기에 의해 상기 제1 공급원 도관에 결합되고, 상기 캐리어 가스 공급원은 제2 캐리어 가스 유동 제어기에 의해 상기 제2 공급원 도관에 결합된다. 상기 장치는 상기 제1 열 처리 챔버에 결합된 제3 원격 플라즈마 공급원, 상기 제2 열 처리 챔버에 결합된 제4 원격 플라즈마 공급원, 제3 공급원 도관에 의해 상기 제3 원격 플라즈마 공급원에 결합된 제3 가스 공급원, 및 제4 공급원 도관에 의해 상기 제4 원격 플라즈마 공급원에 결합된 제4 가스 공급원을 더 포함할 수 있고, 상기 캐리어 가스 공급원은 또한, 상기 제1 캐리어 가스 유동 제어기에 의해 상기 제3 공급원 도관에 결합되고, 상기 캐리어 가스 공급원은 또한, 상기 제2 캐리어 가스 유동 제어기에 의해 상기 제4 공급원 도관에 결합된다. 상기 장치는 상기 총 배출 유동 제어기, 상기 챔버 배출 유동 제어기, 상기 제1 압력 센서, 상기 제2 압력 센서, 상기 제1 캐리어 가스 유동 제어기, 및 상기 제2 캐리어 가스 유동 제어기에 결합된 제어기를 더 포함할 수 있고, 상기 제1 유동 제어기는 3방 밸브이며, 상기 제2 유동 제어기는 3방 밸브이다.
도 5는, 본원에서 설명되는 일 구현에 따른, 원격 플라즈마 공급원들(502, 508, 514)을 갖는 이중 챔버 열 처리 장치(500)를 개략적으로 예시한다. 예시된 구현에서, 제1 원격 플라즈마 공급원(502)은 제1 도관(506)을 통해 제1 챔버(102)의 제1 프로세스 체적(110)과 유체 연통할 수 있다. 일 구현에서, 제1 도관(506)은 제1 플라즈마 공급원(502) 및 제1 챔버(102)의 제1 천장(118)으로부터 연장될 수 있다. 제1 가스 공급원(504)은 또한, 제1 원격 플라즈마 공급원(502)과 유체 연통한다. 제1 가스 공급원(504)은 제1 전구체 유형을 제1 원격 플라즈마 공급원(502)에 전달할 수 있고, 제1 원격 플라즈마 공급원(502)은 플라즈마 생성물들을 발생시켜 제1 프로세스 체적(110)에 전달할 수 있다.
유사하게, 제2 원격 플라즈마 공급원(508)은 제2 도관(512)을 통해 제2 챔버(104)의 제2 프로세스 체적(112)과 유체 연통할 수 있다. 일 구현에서, 제2 도관(512)은 제2 플라즈마 공급원(508) 및 제2 챔버(104)의 제2 천장(122)으로부터 연장될 수 있다. 제2 가스 공급원(510)은 또한, 제2 원격 플라즈마 공급원(508)과 유체 연통한다. 제2 가스 공급원(510)은 제2 전구체 유형을 제2 원격 플라즈마 공급원(508)에 전달할 수 있고, 제2 원격 플라즈마 공급원(508)은 플라즈마 생성물들을 발생시켜 제2 프로세스 체적(112)에 전달할 수 있다. 일 구현에서, 제2 전구체 유형은 제1 전구체 유형과 동일할 수 있다. 다른 구현에서, 제2 전구체 유형은 제1 전구체 유형과 상이할 수 있다.
제3 원격 플라즈마 공급원(514)은, 제3 도관(518)을 통해, 제1 및 제2 챔버들(102, 104)의 제1 프로세스 체적(110) 및 제2 프로세스 체적(112)과 각각 유체 연통한다. 따라서, 제3 도관(518)은 제1 프로세스 체적(110) 및 제2 프로세스 체적(112)을 제3 원격 플라즈마 공급원(514)에 유체적으로 결합시킨다. 예시된 구현에서, 제3 도관(518)은 제2 챔버(104)의 제2 측벽(124) 및 제1 챔버(102)의 제1 측벽(120)과 제3 원격 플라즈마 공급원(514) 사이에서 연장된다. 제3 도관(518)이 측벽들(120, 124)에 결합되는 위치는, 슬릿 밸브(도시되지 않음)에 의해 점유되는 평면 위의 평면에 있을 수 있다(즉, 제1 천장(118)에 더 가까움). 다른 구현에서, 제3 도관(518)은 각각 제1 및 제2 챔버(102, 104)의 제1 천장(118) 및 제2 천장(122)과 제3 원격 플라즈마 공급원(514) 사이에서 연장될 수 있다.
제3 가스 공급원(516)은 또한, 제3 원격 플라즈마 공급원(514)과 유체 연통할 수 있다. 제3 가스 공급원(516)은 임의의 바람직한 전구체 유형을 제3 원격 플라즈마 공급원(514)에 전달할 수 있다. 일 구현에서, 제3 가스 공급원(516)은 제1 및 제2 가스 공급원들(504, 510)에 의해 제공되는 제1 및 제2 전구체 유형들과 유사한 제3 전구체 유형을 전달할 수 있다. 다른 구현에서, 제3 가스 공급원(516)은 제1 및 제2 전구체 유형들과 상이한 제3 전구체 유형을 전달할 수 있다.
프로세스 챔버들(102 및 104)의 측벽들(120 및 124) 내에 원격 플라즈마를 주입하는 것은, 원격 플라즈마 공급원(514)으로부터 기판 지지부들(106 및 108) 아래로 각각 가스들을 전달하는 것을 가능하게 한다. 원격 플라즈마 공급원(514)이 세정 가스들을 전달하고 있고 기판 지지부들(106 및 108)이 축방향으로 작동되는 경우에, 기판 지지부들(106 및 108)은, 기판 지지부의 지지 영역이, 원격 플라즈마 유닛(514)으로부터의 가스들을 위한 유입구 위에 있어서 프로세스 챔버들(102 및 104)의 하부 영역들을 세정 가스들에 노출시키도록, 연장될 수 있다. 이러한 방식으로, 프로세스 챔버들(102 및 104) 중 하나 또는 둘 모두는 챔버들의 하부 영역들에서 세정을 겪을 수 있다.
도 6은, 본원에서 설명되는 일 구현에 따른, 원격 플라즈마 공급원들(602, 608, 614, 620)을 갖는 이중 챔버 열 처리 장치(600)를 개략적으로 예시한다. 예시된 구현에서, 제1 원격 플라즈마 공급원(602)은 제1 도관(606)을 통해 제1 챔버(102)의 제1 프로세스 체적(110)과 유체 연통할 수 있다. 일 구현에서, 제1 도관(606)은 제1 플라즈마 공급원(602) 및 제1 챔버(102)의 제1 천장(118)으로부터 연장될 수 있다. 제1 가스 공급원(604)은 또한, 제1 원격 플라즈마 공급원(602)과 유체 연통한다. 제1 가스 공급원(604)은 제1 전구체 유형을 제1 원격 플라즈마 공급원(602)에 전달할 수 있고, 제1 원격 플라즈마 공급원(602)은 플라즈마 생성물들을 발생시켜 제1 프로세스 체적(110)에 전달할 수 있다.
유사하게, 제2 원격 플라즈마 공급원(608)은 제2 도관(612)을 통해 제2 챔버(104)의 제2 프로세스 체적(112)과 유체 연통할 수 있다. 일 구현에서, 제2 도관(612)은 제2 원격 플라즈마 공급원(608) 및 제2 챔버(104)의 제2 천장(122)으로부터 연장될 수 있다. 제2 가스 공급원(610)은 또한, 제2 원격 플라즈마 공급원(608)과 유체 연통한다. 제2 가스 공급원(610)은 제2 전구체 유형을 제2 원격 플라즈마 공급원(608)에 전달할 수 있고, 제2 원격 플라즈마 공급원(608)은 플라즈마 생성물들을 발생시켜 제2 프로세스 체적(112)에 전달할 수 있다. 일 구현에서, 제2 전구체 유형은 제1 전구체 유형과 동일할 수 있다. 다른 구현에서, 제2 전구체 유형은 제1 전구체 유형과 상이할 수 있다.
제3 원격 플라즈마 공급원(614)은 제3 도관(618)을 통해 제1 프로세스 체적(110)과 유체 연통한다. 예시된 구현에서, 제3 도관(618)은 제1 챔버(102)의 제1 측벽(120)과 제3 원격 플라즈마 공급원(614) 사이에서 연장된다. 제3 도관(618)이 제1 측벽(120)에 결합되는 위치는, 슬릿 밸브(도시되지 않음)에 의해 점유되는 평면 위의 평면에 있을 수 있다(즉, 제1 천장(118)에 더 가까움).
제3 가스 공급원(616)은 또한, 제3 원격 플라즈마 공급원(614)과 유체 연통할 수 있다. 제3 가스 공급원(616)은 임의의 바람직한 전구체 유형을 제3 원격 플라즈마 공급원(614)에 전달할 수 있다. 일 구현에서, 제3 가스 공급원(616)은 제1 및 제2 가스 공급원들(604, 610)에 의해 제공되는 제1 및 제2 전구체 유형들과 유사한 제3 전구체 유형을 전달할 수 있다. 다른 구현에서, 제3 가스 공급원(616)은 제1 및 제2 전구체 유형들과 상이한 제3 전구체 유형을 전달할 수 있다.
제4 원격 플라즈마 공급원(620)은 또한, 제4 도관(624)을 통해 제2 프로세스 체적(112)과 유체 연통한다. 예시된 구현에서, 제4 도관(624)은 제2 챔버(104)의 제2 측벽(124)과 제4 원격 플라즈마 공급원(620) 사이에서 연장된다. 제4 도관(624)이 제2 측벽(124)에 결합되는 위치는, 슬릿 밸브(도시되지 않음)에 의해 점유되는 평면 위의 평면에 있을 수 있다(즉, 제2 천장(122)에 더 가까움).
제4 가스 공급원(622)은 또한, 제4 원격 플라즈마 공급원(620)과 유체 연통할 수 있다. 제4 가스 공급원(622)은 임의의 바람직한 전구체 유형을 제4 원격 플라즈마 공급원(620)에 전달할 수 있다. 일 구현에서, 제4 가스 공급원(622)은 제1, 제2, 및 제3 가스 공급원들(604, 610, 616)에 의해 제공되는 제1, 제2, 및 제3 전구체 유형들과 유사한 제4 전구체 유형을 전달할 수 있다. 다른 구현에서, 제4 가스 공급원(622)은 제1, 제2, 및 제3 전구체 유형들과 상이한 제4 전구체 유형을 전달할 수 있다. 일 구현에서, 제1 및 제2 가스 공급원들(604, 610)은 제1 전구체 유형을 전달할 수 있고, 제3 및 제4 가스 공급원들(616, 622)은 제1 전구체 유형과 상이한 제2 전구체 유형을 전달할 수 있다.
본원에서 설명된 구현들은, 통합 플라즈마 세정 능력들을 갖는 개선된 열 처리 챔버 및 그러한 프로세스들을 수행하기에 적합한 연관된 장치를 제공한다. 따라서, 비-플라즈마 처리 열 챔버의 인-시튜 플라즈마 세정이 달성될 수 있다. 다양한 구현들이 서로 조합하여 활용될 수 있고, 특정 구현들로부터의 특정 양상들은 다른 구현들로부터의 특정 구현들과 조합될 수 있으며, 이들 모두는 본 개시내용에서 고려되는 구현들이다.
전술한 내용은 본 개시내용의 구현들에 관한 것이지만, 이의 기본 범위로부터 벗어나지 않고 본 개시내용의 다른 구현들 및 추가 구현들이 고안될 수 있으며, 본 개시내용의 범위는 이하의 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (15)

  1. 기판 처리 장치로서,
    제1 프로세스 체적을 한정하는 제1 프로세스 챔버;
    제2 프로세스 체적을 한정하는 제2 프로세스 챔버;
    제1 플라즈마 도관에 의해 상기 제1 프로세스 챔버에 결합된 제1 원격 플라즈마 공급원 - 상기 제1 플라즈마 도관은 상기 제1 원격 플라즈마 공급원으로부터 상기 제1 프로세스 체적에 배치된 제1 샤워헤드로 플라즈마를 전달하도록 구성됨 -;
    상기 제1 원격 플라즈마 공급원과 상기 제2 프로세스 챔버 사이에 결합된 제2 플라즈마 도관 - 상기 제2 플라즈마 도관은 상기 제1 원격 플라즈마 공급원으로부터 상기 제2 프로세스 체적에 배치된 제2 샤워헤드로 상기 플라즈마를 전달하도록 구성됨 -;
    제3 플라즈마 도관에 의해 상기 제2 프로세스 챔버에 결합된 제2 원격 플라즈마 공급원;
    제1 배출 도관에 의해 상기 제1 프로세스 챔버에 그리고 제2 배출 도관에 의해 상기 제2 프로세스 챔버에 결합된 배출부;
    상기 제1 배출 도관 및 상기 제2 배출 도관을 상기 배출부에 결합시키는 공동 배출 도관;
    상기 공동 배출 도관에 배치된 총 배출 유동 제어기; 및
    상기 제1 배출 도관에 배치된 챔버 배출 유동 제어기
    를 포함하는, 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 플라즈마 도관에 배치된 제1 플라즈마 유동 제어기, 및 상기 제2 플라즈마 도관에 배치된 제2 플라즈마 유동 제어기를 더 포함하는, 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 프로세스 챔버에 배치된 제1 압력 센서 및 상기 제2 프로세스 챔버에 배치된 제2 압력 센서를 더 포함하는, 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 압력 센서들, 상기 총 배출 유동 제어기, 및 상기 챔버 배출 유동 제어기에 결합된 제어기를 더 포함하는, 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1 프로세스 챔버에 배치된 제1 조성물 센서 및 상기 제2 프로세스 챔버에 배치된 제2 조성물 센서를 더 포함하고, 제1 가스 공급원은 제1 공급원 도관에 의해 상기 제1 원격 플라즈마 공급원에 결합되고, 제2 가스 공급원은 제2 공급원 도관에 의해 상기 제2 원격 플라즈마 공급원에 결합되고, 제1 공급원 유동 제어기는 상기 제1 공급원 도관에 배치되고, 제2 공급원 유동 제어기는 상기 제2 공급원 도관에 배치되는, 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제어기는 또한, 상기 제1 플라즈마 유동 제어기, 상기 제2 플라즈마 유동 제어기, 상기 제1 공급원 유동 제어기, 상기 제2 공급원 유동 제어기, 상기 제1 조성물 센서, 및 상기 제2 조성물 센서에 결합되는, 기판 처리 장치.
  7. 기판 처리 장치로서,
    제1 프로세스 체적을 한정하는 제1 프로세스 챔버;
    제2 프로세스 체적을 한정하는 제2 프로세스 챔버;
    제1 플라즈마 도관에 의해 상기 제1 프로세스 챔버에 결합된 제1 원격 플라즈마 공급원 - 상기 제1 플라즈마 도관은 상기 제1 원격 플라즈마 공급원으로부터 상기 제1 프로세스 체적에 배치된 제1 샤워헤드로 플라즈마를 전달하도록 구성됨 -;
    상기 제1 원격 플라즈마 공급원과 상기 제2 프로세스 챔버 사이에 결합된 제2 플라즈마 도관 - 상기 제2 플라즈마 도관은 상기 제1 원격 플라즈마 공급원으로부터 상기 제2 프로세스 체적에 배치된 제2 샤워헤드로 상기 플라즈마를 전달하도록 구성됨 -;
    제3 플라즈마 도관에 의해 상기 제2 프로세스 챔버에 결합된 제2 원격 플라즈마 공급원;
    제1 캐리어 가스 도관에 의해 상기 제1 프로세스 챔버에 그리고 제2 캐리어 가스 도관에 의해 상기 제2 프로세스 챔버에 결합된 캐리어 가스 공급원;
    제1 배출 도관에 의해 상기 제1 프로세스 챔버에 그리고 제2 배출 도관에 의해 상기 제2 프로세스 챔버에 결합된 배출부;
    상기 제1 배출 도관 및 상기 제2 배출 도관을 상기 배출부에 결합시키는 공동 배출 도관;
    상기 공동 배출 도관에 배치된 총 배출 유동 제어기;
    상기 제1 배출 도관에 배치된 챔버 배출 유동 제어기;
    상기 제1 프로세스 챔버에 배치된 제1 압력 센서; 및
    상기 제2 프로세스 챔버에 배치된 제2 압력 센서를 포함하는, 기판 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1 플라즈마 도관에 배치된 제1 플라즈마 유동 제어기 및 상기 제2 플라즈마 도관에 배치된 제2 플라즈마 유동 제어기를 더 포함하는, 기판 처리 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    제1 공급원 도관에 의해 상기 제1 원격 플라즈마 공급원에 결합된 제1 가스 공급원, 및 제2 공급원 도관에 의해 상기 제2 원격 플라즈마 공급원에 결합된 제2 가스 공급원을 더 포함하고, 상기 캐리어 가스 공급원은 또한, 상기 제1 공급원 도관 및 상기 제2 공급원 도관에 결합되는, 기판 처리 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 캐리어 가스 공급원은 제1 캐리어 가스 유동 제어기에 의해 상기 제1 공급원 도관에 결합되고, 상기 캐리어 가스 공급원은 제2 캐리어 가스 유동 제어기에 의해 상기 제2 공급원 도관에 결합되는, 기판 처리 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제1 프로세스 챔버에 결합된 제3 원격 플라즈마 공급원, 상기 제2 프로세스 챔버에 결합된 제4 원격 플라즈마 공급원, 제3 공급원 도관에 의해 상기 제3 원격 플라즈마 공급원에 결합된 제3 가스 공급원, 및 제4 공급원 도관에 의해 상기 제4 원격 플라즈마 공급원에 결합된 제4 가스 공급원을 더 포함하고, 상기 캐리어 가스 공급원은 또한, 상기 제1 캐리어 가스 유동 제어기에 의해 상기 제3 공급원 도관에 결합되고, 상기 캐리어 가스 공급원은 또한, 상기 제2 캐리어 가스 유동 제어기에 의해 상기 제4 공급원 도관에 결합되는, 기판 처리 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 총 배출 유동 제어기, 상기 챔버 배출 유동 제어기, 상기 제1 압력 센서, 상기 제2 압력 센서, 상기 제1 플라즈마 유동 제어기, 상기 제2 플라즈마 유동 제어기, 상기 제1 캐리어 가스 유동 제어기, 및 상기 제2 캐리어 가스 유동 제어기에 결합된 제어기를 더 포함하고, 상기 제1 캐리어 가스 유동 제어기는 3방 밸브이고, 상기 제2 캐리어 가스 유동 제어기는 3방 밸브인, 기판 처리 장치.
  13. 기판 처리 장치로서,
    제1 프로세스 체적을 한정하는 제1 프로세스 챔버;
    제2 프로세스 체적을 한정하는 제2 프로세스 챔버;
    제1 플라즈마 도관에 의해 상기 제1 프로세스 챔버에 결합된 제1 원격 플라즈마 공급원 - 상기 제1 플라즈마 도관은 상기 제1 원격 플라즈마 공급원으로부터 상기 제1 프로세스 체적에 배치된 제1 샤워헤드로 플라즈마를 전달하도록 구성됨 -;
    상기 제1 원격 플라즈마 공급원과 상기 제2 프로세스 챔버 사이에 결합된 제2 플라즈마 도관 - 상기 제2 플라즈마 도관은 상기 제1 원격 플라즈마 공급원으로부터 상기 제2 프로세스 체적에 배치된 제2 샤워헤드로 상기 플라즈마를 전달하도록 구성됨 -;
    제3 플라즈마 도관에 의해 상기 제2 프로세스 챔버에 결합된 제2 원격 플라즈마 공급원 - 상기 제3 플라즈마 도관은 상기 제2 원격 플라즈마 공급원으로부터 상기 제2 샤워헤드로 플라즈마를 전달하도록 구성됨 -;
    상기 제2 원격 플라즈마 공급원과 상기 제1 프로세스 챔버 사이에 결합된 제4 플라즈마 도관 - 상기 제4 플라즈마 도관은 상기 제2 원격 플라즈마 공급원으로부터 상기 제1 샤워헤드로 상기 플라즈마를 전달하도록 구성됨 -;
    제1 배출 도관에 의해 상기 제1 프로세스 챔버에 그리고 제2 배출 도관에 의해 상기 제2 프로세스 챔버에 결합된 배출부;
    상기 제1 배출 도관 및 상기 제2 배출 도관을 상기 배출부에 결합시키는 공동 배출 도관;
    상기 공동 배출 도관에 배치된 총 배출 유동 제어기;
    상기 제1 배출 도관에 배치된 챔버 배출 유동 제어기;
    상기 제1 프로세스 챔버에 배치된 제1 압력 센서; 및
    상기 제2 프로세스 챔버에 배치된 제2 압력 센서를 포함하는, 기판 처리 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 총 배출 유동 제어기, 상기 챔버 배출 유동 제어기, 상기 제1 압력 센서, 및 상기 제2 압력 센서에 결합된 제어기를 더 포함하는, 기판 처리 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제1 플라즈마 도관에 배치된 제1 플라즈마 유동 제어기;
    상기 제2 플라즈마 도관에 배치된 제2 플라즈마 유동 제어기;
    상기 제1 프로세스 챔버에 배치된 제1 조성물 센서 및 상기 제2 프로세스 챔버에 배치된 제2 조성물 센서를 더 포함하고, 상기 제어기는 상기 제1 및 제2 조성물 센서들에 더 결합되는, 기판 처리 장치.
KR1020207030254A 2016-04-11 2017-04-10 웨이퍼 가스방출을 위한 플라즈마 강화 어닐링 챔버 KR102216500B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201662320932P 2016-04-11 2016-04-11
US62/320,932 2016-04-11
PCT/US2017/026796 WO2017180511A1 (en) 2016-04-11 2017-04-10 Plasma enhanced anneal chamber for wafer outgassing

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187032300A Division KR102170618B1 (ko) 2016-04-11 2017-04-10 웨이퍼 가스방출을 위한 플라즈마 강화 어닐링 챔버

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200123281A true KR20200123281A (ko) 2020-10-28
KR102216500B1 KR102216500B1 (ko) 2021-02-17

Family

ID=59998822

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187032300A KR102170618B1 (ko) 2016-04-11 2017-04-10 웨이퍼 가스방출을 위한 플라즈마 강화 어닐링 챔버
KR1020207030254A KR102216500B1 (ko) 2016-04-11 2017-04-10 웨이퍼 가스방출을 위한 플라즈마 강화 어닐링 챔버

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187032300A KR102170618B1 (ko) 2016-04-11 2017-04-10 웨이퍼 가스방출을 위한 플라즈마 강화 어닐링 챔버

Country Status (6)

Country Link
US (2) US10770272B2 (ko)
JP (2) JP6734393B2 (ko)
KR (2) KR102170618B1 (ko)
CN (2) CN115206765A (ko)
TW (2) TWI757969B (ko)
WO (1) WO2017180511A1 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10428426B2 (en) * 2016-04-22 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Method and apparatus to prevent deposition rate/thickness drift, reduce particle defects and increase remote plasma system lifetime
GB201819454D0 (en) * 2018-11-29 2019-01-16 Johnson Matthey Plc Apparatus and method for coating substrates with washcoats
KR102278629B1 (ko) * 2019-07-22 2021-07-19 세메스 주식회사 기판 처리 장치
US11817297B2 (en) 2020-03-06 2023-11-14 Applied Materials, Inc. System and method for managing substrate outgassing

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003107203A (ja) * 2001-09-21 2003-04-09 Applied Materials Inc 反射防止膜の形成方法及び装置並びに反射防止膜
US20030129106A1 (en) * 2001-08-29 2003-07-10 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing using an efficiently coupled gas source
JP2006253629A (ja) * 2005-02-08 2006-09-21 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置，基板処理装置の制御方法，プログラム
KR20140034707A (ko) * 2012-09-12 2014-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 유도 결합형 플라즈마 증착 반응기를 위한 프로세스 가스 관리

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB9107813D0 (en) 1991-04-12 1991-05-29 Weatherford Lamb Tong
JP3123797B2 (ja) 1991-12-17 2001-01-15 株式会社リコー 予測符号化方式の符号化装置および復号化装置
US6082225A (en) 1994-01-31 2000-07-04 Canrig Drilling Technology, Ltd. Power tong wrench
US6152070A (en) 1996-11-18 2000-11-28 Applied Materials, Inc. Tandem process chamber
US5826607A (en) * 1996-11-25 1998-10-27 Sony Corporation Dual exhaust controller
US6776070B1 (en) 1999-05-02 2004-08-17 Varco I/P, Inc Iron roughneck
US6835278B2 (en) 2000-07-07 2004-12-28 Mattson Technology Inc. Systems and methods for remote plasma clean
JP4753224B2 (ja) 2000-08-22 2011-08-24 日本エー・エス・エム株式会社 ガスラインシステム
US6630053B2 (en) 2000-08-22 2003-10-07 Asm Japan K.K. Semiconductor processing module and apparatus
US6685803B2 (en) * 2001-06-22 2004-02-03 Applied Materials, Inc. Plasma treatment of processing gases
JP2005534174A (ja) 2002-07-19 2005-11-10 アクセリス テクノロジーズ， インコーポレイテッド フォトレジスト・アッシング装置
JP2004131760A (ja) 2002-10-08 2004-04-30 Canon Inc 真空処理装置
NO320735B1 (no) 2003-11-25 2006-01-23 V Tech As Krafttang
CN100397569C (zh) 2005-02-08 2008-06-25 东京毅力科创株式会社 基板处理装置、基板处理装置的控制方法
US20060176928A1 (en) 2005-02-08 2006-08-10 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus, control method adopted in substrate processing apparatus and program
US20060266288A1 (en) * 2005-05-27 2006-11-30 Applied Materials, Inc. High plasma utilization for remote plasma clean
JP4582459B2 (ja) 2006-01-23 2010-11-17 株式会社アルバック 真空装置
JP5011148B2 (ja) * 2008-02-06 2012-08-29 大陽日酸株式会社 半導体装置の製造方法、クリーニング方法及び基板処理装置
US8109179B2 (en) 2008-02-12 2012-02-07 Allan Stewart Richardson Power tong
US7699935B2 (en) 2008-06-19 2010-04-20 Applied Materials, Inc. Method and system for supplying a cleaning gas into a process chamber
US20110117728A1 (en) * 2009-08-27 2011-05-19 Applied Materials, Inc. Method of decontamination of process chamber after in-situ chamber clean
US20110265951A1 (en) 2010-04-30 2011-11-03 Applied Materials, Inc. Twin chamber processing system
US20120222813A1 (en) 2011-03-01 2012-09-06 Applied Materials, Inc. Vacuum chambers with shared pump
US20130333616A1 (en) 2012-06-18 2013-12-19 Tel Solar Ag Plasma processing system with movable chamber housing parts
KR102132427B1 (ko) 2012-09-07 2020-07-09 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 멀티-챔버 진공 시스템 확인 내에서의 다공성 유전체, 폴리머-코팅된 기판들 및 에폭시의 통합 프로세싱
US10672591B2 (en) 2013-06-21 2020-06-02 Applied Materials, Inc. Apparatus for removing particles from a twin chamber processing system
US9453377B2 (en) 2013-10-21 2016-09-27 Frank's International, Llc Electric tong system and methods of use
CN103632998B (zh) 2013-11-22 2016-05-04 沈阳拓荆科技有限公司 等离子体处理装置
US9366097B2 (en) 2013-11-25 2016-06-14 Honghua America, Llc Power tong for turning pipe
US20150211114A1 (en) 2014-01-30 2015-07-30 Applied Materials, Inc. Bottom pump and purge and bottom ozone clean hardware to reduce fall-on particle defects
JP5775633B1 (ja) 2014-09-29 2015-09-09 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030129106A1 (en) * 2001-08-29 2003-07-10 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing using an efficiently coupled gas source
JP2003107203A (ja) * 2001-09-21 2003-04-09 Applied Materials Inc 反射防止膜の形成方法及び装置並びに反射防止膜
JP2006253629A (ja) * 2005-02-08 2006-09-21 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置，基板処理装置の制御方法，プログラム
KR20140034707A (ko) * 2012-09-12 2014-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 유도 결합형 플라즈마 증착 반응기를 위한 프로세스 가스 관리

Also Published As

Publication number Publication date
JP2019516242A (ja) 2019-06-13
KR102216500B1 (ko) 2021-02-17
US20170294292A1 (en) 2017-10-12
TW202125677A (zh) 2021-07-01
US10770272B2 (en) 2020-09-08
TWI721149B (zh) 2021-03-11
TWI757969B (zh) 2022-03-11
WO2017180511A1 (en) 2017-10-19
JP2020184639A (ja) 2020-11-12
CN109075106B (zh) 2022-08-09
US11348769B2 (en) 2022-05-31
CN109075106A (zh) 2018-12-21
KR20180123587A (ko) 2018-11-16
JP6734393B2 (ja) 2020-08-05
KR102170618B1 (ko) 2020-10-27
TW201802990A (zh) 2018-01-16
CN115206765A (zh) 2022-10-18
US20200402780A1 (en) 2020-12-24
JP7358301B2 (ja) 2023-10-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11348769B2 (en) Plasma-enhanced anneal chamber for wafer outgassing
US10214815B2 (en) Surface treated aluminum nitride baffle
US9556507B2 (en) Yttria-based material coated chemical vapor deposition chamber heater
JP5941491B2 (ja) 基板処理装置及び半導体装置の製造方法並びにプログラム
US10428426B2 (en) Method and apparatus to prevent deposition rate/thickness drift, reduce particle defects and increase remote plasma system lifetime
US20140272341A1 (en) Thermal treated sandwich structure layer to improve adhesive strength
KR102425423B1 (ko) 펌핑 배기 시스템 내에서 배출물 축적을 감소시키기 위한 시스템들 및 방법들
WO2017192249A1 (en) Plasma treatment process for in-situ chamber cleaning efficiency enhancement in plasma processing chamber
KR102049146B1 (ko) 플라즈마 에칭 방법, 플라즈마 에칭 장치, 및 기판 탑재대
KR102598863B1 (ko) 동시에 발생하는 인시츄 플라즈마 소스 및 리모트 플라즈마 소스를 사용한 신속한 챔버 세정
JP2016009742A (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
JP2016048705A (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム、記録媒体
US20180036775A1 (en) Aluminum fluoride mitigation by plasma treatment
US20230020387A1 (en) Low temperature sintered coatings for plasma chambers
JP2007115883A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant