CN109075106A - 用于晶片放气的等离子体增强退火腔室 - Google Patents

用于晶片放气的等离子体增强退火腔室 Download PDF

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Abstract

本文所述的实施方式提供具有原位清洁能力的热基板处理装置。本文所述的装置可包括热处理腔室，所述热处理腔室限定处理容积并且基板支撑件可布置于处理容积内。一个或多个远程等离子体源可与处理容积流体连通，并且远程等离子体源可配置成将等离子体传送到处理容积。

Description

用于晶片放气的等离子体增强退火腔室
背景
技术领域
本公开内容的实施方式大致涉及半导体处理腔室。更具体而言，本文所述的实施方式涉及用于基板放气的等离子体增强退火腔室。
背景技术
通常在半导体制造中出于各种目的采用半导体基板的热处理。不同类型的热处理包括快速热处理、激光处理、浸泡退火(soak annealing)等等。在热处理期间所采用的温度可配置成改变基板和设置在基板上的材料的各种特性。例如，掺杂剂扩散、结晶材料改性和表面改性仅仅是可通过热处理实现的一些类型的处理。
在某些热处理中，材料可从正受到热处理的基板放气。经放气的材料通常被从热处理腔室的处理容积排放，然而，经放气的材料也可能沉积在腔室壁和设置在腔室内的部件上。所沉积的材料可在腔室内产生颗粒，并且重新沉积在基板上，这可导致最终形成于基板上的微电子器件的故障。腔室的清洁通常需要在预防性维护期间长时间的停机时间，而降低热处理的效率。
因此，在本领域中需要改良的热处理腔室。
发明内容
在一个实施方式中，提供一种基板处理装置。所述装置包括第一热处理腔室，所述第一热处理腔室限定第一处理容积。第一基板支撑件可设置在第一处理容积内，第一远程等离子体源可流体耦合至第一处理容积，并且第一气源可流体耦合至第一远程等离子体源。所述装置还包括第二热处理腔室，所述第二热处理腔室限定第二处理容积。第二热处理腔室与第一热处理腔室共用壁。第二基板支撑件可设置在第二处理容积内，第二远程等离子体源可流体耦合至第二处理容积，并且第二气源可流体耦合至第二远程等离子体源。排放装置也可流体耦合至第一处理容积和第二处理容积。
附图说明
为了可详细理解本公开内容的上述特征的方式，可通过参照实施方式而具有上文简要概述的本公开内容的更具体的说明，一些实施方式图示于附图中。然而，应注意的是，附图仅图示例性实施方式，并且因此不被视为对本公开内容的范围的限制，而可认同其他同等有效的实施方式。
图1示意性图示根据本文所述的一个实施方式的具有远程等离子体源的双腔室热处理装置。
图2示意性图示根据本文所述的一个实施方式的具有远程等离子体源的双腔室热处理装置。
图3示意性图示根据本文所述的一个实施方式的具有远程等离子体源的双腔室热处理装置。
图4示意性图示根据本文所述的一个实施方式的具有远程等离子体源的双腔室热处理装置。
图5示意性图示根据本文所述的一个实施方式的具有远程等离子体源的双腔室热处理装置。
图6示意性图示根据本文所述的一个实施方式的具有远程等离子体源的双腔室热处理装置。
为了促进理解，已尽可能使用相同的参考数字代表附图共有的相同的元件。应考虑一个实施方式的元件和特征可有益地并入其他实施方式中而无须进一步说明。
具体实施方式
本文所述的实施方式提供具有原位清洁能力的热基板处理装置。本文所述的装置可包括热处理腔室，所述热处理腔室限定处理容积，并且基板支撑件可设置在处理容积内。一个或多个远程等离子体源可与处理容积流体连通，并且远程等离子体源可配置成将清洁等离子体传送到处理容积。
图1示意性图示根据本文所述的一个实施方式的具有远程等离子体源126、132的双腔室热处理装置100。装置100包括第一热处理腔室102，第一热处理腔室102限定第一处理容积110。第一腔室102的壁(例如，第一侧壁120和第一顶板(ceiling)118)进一步限定第一处理容积110。壁120和顶板118可由适合承受升高的处理温度的材料形成。例如，第一腔室102可由不锈钢、铝或其他合适的金属材料形成。限定处理容积110的第一腔室102的表面可用各种材料涂覆，以在某些实施方式中增强或避免在所述表面上的沉积。尽管未图示，也考虑各种处理配件、屏蔽物和类似物可设置在第一处理容积110内，以进一步改善颗粒管理和基板的热处理。
第一处理容积110可配置成通过将基板加热至约400℃以上的温度而在设置于第一处理容积110中的基板上执行热处理，例如介于约700℃与约1200℃之间，例如介于约850℃与约1100℃之间。第一基板支撑件106设置在第一处理容积110内。第一基板支撑件106可配置成通过各种方法于热处理期间在第一基板支撑件106上保持基板，这些方法诸如是真空吸附或静电吸附。也考虑基板可通过各种其他装置定位和/或保持在第一基板支撑件106上，诸如通过环、销和类似物。第一基板支撑件106还可包括电阻加热装置，诸如线圈或类似物，以促进设置在第一基板支撑件106上的基板的加热。诸如来自灯的电磁能量的其他加热方法可与电阻加热装置结合使用，以加热基板。
第一远程等离子体源126可耦合至第一处理容积110并且与第一处理容积110流体连通。第一远程等离子体源126可配置成距离第一处理容积110远程地产生等离子体，并且将等离子体产物传送到第一处理容积110。尽管未图示，第一远程等离子体源126可耦合至RF功率源。应考虑取决于期望的等离子体特性和腔室构造，第一远程等离子体源126可以是电容耦合等离子体产生器或电感耦合等离子体产生器。并未图示诸如RF扼流器或接地装置和类似物的各种其他等离子体产生装置，以免模糊图示的实施方式。
等离子体产物可经由第一导管130被传送至第一处理容积110，所述第一导管130与第一远程等离子体源126和第一处理容积110流体耦合。在一个实施方式中，第一导管130可从第一远程等离子体源126延伸至第一腔室102的第一顶板118。第一导管130可为任何合适形状的导管，并且可由主要对通过第一远程等离子体源126产生的等离子体产物为惰性的材料形成。在一个实施方式中，第一导管130可由石英材料、陶瓷材料或金属材料形成。暴露于等离子体产物的第一导管130的表面也可用对等离子体产物为惰性或大体上为惰性的各种材料涂覆，以减少或防止第一导管130的损伤、侵蚀或沉积。
第一远程等离子体源126也可与第一气源128流体连通。第一气源128将一种或多种前驱物气体传送到第一远程等离子体源126。第一气源128可传送诸如含有氩、氧、氮、氦和氟的气体的前驱物气体，例如三氟化氮或类似物。前驱物气体可被单独地或组合地并且/或者依次地或同时地被传送至第一远程等离子体源126。
在操作中，材料可从经热处理的基板被放气，并且材料可最终沉积并且积聚在第一腔室102的表面上。在某些实施方式中，可能期望移除沉积，并且可选择合适的前驱物气体以将所述前驱物气体从第一气源128传送至第一远程等离子体源126。第一远程等离子体源126可产生等离子体将等离子体/等离子体产物通过第一导管130传送至第一处理容积110。尽管未图示，各种衬垫、扩散器和/或喷头可接收等离子体/等离子体产物并且将等离子体/等离子体产物分配于全第一处理容积110范围内，以促进第一处理容积110的清洁。
从经热处理的基板放气的材料通过等离子体而从第一腔室102的表面移除的材料可通过排放导管114被从第一处理容积110排放到排放装置116。排放装置116可以是诸如涡轮泵的泵，配置成在第一处理容积110中产生减小的压力环境并且从第一处理容积110移除气体和其他材料。
装置100还包括第二处理腔室104，第二处理腔室104大体上与第一处理腔室102相同。第二处理腔室104限定第二处理容积112，第二处理腔室104具有第二侧壁124和第二顶板122并且可具有设置在第二处理腔室104中的第二基板支撑件108。第二处理腔室104的材料和结构可与第一处理腔室102的材料和结构相同或大体上类似。
在一个实施方式中，第一处理腔室102和第二处理腔室104共用壁。在这样的实施方式中，第一处理腔室102的侧壁120A和第二处理腔室104的侧壁124A是接合的，或者是相同的壁。
第二远程等离子体源132可耦合至第二处理容积112并且与第二处理容积112流体连通。第二远程等离子体源132可配置成距离第二处理容积112远程地产生等离子体，并且将等离子体产物传送至第二处理容积112。等离子体产物可经由第二导管136被传送至第二处理容积112，第二导管136流体耦合至第二远程等离子体源132和第二处理容积112。在一个实施方式中，第二导管136可从第二远程等离子体源132延伸至第二腔室104的第二顶板122。第二导管136可以是任何合适形状的导管，并且可由主要对通过第二远程等离子体源132产生的等离子体产物为惰性的材料形成。在一个实施方式中，第二导管136可由石英材料、陶瓷材料或金属材料形成。暴露于等离子体产物的第二导管136的表面也可用对等离子体产物为惰性或大体上为惰性的各种材料涂覆，以减少或防止第二导管136的损伤、侵蚀或沉积。
第二等离子体源132也可与第二气源134流体连通。第二气源134将一种或多种前驱物气体传送到第二远程等离子体源132。在一个实施方式中，第一气源128和第二气源134是分开的气源。在另一实施方式中，第一气源128和第二气源134是相同的气源。在这两个实施方式中的任一个实施方式中，第一气源128和第二气源134可配置成传送任何期望的前驱物气体组合。在一个实施方式中，第二气源134可传送诸如含有氩、氧、氮、氦和氟的气体的前驱物气体，例如三氟化氮或类似物。前驱物气体可单独地或组合地并且/或者依次地或同时地被传送至第二远程等离子体源132。
在操作中，材料可从经热处理的基板放气，并且材料可最终沉积并且积聚在第二腔室104的表面上。如先前所述，可能期望移除沉积，并且可选择合适的前驱物气体以将前驱物气体从第二气源134传送至第二远程等离子体源132。第二远程等离子体源132可产生等离子体并且将等离子体/等离子体产物通过第二导管136传送至第二处理容积112。尽管未图示，各种衬垫、扩散器和/或喷淋头可接收等离子体/等离子体产物，并且将等离子体/等离子体产物分配于全第二处理容积112范围内，以促进第二处理容积112的清洁。
第二处理容积112也通过排放导管114连接至排放装置116。因此，第一处理容积110和第二处理容积112共同通过排放装置116而被抽吸。应考虑排放装置116可在第二处理容积112中产生与第一处理容积110的减小的压力环境类似或相同的减小的压力环境。因为排放装置116与第一处理容积110和第二处理容积112流体连通，所以排放导管114将这两个处理容积110、112耦合至排放装置116。排放导管114可通过侧壁120、124或相对于顶板118、122设置的腔室102、104的底部而耦合至第一腔室102和第二腔室104。
图2示意性图示根据本文所述的一个实施方式的具有远程等离子体源202双腔室热处理装置200。在图示的实施方式中，远程等离子体源202与第一处理容积110和第二处理容积112流体连通。远程等离子体源202可通过第一导管208流体耦合至第一处理容积110，并且也可通过第二导管206流体耦合至第二处理容积112。在一个实施方式中，第一导管208可从远程等离子体源202延伸至第一腔室102的第一顶板118，并且第二导管206可从远程等离子体源202延伸至第二腔室104的第二顶板122。气源204可与远程等离子体源202流体连通并且传送各种前驱物至远程等离子体源202。气源204可以是单一气源或可配置成提供多种不同的气体。
远程等离子体源202可产生适合供应第一处理空间110和第二处理空间112的某数量的等离子体/等离子体。在一个实施方式中，单一前驱物可从气源204被传送至远程等离子体源202，并且等离子体可随后产生并且被传送至处理容积110、112。在另一实施方式中，可将多种前驱物同时从气源传送至远程等离子体源202，并且可产生前驱物的等离子体并且将前驱物的等离子体传送至处理容积110、112。
在又一实施方式中，可将第一前驱物传送至远程等离子体源202，并且可将生成的等离子体传送至处理容积110、112。随后，不同于第一前驱物的第二前驱物可从气源204被传送至远程等离子体源202，并且生成的等离子体可连续地传送至处理容积110、112。应理解可以任何顺序(即相继地、同时地)将前驱物的任何组合从气源204传送至远程等离子体源202。通过远程等离子体源202产生的等离子体和等离子体产物可连续地或以脉冲方式被传送至处理容积110、112。
远程等离子体源202可类似于关于图1说明的第一等离子体源126或第二等离子体源132。类似地，第一导管208和第二导管206可由与第一导管130或第二导管136相同或类似的材料形成。在操作中，第一腔室102和第二腔室104可热处理基板。在执行热处理之后，远程等离子体源202产生清洁等离子体，并且将等离子体和等离子体产物传送至第一腔室102和第二腔室104中的每一个的处理容积110、112。等离子体产物和其他流出物可通过排放装置116从处理容积110、112排出。
传感器传感器传感器图3示意性图示根据本文所述的一个实施方式的具有远程等离子体源320、310的双腔室热处理装置300。在图示的实施方式中，第一等离子体源302可经由第一导管306而与第一腔室102流体连通，并且经由第二导管308而与第二腔室104流体连通。在一个实施方式中，第一导管306可从第一远程等离子体源302和第一腔室102的第一顶板延伸，并且第二导管308可从第一远程等离子体源302和第二腔室104的第二顶板122延伸。第一远程等离子体源302也与第一气源304流体连通。
第二远程等离子体源310可经由第三导管314而与第二腔室104流体连通，并且经由第四导管316而与第一腔室102流体连通。在一个实施方式中，第三导管314可从第二远程等离子体源310延伸至第二腔室104的第二顶板，并且第四导管316可从第二远程等离子体源310延伸至第一腔室102的第一顶板118。第二气源312与第二远程等离子体源312流体连通。第二气源312可配置成将先前所述的任何前驱物传送至第二远程等离子体源310。第二远程等离子体源310可产生等离子体，并且将等离子体产物传送至第二腔室104和第一腔室102两者。
类似地，第一气源可配置成将先前所述的任何前驱物传送至第一远程等离子体源302。第一远程等离子体源302可产生等离子体，并且将等离子体产物传送至第一腔室102和第二腔室104两者。第一远程等离子体源302和第二远程等离子体源310可产生任何类型或组合的清洁等离子体，并且以任何期望的方式传送等离子体产物，例如脉冲传送、交替等离子体类型传送或连续传送一个或多个等离子体类型。在一个实施方式中，第一远程等离子体源302可产生第一等离子体类型，并且将等离子体产物传送至腔室102、104。第二远程等离子体源310可产生不同于第一等离子体类型的第二等离子体类型，并且将等离子体产物传送至腔室102、104。
图4示意性图示根据本文所述的一个实施方式的具有远程等离子体源402、408、414、420的双腔室热处理装置400。在图示的实施方式中，第一远程等离子体源402可经由第一导管406而与第一腔室102的第一处理容积110流体连通。在一个实施方式中，第一导管406可从远程等离子体源402延伸至第一腔室102的第一顶板118。第一远程等离子体源402也与第一气源404流体连通。第二远程等离子体源408可经由第二导管412而也与第一腔室102的第一处理容积110流体连通。在一个实施方式中，第二导管412可从第二远程等离子体源408延伸至第一腔室102的第一顶板18。第二远程等离子体源408也与第二气源410流体连通。
气源404、410可以任何组合将任何先前所述的前驱物提供至远程等离子体源402、408。在一个实施方式中，第一气源404可将第一前驱物提供至第一远程等离子体源402，并且第一等离子体可生成并且被传送至第一处理容积110。第二气源410可将不同于第一前驱物的第二前驱物提供至第二远程等离子体源408，并且第二等离子体可生成并且被传送至第一处理容积110。
举例而言，第一气源404可将氩气、氦气或氩气和氮气的组合传送至第一远程等离子体源402。第一远程等离子体源402可距离第一处理容积110远程地生成第一等离子体，并且经由第一导管406将等离子体产物(即自由基和/或离子)传送至第一处理容积110。第二气源410可将氧气、NF3或氧气和NF3的组合传送至第二远程等离子体源408。第二远程等离子体源408可距离第一处理容积110远程地产生第二等离子体，并且经由第二导管112将等离子体产物传送至第一处理容积110。第一等离子体和第二等离子体可同时、以交替的方式或以任何期望的顺序被传送至第一处理容积110，而配置成清洁第一腔室102和设置在第一腔室102中的物件。
类似地，第三远程等离子体源414可经由第三导管418而与第二腔室104的第二处理容积112流体连通。在一个实施方式中，第三导管418可从第三远程等离子体源414延伸至第二腔室104的第二顶板122。第三远程等离子体源414也与第三气源416流体连通。在一个实施方式中，第三气源416可类似于第一气源404。第四远程等离子体源420可经由第四导管424而也与第二腔室104的第二处理容积112流体连通。在一个实施方式中，第四导管424可从第四远程等离子体源420延伸至第二腔室104的第二顶板122。第四远程等离子体源420也与第四气源422流体连通。在一个实施方式中，第四气源422可类似于第二气源410。应考虑第三远程等离子体源414和第四远程等离子体源420与第三气源416和第四气源422可类似于第一远程等离子体源402和第二远程等离子体源408与第一气源404和第二气源410而实施和操作。
传感器图5示意性图示根据本文所述的一个实施方式的具有远程等离子体源502、508、514的双腔室热处理装置500。在图示的实施方式中，第一远程等离子体源502可经由第一导管506而与第一腔室102的第一处理容积110流体连通。在一个实施方式中，第一导管506可从第一等离子体源502和第一腔室102的第一顶板118延伸。第一气源504也与第一远程等离子体源502流体连通。第一气源504可将第一前驱物类型传送至第一远程等离子体源502，并且第一远程等离子体源502可产生并且传送等离子体产物至第一处理容积110。
类似地，第二远程等离子体源508可经由第二导管512与第二腔室104的第二处理容积112流体连通。在一个实施方式中，第二导管512可从第二等离子体源508和第二腔室104的第二顶板122延伸。第二气源510也与第二远程等离子体源508流体连通。第二气源510可将第二前驱物类型传送至第二远程等离子体源508，并且第二远程等离子体源508可产生并且传送等离子体产物至第二处理容积112。在一个实施方式中，第二前驱物类型可与第一前驱物类型相同。在另一实施方式中，第二前驱物类型可不同于第一前驱物类型。
第三远程等离子体源514经由第三导管518而分别与第一腔室102和第二腔室104的第一处理容积110和第二处理容积112流体连通。因此，第三导管518将第一处理容积110和第二处理容积112流体耦合至第三远程等离子体源514。在图示的实施方式中，第三导管518在第三远程等离子体源514与第一腔室102的第一侧壁120和第二腔室104的第二侧壁124之间延伸。第三导管518耦合至侧壁120、124的位置可在高于狭缝阀(未示出)所占据的平面(即较靠近第一顶板118)的平面中。在另一实施方式中，第三导管518可分别在第三远程等离子体源514与第一腔室102和第二腔室104的第一顶板118和第二顶板122之间延伸。
第三气源516也可与第三远程等离子体源514流体连通。第三气源516可将任何期望的前驱物类型传送至第三远程等离子体源514。在一个实施方式中，第三气源516可传送第三前驱物类型，第三前驱物类型类似于通过第一气源504和第二气源510提供的第一前驱物类型和第二前驱物类型。在另一实施方式中，第三气源516可传送不同于第一前驱物类型和第二前驱物类型的第三前驱物类型。
将远程等离子体注入处理腔室102和104的侧壁120和124使得能够从远程等离子体源514分别低于基板支撑件106和108传送气体。如果远程等离子体源514传送清洁气体，并且基板支撑件106和108轴向方向中被致动，则可延伸基板支撑件106和108，使得基板支撑件的支撑区域高于来自远程等离子体单元514的气体的入口，而将处理腔室102和104的下部区域暴露于清洁气体。以此方式，处理腔室102和104中的一者或两者可在腔室的下部区域受到清洁。
图6示意性图示根据本文所述的一个实施方式的具有远程等离子体源602、608、614、620的双腔室热处理装置600。在图示的实施方式中，第一远程等离子体源602可经由第一导管606而与第一腔室102的第一处理容积110流体连通。在一个实施方式中，第一导管606可从第一等离子体源602和第一腔室102的第一顶板118延伸。第一气源604也与第一远程等离子体源602流体连通。第一气源604可将第一前驱物类型传送至第一远程等离子体源602，并且第一远程等离子体源602可产生并且传送等离子体产物至第一处理容积110。
类似地，第二远程等离子体源608可经由第二导管612与第二腔室104的第二处理容积112流体连通。在一个实施方式中，第二导管612可从第二等离子体源608和第二腔室104的第二顶板122延伸。第二气源610也与第二远程等离子体源608流体连通。第二气源610可将第二前驱物类型传送至第二远程等离子体源608，并且第二远程等离子体源608可产生并且传送等离子体产物至第二处理容积112。在一个实施方式中，第二前驱物类型可与第一前驱物类型相同。在另一实施方式中，第二前驱物类型可不同于第一前驱物类型。
第三远程等离子体源614经由第三导管618而与第一处理容积110流体连通。在图示的实施方式中，第三导管618在第三远程等离子体源614和第一腔室102的第一侧壁120之间延伸。第三导管618耦合至第一侧壁120的位置可在高于狭缝阀(未示出)所占据的平面(即较靠近第一顶板118)的平面中。
第三气源616也可与第三远程等离子体源614流体连通。第三气源616可将任何期望的前驱物类型传送至第三远程等离子体源614。在一个实施方式中，第三气源616可传送第三前驱物类型，第三前驱物类型类似于通过第一气源604和第二气源610提供的第一前驱物类型和第二前驱物类型。在另一实施方式中，第三气源616可传送不同于第一前驱物类型和第二前驱物类型的第三前驱物类型。
第四远程等离子体源620经由第四导管624而与第二处理容积112流体连通。在图示的实施方式中，第四导管624在第四远程等离子体源620和第二腔室104的第二侧壁124之间延伸。第四导管624耦合至第二侧壁124的位置可高于狭缝阀(未示出)所占据的平面(即较靠近第二顶板122)的平面中。
第四气源622也可与第四远程等离子体源620流体连通。第四气源622可将任何期望的前驱物类型传送至第四远程等离子体源620。在一个实施方式中，第四气源622可传送第四前驱物类型，第四前驱物类型类似于通过第一气源604、第二气源610和第三气源616提供的第一前驱物类型、第二前驱物类型和第三前驱物类型。在另一实施方式中，第四气源622可传送不同于第一前驱物类型、第二前驱物类型和第三前驱物类型的第四前驱物类型。在一个实施方式中，第一气源604和第二气源610可传送第一前驱物类型，并且第三气源606和第四气源622可传送不同于第一前驱物类型的第二前驱物类型。
传感器传感器传感器传感器传感器传感器传感器传感器传感器本文所述的实施方式提供一种具有整合的等离子体清洁能力的改良的热处理腔室，和适合执行此类处理的相关装置。因此，可实现非等离子体处理热腔室的原位等离子体清洁。可将各种实施方式与另一者结合使用，并且来自某些实施方式的某些方面可与来自其他实施方式的某些实施方式结合，所有这些实施方式均在本公开内容的考量之中。
尽管上述内容针对本公开内容的实施方式，在不脱离本公开内容的基本范围的情况下，可设计本公开内容的其他和进一步的实施方式，并且本公开内容的范围通过随附的权利要求书确定。

Claims (15)

1.一种基板处理装置，包含：
第一热处理腔室，所述第一热处理腔室限定第一处理容积；
第二热处理腔室，所述第二热处理腔室限定第二处理容积；
第一远程等离子体源，所述第一远程等离子体源通过第一等离子体导管耦合至所述第一热处理腔室；
排放装置，所述排放装置通过第一排放导管耦合至所述第一热处理腔室，并且通过第二排放导管耦合至所述第二热处理腔室；
共同排放导管，所述共同排放导管将所述第一排放导管和所述第二排放导管耦合至所述排放装置；
总排放流量控制器，所述总排放流量控制器设置在所述共同排放导管中；和
腔室排放流量控制器，所述腔室排放流量控制器设置在所述第一排放导管中。
2.如权利要求1所述的装置，进一步包含：设置在所述第一热处理腔室中的第一压力传感器，和设置在所述第二热处理腔室中的第二压力传感器。
3.如权利要求2所述的装置，进一步包含：控制器，所述控制器耦合至所述第一压力传感器和所述第二压力传感器、和所述总排放流量控制器、和所述腔室排放流量控制器。
4.如权利要求3所述的装置，进一步包含：第二远程等离子体源，所述第二远程等离子体源通过第三导管耦合至所述第二热处理腔室，其中所述第一远程等离子体源通过第二等离子体导管也耦合至所述第二热处理腔室。
5.如权利要求4所述的装置，进一步包含：等离子体流量控制器，所述等离子体流量控制器设置在所述第二等离子体导管中，其中所述第一远程等离子体源通过第二等离子体导管也耦合至所述第二热处理腔室。
6.如权利要求5所述的装置，进一步包含：设置在所述第一热处理腔室中的第一成分传感器，和设置在所述第二热处理腔室中的第二成分传感器，其中第一气源通过第一源导管耦合至所述第一等离子体源，第二气源通过第二源导管耦合至所述第二等离子体源，第一源流量控制器设置在所述第一源导管中，并且第二源流量控制器设置在所述第二源导管中。
7.如权利要求6所述的装置，其中所述控制器也耦合至所述等离子体流量控制器、所述第一源流量控制器、所述第二源流量控制器、所述第一成分传感器和所述第二成分传感器。
8.一种基板处理装置，包含：
第一热处理腔室，所述第一热处理腔室限定第一处理容积；
第二热处理腔室，所述第二热处理腔室限定第二处理容积；
第一远程等离子体源，所述第一远程等离子体源通过第一等离子体导管耦合至所述第一热处理腔室；
第二远程等离子体源，所述第二远程等离子体源通过第二等离子体导管耦合至所述第二热处理腔室；
载气源，所述载气源通过第一载气导管耦合至所述第一热处理腔室，并且通过第二载气导管耦合至所述第二热处理腔室；
排放装置，所述排放装置通过第一排放导管耦合至所述第一热处理腔室，并且通过第二排放导管耦合至所述第二热处理腔室；
共同排放导管，所述共同排放导管将所述第一排放导管和所述第二排放导管耦合至所述排放装置；
总排放流量控制器，所述总排放流量控制器设置于所述共同排放导管中；和
腔室排放流量控制器，所述腔室排放流量控制器设置于所述第一排放导管中；
第一压力传感器，所述第一压力传感器设置于所述第一热处理腔室中；和
第二压力传感器，所述第二压力传感器设置于所述第二热处理腔室中。
9.如权利要求8所述的装置，进一步包含：第一气源，通过第一源导管耦合至所述第一远程等离子体源；和第二气源，通过第二源导管耦合至所述第二远程等离子体源，其中所述载气源也耦合至所述第一源导管和所述第二源导管。
10.如权利要求9所述的装置，其中所述载气源通过第一载气流量控制器耦合至所述第一源导管，并且所述载气源通过第二载气流量控制器耦合至所述第二源导管。
11.如权利要求10所述的装置，进一步包含：耦合至所述第一热处理腔室的第三远程等离子体源、耦合至所述第二热处理腔室的第四远程等离子体源、通过第三源导管耦合至所述第三远程等离子体源的第三气源和通过第四源导管耦合至所述第四远程等离子体源的第四气源，其中所述载气源通过所述第一载气流量控制器也耦合至所述第三源导管，并且所述载气源通过所述第二载气流量控制器也耦合至所述第四源导管。
12.如权利要求11所述的装置，进一步包含：控制器，所述控制器耦合至所述总排放流量控制器、所述腔室排放流量控制器、所述第一压力传感器、所述第二压力传感器、所述第一载气流量控制器和所述第二载气流量控制器，其中所述第一流量控制器是三通阀并且所述第二流量控制器是三通阀。
13.一种基板处理装置，包含：
第一热处理腔室，所述第一热处理腔室限定第一处理容积；
第二热处理腔室，所述第二热处理腔室限定第二处理容积；
第一远程等离子体源，所述第一远程等离子体源通过第一等离子体导管耦合至所述第一热处理腔室，并且通过第二等离子体导管耦合至所述第二热处理腔室；
排放装置，所述排放装置通过第一排放导管耦合至所述第一热处理腔室，并且通过第二排放导管耦合至所述第二热处理腔室；和
共同排放导管，所述共同排放导管将所述第一排放导管和所述第二排放导管耦合至所述排放装置；
总排放流量控制器，所述总排放流量控制器设置于所述共同排放导管中；和
腔室排放流量控制器，所述腔室排放流量控制器设置于所述第一排放导管中；
第一压力传感器，所述第一压力传感器设置于所述第一热处理腔室中；和
第二压力传感器，所述第二压力传感器设置于所述第二热处理腔室中。
14.如权利要求13所述的装置，进一步包含：控制器，所述控制器耦合至所述总排放流量控制器、所述腔室排放流量控制器、所述第一压力传感器和所述第二压力传感器；和第二远程等离子体源，所述第二远程等离子体源耦合至所述第二热处理腔室。
15.如权利要求14所述的装置，进一步包含：第一成分传感器，设置于所述第一热处理腔室中；和第二成分传感器，设置于所述第二热处理腔室中，其中所述控制器进一步耦合至所述第一成分传感器和所述第二成分传感器。
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