CN115702473A - 光电辅助等离子体点燃 - Google Patents

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Abstract

一种衬底处理系统包含气体源、RF源、以及光源。所述气体源供应第一气体至所述衬底处理系统的处理模块。所述RF源在供应所述第一气体至所述衬底处理系统的所述处理模块时供应RF功率至所述处理模块以产生等离子体。所述光源被耦合至所述处理模块以在所述等离子体产生期间将光导入所述处理模块中。

Description

光电辅助等离子体点燃
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年6月2日申请的美国临时申请No.63/033,507的优先权。上述引用的申请其全部公开内容都通过引用合并于此。
技术领域
本公开总体上涉及衬底处理系统，并且更具体地涉及光电辅助等离子体点燃。
背景技术
这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的发明人的工作在其在此背景技术部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。
衬底处理系统通常包含多个处理室(也称为处理模块)以进行衬底(例如半导体晶片)的沉积、蚀刻、及其他处理。可在衬底上进行的示例性工艺包含但不限于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、化学增强等离子体气相沉积(CEPCD)、溅射物理气相沉积(PVD)、原子层沉积(ALD)以及等离子体增强ALD(PEALD)。可以在衬底上进行的额外示例性工艺包含但不限于蚀刻(如化学蚀刻、等离子体蚀刻、反应性离子蚀刻等)以及清洁工艺。
在处理期间，可以将衬底放置在衬底处理系统的处理室中的衬底支撑件(如基座、静电卡盘(ESC)等)上。计算机控制的机械手通常将衬底从处理室按顺序转移至待处理该衬底的另一处理室中。在沉积期间，包含一或多种前体的气体混合物被导入处理室中，然后激励等离子体以活化化学反应。在蚀刻期间，包含蚀刻气体的气体混合物被导入处理室中，然后激励等离子体以活化化学反应。通过将清洁气体供应至处理室中并激励等离子体而周期性地清洁处理室。
发明内容
一种衬底处理系统包含气体源、RF源、以及光源。所述气体源供应第一气体至所述衬底处理系统的处理模块。所述RF源在供应所述第一气体至所述衬底处理系统的所述处理模块时供应RF功率至所述处理模块以产生等离子体。所述光源被耦合至所述处理模块以在所述等离子体产生期间将光导入所述处理模块中。
在另一特征中，所述光源耦合至所述处理模块，以在所述等离子体产生期间与向所述处理模块供应所述RF功率同步地将光导入所述处理模块中。
在另一特征中，所述衬底处理系统还包含控制器，其用于控制所述RF源和所述光源，并用于在所述等离子体产生期间使将光从所述光源导入至所述处理模块中与从所述RF源向所述处理模块供应所述RF功率同步。
在另一特征中，所述光仅包括紫外光。
在另一特征中，所述光仅包括可见光。
在其他特征中，所述光具有第一波长，并且所述衬底处理系统还包含第二光源，以在所述等离子体产生期间与供应所述RF功率同步地将具有第二波长的光导入所述处理模块中。
在另一特征中，所述衬底处理系统还包含控制器，以响应于所述气体源向所述处理模块供应第二气体而不是所述第一气体来选择所述第二光源。
在另一特征中，所述光源被配置成输出具有不同波长的光，并且所述衬底处理系统还包含控制器，以根据所述第一气体选择由所述光源输出的光的波长。
在另一特征中，所述处理模块被配置成产生感应耦合等离子体或电容耦合等离子体。
在另一特征中，所述光源是在所述处理模块的外部并且被布置成接近所述处理模块的观察口。
在另一特征中，所述光源被布置在所述处理模块的内部，
在另一特征中，所述光源以非玻璃的材料封装。
在另一特征中，所述处理模块包括介电窗，且所述光源包括被设置在所述介电窗内的发光二极管。
在另一特征中，所述发光二极管输出紫外光。
在另一特征中，所述发光二极管输出可见光
在另一特征中，所述发光二极管输出具有不同波长的光。
在另一特征中，所述衬底处理系统还包含控制器，以单独地开和关所述发光二极管。
在另一特征中，所述衬底处理系统还包含控制器，以便以一定模式开启和关闭所述发光二极管。
在另一特征中，所述衬底处理系统还包含控制器，以单独地控制由所述发光二极管输出的光的波长。
在另一特征中，所述光源在所述处理模块的外部，且使用光纤将来自所述光源的光导入所述处理模块中。
在另一特征中，所述处理模块包括喷头，且所述光纤被布线(route)经过所述喷头。
在另一特征中，所述处理模块包括介电窗以及被布置在所述介电窗中的气体注射器，且其中所述光纤被布线经过所述气体注射器。
在其他特征中，所述处理模块包括基座，且所述光纤从所述处理模块下方布线于所述基座的周边外的位置。
在另一特征中，所述第一气体包括前体气体、工艺气体、或清洁气体。
在另一特征中，所述衬底处理系统还包含控制器，以控制所述光源于所述等离子体产生期间将所述光以光脉冲的形式导入所述处理模块中。
在另一特征中，所述控制器根据所述第一气体选择脉冲宽度和脉冲重复率中的至少一者。
根据详细描述、权利要求和附图，本公开内容的适用性的进一步的范围将变得显而易见。详细描述和具体示例仅用于说明的目的，并非意在限制本公开的范围。
附图说明
根据详细描述和附图将更充分地理解本公开内容，其中：
图1显示了衬底处理系统的一示例；
图2显示了衬底处理系统的另一示例；
图3A至图3C显示了根据本公开内容在处理模块的介电窗中配置发光二极管(LED)的示例；
图4A至图4D显示根据本公开内容的其中可将光从布置在处理模块外部的光源导入处理模块中的多种方式的示例；
图5显示了根据本公开内容布置于处理模块内部的光源的示例；以及
图6显示了根据本公开内容执行光电辅助等离子体点燃的方法。
在附图中，可以重复使用附图标记来标识相似和/或相同的元件。
具体实施方式
在衬底处理期间产生的电负性物质被吸附于处理模块的内部部件(例如，内壁、基座等等)的外部表面上。处理模块的内部部件充当电子阱(sink)。在等离子体产生的早期放电环境中，电负性物质吸附在处理模块的内部部件上对电子经济有不利的影响，其造成等离子体产生期间的点燃延迟。因此，对于电容耦合等离子体(CCP)和感应耦合等离子体(ICP)两者而言，用于等离子体的点燃时间都是以秒为单位的。用于感应耦合等离子体的点燃时间比用于电容耦合等离子体的点燃时间长。使用活化塞/高电压以协助等离子体点燃可减少点燃时间。然而，高电压可能造成溅射以及在半导体晶片上其他有问题的后果。
本公开内容将光源耦合至处理模块以将光(例如，UV和/或可见光)导入处理模块的内部。控制光源以与由RF源供应的RF功率同步地输出光以产生等离子体。例如，可刚好在将RF功率供应至处理模块之前、同时、或稍后将光源开启。例如，可于短暂时段后关闭光源同时仍将RF功率供应至处理模块。例如，可于终止RF功率供应至处理模块的同时或之后将光源关闭。例如，可在处理模块中所执行的整个工艺期间将光源保持开启。
当来自光源的光入射至处理模块的内部部件上时，入射光导致吸附于内部部件的外部表面中的负离子的光电离。光电离不限于所吸附的负离子。入射光也可导致处理模块的内部部件的外部表面中的金属分子的光电离。由于光电离，光电子从处理模块的内部部件的外部表面喷射出。这些喷射出的光电子冲击正由RF功率激发的工艺气体的分子和离子以产生等离子体，从而加速等离子体产生。此外，可将光源(或多个光源)脉冲化以以爆发方式喷射光电子(提供高许多的电流)以点燃等离子体。从而，光电子辅助等离子体产生且在等离子体产生期间减少点燃时间。
不仅可以在产生用于衬底处理(例如，沉积和蚀刻期间)的等离子体时使用光源，而且可以在产生用于室清洁的等离子体时使用光源。可根据在处理模块中执行的沉积、蚀刻、以及清洁工艺期间用于产生等离子体的一种或多种气体(即，化学品)来选择由光源输出的光的波长。例如，当在沉积或蚀刻期间使用包括碘或卤素的前体气体时，使用UV光。也可使用可见光。在某些实现方案中，可以使用能够产生不同波长的光的单一光源。在某些应用中，可使用多于一个的光源，其中每一光源可输出不同波长的光。如以下所详细描述的，可以多种方式开启或关闭光源(或多个光源)。
可将光源布置在处理模块外部或内部的各种位置中的一处。在一些示例中，光源以由光源输出的UV或其他波长的光可透射的材料(例如，石英)封装。因为玻璃阻挡UV，因此不使用玻璃封装UV光源。使用例如石英之类的材料来封装光源将保护光源避免其遭受工艺化学品的影响。此外，如果将光源布置于处理模块内部(例如，当处理模块不包括窗口或观察口时)，则可将光源定位/放置于处理模块中，使得在处理模块中执行清扫(purge)工艺的期间可对沉积及/或蚀刻工艺期间在封装光源的材料上形成的任何涂层进行清扫。以下详细描述本公开内容的这些和其他特征。
本公开内容组织如下。首先，为阐述本公开书的教导内容的广泛可应用性，参照图1至图2来显示和描述处理室的示例。此后，参照图3A至图5来示意性地显示和描述用于在处理室的外部和内部布置光源的多种位置。参照图6来显示和描述根据本公开内容的光电辅助等离子体点燃的方法。
图1显示了衬底处理系统100的示例，其包含被配置成产生电容耦合等离子体的处理室102。尽管该示例是在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)背景下进行描述的，但本公开内容的教导可应用于其他类型的衬底处理，例如原子层沉积(ALD)、等离子体增强ALD(PEALD)、CVD、或其他处理，包括蚀刻。该衬底处理系统100包括处理室102，其包围衬底处理系统100的其他部件并含有射频(RF)等离子体(如果使用的话)。处理室102包括上部电极104和静电卡盘(ESC)106或其他类型的衬底支撑件。在操作期间，将衬底108布置在ESC 106上。
例如，上部电极104可包括引入并且分配工艺气体的气体分配设备110，例如喷头。气体分配设备110可包括杆部，其一端连接至处理室102的顶表面。喷头的基部一般为圆柱形，并在与处理室102的顶表面隔开的位置处从杆部的相对端径向朝外延伸。喷头的基部的面向衬底的表面或面板包括多个孔，汽化的前体、工艺气体、清洁气体或清扫气体流过这些孔。替代地，上部电极104可包括传导板，且气体可以另一方式被引入。
ESC 106包括用作下部电极的基板112。基板112支撑加热板114，其可对应于陶瓷多区加热板。热阻层116可布置于加热板114与基板112之间。基板112可包括一或更多个通道118，其用于使冷却剂流过基板112。
如果使用等离子体，RF产生系统(或RF源)120产生并输出RF电压至上部电极104与下部电极(例如，ESC106的基板112)中的一者。上部电极104与基板112中的另一者可以是DC接地、AC接地或浮动的。例如，RF产生系统120可以包括RF产生器122，其产生由匹配和分配网络124供至上部电极104或基板112的RF功率。在其他示例中，尽管未示出，但等离子体可感应地或远程地产生，然后被供应到处理室102。
气体输送系统130包括一或更多个气体源132-1、132-2、…和132-N(统称为气体源132)，其中N为大于零的整数。气体源132通过阀134-1、134-2、…和134-N(统称为阀134)以及质量流量控制器136-1、136-2、...和136-N(统称为质量流量控制器136)连接至歧管140。蒸汽输送系统142将汽化前体供应至歧管140或连接至处理室102的另一歧管(未示出)。歧管140的输出供应至处理室102。气体源132可以供应工艺气体、清洁气体或清扫气体。
温度控制器150可以连接至布置于加热板114中的多个热控制元件(TCE)152。温度控制器150可用于控制该多个TCE152，以控制ESC106和衬底108的温度。温度控制器150可以与冷却剂组件154连通，以控制流过通道118的冷却剂流。例如，冷却剂组件154可包括冷却剂泵、贮存器以及一或更多个温度传感器(未示出)。温度控制器150操作冷却剂组件154，以使冷却剂选择性地流过通道118以冷却ESC 106。阀156和泵158可用于从处理室102中排出反应物。系统控制器160控制衬底处理系统100的部件。
图2示出了被配置成产生感应耦合等离子体的衬底处理系统200的另一示例。衬底处理系统200包括线圈驱动电路211。在一些示例中，线圈驱动电路211包括RF源212、脉冲电路214以及调谐电路(即，匹配电路)213。脉冲电路214控制由RF源212所产生的RF信号的变压器耦合等离子体(TCP)包络，并且使TCP包络的工作周期在操作期间在1％与99％之间变化。如能理解的，脉冲电路214与RF源212可合并或分开。
调谐电路213可以直接连接至感应线圈216。尽管衬底处理系统210使用单个线圈，但是，一些衬底处理系统可以使用多个线圈(例如，内部和外部线圈)。调谐电路213将RF源212的输出调谐至所期望的频率和/或所期望的相位，并且匹配线圈216的阻抗。
介电窗224沿着处理室228的顶侧布置。处理室228包括衬底支撑件(或基座)232，以支撑衬底234。衬底支撑件232可包括静电卡盘(ESC)、或机械卡盘或其他类型的卡盘。工艺气体被供应至处理室228，且等离子体240在处理室228内部产生。等离子体240蚀刻衬底234的暴露表面。RF源250、脉冲电路251和偏置匹配电路252可以用于在操作期间偏置衬底支撑件232以控制离子能量。
气体输送系统256可以用于将工艺气体混合物供应至处理室228。气体输送系统256可以包括工艺和惰性气体源257、气体计量系统258(例如阀和质量流量控制器)以及歧管259。气体注入器263可以布置于介电窗224的中心，并且用于将来自气体输送系统256的气体混合物注入至处理室228中。附加地或替代地，气体混合物可从处理室228的侧面注入。
加热器/冷却器264可以用于加热/冷却衬底支撑件232至预定温度。排出系统265包括阀266和泵267，以控制处理室中的压力和/或通过清扫或抽空从处理室228中去除反应物。
控制器254可以用于控制蚀刻处理。控制器254监测系统参数并控制气体混合物的输送；激励、维持并且熄灭等离子体；去除反应物；供应冷却气体；等等。另外，如下所述，控制器254可以控制线圈驱动电路210、RF源250以及偏置匹配电路252等等多个方面。
图3A至图3C示意性地显示了配置于ICP室302的介电窗300(例如，图2所示的处理室228的介电窗224)中的光源。举例来说，在图3A中，包括总体上以304显示的多个LED的光源被布置于ICP室302的介电窗300中。LED 304接近介电窗300的面对等离子体侧布置，以将光从LEDs 304导入ICP室302中。
在图3B中，LED 304是由控制器310(例如，图2所示的控制器254)控制的。控制器310控制供应RF功率至ICP室302的RF源(例如，图2所示的RF源212)，并与由RF源供应至ICP室302的RF功率同步地控制LED304。例如，控制器310可刚好在将RF功率供应至ICP室302之前、同时、或稍后将LED 304开启。例如，控制器310可以在短暂时段后关闭LED 304，同时仍将RF功率供应至ICP室302。例如，控制器310可以在终止RF功率供应至ICP室302的同时或之后将LED 304关闭。在一些示例中，如同以下进一步详细说明的，控制器310可于ICP室302中所执行的处理的整个期间将全部或部分的LED 304保持开启。
举例来说，LED 304可以只输出紫外光。在一些示例中，LED304可输出可见光。在其他示例中，LED 304可输出不同波长的光。例如，来自LED 304的第一组LED可输出具有第一波长的光，同时来自LED 304的第二组LED可输出具第二波长的光。在一些示例中，LED 304可输出UV和可见光两者至ICP室302中。如同以下进一步详细说明的，可以相同或不同的方式控制两组LED。
在图3C中，控制器310可经由大体上以308显示的开关控制LED 304。通过控制开关308，控制器310可单独地开启和关闭LED 304中的每一者。控制器310也可单独地控制LED304中的每一者的工作周期(即，开/关时间)。控制器310也可将全部或部分的LED 304同时开启或关闭。控制器310也可以以一定模式(例如，在一RF周期期间仅开启外部LED、在另一RF周期期间仅开启内部LED等等)开/关LED 304。
在一些示例中，根据在ICP室302中所执行的处理的类型，可以在ICP室302中所执行的处理的整个期间将LED 304中输出第一波长的光的第一组LED保持开启，同时如下文可刚好在将RF功率供应至ICP室302之前、同时、或稍后，将输出第二波长的光的第二组LED开启。
例如，可刚好在将RF功率供应至ICP室302之前将第二组LED开启，并且可以在终止RF功率供应至ICP室302之前将第二组LED关闭。在一些示例中，可以刚好在供应RF功率之前将第二组LED开启，并且可以在终止RF功率时将第二组LED关闭。在一些示例中，可以刚好在供应RF功率之前将第二组LED开启，并且可以在终止RF功率之后将第二组LED关闭。
在一些示例中，可以在供应RF功率时将第二组LED开启，并且可以在终止RF功率之前将第二组LED关闭。在一些示例中，可以在供应RF功率时将第二组LED开启，并且可以在终止RF功率时将第二组LED关闭。在一些示例中，可以在供应RF功率时将第二组LED开启，并且可以在终止RF功率之后将第二组LED关闭。
在一些示例中，可以在供应RF功率之后将第二组LED开启，并且可以在终止RF功率之前将第二组LED关闭。在一些示例中，可以在供应RF功率之后将第二组LED开启，并且可以在终止RF功率时将第二组LED关闭。在一些示例中，可以在供应RF功率之后将第二组LED开启，并且可以在终止RF功率之后将第二组LED关闭。
在一些示例中，全部的LED 304都可以使用相似的时间序列开启和关闭。在一些示例中，可以将两组LED如下开启和关闭，以替代如上所述的在整个处理期间将第一组LED保持开启并开/关(switching)或控制第二组LED。
例如，可以刚好在供应RF功率之前将两组LED都开启。在该示例中，可以在终止RF功率之前、同时、或之后将两组LED都关闭。替代地，在该示例中，可以在终止RF功率之前将两组LED中的一组LED关闭，同时可以在终止RF功率时将两组LED中的另一组LED关闭。替代地，在该示例中，可以在终止RF功率之前将两组LED中的一组LED关闭，同时可以在终止RF功率之后将两组LED中的另一组LED关闭。
例如，可以刚好在供应RF功率之前将第一组LED开启，同时可以在供应RF功率时将第二组LED开启。在该示例中，可以在终止RF功率之前、同时、或之后将两组LED都关闭。替代地，在该示例中，可以在终止RF功率之前将第一组LED关闭，同时可以在终止RF功率时将第二组LED关闭。替代地，在该示例中，可以在终止RF功率之前将第一组LED关闭，同时可以在终止RF功率之后将第二组LED关闭。
例如，可以在供应RF功率时将第一组LED开启，同时可以在供应RF功率之后将第二组LED开启。在该示例中，可以在终止RF功率之前、同时、或之后将两组LED都关闭。替代地，在该示例中，可以在终止RF功率之前将第一组LED关闭，同时可以在终止RF功率时将第二组LED关闭。替代地，在该示例中，可以在终止RF功率之前将第一组LED关闭，同时可以在终止RF功率之后将第二组LED关闭。
从LED 304入射至ICP室302的内部部件上的光导致在ICP室302中所执行的工艺期间吸附在ICP室302的内部部件的外部表面中的负离子的光电离。入射光也可导致ICP室302的内部部件的外部表面中的金属分子的光电离。因而，光电子从ICP室302的内部部件的外部表面喷射出。这些喷射出的光电子冲击正由RF功率激发的气体的分子和离子以产生等离子体，而在ICP室302中的等离子体产生期间加速等离子体产生并减少点燃时间。
图4A至图4D示意性地显示了将光源布置于处理模块外部的多种方式。例如，在图4A中，ICP或CCP室350(例如图1至图2中所示的处理室228和102)可以包括窗口或观察口352(例如，在室350的壁内)。可将光源354布置在室350外部并靠近室350的观察口352。
控制器356(例如图1至图2中所示的控制器160或254)可控制光源354。控制器356控制供应RF功率至室350的RF源(例如，图1至图2中所示的RF产生器122和RF源212)，并与由RF源供应至室350的RF功率同步地控制光源354。举例来说，光源354可仅输出UV光。在一些示例中，光源354可输出可见光。在其他示例中，光源354可输出不同波长的光，且控制器356可控制由光源354输出的光的波长。
在另一示例中，室350可以包括两观察口，并可将两光源布置在室350外部并分别靠近该两观察口。在该示例中，两光源都可仅输出UV光或可见光。替代地，第一光源可输出UV光，同时第二光源可输出可见光。控制器356可将两光源一起开启或以交替方式开启。控制器356可以以与控制器404控制光源402和404类似的方式控制两光源，其显示于图5中并于下文参考图5描述。
在图4B中，当处理模块不包括任何观察口时，可将光源354配置成接近室350的底壁。在室350的底壁中的导管358可让由光源354输出的光导入位于室350中基座360的周边或外径(OD)周围的位置。以此方式，来自光源354的光可入射到大部分的室350的内部上。在某些实现方案中，可将来自光源354的光经由布线经过导管358且布置于基座360的OD周围的光纤导入室350中。
尽管只显示一个光源354和一个导管358，仍可使用输出两种不同波长的光的两个光源和相关联的导管。在该示例中，控制器356可以以与控制器404控制光源402和404类似的方式控制两个光源，其显示于图5中并于下文参考图5描述。
在图4C中，CCP室380(例如，图1中所示的处理室102)可包括喷头382(例如，图1中所示的喷头110)。当CCP室380不包括任何观察口时，可经由喷头382(例如，经过气流导入区)将来自光源354的光导入CCP室380中。例如，可经由布线经过喷头382(例如，经过气流导入区)的光纤将来自光源354的光导入CCP室380中。
在图4D中，ICP室390(例如，图2中所示的处理室228)可包括气体注射器392(例如，图2中所示的气体注射器263)。当ICP室390不包括任何观察口时，可经由气体注射器392将来自光源354的光导入ICP室390中。例如，可经由布线经过气体注射器392的光纤将来自光源354的光导入ICP室390中。
在图4A至图4D中，控制器356可以刚好在将RF功率供应至室350、380、390之前、同时、或稍后将光源354开启。控制器356可以在短暂时段后关闭光源354同时仍将RF功率供应至室350、380、390。控制器356可以在终止RF功率供应至室350、380、390之后将光源354关闭。控制器356可以在室350、380、390中所执行的整个处理期间将光源354保持开启。
在一些示例中，根据在室350、380、390中所执行的处理的类型，可以刚好在将RF功率供应至室350、380、390之前将光源354开启，并且可以在终止将RF功率供应至室350、380、390之前将光源354关闭。在一些示例中，可以刚好在供应RF功率之前将光源354开启，并且可以在终止RF功率时将光源354关闭。在一些示例中，可以刚好在供应RF功率之前将光源354开启，并且可以在终止RF功率之后将光源354关闭。
在一些示例中，根据在室350、380、390中所执行的处理的类型，可以在将RF功率供应至室350、380、390时将光源354开启，并且可以在终止将RF功率供应至室350、380、390之前将光源354关闭。在一些示例中，可以在供应RF功率时将光源354开启，并且可以在终止RF功率时将光源354关闭。在一些示例中，可以在供应RF功率时将光源354开启，并且可以在终止RF功率之后将光源354关闭。
在一些示例中，根据在室350、380、390中所执行的处理的类型，可以在将RF功率供应至室350、380、390之后将光源354开启，并且可以在终止将RF功率供应至室350、380、390之前将光源354关闭。在一些示例中，可以在供应RF功率之后将光源354开启，并且可以在终止RF功率时将光源354关闭。在一些示例中，可以在供应RF功率之后将光源354开启，并且可以在终止RF功率之后将光源354关闭。
在图4A和图4B中，如果使用输出两种不同波长的光的两个光源(例如，第一和第二光源)，则两个光源可以使用相似的时间序列开启和关闭。在一些示例中，可以在室350中所执行的整个处理期间将一光源保持开启，同时将另一光源使用相似的时间序列开启和关闭。在一些示例中，可以在室350中所执行的处理的整个期间将两光源都保持开启。在一些示例中，可将两光源如下开启和关闭。
例如，可以刚好在供应RF功率之前将两光源都开启。在该示例中，可以在终止RF功率之前、同时、或之后将两光源都关闭。替代地，在该示例中，可以在终止RF功率之前将一光源关闭，同时可以在终止RF功率时将另一光源关闭。替代地，在该示例中，可以在终止RF功率之前将一光源关闭，同时可以在终止RF功率之后将另一光源关闭。
例如，可以刚好在供应RF功率之前将第一光源开启，同时可以在供应RF功率时将第二光源开启。在该示例中，可以在终止RF功率之前、同时、或之后将两光源都关闭。替代地，在该示例中，可以在终止RF功率之前将第一光源关闭，同时可以在终止RF功率时将第二光源关闭。替代地，在该示例中，可以在终止RF功率之前将第一光源关闭，同时可以在终止RF功率之后将第二光源关闭。
例如，可以在供应RF功率时将第一光源开启，同时可以在供应RF功率之后将第二光源开启。在该示例中，可以在终止RF功率之前、同时、或之后将两光源都关闭。替代地，在该示例中，可以在终止RF功率之前将第一光源关闭，同时可以在终止RF功率时将第二光源关闭。替代地，在该示例中，可以在终止RF功率之前将第一光源关闭，同时可以在终止RF功率之后将第二光源关闭。
从光源354(或多个光源)入射至室350、380、390的内部部件上的光导致在室350、380、390中所执行的处理期间吸附于室350、380、390的内部部件的外部表面中的负离子的光电离。入射光也可导致室350、380、390的内部部件的外部表面中的金属分子的光电离。因而，光电子从室350、380、390的内部部件的外部表面喷射出。这些喷射出的光电子冲击正由RF功率激发的气体的分子和离子以产生等离子体，而在室350、380、390中的等离子体产生期间加速等离子体产生并且减少点燃时间。
图5显示了可以不包括窗口或观察口的ICP或CCP室400(例如图1至图2中所示的处理室228和102)。可将光源402布置于室400内部。在一些示例中，可以将多个光源布置在室400内部。例如，可将第二光源404配置在室400内部。可以将光源402、404布置在室400内部的任何位置，使得来自光源402、404的光可入射至室400的最大数量的部件上。例如，可以将光源402、404布置于室400内部的位置处，使得光源402、404不在室400中所执行的处理的路径中因而不干扰所执行的处理。光源402、404的这种布置还降低工艺化学品对光源402、404的影响，同时让清扫气体能清扫经由工艺化学品形成于封装光源402、404的材料上的任何涂层。
控制器406(例如图1至图2中所示的控制器160或254)可控制光源402、404。控制器406控制供应RF功率至室400的RF源(例如，图1至图2中所示的RF产生器122和RF源212)，并与由RF源供应至室400的RF功率同步地控制光源402、404。举例来说，当仅使用一光源(例如光源402)时，光源402可仅输出紫外光。在一些示例中，光源402可输出可见光。在其他示例中，光源402可输出不同波长的光，且控制器406可控制由光源402输出的光的波长。
在一些示例中，当使用多个光源(例如，光源402、404)时，一光源(例如光源402)可以只输出UV光，同时另一光源(例如光源404)可输出可见光。控制器406可单独地开启和关闭光源402、404中的每一者。控制器406也可单独地控制光源402、404中的每一者的工作周期。控制器406还可以将光源402、404在相同时间或以交替方式开启或关闭。
控制器406可以刚好在将RF功率供应至室400之前、同时、或稍后将光源402、404开启。控制器406可以在短暂时段后关闭光源402、404，同时仍将RF功率供应至室400。控制器406可以在终止RF功率供应至室400之后将光源402、404关闭。控制器406可以在室400中所执行的整个处理期间将光源402、404保持开启。
在一些示例中，根据在室400中所执行的处理的类型，可以在室400中所执行的整个处理期间将输出第一波长的光的光源402保持开启，同时可以刚好在将RF功率供应至室400之前、同时、或稍后将输出第二波长的光的光源404开启，如下文所述。
在一些示例中，根据在室400中所执行的处理的类型，可以刚好在将RF功率供应至室400之前将光源404开启，并且可以在终止将RF功率供应至室400之前将光源404关闭。在一些示例中，可以刚好在供应RF功率之前将光源404开启，并且可以在终止RF功率时将光源404关闭。在一些示例中，可以刚好在供应RF功率之前将光源404开启，并且可以在终止RF功率之后将光源404关闭。
在一些示例中，根据在室400中所执行的处理的类型，可以在供应RF功率至室400时将光源404开启，并且可以在终止将RF功率供应至室400之前将光源404关闭。在一些示例中，可以在供应RF功率时将光源404开启，并且可以在终止RF功率时将光源404关闭。在一些示例中，可以在供应RF功率时将光源404开启，并且可以在终止RF功率之后将光源404关闭。
在一些示例中，根据在室400中所执行的处理的类型，可以在将RF功率供应至室400之后将光源404开启，并且可以在终止将RF功率供应至室400之前将光源404关闭。在一些示例中，可以在供应RF功率之后将光源404开启，并且可以在终止RF功率时将光源404关闭。在一些示例中，可以在供应RF功率之后将光源404开启，并且可以在终止RF功率之后将光源404关闭。
在一些示例中，可使用相似的时间序列开启和关闭光源402和404两者，如下所述。例如，可以刚好在供应RF功率之前将光源402和404两者都开启。在该示例中，可以在终止RF功率之前、同时、或之后将光源402和404两者都关闭。替代地，在该示例中，可以在终止RF功率之前将光源402关闭，同时可以在终止RF功率时将光源404关闭。替代地，在该示例中，可以在终止RF功率之前将光源402关闭，同时可以在终止RF功率之后将光源404关闭。
例如，可以刚好在供应RF功率之前将光源402开启，同时可以在供应RF功率时将光源404开启。在该示例中，可以在终止RF功率之前、同时、或之后将光源402和404两者都关闭。替代地，在该示例中，可以在终止RF功率之前将光源402关闭，同时可以在终止RF功率时将光源404关闭。替代地，在该示例中，可以在终止RF功率之前将光源402关闭，同时可以在终止RF功率之后将光源404关闭。
例如，可以在供应RF功率时将光源402开启，同时可以在供应RF功率之后将光源404开启。在该示例中，可以在终止RF功率之前、同时、或之后将光源402和404两者都关闭。替代地，在该示例中，可以在终止RF功率之前将光源402关闭，同时可以在终止RF功率时将光源404关闭。替代地，在该示例中，可以在终止RF功率之前将光源402关闭，同时可以在终止RF功率之后将光源404关闭。
从光源403(或光源402、404)入射至室400的内部部件上的光导致于室400中所执行的处理期间吸附于室400的内部部件的外部表面中的负离子的光电离。入射光也可导致室400的内部部件的外部表面中的金属分子的光电离。因而，光电子从室400的内部部件的外部表面喷射出。这些喷射出的光电子冲击正由RF功率激发的气体的分子和离子以产生等离子体，而在室400中的等离子体产生期间加速等离子体产生并减少点燃时间。
在以上所述的示例中，可将光源(或多个光源)脉冲化以以爆发方式喷射光电子(提供更高的电流)以点燃等离子体。例如，控制器可以如上所述的多种方式控制光源以与RF功率的供应同步地输出光脉冲。例如，控制器可控制光源以独立于RF功率的供应而输出光脉冲。光脉冲的持续时间(即脉冲宽度)和/或脉冲重复率可根据用于产生等离子体的化学品(即，一种或多种气体)而变化。
图6显示根据本公开内容的用于执行光电辅助等离子体点燃的方法500。举例来说，图1至图5中所示的任何控制器可以在图1至图5中所示的任何室或处理模块中执行方法500。在502，方法500决定是否在处理模块中开始处理(例如，是否在处理模块中处理晶片或是清洁处理模块)。方法500等待直到处理开始。
在504，如果处理开始(例如，如果将要产生等离子体)，方法500供应气体至处理模块(例如，根据处理模块中执行的处理供应前体、工艺气体、或清洁气体)。在506，方法500供应RF功率至处理模块以在处理模块中产生等离子体。在508，方法500使用被布置于处理模块外部或内部的光源、与RF功率至处理模块的供应同步地将光(例如，UV和/或可见光)从光源导入处理模块中。例如，方法500可以在供应RF功率至处理模块的稍后将光源开启并且在短暂时段后将光源关闭，同时仍将RF功率供应至处理模块。
在510，方法500确定在处理模块中是否结束处理(例如，是否将要熄灭等离子体)。如果处理模块中的处理将要继续，则方法500回到504。如果处理模块中的处理将要终止，则方法500结束。
本公开书的教导内容并且不限于在沉积、蚀刻、或室清洁期间于处理模块中产生等离子体。也可将教导内容应用至从处理模块远程地产生等离子体并将远程等离子体供应至处理模块的室。例如，通常使用ICP室产生远程等离子体。以上参考ICP室所描述的所有教导内容可应用至用于产生远程等离子体的这种ICP室。
前面的描述本质上仅仅是说明性的，并且绝不旨在限制本公开、其应用或用途。本公开的广泛教导可以以各种形式实现。因此，虽然本公开包括特定示例，但是本公开的真实范围不应当被如此限制，因为在研究附图、说明书和所附权利要求时，其他修改将变得显而易见。
应当理解，在不改变本公开的原理的情况下，方法中的一个或多个步骤可以以不同的顺序(或同时地)执行。此外，虽然每个实施方案在上面被描述为具有某些特征，但是相对于本公开的任何实施方案描述的那些特征中的任何一个或多个，可以在任何其它实施方案的特征中实现和/或与任何其它实施方案的特征组合，即使该组合没有明确描述。换句话说，所描述的实施方案不是相互排斥的，并且一个或多个实施方案彼此的置换保持在本公开的范围内。
使用各种术语来描述元件之间(例如，模块之间、电路元件之间、半导体层之间等)的空间和功能关系，各种术语包括“连接”、“接合”、“耦合”、“相邻”、“紧挨”、“在...顶部”、“在...上面”、“在...下面”和“设置”。除非将第一和第二元件之间的关系明确地描述为“直接”，否则在上述公开中描述这种关系时，该关系可以是直接关系，其中在第一和第二元件之间不存在其它中间元件，但是也可以是间接关系，其中在第一和第二元件之间(在空间上或功能上)存在一个或多个中间元件。如本文所使用的，短语“A、B和C中的至少一个”应当被解释为意味着使用非排他性逻辑或(OR)的逻辑(A或B或C)，并且不应被解释为表示“A中的至少一个、B中的至少一个和C中的至少一个”。
在一些实现方案中，控制器是系统的一部分，该系统可以是上述示例的一部分。这样的系统可以包括半导体处理设备，半导体处理设备包括一个或多个处理工具、一个或多个室、用于处理的一个或多个平台、和/或特定处理部件(晶片基座、气体流系统等)。这些系统可以与用于在半导体晶片或衬底的处理之前、期间和之后控制它们的操作的电子器件集成。电子器件可以被称为“控制器”，其可以控制一个或多个系统的各种部件或子部件。根据处理要求和/或系统类型，控制器可以被编程以控制本文公开的任何工艺，包括处理气体的输送、温度设置(例如加热和/或冷却)、压力设置、真空设置、功率设置、射频(RF)产生器设置、RF匹配电路设置、频率设置、流率设置、流体输送设置、位置和操作设置、晶片转移进出工具和其他转移工具和/或与具体系统连接或通过接口连接的装载锁。
从广义上讲，控制器可以定义为电子器件，电子器件具有接收指令、发出指令、控制操作、启用清洁操作、启用端点测量等的各种集成电路、逻辑、存储器和/或软件。集成电路可以包括存储程序指令的固件形式的芯片、数字信号处理器(DSP)、定义为专用集成电路(ASIC)的芯片、和/或执行程序指令(例如，软件)的一个或多个微处理器或微控制器。
程序指令可以是以各种单独设置(或程序文件)的形式发送到控制器的指令，单独设置(或程序文件)定义用于在半导体晶片或系统上或针对半导体晶片或系统执行特定工艺的操作参数。在一些实施方案中，操作参数可以是由工艺工程师定义的配方的一部分，以在一或多个(种)层、材料、金属、氧化物、硅、二氧化硅、表面、电路和/或晶片的管芯的制造期间完成一个或多个处理步骤。
在一些实现方案中，控制器可以是与系统集成、耦合到系统、以其它方式联网到系统或其组合的计算机的一部分或耦合到该计算机。例如，控制器可以在“云”中或是晶片厂(fab)主机系统的全部或一部分，其可以允许对晶片处理的远程访问。计算机可以实现对系统的远程访问以监视制造操作的当前进展、检查过去制造操作的历史、检查多个制造操作的趋势或性能标准，改变当前处理的参数、设置处理步骤以跟随当前的处理、或者开始新的工艺。
在一些示例中，远程计算机(例如服务器)可以通过网络(其可以包括本地网络或因特网)向系统提供工艺配方。远程计算机可以包括使得能够输入或编程参数和/或设置的用户界面，然后将该参数和/或设置从远程计算机发送到系统。在一些示例中，控制器接收数据形式的指令，其指定在一个或多个操作期间要执行的每个处理步骤的参数。应当理解，参数可以特定于要执行的工艺的类型和工具的类型，控制器被配置为与该工具接口或控制该工具。
因此，如上所述，控制器可以是例如通过包括联网在一起并朝着共同目的(例如本文所述的工艺和控制)工作的一个或多个分立的控制器而呈分布式。用于这种目的的分布式控制器的示例是在与远程(例如在平台级或作为远程计算机的一部分)的一个或多个集成电路通信的室上的一个或多个集成电路，其组合以控制在室上的工艺。
示例系统可以包括但不限于等离子体蚀刻室或模块、沉积室或模块、旋转漂洗室或模块、金属电镀室或模块、清洁室或模块、倒角边缘蚀刻室或模块、物理气相沉积(PVD)室或模块、化学气相沉积(CVD)室或模块、原子层沉积(ALD)室或模块、原子层蚀刻(ALE)室或模块、离子注入室或模块、轨道室或模块、以及可以与半导体晶片的制造和/或制备相关联或用于半导体晶片的制造和/或制备的任何其它半导体处理系统。
如上所述，根据将由工具执行的一个或多个处理步骤，控制器可以与一个或多个其他工具电路或模块、其它工具部件、群集工具、其他工具接口、相邻工具、邻近工具、位于整个工厂中的工具、主计算机、另一控制器、或在将晶片容器往返半导体制造工厂中的工具位置和/或装载口运输的材料运输中使用的工具通信。

Claims (20)

1.一种衬底处理系统，其包含：
气体源，其用于供应第一气体至所述衬底处理系统的处理模块；
RF源，其用于在供应所述第一气体至所述衬底处理系统的所述处理模块时供应RF功率至所述处理模块以产生等离子体；以及
光源，其耦合至所述处理模块以在所述等离子体产生期间将光导入所述处理模块中。
2.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其中所述光源耦合至所述处理模块，以在所述等离子体产生期间与向所述处理模块供应所述RF功率同步地将光导入所述处理模块中。
3.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其还包含控制器，其用于控制所述RF源和所述光源，并用于在所述等离子体产生期间使将光从所述光源导入至所述处理模块中与从所述RF源向所述处理模块供应所述RF功率同步。
4.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其中：
所述光仅包括紫外光或仅包括可见光；以及
所述处理模块被配置成产生感应耦合等离子体或电容耦合等离子体。
5.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其中所述光具有第一波长，所述衬底处理系统还包含第二光源，以在所述等离子体产生期间与供应所述RF功率同步地将具有第二波长的光导入所述处理模块中。
6.根据权利要求5所述的衬底处理系统，其还包含控制器，以响应于所述气体源向所述处理模块供应第二气体而不是所述第一气体来选择所述第二光源。
7.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其中所述光源被配置成输出具有不同波长的光，所述衬底处理系统还包含控制器，以根据所述第一气体选择由所述光源输出的光的波长。
8.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其中所述光源是在所述处理模块的外部并且被布置成接近所述处理模块的观察口。
9.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其中所述光源被布置在所述处理模块的内部，且其中所述光源以非玻璃的材料封装。
10.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其中所述处理模块包括介电窗，且所述光源包括被设置在所述介电窗内的发光二极管。
11.根据权利要求10所述的衬底处理系统，其中所述发光二极管输出紫外光、可见光、或具有不同波长的光。
12.根据权利要求10所述的衬底处理系统，其还包含控制器，以单独地开和关所述发光二极管。
13.根据权利要求10所述的衬底处理系统，其还包含控制器，以便以一定模式开启和关闭所述发光二极管。
14.根据权利要求10所述的衬底处理系统，其还包含控制器，以单独地控制由所述发光二极管输出的光的波长。
15.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其中所述光源在所述处理模块的外部，且使用光纤将来自所述光源的光导入所述处理模块中。
16.根据权利要求15所述的衬底处理系统，其中所述处理模块包括喷头，且所述光纤被布线经过所述喷头。
17.根据权利要求15所述的衬底处理系统，其中所述处理模块包括介电窗以及被布置在所述介电窗中的气体注射器，且其中所述光纤被布线经过所述气体注射器。
18.根据权利要求15所述的衬底处理系统，其中所述处理模块包括基座，且所述光纤从所述处理模块下方布线于所述基座的周边外的位置。
19.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其还包含控制器，以控制所述光源于所述等离子体产生期间将所述光以光脉冲的形式导入所述处理模块中。
20.根据权利要求19所述的衬底处理系统，其中所述控制器根据所述第一气体选择脉冲宽度和脉冲重复率中的至少一者。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5622595A (en) * 1992-06-16 1997-04-22 Applied Materials, Inc Reducing particulate contamination during semiconductor device processing
KR20020064028A (ko) * 2001-01-31 2002-08-07 한빛 세마텍(주) 펄스형 자외선조사에 의한 세정 및 표면처리 장치
JP4799748B2 (ja) * 2001-03-28 2011-10-26 忠弘 大見 マイクロ波プラズマプロセス装置、プラズマ着火方法、プラズマ形成方法及びプラズマプロセス方法
KR100377095B1 (en) * 2002-02-01 2003-03-20 Nexo Co Ltd Semiconductor fabrication apparatus using low energy plasma
US20160042943A1 (en) * 2014-08-07 2016-02-11 Lam Research Corporation Low-k dielectric film formation

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