CN105789068A - 一种qfn封装器件的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种QFN封装器件中引线框的处理方法,其在引线框架引脚处设计成半刻蚀形状以增大树脂和引线框的结合力。与现有技术相比，本发明QFN产品引脚端部的特殊设计，增大引脚端部塑封树脂与引线框架之间的结合力，提高其承受应力的临界值，增强产品在内外部应力的条件下抵御分层的能力，减小加工过程中刀片的应力对产品的影响，保证产品外观的同时，提高产品可靠性。

Description

一种QFN封装器件的制备方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，涉及一种QFN封装器件的制备方法，尤其涉及一种QFN封装器件中引线框的处理方法、QFN封装器件及QFN封装器件的制备方法。
背景技术
在半导体行业，由于塑封树脂的吸湿性，塑封产品，特别是方形扁平无引脚封装(QuadFlatNo-leadpackage，简称QFN)产品，传统的QFN引线框与塑封料结合后，在切割工序受到刀片的应力之后，极易发生有引脚处分层现象。
因此，有必要对现有技术做进一步的改进。
发明内容
本发明的一个目的在于提供一种QFN封装器件中引线框的处理方法，本发明通过对QFN引线框架引脚处上表面和/或底面特殊处理，提高塑封树脂与引线框架之间的结合力，改善分层状况，最终提高产品质量。
本发明的另一目的在于提供一种QFN封装器件。
本发明的再一目的在于提供一种QFN封装器件的制备方法，其提高了工作效率，大大提升了产品的良率。
根据本发明一个方面，本发明提供一种QFN封装器件中引线框的处理方法,其包括引线框架，其特征在于：
所述引线框架具有引脚，在引线框引脚处进行半刻蚀形成至少一个刻蚀部以增大引脚端部塑封树脂和引线框架的结合力。
作为本发明一个优选的实施例，在所述引脚处的上表面进行半刻蚀形成第一刻蚀部，和/或在所述引脚处与所述上表面相对的底面进行半刻蚀形成第二刻蚀部。
作为本发明一个优选的实施例，所述引脚处上表面的第一刻蚀部的宽度为0.015mm。
作为本发明一个优选的实施例，所述第一刻蚀部和第二刻蚀部的深度相同。
作为本发明一个优选的实施例，所述第一刻蚀部和第二刻蚀部的深度分别为所述引线框架厚度的一半。
作为本发明一个优选的实施例，所述引脚处底面的第二刻蚀部的深度为0.100mm。
根据本发明的另一方面，本发明提供一种QFN封装器件，所述封装器件采用了上述的引线框架。
根据本发明的另一方面，本发明提供一种QFN封装器件的制备工艺，其包括如下步骤：
(1)提供一引线框架，其具有引脚，在所述引脚处的上表面进行半刻蚀形成第一刻蚀部，和/或在所述引脚处与所述上表面相对的底面进行半刻蚀形成第二刻蚀部，其中，所述引脚处的上表面为所述引线框架的正面，所述引脚处的底面为与所述引线框架的正面相对的背面；
(2)在所述引线框架的正面进行固定芯片；
(3)采用塑封树脂在所述引线框架的正面对芯片进行塑封形成封装线，其中，所述引脚的端处伸出所述封装线以外；
(4)在所述引线框架的背面进行镀锡；
(5)在所述封装线以外部分对引线框架进行切割以形成单个QFN成品。
本发明的有益效果：与现有技术相比，本发明一种QFN封装器件的制备工艺，其通过在引线框架引脚处增加半蚀刻设计，增大单位面积内塑封树脂与引线框架之间的结合力，提高其承受应力的临界值，增强产品在内外部应力的条件下抵御分层的能力，减小加工过程中刀片的应力对产品的影响，保证产品外观的同时，提高产品可靠性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。其中：
图1是本发明的引线框架的结构示意图；
图2是图1的B部分放大图；
图3是图1的C部分放大图；
图4是图1的A-A向视图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
此处所称的“一个实施例”或“实施例”是指可包含于本发明至少一个实现方式中的特定特征、结构或特性。在本说明书中不同地方出现的“在一个实施例中”并非均指同一个实施例，也不是单独的或选择性的与其他实施例互相排斥的实施例。
本发明的QFN封装器件的制备方法包括如下步骤：
S110：提供一引线框架100。请参阅图1，其为本发明的引线框架结构示意图。所述引线框架100其具有引脚2。在该实施例中，在所述引脚2处的上表面进行半刻蚀形成第一刻蚀部3。在另一个实施例中，在所述引脚2处的上表面进行半刻蚀形成第一刻蚀部3和在所述引脚2处与所述上表面相对的底面进行半刻蚀形成第二刻蚀部4。在另一个实施例中，在所述引脚2处底面进行半刻蚀形成第二刻蚀部4。其中，所述引脚2处的上表面为所述引线框架100的正面(图1中正面)，所述引脚2处的底面为与所述引线框架100的正面相对的背面(图1的背面，未图示)。
请参阅图2和图3，其分别为图1中B部和C部的放大图。所述引脚2处上表面的第一刻蚀部3的宽度W为0.015mm。
请参阅图4，其为图1的A-A向视图。在该实施例中，所述第一刻蚀部3和第二刻蚀部4的深度H2相同，所述第一刻蚀部3和第二刻蚀部4的深度H2分别为所述引线框架100厚度H1的一半。在其他实施例中，所述第一刻蚀部3和第二刻蚀部4的深度还可以不相同。在一个实施例中，所述引脚2处底面的第二刻蚀部4的深度H2为0.100mm。
S120：在所述引线框架的正面进行固定芯片(未图示)。所述引线框架100上具有芯片座和金属键合点，本发明通过焊球对芯片和金属键合点进行键合。
S130：采用塑封树脂(未图示)在所述引线框架100的正面对芯片进行塑封形成封装线1，其中，所述引脚2的端处伸出所述封装线1以外。在该实施例中，采用注塑方法用塑封树脂对引线框架100的正面对芯片进行塑封，塑封后再进行烘烤固化。
S140：在所述引线框架100的背面进行镀锡以覆盖住所述引线框架100背面的裸露部分。
S150：在所述封装线1以外部分对引线框架100进行切割以形成单个QFN成品。由于引脚2的端处是伸出所述封装线1之外的，当对塑封后的引线框架100进行切割时，刀片会直接与金属引脚2的端部接触，本发明中，通过对引脚2的上表面进行半刻蚀，当塑封树脂与引线框架进行结合时，会使得塑封树脂与引线框架的结合面积增大。结合力为单位面积的塑封树脂从引线框架上剥离所需要的力，由于半刻蚀结构使得塑封树脂与引线框架之间的结合面积增大，因此就使得塑封树脂与引线框架的结合力也得到提高，从而在进行切割工序时，引脚2端处不至于受到刀片应力的影响而与所述塑封树脂发生分裂，因此，也就避免了引脚2发生分层的风险，改善了产品的切割质量和提高产品的可靠性。
S160：对切割工序S150之后的成品进行检测和包装成品。
请继续参阅图2至图4。该引脚2处第一刻蚀部3的宽度W和深度(未图示)能够进一步增大了塑封树脂与引线框架100之间的结合力，当对引脚2端部进行切割时，从而也使得引脚2处承受刀片横截面上的正应力(即临界应力)提高，也就使得切割的引脚2处不会发生分层现象，提高产品质量。再者，本发明中，第一刻蚀部3的深度为引线框架100厚度H1的一半，该深度能够保证刀片在进行切割走位时减小刀片的阻力，在保证引脚2端部不会发生分层的同时，同时也使得切割更加容易。
需要说明的是，本发明的引线框针对的是QFN产品，但是也不局限于此。
本发明一种QFN封装器件的制备工艺，其通过在引线框架引脚处增加半蚀刻设计，增大单位面积内塑封树脂与引线框架之间的结合力，提高其承受应力的临界值，增强产品在内外部应力的条件下抵御分层的能力，减小加工过程中刀片的应力对产品的影响，保证产品外观的同时，提高产品可靠性。
上述说明已经充分揭露了本发明的具体实施方式。需要指出的是，熟悉该领域的技术人员对本发明的具体实施方式所做的任何改动均不脱离本发明的权利要求书的范围。相应地，本发明的权利要求的范围也并不仅仅局限于前述具体实施方式。

Claims (8)

1.一种QFN封装器件中引线框的处理方法,其包括引线框架，其特征在于：
所述引线框架具有引脚，在引线框引脚处进行半刻蚀形成至少一个刻蚀部以增大引脚端部塑封树脂和引线框架的结合力。
2.根据权利要求1所述的QFN封装器件中引线框的处理方法，其特征在于：
在所述引脚处的上表面进行半刻蚀形成第一刻蚀部，和/或在所述引脚处与所述上表面相对的底面进行半刻蚀形成第二刻蚀部。
3.根据权利要求2所述的QFN封装器件中引线框的处理方法，其特征在于：所述引脚处上表面的第一刻蚀部的宽度为0.015mm。
4.根据权利要求2所述的QFN封装器件中引线框的处理方法，其特征在于：所述第一刻蚀部和第二刻蚀部的深度相同。
5.根据权利要求2所述的QFN封装器件中引线框的处理方法，其特征在于：所述第一刻蚀部和第二刻蚀部的深度分别为所述引线框架厚度的一半。
6.根据权利要求2所述的QFN封装器件中引线框的处理方法，其特征在于：所述引脚处底面的第二刻蚀部的深度为0.100mm。
7.一种QFN封装器件，其特征在于：所述封装器件采用了权利要求1-6任一所述的引线框架。
8.一种QFN封装器件的制备方法，其特征在于：其包括如下步骤：
(1)提供一引线框架，其具有引脚，在所述引脚处的上表面进行半刻蚀形成第一刻蚀部，和/或在所述引脚处与所述上表面相对的底面进行半刻蚀形成第二刻蚀部，其中，所述引脚处的上表面为所述引线框架的正面，所述引脚处的底面为与所述引线框架的正面相对的背面；
(2)在所述引线框架的正面进行固定芯片；
(3)采用塑封树脂在所述引线框架的正面对芯片进行塑封形成封装线，其中，所述引脚的端处伸出所述封装线以外；
(4)在所述引线框架的背面进行镀锡；
(5)在所述封装线以外部分对引线框架进行切割以形成单个QFN成品。
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