CN105762117A - 一种ltcc基板的交错层叠三维封装结构 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种LTCC基板的交错层叠三维封装结构，包括底层LTCC基板、中间层LTCC基板和顶层LTCC基板，中间层LTCC基板包括至少两层，每层LTCC基板上均设置有芯片腔槽，LTCC基板呈阶梯型上下层交错设置，底层、中间层和顶层LTCC基板之间通过金丝或金带实现电连接，通过导电胶粘贴实现力学支撑及共地连接；本发明采用多块传统的LTCC基板交错层叠实现三维封装结构，每层错位电连接区通过相邻层错开的方式，空出部分区域可放置尺寸较大附属器件；使用常规的LTCC基板加工技术、金丝金带键合技术和导电胶粘接技术即可实现，工艺简单，且具有机械强度高、相邻层接触面积大、电路体积小等特点。

Description

一种LTCC基板的交错层叠三维封装结构
技术领域
本发明属于微波或毫米波电路与系统的小型化封装技术领域，尤其涉及一种LTCC基板的交错层叠三维封装结构。
背景技术
微波微组装技术（MMCM）是实现雷达和通信等电子整机小型化、轻量化、高性能和高可靠的关键技术，LTCC（低温共烧陶瓷）基板由于微波信号传输性能好、可实现无源器件的基板内埋置，因此基于LTCC基板和微组装的技术是实现微波模块和系统小型化的重要途径。为了进一步减小体积，提高组装密度，三维封装的微组装技术（3D-MMCM）成为国内外研究和应用的热点。
目前，3D-MMCM的主要实现方式有两类：插装型和基板叠层型。
插装型3D-MMCM先把芯片焊接到基板上形成2D-MMCM模块，再把多个2D-MMCM模块垂直插装在一块公共基板上，形成一个子系统或系统。然而插装型具有对组装工艺要求高、垂直微带线和水平微带线不易焊接、封装体积较大等缺点。
基板叠层式3D-MMCM即先把多种芯片焊接到基板上形成2D-MMCM模块，再把多个2D-MMCM模块叠压在一起，形成一个子系统或系统。通常的上下层基板间采用焊球的方式实现机械和电气连接，然而该种方式具有工艺复杂、焊球对位精度要求高、且焊球连接的机械强度低、且各层之间不能实现完全电磁分隔等缺点。
发明内容
为了克服上述现有插装型和基板叠层型存在的组装工艺复杂的缺陷，本发明提供了一种LTCC基板的交错层叠三维封装结构，该封装结构组装工艺简单，而且对位精度要求低，机械强度高。
为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：
一种LTCC基板的交错层叠三维封装结构，其特征在于：包括底层LTCC基板、中间层LTCC基板和顶层LTCC基板，中间层LTCC基板包括至少两层LTCC基板，每层LTCC基板上均设置有可放置芯片的芯片腔槽；
所述底层LTCC基板、中间层LTCC基板呈阶梯型上下层交错设置，各层之间实现良好电磁封闭；
底层LTCC基板和中间层的每层LTCC基板上均设置有输出电连接凸台、错位电连接区、输入电连接凹槽，输出电连接凸台上设置有用于键合的凹槽，通过输出电连接凸台、错位电连接区、输入电连接凹槽实现各层互联及微波信号、控制信号的输入输出；顶层LTCC基板上均设置有输出焊盘连接点、错位电连接区和输入电连接凹槽，通过输出焊盘连接点、错位电连接区、输入电连接凹槽实现与中间层LTCC基板的互联及微波信号、控制信号的输入输出，所述顶层LTCC基板的错位电连接区与中间层LTCC基板的相应部位具有相同功能；
底层LTCC基板的输出电连接凸台通过金丝或金带与中间层最底层的LTCC基板的输入电连接凹槽实现电连接；
中间层相邻的两层LTCC基板通过金丝或金带互联，金丝或金带位于输入电连接凹槽中，与外部完全封闭，电磁屏蔽良好；
中间层最顶层的LTCC基板的输出电连接凸台通过金丝或金带与顶层LTCC基板的输入电连接凹槽实现电连接。
所述底层LTCC基板，用于整个封装结构提供信号输入接口，并为中间层LTCC基板和顶层LTCC基板提供基础支撑，同时，也可实现微波系统的部分功能；所述中间LTCC基板，用于结构上来回往复的LTCC电路，实现微波系统的主要功能；顶层LTCC基板粘接在中间层LTCC基板的堆叠结构的上表面，实现堆叠结构的封闭及信号输出功能。
所述底层LTCC基板和中间层LTCC基板上的输出电连接凸台和输入电连接凹槽分别位于LTCC基板的两端。
所述中间层LTCC基板的相邻两LTCC基板之间，下面的LTCC基板的输入电连接凹槽中焊盘与上层LTCC基板的输出电连接凸台的凹槽中的焊盘通过金丝或金带键合完成。
所述底层LTCC基板的上表面与中间层LTCC基板的最底面通过导电胶粘贴，实现力学支撑及共地连接；所述中间层LTCC基板的相邻两LTCC基板之间通过上下表面使用导电胶粘贴，实现力学支撑及共地连接；所述顶层LTCC基板用导电胶粘贴在最后一层中间层LTCC基板上表面。
所述顶层LTCC基板和底层LTCC基板均通过金丝或金带与外部电路连接，顶层LTCC基板和底层LTCC基板的功能可互换。
所述底层LTCC基板通过导电胶粘贴在可伐载板或其他载体上。
所述底层LTCC基板通过金丝或金带键合与外部射频电路相连；或者，所述底层LTCC基板通过金丝或金带键合与外部直流或控制电路相连。
所述底层LTCC基板通过内埋电路和芯片腔槽中粘贴裸芯片实现微波系统部分功能。
所述中间层LTCC基板通过内埋电路和芯片腔槽中粘贴裸芯片实现微波系统部分功能。
所述中间层LTCC基板通过边沿突出的电连接凸台凹槽中的焊盘与下一层LTCC基板实现电连接；所述中间层LTCC基板通过边沿的错位电连接区实现外部电信号和控制信号的接入。
所述中间层LTCC基板在通过边沿的错位电连接区可粘贴部分电路中使用的尺寸较大的附属器件。
所述顶层LTCC基板无电连接凸台。
所述顶层LTCC基板上的芯片腔槽可粘贴裸芯片，表面也可粘贴几何尺度较大的封装器件。
所述底层LTCC基板、中间层LTCC基板和顶层LTCC基板可采用10-50层层叠的结构，每层LTCC基板均采用0.094mm厚的ferroA6s材料层，压为一体后在850℃-900℃低温共烧而成。
本发明相对于现有技术具有以下有益效果：
本发明提供的低温共烧陶瓷（LTCC）基板的交错层叠三维封装结构采用多块传统的LTCC基板交错层叠实现三维封装的结构，每层错位电连接区通过相邻层错开的方式，空出部分区域，可留出部分有益空间，放置尺寸较大的附属器件；芯片可放置于LTCC基板上的芯片腔槽中，并且芯片间的互连电路完全在LTCC基板的内部走线，底层和中间层LTCC基板表面无走线；使用常规的LTCC基板加工技术、常用的金丝金带键合技术和导电胶粘接技术即可实现本发明的结构，因此具有工艺简单的优点；上下层基板通过导电胶粘贴，容易实现微波信号密闭，有利于实现各层良好的电磁特性。采用金丝或金带键合技术实现相邻层电路电气连接，由于金丝或金带的柔软可弯曲特性，因此具有对位精度要求低的优点。金丝或金带键合在电连接凸台的凹槽中进行，将被下一层LTCC基板覆盖，易于实现电磁屏蔽，各层之间除输入输出口，无其它电磁耦合/辐射路径；各层之间采用大面积导电胶粘贴，力学接触面积大，机械强度高，相邻层接触面积大；各层基板均可布置电路，相对于平面型的电路布局能够大大减小体积；该结构具有很好的可扩展性，可在垂直方向堆叠更多层基板，进一步提高封装密度，减小电路体积。
附图说明
图1为本发明的剖面结构示意图；
图2为本发明的单层LTCC基板结构示意图；
图3为图2的剖面结构示意图；
图4为本发明的三维层叠结构示意图；
图5为图4的分解结构示意图。
图中附图标记为：1底层LTCC基板，2中间层LTCC基板，3顶层LTCC基板，4金丝或金带，5导电胶，6LTCC基板，7MMIC芯片，8内部走线，9内部无源功能电路，10芯片腔槽，11输入电连接凹槽，12输出电连接凸台，13错位电连接区。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。
如图1、4-5中所示，本发明包括：
一块底层LTCC（低温共烧陶瓷）基板1，一块中间层LTCC基板2，一块顶层LTCC基板3，它们均包括若干层（5-30层）厚度为0.094mm的ferroA6s材料层压为一体后在850℃-900℃低温共烧而成（如图2-3所示），底层LTCC基板1、中间层LTCC基板2、顶层LTCC基板3上均通过微组装工艺形成具有一定功能的微波电路板。顶层和底层无任何电路，LTCC基板的上下表面无电路处镀铂银或金以形成电路地层，上表面地层和下表面地层通过贯穿下层LTCC基板的填充有金属的通孔连接。多个用于连接上下层LTCC基板微波电路板电路连接的金丝或金带4，以及用于粘贴连接上下层基片的导电胶5。顶层LTCC基板3，用于对其下层的芯片封盖，提供输出端口，同时，由于它位于封装结构的外表面，部分末级几何尺寸较大的封装器件可置于上表面。
单层LTCC基板的电路构成包括：
一块LTCC基板6，构成了所有电路和腔体的载体；LTCC电路中的MMIC芯片7使用导电胶粘贴在LTCC基板6上开的芯片腔槽10中，并通过金丝或金带14与暴露出的微带电路相连接，实现射频变换和直流加电；所有射频及直流走线等内部走线8均在基板中间层完成，实现各个MMIC芯片7、功能电路、输入输出及控制口的互联；在LTCC基板6中可以形成不同的内部无源功能电路9，实现滤波、功分、耦合等功能；输入电连接凹槽11和输出电连接凸台12共同构成基板与其它基板或外部电路的输入输出接口，实现信号的输入、输出、与上下层LTCC基板的连通；错位电连接区13用于对芯片腔槽10中的芯片加电的输入及外加微波信号的输入，如放大器加偏置电压，混频器加本振信号等，同时，错位电连接区在相邻的LTCC基板上是错开的，若LTCC基板厚1mm，错位电连接区厚0.5mm，则其上方有1.5mm的空间，可以用来放置部分尺寸稍高的封装器件，如在加直流的线端加一个0603的电容进行滤波等。本实例中，LTCC基板厚1mm，输出电连接凸台厚1mm，凹槽深0.5mm，输入电连接凹槽处基板厚1mm，凹槽深0.5mm。

Claims (11)

1.一种LTCC基板的交错层叠三维封装结构，其特征在于：包括底层LTCC基板（1）、中间层LTCC基板（2）和顶层LTCC基板（3），中间层LTCC基板（2）包括至少两层LTCC基板，每层LTCC基板上均设置有可放置芯片的芯片腔槽（10）；
所述底层LTCC基板（1）、中间层LTCC基板（2）呈阶梯型上下层交错设置，各层之间实现电磁封闭；
底层LTCC基板（1）和中间层的每层LTCC基板上均设置有输出电连接凸台（12）、错位电连接区（13）、输入电连接凹槽（11），输出电连接凸台（12）上设置有用于键合的凹槽，通过输出电连接凸台（12）、错位电连接区（13）、输入电连接凹槽（11）实现各层互联及微波信号、控制信号的输入输出；顶层LTCC基板（3）上均设置有输出焊盘连接点、错位电连接区（13）和输入电连接凹槽（11），通过输出焊盘连接点、错位电连接区（13）、输入电连接凹槽（11）实现与中间层LTCC基板（2）的互联及微波信号、控制信号的输入输出，所述顶层LTCC基板（3）的错位电连接区（13）与中间层LTCC基板（2）的相应部位具有相同功能；
底层LTCC基板（1）的输出电连接凸台（12）通过金丝或金带（4）与中间层最底层的LTCC基板的输入电连接凹槽（11）实现电连接；
中间层相邻的两层LTCC基板通过金丝或金带（4）互联，金丝或金带（4）位于输入电连接凹槽（11）中；
中间层最顶层的LTCC基板的输出电连接凸台（12）通过金丝或金带（4）与顶层LTCC基板（3）的输入电连接凹槽（11）实现电连接。
2.根据权利要求1所述的一种LTCC基板的交错层叠三维封装结构，其特征在于：所述底层LTCC基板（1）和中间层LTCC基板（2）上的输出电连接凸台（12）和输入电连接凹槽（11）分别位于LTCC基板的两端。
3.根据权利要求1所述的一种LTCC基板的交错层叠三维封装结构，其特征在于：所述中间层LTCC基板（2）的相邻两LTCC基板之间，下面的LTCC基板的输入电连接凹槽（11）中焊盘与上层LTCC基板的输出电连接凸台（12）的凹槽中的焊盘通过金丝或金带（4）键合完成。
4.根据权利要求1所述的一种LTCC基板的交错层叠三维封装结构，其特征在于：所述底层LTCC基板（1）的上表面与中间层LTCC基板（2）的最底面通过导电胶（5）粘贴，实现力学支撑及共地连接；所述中间层LTCC基板（2）的相邻两LTCC基板之间通过上下表面使用导电胶（5）粘贴，实现力学支撑及共地连接；所述顶层LTCC基板（3）用导电胶（5）粘贴在最后一层中间层LTCC基板（2）上表面；所述底层LTCC基板（1）通过导电胶（5）粘贴在可伐载板或其他载体上。
5.根据权利要求1所述的一种LTCC基板的交错层叠三维封装结构，其特征在于：所述顶层LTCC基板（3）和底层LTCC基板（1）均通过金丝或金带（4）与外部电路连接。
6.根据权利要求1所述的一种LTCC基板的交错层叠三维封装结构，其特征在于：所述底层LTCC基板（1）通过金丝或金带（4）键合与外部射频电路相连；或者，所述底层LTCC基板（1）通过金丝或金带（4）键合与外部直流或控制电路相连。
7.根据权利要求1所述的一种LTCC基板的交错层叠三维封装结构，其特征在于：所述底层LTCC基板（1）通过内埋电路和芯片腔槽（10）中粘贴裸芯片实现微波系统功能。
8.根据权利要求1所述的一种LTCC基板的交错层叠三维封装结构，其特征在于：所述中间层LTCC基板（2）通过内埋电路和芯片腔槽（10）中粘贴裸芯片实现微波系统功能。
9.根据权利要求1所述的一种LTCC基板的交错层叠三维封装结构，其特征在于：所述中间层LTCC基板（2）通过边沿突出的电连接凸台凹槽中的焊盘与下一层LTCC基板实现电连接；所述中间层LTCC基板（2）通过边沿的错位电连接区（13）实现外部电信号和控制信号的接入。
10.根据权利要求1所述的一种LTCC基板的交错层叠三维封装结构，其特征在于：所述顶层LTCC基板（3）上的芯片腔槽（10）中粘贴裸芯片。
11.根据权利要求1所述的一种LTCC基板的交错层叠三维封装结构，其特征在于：所述底层LTCC基板（1）、中间层LTCC基板（2）和顶层LTCC基板（3）均包括10-50层的ferroA6s材料层，每层ferroA6s材料层为0.094mm厚，10-50层的ferroA6s材料层压为一体后在850℃-900℃低温共烧而成LTCC基板。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107622170A (zh) * 2017-09-29 2018-01-23 武汉虹信通信技术有限责任公司 一种mimo毫米波有源电路设计方法
CN109801908A (zh) * 2019-01-29 2019-05-24 西安微电子技术研究所 一种射频模块及其制备方法
CN109887886A (zh) * 2019-04-10 2019-06-14 中国电子科技集团公司第十三研究所 信号连接用三维垂直互联结构及方法
CN110176439A (zh) * 2019-05-29 2019-08-27 中国电子科技集团公司第四十三研究所 一种模块SiP结构及其制造方法
CN110599946A (zh) * 2019-08-08 2019-12-20 长春希达电子技术有限公司 基于tft玻璃基板的高密度led显示箱体及显示屏
CN112234036A (zh) * 2020-09-11 2021-01-15 西安电子科技大学 一种嵌入式制冷热管的ltcc封装微系统及其制备方法
CN112344929A (zh) * 2020-11-27 2021-02-09 中电科技集团重庆声光电有限公司 一种多层裸芯片堆叠3d异质异构集成导航微系统
CN113271514A (zh) * 2021-05-19 2021-08-17 猫牙(深圳)信息科技有限公司 一种基于ltcc技术的小型化新型蓝牙耳机
CN114024134A (zh) * 2021-10-26 2022-02-08 安徽蓝讯无线通信有限公司 一种用于通讯天线的ltcc封装结构
CN114390770A (zh) * 2021-12-21 2022-04-22 贵州航天计量测试技术研究所 一种微波组件

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008133403A1 (en) * 2007-04-26 2008-11-06 Electronics And Telecommunications Research Institute Low-temperature-cofired-ceramic package and method of manufacturing the same
CN104022321A (zh) * 2014-05-30 2014-09-03 中国电子科技集团公司第二十研究所 一种基于ltcc的微型瓦片式t/r组件
CN104332413A (zh) * 2014-05-30 2015-02-04 中国电子科技集团公司第十研究所 一体化集成t/r组件芯片的3d组装方法
CN104538311A (zh) * 2014-12-05 2015-04-22 中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所 一种ltcc基板3d叠层结构
CN104766834A (zh) * 2015-04-10 2015-07-08 中国工程物理研究院电子工程研究所 一种ltcc基板堆叠的微波电路三维封装结构
CN205723497U (zh) * 2016-05-06 2016-11-23 中国工程物理研究院电子工程研究所 一种ltcc基板的交错层叠三维封装结构

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008133403A1 (en) * 2007-04-26 2008-11-06 Electronics And Telecommunications Research Institute Low-temperature-cofired-ceramic package and method of manufacturing the same
CN104022321A (zh) * 2014-05-30 2014-09-03 中国电子科技集团公司第二十研究所 一种基于ltcc的微型瓦片式t/r组件
CN104332413A (zh) * 2014-05-30 2015-02-04 中国电子科技集团公司第十研究所 一体化集成t/r组件芯片的3d组装方法
CN104538311A (zh) * 2014-12-05 2015-04-22 中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所 一种ltcc基板3d叠层结构
CN104766834A (zh) * 2015-04-10 2015-07-08 中国工程物理研究院电子工程研究所 一种ltcc基板堆叠的微波电路三维封装结构
CN205723497U (zh) * 2016-05-06 2016-11-23 中国工程物理研究院电子工程研究所 一种ltcc基板的交错层叠三维封装结构

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107622170A (zh) * 2017-09-29 2018-01-23 武汉虹信通信技术有限责任公司 一种mimo毫米波有源电路设计方法
CN109801908A (zh) * 2019-01-29 2019-05-24 西安微电子技术研究所 一种射频模块及其制备方法
CN109887886A (zh) * 2019-04-10 2019-06-14 中国电子科技集团公司第十三研究所 信号连接用三维垂直互联结构及方法
CN110176439A (zh) * 2019-05-29 2019-08-27 中国电子科技集团公司第四十三研究所 一种模块SiP结构及其制造方法
CN110599946A (zh) * 2019-08-08 2019-12-20 长春希达电子技术有限公司 基于tft玻璃基板的高密度led显示箱体及显示屏
CN112234036B (zh) * 2020-09-11 2024-03-26 西安电子科技大学 一种嵌入式制冷热管的ltcc封装微系统及其制备方法
CN112234036A (zh) * 2020-09-11 2021-01-15 西安电子科技大学 一种嵌入式制冷热管的ltcc封装微系统及其制备方法
CN112344929A (zh) * 2020-11-27 2021-02-09 中电科技集团重庆声光电有限公司 一种多层裸芯片堆叠3d异质异构集成导航微系统
CN113271514A (zh) * 2021-05-19 2021-08-17 猫牙(深圳)信息科技有限公司 一种基于ltcc技术的小型化新型蓝牙耳机
CN114024134A (zh) * 2021-10-26 2022-02-08 安徽蓝讯无线通信有限公司 一种用于通讯天线的ltcc封装结构
CN114024134B (zh) * 2021-10-26 2024-02-06 安徽蓝讯无线通信有限公司 一种用于通讯天线的ltcc封装结构
CN114390770A (zh) * 2021-12-21 2022-04-22 贵州航天计量测试技术研究所 一种微波组件
CN114390770B (zh) * 2021-12-21 2024-04-12 贵州航天计量测试技术研究所 一种微波组件

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