CN105706187A - 超导体和制造该超导体的方法 - Google Patents
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- 239000002887 superconductor Substances 0.000 title claims abstract description 68
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 170
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 156
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 156
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 112
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 59
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 37
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 13
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 11
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 7
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- NIFIFKQPDTWWGU-UHFFFAOYSA-N pyrite Chemical compound [Fe+2].[S-][S-] NIFIFKQPDTWWGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052683 pyrite Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011028 pyrite Substances 0.000 claims description 6
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims description 5
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000978 Pb alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 abstract 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 abstract 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 21
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 12
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 8
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 8
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011435 rock Substances 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 3
- HBAGRTDVSXKKDO-UHFFFAOYSA-N dioxido(dioxo)manganese lanthanum(3+) Chemical compound [La+3].[La+3].[O-][Mn]([O-])(=O)=O.[O-][Mn]([O-])(=O)=O.[O-][Mn]([O-])(=O)=O HBAGRTDVSXKKDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003098 YBa2Cu3O7−x Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 229910000856 hastalloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 2
- -1 magnesium oxide Chemical class 0.000 description 2
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910001233 yttria-stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 2
- 206010002660 Anoxia Diseases 0.000 description 1
- 241000976983 Anoxia Species 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002370 SrTiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000007953 anoxia Effects 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004087 circulation Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000001657 homoepitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 238000007737 ion beam deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002372 labelling Methods 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021521 yttrium barium copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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Abstract
本发明涉及超导体和制造该超导体的方法。该超导体包括：带形式的基板，具有由顶表面、底表面和两个侧表面纵向限定的表面；超导层，位于基板的顶表面上；金属材料的第一稳定层，位于超导层的顶表面上；金属材料的保护层，位于第一稳定层的顶表面上，其中由第一稳定层的金属和保护层的金属的合金形成的合金层进一步包括在该稳定层与保护层之间。
Description
技术领域
本发明涉及超导体以及制造该超导体的方法，更具体而言，涉及包括具有优良的粘合强度和平坦性的保护层的超导体以及制造该超导体的方法，该方法能够通过简单方法形成保护膜。
背景技术
RE-123基氧化物超导体(REBa2Cu3O7-X，RE是包括Y的稀土元素)在液氮温度具有超导电性。RE-123基氧化物超导体具有低电流损耗，因而形成为超导线并且被制造成用于供应电能的超导体或超导线圈。用于将该氧化物超导体制造成线的方法包括其中穿过中间氧化物层在金属带的基底材料上形成氧化物超导体层并且在氧化物超导体层上形成稳定层。
根据类型，RE-123基氧化物超导体可以由于湿气而退化，并且当超导线被储存在富含湿气的环境中或者维持处于湿气附着到超导线的状态下时，湿气渗入氧化物超导体层从而导致超导性能退化。因此，为了使超导线实现长期使用的可靠性，必须采用保护超导层的初始形态的结构。
作为保护所有超导层的典型结构，日本特许专利公开第2009-503794号公开了其中具有层叠结构的超导插入物用具有导电的无孔填充物的两层覆盖的结构。该高温超导线通过用由金属制成的稳定器条(stabilizerstrip)缠绕超导体四次并用导电的无孔填充物填充稳定条的内部部分而形成。
此外，第0682582号韩国专利公开了其中具有比超导带宽的宽度的金属带位于超导带的顶表面和底表面上并且超导带的侧面用多孔焊接片(solderingfillet)填充以使位于顶表面和底表面的金属带彼此接合的结构。
发明内容
技术问题
本发明的一目的是提供一种超导体，其中保护层的粘合强度甚至关于显微镜下粗糙表面也是优良的，保护层的平坦性优秀从而容易地进行在保护层上形成另一材料膜的工艺，并且所述另一材料膜关于保护层的粘合强度也是优良的。
本发明另一目的是提供一种制造超导体的方法，该方法能够通过简单方法形成保护层。
技术方案
根据本发明构思的一示例性实施方式的超导体包括：基板，具有在第一方向上延伸的带形状并且具有被限定为顶表面、底表面和两个侧表面的表面；超导层，设置在基板的顶表面上；第一稳定层，设置在超导层上并且包含第一金属；保护层，设置在第一稳定层上并且包含不同于第一金属的第二金属；以及第一合金层，设置在第一稳定层和保护层之间，并且包含第一和第二金属。
在保护层熔化时，第二金属可以提供在第一合金层的内部。
保护层可以设置在基板、超导层和第一稳定层的每个的两个侧表面上以及基板的底表面上。
第一稳定层的第一金属可以是从由金、银、铂、钯、铜和其合金组成的组中选出的任一种。
保护层的第二金属可以是从由锡、铅、锑、银和其合金组成的组中选出的任一种。
第一合金层可以包含银和锡的合金或银和铅的合金。
该超导体还可包括：第二稳定层，设置在保护层上；以及低熔点金属层，设置在保护层和第二稳定层之间，低熔点金属层包含不同于第一金属和第二金属的第三金属。
低熔点金属层可以将第二稳定层接合到保护层。
保护层可以设置在保护层的顶表面、底表面和两个侧壁上。
低熔点金属层的第三金属可以是从由锡、铅、锑、银和其合金组成的组中选出的任一种。
第二稳定层可以是从由铜、锌、黄铜、镍、镍合金、铝、不锈钢和其合金组成的组选出的任一种。
第二稳定层可以具有带形状。
该超导体还可以包括设置在保护层和低熔点金属层之间的第二合金层，第二合金层包含第二金属和第三金属。
第二合金层可以包含锡和铅。
低熔点金属层的第三金属的熔点可以低于保护层的第二金属的熔点。
根据本发明构思的示例性实施方式，一种制造超导体的方法可以包括：制备基板，该基板具有在第一方向上延伸的带形状并且具有被限定为顶表面、底表面和两个侧表面的表面；在基板的顶表面上形成超导层；在超导层上形成第一稳定层，第一稳定包含第一金属；以及在第一稳定层上形成保护层，保护层包含不同于第一金属的第二金属，其中形成保护层包括：熔化第一金属；以及用熔化的第一金属涂覆第一稳定层以在第一稳定层和保护层之间形成包含第一和第二金属的第一合金层。
熔化的第一金属可以被涂覆在基板、超导层和第一稳定层的每个的两个侧表面上以及基板的底表面上。
制造超导体的方法还可以包括：在保护层上形成低熔点金属层，低熔点金属层包含第三金属；以及在低熔点金属层上接合第二稳定层。
形成低熔点金属层可以包括在保护层和低熔点金属层之间形成包含第二金属和第三金属的第二合金层。
低熔点金属层可以形成在保护层的顶表面、底表面和两个侧表面上。
有益的效果
在本发明的超导体中，保护层关于显微镜下粗糙表面的粘合性是优良的并且保护层的表面的平坦性极其优良，从而在保护层的顶表面上形成另一材料膜的工艺被容易地进行并且所述另一材料膜关于保护层的粘合性也是优秀的。
此外，在制造本发明的超导体的方法中，保护层可以通过简单方法形成。典型地，镀铜工艺可以在形成典型的保护层中使用，并且其生产率是每分钟几米。相反地，利用本发明的制造方法，相对于相同的厚度，均匀的厚膜可以以每分钟数十米的速度形成，该速度是至少十倍大。
附图说明
图1是根据本发明一实施方式的超导体的分解透视图；以及
图2是图1中示出的超导体的截面图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图详细描述本发明。相同的附图标记始终指代相同的元件。
在本说明书中，当材料膜被称为在另一材料膜或基板上时，该材料膜可以直接形成在另一材料膜或基板上，或可以存在另一插入材料膜。
根据本发明构思的示例性实施方式的超导体包括：基板，是带的形式并且使其纵向限定的表面作为顶表面、底表面和两个侧表面；超导层，设置在基板的顶表面上；第一稳定层，由金属制成并且设置在超导层的顶表面上；以及保护层，由金属制成并且设置在第一稳定层的顶表面上，其中由第一稳定层的第一金属和保护层的第二金属的合金制成的第一合金层被进一步包括在第一稳定层和保护层之间。
图1是超导体的分解透视图，图2是图1中的超导体的截面图。在下文中，参考图1和图2描述超导体。
超导体1包括：基板10，具有在第一方向上延伸的带形状并且具有被限定为顶表面、底表面和两个侧表面的表面；超导层30，设置在基板10的顶表面上；第一稳定层40，由第一金属制成并且设置在超导层30的顶表面上；以及保护层50，由不同于第一金属的第二金属制成并且设置在第一稳定层40的顶表面上。超导体1选择性地还可以包括有纹理的缓冲层20。
基板10可以由金属或金属合金制成，具体地，可以由钼(Mo)、铬(Cr)、钴(Co)、钨(W)、镍(Ni)、不锈钢或其合金(例如哈司特镍合金)制成。
基板10可具有有高的长宽比的带形状。带形状的基板10可具有在第一方向上垂直的被定义为顶表面、底表面和两个侧表面的表面。例如，基板10的宽度可以是0.4至10cm，基板10的长度可以是至少100m，典型地是至少500m。因此，基板10可具有至少103或至少104的长宽比。长宽比表示基板10的宽度与基板10的长度的比率。
基板10可以被处理从而具有用于形成超导层30是合意的表面性质。例如，基板10的表面可以利用物理方法诸如抛光被处理以便获得期望的平坦性和表面粗糙度，并且也可以利用化学方法诸如蚀刻被处理。
此外，基板10可以利用扎制辅助双轴织构化基底(RABiTS)技术等等被处理，从而被双轴纹理化。然而，以下描述大部分关于其中包括通过诸如离子束辅助沉积(IBAD)的工艺被双轴织构化的带纹理的缓冲层20而不是基板10自身被双轴织构化的情形给出。
同时，超导体1可以包括设置在基板10上的扩散防止膜21。扩散防止膜21可以由金属氧化物诸如镁氧化物制成，扩散防止膜21可以期望地通过物理气相沉积形成。金属氧化物可以化学计量地缺氧。金属氧化物可以是镁氧化物，在该情形下，金属氧化物可以由MgO1-x(这里，0<x<1)表示。通过物理气相沉积形成的扩散防止膜21可以是晶体(例如单晶、多晶或微晶)膜。扩散防止膜21可以直接接触基板10的顶表面。
带纹理的缓冲层20是提供适于形成具有期望的结晶取向的超导层30的双轴织构的膜。带纹理的缓冲层20包括籽晶层23、模板层24和缓冲层25。
籽晶层23可以形成在基板10或扩散防止膜21上。籽晶层23执行提供模板层24的成核表面的作用，并且执行在不包括扩散防止膜21时分隔模板层24与基板10的作用。籽晶层23通常由氧化物诸如钇氧化物形成，但是也可以由非氧化物诸如硅氮化物形成。籽晶层23可以利用化学气相沉积(CVD)或包括溅射的物理气相沉积方法形成，但是本发明不限于此。
模板层24执行为超导层30提供双轴织构的作用。也就是，模板层24是具有典型地沿在所述膜的面内和面外二者中的晶轴排列的晶体织构的双轴织构化层。这样的双轴织构可以利用离子束辅助沉积(IBAD)形成，但是本发明不限于此。模板层24可以由镁氧化物制成，镁氧化物是能够最容易地用作用于IBAD的材料的金属氧化物。
缓冲层25执行改善模板层24的双轴织构化性能的作用。例如，缓冲层25可以由同质外延金属氧化物制成，这对于提高模板层24的IBAD厚度是有效的。缓冲层25可以用与模板层24中使用的材料相同的材料诸如镁氧化物制备，或者用与其可互换的材料制备，并且期望地是，可以利用离子束沉积制备，但是本发明不限于此。
同时，晶格失配可能存在于形成模板层25的大部分的镁氧化物与超导层30中的材料之间。为了降低这样的晶格失配，带纹理的缓冲层20选择性地还可以包括设置在缓冲层25上的盖层26。也就是，盖层26可以改善超导层30和模板层25的晶格匹配和化学性能。例如，盖层26可以由钙钛矿结构的陶瓷材料诸如氧化钇稳定二氧化锆(YSZ)、锶钌酸盐、镧锰酸盐或钛酸锶(STO,SrTiO3)制成。盖层26可以通过各种物理气相沉积技术形成，但是本发明不限于此。
超导层30可以设置在带纹理的缓冲层20上。超导层30可由于带纹理的缓冲层20而具有双轴织构化性能。
超导层30可以从典型地在液氮温度(其是77K或更高)表现出超导性能的高温超导材料当中任意选择。这样的材料可以包括由REBa2Cu3O7-x(RE是稀土元素)表示的YBa2Cu3O7-x、Bi2Sr2Ca2Cu3O10+y、Ti2Ba2Ca2Cu3O10+y和HgBa2Ca2Cu3O8+y，并且期望地，可以使用YBa2Cu3O7-x，其也被称为YBCO。这里，0<x<1并且0<y<1。
超导层30可以通过典型地用于形成薄膜的各种技术之一形成。例如，薄膜物理气相沉积技术诸如反应共蒸发(RCE)或脉冲激光沉积(PLD)可以由于高沉积速率被使用，或化学气相沉积(CVD)可以由于低成本和大表面区域处理被使用。此外，也可以使用共蒸发、激光烧蚀、金属有机沉积或溶胶-凝胶法等。
典型地，超导层30可具有1至30μm的厚度，期望地是2至20μm的厚度，更期望地是2至10μm的厚度以便获得期望的额定电流。
第一稳定层40可以设置在超导层30的顶表面上以便保护超导层30。第一稳定层40使电荷在超导体1的冷却没有被实现或临界电流密度被超过时能通过并因而连续地流动，且执行防止冷却剂渗入超导层30由此使超导层30退化的作用。
为了效率，第一稳定层40可以由从由金(Au)、银(Ag)、铂(Pt)、钯(Pd)、铜(Cu)和其合金组成的组中选出的金属制成，期望地，可以由贵金属诸如银制成。因此，由于成本原因，第一稳定层40典型地形成为比保护层50薄。第一稳定层40可以期望地通过物理气相沉积技术诸如DC磁溅射形成，但是本发明不限于此。
保护层50设置在第一稳定层40的顶表面上。此外，保护层50可以形成为围绕包括基板10、超导层30和第一稳定层40的叠层的顶表面、底表面和两个侧表面。参考图2，保护层50以密封方式围绕超导层30，具体地，围绕超导层30从而密封超导层30的上表面和两个侧表面。为此，保护层30可以形成为覆盖第一稳定层40的顶表面和基板10的底表面，并且还形成为覆盖连接第一稳定层40的顶表面至基板10的底表面的侧表面。
像第一稳定层40一样，保护层50也使电荷在超导体的冷却没有被实现或临界电流密度被超过时能通过并因而连续地流动，并执行防止冷却剂渗入超导层30由此使超导体层30退化的作用。
同时，超导体1还包括在第一稳定层40和保护层50之间的第一合金层45。
保护层50通过用熔化的第二金属涂覆由基板10、超导层30和第一稳定层40组成的叠层而形成，因此，由第一稳定层40的第一金属和保护层50的第二金属的合金制成的第一合金层45形成在第一稳定层40和保护层50之间的界面处。
典型地，保护层50通过利用中间粘合材料诸如焊料或焊剂以将铜带接合到超导层30上而形成，或通过物理气相沉积技术，典型地溅射形成。然而，对于使用中间粘合材料诸如焊料的方法，保护层50的粘合性差，生产成本昂贵，且大量生产在经济学上是不利的。在本发明中，通过涂覆熔化的第二金属以形成保护层50，由第一稳定层40的第一金属和保护层50的第二金属的合金制成的第一合金层45形成为使得界面粘合性被改善。此外，第一稳定层40的表面在显微镜下是不平坦的，但是第一合金层45渗入第一稳定层40的粗糙表面中以改善第一稳定层40和保护层50之间的粘合性。此外，通过以上方法形成的保护层50具有极平坦的表面使得用于在保护层上形成另一材料膜的工艺被容易地执行，并且所述另一材料膜关于保护层50的粘合性也是优良的。
保护层50的第二金属是能够在不过高的温度熔化的金属，从由锡、铅、锑、银和其合金组成的组选择的其中之一可以被期望地使用。在考虑保护层的效率、生产成本等时，锡可以被更期望地使用。
因此，第一合金层45可以是从由金、银、铂、钯、铜和其合金组成的组选择的第一金属和从由锡、铅、锑、银和其合金组成的组选择的第二金属的合金。具体地，当第一稳定层40的第一金属是银并且保护层50的第二金属是锡或铅时，第一合金层45可以由银和铅或锡的合金制成。
同时，超导体1还可以包括设置在保护层50的顶表面上的第二稳定层70。此外，第二稳定层70可以不仅设置在保护层50的顶表面上，而且还可以设置在基板10的底表面下面，并且还可以既设置在保护层50的顶表面又设置在基板10的底表面下面。
像第一稳定层40一样，第二稳定层70还执行绕过且防止冷却剂的渗入的作用。第二稳定层70可以是从由铜、锌、黄铜、镍、镍合金、铝、不锈钢和其合金组成的组中选出的任一种，并且关于成本，是铜和锌的合金的黄铜可以被期望地使用。黄铜可以包括少量的铅、铁、锡或磷等。作为镍合金，哈斯特镍合金，其是具有镍作为主要成分且包括少量的钨、钼、钴、铬、锰、铁、碳或钛等的合金，可以被期望地使用。不锈钢总地指使得改善铁的最大缺点(也就是，不足的抗腐蚀性)的抗腐蚀钢，并且可以包括作为主要成分的铁以及少量的碳、硅、锰、磷、硫、镍或铬等。
第二稳定层70可以是具有带形状的金属并且具有被定义为顶表面、底表面和两个侧表面的表面。在该情形下，第二稳定层70可以通过设置在保护层50和第二稳定层70之间的低熔点金属层60而附着到保护层50的顶表面。
低熔点金属层60可以通过用熔化的低熔点金属涂覆保护层50的顶表面形成。这里，因为包括基板10、超导层30、第一稳定层40和保护层50的叠层的顶表面、底表面和两个侧表面用熔化的低熔点金属涂覆从而形成围绕叠层的顶表面、底表面和两个侧表面的低熔点金属层60，保护层50可以通过被低熔点金属层60围绕而被密封。参考图2，低熔点金属层60可以不仅被涂覆在保护层50的顶表面上，而且被涂覆在包括基板10、超导层30、第一稳定层40和保护层50的叠层的顶表面、底表面和两个侧表面上。
第二稳定层70可以在熔化的低熔点金属硬化之前附着在保护层50的顶表面之上的低熔点金属层60上。第二稳定层70在熔化的低熔点金属硬化之后被固定在低熔点金属层60上。
超导体1还包括设置在保护层50和低熔点金属层60之间并且由保护层50的第二金属和低熔点金属层60的第三金属的合金制成的第二合金层50。低熔点金属层60的第三金属不同于保护层60的第二金属。第二合金层55通过用熔化的低熔点金属涂覆保护层50的顶表面形成，因此，由保护层50的第二金属和低熔点金属层60的第三金属的合金制成。
保护层50和低熔点金属层60之间的粘合性通过在保护层50和低熔点金属层60之间形成第二合金层55而改善。
作为能够形成低熔点金属层60的第三金属，能够在低温熔化且从由锡、铅、锑、银和其合金组成的组选出的金属可以被期望地使用。期望的是，具有比保护层50的第二金属低的熔化温度的金属被选为低熔点金属层60的第三金属。这是因为低熔点金属层60的第三金属的熔化温度必须低于保护层50的第二金属的熔化温度从而防止保护层50的第二金属在保护层50的顶表面用熔化的低熔点金属涂覆时熔化。例如，保护层50的第二金属可以是锡，低熔点金属层60的第三金属可以是具有比锡低的熔点的铅，并且在该情形下，第二合金层55可以由锡和铅的合金制成。
超导体1可以通过以下操作制造：制备带形式且具有被定义为顶表面、底表面和两个侧表面的表面的基板10；在基板10的顶表面上形成超导层30；在超导层30的顶表面上形成由金属制成的第一稳定层40；以及通过用熔化的第二金属涂覆第一稳定层40的顶表面而形成由金属制成的保护层50。
对于每个操作的描述与在关于超导体1的描述中给出的描述相同，因而其重复描述此处被排除。
然而，在形成保护层50中，第一稳定层40的顶表面用熔化的第二金属涂覆以在第一稳定层40和保护层50之间形成由第一稳定层40的第一金属和保护层50的第二金属的合金制成的第一合金层45。
这里，在形成保护层50中，包括基板10、超导层30和第一稳定层40的叠层的顶表面、底表面和两个侧表面也可以用熔化的第二金属涂覆使得保护层50围绕叠层的顶表面、底表面和两个侧表面。
用熔化的第二金属涂覆叠层的方法可以包括在叠层上滴注熔化的第二金属或以简单的方式将叠层浸在熔化的第二金属中。浸渍可以在100至300℃实现1至120秒，期望地在150至250℃实现1至60秒。之后，涂有熔化的第二金属的叠层可以在0至250℃冷却0至120分钟，期望地在0至100℃冷却0至60分钟，更期望地是在0至50℃冷却0至10分钟以形成保护层50。
制造超导体1的方法还可以包括在用熔化的低熔点金属涂覆保护层50的顶表面而形成低熔点金属层60的同时将第二稳定层70附接到低熔点金属层60的顶表面。
在附接第二稳定层70中，保护层30的顶表面可以用熔化的低熔点金属涂覆以形成由保护层50的第二金属和低熔点金属层60的第三金属的合金制成的第二合金层55。
这里，包括基板10、超导层30、第一稳定层40和保护层30的叠层的顶表面、底表面和两个侧表面也可以用熔化的低熔点金属涂覆以形成围绕叠层的顶表面、底表面和两个侧表面的低熔点金属层60。
用熔化的低熔点金属涂覆叠层的方法可以包括在叠层上滴注熔化的低熔点金属或以简单的方式将叠层浸在熔化的低熔点金属溶液中。浸渍可以在150至400℃实现1至220秒，期望地在150至350℃实现1至10秒，更期望地是在150℃至320℃实现1至5秒。在涂有熔化的低熔点金属的叠层被从熔化的低熔点金属溶液取出且附着到第二稳定层70之后，该叠层可以在0至400℃冷却1至20分钟，期望地在0至250℃冷却0至60分钟，更期望地在0至50℃冷却0至10分钟以形成低熔点金属层60。
实施本发明的模式
在下文中，本发明构思的示例性实施方式被详细描述以允许本发明被本领域的普通技术人员容易地实现。然而，本发明可以以各种不同的形式实现，且不限于此处描述的实施方式。
示例：制造超导体
示例l
由铝氧化物(Al2O3)制成的非晶的扩散防止膜利用溅射方法形成在哈司特镍合金基板上。由钇氧化物(Y2O3)制成的籽晶层利用溅射方法形成在扩散防止膜上。由镁氧化物制成的模板层利用离子束辅助沉积(IBAD)方法形成在籽晶层上。由镁氧化物制成的缓冲层利用离子束沉积方法形成在模板层上。由镧锰酸盐(LMO)制成的盖层利用溅射方法形成在缓冲层上。
为了形成超导层，陶瓷前躯体膜通过在其上形成缓冲层的基板上提供金属蒸汽而形成，然后被热处理，该金属蒸汽通过在包含钆(Gd)、铜(Cu)和钡(Ba)的容器上发射电子束而产生。
DC磁控溅射方法用于在已经形成的超导层上形成由银制成的第一稳定层。
其上形成有超导层的基板被浸在熔化的230℃锡中2秒然后被冷却以形成具有20μm的厚度的保护层。
其上形成有保护层的基板被浸在熔化的250℃铅合金中3秒，然后，在附接带形式的黄铜之后，在50℃的空气中冷却30秒以形成低熔点金属层和第二稳定层。
通过研磨制造的超导体的表面，通过能量色散X射线光谱仪(EDS)分析观察到第一合金层形成在第一稳定层和保护层之间并且第二合金层形成在保护层和低熔点金属层之间。
该观察的结果是，确定第一合金层由银和锡的合金制成并且第二合金层由锡和铅合金的合金制成。
实验示例1：超导体性能的计算
具有12mm宽度的超导线用在以上示例中制造的超导体制造，在气压下被浸没在77K液氮中(在热平衡状态中浸没5分钟)，然后，在重复干燥100循环之后，评估超导体的性能的结果是，侧表面的加宽以及关于部件的外部缺陷的发生等是不存在的，并且还确定超导层的性能没有变化。
虽然本发明的示例性实施方式已经在上面被详细描述，但是本发明不限于此，由本领域的普通技术人员利用本发明的由以下权利要求限定的基本构思进行的各种变化和变形也在本发明的范围内。
工业实用性
本发明可以提供一种超导体，在该超导体中，保护层关于显微镜下粗糙表面的粘合性是优良的并且保护层的表面的平坦性极其优良，从而在保护层的顶表面上形成另一材料膜的工艺被容易地进行并且关于保护层的粘合性也是优秀的。
Claims (20)
1.一种超导体，包括：
基板，具有在第一方向上延伸的带形状并且具有被限定为顶表面、底表面和两个侧表面的表面；
超导层，设置在所述基板的所述顶表面上；
第一稳定层，设置在所述超导层上并且包含第一金属；
保护层，设置在所述第一稳定层上并且包含不同于所述第一金属的第二金属；以及
第一合金层，设置在所述第一稳定层和所述保护层之间，并且包含所述第一金属和所述第二金属。
2.根据权利要求1所述的超导体，其中在所述保护层熔化时，所述第二金属提供在所述第一合金层的内部。
3.根据权利要求1所述的超导体，其中所述保护层设置在所述基板、所述超导层和所述第一稳定层的每个的两个侧表面上以及在所述基板的所述底表面上。
4.根据权利要求1所述的超导体，其中所述第一稳定层的所述第一金属是从由金、银、铂、钯、铜和其合金组成的组中选出的任一种。
5.根据权利要求1所述的超导体，其中所述保护层的所述第二金属是从由锡、铅、锑、银和其合金组成的组中选出的任一种。
6.根据权利要求1所述的超导体，其中所述第一合金层包含银和锡的合金或银和铅的合金。
7.根据权利要求1所述的超导体，还包括：
第二稳定层，设置在所述保护层上；以及
低熔点金属层，设置在所述保护层和所述第二稳定层之间，所述低熔点金属层包含不同于所述第一金属和所述第二金属的第三金属。
8.根据权利要求7所述的超导体，其中所述低熔点金属层将所述第二稳定层接合到所述保护层。
9.根据权利要求7所述的超导体，其中所述低熔点金属层设置在所述保护层的顶表面、底表面和两个侧壁上。
10.根据权利要求7所述的超导体，其中所述低熔点金属层的所述第三金属是从由锡、铅、锑、银和其合金组成的组中选出的任一种。
11.根据权利要求7所述的超导体，其中所述第二稳定层是从由铜、锌、黄铜、镍、镍合金、铝、不锈钢和其合金组成的组选出的任一种。
12.根据权利要求7所述的超导体，其中所述第二稳定层具有带形状。
13.根据权利要求7所述的超导体，还包括设置在所述保护层和所述低熔点金属层之间的第二合金层，所述第二合金层包含所述第二金属和所述第三金属。
14.根据权利要求13所述的超导体，其中所述第二合金层包含锡和铅。
15.根据权利要求7所述的超导体，其中所述低熔点金属层的所述第三金属的熔点低于所述保护层的所述第二金属的熔点。
16.一种制造超导体的方法，所述方法包括：
制备基板，该基板具有在第一方向上延伸的带形状并且具有被限定为顶表面、底表面和两个侧表面的表面；
在所述基板的所述顶表面上形成超导层；
在所述超导层上形成第一稳定层，所述第一稳定层包含第一金属；以及
在所述第一稳定层上形成保护层，所述保护层包含不同于所述第一金属的第二金属，
其中，形成所述保护层包括：
熔化所述第一金属；以及
用所述熔化的第一金属涂覆所述第一稳定层以在所述第一稳定层和所述保护层之间形成包含所述第一金属和所述第二金属的第一合金层。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述熔化的第一金属被涂覆在所述基板、所述超导层和所述第一稳定层的每个的两个侧表面上以及在所述基板的所述底表面上。
18.根据权利要求16所述的方法，还包括：
在所述保护层上形成低熔点金属层，所述低熔点金属层包含第三金属；以及
在所述低熔点金属层上附接第二稳定层。
19.根据权利要求18所述的方法，其中形成所述低熔点金属层包括在所述保护层和所述低熔点金属层之间形成包含所述第二金属和所述第三金属的第二合金层。
20.根据权利要求18所述的方法，其中所述低熔点金属层形成在所述保护层的顶表面、底表面和两个侧表面上。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2013-0109146 | 2013-09-11 | ||
| KR1020130109146A KR101459583B1 (ko) | 2013-09-11 | 2013-09-11 | 초전도체 및 이의 제조 방법 |
| PCT/KR2014/008044 WO2015037846A1 (ko) | 2013-09-11 | 2014-08-28 | 초전도체 및 이의 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105706187A true CN105706187A (zh) | 2016-06-22 |
| CN105706187B CN105706187B (zh) | 2017-07-11 |
Family
ID=52287475
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201480060913.0A Active CN105706187B (zh) | 2013-09-11 | 2014-08-28 | 超导体和制造该超导体的方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10262776B2 (zh) |
| EP (1) | EP3046116B1 (zh) |
| KR (1) | KR101459583B1 (zh) |
| CN (1) | CN105706187B (zh) |
| ES (1) | ES2838010T3 (zh) |
| RU (1) | RU2643162C2 (zh) |
| WO (1) | WO2015037846A1 (zh) |
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2014
- 2014-08-28 WO PCT/KR2014/008044 patent/WO2015037846A1/ko active Application Filing
- 2014-08-28 RU RU2016108818A patent/RU2643162C2/ru active
- 2014-08-28 US US15/021,502 patent/US10262776B2/en active Active
- 2014-08-28 CN CN201480060913.0A patent/CN105706187B/zh active Active
- 2014-08-28 ES ES14843263T patent/ES2838010T3/es active Active
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|---|---|
| EP3046116A4 (en) | 2017-04-26 |
| RU2016108818A (ru) | 2017-10-16 |
| WO2015037846A1 (ko) | 2015-03-19 |
| EP3046116A1 (en) | 2016-07-20 |
| RU2643162C2 (ru) | 2018-01-31 |
| US10262776B2 (en) | 2019-04-16 |
| KR101459583B1 (ko) | 2014-11-10 |
| EP3046116B1 (en) | 2020-11-11 |
| US20160247608A1 (en) | 2016-08-25 |
| CN105706187B (zh) | 2017-07-11 |
| ES2838010T3 (es) | 2021-07-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |