CN105705985B - 电光装置的驱动方法、电光装置及电子设备 - Google Patents

电光装置的驱动方法、电光装置及电子设备 Download PDF

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Abstract

提供显示品质的降低得到抑制的电光装置的驱动方法、电光装置以及电子设备。具备元件基板、对置基板以及配置在元件基板与对置基板之间的液晶层，向与元件基板(10)的第1扫描线电连接的多个第1像素电极施加交流信号(V1)，向多个第2像素电极施加交流信号(V2)，所述多个第2像素电极与配置为与第1扫描线相邻的第2扫描线电连接，交流信号(V2)的相位相对于交流信号(V1)的相位延迟预定的量。

Description

电光装置的驱动方法、电光装置及电子设备
技术领域
本发明涉及电光装置的驱动方法、电光装置及电子设备。
背景技术
作为上述电光装置，例如已知按各个像素具备晶体管作为对像素电极进行开关控制的元件的有源驱动方式的液晶装置。液晶装置例如在直视型显示器和/或光阀等中使用。
若光入射至这种液晶装置，则有时构成液晶面板的液晶材料和/或取向膜等与入射光产生光化学反应，并产生离子性杂质作为反应生成物。另外，已知在液晶面板的制造过程中还存在从密封件和/或封闭件等扩散至液晶层的离子性杂质。特别是在用于投射式显示装置(投影机)的光调制单元(光阀)的液晶装置中，与直视型的液晶装置相比，入射光的光束密度更高，因此需要抑制离子性杂质对显示造成影响。
作为抑制离子性杂质对显示的影响的措施，例如专利文献1中公开了如下方法：将有效像素区域分割为多个，利用针对每个区域通过改变振幅(换言之，针对每个区域而设为不同的电位)而施加的横向电场，将离子性杂质向比有效像素区域靠外侧的区域清扫(sweep)。
专利文献1：日本特开2008-292861号公报
发明内容
然而，在上述专利文献1的方法中，存在如下问题：根据振幅的不同而施加的横向电场的电压小，离子性杂质的扫除效率差。另外，在上述专利文献1中，存在如下问题：并未公开针对每个区域而使电压值不同的具体方法。
本发明的方式是为了解决上述问题的至少一部分而完成的，能够实现为以下方式或者应用例。
[应用例1]本应用例所涉及的电光装置的驱动方法的特征在于，所述电光装置具备：第1基板；第2基板，其与所述第1基板对置配置；以及电光层，其配置在所述第1基板与所述第2基板之间，在所述电光装置的驱动方法中，向第1像素电极施加第1信号，所述第1像素电极与配置为将所述第1基板覆盖的第1布线电连接，向第2像素电极施加第2信号，所述第2像素电极与配置为与所述第1布线相邻的第2布线电连接，所述第2信号的相位相对于所述第1信号的相位延迟预定的量。
根据本应用例，由于以使得第2布线的相位相对于第1布线的相位延迟的方式对各布线分别施加第1信号以及第2信号，因此，在第1像素电极与第2像素电极之间所产生的电场的分布从第1布线朝向第2布线的方向移动。由此，能够将电光层中所含的离子性杂质从第1布线朝向第2布线的方向扫在一起。
[应用例2]在上述应用例所涉及的电光装置的驱动方法中，优选地，向第3像素电极施加第3信号，所述第3像素电极与隔着所述第2布线相对于所述第1布线对置配置的第3布线电连接，所述第3信号的相位相对于所述第2信号的相位延迟所述预定的量。
根据本应用例，由于向第3布线施加相位比第2信号的相位延迟的第3信号，换言之，由于以使得相位按照第1布线、第2布线、第3布线的顺序延迟的方式施加信号，因此，在各像素电极间所产生的电场的分布从第1布线朝向第3布线的方向移动。由此，能够将电光层中所含的离子性杂质从第1布线朝向第3布线的方向扫在一起。
[应用例3]在上述应用例所涉及的电光装置的驱动方法中，优选地，所述第1信号的频率为10mHz～50mHz。
根据本应用例，由于向像素电极施加上述频率的信号，因此，能够追随离子性杂质的移动，从而能够高效地将离子性杂质从第1布线向第3布线的方向清扫。
[应用例4]在上述应用例所涉及的电光装置的驱动方法中，优选地，所述第1信号的电压的时间平均值与基准电位之差大致为0V。
根据本应用例，由于所施加的各信号的电压的时间平均值与基准电位差大致为0V(具体而言，例如为100mV以下)、即相对于基准电位向高电位和低电位转变(交流信号)，因此，在向像素电极施加(+)的电位的情况下，(-)的离子性杂质朝向像素电极扫在一起，在向像素电极施加(-)的电位的情况下，(+)的离子性杂质朝向像素电极扫在一起。通过施加这种信号，能够使电场从第1布线朝向第2布线的方向移动，无论是(+)、(-)哪种离子性杂质，都能够将其扫在一起。
[应用例5]在上述应用例所涉及的电光装置的驱动方法中，优选地，根据所述电光层的温度改变所述第1信号的频率。
根据本应用例，由于离子性杂质的移动度取决于温度，因此需要与温度对应地决定信号的频率。由此，例如，若电光层的温度高于常温，则通过增大频率而能够迅速地将离子性杂质清扫。若电光层的温度低于常温，则通过减小频率而能够追随离子性杂质的移动速度，从而能够可靠地将离子性杂质扫在一起。
[应用例6]在上述应用例所涉及的电光装置的驱动方法中，优选地，所述第1布线和所述第2布线为扫描线。
根据本应用例，由于第1布线～第3布线为扫描线，因此，通过利用行方向的线反相驱动法，能够针对各扫描线施加相位从第1布线朝向第3布线的方向延迟后的信号。
[应用例7]在上述应用例所涉及的电光装置的驱动方法中，优选地，所述扫描线沿着有效像素区域的长边配置，从所述有效像素区域的中央朝向外侧，按照所述第1布线、所述第2布线的顺序进行配置。
根据本应用例，以处于有效像素区域的中央的扫描线(第1布线)为界朝向有效像素区域的外侧配置第2布线、第3布线，由于从第1布线朝向第3布线的方向对离子性杂质进行清扫，换言之，由于在与有效像素区域的短边并行的方向上对离子性杂质进行清扫，因此，与沿着长边进行清扫的方法相比，能够迅速地进行清扫。
[应用例8]在上述应用例所涉及的电光装置的驱动方法中，优选地，所述第1信号的波形为矩形波、正弦波、三角波中的任一种。
根据本应用例，由于利用矩形波、正弦波、三角波中的任一种，因此能够形成相位各延迟120°后的信号。因而，能够从第1布线向第3布线的方向将离子性杂质进行清扫。作为容易生成信号波形的顺序，例如为矩形波、三角波、正弦波的顺序。最佳的信号波形为正弦波。
[应用例9]本应用例所涉及的电光装置的驱动方法的特征在于，所述电光装置具备：第1基板；第2基板，其与所述第1基板对置配置；电光层，其配置在所述第1基板与所述第2基板之间；第1布线，其配置为将所述第1基板覆盖；第2布线，其配置为与所述第1布线相邻；第1像素电极，其经由第1开关元件与所述第1布线电连接；第2像素电极，其经由第2开关元件与所述第2布线电连接；以及选择布线，其与所述第1开关元件及所述第2开关元件电连接，在所述电光装置的驱动方法中，当向所述选择布线施加电压而选择了所述第1开关元件和所述第2开关元件时，所述第1布线被施加第1信号，并且所述第2布线被施加相位与所述第1信号不同的第2信号。
根据本应用例，由于施加多个第2像素电极的相位相对于多个第1像素电极的相位不同(延迟)的信号，因此，在第1像素电极与第2像素电极之间所产生的电场的分布从第1布线朝向第2布线的方向移动。由此，能够将电光层中所含有的离子性杂质从第1布线向第2布线的方向扫在一起。
[应用例10]上述应用例所涉及的电光装置的驱动方法的特征在于，所述电光装置具备：第3布线，其隔着所述第2布线与所述第1布线对置配置；和第3像素电极，其经由第3开关元件与所述第3布线电连接，在所述电光装置的驱动方法中，当向所述选择布线施加电压而选择了所述第1开关元件、所述第2开关元件以及所述第3开关元件时，所述第3布线被施加相位与所述第1信号及所述第2信号不同的第3信号。
根据本应用例，由于对第3布线施加相位比第2信号的相位延迟(与第2信号不同)的第3信号，换言之，由于以使得相位按照第1布线、第2布线、第3布线的顺序延迟的方式施加信号，因此，在各像素电极间所产生的电场的分布从第1布线朝向第3布线的方向移动。由此，能够将电光层中所含有的离子性杂质从第1布线向第3布线的方向扫在一起。
[应用例11]本应用例所涉及的电光装置的特征在于，具备：第1基板；第2基板，其与所述第1基板对置配置；以及电光层，其配置在所述第1基板与所述第2基板之间，还具备：第1像素电极，其配置为将所述第1基板覆盖；第1布线，其与所述第1像素电极电连接，被施加第1信号；第2像素电极；以及第2布线，其配置为与所述第1布线相邻，并且与所述第2像素电极电连接，被施加第2信号，所述第2信号的相位相对于所述第1信号的相位延迟预定的量。
根据本应用例，由于以使得第2布线的相位相对于第1布线的相位延迟的方式对各布线分别施加第1信号及第2信号，因此，在第1像素电极与第2像素电极之间所产生的电场的分布从第1布线朝向第2布线的方向移动。由此，能够将电光层中所含有的离子性杂质从第1布线向第2布线的方向扫在一起。
[应用例12]在上述应用例所涉及的电光装置中，优选地，还具备：第3像素电极；和第3布线，其隔着所述第2布线与所述第1布线对置配置，并且与所述第3像素电极电连接，被施加第3信号，所述第3信号的相位相对于所述第2信号的相位延迟所述预定的量。
根据本应用例，由于对第3布线施加相位比第2信号的相位延迟的第3信号，换言之，由于以使得相位按照第1布线、第2布线、第3布线的顺序延迟的方式施加信号，因此，在各像素电极间所产生的电场的分布从第1布线朝向第3布线的方向移动。由此，能够将电光层中所含有的离子性杂质从第1布线向第3布线的方向扫在一起。
[应用例13]在上述应用例所涉及的电光装置中，优选地，所述第1信号的频率为10mHz～50mHz。
根据本应用例，由于向像素电极施加上述频率的信号，因此，能够追随离子性杂质的移动，从而能够高效地将离子性杂质从第1布线向第3布线的方向进行清扫。
[应用例14]在上述应用例所涉及的电光装置中，优选地，所述第1信号的电压的时间平均值与基准电位的电位差大致为0V。
根据本应用例，由于所施加的各信号的电压的时间平均值与基准电位差大致为0V(具体而言，例如为100mV以下)、即相对于基准电位向高电位和低电位转变(交流信号)，因此，在向像素电极施加(+)的电位的情况下，(-)的离子性杂质朝向像素电极扫在一起，在向像素电极施加(-)的电位的情况下，(+)的离子性杂质朝向像素电极扫在一起。通过施加这种信号而能够使电场从第1布线朝向第2布线的方向移动，无论是(+)、(-)哪种离子性杂质，都能够将其扫在一起。
[应用例15]在上述应用例所涉及的电光装置中，优选地，所述第1布线和所述第2布线为扫描线。
根据本应用例，由于第1布线～第3布线为扫描线，因此，通过利用行方向的线反相驱动法，能够针对各扫描线施加相位从第1布线朝向第3布线的方向延迟后的信号。
[应用例16]在上述应用例所涉及的电光装置中，优选地，所述电光层为液晶层，在所述第1基板和所述第2基板的所述液晶层侧配置有无机取向膜。
根据本应用例，若离子性杂质附着于用于使液晶取向的无机取向膜则难以脱离。然而，由于以上述方式向像素电极施加信号而将离子性杂质从第1布线向第3布线的方向扫在一起，因此能够抑制因离子性杂质滞留于有效像素区域而造成显示不良。
[应用例17]本应用例所涉及的电光装置的特征在于，具备：第1基板；第2基板，其与所述第1基板对置配置；电光层，其配置在所述第1基板与所述第2基板之间；第1布线，其配置为将所述第1基板覆盖；第2布线，其配置为与所述第1布线相邻；第1像素电极，其经由第1开关元件与所述第1布线电连接；第2像素电极，其经由第2开关元件与所述第2布线电连接；以及选择布线，其与所述第1开关元件及所述第2开关元件电连接，当向所述选择布线施加电压而选择了所述第1开关元件及所述第2开关元件时，所述第1布线被施加第1信号，并且所述第2布线被施加相位与所述第1信号不同的第2信号。
根据本应用例，由于施加第2像素电极的相位相对于第1像素电极的相位不同(延迟)的信号，因此，在第1像素电极与第2像素电极之间所产生的电场的分布从第1布线朝向第2布线的方向移动。由此，能够将电光层中所含有的离子性杂质从第1布线向第2布线的方向扫在一起。
[应用例18]在上述应用例所涉及的电光装置中，优选地，具备：第3布线，其隔着所述第2布线与所述第1布线对置配置；和第3像素电极，其经由第3开关元件与所述第3布线电连接，当向所述选择布线施加电压而选择了所述第1开关元件、所述第2开关元件以及所述第3开关元件时，所述第3布线被施加相位与所述第1信号及所述第2信号不同的第3信号。
根据本应用例，由于向第3布线施加相位比第2信号的相位延迟(与第2信号不同)的第3信号，换言之，由于以使得相位按照第1布线、第2布线、第3布线的顺序延迟的方式施加信号，因此，在各像素电极间所产生的电场的分布从第1布线朝向第3布线的方向移动。由此，能够将电光层中所含有的离子性杂质从第1布线向第3布线的方向扫在一起。
[应用例19]本应用例所涉及的电子设备的特征在于，具备上述电光装置。
根据本应用例，由于具备上述电光装置，因此能够提供显示品质的降低得到抑制的电子设备。
附图说明
图1是表示第1实施方式的液晶装置的构成的示意俯视图。
图2是图1所示的液晶装置的沿着H-H’线的示意剖面图。
图3是表示液晶装置的电结构的等效电路图。
图4是主要表示液晶装置中的像素的构造的示意剖面图。
图5是用于说明向像素电极施加电压的方法的液晶装置的示意俯视图。
图6是图5所示的液晶装置的沿着A-A’线的示意剖面图。
图7是表示向各扫描线施加的交流信号的种类的示意俯视图。
图8是表示各交流信号的时序图。
图9是按1个画面示出施加于像素电极的交流信号的极性的示意俯视图。
图10是表示具备液晶装置的投射式显示装置的构成的概要图。
图11是表示第2实施方式的液晶装置的构造的示意剖面图。
图12是表示离子性杂质的移动度μ与温度的关系的曲线图。
图13是用于说明对第3实施方式的液晶装置的像素电极施加电压的方法的示意俯视图。
图14是表示第4实施方式的液晶装置的电结构的等效电路图。
图15是用于说明对液晶装置施加电压的方法的示意俯视图。
图16是表示变形例的交流信号的信号波形的示意图。
图17是表示变形例的液晶装置的构成的示意俯视图。
图18是图17所示的变形例的液晶装置的沿着B-B’线的示意剖面图。
具体实施方式
以下，根据附图对使本发明具体化的实施方式进行说明。此外，为了成为能够识别所说明的部分的状态，以适当地放大或缩小的方式显示所使用的附图。
此外，在以下方式中，例如记载为“基板上”的情况表示配置为与基板上接触的情况、或者隔着其它构成物而配置于基板上的情况、或者配置为一部分与基板上接触且一部分隔着其它构成物而配置于基板上的情况。
(第1实施方式)
在本实施方式中，作为电光装置的一例，举出具备薄膜晶体管(TFT：Thin FilmTransistor)作为像素的开关元件的有源矩阵式的液晶装置为例进行说明。该液晶装置例如能够优选用作下述的投射式显示装置(液晶投影机)的光调制单元(液晶光阀)。
<液晶装置的构成>
图1是表示液晶装置的构成的示意俯视图。图2是图1所示的液晶装置的沿着H-H’线的示意剖面图。图3是表示液晶装置的电结构的等效电路图。以下，参照图1～图3对液晶装置的构成进行说明。
如图1及图2所示，本实施方式的液晶装置100具有：对置配置的作为第1基板的元件基板10和作为第2基板的对置基板20；以及由上述这一对基板夹持的作为电光层的液晶层50。元件基板10的基材10s例如采用玻璃基板、石英基板、硅基板等基板。对置基板20的基材20s例如采用玻璃基板、石英基板等透明基板。
元件基板10比对置基板20大，两个基板经由密封件40而接合，该密封件40沿对置基板20的外缘配置。在其间隙封入具有正或负的介电各向异性的液晶而构成液晶层50。
密封件40例如采用热固化性或者紫外线固化性的环氧树脂等粘接剂。密封件40中混入有用于将一对基板的间隔保持为恒定的隔离件(未图示)。
在密封件40的内侧，设置有包含排列为矩阵状的多个像素P的显示区域E。另外，在密封件40与显示区域E之间以包围显示区域E的方式设置有分离部21。分离部21例如由遮光性的金属或者金属氧化物等构成。
在显示区域E的周围，设置有对显示无贡献的虚拟像素区域(未图示)。另外，虽然在图1及图2中省略了图示，但在对置基板20上设置有在俯视时对显示区域E中的多个像素P分别进行划分的遮光部(黑矩阵(black matrix)：BM)。
在元件基板10上设置有端子部，该端子部排列有多个外部连接端子104。在沿着该端子部的第1边部与密封件40之间设置有数据线驱动电路101。另外，在沿着与第1边部对置的第2边部的密封件40与显示区域E之间设置有检查电路103。
并且，在沿着与第1边部正交、且相互对置的第3边部及第4边部的密封件40与显示区域E之间设置有扫描线驱动电路102。另外，在第2边部的密封件40与检查电路103之间，设置有将2个扫描线驱动电路102连接的多个布线105。
与这些数据线驱动电路101、扫描线驱动电路102连接的布线，与沿第1边部排列的多个外部连接端子104连接。以下，将沿着该1边部的方向设为X方向、并将沿着与该1边部正交且相互对置的第3边部及第4边部的方向设为Y方向而进行说明。此外，检查电路103的配置并不限定于此，也可以设置在沿着数据线驱动电路101的密封件40与显示区域E之间。
如图2所示，在基材10s的液晶层50侧的表面，形成有针对每个像素P而设置的透光性的像素电极15及作为开关元件的薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor，以下称为“TFT30”)、信号布线、以及将这些部件覆盖的取向膜18。
另外，采用防止因光入射至TFT30的半导体层而导致开关动作变得不稳定的遮光构造。元件基板10包括基材10s、以及形成在基材10s上的像素电极15、TFT30、信号布线、取向膜18。
在基材20s的液晶层50侧的表面设置有：分离部21；绝缘层22，其以将上述分离部21覆盖的方式成膜；对置电极23，其设置为将绝缘层22覆盖；以及取向膜24，其将对置电极23覆盖。本发明中的对置基板20至少包括分离部21、对置电极23、取向膜24。
如图1所示，分离部21被设置在将显示区域E包围、且在俯视时与扫描线驱动电路102、检查电路103重叠的位置。由此将从对置基板20侧向这些电路入射的光遮挡，从而发挥防止电路因光而进行误动作的作用。另外，将不必要的杂散光遮挡而不使其向显示区域E入射，从而确保显示区域E的显示的高对比度。
绝缘层22例如由氧化硅等无机材料构成，其具有光透过性且设置为将分离部21覆盖。作为这种绝缘层22的形成方法，能够举出例如利用等离子体CVD(Chemical VaporDeposition；化学气相沉积)法等成膜的方法。
对置电极23例如由ITO(Indium Tin Oxide；氧化铟锡)等透明导电膜构成，其将绝缘层22覆盖，并且与如图1所示那样设置于对置基板20的角部的上下导通部106电连接。上下导通部106与元件基板10侧的布线电连接。
将像素电极15覆盖的取向膜18以及将对置电极23覆盖的取向膜24基于液晶装置100的光学设计而选定。作为取向膜18、24，能够举出利用气相生长法使SiOx(氧化硅)等无机材料成膜，并使具有负的介电各向异性的液晶分子大致垂直取向的取向膜。
这种液晶装置100例如是透过式的，采用未施加电压时的像素P的透过率比施加电压时的透过率大的常白模式的光学设计、或者未施加电压时的像素P的透过率比施加电压时的透过率小的常黑模式的光学设计。在包括元件基板10与对置基板20的液晶面板110的光的入射侧与射出侧分别与光学设计相应地配置并使用偏振元件。
在本实施方式中，以下，对使用上述的取向膜作为取向膜18、24、并使用具有负的介电各向异性的液晶，应用了常黑模式的光学设计的例子进行说明。
如图3所示，液晶装置100具有：作为至少在显示区域E中相互绝缘且正交的信号布线的多个扫描线3a及多个数据线6a(第4布线、与第4布线相邻配置的第5布线)；以及沿着数据线6a平行地配置的电容线3b。扫描线3a延伸的方向为X方向，数据线6a延伸的方向为Y方向。
扫描线3a、数据线6a以及电容线3b、和在由这些信号线类划分而成的区域中设置的像素电极15、TFT30以及电容元件16，这些构成像素P的像素电路。
扫描线3a与TFT30的栅极电连接，数据线6a与TFT30的数据线侧源极漏极区域(一方的源极漏极区域)电连接。像素电极15与TFT30的像素电极侧源极漏极区域(另一方的源极漏极区域)电连接。
数据线6a与数据线驱动电路101(参照图1)电连接，将从数据线驱动电路101供给的图像信号D1、D2、…、Dn向像素P供给。扫描线3a与扫描线驱动电路102(参照图1)连接，将从扫描线驱动电路102供给的扫描信号SC1、SC2、…、SCm向各像素P供给。
对于从数据线驱动电路101向数据线6a供给的图像信号D1～Dn，可以按照该顺序以行序方式(line sequence)进行供给，也可以针对彼此相邻的多个数据线6a彼此按各个组进行供给。扫描线驱动电路102对扫描线3a在预定的定时以脉冲方式且以行序方式供给扫描信号SC1～SCm。
液晶装置100形成为如下构成：作为开关元件的TFT30根据扫描信号SC1～SCm的输入仅在一定期间成为导通状态，由此在预定的定时将从数据线6a供给的图像信号D1～Dn写入像素电极15。另外，经由像素电极15写入液晶层50后的预定电平的图像信号D1～Dn，在像素电极15与隔着液晶层50对置配置的对置电极23之间被保持一定期间。
为了防止所保持的图像信号D1～Dn泄漏，使得电容元件16与形成在像素电极15与对置电极23之间的液晶电容并联连接。电容元件16设置在TFT30的像素电极侧源极漏极区域与电容线3b之间。电容元件16在2个电容电极之间具有电介质层。
<构成液晶装置的像素的构成>
图4是主要表示液晶装置中的像素的构造的示意剖面图。以下，参照图4对像素的构造进行说明。此外，图4示出各构成要素在截面上的位置关系，并由能够清楚表示的尺寸来表示。
如图4所示，在元件基板10的基材10s上首先形成扫描线3a。扫描线3a例如能够使用含有Al(铝)、Ti(钛)、Cr(铬)、W(钨)、Ta(钽)、Mo(钼)等金属中的至少1种的金属单体、合金、金属硅化物、聚硅化物、氮化物、或者它们层叠而成的物质，并具有遮光性。
例如由氧化硅等构成的第1绝缘膜(基底绝缘膜)11a形成为将扫描线3a覆盖，半导体层30a在第1绝缘膜11a上形成为岛状。半导体层30a例如由多晶硅膜构成，并通过将杂质离子注入而形成具有数据线侧源极漏极区域、接合区域、沟道区域、接合区域、像素电极侧源极漏极区域的LDD(Lightly Doped Drain；轻掺杂漏极)构造。
第2绝缘膜(栅极绝缘膜)11b形成为将半导体层30a覆盖。并且，在隔着第2绝缘膜11b而与沟道区域对置的位置形成有栅极电极30g。
第3绝缘膜11c形成为将栅极电极30g和第2绝缘膜11b覆盖，在与半导体层30a的各端部分别重叠的位置形成有将第2绝缘膜11b、贯通第3绝缘膜11c的2个接触孔CNT1、CNT2。
而且，以将2个接触孔CNT1、CNT2掩埋且将第3绝缘膜11c覆盖的方式利用Al(铝)或者其合金等遮光性的导电材料使导电膜成膜，并将其图案化，由此形成经由接触孔CNT1与数据线侧源极漏极区域连接的源极电极31以及数据线6a。同时，形成经由接触孔CNT2与像素电极侧源极漏极区域连接的漏极电极32(第1中继电极6b)。
接下来，以将数据线6a及第1中继电极6b和第3绝缘膜11c覆盖的方式形成第1层间绝缘膜12。第1层间绝缘膜12例如由硅的氧化物和/或氮化物构成。而且，实施使因将设置有TFT30的区域覆盖而产生的表面的凹凸平坦化的平坦化处理。作为平坦化处理的方法，例如能够举出化学机械研磨处理(Chemical Mechanical Polishing：CMP处理)、旋涂处理等。
在与第1中继电极6b重叠的位置形成有贯通第1层间绝缘膜12的接触孔CNT3。使例如由Al(铝)或者其合金等遮光性的金属构成的导电膜以将该接触孔CNT3覆盖且将第1层间绝缘膜12覆盖的方式成膜，并将其图案化，由此形成布线7a、以及经由接触孔CNT3与第1中继电极6b电连接的第2中继电极7b。
布线7a形成为俯视时与TFT30的半导体层30a和/或数据线6a重叠，且被施加固定电位而作为屏蔽层发挥功能。
第2层间绝缘膜13a形成为将布线7a和第2中继电极7b覆盖。第2层间绝缘膜13a也能够利用例如硅的氧化物和/或氮化物、或者氮氧化物而形成，并被实施了CMP处理等平坦化处理。
在第2层间绝缘膜13a的与第2中继电极7b重叠的位置形成有接触孔CNT4。例如由Al(铝)或者其合金等遮光性的金属构成的导电膜形成为将该接触孔CNT4覆盖且将第2层间绝缘膜13a覆盖，并将其图案化，由此形成第1电容电极16a和第3中继电极16d。
以将第1电容电极16a中的、隔着之后形成的电介质层16b与第2电容电极16c对置的部分的外缘覆盖的方式，将绝缘膜13b形成图案。另外，以将第3中继电极16d中的、除了与接触孔CNT5重叠的部分以外的外缘覆盖的方式，将绝缘膜13b形成图案。
以将绝缘膜13b和第1电容电极16a覆盖的方式将电介质层16b成膜。作为电介质层16b，可以采用氮化硅膜、氧化铪(HfO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化钽(Ta2O5)等的单层膜、或者这些单层膜中的至少2种单层膜层叠而成的多层膜。通过蚀刻等而将俯视时与第3中继电极16d重叠的部分的电介质层16b除去。
例如使TiN(氮化钛)等导电膜形成为将电介质层16b覆盖，并将其图案化，由此形成与第1电容电极16a对置配置、且与第3中继电极16d连接的第2电容电极16c。由电介质层16b、隔着电介质层16b对置配置的第1电容电极16a以及第2电容电极16c构成电容元件16。
接下来，形成将第2电容电极16c和电介质层16b覆盖的第3层间绝缘膜14。第3层间绝缘膜14也由例如硅的氧化物和/或氮化物构成，并对其实施CMP处理等平坦化处理。以使得第2电容电极16c与第3中继电极16d接触的方式形成将第3层间绝缘膜14贯通的接触孔CNT5。
使ITO等透明导电膜(电极膜)以将该接触孔CNT5覆盖、且将第3层间绝缘膜14覆盖的方式成膜。通过使该透明导电膜(电极膜)图案化而形成经由接触孔CNT5与第2电容电极16c以及第3中继电极16d电连接的像素电极15。
第2电容电极16c经由第3中继电极16d、接触孔CNT4、第2中继电极7b、接触孔CNT3、第1中继电极6b与TFT30的漏极电极32电连接，并且经由接触孔CNT5与像素电极15电连接。
第1电容电极16a形成为跨越多个像素P，并作为等效电路(参照图3)中的电容线3b而发挥功能。对第1电容电极16a施加固定电位。由此，能够在第1电容电极16a与第2电容电极16c之间对经由TFT30的漏极电极32而施加给像素电极15的电位进行保持。
这样，在元件基板10的基材10s上形成有多个布线，利用使布线间绝缘的绝缘膜和/或层间绝缘膜的符号来表示布线层。即，将第1绝缘膜11a、第2绝缘膜11b、第3绝缘膜11c统称为布线层11。布线层11的代表性的布线为扫描线3a。布线层的代表性的布线为数据线6a。
将第2层间绝缘膜13a、绝缘膜13b、电介质层16b统称为布线层13，代表性的布线为布线7a。同样，布线层13的代表性的布线为第1电容电极16a(电容线3b)。
取向膜18形成为将像素电极15覆盖，取向膜24形成为将隔着液晶层50而与元件基板10对置配置的对置基板20的对置电极23覆盖。如上所述，取向膜18、24为无机取向膜，由对氧化硅等无机材料从预定方向例如进行倾斜蒸镀而生长为柱状的柱状物18a、24a的集合体构成。
相对于这种取向膜18、24具有负的介电各向异性的液晶分子LC，以相对于取向膜面的法线方向在柱状物18a、24a的倾斜方向上具有3°～5°的预倾角度θp的方式大致垂直取向(VA：Vertical Alignment)。对像素电极15与对置电极23之间施加交流电压(驱动信号、交流信号)而驱动液晶层50，由此液晶分子LC以相对于在像素电极15与对置电极23之间所产生的电场方向倾斜的方式进行动作(振动)。
图5是用于说明对像素电极施加电压的方法的液晶装置的示意俯视图。图6是图5所示的液晶装置的沿着A-A’线的示意剖面图。以下，参照图5及图6说明对液晶装置的像素电极施加电压的方法。
如图5所示，液晶装置100具有：显示区域E，其配置有对显示有贡献的像素P；以及分离部21，其配置为将显示区域E包围。在分离部21的周围，密封件40配置为边框状。多个像素电极15在显示区域E配置为矩阵状。
在液晶装置100的元件基板10上，例如与扫描线驱动电路102(参照图1)电连接的多个扫描线3a形成为沿显示区域E的长边(X方向)延伸。如上所述，沿扫描线3a的延伸方向排列的多个像素电极15(15a、15b、15c)与各扫描线3a电连接。而且，从扫描线驱动电路102向各像素电极15供给交流信号。
在本实施方式中，利用线反相驱动法对各扫描线3a施加交流信号，因此，与点反相驱动法的情况相比，难以产生畴(domain)。另外，能够使用以往利用的施加方法。
例如，多个第1像素电极15a与作为第1布线的第1扫描线3a1电连接。多个第2像素电极15b与作为第2布线的第2扫描线3a2电连接。多个第3像素电极15c与作为第3布线的第3扫描线3a3电连接。
此处，将包围与第1扫描线3a1电连接的多个第1像素电极15a的区域设为第1像素电极区域15a1。另外，将包围与第2扫描线3a2电连接的多个第2像素电极15b的区域设为第2像素电极区域15b2。另外，将包围与第3扫描线3a3电连接的多个第3像素电极15c的区域设为第3像素电极区域15c3。
如图6所示，液晶装置100的元件基板10在基材10s上具有多个布线层。在第3层间绝缘膜14上设置有多个像素电极15。各像素电极15经由设置在下层的层间绝缘膜以及布线层上的中继电极等与扫描线3a电连接。
像素电极15的宽度例如为7.5μm。相邻的像素电极15与像素电极15之间的间隙例如为0.5μm。
当将滞留于显示区域E的离子性杂质60从显示区域E向显示区域E的外侧清扫时，向像素电极15(15a、15b、15c)施加交流信号，以使得在相邻的像素电极15之间产生的电场(电力线)的方向从显示区域E的中央朝向显示区域E的外侧(密封件40侧)的方向移动。
交流信号是以施加给对置电极23的共用电位(LCCOM)为基准电位而向高电位和低电位转变的信号。正极性(+)或者负极性(-)的离子性杂质60，伴随着上述电场方向上的从像素电极15(例如第1像素电极15a)向像素电极15(例如第2像素电极15b)的移动而向显示区域E的外侧被扫在一起。
以下，参照图7～图9对具体的驱动方法进行说明。
<液晶装置的驱动方法>
图7是表示对各扫描线施加的交流信号的种类的示意俯视图。图8是表示各交流信号的时序图。图9是按每1个画面示出施加于显示区域中的像素电极的交流信号的极性的示意俯视图。以下，参照图7～图9对交流信号的施加方法、以及时序图进行说明。
如上所述，将与1个扫描线3a电连接的多个像素电极15的区域设为像素电极区域。将显示区域E的中央的像素电极区域设为第1像素电极区域15a1。在显示区域E中，以中央的第1像素电极区域15a1为中心朝向密封件40的长边方向按照第2像素电极区域15b2、第3像素电极区域15c3的顺序反复进行配置。
例如，朝向显示区域E的中央的第1像素电极区域15a1的一方的方向(例如图7中的下方)，按照第2像素电极区域15b2、第3像素电极区域15c3、接着为第1像素电极区域15a1的顺序进行配置。
朝向中央的第1像素电极区域15a1的另一方的方向(例如图7中的上方)也一样，按照第2像素电极区域15b2、第3像素电极区域15c3、接着为第1像素电极区域15a1的顺序进行配置。
向第1像素电极区域15a1(第1扫描线3a1)施加作为第1信号的交流信号V1。向第2像素电极区域15b2(第2扫描线3a2)施加作为第2信号的交流信号V2。向第3像素电极区域15c3(第3扫描线3a3)施加作为第3信号的交流信号V3。
图8所示的图示出交流信号V1、V2、V3的时序图。向各像素电极区域15a1、15b2、15c3的像素电极15a、15b、15c施加5V的矩形波交流信号。频率例如为10mHz～50mHz。在50mHz的情况下，交流信号的1个周期的时间为20秒。
作为上述频率的前提条件，首先，在室温下，在与像素电极15对置的位置配置有对置电极23。向像素电极15之间施加5V的交流信号(5V～-5V)。例如，如上所述，像素电极15的宽度在俯视时为7.5μm。像素电极15之间的间隙例如为0.5μm。单元间隙(cell gap)例如为2.5μm。
此外，虽然频率优选为10mHz～50mHz，但若过低则形成为与向像素电极15与对置电极23之间施加直流相同的状态，有可能发生液晶的分解、灼伤、斑痕等显示不良。
另外，若频率高出上述范围，则离子性杂质60无法追随电场的滚动(scroll)(移动速度)，从而有可能无法将离子性杂质60清扫。
对于第2像素电极区域15b2的像素电极15b，施加相对于对第1像素电极区域15a1施加的交流信号V1而相位延迟120°的交流信号V2。对于第3像素电极区域15c3的像素电极15c，施加相对于对第2像素电极区域15b2施加的交流信号V2而相位延迟120°的交流信号V3。
即，以使得相位从处于显示区域E的中央的第1像素电极区域15a1朝向显示区域E的外侧(密封件40的长边侧)各延迟120°的方式施加交流信号V1、V2、V3。
另外，对于比第3像素电极区域15c3靠外侧的第1像素电极区域15a1，再次施加交流信号V1。同样，对于第2像素电极区域15b2施加交流信号V2。即，针对扫描线的每3行反复施加同样的交流信号。
具体而言，如图9(a)所示，以如下方式施加交流信号V1、V2、V3：使中央的第1像素电极区域15a1的像素电极15a的电位为正极性(+)，使相邻的第2像素电极区域15b2的像素电极15b的电位为负极性(-)，使其相邻的第3像素电极区域15c3的像素电极15c的电位为负极性(-)，然后，以同样方式重复，使第1像素电极区域15a1的像素电极15a的电位为正极性(+)，使第2像素电极区域15b2的像素电极15b的电位为负极性(-)，并且使第3像素电极区域15c3的像素电极15c的电位为负极性(-)。
如上所述，若施加5V的交流信号，则正极性(+)的电位例如为5V。负极性(-)的电位例如为-5V。
此外，图8所示的矩形波的交流信号V1、V2、V3是基准电位为0V、向高电位(5V)和低电位(-5V)转变的交流信号，但基准电位、高电位、低电位的设定并不限定于此。
另外，所施加的交流信号V1、V2、V3的电压的时间平均值与基准电位差大致为0V。具体而言，优选为100mV以下。在100mV以上的情况下，有可能产生灼伤。在100mV以下则难以产生灼伤。
离子性杂质60中有可能存在具有正极性(+)的杂质、以及具有负极性(-)的杂质。因此，通过对第1像素电极区域15a1的像素电极15a施加交流信号V1、对第2像素电极区域15b2的像素电极15b施加交流信号V2、对第3像素电极区域15c3的像素电极15c施加交流信号V3，能够使正极性及负极性的离子性杂质60从显示区域E的中央向显示区域E的外侧按顺序移动。
具体而言，如图8所示，由于向正极性(+)的电位吸引负的离子性杂质60，因此能够将滞留于显示区域E的负的离子性杂质60朝向显示区域E的外侧清扫。同样，由于向负极性(-)的电位吸引正的离子性杂质60，因此能够将滞留于显示区域E的正的离子性杂质60朝向显示区域E的外侧清扫。
这样，由于以使得第2扫描线3a2的相位相对于第1扫描线3a1延迟、且使得第3扫描线3a3的相位相对于第2扫描线3a2延迟的方式施加交流信号V1、V2、V3，因此在各像素电极15之间所产生的电场的分布从第1扫描线3a1朝向第3扫描线3a3的方向移动。由此，能够将液晶层50中所含有的离子性杂质60从第1扫描线3a1向第3扫描线3a3的方向扫在一起。
另外，如图9(a)～(c)所示，具有互不相同的相位的信号的数量为3个。对相位进行控制的交流信号使6个序列((V1，V2，V3)：t1(+，-，-)、t2(+，+，-)、t3(-，+，-)、t4(-，+，+)、t5(-，-，+)、t6(+，-，+))反复出现。由此，正极性(+)及负极性(-)分别逐渐向显示区域E的外侧位移(shift)。此外，在显示区域E的最外周的2条扫描线3a处成为无限循环，从而对离子性杂质60进行捕捉。
另外，例如，与在5V中通过改变振幅而产生电位差的方法相比，在本实施方式中通过改变相位而产生电位差，因此，能够增大电场强度，从而能够更有效地将离子性杂质60清扫。
<电子设备的构成>
接下来，参照图10对作为本实施方式的电子设备的投射式显示装置进行说明。图10是表示具备上述液晶装置的投射式显示装置的构成的概要图。
如图10所示，本实施方式的投射式显示装置1000具备：偏振照明装置1100，其沿着系统光轴L配置；作为光分离元件的2个分色镜1104、1105；3个反射镜1106、1107、1108；5个中继透镜1201、1202、1203、1204、1205；3个作为光调制单元的透过式的液晶光阀1210、1220、1230；作为光合成元件的十字分色棱镜1206；以及投射透镜1207。
偏振照明装置1100大致构成为包括超高压水银灯、卤素灯等由白色光源构成的作为光源的灯单元1101、积分透镜1102以及偏振转换元件1103。
分色镜110使从偏振照明装置1100射出的偏振光束中的红色光(R)发生反射，并使绿色光(G)和蓝色光(B)透过。另一个分色镜1105使从分色镜1104透过的绿色光(G)发生反射，并使蓝色光(B)透过。
在分色镜1104反射后的红色光(R)在反射镜1106反射之后经由中继透镜1205而入射至液晶光阀1210。在分色镜1105反射后的绿色光(G)经由中继透镜1204而入射至液晶光阀1220。从分色镜1105透过的蓝色光(B)经由包括3个中继透镜1201、1202、1203以及2个反射镜1107、1108的导光系统而入射至液晶光阀1230。
液晶光阀1210、1220、1230相对于十字分色棱镜1206的每种色光的入射面分别对置配置。基于影像信息(影像信号)而对入射至液晶光阀1210、1220、1230的色光进行调制，使其朝向十字分色棱镜1206射出。
该棱镜粘贴有4个直角棱镜，在其内表面，对红色光进行反射的电介质多层膜与对蓝色光进行反射的电介质多层膜形成为十字状。利用这些电介质多层膜对3种色光进行合成，而合成显示彩色图像的光。利用投射光学系统即投射透镜1207将合成后的光投射至屏幕1300上，并对图像进行放大显示。
液晶光阀1210应用了上述液晶装置100。液晶装置100，在色光的入射侧和射出侧配置于正交尼科尔棱镜的一对偏振元件之间隔开间隙而配置。其它液晶光阀1220、1230也一样。
根据这种投射式显示装置1000，由于使用液晶光阀1210、1220、1230，因此能够获得较高的电可靠性。
此外，作为供液晶装置100搭载的电子设备，除了投射式显示装置1000以外，还能够用于EVF(Electrical View Finder；电子观景窗)、便携式迷你投影机、平视显示器、智能电话、手机、便携式计算机、数码照相机、数码摄像机、显示器、车载设备、音频设备、曝光装置、照明设备等各种电子设备。
如以上详述，根据第1实施方式的液晶装置100的驱动方法、液晶装置100以及电子设备，能够获得以下所示的效果。
(1)根据第1实施方式的液晶装置100的驱动方法以及液晶装置100，对第1扫描线3a1施加交流信号V1，对第2扫描线3a2施加相位比交流信号V1的相位延迟的交流信号V2，对第3扫描线3a3施加相位比交流信号V2的相位延迟的交流信号V3，因此，在第1像素电极15a与第2像素电极15b之间、第2像素电极15b与第3像素电极15c之间所产生的电场的分布从第1扫描线3a1朝向第3扫描线3a3的方向移动。由此，能够将液晶层50中含有的离子性杂质60从第1扫描线3a1向第3扫描线3a3的方向扫在一起。另外，由于相对于基准电位而向高电位和低电位转变，因此，在对像素电极15施加有(+)的电位的情况下，对(-)的离子性杂质60进行吸引，在对像素电极15施加有(-)的电位的情况下，对(+)的离子性杂质60进行吸引。通过施加这种信号而使得电场从第1扫描线3a1朝向第3扫描线3a3的方向移动，因此，无论是(+)、(-)中的哪一种离子性杂质60都能够将其扫在一起。
(2)根据第1实施方式的液晶装置100的驱动方法以及液晶装置100，对各扫描线3a施加10mHz～50mHz的交流信号，因此，能够追随离子性杂质60的移动，能够高效地将离子性杂质60从显示区域E的中央向显示区域E的外周方向清扫。
(3)根据第1实施方式的液晶装置100的驱动方法以及液晶装置100，以处于显示区域E的中央的第1扫描线3a1为边界朝向显示区域E的外侧配置第2扫描线3a2、第3扫描线3a3，并从第1扫描线3a1朝向第3扫描线3a3的方向将离子性杂质60清扫，换言之，以沿着显示区域E的短边的方式将离子性杂质60清扫，因此，与沿着长边的方式进行清扫的方法相比，能够迅速地进行清扫。
(4)根据第1实施方式的液晶装置100的驱动方法以及液晶装置100，在元件基板10以及对置基板20设置有由无机材料构成的取向膜18、24，取向膜18、24容易吸收离子性杂质60，因此容易产生显示不均匀、灼伤等显示不良。然而，由于对各扫描线3a施加相位各不相同的交流信号而将离子性杂质60清扫，因此能够抑制显示不良的产生。
(5)根据第1实施方式的电子设备，由于具备上述液晶装置100，因此能够提供显示品质的降低得到抑制的电子设备。
(第2实施方式)
<液晶装置的构成以及液晶装置的驱动方法>
图11是表示第2实施方式的液晶装置的构造的示意剖面图。图12是表示离子性杂质的移动度μ与温度的关系的曲线图。以下，参照图11及图12对液晶装置的构成、以及离子性杂质的移动度μ与温度的关系进行说明。
第2实施方式的液晶装置200与上述的第1实施方式的液晶装置100相比，不同的部分在于具备用于对液晶面板110的温度进行测定的温度传感器71，其余部分大致相同。因此，在第2实施方式中，对与第1实施方式不同的部分进行详细说明，对于其它重复的部分则适当地省略说明。
如图11所示，第2实施方式的液晶装置200具备：温度传感器71，其用于对液晶面板110的温度进行测定；CPU，其将利用温度传感器71而获得的信息换算为液晶面板110的温度；运算电路，其根据温度而对最佳的频率进行运算；以及驱动部，其基于运算电路的信息而对液晶面板110进行驱动。
温度传感器71安装为与液晶面板110的表面(特别是与液晶层50的温度接近的部分)接触。作为温度传感器71，例如采用热电偶。
图12所示的曲线图中，横轴为离子性杂质60的温度，温度随着趋向右侧而升高。纵轴为离子性杂质60的移动度，由logμ的值来表示。
离子性杂质60的移动度μ(移动速度v)取决于温度。因而，能够获得如下效果：若液晶装置200实际被驱动时的温度高于常温，即使设定较大的频率(10mHz～50mHz)，也能够将离子性杂质60扫在一起。
通过下式能够求出logμ。其中，T为温度℃。
logμ＝0.0282T–10.357
温度为室温(例如25℃)时的离子性杂质60的移动度μ的值以logμ的值表示约为-9.6。与此相对，温度为60℃时的离子性杂质60的移动度μ的值以logμ的值表示为-8.7。即，相对于25℃，60℃的离子性杂质60的移动度μ约成为10倍。着眼于60℃的温度，是考虑到使用液晶装置200作为投射式显示装置1000的光阀时的温度。
如上所述，若投射式显示装置1000的温度升高，则离子性杂质60的移动度也升高。具体而言，对于室温下施加了50mHz的交流信号的杂质，例如即使施加500mHz的交流信号也能够将其清扫。
这样，例如，若离子性杂质60的温度因投射式显示装置1000的投射光而升高，则离子性杂质60的移动度μ增大，因此优选提高施加于像素电极15的交流信号V1、V2、V3的频率。由此，能够更有效地将离子性杂质60扫在一起。另外，能够降低灼伤的风险。
如以上详述，根据第2实施方式的液晶装置200的驱动方法以及液晶装置200，在上述(1)～(4)的效果之外，能够获得以下所示的效果。
(6)根据第2实施方式的液晶装置200的驱动方法以及液晶装置200，由于与液晶面板110的温度对应地改变交流信号V1、交流信号V2、交流信号V3的频率，因此，即使移动度根据离子性杂质60的温度而改变，也能够使电场的分布追随离子性杂质60的移动。在温度高的情况下，能够迅速地进行清扫。另外，能够降低灼伤的风险。
(第3实施方式)
<液晶装置的构成以及液晶装置的驱动方法>
图13是用于说明对第3实施方式的液晶装置的像素电极施加电压的方法的示意俯视图。以下，主要参照图13对液晶装置的构成以及液晶装置的驱动方法进行说明。
第3实施方式的液晶装置400与上述第1实施方式的液晶装置100相比，驱动方法的一部分不同，其余部分大致相同。因此，在第3实施方式中，对与第1实施方式不同的部分进行详细说明，对于其余重复的部分则适当地省略说明。
如图3所示的等效电路图那样，第3实施方式的液晶装置400具有：至少在显示区域E相互绝缘、且正交的多个扫描线3a及多个数据线6a；以及沿数据线6a平行地配置的电容线3b。
扫描线3a与TFT30的栅极电连接，数据线6a与TFT30的数据线侧源极漏极区域(一方的源极漏极区域)电连接。像素电极15与TFT30的像素电极侧源极漏极区域(另一方的源极漏极区域)电连接。
接下来，对第3实施方式的液晶装置400的驱动方法进行说明。将经由TFT30而与第1扫描线3a1电连接的多个像素电极15a的区域称为第1像素电极区域15a1。将经由TFT30而与第2扫描线3a2电连接的多个像素电极15b的区域称为第2像素电极区域15b2。将经由TFT30而与第3扫描线3a3电连接的多个像素电极15c的区域称为第3像素电极区域15c3。
在显示区域E，以中央的第1像素电极区域15a1为中心并朝向密封件40的长边方向按照第2像素电极区域15b2、第3像素电极区域15c3的顺序反复进行排列。
首先，从扫描线驱动电路102对第1扫描线3a1供给扫描信号(第1信号)而在一定期间使TFT30成为导通状态。而且，从数据线驱动电路101对所有数据线6a同时供给数据信号，对多个第1像素电极15a同时进行写入。接下来，使向第1扫描线3a1的扫描信号的供给停止而将第1扫描线3a1关闭。
接下来，从扫描线驱动电路102对第2扫描线3a2供给相位相对于第1信号延迟预定的量的第2信号(扫描信号)，从而在一定期间使TFT30成为导通状态。而且，从数据线驱动电路101对所有数据线6a同时供给数据信号，对多个第2像素电极15b同时进行写入。
接下来，从扫描线驱动电路102对第3扫描线3a3供给相位相对于第2信号延迟预定的量的第3信号(扫描信号)，从而在一定期间使TFT30成为导通状态。而且，从数据线驱动电路101对所有数据线6a同时供给数据信号，对多个第3像素电极15c同时进行写入。
第1信号、第2信号、第3信号例如为图8所示的交流信号V1、V2、V3。此外，频率也同样为10mHz～50mHz。
这样，由于以使得第2扫描线3a2的相位相对于第1扫描线3a1延迟、且使得第3扫描线3a3的相位相对于第2扫描线3a2延迟的方式施加交流信号V1、V2、V3，因此，在各像素电极15之间所产生的电场的分布从第1扫描线3a1朝向第3扫描线3a3的方向移动。由此，能够将液晶层50中所含有的离子性杂质60从第1扫描线3a1向第3扫描线3a3的方向扫在一起。
如以上详述，根据第3实施方式的液晶装置400的驱动方法以及液晶装置400，能够获得以下所示的效果。
(7)根据第3实施方式的液晶装置400的驱动方法以及液晶装置400，由于以使得第2扫描线3a2的相位相对于第1扫描线3a1延迟、且使得第3扫描线3a3的相位相对于第2扫描线3a2延迟的方式施加交流信号V1、V2、V3，因此，在各像素电极15之间所产生的电场的分布从第1扫描线3a1朝向第3扫描线3a3的方向移动。由此，能够将液晶层50中所含有的离子性杂质60从第1扫描线3a1向第3扫描线3a3的方向扫在一起。换言之，由于同时选择特定的扫描线3a，并按照第1像素电极区域15a1、第2像素电极区域15b2、第3像素电极区域15c3的顺序同时进行写入，因此，能够将液晶层50中所含有的离子性杂质60向显示区域E的外侧扫在一起。此外，在通常的液晶装置400的电路构成中，能够通过使驱动方法不同而将离子性杂质60扫在一起。
(第4实施方式)
<液晶装置的构成以及液晶装置的驱动方法>
图14是表示第4实施方式的液晶装置的电结构的等效电路图。图15是用于说明对第4实施方式的液晶装置施加电压的方法的示意俯视图。以下，参照图14及图15对液晶装置的构成以及电压的施加方法进行说明。
第4实施方式的液晶装置500与上述第3实施方式的液晶装置400相比，不同的部分在于，不使用数据线驱动电路101以及扫描线驱动电路102，按照第1像素电极15a、第2像素电极15b、第3像素电极15c的顺序施加电压而将离子性杂质60向外侧扫在一起，其余部分大致相同。因此，在第4实施方式中，对与第3实施方式不同的部分进行详细说明，对于其余重复的部分则适当地省略说明。
如图14所示的等效电路图那样，液晶装置500具有：至少在显示区域E相互绝缘、且正交的多个扫描线3a及多个数据线6a；以及沿数据线6a平行地配置的电容线3b。
并且，第4实施方式的液晶装置500具有：至少在显示区域E相互绝缘且正交的多个选择布线80及多个写入布线81、82、83；以及TFT33。
选择布线80与作为开关元件之一的晶体管(TFT33)的栅极电连接。选择布线80与选择端子90电连接。通过对选择端子90施加电压，能够选择与多个选择布线80连接的所有TFT33(33a、33b、33c)。
第1写入布线81与TFT33a的数据线侧源极漏极区域(一方的源极漏极区域)电连接。第1像素电极15a与TFT33的像素电极侧源极漏极区域(另一方的源极漏极区域)电连接。此外，第1写入布线81与第1写入端子91电连接。
另外，第2写入布线82与TFT33b的数据线侧源极漏极区域(一方的源极漏极区域)电连接。第2像素电极15b与TFT33的像素电极侧源极漏极区域(另一方的源极漏极区域)电连接。此外，第2写入布线82与第2写入端子92电连接。
另外，第3写入布线83与TFT33c的数据线侧源极漏极区域(一方的源极漏极区域)电连接。第3像素电极15c与TFT33的像素电极侧源极漏极区域(另一方的源极漏极区域)电连接。此外，第3写入布线83与第3写入端子93电连接。
接下来，参照图15对第4实施方式的液晶装置500的驱动方法进行说明。将经由TFT33a与第1写入布线81电连接的多个第1像素电极15a的区域称为第1像素电极区域15a1。将经由TFT33b与第2写入布线82电连接的多个第2像素电极15b的区域称为第2像素电极区域15b2。将经由TFT33c与第3写入布线83电连接的多个第3像素电极15c的区域称为第3像素电极区域15c3。
与第3实施方式相同，在显示区域E以中央的第1像素电极区域15a1为中心并朝向密封件40的长边方向按照第2像素电极区域15b2、第3像素电极区域15c3的顺序进行重复排列。
首先，从选择端子90向所有选择布线80供给信号而使所有TFT33成为导通状态。而且，从第1写入端子91向第1写入布线81供给第1信号，对多个第1像素电极15a同时进行写入。
接下来，从第2写入端子92向第2写入布线82供给相位相对于第1信号延迟预定的量的第2信号，向多个第2像素电极15b同时进行写入。
接下来，从第3写入端子93向第3写入布线83供给相位相对于第2信号延迟预定的量的第3信号，向多个第3像素电极15c同时进行写入。
第1信号、第2信号、第3信号例如为图8所示的交流信号V1、V2、V3。此外，频率也同样为10mHz～50mHz。
这样，以使得第2写入布线82的相位相对于第1写入布线81延迟、且使得第3写入布线83的相位相对于第2写入布线82延迟的方式施加交流信号V1、V2、V3，因此，使得在各像素电极15之间所产生的电场的分布从第1像素电极区域15a1朝向第3像素电极区域15c3的方向移动。由此，能够将液晶层50中所含有的离子性杂质60从第1像素电极区域15a1向第3像素电极区域15c3的方向扫在一起。
另外，由于设置有用于将离子性杂质60扫在一起的专用的布线(80、81、82、83)，因此，在上述投射式显示装置1000切断电源的几分钟的期间、以及启动的几分钟的期间时，能够不使用外部电源地进行驱动。具体而言，例如能够利用位于投射式显示装置1000中的电池进行驱动。另外，由于能够利用电池进行驱动，因此能够不将AC电源连接地在长时间内进行该驱动。另外，能够不进行扫描动作地将各信号写入。
如以上详述，根据第4实施方式的液晶装置500的驱动方法以及液晶装置500，能够获得以下所示的效果。
(8)根据第4实施方式的液晶装置500的驱动方法以及液晶装置500，以使得第2写入布线82的相位相对于第1写入布线81延迟、且使得第3写入布线83的相位相对于第2写入布线82延迟的方式施加交流信号V1、V2、V3，因此，在各像素电极15之间所产生的电场的分布从第1像素电极区域15a1朝向第3像素电极区域15c3的方向移动。由此，能够将液晶层50中所含有的离子性杂质60从第1像素电极区域15a1向第3像素电极区域15c3的方向扫在一起。此外，由于设置有用于将离子性杂质60扫在一起的专用的布线(80、81、82、83)，因此，在上述投射式显示装置1000的切断电源的几分钟的期间、或者启动的几分钟的期间时，能够不使用外部电源地进行驱动。具体而言，例如能够利用位于投射式显示装置1000中的电池进行驱动。另外，由于能够利用电池进行驱动，因此能够不将AC电源连接地在长时间内进行该驱动。另外，能够不进行扫描动作地将各信号写入。
此外，本发明的方式并不局限于上述实施方式，在不违背根据权利要求书以及整个说明书而能够理解的发明的主旨或者思想的范围内能够适当地进行变更，变更后的方式也包含于本发明的方式的技术范围内。另外，还能够以如下方式进行实施。
(变形例1)
如上所述，交流信号V1、V2、V3的信号波形并不限定于矩形波，例如可以是图16所示那样的信号波形。图16为正弦波的情况。
如图16所示，交流信号V1、V2、V3为正弦波的情况也一样，交流信号V2的相位相对于交流信号V1延迟120°。另外，交流信号V3的相位相对于交流信号V2延迟120°。另外，并不限定于矩形波、正弦波，也可以是三角波。
此外，与生成正弦波之类的模拟信号的模拟电路相比，能够使生成矩形波(以及三角波)的数字电路的电路构成简化。即，关于生成波形的难易度，与正弦波相比，更容易生成矩形波。作为容易生成信号波形的顺序，例如为矩形波、三角波、正弦波的顺序。除去产生信号的难易度的因素，正弦波为最佳的信号波形。
(变形例2)
如上所述，在利用像素电极15将离子性杂质60向显示区域E的外侧清扫之外，如图17所示，可以在显示区域E的周围设置周边电极130而进行清扫。图17是表示变形例2的液晶装置300的构成的示意俯视图。图18是图17所示的变形例2的液晶装置300的沿着B-B’线的示意剖面图。
图17所示的液晶装置300例如设置有：实际显示区域E1，其对显示有贡献；虚拟像素区域E2，其配置为将实际显示区域E1包围；以及边框状的密封件40，其将虚拟像素区域E2包围。另外，在密封件40与虚拟像素区域E2之间设置有分离区域E3。
在俯视时与第3层间绝缘膜14上的分离区域E3重叠的区域，设置有用于将离子性杂质60向分离区域E3清扫的周边电极130。周边电极130具有第1电极131、第2电极132以及第3电极133，分别在俯视时呈四边形的框状。
针对第1电极131、第2电极132、第3电极133，以使得在相邻的电极间所产生的电场(电力线)的方向从接近显示区域E的第1电极131向第3电极133的方向移动的方式施加交流信号。
在本变形例的对置基板20中，对置电极23例如设置为在俯视时与实际显示区域E1及虚拟像素区域E2重叠，并未设置为在俯视时与分离区域E3重叠。具体而言，在隔着液晶层50与第1电极131、第2电极132、第3电极133分别对置的部分并未设置对置电极23。
因此，在第1电极131、第2电极132、第3电极133的各个与对置电极23之间难以产生电场。即，不会因在第1电极131、第2电极132、第3电极133的各个与对置电极23之间所产生的电场而妨碍离子性杂质60的移动，从而高效地将离子性杂质60向分离区域E3扫在一起。
另外，如图18所示，可以利用虚拟像素区域E2的虚拟像素电极121、122将离子性杂质60清扫。
具体而言，可以利用包括第1实施方式那样的显示区域E的像素电极15、以及本变形例的虚拟像素区域E2的虚拟像素电极121、122在内的像素电极而将离子性杂质60清扫。
在虚拟像素区域E2设置有构成与实际显示区域E1的像素电极15的构成相同的虚拟像素电极121、122。能够通过利用虚拟像素电极121、122而将离子性杂质60清扫(交接)至比实际显示区域E1的外周更远离的区域(例如，直至周边电极130)。由此，例如在将投射式显示装置1000的电源切断的期间，能够抑制离子性杂质60扩散而返回至实际显示区域E1。其结果，能够抑制对显示特性造成影响。
此外，可以设置为进一步增多虚拟像素电极121、122以将离子性杂质60清扫至更远的位置。另外，周边电极130并不限定于第1电极131～第3电极133这3个，可以根据区域的广阔程度而增加个数。
另外，虽然清扫效率略微降低，但可以形成为遍及对置基板20的整体地设置对置电极23。据此，由于未对对置电极23进行图案化，因此能够抑制工序数增加。
(变形例3)
如上所述，可以取代利用扫描线3a对各像素电极15施加交流信号的方式而利用数据线6a对各像素电极15施加交流信号。另外，并不限定于线反相驱动法，也可以使用点反相驱动法。
(变形例4)
如上述的第4实施方式那样，并不限定于以沿X方向延伸的方式配置各写入布线81、82、83，可以以沿Y方向延伸的方式配置各写入布线81、82、83。另外，并不限定于以沿Y方向延伸的方式配置选择布线80，也可以配置为沿X方向延伸。另外，可以根据液晶装置的显示区域E的纵横的长度而进行配置。
(变形例5)
如上所述，作为电光装置，并不限定于应用于液晶装置100，例如可以应用于有机EL装置、等离子体显示器、电子纸(EPD)等。例如，若在液晶装置的情况下，则电光材料为液晶。若在电子纸的情况下，则电光材料为电泳材料。
附图标记的说明
3a…扫描线；3a1…作为第1布线的第1扫描线；3a2…作为第2布线的第2扫描线；3a3…作为第3布线的第3扫描线；3b…电容线；CNT1～CNT5…接触孔；6a…数据线(第4布线、第5布线)；6b…第1中继电极；7a…布线；7b…第2中继电极；10…作为第1基板的元件基板；10s…基材；11a…第1绝缘膜；11b…第2绝缘膜；11c…第3绝缘膜；12…布线层；13a…第2层间绝缘膜；13b…绝缘膜；14…第3层间绝缘膜；15…像素电极；15a…第1像素电极；15b…第2像素电极；15c…第3像素电极；16…电容元件；16a…第1电容电极；16b…电介质层；16c…第2电容电极；16d…第3中继电极；18、24…取向膜；18a…柱状物；20…作为第2基板的对置基板；20s…基材；21…分离部；22…绝缘层；23…对置电极；30…TFT；30a…半导体层；30g…栅极电极；31…源极电极；32…漏极电极；33、33a、33b、33c…TFT；40…密封件；50…作为电光层的液晶层；60…离子性杂质；71…温度传感器；80…选择布线；81…第1写入布线；82…第2写入布线；83…第3写入布线；90…选择端子；91…第1写入端子；92…第2写入端子；93…第3写入端子；100、200、300、400、500…液晶装置；101…数据线驱动电路；102…扫描线驱动电路；103…检查电路；104…外部连接端子；105…布线；106…上下导通部；110…液晶面板；121、122…虚拟像素电极；130…周边电极；131…第1电极；132…第2电极；133…第3电极；1000…投射式显示装置；1100…偏振照明装置；1101…灯单元；1102…积分透镜；1103…偏振转换元件；1104、1105…分色镜；1106、1107、1108…反射镜；1201、1202、1203、1204、1205…中继透镜；1206…十字分色棱镜；1207…投射透镜；1210、1220、1230…液晶光阀；1300…屏幕

Claims (45)

1.一种电光装置的驱动方法，其特征在于，
所述电光装置具备：
第1基板；
第2基板，其与所述第1基板对置配置；以及
电光层，其配置在所述第1基板与所述第2基板之间，
在所述电光装置的驱动方法中，
向第1像素电极施加第1信号，所述第1像素电极与第1布线相对应地设置，
向第2像素电极施加第2信号，所述第2像素电极与配置为与所述第1布线相邻的第2布线相对应地设置，
向第3像素电极施加第3信号，所述第3像素电极与隔着所述第2布线相对于所述第1布线对置配置的第3布线相对应地设置，
所述第2信号的相位相对于所述第1信号的相位延迟预定的量，
所述第3信号的相位相对于所述第2信号的相位延迟所述预定的量。
2.根据权利要求1所述的电光装置的驱动方法，其特征在于，
所述第1信号的频率为10mHz～50mHz。
3.根据权利要求1所述的电光装置的驱动方法，其特征在于，
所述第1信号的电压的时间平均值与基准电位之差为100mV以下。
4.根据权利要求1所述的电光装置的驱动方法，其特征在于，
根据所述电光层的温度改变所述第1信号的频率。
5.根据权利要求1所述的电光装置的驱动方法，其特征在于，
所述第1布线和所述第2布线为扫描线。
6.根据权利要求5所述的电光装置的驱动方法，其特征在于，
所述扫描线沿着有效像素区域的长边配置，
从所述有效像素区域的中央朝向外侧，按照所述第1布线、所述第2布线的顺序进行配置。
7.根据权利要求1所述的电光装置的驱动方法，其特征在于，
所述第1信号的波形为矩形波、正弦波、三角波中的任一种。
8.一种电光装置的驱动方法，其特征在于，
所述电光装置具备：
第1基板；
第2基板，其与所述第1基板对置配置；以及
电光层，其配置在所述第1基板与所述第2基板之间，
在所述电光装置的驱动方法中，
向第1像素电极施加第1信号，所述第1像素电极与第1布线相对应地设置，
向第2像素电极施加第2信号，所述第2像素电极与配置为与所述第1布线相邻的第2布线相对应地设置，
所述第2信号的相位相对于所述第1信号的相位延迟预定的量，
所述第1信号的频率为10mHz～50mHz。
9.根据权利要求8所述的电光装置的驱动方法，其特征在于，
所述第1信号的电压的时间平均值与基准电位之差为100mV以下。
10.根据权利要求8所述的电光装置的驱动方法，其特征在于，
根据所述电光层的温度改变所述第1信号的频率。
11.根据权利要求8所述的电光装置的驱动方法，其特征在于，
所述第1布线和所述第2布线为扫描线。
12.根据权利要求11所述的电光装置的驱动方法，其特征在于，
所述扫描线沿着有效像素区域的长边配置，
从所述有效像素区域的中央朝向外侧，按照所述第1布线、所述第2布线的顺序进行配置。
13.根据权利要求8所述的电光装置的驱动方法，其特征在于，
所述第1信号的波形为矩形波、正弦波、三角波中的任一种。
14.一种电光装置的驱动方法，其特征在于，
所述电光装置具备：
第1基板；
第2基板，其与所述第1基板对置配置；以及
电光层，其配置在所述第1基板与所述第2基板之间，
在所述电光装置的驱动方法中，
向第1像素电极施加第1信号，所述第1像素电极与第1布线相对应地设置，
向第2像素电极施加第2信号，所述第2像素电极与配置为与所述第1布线相邻的第2布线相对应地设置，
所述第2信号的相位相对于所述第1信号的相位延迟预定的量，
所述第1信号的电压的时间平均值与基准电位之差为100mV以下。
15.根据权利要求14所述的电光装置的驱动方法，其特征在于，
根据所述电光层的温度改变所述第1信号的频率。
16.根据权利要求14所述的电光装置的驱动方法，其特征在于，
所述第1布线和所述第2布线为扫描线。
17.根据权利要求16所述的电光装置的驱动方法，其特征在于，
所述扫描线沿着有效像素区域的长边配置，
从所述有效像素区域的中央朝向外侧，按照所述第1布线、所述第2布线的顺序进行配置。
18.根据权利要求14所述的电光装置的驱动方法，其特征在于，
所述第1信号的波形为矩形波、正弦波、三角波中的任一种。
19.一种电光装置的驱动方法，其特征在于，
所述电光装置具备：
第1基板；
第2基板，其与所述第1基板对置配置；以及
电光层，其配置在所述第1基板与所述第2基板之间，
在所述电光装置的驱动方法中，
向第1像素电极施加第1信号，所述第1像素电极与第1布线相对应地设置，
向第2像素电极施加第2信号，所述第2像素电极与配置为与所述第1布线相邻的第2布线相对应地设置，
所述第2信号的相位相对于所述第1信号的相位延迟预定的量，
根据所述电光层的温度改变所述第1信号的频率。
20.根据权利要求19所述的电光装置的驱动方法，其特征在于，
所述第1布线和所述第2布线为扫描线。
21.根据权利要求20所述的电光装置的驱动方法，其特征在于，
所述扫描线沿着有效像素区域的长边配置，
从所述有效像素区域的中央朝向外侧，按照所述第1布线、所述第2布线的顺序进行配置。
22.根据权利要求19所述的电光装置的驱动方法，其特征在于，
所述第1信号的波形为矩形波、正弦波、三角波中的任一种。
23.一种电光装置的驱动方法，其特征在于，
所述电光装置具备：
第1基板；
第2基板，其与所述第1基板对置配置；以及
电光层，其配置在所述第1基板与所述第2基板之间，
在所述电光装置的驱动方法中，
向第1像素电极施加第1信号，所述第1像素电极与第1布线相对应地设置，
向第2像素电极施加第2信号，所述第2像素电极与配置为与所述第1布线相邻的第2布线相对应地设置，
所述第2信号的相位相对于所述第1信号的相位延迟预定的量，
所述第1布线和所述第2布线为扫描线。
24.根据权利要求23所述的电光装置的驱动方法，其特征在于，
所述扫描线沿着有效像素区域的长边配置，
从所述有效像素区域的中央朝向外侧，按照所述第1布线、所述第2布线的顺序进行配置。
25.根据权利要求23所述的电光装置的驱动方法，其特征在于，
所述第1信号的波形为矩形波、正弦波、三角波中的任一种。
26.一种电光装置的驱动方法，其特征在于，
所述电光装置具备：
第1基板；
第2基板，其与所述第1基板对置配置；以及
电光层，其配置在所述第1基板与所述第2基板之间，
在所述电光装置的驱动方法中，
向第1像素电极施加第1信号，所述第1像素电极与第1布线相对应地设置，
向第2像素电极施加第2信号，所述第2像素电极与配置为与所述第1布线相邻的第2布线相对应地设置，
所述第2信号的相位相对于所述第1信号的相位延迟预定的量，
所述第1信号的波形为矩形波、正弦波、三角波中的任一种。
27.根据权利要求26所述的电光装置的驱动方法，其特征在于，
所述第1布线和所述第2布线为扫描线，
所述扫描线沿着有效像素区域的长边配置，
从所述有效像素区域的中央朝向外侧，按照所述第1布线、所述第2布线的顺序进行配置。
28.一种电光装置的驱动方法，其特征在于，
所述电光装置具备：
第1基板；
第2基板，其与所述第1基板对置配置；
电光层，其配置在所述第1基板与所述第2基板之间；
第1布线，其配置为将所述第1基板覆盖；
第2布线，其配置为与所述第1布线相邻；
第3布线，其隔着所述第2布线与所述第1布线对置配置；
第1像素电极，其经由第1开关元件与所述第1布线电连接；
第2像素电极，其经由第2开关元件与所述第2布线电连接；
第3像素电极，其经由第3开关元件与所述第3布线电连接；以及
选择布线，其与所述第1开关元件及所述第2开关元件电连接，
在所述电光装置的驱动方法中，
当向所述选择布线施加电压而选择了所述第1开关元件和所述第2开关元件时，所述第1像素电极被施加第1信号，并且所述第2像素电极被施加相位与所述第1信号不同的第2信号，
当向所述选择布线施加电压而选择了所述第1开关元件、所述第2开关元件以及所述第3开关元件时，所述第3像素电极被施加相位与所述第1信号及所述第2信号不同的第3信号。
29.一种电光装置，其特征在于，
具备：
第1基板；
第2基板，其与所述第1基板对置配置；以及
电光层，其配置在所述第1基板与所述第2基板之间，
还具备：
第1像素电极，其配置为将所述第1基板覆盖；
第1布线，其与被施加第1信号的所述第1像素电极相对应地设置；
第2像素电极；
第2布线，其配置为与所述第1布线相邻，并且与被施加第2信号的所述第2像素电极相对应地设置；
第3像素电极；以及
第3布线，其隔着所述第2布线与所述第1布线对置配置，并且与被施加第3信号的所述第3像素电极相对应地设置，
所述第2信号的相位相对于所述第1信号的相位延迟预定的量，
所述第3信号的相位相对于所述第2信号的相位延迟所述预定的量。
30.根据权利要求29所述的电光装置，其特征在于，
所述第1信号的频率为10mHz～50mHz。
31.根据权利要求29所述的电光装置，其特征在于，
所述第1信号的电压的时间平均值与基准电位的电位差为100mV以下。
32.根据权利要求29所述的电光装置，其特征在于，
所述第1布线和所述第2布线为扫描线。
33.根据权利要求29所述的电光装置，其特征在于，
所述电光层为液晶层，
在所述第1基板和所述第2基板的所述液晶层侧配置有无机取向膜。
34.一种电光装置，其特征在于，
具备：
第1基板；
第2基板，其与所述第1基板对置配置；以及
电光层，其配置在所述第1基板与所述第2基板之间，
还具备：
第1像素电极，其配置为将所述第1基板覆盖；
第1布线，其与被施加第1信号的所述第1像素电极相对应地设置；
第2像素电极；以及
第2布线，其配置为与所述第1布线相邻，并且与被施加第2信号的所述第2像素电极相对应地设置，
所述第2信号的相位相对于所述第1信号的相位延迟预定的量，
所述第1信号的频率为10mHz～50mHz。
35.根据权利要求34所述的电光装置，其特征在于，
所述第1信号的电压的时间平均值与基准电位的电位差为100mV以下。
36.根据权利要求34所述的电光装置，其特征在于，
所述第1布线和所述第2布线为扫描线。
37.根据权利要求34所述的电光装置，其特征在于，
所述电光层为液晶层，
在所述第1基板和所述第2基板的所述液晶层侧配置有无机取向膜。
38.一种电光装置，其特征在于，
具备：
第1基板；
第2基板，其与所述第1基板对置配置；以及
电光层，其配置在所述第1基板与所述第2基板之间，
还具备：
第1像素电极，其配置为将所述第1基板覆盖；
第1布线，其与被施加第1信号的所述第1像素电极相对应地设置；
第2像素电极；以及
第2布线，其配置为与所述第1布线相邻，并且与被施加第2信号的所述第2像素电极相对应地设置，
所述第2信号的相位相对于所述第1信号的相位延迟预定的量，
所述第1信号的电压的时间平均值与基准电位的电位差为100mV以下。
39.根据权利要求38所述的电光装置，其特征在于，
所述第1布线和所述第2布线为扫描线。
40.根据权利要求38所述的电光装置，其特征在于，
所述电光层为液晶层，
在所述第1基板和所述第2基板的所述液晶层侧配置有无机取向膜。
41.一种电光装置，其特征在于，
具备：
第1基板；
第2基板，其与所述第1基板对置配置；以及
电光层，其配置在所述第1基板与所述第2基板之间，
还具备：
第1像素电极，其配置为将所述第1基板覆盖；
第1布线，其与被施加第1信号的所述第1像素电极相对应地设置；
第2像素电极；以及
第2布线，其配置为与所述第1布线相邻，并且与被施加第2信号的所述第2像素电极相对应地设置，
所述第2信号的相位相对于所述第1信号的相位延迟预定的量，
所述第1布线和所述第2布线为扫描线。
42.根据权利要求41所述的电光装置，其特征在于，
所述电光层为液晶层，
在所述第1基板和所述第2基板的所述液晶层侧配置有无机取向膜。
43.一种电光装置，其特征在于，
具备：
第1基板；
第2基板，其与所述第1基板对置配置；以及
电光层，其配置在所述第1基板与所述第2基板之间，
还具备：
第1像素电极，其配置为将所述第1基板覆盖；
第1布线，其与被施加第1信号的所述第1像素电极相对应地设置；
第2像素电极；以及
第2布线，其配置为与所述第1布线相邻，并且与被施加第2信号的所述第2像素电极相对应地设置，
所述第2信号的相位相对于所述第1信号的相位延迟预定的量，
所述电光层为液晶层，
在所述第1基板和所述第2基板的所述液晶层侧配置有无机取向膜。
44.一种电光装置，其特征在于，
具备：
第1基板；
第2基板，其与所述第1基板对置配置；
电光层，其配置在所述第1基板与所述第2基板之间；
第1布线，其配置为将所述第1基板覆盖；
第2布线，其配置为与所述第1布线相邻；
第3布线，其隔着所述第2布线与所述第1布线对置配置；
第1像素电极，其经由第1开关元件与所述第1布线电连接；
第2像素电极，其经由第2开关元件与所述第2布线电连接；
第3像素电极，其经由第3开关元件与所述第3布线电连接；以及
选择布线，其与所述第1开关元件及所述第2开关元件电连接，
当向所述选择布线施加电压而选择了所述第1开关元件及所述第2开关元件时，所述第1像素电极被施加第1信号，并且所述第2像素电极被施加相位与所述第1信号不同的第2信号，
当向所述选择布线施加电压而选择了所述第1开关元件、所述第2开关元件以及所述第3开关元件时，所述第3像素电极被施加相位与所述第1信号及所述第2信号不同的第3信号。
45.一种电子设备，其特征在于，
具备权利要求29至44中任一项所述的电光装置。
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