JP6579161B2 - 液晶装置の駆動方法、液晶装置、電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、液晶装置の駆動方法、液晶装置、該液晶装置を備えた電子機器に関する。

液晶装置は、一対の基板に挟持された液晶層を有する液晶パネルを備えている。液晶パネルに光が入射すると、液晶パネルを構成する例えば液晶材料や配向膜と入射光との光化学反応によって様々なイオン性不純物が発生することがある。これ以外にも、液晶パネルの製造過程で用いられる材料や装置などからイオン性不純物が液晶層に混じるおそれもある。

液晶層中のイオン性不純物は、液晶装置の駆動や熱によって表示領域に拡散したり、部分的に凝集したりして、表示において例えばシミやムラとして認識され表示特性の劣化を招くことが知られている。特に、投射型表示装置（プロジェクター）の光変調手段（ライトバルブ）に用いられる液晶装置では、入射光の光束密度が直視型の液晶装置に比べて高くなるので、光化学反応が生じ易くイオン性不純物が表示に影響を及ぼすことを抑制する必要がある。

このようなイオン性不純物に纏わる不具合を改善するため、例えば、特許文献１には、表示領域とシール材との間に、所定の間隔をおいて３つの電極を設け、これらの電極のそれぞれに同じ周波数の交流信号を順次位相をずらして印加する液晶装置の駆動方法が開示されている。

上記特許文献１の液晶装置の駆動方法によれば、交流信号の印加によって、これらの電極間に生ずる電界の方向が、時間の経過と共に表示領域に近い第１電極から第２電極へ、そして、第２電極から第３電極へと遷移することから、電界の移動に伴って液晶層中のイオン性不純物を表示領域から外側に効果的に掃き寄せることができるとしている。

上述した投射型表示装置に用いられる液晶装置では、表示に寄与する画素以外に、表示領域を囲んで複数のダミー画素が配置されることがある。このようなダミー画素を備えた液晶装置に、上記特許文献１の液晶装置の駆動方法を適用する場合、通常、ダミー画素は駆動されないため、第１電極から第３電極へと電界を移動させても、イオン性不純物を表示領域からダミー画素が配置された領域を通過させる必要があることから、イオン性不純物の掃き寄せ効率が低下するおそれがある。

これに対して、例えば、特許文献２には、表示動作モードのときダミー画素が配置された領域を電子見切り領域として扱い、非表示動作モードのときダミー画素が配置された領域をイオン掃き寄せ手段とする方法が開示されている。

また、特許文献３では、複数の画素領域電極が配置された画素領域を囲む周辺領域に周辺領域電極を設け、画素領域電極に印加される駆動電圧の直流成分よりも、直流成分が小さいまたは大きい駆動電圧を周辺領域電極に印加する方法が開示されている。特許文献３は、画素領域と周辺領域との間に電位差を生じさせてイオン性不純物を画素領域から周辺領域に移動させる方法である。

特開２０１５−１６３４号公報 特開２００７−３１６１１９号公報 特開２００９−９２６９７号公報

しかしながら、上記特許文献２の方法では、非表示動作モードのときにしか、イオン性不純物を掃き寄せることができず、表示動作モードになると、ダミー画素が配置された領域に掃き寄せられたイオン性不純物が再び表示領域に拡散するおそれがある。また、上記特許文献３では、画素領域電極に印加される駆動電圧及び周辺領域電極に印加される駆動電圧は交流信号であり、交流信号の直流成分と周波数については記載があるものの、位相については記載がない。例えば、交流信号における直流成分の大きさを画素領域と周辺領域とで異ならせたとしても、交流信号の位相が同じ場合は、正極性または負極性のイオン性不純物の掃き寄せ方向を画素領域から周辺領域に向かう方向に制御できないおそれがある。

また、上記特許文献３の方法をダミー画素に適用し、当該ダミー画素を表示に利用しようとしたときには、駆動電圧（交流信号）の直流成分によって焼き付きが生じ表示品質が低下するおそれがあるという課題があった。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例］本適用例に係る液晶装置の駆動方法は、液晶層を介して対向配置された複数の画素電極及び対向電極を備えた液晶装置の駆動方法であって、前記複数の画素電極が配置された表示領域を囲む第１周辺領域に前記表示領域側から外側に向かって少なくとも３つのダミー画素電極が配置され、前記対向電極は、平面視で少なくとも前記表示領域及び前記第１周辺領域に亘って配置され、前記少なくとも３つのダミー画素電極には、前記表示領域側から外側に向かう順に、基準電位に対して振幅する同一周波数で、互いに位相が異なる第１交流信号を印加し、前記第１交流信号における印加電圧は、前記ダミー画素電極を有するダミー画素の階調レベルが全黒となる第１の電圧と、明るさが全黒よりも１段階上昇する第２の電圧との間の第３の電圧であることを特徴とする。

本適用例によれば、少なくとも３つのダミー画素電極に互いに位相が異なる第１交流信号を印加することで、隣り合うダミー画素電極間に生ずる横電界が表示領域に近い側から外側に向かって移動することになる。当該横電界の移動によって液晶層中に含まれるイオン性不純物は、表示領域から外側に掃き出される。また、第１交流信号の印加電圧は、明るさが全黒となる第１の電圧と、明るさが全黒よりも１段階上昇する第２の電圧との間の第３の電圧であることから、ダミー画素電極に第１交流信号を印加してもダミー画素における光漏れを抑えることができる。すなわち、少なくとも３つのダミー画素電極が配置された第１周辺領域を電気見切り領域として機能させつつ、第１周辺領域をイオン性不純物の掃き寄せ手段として機能させる液晶装置の駆動方法を提供することができる。

上記適用例に記載の液晶装置の駆動方法において、前記第１周辺領域を囲む第２周辺領域に少なくとも１つの周辺電極が配置され、前記液晶層に対して光の射出側において、平面視で前記第２周辺領域と重なる遮光層を備え、前記少なくとも１つの周辺電極には、前記第１交流信号と同じ基準電位に対して振幅する同一周波数で、印加電圧が前記第１交流信号よりも大きな第３交流信号を印加することが好ましい。
この方法によれば、少なくとも３つのダミー画素電極に互いに位相が異なる第１交流信号を印加して第１周辺領域に掃き出されたイオン性不純物を、印加電圧が第１交流信号よりも大きな第３交流信号が印加される少なくとも１つの周辺電極が配置された第２周辺領域に掃き寄せることができる。つまり、液晶層中に含まれるイオン性不純物を第１周辺領域からさらに外側の第２周辺領域に掃き寄せることができるため、掃き寄せたイオン性不純物が再び表示領域に拡散することを抑制できる。第１周辺領域にはイオン性不純物が滞留し難いことからダミー画素電極を表示に利用したとしてもイオン性不純物の影響を受け難い。さらに、平面視で第２周辺領域と重なる遮光層を有しているため、第２周辺領域にイオン性不純物が掃き寄せられて集積されることに伴って液晶層における液晶分子の配向が乱れたとしても、液晶分子の配向の乱れに起因する光漏れは遮光層によって遮光されるので表示に影響が及ばない。

上記適用例に記載の液晶装置の駆動方法において、前記少なくとも１つの周辺電極に隣り合う前記ダミー画素電極に印加される前記第１交流信号の位相と前記第３交流信号の位相とは異なっていることが好ましい。
この方法によれば、周辺電極と当該周辺電極に隣り合うダミー画素電極との間に生ずる横電界の移動方向が、ダミー画素電極が配置された第１周辺領域から周辺電極が配置された第２周辺領域に向かう方向となることから、イオン性不純物を第１周辺領域から第２周辺領域に確実に掃き寄せることができる。

上記適用例に記載の液晶装置の駆動方法において、前記第１周辺領域を囲む第２周辺領域に少なくとも１つの周辺電極が配置され、前記液晶層に対して光の射出側において、平面視で前記第２周辺領域と重なる遮光層を備え、前記少なくとも１つの周辺電極には、前記第１交流信号の印加電圧よりも大きな直流信号を印加するとしてもよい。
この方法によれば、液晶層中に含まれるアニオン系またはカチオン系のイオン性不純物を第１周辺領域を経由して第２周辺領域に掃き寄せてトラップ（捕集）することができる。また、少なくとも１つの周辺電極には直流信号が印加されることから、交流信号を印加する場合に比べて、トラップ（捕集）されたアニオン系またはカチオン系のイオン性不純物が再び表示領域へと拡散することを抑制することができる。

［適用例］本適用例に係る液晶装置の駆動方法は、液晶層を介して対向配置された複数の画素電極及び対向電極を備えた液晶装置の駆動方法であって、前記複数の画素電極が配置された表示領域を囲む第１周辺領域に前記表示領域側から外側に向かって少なくとも４つのダミー画素電極が配置され、前記対向電極は、平面視で少なくとも前記表示領域及び前記第１周辺領域に亘って配置され、前記少なくとも４つのダミー画素電極のうち３つのダミー画素電極には、前記表示領域側から外側に向かう順に、基準電位に対して振幅する同一周波数で、互いに位相が異なる第１交流信号を印加し、前記第１交流信号における印加電圧は、前記ダミー画素電極を有するダミー画素の階調レベルが全黒となる第１の電圧と、明るさが全黒よりも１段階上昇する第２の電圧との間の第３の電圧であり、前記残りのダミー画素電極には、前記第１交流信号と同じ基準電位に対して振幅する同一周波数で印加電圧が前記第１交流信号よりも大きい第２交流信号、または印加電圧が前記第１交流信号よりも大きく前記基準電位に対して正極性または負極性の直流信号を印加することを特徴とする。

本適用例によれば、少なくとも４つのダミー画素電極のうち、表示領域側の３つのダミー画素電極をイオン性不純物の掃き寄せ手段として機能させ、さらに掃き寄せたイオン性不純物を残りのダミー画素電極によって捕集することができる。つまり、少なくとも４つのダミー画素電極のうちの３つを電気見切り領域として機能させつつ、残りのダミー画素電極にイオン性不純物を掃き寄せて捕集することが可能な液晶装置の駆動方法を提供することができる。

上記適用例に記載の液晶装置の駆動方法において、前記液晶層に対して光の射出側において、少なくとも前記残りのダミー画素電極と平面視で重なる遮光層を備えることが好ましい。
この方法によれば、残りのダミー画素電極に掃き寄せられたイオン性不純物が集積されることに伴って液晶層における液晶分子の配向が乱れたとしても、液晶分子の配向の乱れに起因する光漏れは遮光層によって遮光されるので表示に影響が及ばない。

上記適用例に記載の液晶装置の駆動方法において、台形補正によって表示に寄与する画素電極の数が前記表示領域の行方向及び／または列方向に亘って減ぜられたとき、減ぜられた分の画素電極をダミー画素電極として扱って、台形補正後の有効な表示領域に沿った部分の前記ダミー画素電極として扱われた画素電極には、同一の位相の前記第１交流信号を印加し、当該画素電極から外側に位置する画素電極には位相が異なる前記第１交流信号を印加することが好ましい。
この方法によれば、台形補正がなされたとしても、台形補正後の有効な表示領域から外側に配置されている画素電極を含めたダミー画素電極を電気見切りとして機能させつつ、イオン性不純物の掃き寄せ手段として機能させることができる。

［適用例］本適用例に係る液晶装置の駆動方法は、液晶層を介して対向配置された複数の画素電極及び対向電極を備えた液晶装置の駆動方法であって、前記複数の画素電極が配置された表示領域を囲む第１周辺領域に前記表示領域側から外側に向かって少なくとも３つのダミー画素電極が配置され、前記対向電極は、平面視で少なくとも前記表示領域及び前記第１周辺領域に亘って配置され、前記表示領域の外縁に配置された画素電極には、表示データに応じたデータ信号を印加し、前記少なくとも３つのダミー画素電極には、前記表示領域側から外側に向かう順に、基準電位に対して振幅する同一周波数で、互いに位相が異なると共に、前記データ信号の１／３以下の印加電圧の第１交流信号を印加することを特徴とする。

本適用例によれば、表示領域の外縁に位置する画素電極にデータ信号が印加されるとき、当該画素電極に隣り合うダミー画素電極にデータ信号の１／３以下の印加電圧の第１交流信号を印加してイオン性不純物を掃き寄せる。言い換えれば、イオン性不純物を表示領域から掃き寄せるためにダミー画素電極に印加される第１交流信号を隣り合う画素電極に印加されるデータ信号に応じて動的に変化させることになるので、ダミー画素電極に第１交流信号を印加して光漏れが生じたとしても目立ち難くなる。

上記適用例に記載の液晶装置の駆動方法において、前記少なくとも３つのダミー画素電極には、前記表示領域の外縁に沿って配置された少なくとも２つの画素電極に印加される前記データ信号の平均印加電圧の１／３以下の印加電圧の前記第１交流信号を印加するとしてもよい。
この方法によれば、ダミー画素電極に第１交流信号を印加して光漏れが生じたとしてもより目立ち難くなる。

［適用例］本適用例に係る液晶装置は、液晶層を介して対向配置された複数の画素電極及び対向電極を備えた液晶装置であって、前記複数の画素電極が配置された表示領域を囲む第１周辺領域に前記表示領域側から外側に向かって順に配置された少なくとも３つのダミー画素電極を有し、前記対向電極は、平面視で少なくとも前記表示領域及び前記第１周辺領域に亘って配置され、前記少なくとも３つのダミー画素電極に、前記表示領域側から外側に向かう順に、基準電位に対して振幅する同一周波数で、互いに位相が異なる第１交流信号を出力する制御装置を備え、前記第１交流信号における印加電圧は、前記ダミー画素電極を有するダミー画素の階調レベルが全黒となる第１の電圧と、明るさが全黒よりも１段階上昇する第２の電圧との間の第３の電圧であることを特徴とする。

本適用例によれば、制御装置から少なくとも３つのダミー画素電極に表示領域側から外側に向かう順に、基準電位に対して振幅する同一周波数で、互いに位相が異なる第１交流信号が印加される。これにより、少なくとも３つのダミー画素電極において、隣り合うダミー画素電極間に生ずる横電界が表示領域に近い側から外側に向かって移動することになる。当該横電界の移動によって液晶層中に含まれるイオン性不純物は、表示領域から外側に掃き出される。また、第１交流信号の印加電圧は、明るさが全黒となる第１の電圧と、明るさが全黒よりも１段階上昇する第２の電圧との間の第３の電圧であることから、ダミー画素電極に第１交流信号が印加されてもダミー画素における光漏れを抑えることができる。すなわち、少なくとも３つのダミー画素電極が配置された第１周辺領域を電気見切り領域として機能させつつ、第１周辺領域をイオン性不純物の掃き寄せ手段として機能させる液晶装置を提供することができる。

上記適用例に記載の液晶装置において、前記第１周辺領域を囲む第２周辺領域に配置された少なくとも１つの周辺電極と、前記液晶層に対して光の射出側において、平面視で前記第２周辺領域と重なる遮光層と、を備え、前記制御装置は、前記少なくとも１つの周辺電極に、前記第１交流信号と同じ基準電位に対して振幅する同一周波数で、印加電圧が前記第１交流信号よりも大きな第３交流信号を出力することが好ましい。
この構成によれば、互いに位相が異なる第１交流信号を少なくとも３つのダミー画素電極に印加して第１周辺領域に掃き出されたイオン性不純物を、印加電圧が第１交流信号よりも大きな第３交流信号が印加される少なくとも１つの周辺電極に掃き寄せることができる。つまり、液晶層中に含まれるイオン性不純物を第１周辺領域からさらに外側の第２周辺領域に掃き寄せることができるため、掃き寄せたイオン性不純物が再び表示領域に拡散することを抑制できる。第１周辺領域にはイオン性不純物が滞留し難いことからダミー画素電極を表示に利用したとしてもイオン性不純物の影響を受け難い。さらに、平面視で第２周辺領域と重なる遮光層を有しているため、第２周辺領域にイオン性不純物が掃き寄せられて集積されることに伴って液晶層における液晶分子の配向が乱れたとしても、液晶分子の配向の乱れに起因する光漏れは遮光層によって遮光されるので表示に影響が及ばない。

上記適用例に記載の液晶装置において、前記制御装置は、前記少なくとも１つの周辺電極に、前記少なくとも１つの周辺電極に隣り合う前記ダミー画素電極に出力される前記第１交流信号の位相と異なる位相の前記第３交流信号を出力することが好ましい。
この構成によれば、周辺電極と当該周辺電極に隣り合うダミー画素電極との間に生ずる横電界の移動方向が、ダミー画素電極が配置された第１周辺領域から周辺電極が配置された第２周辺領域に向かう方向となることから、イオン性不純物を第１周辺領域から第２周辺領域に確実に掃き寄せることができる。

上記適用例に記載の液晶装置において、前記第１周辺領域を囲む第２周辺領域に配置された少なくとも１つの周辺電極と、前記液晶層に対して光の射出側において、平面視で前記第２周辺領域と重なる遮光層と、を備え、前記制御装置は、前記少なくとも１つの周辺電極に、前記第１交流信号の印加電圧よりも大きく前記基準電位に対して正極性または負極性の直流信号を出力するとしてもよい。
この構成によれば、液晶層中に含まれるアニオン系またはカチオン系のイオン性不純物を第１周辺領域を経由して第２周辺領域に掃き寄せてトラップ（捕集）することができる。また、制御装置から周辺電極に直流信号が印加されることから、交流信号を印加する場合に比べて、トラップ（捕集）されたアニオン系またはカチオン系のイオン性不純物が再び表示領域へと拡散することを抑制することができる。

［適用例］本適用例に係る液晶装置は、液晶層を介して対向配置された複数の画素電極及び対向電極を備えた液晶装置であって、前記複数の画素電極が配置された表示領域を囲む第１周辺領域に前記表示領域側から外側に向かって配置された少なくとも４つのダミー画素電極を有し、前記対向電極は、平面視で少なくとも前記表示領域及び前記第１周辺領域に亘って配置され、前記少なくとも４つのダミー画素電極のうち３つのダミー画素電極に、前記表示領域側から外側に向かう順に、基準電位に対して振幅する同一周波数で、互いに位相が異なる第１交流信号を出力する制御装置と、を備え、前記第１交流信号における印加電圧は、前記ダミー画素電極を有するダミー画素の階調レベルが全黒となる第１の電圧と、明るさが全黒よりも１段階上昇する第２の電圧との間の第３の電圧であり、前記制御装置は、前記残りのダミー画素電極に、前記第１交流信号と同じ基準電位に対して振幅する同一周波数で印加電圧が前記第１交流信号よりも大きい第２交流信号、または印加電圧が前記第１交流信号よりも大きく前記基準電位に対して正極性または負極性の直流信号を出力することを特徴とする。

本適用例によれば、少なくとも４つのダミー画素電極のうち、表示領域側の３つのダミー画素電極をイオン性不純物の掃き寄せ手段として機能させ、さらに掃き寄せたイオン性不純物を残りのダミー画素電極によって捕集することができる。つまり、少なくとも４つのダミー画素電極のうちの３つを電気見切りとして機能させつつ、残りのダミー画素電極にイオン性不純物を掃き寄せて捕集可能な液晶装置を提供することができる。

上記適用例に記載の液晶装置において、前記液晶層に対して光の射出側において、少なくとも前記残りのダミー画素電極と平面視で重なる遮光層を備えることが好ましい。
この構成によれば、残りのダミー画素電極が配置された領域は、平面視で遮光層と重なることから、捕集され集積されたイオン性不純物によって液晶分子の配向が乱れて光漏れが生じたとしても遮光層で遮光することができる。

上記適用例に記載の液晶装置において、台形補正の制御指示によって表示に寄与する画素電極の数が前記表示領域の行方向及び／または列方向に亘って減ぜられたとき、前記制御装置は、減ぜられた分の画素電極をダミー画素電極として扱って、台形補正後の有効な表示領域に沿った部分の前記ダミー画素電極として扱われた画素電極に、同一の位相の前記第１交流信号を出力し、当該画素電極から外側に位置する画素電極に、位相が異なる前記第１交流信号を出力することが好ましい。
この構成によれば、台形補正の制御指示がなされたとしても、台形補正後の有効な表示領域から外側に配置されている画素電極を含めたダミー画素電極を電気見切りとして機能させつつ、イオン性不純物の掃き寄せ手段として機能させることが可能な液晶装置を提供できる。

［適用例］本適用例に係る液晶装置は、液晶層を介して対向配置された複数の画素電極及び対向電極を備えた液晶装置であって、前記複数の画素電極が配置された表示領域を囲む第１周辺領域に前記表示領域側から外側に向かって配置された少なくとも３つのダミー画素電極を有し、前記対向電極は、平面視で少なくとも前記表示領域及び前記第１周辺領域に亘って配置され、前記表示領域の外縁に配置された画素電極に、表示データに応じたデータ信号を出力し、前記少なくとも３つのダミー画素電極に、前記表示領域側から外側に向かう順に、基準電位に対して振幅する同一周波数で、互いに位相が異なると共に、前記データ信号の１／３以下の印加電圧の第１交流信号を出力する制御装置と、を備えたことを特徴とする。

本適用例によれば、制御装置から表示領域の外縁に位置する画素電極にデータ信号が印加されるとき、当該画素電極に隣り合うダミー画素電極にデータ信号の１／３以下の印加電圧の第１交流信号を印加してイオン性不純物を掃き寄せる。言い換えれば、イオン性不純物を表示領域から掃き寄せるためにダミー画素電極に印加される第１交流信号を隣り合う画素電極に印加されるデータ信号に応じて動的に変化させることになるので、ダミー画素電極に第１交流信号を印加して光漏れが生じたとしても目立ち難くなる。

上記適用例に記載の液晶装置において、前記制御装置は、前記少なくとも３つのダミー画素電極に、前記表示領域の外縁に沿って配置された少なくとも２つの画素電極に出力される前記データ信号の平均印加電圧の１／３以下の印加電圧の前記第１交流信号を出力することが好ましい。
この構成によれば、ダミー画素電極に第１交流信号を印加して光漏れが生じたとしてもより目立ち難くなる。

［適用例］本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする。
本適用例によれば、液晶層中にイオン性不純物が含まれていたとしても、イオン性不純物を表示領域から外側に効率的に掃き出して、表示不具合が生じ難く、表示品質において高信頼性を有する電子機器を提供することができる。

第１実施形態の液晶装置の構成を示す概略平面図。 図１に示すＨ−Ｈ’線に沿う液晶装置の構造を示す概略断面図。 第１実施形態の液晶パネルの電気的な構成を示す等価回路図。 画素における液晶分子の配向状態を示す概略断面図。 無機材料の斜め蒸着方向とイオン性不純物に起因する表示不具合との関係を示す概略平面図。 第１実施形態の液晶装置におけるイオントラップ機構の構成を示す概略平面図。 図６のＡ−Ａ’線で切った第１実施形態の液晶装置の構造を示す概略部分断面図。 周辺電極に印加されるイオントラップ信号を示すタイミングチャート。 ダミー画素電極に印加される第１交流信号を示すタイミングチャート。 第１実施形態の液晶装置の電気的な構成を示すブロック図。 垂直同期信号と有効な画素に対応して生成される極性制御信号との関係を示す図。 垂直同期信号とダミー画素に対応して生成される極性制御信号との関係を示す図。 垂直同期信号と画素及びダミー画素に係る極性反転フラグ及びデータフラグとの関係を示す図。 水平同期信号と画素及びダミー画素に係る極性反転フラグ及びデータフラグとの関係を示す図。 Ｖ極性反転フラグ及びＨ極性反転フラグと極性制御信号との関係を示すテーブル。 Ｖデータフラグ及びＨデータフラグと表示データとの関係を示すテーブル。 第２実施形態の液晶装置における画素及びダミー画素の配置を示す概略平面図。 図１８のＡ−Ａ’線に沿った第２実施形態の液晶装置の構造を示す概略部分断面図。 第３実施形態の液晶装置の表示領域の台形補正の一例を示す概略平面図。 表示領域の台形補正に係るダミー画素の扱いと極性制御信号との関係を示す図。 表示領域の台形補正における他の例を示す概略平面図。 表示領域の台形補正における他の例を示す概略平面図。 第４実施形態の液晶装置の駆動方法が適用された画素領域を正面から見て左上の角部周辺を示す図。 電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図。 変形例の液晶装置の構造を示す概略部分断面図。 変形例の周辺電極の配置を示す概略平面図。 変形例の周辺電極の配置を示す概略平面図。

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。

本実施形態では、薄膜トランジスター（Thin Film Transistor；ＴＦＴ）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば後述する投射型表示装置（プロジェクター）の光変調手段（ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。

（第１実施形態）
まず、本実施形態の液晶装置について、図１〜図３を参照して説明する。図１は第１実施形態の液晶装置の構成を示す概略平面図、図２は図１に示すＨ−Ｈ’線に沿う液晶装置の構造を示す概略断面図、図３は第１実施形態の液晶パネルの電気的な構成を示す等価回路図である。

図１及び図２に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０及び対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層５０とを有する。素子基板１０の基材１０ｓ及び対向基板２０の基材２０ｓは、それぞれ透明な例えば石英基板やガラス基板が用いられている。

素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板は、対向基板２０の外縁に沿って配置されたシール部４０を介して間隔を置いて貼り合わされている。シール部４０において途切れた部分が注入口４１となっており、真空注入法により注入口４１から上記間隔に正又は負の誘電異方性を有する液晶が注入され、封止剤４２を用いて注入口４１が封入されている。なお、上記間隔に液晶を封入する方法は、真空注入法に限定されるものではなく、例えば、額縁状に配置されたシール部４０の内側に液晶を滴下して、減圧下で素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせるＯＤＦ（One Drop Fill）法を採用してもよい。
シール部４０は、例えば熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール部４０には、一対の基板の上記間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。

シール部４０の内側には、マトリックス状に配列した複数の画素Ｐを含む画素領域Ｅが設けられている。また、シール部４０と画素領域Ｅとの間の周辺領域Ｅ３に画素領域Ｅを取り囲んで遮光層としての見切り部２１が設けられている。見切り部２１は、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなる。なお、画素領域Ｅには、表示に寄与する画素Ｐの他に、画素領域Ｅの外縁に沿って配置された複数のダミー画素が含まれている。ダミー画素の詳しい配置については後述する。

素子基板１０には、複数の外部接続用端子１０４が配列した端子部が設けられている。該端子部に沿った第１の辺部とシール部４０との間にデータ線駆動回路１０１が設けられている。また、第１の辺部に対向する第２の辺部に沿ったシール部４０と画素領域Ｅとの間に検査回路１０３が設けられている。さらに、第１の辺部と直交し互いに対向する第３及び第４の辺部に沿ったシール部４０と画素領域Ｅとの間に走査線駆動回路１０２が設けられている。第２の辺部のシール部４０と検査回路１０３との間に、２つの走査線駆動回路１０２を繋ぐ複数の配線１０５が設けられている。

これらデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２に繋がる配線は、第１の辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子１０４に接続されている。なお、検査回路１０３の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路１０１と画素領域Ｅとの間のシール部４０の内側に沿った位置に設けてもよい。
以降、第１の辺部に沿った方向をＸ方向とし、第３の辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。また、対向基板２０側から素子基板１０側に向かう方向に沿って見ることを「平面視」または「平面的に」と言う。

図２に示すように、素子基板１０の液晶層５０側の表面には、画素Ｐごとに設けられた透光性の画素電極１５及びスイッチング素子である薄膜トランジスター（以降、ＴＦＴと呼称する）３０と、信号配線と、これらを覆う配向膜１８とが形成されている。また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。素子基板１０は、基材１０ｓと、基材１０ｓ上に形成された画素電極１５、ＴＦＴ３０、信号配線、配向膜１８を含むものである。なお、図２には図示していないが、ダミー画素は、画素Ｐと同様に、ダミー画素電極と、ダミー画素電極をスイッチング制御するＴＦＴ３０とを備えている。

素子基板１０に対向配置される対向基板２０は、基材２０ｓと、基材２０ｓ上に形成された見切り部２１と、これを覆うように成膜された平坦化層２２と、平坦化層２２を覆い、少なくとも画素領域Ｅに亘って設けられ、共通電極として機能する対向電極２３と、対向電極２３を覆う配向膜２４とを含むものである。

見切り部２１は、図１に示すように画素領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路１０２、検査回路１０３と重なる位置に設けられている。これにより対向基板２０側からこれらの回路に入射する光を遮蔽して、これらの回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が画素領域Ｅに入射しないように遮蔽して、画素領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。

平坦化層２２は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して見切り部２１を覆うように設けられている。このような平坦化層２２の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ法などを用いて成膜する方法が挙げられる。

対向電極２３は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなり、平坦化層２２を覆うと共に、図１に示すように対向基板２０の下方側の隅に設けられた上下導通部１０６に電気的に接続されている。上下導通部１０６は、素子基板１０側の配線に電気的に接続している。

画素電極１５を覆う配向膜１８及び対向電極２３を覆う配向膜２４は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。配向膜１８，２４は、例えば、ポリイミドなどの有機材料を成膜して、その表面をラビングすることにより、正の誘電異方性を有する液晶分子に対して略水平配向処理が施された有機配向膜や、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。

このような液晶装置１００は透過型であって、電圧無印加状態で画素Ｐの透過率が最大となるノーマリーホワイトモードや、電圧無印加状態で画素Ｐの透過率が最小となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。素子基板１０と対向基板２０とを含む液晶パネル１１０の光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。
本実施形態では、以降、配向膜１８，２４として前述した無機配向膜と、負の誘電異方性を有する液晶とを用い、ノーマリーブラックモードの光学設計が適用された例について説明する。

次に、図３を参照して、液晶装置１００における液晶パネル１１０の電気的な構成について説明する。液晶パネル１１０は、画素領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する信号配線としての複数の走査線３ａ及び複数のデータ線６ａと、データ線６ａに沿って平行に配置された容量線３ｂとを有する。走査線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。

走査線３ａ、データ線６ａ及び容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極１５と、ＴＦＴ３０と、保持容量１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。

走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。画素電極１５はＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されている。

データ線６ａはデータ線駆動回路１０１（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路１０１から供給される表示信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは走査線駆動回路１０２（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路１０２から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを画素Ｐに供給する。

データ線駆動回路１０１からデータ線６ａに供給される表示信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路１０２は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。

液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される表示信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極１５に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極１５を介して液晶層５０に書き込まれた所定レベルの表示信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極１５と液晶層５０を介して対向配置された対向電極２３との間で一定期間保持される。表示信号Ｄ１〜Ｄｎの周波数は例えば６０Ｈｚである。

保持された表示信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極１５と対向電極２３との間に形成される液晶容量と並列に保持容量１６が接続されている。保持容量１６は、ＴＦＴ３０のドレインと容量線３ｂとの間に設けられている。

なお、図１に示した検査回路１０３には、データ線６ａが接続されており、液晶装置１００の製造過程において、上記表示信号を検出することで液晶装置１００の動作欠陥などを確認できる構成となっているが、図３の等価回路では図示を省略している。

本実施形態における画素回路を駆動制御する周辺回路は、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２、検査回路１０３を含んでいる。また、周辺回路は、表示信号Ｄ１〜Ｄｎをサンプリングしてデータ線６ａに供給するサンプリング回路、データ線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を表示信号Ｄ１〜Ｄｎに先行して供給するプリチャージ回路を含むものとしてもよい。

＜液晶分子の配向＞
次に、図４を参照して、画素Ｐにおける配向膜１８，２４及び液晶分子の配向状態について説明する。図４は画素における液晶分子の配向状態を示す概略断面図である。

図４に示すように、素子基板１０の画素電極１５を覆う配向膜１８は、例えば酸化シリコンを斜め蒸着して得られた酸化シリコンの柱状体１８ａの集合体である。基材１０ｓの法線と実線の矢印で示した成膜方向とがなす角度θｂは、例えば４５度である。柱状体１８ａが基材１０ｓの表面から成長する方向と法線とがなす角度θｃは必ずしも上記角度θｂと同じにならず、この場合は、およそ２０度である。このような無機配向膜である配向膜１８の膜面において負の誘電異方性を有する液晶分子ＬＣは長軸が上記成膜方向側に傾いたプレチルトを有して略垂直配向している。基材１０ｓの法線と液晶分子ＬＣの長軸とがなすプレチルト角θｐは例えば３度〜５度である。言い換えれば、液晶分子ＬＣのプレチルト角θｐが３度〜５度となるように、柱状体１８ａの基材１０ｓに対する成長の角度θｃ、つまり成膜時の角度θｂが制御されている。

同様に、対向基板２０側の対向電極２３を覆う配向膜２４は、例えば酸化シリコンを斜め蒸着して得られた酸化シリコンの柱状体２４ａの集合体である。基材２０ｓの法線と破線の矢印で示した成膜方向とがなす角度θｂは、例えば４５度である。無機配向膜である配向膜２４の膜面（柱状体２４ａ）に対して液晶分子ＬＣは成膜方向側にプレチルトを有した状態で略垂直配向している。なお、図４では、柱状体１８ａ，２４ａを一定の大きさで表したが、各柱状体１８ａ，２４ａの大きさや成長方向は必ずしも同じではなく、ばらつきを有している。

配向膜１８が形成された素子基板１０と、配向膜２４が形成された対向基板２０とによって液晶層５０が挟持されている。このような液晶パネル１１０の光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子８１，８２が配置されて用いられる。なお、本実施形態では、対向基板２０側から液晶パネル１１０に光が入射する構成となっているが、これに限定されるものではなく、素子基板１０側から光が入射する構成とすることも可能である。

液晶装置１００において、画素電極１５と対向電極２３との間に交流電圧（駆動信号）を印加して液晶層５０を駆動すると、液晶分子ＬＣは画素電極１５と対向電極２３との間に生ずる電界方向に傾くように挙動（振動）する。言い換えれば、液晶分子ＬＣはプレチルトの方向において振動する。

次に、図５を参照して、平面視における液晶分子ＬＣの配向方向とイオン性不純物の拡散方向とについて説明する。図５は無機材料の斜め蒸着方向とイオン性不純物に起因する表示不具合との関係を示す概略平面図である。

シール部４０で囲まれた領域には、複数の画素Ｐがマトリックス状に配置された画素領域Ｅと、画素領域Ｅを囲む周辺領域Ｅ３とが含まれている。本実施形態における液晶パネル１１０の光学設計は、前述したようにノーマリーブラックであることから、非駆動状態では、画素Ｐは黒表示となる。

配向膜１８，２４をなす柱状体１８ａ，２４ａを斜め蒸着で形成するときの斜め蒸着方向は、図５に示すように、例えば、素子基板１０側では、破線の矢印で示したように右上から左下に向かって所定の角度θａでＹ方向と交差する方向である。素子基板１０に対して対向配置される対向基板２０側では、実線の矢印で示したように左下から右上に向かって所定の角度θａでＹ方向と交差する方向である。所定の角度θａは例えば４５度である。図４において説明したように、液晶分子ＬＣは斜め蒸着における成膜方向にプレチルトして略垂直配向することから、このような配向状態は、１軸の略垂直配向と呼ばれる。本実施形態におけるプレチルトの方向（方位）は、Ｙ方向に対して所定の角度θａで交差する、右上から左下、あるいは左下から右上に向かう方向である。略垂直配向におけるプレチルトの方向（方位）は、これに限定されるものではなく、左上から右下、右下から左上に向かう方向であってもよい。なお、図５に示した斜め蒸着方向は、液晶装置１００を対向基板２０側から見たときの方向である。

液晶層５０を駆動することにより、上述したように液晶分子ＬＣの挙動（振動）が生じ、液晶層５０と配向膜１８，２４との界面近傍に図５に示した破線あるいは実線の矢印で示した斜め蒸着方向（１軸方向）に液晶分子ＬＣのフロー（流れ）が生ずる。仮に液晶層５０にアニオン系またはカチオン系のイオン性不純物が含まれていると、イオン性不純物は液晶分子ＬＣのフロー（流れ）に沿って画素領域Ｅの左下の角部に向かって移動し偏在（凝集）するおそれがある。イオン性不純物の偏在により角部に位置する画素Ｐにおいて液晶層５０の絶縁抵抗が低下すると、当該画素Ｐにおいて駆動電位の低下を招き、図５に示すような例えば光漏れが生じた表示ムラや通電による焼き付き現象が顕著となる。特に、配向膜１８，２４に無機配向膜を用いた場合には、無機配向膜がイオン性不純物を吸着し易いので、有機配向膜に比べてイオン性不純物の偏在による表示のシミ、ムラや焼き付き現象が目立ち易い。

イオン性不純物は、液晶パネル１１０を製造する工程で用いられる例えば接着剤や封止剤４２などの部材に含まれていたり、工程の環境から侵入したりすることが考えられる。また、本実施形態の液晶装置１００は後述する投射型表示装置（プロジェクター）の光変調手段（ライトバルブ）として用いられることから、直視型の液晶装置に比べて入射する照明光の強度が強い。液晶層５０に強い強度の照明光が入射することにより有機化合物である液晶分子ＬＣの末端基が外れてイオン性不純物となるおそれがある。

＜イオントラップ機構と液晶装置の駆動方法＞
本実施形態の液晶装置１００では、イオン性不純物の偏在による表示のシミ、ムラや焼き付き現象などの表示不具合を改善するため、画素領域Ｅからイオン性不純物を掃き寄せてトラップ（捕集）するイオントラップ機構を設けている。以降、本実施形態におけるイオントラップ機構と液晶装置１００の駆動方法について、図６〜図１０を参照して説明する。

図６は第１実施形態の液晶装置におけるイオントラップ機構の構成を示す概略平面図、図７は図６のＡ−Ａ’線で切った第１実施形態の液晶装置の構造を示す概略部分断面図、図８は周辺電極に印加されるイオントラップ信号を示すタイミングチャート、図９及び図１０はダミー画素電極に印加される第１交流信号を示すタイミングチャートである。

図６に示すように、液晶装置１００において、画素領域Ｅは、表示に寄与する複数の画素Ｐが配置された表示領域Ｅ１と、表示領域Ｅ１を囲むように複数のダミー画素ＤＰが配置された周辺領域Ｅ２とを含んでいる。画素Ｐには画素電極１５が配置され、ダミー画素ＤＰにはダミー画素電極１５ｄが配置されている。対向電極２３は、画素電極１５及びダミー画素電極１５ｄと対向するように画素領域Ｅに亘って配置されている。周辺領域Ｅ２が本発明における第１周辺領域に相当するものである。

表示領域Ｅ１には、例えば、Ｘ方向に１９２０個、Ｙ方向に１０８０個、合計２０７３６００個の画素Ｐがマトリックス状に配置されている。ダミー画素ＤＰは、このような表示領域Ｅ１を挟んで、Ｘ方向の両側にそれぞれ４個配置され、同じくＹ方向の両側にそれぞれ４個配置されている。したがって、ダミー画素ＤＰを画素として扱うと、画素領域Ｅには、Ｘ方向に１９２８個（ｎ個）、Ｙ方向に１０８８個（ｍ個）の画素が配置されていることになる。なお、本実施形態では、周辺領域Ｅ２において、表示領域Ｅ１を挟んでＸ方向の両側とＹ方向の両側とに少なくとも３個のダミー画素ＤＰが配置されることを前提とするものである。

画素Ｐの画素電極１５には、前述したようにＴＦＴ３０を介して表示信号が印加される。画素電極１５に表示信号が印加される表示モードにおいて、従来、ダミー画素電極１５ｄには、対向電極２３に印加される対向電極電位と同じ電位が印加される。そうすると、ダミー画素電極１５ｄと対向電極２３との間には、電界が生じないことから、本実施形態では、ダミー画素ＤＰ（ダミー画素電極１５ｄ）が設けられた周辺領域Ｅ２は、ノーマリーブラック、すなわち全黒の表示状態となる。つまり、従来の表示モードでは、周辺領域Ｅ２は、表示が行われない電気見切り領域となる。以降、周辺領域Ｅ２を電気見切り領域Ｅ２と呼ぶこともある。

本実施形態のイオントラップ機構１１７は、画素領域Ｅを囲むように配置された３つの周辺電極１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃを有している。３つの周辺電極１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃは、互いに所定の間隔を置いてリング状に配置されている。３つの周辺電極１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃは、画素領域Ｅとシール部４０との間の周辺領域Ｅ３に配置されている（図１参照）。周辺領域Ｅ３は本発明の第２周辺領域に相当するものである。以降、３つの周辺電極１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃについて、画素領域Ｅに近い方から順に、第１周辺電極１７Ａ、第２周辺電極１７Ｂ、第３周辺電極１７Ｃと呼ぶ。

イオントラップ機構１１７は素子基板１０側に設けられており、第１周辺電極１７Ａは外部接続用端子１０４（Ｉｔ１）に接続され、第２周辺電極１７Ｂは外部接続用端子１０４（Ｉｔ２）に接続され、第３周辺電極１７Ｃは外部接続用端子１０４（Ｉｔ３）に接続されている。

対向基板２０側に設けられた対向電極２３は、上下導通部１０６を介して素子基板１０に設けられた外部接続用端子１０４（ＬＣＣＯＭ）に接続されている。外部接続用端子１０４（ＬＣＣＯＭ）には、対向電極電位ＬＣＣＯＭが供給される。対向電極電位ＬＣＣＯＭは、例えば０Ｖである。

外部接続用端子１０４（Ｉｔ１）にはイオントラップ信号Ｉｔ１が供給され、外部接続用端子１０４（Ｉｔ２）にはイオントラップ信号Ｉｔ２が供給され、外部接続用端子１０４（Ｉｔ３）にはイオントラップ信号Ｉｔ３が供給される。これらのイオントラップ信号Ｉｔ１，Ｉｔ２，Ｉｔ３は、対向電極電位ＬＣＣＯＭを基準電位として、例えば＋５Ｖと−５Ｖとの間で振幅する同一周波数であって互いに位相が異なる交流信号（矩形波）である。

具体的には、図８に示すように、イオントラップ信号Ｉｔ１，Ｉｔ２，Ｉｔ３は、１周期の時間が、時間ｔ０〜時間ｔ２までの長さと同じであって、互いに位相が１周期に対して１／３ずつずれている。イオントラップ信号Ｉｔ１が基準電位（０Ｖ）に対して正極性である期間（つまり半周期）に、イオントラップ信号Ｉｔ２は負極性から正極性に変化する。イオントラップ信号Ｉｔ１が基準電位（０Ｖ）に対して負極性である期間に、イオントラップ信号Ｉｔ２は正極性から負極性に変化する。イオントラップ信号Ｉｔ２が基準電位（０Ｖ）に対して負極性である期間に、イオントラップ信号Ｉｔ３は正極性から負極性に変化する。イオントラップ信号Ｉｔ２が基準電位（０Ｖ）に対して負極性である期間に、イオントラップ信号Ｉｔ３は正極性から負極性に変化する。イオントラップ信号Ｉｔ２が基準電位（０Ｖ）に対して正極性である期間に、イオントラップ信号Ｉｔ３は負極性から正極性に変化する。

すなわち、１周期の間に印加されるイオントラップ信号の極性が正極性である状態が、画素領域Ｅに最も近い第１周辺電極１７Ａから画素領域Ｅに対して最も遠い第３周辺電極１７Ｃに遷移する。同じく、１周期の間に印加されるイオントラップ信号の極性が負極性である状態が、画素領域Ｅに最も近い第１周辺電極１７Ａから画素領域Ｅに対して最も遠い第３周辺電極１７Ｃに遷移する。これによって、隣り合う周辺電極間に生ずる横電界の方向が、第１周辺電極１７Ａから第２周辺電極１７Ｂへ、そして、第２周辺電極１７Ｂから第３周辺電極１７Ｃへと周期的に変化することになる（図７参照）。このようなイオントラップ機構１１７の駆動方法（イオントラップ信号の与え方）は、背景技術に示した特許文献１（特開２０１５−１６３４号公報）と基本的に同じである。

本実施形態の液晶装置１００の駆動方法は、上記のようなイオントラップ機構１１７の駆動に加えて、周辺領域Ｅ２において表示領域Ｅ１側から外側に向かう順に配置された４つのダミー画素電極１５ｄに、基準電位に対して振幅する同一周波数で、順次位相が異なる第１交流信号を印加する。第１交流信号における印加電圧は、ダミー画素電極１５ｄを有するダミー画素ＤＰの階調レベルが全黒となる第１の電圧と、明るさが全黒よりも１段階上昇する第２の電圧との間の第３の電圧である。

具体的には、図９に示すように、第１交流信号は、基準電位としての０Ｖに対して、例えば＋０．５Ｖと、−０．５Ｖとの間で振幅する矩形波である。周波数は、上述したイオントラップ信号と同じであって、１周期は時間ｔ０〜時間ｔ２までの長さと同じである。第１交流信号における印加電圧は、基準電位に対して正極性または負極性であるときの最大振幅の絶対値である。本実施形態における液晶パネル１１０の光学設計がノーマリーブラックであることから、ダミー画素ＤＰの階調レベルが全黒となる第１の電圧は、対向電極電位ＬＣＣＯＭと同じであって例えば０Ｖである。ダミー画素ＤＰの明るさが全黒よりも１段階上昇する第２の電圧は例えば１．０Ｖであって、第１の電圧と第２の電圧との間の第３の電圧は例えば０．５Ｖである。なお、ダミー画素ＤＰが全白となる印加電圧は例えば５Ｖである。また、第１交流信号の印加電圧における第１の電圧、第２の電圧、第３の電圧の設定は、液晶層５０を構成するところの液晶材料の電気光学特性によるものであって、必ずしも上記に示した電圧値に限定されるものではない。

本実施形態では、表示領域Ｅ１の外縁から外側に４つのダミー画素ＤＰが配置されていることから、表示領域Ｅ１側から順に、ダミー画素ＤＰ１、ダミー画素ＤＰ２、ダミー画素ＤＰ３、ダミー画素ＤＰ４と呼ぶこととする。

図９に示すように、４つのダミー画素ＤＰ１，ＤＰ２，ＤＰ３，ＤＰ４のうち、３つのダミー画素ＤＰ１，ＤＰ２，ＤＰ３のダミー画素電極１５ｄに印加される第１交流信号は、１周期の時間が、時間ｔ０〜時間ｔ２までの長さと同じであって、互いに位相が１周期に対して１／３ずつずれている。ダミー画素ＤＰ１とダミー画素ＤＰ４のダミー画素電極１５ｄには、同じ位相の第１交流信号が印加される。すなわち、１周期の間にダミー画素電極１５ｄに印加される第１交流信号の極性が正極性である状態が、表示領域Ｅ１に最も近いダミー画素ＤＰ１から表示領域Ｅ１に対して最も遠いダミー画素ＤＰ４に遷移する。同じく、１周期の間にダミー画素電極１５ｄに印加される第１交流信号の極性が負極性である状態が、表示領域Ｅ１に最も近いダミー画素ＤＰ１から表示領域Ｅ１に対して最も遠いダミー画素ＤＰ４に遷移する。これによって、隣り合うダミー画素電極間に生ずる横電界の方向が、ダミー画素ＤＰ１からダミー画素ＤＰ２へ、そして、ダミー画素ＤＰ２からダミー画素ＤＰ３へ、さらにダミー画素ＤＰ３からダミー画素ＤＰ４へと周期的に変化することになる（図７参照）。

ダミー画素ＤＰ４のダミー画素電極１５ｄに印加される第１交流信号に対して、ダミー画素電極１５ｄに最も近い第１周辺電極１７Ａに印加されるイオントラップ信号Iｔ１は、第１交流信号と同じ基準電位で振幅する同一周波数の矩形波であって、印加電圧が異なるものの位相はずれている。したがって、ダミー画素ＤＰ４のダミー画素電極１５ｄと第１周辺電極１７Ａとの間にも横電界が生じ、当該横電界の方向は、隣り合うダミー画素電極間における横電界の方向と同じである。言い換えれば、ダミー画素ＤＰ４のダミー画素電極１５ｄに印加される第１交流信号に対して位相がずれるようにイオントラップ信号Ｉｔ１が第１周辺電極１７Ａに印加される。

図７に示すように、表示領域Ｅ１では、液晶層５０を介して画素電極１５と対向電極２３とが配置されている。したがって、画素電極１５に表示信号を印加して駆動すると、負の誘電異方性を有する液晶分子ＬＣは、配向膜１８，２４に対してプレチルトを有して略垂直配向した状態から電界方向と交差する方向に傾斜した状態となる。そして、駆動のＯＮ−ＯＦＦによってプレチルト方向に液晶分子ＬＣのフロー（流れ）が生ずる。液晶層５０にアニオン系（図７では（−）の符号で示す）またはカチオン系（図７では（＋）の符号で示す）のイオン性不純物が含まれていると、イオン性不純物は液晶分子ＬＣのフロー（流れ）に沿って移動する。

表示領域Ｅ１を囲む電気見切り領域Ｅ２において、ダミー画素ＤＰ１からダミー画素ＤＰ４のダミー画素電極１５ｄに上述した第１交流信号を位相をずらした状態で順次印加することで、隣り合うダミー画素電極間に生じた横電界の動きによって、イオン性不純物は表示領域Ｅ１から電気見切り領域Ｅ２に運ばれる。さらに、電気見切り領域Ｅ２を囲む周辺領域Ｅ３には、３つの周辺電極１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃが配置され、上述したイオントラップ信号Ｉｔ１，Ｉｔ２，Ｉｔ３が印加される。隣り合う周辺電極間に生じた横電界の動きによって、電気見切り領域Ｅ２に運ばれたイオン性不純物は、電気見切り領域Ｅ２から周辺領域Ｅ３に運ばれてトラップ（捕集）される。

電気見切り領域Ｅ２では、液晶層５０を介してダミー画素電極１５ｄと対向電極２３とが配置されている。ダミー画素電極１５ｄに第１交流信号を印加して駆動すると、ダミー画素電極１５ｄと対向電極２３との間に電界が生じて液晶分子ＬＣがわずかに振動することになる。ところが、第１交流信号の印加電圧は明るさが全黒よりも１段階上昇する第２の電圧との間の第３の電圧であることから、ダミー画素ＤＰにおける光漏れは抑制される。

３つの周辺電極１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃに印加されるイオントラップ信号Ｉｔ１，Ｉｔ２，Ｉｔ３は、ダミー画素電極１５ｄに印加される第１交流信号よりも印加電圧が大きいことから、隣り合う周辺電極間に強い横電界が生じ、イオン性不純物を電気見切り領域Ｅ２から周辺領域Ｅ３に確実に掃き寄せることができる。本実施形態におけるイオントラップ信号Ｉｔ１，Ｉｔ２，Ｉｔ３は、本発明における第１交流信号よりも印加電圧が大きい第３交流信号の一例である。

複数のダミー画素電極１５ｄが配置された周辺領域Ｅ２（第１周辺領域）から３つの周辺電極１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃが配置された周辺領域Ｅ３（第２周辺領域）にイオン性不純物を確実に掃き寄せる観点から、３つの周辺電極１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃの配置は、次の通りであることが好ましい。

周辺電極１７Ａ，１７Ｂ，１７ＣのそれぞれのＸ方向における幅をＬａとし、周辺電極間の距離（スペース）をＬｂとすると、距離（スペース）Ｌｂは幅Ｌａと同じか、短いほうが好ましい。ダミー画素電極１５ｄのＸ方向の幅をＬｄとし、第１周辺電極１７Ａに隣り合うダミー画素電極１５ｄとの間の距離をＬｓとすると、距離Ｌｓは幅Ｌｄよりも短いことが好ましい。

本実施形態の液晶装置１００の駆動方法によれば、複数のダミー画素ＤＰが配置された周辺領域Ｅ２を電気見切り領域として機能させつつ、イオントラップ機構１１７を用いて、表示領域Ｅ１から外側の周辺領域Ｅ３に液晶層５０に含まれるアニオン系またはカチオン系のイオン性不純物を効率的に掃き寄せてトラップ（捕集）することができる。

液晶層５０中のイオン性不純物を表示領域Ｅ１から外側に掃き寄せる観点から、ダミー画素電極１５ｄに印加される第１交流信号や周辺電極１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃに印加されるイオントラップ信号Ｉｔ１，Ｉｔ２，Ｉｔ３の周波数の設定は、液晶層５０中のイオン性不純物の移動度による。イオン性不純物の移動度が大きければ、これらの電極間に生ずる横電界の移動速度が速くても、つまり周波数に依存する半周期の長さが短くても、横電界の移動にイオン性不純物の移動が追い付いてゆける。言い換えれば、イオン性不純物の移動度が小さければ、これらの電極間に生ずる横電界の移動速度が速いと、つまり周波数に依存する半周期の長さが短いと、横電界の移動にイオン性不純物の移動が追い付いてゆけずに掃き寄せ効果が低下する。液晶層５０中のイオン性不純物の移動度は、例えば、A.Sawada,A.Manabe and S.Naemura，“ A Comparative Study on the Attributes of Ions in Nematic and Isotropic Phases”,Jpn.J.Appl Phys Vol.40,ｐ220−ｐ224（2001）に記載されている。該文献から、イオン性不純物の移動度を例えば、２．２×１０^-10（ｍ²／Ｖ・ｓ）とすると、周辺電極１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃ間に生ずる横電界の移動にイオン性不純物が追随可能な好ましい周波数は、周辺電極１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃ間の距離Ｌｂを例えば８μｍとし、周辺電極１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃ間に生ずる横電界の電位差を１０Ｖ（±５．０Ｖ）とすると、１２Ｈｚ程度となる。一方で、ダミー画素電極１５ｄに第１交流信号を印加することによって生ずる横電界の電位差は前述したように１Ｖ程度（±０．５Ｖ）であることから、周波数を同じく１２Ｈｚとしてもイオン性不純物を効率的に掃き寄せられないおそれがある。したがって、周波数を１２Ｈｚの１／１０以下の１Ｈｚ未満とすれば、確実にイオン性不純物を掃き寄せることができる。

つまり、ダミー画素電極１５ｄに印加される第１交流信号の印加電圧は、ダミー画素電極１５ｄが配置された周辺領域Ｅ２を電気見切り領域として機能させる観点から上述したように第３の電圧としている。したがって、ダミー画素電極間に生ずる横電界の電位差が１Ｖ程度（±０．５Ｖ）であることから第１交流信号の周波数はできるだけ低いことが好ましい。

なお、移動度における単位構成の「ｍ」は横電界が生ずる電極間の距離に係り、「Ｖ」は電界強度に係り、「ｓ」は時間（秒）である（特許文献１；特開２０１５−１６３４号公報参照）。

＜液晶装置の電気的な構成＞
本実施形態の液晶装置１００の駆動方法を実現可能な液晶装置１００の電気的な構成とその機能について、図１０〜図１６を参照して説明する。図１０は第１実施形態の液晶装置の電気的な構成を示すブロック図である。

まず、図１０を参照して、液晶装置１００の電気的な構成の一例について説明する。図１０に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、液晶パネル１１０と、コントロール回路（制御回路）１２０と、フレームメモリー１３１と、電圧発生回路１３２とを備えている。コントロール回路（制御回路）１２０は、表示データ（Ｖｉｄｅｏ）や同期信号（Ｖｓ、Ｈｓ、Ｃｌｋ）などの制御信号の入力に対応して液晶パネル１１０の駆動に係る各種の信号を、液晶パネル１１０のデータ線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０２に出力する。フレームメモリー１３１は、フレームごとの表示データ（Ｖｉｄｅｏ）を格納する。電圧発生回路１３２は、対向電極２３に印加される対向電極電位（ＬＣＣＯＭ）や３つの周辺電極１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃに印加されるイオントラップ信号Ｉｔ１，Ｉｔ２，Ｉｔ３を生成して、液晶パネル１１０に出力する。電圧発生回路１３２が上記各種の信号を生成する上で必要な電圧は、例えば、液晶装置１００の内部または外部の電源から供給される。

コントロール回路（制御回路）１２０は集積回路（ＩＣ）であって、例えばフレキシブル基板（ＦＰＣ）を介して液晶パネル１１０の素子基板１０における端子部に接続される。コントロール回路（制御回路）１２０は、Ｖカウンター１２１、Ｈカウンター１２２、極性制御信号生成回路１２３、ＸＹタイミング信号生成回路１２４、信号処理回路１２５メモリー１２８を含んで構成されている。信号処理回路１２５は、表示データセレクター１２６と極性制御信号セレクター１２７とを含んで構成されている。なお、メモリー１２８は、コントロール回路（制御回路）１２０に含まれることに限定されず、フレームメモリー１３１と同様に別構成であってもよい。

Ｖカウンター１２１は、同期信号のうち垂直同期信号Ｖｓのパルスをカウントする。Ｈカウンター１２２は、同期信号のうち水平同期信号Ｈｓのパルスをカウントする。極性制御信号生成回路１２３は、有効な画素Ｐ（画素電極１５）に印加される駆動電圧の対向電極電位（ＬＣＣＯＭ）に対する極性の反転タイミングを制御する１種の極性制御信号と、ダミー画素ＤＰ（ダミー画素電極１５ｄ）に印加される第１交流信号の対向電極電位（ＬＣＣＯＭ）に対する極性の反転タイミングを制御する３種の極性制御信号とを生成する。ＸＹタイミング信号生成回路１２４は、表示領域Ｅ１の画素Ｐや周辺領域Ｅ２のダミー画素ＤＰにおける１ドットの表示データの書込みタイミングを規定するクロック信号Ｃｌｋに基づいて、Ｙ方向すなわち行の表示開始タイミングの制御に係るタイミング信号Ｃｌｙを走査線駆動回路１０２に出力し、タイミング信号Ｃｌｙに同期して、Ｘ方向すなわち列の表示開始タイミングの制御に係るタイミング信号Ｃｌｘをデータ線駆動回路１０１に出力する。

信号処理回路１２５の表示データセレクター１２６は、Ｖカウンター１２１及びＨカウンター１２２の出力を参照して、表示領域Ｅ１の複数の画素Ｐや周辺領域Ｅ２の複数のダミー画素ＤＰのそれぞれのアドレス（位置）に対応した表示データ（Ｖｉｄｅｏ）をセレクトしてデータ線駆動回路１０１に出力する。セレクトされた表示データは、データ線駆動回路１０１を経て表示信号Ｄ１〜Ｄｎとして複数のデータ線６ａに出力される（図３参照）。

信号処理回路１２５の極性制御信号セレクター１２７は、Ｖカウンター１２１及びＨカウンター１２２の出力を参照して、表示領域Ｅ１の複数の画素Ｐや周辺領域Ｅ２の複数のダミー画素ＤＰのそれぞれのアドレス（位置）に対応した極性制御信号をセレクトしてデータ線駆動回路１０１に出力する。

具体的には、図１１は垂直同期信号と有効な画素に対応して生成される極性制御信号との関係を示す図である。図１１に示すように、垂直同期信号Ｖｓは、例えば１２０ｆｐｓ（Frame Per Second）であって、１秒間に１２０フレームの画面（表示データ）の書き込み数に対応するパルスとして示される。本実施形態の表示に寄与する有効な画素Ｐに対応して生成される極性制御信号ＰＬ１は、垂直同期信号Ｖｓの１フレームごと（１画面ごと）に極性を反転させるように、極性制御信号生成回路１２３により生成される。

図１２は垂直同期信号とダミー画素に対応して生成される極性制御信号との関係を示す図である。図１２に示すように、ダミー画素ＤＰ（ダミー画素電極１５ｄ）に印加される第１交流信号の極性を制御する極性制御信号は、ＰＬ２ａ、ＰＬ２ｂ、ＰＬ２ｃの３種類となっている。３種の極性制御信号ＰＬ２ａ，ＰＬ２ｂ，ＰＬ２ｃは、１周期の長さが同じであって、互いに位相が１周期の１／３ずつずれている。このような位相の時間的なずれは、垂直同期信号Ｖｓのパルスを例えばｎ回カウントすることで制御される。３種の極性制御信号ＰＬ２ａ，ＰＬ２ｂ，ＰＬ２ｃは、極性制御信号生成回路１２３により生成される。つまり、極性制御信号生成回路１２３は、合計４種の極性制御信号を生成する。

前述したように、画素領域Ｅには、表示に寄与する有効な複数の画素ＰがＸ方向（行方向）とＹ方向（列方向）とに配列する表示領域Ｅ１と、複数のダミー画素ＤＰがＸ方向（行方向）とＹ方向（列方向）とに配列する周辺領域Ｅ２と、が含まれている。画素Ｐ及びダミー画素ＤＰのアドレス（位置）に応じて極性が制御された表示データが出力される。

図１３は垂直同期信号と画素及びダミー画素に係る極性反転フラグ及びデータフラグとの関係を示す図である。詳しくは、図１３は画素領域Ｅにおいて列方向（Ｙ方向）に配置された画素Ｐ及びダミー画素ＤＰに供給される表示データに係る制御信号を示すものである。図１４は水平同期信号と画素及びダミー画素に係る極性反転フラグ及びデータフラグとの関係を示す図である。詳しくは、図１４は画素領域Ｅにおいて行方向（Ｘ方向）に配置された画素Ｐ及びダミー画素ＤＰに供給される表示データに係る制御信号を示すものである。

図１３に示すように、垂直同期信号Ｖｓの１フレームの期間には、１行（ライン）の表示データの書込みに対応する水平同期信号Ｈｓに対してＶカウンター１２１によってカウントされた数（０〜ｍ；この場合、ｍは１０８８）が割り当てられる。Ｖカウンター１２１のカウント数（０）はリセットを示し、カウント数（１〜４）が４つのダミー画素ＤＰを示し、カウント数（５〜ｍ−４）が複数の有効な画素Ｐを示し、カウント数（ｍ−３〜ｍ）が４つのダミー画素ＤＰを示すものである。列方向に配列するダミー画素ＤＰ、有効な画素Ｐ、ダミー画素ＤＰのそれぞれに対応して、極性反転を制御するＶ極性反転フラグと、表示データを制御するＶデータフラグとが割り付けられている。

同様にして、図１４に示すように、水平同期信号Ｈｓの１ラインの期間には、１ドット（画素）の表示データの書込みに対応するクロック信号Ｃｌｋに対してＨカウンター１２２によってカウントされた数（０〜ｎ；この場合、ｎは１９８８）が割り当てられる。Ｈカウンター１２２のカウント数（０）がリセットを示し、カウント数（１〜４）が４つのダミー画素ＤＰを示し、カウント数（５〜ｎ−４）が複数の有効な画素Ｐを示し、カウント数（ｎ−３〜ｎ）が４つのダミー画素ＤＰを示すものである。行方向に配列するダミー画素ＤＰ、有効な画素Ｐ、ダミー画素ＤＰのそれぞれに対応して、極性反転を制御するＨ極性反転フラグと、表示データを制御するＨデータフラグとが割り付けられている。

図１５はＶ極性反転フラグ及びＨ極性反転フラグと極性制御信号との関係を示すテーブルである。Ｖ極性反転フラグ及びＨ極性反転フラグは、例えば、図１５に示すように、前述した４種の極性制御信号ＰＬ１，ＰＬ２ａ，ＰＬ２ｂ，ＰＬ２ｃに対応する数値１〜４が割り当てられる。

図１６はＶデータフラグ及びＨデータフラグと表示データとの関係を示すテーブルである。Ｖデータフラグ及びＨデータフラグは、例えば、図１６に示すように、表示に寄与する有効な画素Ｐに供給される表示データ（ａ）と、電気見切りとして機能させるダミー画素ＤＰに供給される第１交流信号に対応した表示データ（ｂ）と、ダミー画素ＤＰとして機能させる表示データ（ｃ）とを示す３種の記号ａ，ｂ，ｃが割り当てられる。図１５におけるＨ極性反転フラグの「＊」印、及び図１６におけるＨデータフラグの「＊」印は、特定のダミー画素ＤＰに対応するものであって、例えば表示領域Ｅ１のＹ方向における上下においてＸ方向に連続して配置された複数のダミー画素ＤＰに対応するものである。

極性制御信号セレクター１２７は、Ｖ極性反転フラグが「１」でＨ極性反転フラグも「１」である場合は、有効な画素Ｐに供給される表示データに対応する極性制御信号ＰＬ１を選択する。極性制御信号セレクター１２７は、Ｖ極性反転フラグが「１」でＨ極性反転フラグが「２」である場合は、表示領域Ｅ１に最も近いダミー画素ＤＰ１に供給される表示データに対応する極性制御信号ＰＬ２ａを選択する。同様に、極性制御信号セレクター１２７は、Ｖ極性反転フラグが「１」でＨ極性反転フラグが「３」である場合は、ダミー画素ＤＰ１に隣り合うダミー画素ＤＰ２に供給される表示データに対応する極性制御信号ＰＬ２ｂを選択する。極性制御信号セレクター１２７は、Ｖ極性反転フラグが「１」でＨ極性反転フラグが「４」である場合は、ダミー画素ＤＰ２に隣り合うダミー画素ＤＰ３に供給される表示データに対応する極性制御信号ＰＬ２ｃを選択する。極性制御信号セレクター１２７は、Ｖ極性反転フラグが「２」でＨ極性反転フラグが「＊」である場合は、上記特定のダミー画素ＤＰにおける表示データに対応する極性制御信号ＰＬ２ａを選択する。極性制御信号セレクター１２７は、Ｖ極性反転フラグが「３」でＨ極性反転フラグが「＊」である場合は、上記特定のダミー画素ＤＰにおける表示データに対応する極性制御信号ＰＬ２ｂを選択する。極性制御信号セレクター１２７は、Ｖ極性反転フラグが「４」でＨ極性反転フラグが「＊」である場合は、上記特定のダミー画素ＤＰにおける表示データに対応する極性制御信号ＰＬ２ｃを選択する。

表示データセレクター１２６は、Ｖデータフラグが「ａ」でＨデータフラグも「ａ」の場合、入力された表示データ（Ｖｉｄｅｏ）を選択してデータ線駆動回路１０１に出力する。表示データセレクター１２６は、Ｖデータフラグが「ａ」でＨデータフラグが「ｂ」の場合、電気見切りとして機能させる印加電圧が第３の電圧である第１交流信号を選択してデータ線駆動回路１０１に出力する。表示データセレクター１２６は、Ｖデータフラグが「ａ」でＨデータフラグが「ｃ」の場合、上記特定のダミー画素ＤＰに対応した第１交流信号を選択してデータ線駆動回路１０１に出力する。表示データセレクター１２６は、Ｖデータフラグが「ｂ」でＨデータフラグが「＊」の場合、電気見切りとして機能させる印加電圧が第３の電圧である第１交流信号を選択してデータ線駆動回路１０１に出力する。表示データセレクター１２６は、Ｖデータフラグが「ｃ」でＨデータフラグが「＊」の場合、上記特定のダミー画素ＤＰに対応した第１交流信号を選択してデータ線駆動回路１０１に出力する。

このように、ダミー画素ＤＰ及び有効な画素Ｐの位置を、垂直同期信号Ｖｓのカウント範囲と、水平同期信号Ｈｓのカウント範囲とに設定し、これに対してＶ極性反転フラグ及びＨ極性反転フラグ、Ｖデータフラグ及びＨデータフラグを割り当てるＬＵＴ（Look Up Table）をメモリー１２８に予め格納しておく。表示データセレクター１２６は、垂直同期信号Ｖｓのパルスのカウント数と水平同期信号Ｈｓのパルスのカウント数と、メモリー１２８のＬＵＴとを参照して、ダミー画素ＤＰ１〜ＤＰ４、有効な画素Ｐに対応した表示データを選択して出力する。極性制御信号セレクター１２７は、同じく、垂直同期信号Ｖｓのパルスのカウント数と水平同期信号Ｈｓのパルスのカウント数と、メモリー１２８のＬＵＴとを参照して、ダミー画素ＤＰ１〜ＤＰ４、有効な画素Ｐに対応した極性制御信号を選択して出力する。これにより、データ線駆動回路１０１に入力されたタイミング信号Ｃｌｘ及び走査線駆動回路１０２に入力されたタイミング信号Ｃｌｙによって規定されたタイミングで、上記ＬＵＴに応じた信号が液晶パネル１１０に入力されて駆動される。すなわち、液晶パネル１１０のダミー画素ＤＰ及び有効な画素Ｐのそれぞれに、所望の階調及び極性の信号が供給される。

本実施形態の液晶装置１００において、ダミー画素ＤＰに第１交流信号を出力し、イオントラップ機構１１７の３つの周辺電極１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃにイオントラップ信号Ｉｔ１，Ｉｔ２，Ｉｔ３を出力可能な制御装置は、少なくともコントロール回路（制御回路）１２０と、電圧発生回路１３２とを含むものである。

本実施形態の液晶装置１００によれば、表示領域Ｅ１側から外側に向かって配置された４つのダミー画素ＤＰ１〜ＤＰ４のダミー画素電極１５ｄに対して、表示領域Ｅ１側から外側に向かう順に、基準電位に対して振幅する同一周波数で、互いに位相が異なる第１交流信号を順次出力するコントロール回路（制御回路）１２０を備えている。第１交流信号における印加電圧は、ダミー画素ＤＰの階調レベルが全黒となる第１の電圧（例えば０Ｖ）と、明るさが全黒よりも１段階上昇する第２の電圧（例えば１．０Ｖ）との間の第３の電圧（例えば０．５Ｖ）である。さらに、周辺領域Ｅ２を囲む周辺領域Ｅ３にはイオントラップ機構１１７の３つの周辺電極１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃを有し、３つの周辺電極１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃに第１交流信号と同じ基準電位に対して振幅する同一周波数で、互いに位相が異なると共に、第１交流信号よりも印加電圧が大きいイオントラップ信号Ｉｔ１，Ｉｔ２，Ｉｔ３を出力する電圧発生回路１３２を備えている。したがって、周辺領域Ｅ２を電気見切り領域として機能させつつ、表示領域Ｅ１の液晶層５０に含まれるイオン性不純物を表示領域Ｅ１から周辺領域Ｅ２を容易に経由して周辺領域Ｅ３に掃き寄せてトラップ（捕集）することができる。

イオントラップ機構１１７の３つの周辺電極１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃが設けられた周辺領域Ｅ３は、平面視で遮光層としての見切り部２１と重なっている。したがって、３つの周辺電極１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃに第１交流信号よりも印加電圧が大きいイオントラップ信号Ｉｔ１，Ｉｔ２，Ｉｔ３を印加して液晶層５０の液晶分子ＬＣの配向が乱れたとしても、液晶分子ＬＣの配向の乱れに起因する光漏れは見切り部２１によって遮光されるので、表示への影響を及ぼし難い。

イオントラップ機構１１７の３つの周辺電極１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃと対向電極２３とは平面視で重なっていないため、３つの周辺電極１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃにイオントラップ信号Ｉｔ１，Ｉｔ２，Ｉｔ３を印加したとしても、３つの周辺電極１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃと対向電極２３との間には電界が生じ難い。つまり、３つの周辺電極１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃと対向電極２３との間の電界の影響を受けずに、３つの周辺電極１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃ間に生じた横電界によってイオン性不純物を効率的に周辺領域Ｅ３に掃き寄せることができる。

（第２実施形態）
次に、第２実施形態の液晶装置とその駆動方法について、図１７及び図１８を参照して説明する。図１７は第２実施形態の液晶装置における画素及びダミー画素の配置を示す概略平面図、図１８は図１７のＡ−Ａ’線に沿った第２実施形態の液晶装置の構造を示す概略部分断面図である。第２実施形態の液晶装置は、上記第１実施形態の液晶装置１００に対してイオントラップ機構１１７を削除し、遮光層としての見切り部２１の平面的な配置を異ならせたものである。また、これに対応した駆動方法を採用している。したがって、上記第１実施形態の液晶装置１００と同じ構成には同じ符号を付して詳細な説明は省略する。

図１７に示すように、本実施形態の液晶装置２００は、シール部４０で囲まれた領域内に設けられた画素領域Ｅを有している。画素領域Ｅは、複数の画素ＰがＸ方向とＹ方向とにマトリックス状に配置された表示領域Ｅ１と、表示領域Ｅ１を囲んで複数のダミー画素ＤＰが配置された周辺領域Ｅ２を含んで構成されている。画素Ｐには画素電極１５が配置され、ダミー画素ＤＰにはダミー画素電極１５ｄが配置されている。画素電極１５及びダミー画素電極１５ｄと平面視で重なるように、表示領域Ｅ１と周辺領域Ｅ２とに亘って対向電極２３が配置されている。

表示領域Ｅ１には、例えばＸ方向に１９２０個、Ｙ方向に１０８０個の画素Ｐが配置されている。周辺領域Ｅ２には、表示領域Ｅ１側から外側に向かうＸ方向及びＹ方向にそれぞれ４つのダミー画素ＤＰが配置されている。本実施形態は、表示領域Ｅ１側から外側に向かって少なくとも４つのダミー画素ＤＰ（ダミー画素電極１５ｄ）が配置されていることを前提とするものである。

図１８に示すように、液晶装置２００は、シール部４０を介して対向配置された素子基板２１０と対向基板２２０との間に挟持された液晶層５０を有する液晶パネル２３０を備えている。素子基板２１０の基材１０ｓ及び対向基板２２０の基材２０ｓは、それぞれ透明な例えば石英基板やガラス基板が用いられている。

図１８では素子基板２１０における詳しい構成を示していないが、画素Ｐは、上記第１実施形態の液晶装置１００と同様に、画素電極１５、ＴＦＴ３０、保持容量１６を含む画素回路を有している。ダミー画素ＤＰも画素Ｐと同様に、ダミー画素電極１５ｄ、ＴＦＴ３０、保持容量１６を含む画素回路を有している。

素子基板２１０は、基材１０ｓと、複数の画素電極１５と、複数のダミー画素電極１５ｄと、画素電極１５及びダミー画素電極１５ｄを覆う配向膜１８と、を有している。表示領域Ｅ１から外側に向かって４つのダミー画素電極１５ｄが配置されている。ダミー画素電極１５ｄを有するダミー画素ＤＰについて、表示領域Ｅ１から外側に向かう順に、ダミー画素ＤＰ１、ダミー画素ＤＰ２、ダミー画素ＤＰ３、ダミー画素ＤＰ４とする。

対向基板２２０は、基材２０ｓと、遮光層としての見切り部２１と、平坦化層２２と、対向電極２３と、配向膜２４とを有している。対向電極２３は、液晶層５０を介して周辺領域Ｅ２に配置された４つのダミー画素電極１５ｄに対向するように、基材２０ｓに配置されている。対向基板２２０側に設けられた対向電極２３は、図１７に示すように、上下導通部１０６を介して素子基板２１０側に設けられた外部接続用端子１０４（ＬＣＣＯＭ）に電気的に接続されている。外部接続用端子１０４（ＬＣＣＯＭ）には、対向電極電位ＬＣＣＯＭが与えられる。

図１８に示すように、見切り部２１は、平面視で、画素領域Ｅとシール部４０との間の周辺領域Ｅ３と重なると共に、ダミー画素ＤＰ４のダミー画素電極１５ｄと重なるように配置されている。言い換えれば、見切り部２１は、複数のダミー画素電極１５ｄのうち表示領域Ｅ１側の３つのダミー画素電極１５ｄを除く残りのダミー画素電極１５ｄと平面視で重なるように基材２０ｓに配置されている。なお、見切り部２１は、少なくとも残りのダミー画素電極１５ｄと平面視で重なっていればよく、例えば残りのダミー画素電極１５ｄに隣り合う表示領域Ｅ１側から３つ目のダミー画素電極１５ｄと重なっていてもよい。

液晶装置２００は、このような液晶パネル２３０に加えて、上記第１実施形態の液晶装置１００と基本的に同じ電気的な構成を有するものである。すなわち、液晶装置２００は、液晶パネル２３０と、コントロール回路（制御回路）１２０と、フレームメモリー１３１と、電圧発生回路１３２とを備えている（図１０参照）。

本実施形態の液晶装置２００の駆動方法は、４つのダミー画素電極１５ｄのうち、表示領域Ｅ１側から外側に向かって順に配置された３つのダミー画素電極１５ｄに、基準電位に対して振幅する同一周波数で、互いに位相が異なる第１交流信号を印加する。第１交流信号における印加電圧は、ダミー画素電極１５ｄを有するダミー画素ＤＰの階調レベルが全黒となる第１の電圧と、明るさが全黒よりも１段階上昇する第２の電圧との間の第３の電圧である。残りのダミー画素電極１５ｄつまりダミー画素ＤＰ４のダミー画素電極１５ｄには、上記第１交流信号と同じ基準電位に対して振幅する同一周波数で印加電圧が第１交流信号よりも大きい第２交流信号、または印加電圧が第１交流信号よりも大きく基準電位に対して正極性または負極性の直流信号を印加する。

本実施形態の液晶装置２００において、本発明における制御装置は、少なくともコントロール回路（制御回路）１２０と、電圧発生回路１３２とを含むものである。
コントロール回路（制御回路）１２０は、入力された同期信号（Ｖｓ，Ｈｓ，Ｃｌｋ）に基づいて、有効な画素Ｐにそのアドレスに対応した表示データを選択して出力する。また、コントロール回路（制御回路）１２０は、入力された同期信号（Ｖｓ，Ｈｓ，Ｃｌｋ）に基づいて、ダミー画素ＤＰにそのアドレスに対応付けられた第１交流信号または第２交流信号あるいは上記直流信号を出力する。画素Ｐと表示データとの対応付け、及びダミー画素ＤＰと第１交流信号または第２交流信号あるいは上記直流信号との対応付けは、例えばＬＵＴとしてメモリー１２８に予め格納される。

第１交流信号は、例えば０Ｖを基準電位として振幅する印加電圧（第３の電圧）が０．５Ｖの矩形波である。第２交流信号は、第１交流信号と同じ周波数であって、例えば０Ｖを基準電位として振幅する印加電圧が５．０Ｖの矩形波である。直流信号は、例えば０Ｖを基準電位とする、＋５．０Ｖまたは−５．０Ｖの直流電圧である。

上記第２実施形態の液晶装置２００とその駆動方法によれば、周辺領域Ｅ２に配置された４つのダミー画素電極１５ｄのうち、表示領域Ｅ１側から外側に向かう３つのダミー画素電極１５ｄを電気見切りとして機能させつつ、図１８に示すように、隣り合うダミー画素電極間に生ずる横電界の移動によって、液晶層５０に含まれるイオン性不純物を表示領域Ｅ１から周辺領域Ｅ２へ掃き寄せることができる。加えて、表示領域Ｅ１側の３つのダミー画素電極１５ｄを除く残りのダミー画素電極１５ｄには、印加電圧が第１交流信号よりも大きい第２交流信号、または印加電圧が第１交流信号よりも大きく基準電位に対して正極性または負極性の直流信号が印加されることから、周辺領域Ｅ２に掃き寄せられたイオン性不純物を捕捉して再び表示領域Ｅ１に拡散することを抑制できる。

さらに、遮光層としての見切り部２１は、少なくとも残りのダミー画素電極１５ｄと平面視で重なるように配置されている。したがって、残りのダミー画素電極１５ｄに第２交流信号あるいは上記直流信号を印加してイオン性不純物が捕集され集積されることに起因して液晶分子ＬＣの配向が乱れたとしても、液晶分子ＬＣの配向の乱れに起因する光漏れは、見切り部２１によって遮光されるので、表示に影響が及ばない。

つまり、上記第２実施形態の液晶装置２００は、上記第１実施形態の液晶装置１００におけるイオントラップ機構１１７の機能を、周辺領域Ｅ２に配置された複数のダミー画素電極１５ｄのうち、表示領域Ｅ１側の３つのダミー画素電極１５ｄを除く残りのダミー画素電極１５ｄに与えたものである。よって、上記第１実施形態に比べて、液晶パネル２３０を簡素な構成としつつ、イオン性不純物を表示領域Ｅ１よりも外側に掃き寄せることができる構成となっている。

（第３実施形態）
次に、第３実施形態の液晶装置とその駆動方法について、図１９〜図２２を参照して説明する。図１９は第３実施形態の液晶装置の表示領域の台形補正の一例を示す概略平面図、図２０は表示領域の台形補正に係るダミー画素の扱いと極性制御信号との関係を示す図、図２１及び図２２は表示領域の台形補正における他の例を示す概略平面図である。なお、図２０は、図１９に破線Ｆで囲んだ領域を拡大して示した概略部分平面図である。

第３実施形態の液晶装置は、上記第１実施形態の液晶装置１００または上記第２実施形態の液晶装置２００と同じ電気的な構成を有するものである。また、第３実施形態の液晶装置の駆動方法は、第３実施形態の液晶装置を例えば後述する投射型表示装置の光変調手段（ライトバルブ）として用いたときに、投射による表示領域Ｅ１の変形を電気的に補正する方法に係るものである。したがって、上記第１実施形態の液晶装置１００または上記第２実施形態の液晶装置２００と同じ構成には同じ符号を付して詳細な説明は省略する。

図１９に示すように、本実施形態の液晶装置３００は、シール部４０によって囲まれた領域内に画素領域Ｅを有している。画素領域Ｅは、複数の画素ＰがＸ方向とＹ方向とにマトリックス状に配置された表示領域Ｅ１と、複数のダミー画素ＤＰが表示領域Ｅ１を囲むように配置された周辺領域Ｅ２とを含んで構成されている。

液晶装置３００における本来の表示領域Ｅ１は平面視で画素領域Ｅと同様な四角形であるが、図１９は投射による表示領域Ｅ１の変形を電気的に台形補正した例を示すものである。具体的には、表示領域Ｅ１の上辺に対して下辺の長さが短くなるように、表示領域Ｅ１の行を構成する画素Ｐの数を第１行から第ｍ行に行くにしたがって行の両端側の画素Ｐを段階的に減らす補正を行っている。その一方で、減らした分の画素Ｐをダミー画素ＤＰとして扱っている。

このような表示領域Ｅ１の台形補正は、例えば、壁面などに配置された被投射物としてのスクリーンの中心を通って正面に延びる水平線に対して伏角または仰角を有して投射型表示装置が配置された場合に適用される。

本実施形態の液晶装置３００は、上記第１実施形態の液晶装置１００または上記第２実施形態の液晶装置２００と同じ電気的な構成を有するものである。すなわち、液晶装置３００は、液晶パネル１１０（または液晶パネル２３０）と、コントロール回路（制御回路）１２０と、フレームメモリー１３１と、電圧発生回路１３２とを備えている（図１０参照）。

本実施形態の液晶装置３００の駆動方法は、複数の画素電極１５が配置された表示領域Ｅ１を囲む周辺領域Ｅ２に表示領域Ｅ１側から外側に向かって少なくとも３つのダミー画素電極１５ｄが配置され、対向電極２３は、平面視で少なくとも表示領域Ｅ１及び周辺領域Ｅ２に亘って配置されている。少なくとも３つのダミー画素電極１５ｄには、表示領域Ｅ１側から外側に向かう順に、基準電位に対して振幅する同一周波数で、互いに位相が異なる第１交流信号を印加する。第１交流信号における印加電圧は、ダミー画素電極１５ｄを有するダミー画素ＤＰの階調レベルが全黒となる第１の電圧と、明るさが全黒よりも１段階上昇する第２の電圧との間の第３の電圧である。加えて、台形補正の制御指示によって表示に寄与する画素電極１５の数が表示領域Ｅ１の行方向及び／または列方向に亘って減ぜられたとき、減ぜられた分の画素電極１５をダミー画素電極１５ｄとして扱って、台形補正後の有効な表示領域Ｅ１に沿った部分のダミー画素電極１５ｄとして扱われた画素電極１５には、同一の位相の第１交流信号を印加し、当該画素電極１５から外側に位置する画素電極１５には位相が異なる第１交流信号を印加する。

具体的には、図１９は前述したように行方向に亘って画素Ｐが減ぜられた場合を示しており、その際には、図２０に示すように、台形補正後の有効な表示領域Ｅ１の外縁に位置する画素Ｐ（画素電極１５）にＸ方向に隣り合うダミー画素ＤＰ（ダミー画素電極１５ｄ）あるいは台形補正によってダミー画素ＤＰ（ダミー画素電極１５ｄ）として扱われる画素Ｐ（画素電極１５）には、コントロール回路（制御回路）１２０から表示データとして第１交流信号が選択されて出力されると共に、極性制御信号ＰＬ２ａが選択されて出力される。つまり、台形補正後の有効な表示領域Ｅ１の外縁に位置する画素Ｐ（画素電極１５）にＸ方向に隣り合うダミー画素ＤＰ（ダミー画素電極１５ｄ）あるいは台形補正によってダミー画素ＤＰ（ダミー画素電極１５ｄ）として扱われる画素Ｐ（画素電極１５）には、極性制御信号ＰＬ２ａによって極性の反転タイミングが制御された第１交流信号が出力される。

複数のダミー画素ＤＰ（ダミー画素電極１５ｄ）には、表示領域Ｅ１側から外側に向かう順に、基準電位（例えば０Ｖ）に対して振幅する同一周波数で、印加電圧（第３の電圧）が０．５Ｖの互いに位相が異なる第１交流信号（矩形波）が印加される。具体的には、極性制御信号ＰＬ２ａによって極性の反転タイミングが制御された第１交流信号が印加されたダミー画素ＤＰ（ダミー画素電極１５ｄ）にＸ方向に隣り合うダミー画素ＤＰ（ダミー画素電極１５ｄ）には、極性制御信号ＰＬ２ｂによって極性の反転タイミングが制御された第１交流信号が印加される。また、極性制御信号ＰＬ２ｂによって極性の反転タイミングが制御された第１交流信号が印加されたダミー画素ＤＰ（ダミー画素電極１５ｄ）にＸ方向に隣り合うダミー画素ＤＰ（ダミー画素電極１５ｄ）には、極性制御信号ＰＬ２ｃによって極性の反転タイミングが制御された第１交流信号が印加される。極性制御信号ＰＬ２ａ，ＰＬ２ｂ，ＰＬ２ｃは、図１２に示したように、互いに位相が１周期の１／３ずつずれている。
なお、図２０では、同一の極性制御信号によって極性の反転タイミングが制御された第１交流信号が印加されるダミー画素ＤＰに同じ模様のハッチングを施して示している。

なお、表示領域Ｅ１の台形補正は行方向に限定されるものではない。例えば、図２１に示すように、表示領域Ｅ１の左辺に対して右辺の長さが短くなるように、表示領域Ｅ１の列を構成する画素Ｐの数を第１列から第ｎ列に行くにしたがって列の両端側の画素Ｐを段階的に減らす補正を行い、減らした分の画素Ｐをダミー画素ＤＰとして扱う台形補正にも適用できる。当然ながら、表示領域Ｅ１の右辺に対して左辺の長さが短くなるように台形補正する場合にも適用できる。このような表示領域Ｅ１の台形補正は、例えば、壁面などに配置された被投射物としてのスクリーンの中心を通り正面に延びる水平線に対して、水平方向に左側または右側に投射型表示装置が配置された場合に適用される。

また、例えば、図２２に示すように、表示領域Ｅ１の上辺に対して下辺の長さが短くなるように、表示領域Ｅ１の行を構成する画素Ｐの数を第１行から第ｍ行に行くにしたがって行の両端側の画素Ｐを段階的に減らす補正を行う。また、左辺に対して右辺の長さが短くなるように、表示領域Ｅ１の列を構成する画素Ｐの数を第１列から第ｎ列に行くにしたがって列の両端側の画素Ｐを段階的に減らす補正を行う。そして、減らした分の画素Ｐをダミー画素ＤＰとして扱う台形補正にも適用できる。当然ながら、表示領域Ｅ１の下辺に対して上辺の長さが短く、右辺に対して左辺の長さが短くなるように台形補正する場合にも適用できる。このような表示領域Ｅ１の台形補正は、例えば、壁面などに配置された被投射物としてのスクリーンの中心を通り正面に延びる水平線に対して、伏角または仰角を有し、且つ水平方向に左側または右側に投射型表示装置が配置された場合に適用される。

本実施形態の液晶装置３００において、本発明における制御装置は、上記のような台形補正に対応して、電気見切りとして機能させるダミー画素ＤＰ及び画素Ｐに第１交流信号を出力可能な少なくともコントロール回路（制御回路）１２０と、電圧発生回路１３２とを含むものである。

上記第３実施形態の液晶装置３００とその駆動方法によれば、台形補正後の隣り合うダミー画素電極間に、有効な表示領域Ｅ１側から外側に向かって移動する横電界が生ずる。当該横電界の移動に伴って液晶層５０に含まれるイオン性不純物は、台形補正後の有効な表示領域Ｅ１から周辺領域Ｅ２に掃き寄せられる。また、台形補正後の周辺領域Ｅ２は電気見切り領域として機能するので、見栄えのよい表示状態が台形補正後も維持される。

なお、表示領域Ｅ１の台形補正の割合は、被投射物と投射型表示装置との相対的な位置関係によって異なる。したがって、行方向及び／または列方向における補正の割合を例えば１０段階程度異ならせた台形補正の水準をＬＵＴとしてメモリー１２８に予め格納しておき、表示データセレクター１２６により参照可能としておく。

また、液晶装置３００は、上記第１実施形態の液晶装置１００と同様に、周辺領域Ｅ２を囲む周辺領域Ｅ３に３つの周辺電極１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃを配置したイオントラップ機構１１７を備えれば、周辺領域Ｅ２に掃き寄せたイオン性不純物をさらに外側の周辺領域Ｅ３にトラップ（捕集）して再び周辺領域Ｅ２や表示領域Ｅ１に拡散することを抑制することができる。

また、液晶装置３００は、上記第２実施形態の液晶装置２００と同様に、周辺領域Ｅ２において、表示領域Ｅ１側から外側に向かって少なくとも４つのダミー画素電極１５ｄを配置し、このうちの少なくとも３つのダミー画素電極１５ｄを電気見切りとして利用し、残りのダミー画素電極１５ｄに第１交流信号と同じ基準電位に対して振幅する同一周波数であって、印加電圧が第１交流信号よりも大きな第２交流信号または基準電位に対して正極性または負極性の直流信号を印加するとしてもよい。

（第４実施形態）
次に、第４実施形態の液晶装置とその駆動方法について、図２３を参照して説明する。図２３は第４実施形態の液晶装置の駆動方法が適用された画素領域を正面から見て左上の角部周辺を示す図である。なお、図２３の画素を示す破線のマス目に示された数字及びａ、ｂ、ｃは、当該画素に印加されるデータ信号の印加電圧（Ｖ）の値を示すものである。ａは０Ｖを示し、ｂは１．００Ｖを示し、ｃは１．６７Ｖを示すものである。

第４実施形態の液晶装置は、上記第１実施形態の液晶装置１００または上記第２実施形態の液晶装置２００と同じ電気的な構成を有するものである。また、第４実施形態の液晶装置の駆動方法は、周辺領域Ｅ２に配置された複数のダミー画素ＤＰをイオン性不純物を掃き寄せる手段として利用し、掃き寄せ効率の向上を図ることを目的として開発された方法である。したがって、上記第１実施形態の液晶装置１００または上記第２実施形態の液晶装置２００と同じ構成には同じ符号を付して詳細な説明は省略する。

本実施形態の液晶装置４００の駆動方法は、表示領域Ｅ１の外縁に配置された画素電極１５には、表示データに応じたデータ信号を印加し、表示領域Ｅ１を囲む周辺領域Ｅ２に配置された少なくとも３つのダミー画素電極１５ｄには、表示領域Ｅ１側から外側に向かう順に、基準電位に対して振幅する同一周波数で、互いに位相が異なると共に、上記データ信号の１／３以下の印加電圧の第１交流信号を印加する。

具体的には、図２３に示すように、表示領域Ｅ１の角部周辺の外縁に配置された画素Ｐの画素電極１５には、表示データに応じたデータ信号が印加される。この場合、例えば、表示領域Ｅ１の角部を起点としてＸ方向及びＹ方向に配列する３つの画素Ｐの画素電極１５には、データ信号として対向電極電位ＬＣＣＯＭと同じ例えば０Ｖが印加される。つまり、表示領域Ｅ１の角部を起点としてＸ方向及びＹ方向に配列する３つの画素Ｐは全黒表示となる。また、表示領域Ｅ１の角部を起点としてＸ方向及びＹ方向に配列する４番目から６番目の３つの画素Ｐの画素電極１５には、データ信号として印加電圧が３Ｖの交流信号が印加される。表示領域Ｅ１の角部を起点としてＸ方向及びＹ方向に配列する７番目以降の画素Ｐの画素電極１５には、データ信号として印加電圧が５Ｖの交流信号が印加されるとする。つまり、表示領域Ｅ１の角部を起点としてＸ方向及びＹ方向に配列する４番目から６番目の画素Ｐはハーフトーン表示となり、７番目以降の画素Ｐは全白表示となる。

これらのデータ信号が印加された画素Ｐに対して、Ｘ方向及び／またはＹ方向に隣り合うダミー画素ＤＰのダミー画素電極１５ｄには、当該画素Ｐの画素電極１５に印加されたデータ信号の１／３の印加電圧の第１交流信号が印加される。具体的には、表示領域Ｅ１の角部を起点としてＸ方向及びＹ方向に配列する１番目から３番目の画素Ｐ（画素電極１５）にＸ方向及びＹ方向に隣り合うダミー画素ＤＰのダミー画素電極１５ｄには、印加電圧が対向電極電位ＬＣＣＯＭと同じａ＝０Ｖの第１交流信号（定電位）が与えられる。表示領域Ｅ１の角部を起点としてＸ方向及びＹ方向に配列する４番目から６番目の画素Ｐ（画素電極１５）にＸ方向及びＹ方向に隣り合うダミー画素ＤＰのダミー画素電極１５ｄには、印加電圧がｂ＝１．００Ｖの第１交流信号が与えられる。表示領域Ｅ１の角部を起点としてＸ方向及びＹ方向に配列する７番目以降の画素Ｐ（画素電極１５）にＸ方向及びＹ方向に隣り合うダミー画素ＤＰのダミー画素電極１５ｄには、印加電圧がｃ＝１．６７Ｖの第１交流信号が与えられる。これらのダミー画素電極１５ｄに印加される第１交流信号は、極性の反転タイミングが極性制御信号ＰＬ２ａによって制御されたものである。そして、極性制御信号ＰＬ２ａによって極性の反転タイミングが制御された第１交流信号が印加されるダミー画素ＤＰの外側において隣り合うダミー画素ＤＰのダミー画素電極１５ｄには、印加電圧が同じであって、極性制御信号ＰＬ２ｂによって極性の反転タイミングが制御された第１交流信号が印加される。同様に、極性制御信号ＰＬ２ｂによって極性の反転タイミングが制御された第１交流信号が印加されるダミー画素ＤＰの外側において隣り合うダミー画素ＤＰのダミー画素電極１５ｄには、印加電圧が同じであって、極性制御信号ＰＬ２ｃによって極性の反転タイミングが制御された第１交流信号が印加される。

このような第１交流信号の印加を可能とする制御装置について、図１０を参照して説明する。本実施形態の液晶装置４００もまた例えば、図１０に示した、コントロール回路（制御回路）１２０と、フレームメモリー１３１と、電圧発生回路１３２とを備えている。なお、本実施形態における液晶パネルは、周辺領域Ｅ２において表示領域Ｅ１側から外側に向かって少なくとも３つのダミー画素ＤＰ（ダミー画素電極１５ｄ）を有するものであればよい。

フレームメモリー１３１には、フレームごとの表示領域Ｅ１におけるデータ信号の構成が画素Ｐごとに記憶される。メモリー１２８には、上述した液晶装置４００の駆動方法におけるダミー画素ＤＰの配置に応じた表示データつまり第１交流信号に係る印加電圧（ａ、ｂ、ｃ）と極性制御信号（ＰＬ２ａ、ＰＬ２ｂ、ＰＬ２ｃ）の割り付けが例えばＬＵＴとして格納されている。信号処理回路１２５の表示データセレクター１２６は、フレームメモリー１３１に記憶されたフレームごとの表示領域Ｅ１の外縁に配置された画素Ｐに係るデータ信号と、Ｖカウンター１２１による垂直同期信号Ｖｓのパルスのカウント数と、Ｈカウンター１２２による水平同期信号Ｈｓのパルスのカウント数と、メモリー１２８の上記ＬＵＴとを参照して、表示領域Ｅ１側から外側に向かって順に配置された３つのダミー画素ＤＰ（ダミー画素電極１５ｄ）に対応した表示データとしての第１交流信号を選択して出力する。当該第１交流信号の印加電圧はデータ信号の１／３以下となる。信号処理回路１２５の極性制御信号セレクター１２７は、同じく、Ｖカウンター１２１による垂直同期信号Ｖｓのパルスのカウント数と、Ｈカウンター１２２による水平同期信号Ｈｓのパルスのカウント数と、メモリー１２８の上記ＬＵＴとを参照して、表示領域Ｅ１側から外側に向かって順に配置された３つのダミー画素ＤＰに対応した極性制御信号を選択して出力する。

実際には、表示領域Ｅ１の外縁に配置された画素Ｐ（画素電極１５）に係るデータ信号はフレームごとに必ずしも一定でなく変化するため、表示領域Ｅ１側から外側に向かって順に配置された３つのダミー画素ＤＰのダミー画素電極１５ｄに印加される第１交流信号の印加電圧もまたフレームごとに変化することになる。つまり、表示領域Ｅ１と周辺領域Ｅ２の境界に位置するダミー画素ＤＰの駆動状態は、これに隣り合う画素ＤＰの駆動状態に追従して動的に変化することになる。

また、ダミー画素ＤＰ（ダミー画素電極１５ｄ）に印加される第１交流信号の印加電圧を画素Ｐに印加される最大電圧（本実施形態の場合は５Ｖ）の１／３以下とすることは、無機配向膜を採用したときのＶｔｈ（閾値電圧）以下に相当するため光漏れが目立ち難い。

上記第１実施形態の液晶装置１００、上記第２実施形態の液晶装置２００、上記第３実施形態の液晶装置３００に係る駆動方法は、いずれもダミー画素ＤＰが配置された周辺領域Ｅ２を電気見切り領域として機能させることができるが、本実施形態の液晶装置４００では、上述したようにダミー画素ＤＰの駆動状態は、全白表示にならないものの、全黒表示からハーフトーン表示の間で動的に変化する。このようなダミー画素ＤＰの駆動状態は、表示領域Ｅ１の外縁に配置された画素Ｐの駆動状態に追従していることから、表示領域Ｅ１に亘る表示状態に影響を及ぼし難い。すなわち、ダミー画素ＤＰの駆動状態は電気見切りとして機能しないものの目立ち難い。一方で、表示領域Ｅ１側から外側に向かって配置された３つのダミー画素電極１５ｄには、表示領域Ｅ１側から外側に向かう順に、位相が１周期の１／３ずつずれた第１交流信号が印加される。これによって、隣り合うダミー画素電極間に生ずる横電界の移動に伴って、液晶層５０に含まれるイオン性不純物は、表示領域Ｅ１から周辺領域Ｅ２に掃き寄せられて捕集される。本実施形態において、ダミー画素電極１５ｄに印加される第１交流信号の印加電圧は動的に変化するものの、電気見切りとして機能させる必要がないことから、上記第１実施形態〜第３実施形態に比べてより大きな印加電圧の第１交流信号とすることができ、イオン性不純物を比較的に効率よく掃き寄せることができる。

このような液晶装置４００の駆動方法を実現可能な制御装置としては、少なくともコントロール回路（制御回路）１２０と、フレームメモリー１３１とを備えていればよい。

なお、少なくとも３つのダミー画素電極１５ｄに印加される第１交流信号の印加電圧は、表示領域Ｅ１の外縁に配置された画素電極１５に印加されるデータ信号の印加電圧の１／３以下であることに限定されない。例えば、表示領域Ｅ１の外縁に沿って配置された少なくとも２つの画素電極１５に印加されるデータ信号の平均印加電圧の１／３以下の印加電圧としてもよい。これによれば、表示領域Ｅ１と周辺領域Ｅ２との境界におけるダミー画素ＤＰの階調の変化を緩やかにして目立ち難くすることができる。

また、本実施形態の液晶装置４００は、上記第１実施形態の液晶装置１００と同様に、周辺領域Ｅ３に３つの周辺電極１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃを備えるイオントラップ機構１１７を備えていてもよい。また、上記第２実施形態の液晶装置２００と同様に、周辺領域Ｅ２に表示領域Ｅ１側から外側に向かって少なくとも４つのダミー画素ＤＰ（ダミー画素電極１５ｄ）を有する構成とし、遮光層としての見切り部２１と平面視で重なる残りのダミー画素電極１５ｄに第１交流信号よりも印加電圧が大きい第２交流信号または、基準電位に対して正極性または負極性の直流信号を印加してもよい。

（第５実施形態）
＜電子機器＞
上記各実施形態の液晶装置を適用可能な電子機器として、投射型表示装置を例に挙げ、図２４を参照して説明する。図２４は電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図である。

図２４に示すように、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。

偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。

ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。

ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。

液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（表示データ）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投写され、画像が拡大されて表示される。

液晶ライトバルブ１２１０は、上述したイオントラップ機構を有する上記第１実施形態の液晶装置１００が適用されたものである。液晶パネル１１０の色光の入射側と射出側とにクロスニコルに配置された一対の偏光素子が隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。

このような投射型表示装置１０００によれば、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０として、上記液晶装置１００が用いられているので、イオン性不純物に起因する表示不具合が改善され、優れた表示品質を長期に亘って維持することが可能な高い信頼性を有する投射型表示装置１０００を提供することができる。なお、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０として、前述した第２実施形態の液晶装置２００、第３実施形態の液晶装置３００、第４実施形態の液晶装置４００のいずれかを用いても同様な効果が得られる。

本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲および明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う液晶装置の駆動方法及び液晶装置ならびに該液晶装置を適用する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。

（変形例１）周辺領域Ｅ３（第２周辺領域）に配置されイオントラップ機構として機能する周辺電極の数は、３つであることに限定されない。図２５は変形例の液晶装置の構造を示す概略部分断面図、図２６及び図２７は変形例の周辺電極の配置を示す概略平面図である。

例えば、図２５に示すように、変形例の液晶装置５００Ａは、素子基板５１０と対向基板５２０との間に挟持された液晶層５０を有する液晶パネル５５０を備えている。素子基板５１０は、基材１０ｓと、表示領域Ｅ１に画素Ｐごとに設けられた画素電極１５と、周辺領域Ｅ２において表示領域Ｅ１側から外側に向かって配置された少なくとも３つのダミー画素電極１５ｄと、シール部４０と周辺領域Ｅ２との間の周辺領域Ｅ３に設けられた周辺電極１７Ｄと、これらの電極を覆う配向膜１８とを有している。対向基板５２０は、基材２０ｓと、基材２０ｓの周辺領域Ｅ３に設けられた遮光層としての見切り部２１と、平坦化層２２と、対向電極２３と、対向電極２３を覆う配向膜２４とを有している。対向電極２３は、液晶層５０を介して、画素電極１５、ダミー画素電極１５ｄ、周辺電極１７Ｄと対向するように基材２０ｓに設けられている。

素子基板５１０のダミー画素ＤＰ１，ＤＰ２，ＤＰ３のダミー画素電極１５ｄには、表示領域Ｅ１側から外側に向かって、基準電位に対して振幅する同一周波数で、互いに位相が１周期の１／３ずつずれた第１交流信号が印加される。第１交流信号の印加電圧は、ダミー画素ＤＰの階調レベルが全黒となる第１の電圧と、明るさが全黒よりも１段階上昇する第２の電圧との間の第３の電圧である。
一方、周辺電極１７Ｄは、平面視で周辺領域Ｅ２を囲むようにリング状に設けられ、その幅は、ダミー画素電極１５ｄの幅よりも大きい。また、周辺電極１７Ｄには、対向電極２３に印加される基準電位に対して正極性または負極性の直流信号が印加される。直流信号の印加電圧は、上記第１交流信号の印加電圧（第３の電圧）よりも大きい。

このような液晶装置５００Ａとその駆動方法によれば、ダミー画素ＤＰ１，ＤＰ２，ＤＰ３が配置された周辺領域Ｅ２を電気見切り領域として機能させつつ、液晶層５０に含まれるアニオン系またはカチオン系のイオン性不純物を表示領域Ｅ１から周辺領域Ｅ２（第１周辺領域）へ、さらに周辺領域Ｅ２よりも外側の周辺領域Ｅ３（第２周辺領域）に掃き寄せてトラップ（捕集）することができる。

また、例えば、図２６に示すように、変形例の液晶装置５００Ｂは、上記変形例の液晶装置５００Ａと基本的に同じ構成であって、周辺領域Ｅ３に一対の周辺電極１７Ｅ，１７Ｆを有している。一対の周辺電極１７Ｅ，１７Ｆは、配向膜１８，２４の平面視における斜め蒸着方向（Ｙ方向に対して角度θａで交わる方向）における、周辺領域Ｅ２の角部に沿った部分にＬ字状に設けられている。つまり、一対の周辺電極１７Ｅ，１７Ｆは、液晶層５０の液晶分子ＬＣのプレチルト方向に配置されている。

一対の周辺電極１７Ｅ，１７Ｆは外部接続用端子１０４（Ｉｄ）に接続されている。外部接続用端子１０４（Ｉｄ）には、基準電位に対して正極性または負極性の直流信号Ｉｄが供給される。周辺領域Ｅ２には表示領域Ｅ１側から外側に向かって少なくとも３つのダミー画素電極１５ｄが配置されている。３つのダミー画素電極１５ｄには、表示領域Ｅ１側から外側に向かう順に、基準電位に対して振幅する同一周波数で、互いに位相が異なる第１交流信号が印加される。第１交流信号における印加電圧は、ダミー画素ＤＰの階調レベルが全黒となる第１の電圧と、明るさが全黒よりも１段階上昇する第２の電圧との間の第３の電圧である。なお、直流信号Ｉｄの印加電圧は、第１交流信号の印加電圧よりも大きい。

これによれば、周辺領域Ｅ２を電気見切り領域として機能させつつ、液晶層５０に含まれるアニオン系またはカチオン系のイオン性不純物を、液晶分子ＬＣのプレチルト方向に沿って生ずるフローによって運び、周辺領域Ｅ２を経て一対の周辺電極１７Ｅ，１７Ｆに効率的にトラップ（捕集）することが可能な液晶装置５００Ｂを提供することができる。

なお、周辺領域Ｅ２に配置されたすべてのダミー画素電極１５ｄに第１交流信号を印加せずに、一対の周辺電極１７Ｅ，１７Ｆに沿った、図２６において破線Ｂで囲まれた領域に配置されたダミー画素電極１５ｄに限って第１交流信号を印加し、他のダミー画素電極１５ｄには、電気見切りとして機能させるべく対向電極電位ＬＣＣＯＭと同じ電位を印加してもよい。これによれば、イオン性不純物の掃き寄せ手段として機能させるダミー画素電極１５ｄを限定して、表示に及ぼす影響を抑えることができる。

また、例えば、図２７に示すように、変形例の液晶装置５００Ｃは、上記変形例の液晶装置５００Ａと基本的に同じ構成であって、周辺領域Ｅ３において、シール部４０の注入口４１に対してＹ方向に所定の間隔をおいてＸ方向に延在する島状の周辺電極１７Ｇを有している。周辺電極１７Ｇは外部接続用端子１０４（Ｉｄ）に接続されている。外部接続用端子１０４（Ｉｄ）には、基準電位に対して正極性または負極性の直流信号Ｉｄが供給される。周辺領域Ｅ２には表示領域Ｅ１側から外側に向かって少なくとも３つのダミー画素電極１５ｄが配置されている。３つのダミー画素電極１５ｄには、表示領域Ｅ１側から外側に向かう順に、基準電位に対して振幅する同一周波数で、互いに位相が異なる第１交流信号が印加される。第１交流信号における印加電圧は、ダミー画素ＤＰの階調レベルが全黒となる第１の電圧と、明るさが全黒よりも１段階上昇する第２の電圧との間の第３の電圧である。

これによれば、周辺領域Ｅ２を電気見切り領域として機能させつつ、注入口４１を塞いだ封止剤４２から例えば硬化開始剤などのアニオン系またはカチオン系のイオン性不純物が液晶層５０に拡散したとしても、周辺領域Ｅ２を経てあるいは直接に周辺電極１７Ｇに効率的にトラップ（捕集）することが可能な液晶装置５００Ｃを提供することができる。

なお、上記液晶装置５００Ｂと同様に、周辺領域Ｅ２に配置されたすべてのダミー画素電極１５ｄに第１交流信号を印加せずに、周辺電極１７Ｇに沿った、図２７において破線Ｃで囲まれた領域に配置されたダミー画素電極１５ｄに限って第１交流信号を印加し、他のダミー画素電極１５ｄには、電気見切りとして機能させるべく対向電極電位ＬＣＣＯＭと同じ電位を印加してもよい。これによれば、イオン性不純物の掃き寄せ手段として機能させるダミー画素電極１５ｄを限定して、表示に及ぼす影響を抑えることができる。

上記変形例の液晶装置５００Ａ，５００Ｂ，５００Ｃでは、ダミー画素電極１５ｄが配置された周辺領域Ｅ２（第１周辺領域）を囲む周辺領域Ｅ３（第２周辺領域）に直流信号が印加される周辺電極１７Ｄ，１７Ｅ，１７Ｆ，１７Ｇを配置する例を示したが、周辺電極１７Ｄ，１７Ｅ，１７Ｆ，１７Ｇを除いた構成としてもよい。つまり、表示領域Ｅ１側から外側に向かって配置された少なくとも３つのダミー画素電極１５ｄに互いに位相が異なると共に、印加電圧が第３の電圧である第１交流信号を印加することによって、電気見切り領域として機能させつつ、イオン性不純物の掃き寄せ手段とすることができる。すなわち、本発明に係る液晶装置は、表示領域Ｅ１側から外側に向かって配置された少なくとも３つのダミー画素電極１５ｄに、基準電位に対して振幅する同一周波数で、互いに位相が異なると共に、印加電圧が第３の電圧である第１交流信号を出力する制御装置を備えればよい。

（変形例２）上記第２実施形態では、表示領域Ｅ１側から外側に向かう３つのダミー画素電極１５ｄに互いに位相が異なる第１交流信号を印加し、残りのダミー画素電極１５ｄに第１交流信号の印加電圧よりも大きい印加電圧の第２交流信号を印加するとしたがこれに限定されない。例えば、残りのダミー画素電極１５ｄには第１交流信号の印加電圧と同じで、第１交流信号よりも周波数が小さい第２交流信号を印加するとしてもよい。前述したように、イオン性不純物の掃き寄せ効果は、イオン性不純物の移動度に影響される。したがって、周波数をより小さくすることでイオン性不純物の掃き寄せ効果を高めることができる。

（変形例３）本発明が適用される液晶装置は、透過型であることに限定されず、画素電極１５やダミー画素電極１５ｄが光反射性の導電膜で構成される反射型の液晶装置にも適用可能である。

（変形例４）上記実施形態の液晶装置１００，２００，３００，４００を適用可能な電子機器は、上記第５実施形態の投射型表示装置１０００に限定されない。例えば、液晶装置として画素に着色層を有するカラーフィルターを備える構成とすることで、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、ＰＯＳなどの情報端末機器の表示部として好適に用いることができる。

１５…画素電極、１５ｄ…ダミー画素電極、１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃ，１７Ｄ，１７Ｅ，１７Ｆ，１７Ｇ…周辺電極、２１…遮光層としての見切り部、２３…対向電極、５０…液晶層、１００，２００，３００，４００，５００Ａ，５００Ｂ，５００Ｃ…液晶装置、１０００…電子機器としての投射型表示装置、Ｅ１…表示領域、Ｅ２…第１周辺領域としての周辺領域、Ｅ３…第２周辺領域としての周辺領域。

Claims (13)

1. 画素領域に、複数の画素電極が配置された領域と、該複数の画素電極が配置された領域の外側に、順に外側に向かって配置された少なくとも３つのダミー画素電極と、を有し、該画素領域の外側に順に外側に向かって配置された複数の周辺電極と、平面視で前記複数の画素電極及び前記３つのダミー画素電極と重なる対向電極とを備えた液晶装置の駆動方法であって、
   前記３つのダミー画素電極には、それぞれ外側に向かう順に、基準電位に対して振幅する同一周波数であると共に、互いに位相が異なる交流信号を印加し、
   前記複数の周辺電極には、それぞれ外側に向かう順に、基準電位に対して振幅する同一周波数であると共に、互いに位相が異なる交流信号を印加し、
   前記３つのダミー画素電極に印加される交流信号の電圧は、前記ダミー画素電極を有するダミー画素の階調レベルが黒となる第１の電圧と、明るさが黒よりも１段階上昇する第２の電圧との間の第３の電圧であり、
   前記複数の周辺電極には、前記３つのダミー画素電極に印加される交流信号よりも電圧が大きい交流信号を印加する、液晶装置の駆動方法。
2. 前記複数の周辺電極は、前記画素領域を囲むように配置されている、請求項１に記載の液晶装置の駆動方法。
3. 前記複数の周辺電極と重なる遮光層を備える、請求項１に記載の液晶装置の駆動方法。
4. 前記複数の周辺電極に隣り合う前記ダミー画素電極に印加される交流信号の位相と前記複数の周辺電極に印加される交流信号の位相とは異なっている、請求項１に記載の液晶装置の駆動方法。
5. 画素領域に、複数の画素電極が配置された領域と、該複数の画素電極が配置された領域の外側に、順に外側に向かって配置された少なくとも４つのダミー画素電極と、を有し、平面視で前記複数の画素電極及び前記４つのダミー画素電極と重なる対向電極を備えた液晶装置の駆動方法であって、
   前記４つのダミー画素電極のうち３つのダミー画素電極には、それぞれ外側に向かう順に、基準電位に対して振幅する同一周波数であると共に、互いに位相が異なる第１交流信号を印加し、
   前記第１交流信号の電圧は、前記ダミー画素電極を有するダミー画素の階調レベルが黒となる第１の電圧と、明るさが黒よりも１段階上昇する第２の電圧との間の第３の電圧であり、
   前記３つのダミー画素電極の外側に配置された残りの前記ダミー画素電極は、遮光層と重なるように配置されており、当該残りの前記ダミー画素電極には、前記第１交流信号と同じ基準電位に対して振幅する同一周波数であると共に電圧が前記第１交流信号よりも大きい第２交流信号、又は電圧が前記第１交流信号よりも大きく前記基準電位に対して正極性若しくは負極性の直流信号を印加する、液晶装置の駆動方法。
6. 複数の画素電極が配置された領域の外側に、順に外側に向かって配置された少なくとも３つのダミー画素電極と、平面視で前記複数の画素電極及び前記３つのダミー画素電極と重なる対向電極とを備えた液晶装置の駆動方法であって、
   前記３つのダミー画素電極には、それぞれ外側に向かう順に、基準電位に対して振幅する同一周波数であると共に、互いに位相が異なる第１交流信号を印加し、
   前記第１交流信号の電圧は、前記ダミー画素電極を有するダミー画素の階調レベルが黒となる第１の電圧と、明るさが黒よりも１段階上昇する第２の電圧との間の第３の電圧であり、
   台形補正によって表示に寄与する画素電極の数が表示領域の行方向または列方向に亘って減ぜられたとき、減ぜられた分の画素電極をダミー画素電極として扱って、
   台形補正後の有効な表示領域に沿った部分の前記ダミー画素電極として扱われた画素電極には、同一の位相の前記第１交流信号を印加し、当該画素電極から外側に位置する画素電極には位相が異なる前記第１交流信号を印加する、液晶装置の駆動方法。
7. 画素領域に、複数の画素電極が配置された領域と、該複数の画素電極が配置された領域の外側に、順に外側に向かって配置された少なくとも３つのダミー画素電極と、
   該画素領域の外側に順に外側に向かって配置された複数の周辺電極と、
   平面視で前記複数の画素電極及び前記３つのダミー画素電極と重なる対向電極と、
   前記３つのダミー画素電極に、それぞれ外側に向かう順に、基準電位に対して振幅する同一周波数であると共に、互いに位相が異なる交流信号を出力し、前記複数の周辺電極には、それぞれ外側に向かう順に、基準電位に対して振幅する同一周波数であると共に、互いに位相が異なる交流信号を出力する制御装置と、を備え、
   前記３つのダミー画素電極に印加される交流信号の電圧は、前記ダミー画素電極を有するダミー画素の階調レベルが黒となる第１の電圧と、明るさが黒よりも１段階上昇する第２の電圧との間の第３の電圧であり、
   前記複数の周辺電極には、前記３つのダミー画素電極に印加される交流信号よりも電圧が大きい交流信号が印加される、液晶装置。
8. 前記複数の周辺電極は、前記画素領域を囲むように配置されている、請求項１に記載の液晶装置の駆動方法。
9. 前記複数の周辺電極と重なる遮光層を備える、請求項１に記載の液晶装置の駆動方法。
10. 前記制御装置は、前記複数の周辺電極に、前記複数の周辺電極に隣り合う前記ダミー画素電極に出力される交流信号の位相と異なる位相の交流信号を出力する、請求項１１に記載の液晶装置。
11. 画素領域に、複数の画素電極が配置された領域と、該複数の画素電極が配置された領域の外側に、順に外側に向かって配置された少なくとも４つのダミー画素電極と、
    平面視で前記複数の画素電極及び前記４つのダミー画素電極と重なる対向電極と、
    前記４つのダミー画素電極のうち３つのダミー画素電極に、それぞれ外側に向かう順に、基準電位に対して振幅する同一周波数であると共に、互いに位相が異なる第１交流信号を出力する制御装置と、
    前記３つのダミー画素電極の外側に配置された残りの前記ダミー画素電極と重なる遮光層と、
    を備え、
    前記第１交流信号の電圧は、前記ダミー画素電極を有するダミー画素の階調レベルが黒となる第１の電圧と、明るさが黒よりも１段階上昇する第２の電圧との間の第３の電圧であり、
    前記制御装置は、残りの前記ダミー画素電極に、前記第１交流信号と同じ基準電位に対して振幅する同一周波数であると共に電圧が前記第１交流信号よりも大きい第２交流信号、又は電圧が前記第１交流信号よりも大きく前記基準電位に対して正極性若しくは負極性の直流信号を出力する、液晶装置。
12. 複数の画素電極が配置された領域の外側に、順に外側に向かって配置された少なくとも３つのダミー画素電極と、
    平面視で前記複数の画素電極及び前記３つのダミー画素電極と重なる対向電極と、
    前記３つのダミー画素電極に、それぞれ外側に向かう順に、基準電位に対して振幅する同一周波数であると共に、互いに位相が異なる第１交流信号を出力する制御装置と、を備え、
    前記第１交流信号の電圧は、前記ダミー画素電極を有するダミー画素の階調レベルが黒となる第１の電圧と、明るさが黒よりも１段階上昇する第２の電圧との間の第３の電圧であり、
    台形補正の制御指示によって表示に寄与する画素電極の数が表示領域のまたは列方向に亘って減ぜられたとき、
    前記制御装置は、減ぜられた分の画素電極をダミー画素電極として扱って、台形補正後の有効な表示領域に沿った部分の前記ダミー画素電極として扱われた画素電極に、同一の位相の前記第１交流信号を出力し、当該画素電極から外側に位置する画素電極に、位相が異なる前記第１交流信号を出力する、液晶装置。
13. 請求項７乃至１２のいずれか一項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。

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