JP6702368B2 - 液晶装置および電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、液晶装置および電子機器に関するものである。

液晶装置は、一対の基板の間に液晶層が保持された液晶パネルを備えており、液晶パネルに光が入射すると、液晶層に用いた液晶材料等が光化学反応を起こし、イオン性不純物が発生することがある。また、液晶装置の製造過程で、シール材等から液晶層にイオン性不純物が侵入することもある。一方、液晶装置を駆動した際に液晶分子の配向状態が変化して液晶層に流動が発生すると、イオン性不純物が画素領域の端部に凝集し、画像の焼き付き（シミ）等といった表示品位の低下が発生する。そこで、特許文献１には、画素領域とシール材との間に第１電極を設けるとともに、第１電極とシール材との間に第２電極を設け、第１電極と第２電極に位相の異なる交流信号を印加することによって、画素領域内のイオン性不純物を画素領域の外側に掃き出す技術が提案されている。

特開２０１５−１６３４号公報

特許文献１に記載の技術において、第１電極と第２電極に位相の異なる交流信号を印加してイオン性不純物を画素領域の外側に掃き出す際、移動度が低いイオン性不純物が第１電極および第２電極の電位変化に追従できず、イオン性不純物を画素領域の外側に掃引できないという問題点がある。特に、特許文献１に記載の態様では、複数の画素電極のうち、画素領域の端部で第１電極と隣り合う画素電極と第１電極との間隔が、第１電極と第２電極との間隔よりも大きいため、移動度が低いイオン性不純物が画素領域の外側に掃引できないという問題が発生しやすい。

以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、移動度が低いイオン性不純物を画素領域から外側に掃き出すことのできる液晶装置、および電子機器を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明に係る液晶装置は、第１基板と、シール材を介して前記第１基板と貼り合わされた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間の前記シール材で囲まれた空間内に配置された液晶層と、前記第１基板の画素領域に設けられた複数の画素電極と、前記第１基板および前記第２基板のうちの一方の基板に設けられ、平面視で前記画素領域と前記シール材とに挟まれた領域で周波数が０．１Ｈｚ〜５Ｈｚの第１信号が供給される第１電極と、前記一方の基板に設けられ、平面視で前記第１電極と前記シール材とに挟まれた領域で周波数が０．１Ｈｚ〜５Ｈｚであるとともに前記第１信号と異なる位相の第２信号が供給される第２電極と、を備え、前記複数の画素電極のうち、前記第１電極と隣り合う画素電極と前記第１電極との間隔である第１間隔が、前記第１電極と前記第２電極との間隔である第２間隔以下であり、前記第１間隔および前記第２間隔は、前記複数の画素電極のうち、隣り合う２つの画素電極の間隔より広いことを特徴とする。
また、第１基板と、シール材を介して前記第１基板と貼り合わされた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間の前記シール材で囲まれた空間内に配置された液晶層と、前記第１基板の画素領域に設けられた複数の画素電極と、前記第１基板および前記第２基板のうちの一方の基板に設けられ、平面視で前記画素領域と前記シール材とに挟まれた領域で周波数が０．１Ｈｚ〜５Ｈｚの第１信号が供給される第１電極と、前記一方の基板に設けられ、平面視で前記第１電極と前記シール材とに挟まれた領域で周波数が０．１Ｈｚ〜５Ｈｚであるとともに前記第１信号と異なる位相の第２信号が供給される第２電極と、を備え、前記複数の画素電極のうち、前記第１電極と隣り合う画素電極と前記第１電極との間隔である第１間隔が、前記第１電極と前記第２電極との間隔である第２間隔以下であり、前記第１信号および前記第２信号の最大電圧振幅の１／２倍に相当する電圧は、前記画素電極と共通電極との間に印加される最大電圧以下であることを特徴とする。

本発明では、画素領域とシール材との間に第１電極が設けられているとともに、第１電極とシール材との間に第２電極が設けられており、第１電極および第２電極には、位相の異なる信号が印加される。従って、画素領域内のイオン性不純物を第１電極に引き寄せた後、さらに、第２電極に引き寄せることができるので、画素領域の外側にイオン性不純物を掃き出すことができる。また、画素電極と第１電極との間隔（第１間隔）が、第１電極と第２電極との間隔（第２間隔）以下であるため、第１電極および第２電極に印加する信号の周波数を過度に低くしなくても、移動度の低いイオン性不純物を画素領域から第１電極に向けてイオン性不純物を掃き出すことができる。

本発明の実施形態１に係る液晶装置の平面構成を模式的に示す説明図。 図１に示す液晶装置をＨ−Ｈ′線に沿って切断した様子を模式的に示す断面図。 図１に示す液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。 図３に示す画素の構造を模式的に示す断面図。 図１に示す液晶装置におけるイオン性不純物の挙動を模式的に示す説明図。 図１に示す液晶装置における画素領域の説明図。 図６のＡ−Ａ’線に沿って液晶パネルを切断した様子を模式的に示す断面図。 図７に示すイオントラップ機構で用いられる信号の第１例を示す説明図。 図７に示すイオントラップ機構で用いられる信号の第２例を示す説明図。 図７に示すイオントラップ機構で用いられる信号の第３例を示す説明図。 液晶層中におけるイオン性不純物の移動度と温度との関係を示すグラフ。 図８等に示す信号を生成するための構成を示す回路図。 図６に示すイオントラップ電極の構成とイオン性不純物の掃引効果との関係を示す説明図。 本発明の実施形態２に係る液晶装置の説明図。 本発明の実施形態３に係る液晶装置の説明図。 本発明の実施形態４に係る液晶装置の説明図。 本発明の実施形態５に係る液晶装置の説明図。 本発明を適用した電子機器（投射型表示装置）の第１構成例を示す説明図。 本発明を適用した電子機器（投射型表示装置）の第２構成例を示す説明図。

以下、図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。なお、使用する図面では、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。また、以下の説明において、第１基板１０の一方面１０ｓに形成された膜等を説明する際、上層とは第１基板１０とは反対側を意味し、下層とは第１基板１０の側を意味する。第２基板２０の一方面２０ｓに形成された膜等を説明する際、上層とは第２基板２０とは反対側を意味し、下層とは第２基板２０の側を意味する。また、平面視とは、第１基板１０および第２基板２０に対する法線方向からみた様子を意味する。また、以下の説明では、トランジスターの一例として、薄膜トランジスター（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；ＴＦＴ３０）を画素スイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置１００を中心に説明する。かかる液晶装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調手段（液晶ライトバルブ）等として好適に用いることができる。

［実施形態１］
図１は、本発明の実施形態１に係る液晶装置１００の平面構成を模式的に示す説明図である。図２は、図１に示す液晶装置１００をＨ−Ｈ′線に沿って切断した様子を模式的に示す断面図である。図１および図２に示す液晶装置１００は、第１基板１０と、第１基板１０に対向する第２基板２０とを有しており、第１基板１０と第２基板２０とは、枠状のシール材４０を介して貼り合わされている。また、第１基板１０と第２基板２０との間のうち、シール材４０で囲まれた空間内には液晶層５０が保持されている。第１基板１０および第２基板２０は、例えば、石英基板やガラス基板等の透光性基板からなる。

第１基板１０は第２基板２０よりも大きく、シール材４０は、第２基板２０の外縁に沿って配置されている。液晶層５０は、正または負の誘電異方性を有する液晶材料からなる。シール材４０は、例えば、熱硬化性または紫外線硬化性のエポキシ樹脂等の接着剤からなり、第１基板１０と第２基板２０との間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示せず）を含んでいる。

シール材４０で囲まれた領域内には、画素Ｐがマトリクス状に複数配列された画素領域Ｅが設けられており、第２基板２０には、シール材４０と画素領域Ｅとの間に画素領域Ｅの周りを囲む見切り部２１が設けられている。見切り部２１は、金属あるいは金属酸化物等からなる遮光層によって構成されている。図示を省略するが、遮光層は、第２基板２０に対して、隣り合う画素Ｐの境界部分に平面視で重なるブラックマトリックスとして構成されることもある。

第１基板１０の第２基板２０と対向する一方面１０ｓにおいて、シール材４０と画素領域Ｅとの間には、１つの辺に沿って複数の端子１０４が配列されており、端子１０４と画素領域Ｅとの間にデータ線駆動回路１０１が設けられている。第１基板１０の一方面１０ｓにおいて、シール材４０と画素領域Ｅとの間には、端子１０４が配列された辺と隣り合う２辺の各々に沿って走査線駆動回路１０２が設けられ、端子１０４が配列された辺と対向する辺に沿って検査回路１０３が設けられている。第１基板１０の一方面１０ｓにおいて、シール材４０と検査回路１０３との間には、２つの走査線駆動回路１０２を繋ぐ複数の配線１０５が設けられている。データ線駆動回路１０１、および走査線駆動回路１０２に繋がる複数の配線は各々、複数の端子１０４に接続されている。以下、端子１０４が配列されている方向をＸ方向とし、Ｘ方向に直交する方向をＹ方向として説明する。なお、検査回路１０３は、データ線駆動回路１０１と画素領域Ｅとの間に設けてもよい。

第１基板１０の一方面１０ｓ側では、複数の画素Ｐ毎に配置された画素電極１５と、画素電極１５を覆う第１配向膜１８とが設けられている。また、図示を省略するが、第１基板１０の液晶層５０側の一方面１０ｓ側には、後述する画素スイッチング素子や配線等が設けられている。画素電極１５は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の透光性導電膜からなる。

第２基板２０の第１基板１０と対向する一方面２０ｓ側には、見切り部２１と、見切り部２１を覆う平坦化膜２２と、平坦化膜２２を覆う共通電極２３と、共通電極２３を覆う第２配向膜２４とが設けられている。見切り部２１は、平面視において、画素領域Ｅの周りを囲むととともに、走査線駆動回路１０２および検査回路１０３と重っている。従って、第２基板２０側から走査線駆動回路１０２等に入射しようとする光を遮蔽することにより、光による誤動作を防止している。また、見切り部２１は、不必要な迷光が画素領域Ｅに入射することを防止し、表示される画像のコントラストを高めている。平坦化膜２２は、例えば酸化シリコン等の無機材料からなる。

共通電極２３は、ＩＴＯ等の透光性導電膜からなり、第２基板２０に設けられた上下導通部１０６に電気的に接続されている。上下導通部１０６は、第１基板１０に設けられた配線を介して端子１０４に電気的に接続されている。

第１配向膜１８、および第２配向膜２４は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。第１配向膜１８、および第２配向膜２４は、気相成長法によって成膜されたＳｉＯｘ（酸化シリコン）等の無機配向膜からなり、負の誘電異方性を有する液晶分子を略垂直配向させる。第１配向膜１８、および第２配向膜２４は、表面がラビングされたポリイミド等の有機配向膜からなる場合もあり、有機配向膜は、正の誘電異方性を有する液晶分子を略水平配向させる。

本形態の液晶装置１００は透過型であって、液晶パネル１１０に対する光の入射側、および出射側の各々に配置される偏光素子の光学設計に応じて、電圧無印加状態で画素Ｐの透過率が最大となるノーマリーホワイトモードや、電圧無印加状態で画素Ｐの透過率が最小となるノーマリーブラックモードの液晶装置として構成される。本実施形態では、第１配向膜１８、および第２配向膜２４として無機配向膜を用い、液晶層５０に負の誘電異方性を有する液晶材料を用いることによって、ノーマリーブラックモードの光学設計が適用された例を中心に説明する。

（電気的な構成）
図３は、図１に示す液晶装置１００の電気的な構成を示す等価回路図である。図３に示すように、液晶装置１００は、少なくとも画素領域ＥにおいてＸ方向に延在する複数の走査線３ａと、Ｙ方向に延在する複数のデータ線６ａとを有しており、走査線３ａとデータ線６ａとは、第１基板１０において、互いに絶縁された状態にある。本実施形態において、第１基板１０は、データ線６ａに沿って延在する容量線３ｂを有している。また、複数の走査線３ａと複数のデータ線６ａとの各交差に対応して画素Ｐが設けられている。複数の画素Ｐは各々、画素電極１５、ＴＦＴ３０、および蓄積容量１６を備えている。走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。画素電極１５はＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されている。

データ線６ａは、図１に示すデータ線駆動回路１０１に接続されており、データ線駆動回路１０１から供給される画像信号Ｄ１、Ｄ２、…、Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは、図１に示す走査線駆動回路１０２に接続されており、走査線駆動回路１０２から供給される走査信号ＳＣ１、ＳＣ２、…、ＳＣｍを順次、画素Ｐに供給する。データ線駆動回路１０１からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路１０２は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングで線順次で供給する。

液晶装置１００では、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力によりオン状態とされる期間、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極１５に書き込まれる。画素電極１５を介して液晶層５０に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極１５と液晶層５０を介して対向配置された共通電極２３との間で一定期間保持される。画像信号Ｄ１〜Ｄｎの周波数は例えば６０Ｈｚである。本実施形態においては、画素電極１５と液晶層５０との間に保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極１５と共通電極２３との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量１６が接続されている。蓄積容量１６は、ＴＦＴ３０のドレインと容量線３ｂとの間に設けられている。

図１に示す検査回路１０３にはデータ線６ａが接続されており、液晶装置１００の製造過程において、上記画像信号を検出することによって、液晶装置１００の動作欠陥などを確認するのに用いられる。従って、図３では、検査回路１０３の図示を省略してある。なお、図１には、画素領域Ｅの外側に形成される周辺回路として、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２、および検査回路１０３を示してあるが、周辺回路として、上記画像信号をサンプリングしてデータ線６ａに供給するサンプリング回路や、データ線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を上記画像信号Ｄ１〜Ｄｎに先行して供給するプリチャージ回路等が設けられる場合もある。

（画素Ｐの構成）
図４は、図３に示す画素Ｐの構造を模式的に示す断面図である。図４に示すように、第１基板１０の一方面１０ｓには、走査線３ａが形成される。走査線３ａは、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の遮光層からなる。

走査線３ａの上層には酸化シリコン等からなる第１絶縁膜１１ａ（下地絶縁膜）が形成され、第１絶縁膜１１ａの上層に半導体層３０ａが形成されている。半導体層３０ａは、多結晶シリコン膜からなる。半導体層３０ａは、酸化シリコン等からなる第２絶縁膜（ゲート絶縁膜）１１ｂによって覆われており、第２絶縁膜１１ｂの上層にはゲート電極３０ｇが形成される。

ゲート電極３０ｇの上層には酸化シリコン等からなる第３絶縁膜１１ｃが形成されており、第２絶縁膜１１ｂおよび第３絶縁膜１１ｃには、半導体層３０ａのソース領域およびドレイン領域に到るコンタクトホールＣＮＴ１、ＣＮＴ２が形成される。第３絶縁膜１１ｃの上層には、コンタクトホールＣＮＴ１、ＣＮＴ２を介して半導体層３０ａに接続するデータ線６ａ（ソース電極）、および第１中継電極６ｂ（ドレイン電極）が形成される。このようにしてＴＦＴ３０が構成される。本実施形態において、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）構造を有している。

データ線６ａおよび第１中継電極６ｂの上層側には酸化シリコン等からなる第１層間絶縁膜１２ａが形成される。第１層間絶縁膜１２ａの表面は、化学的機械的研磨処理（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：ＣＭＰ処理）等によって平坦化されている。第１層間絶縁膜１２ａには、第１中継電極６ｂに到るコンタクトホールＣＮＴ３が形成されており、第１層間絶縁膜１２ａの上層には、配線７ａと、コンタクトホールＣＮＴ３を介して第１中継電極６ｂに電気的に接続される第２中継電極７ｂとが形成される。配線７ａは、ＴＦＴ３０の半導体層３０ａやデータ線６ａと平面視で重なるように形成されており、固定電位が印加されたシールド層として機能する。

配線７ａおよび第２中継電極７ｂの上層側には酸化シリコン等からなる第２層間絶縁膜１３ａが形成される。第２層間絶縁膜１３ａの表面は、ＣＭＰ処理等によって平坦化されている。第２層間絶縁膜１３ａには、第２中継電極７ｂに到るコンタクトホールＣＮＴ４が形成される。

第２層間絶縁膜１３ａの上層には、遮光性の金属等によって、第１容量電極１６ａおよび第３中継電極１６ｄが形成される。第１容量電極１６ａは複数の画素Ｐに跨るように形成された容量線３ｂであり、固定電位が供給される。第１容量電極１６ａおよび第３中継電極１６ｄの上層には、第１容量電極１６ａの外縁および第３中継電極１６ｄの外縁等を覆うように絶縁膜１３ｂが形成される。第１容量電極１６ａおよび絶縁膜１３ｂの上層側には誘電体層１６ｂが形成される。誘電体層１６ｂは、シリコン窒化膜や、酸化ハフニウム（ＨｆＯ₂）、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）、酸化タンタル（Ｔａ₂Ｏ₅）等からなる。誘電体層１６ｂの上層には、窒化チタン（ＴｉＮ）等からなる第２容量電極１６ｃが形成され、第１容量電極１６ａ、誘電体層１６ｂ、および第２容量電極１６ｃによって蓄積容量１６が構成される。第２容量電極１６ｃは、誘電体層１６ｂおよび絶縁膜１３ｂの除去部分を介して第３中継電極１６ｄに電気的に接続されている。

第２容量電極１６ｃの上層側には酸化シリコン等からなる第４層間絶縁膜１４ａが形成され、第４層間絶縁膜１４ａの表面は、ＣＭＰ処理等によって平坦化されている。第４層間絶縁膜１４ａには、第２容量電極１６ｃに到達するコンタクトホールＣＮＴ５が形成されている。第４層間絶縁膜１４ａの上層にはＩＴＯ等の透光性導電膜からなる画素電極１５が形成され、画素電極１５は、コンタクトホールＣＮＴ５を介して第２容量電極１６ｃに電気的に接続されている。

このように構成した液晶装置１００では、第１基板１０の一方面１０ｓ側に、複数の配線が形成されており、配線間を絶縁する絶縁膜や層間絶縁膜の符号を用いて配線部を表すこととする。すなわち、第１絶縁膜１１ａ、第２絶縁膜１１ｂ、および第３絶縁膜１１ｃを括って配線層１１と称する。配線層１１の代表的な配線は走査線３ａである。配線層１２の代表的な配線はデータ線６ａである。第２層間絶縁膜１３ａ、絶縁膜１３ｂ、および誘電体層１６ｂを括って配線層１３と称し、配線層１３の代表的な配線は配線７ａである。同じく、配線層１４の代表的な配線は、第１容量電極１６ａとしての容量線３ｂである。

（液晶層５０等の構成）
第１配向膜１８および第２配向膜２４は、無機配向膜であって、酸化シリコン等の無機材料を斜め蒸着して柱状に成長させたカラム１８ａ、２４ａの集合体からなる。従って、液晶層５０において、液晶分子ＬＣは、第１基板１０および第２基板２０に対する法線方向に対して、３°〜５°のプレチルト角度θｐを有して略垂直配向（ＶＡ；Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）する。液晶分子ＬＣは、画素電極１５と共通電極２３との間に駆動信号が印加された際、画素電極１５と共通電極２３との間に生ずる電界方向によって傾きが変化する。

（イオン性不純物の挙動）
図５は、図１に示す液晶装置１００におけるイオン性不純物の挙動を模式的に示す説明図であり、図５には、液晶装置１００を第２基板２０側から見た様子を示してある。図５において、第１基板１０に第１配向膜１８を形成する際の斜め蒸着方向は、例えば、破線の矢印Ａ１で示す方位であり、Ｙ方向に角度θａの角度を成す方向である。第２基板２０に第２配向膜２４を形成する際の斜め蒸着方向は、例えば、実線の矢印Ａ２で示す方位であり、Ｙ方向に角度θａの角度を成す方向である。角度θａは例えば４５度である。第１基板１０に第１配向膜１８を形成する際の斜め蒸着の方位と、第２基板２０に第２配向膜２４を形成する際の斜め蒸着の方位は逆向きである。

このように構成した液晶装置１００において、液晶層５０を駆動すると、図４に矢印Ｂで示すように、液晶分子ＬＣが振動し、図５に示す破線あるいは実線の矢印Ａ１、Ａ２で示した斜め蒸着方向に液晶分子ＬＣのフローが生ずる。従って、液晶層５０にイオン性不純物が含まれていると、イオン性不純物は、液晶分子ＬＣのフローに沿って画素領域Ｅの角部Ｅ０に向かって移動し、偏在しようとする。イオン性不純物が偏在している領域では、液晶層５０の絶縁抵抗が低下し、駆動電位の低下を招く。その結果、角部Ｅ０では表示ムラや通電による焼き付き現象が発生することになる。特に、第１配向膜１８および第２配向膜２４に無機配向膜を用いた場合には、無機配向膜がイオン性不純物を吸着し易いので、有機配向膜に比べて表示ムラや焼き付き現象が発生しやすい。そこで、本実施形態の液晶装置１００には、以下に説明するように、イオン性不純物の偏在を防止するイオントラップ機構１３０が構成されている。

（イオントラップ機構１３０等の説明）
図６は、図１に示す液晶装置１００における画素領域Ｅの説明図である。図７は、図６のＡ−Ａ’線に沿って液晶パネル１１０を切断した様子を模式的に示す断面図である。図６および図７に示すように、本実施形態の液晶装置１００の画素領域Ｅは複数の画素ＰがＸ方向およびＹ方向に配置されており、複数の画素Ｐは各々、ＴＦＴ３０に電気的に接続された画素電極１５を有している。画素Ｐおよび画素電極１５は、平面的な形状、大きさや配置ピッチ等が同一である。

本実施形態において、画素領域Ｅは、複数の画素Ｐのうち、表示に直接寄与する表示画素Ｐ０が配置された表示領域Ｅ１を有し、表示領域Ｅ１の周りには、複数の画素Ｐのうち、表示に直接寄与しない複数のダミー画素ＤＰを有するダミー画素領域Ｅ２を有している。以下の説明では、複数の画素電極１５のうち、表示画素Ｐ０に設けられた画素電極１５を有効画素電極１５０とし、ダミー画素ＤＰに設けられた画素電極１５をダミー画素電極１５１とする。図６に示す態様では、ダミー画素領域Ｅ２にＸ方向において表示領域Ｅ１を挟んで２個ずつ、Ｙ方向において表示領域Ｅ１を挟んで２個ずつのダミー画素ＤＰが配置されている。但し、ダミー画素領域Ｅ２におけるダミー画素ＤＰの配置数はこれに限定されるものではなく、Ｘ方向およびＹ方向の各々において、表示領域Ｅ１を挟んで少なくとも１個ずつのダミー画素ＤＰが配置されていればよい。また、３個ずつ以上でもよく、Ｘ方向とＹ方向とにおける配置数が異なっていてもよい。

本実施形態では、ダミー画素領域Ｅ２を電子見切り部１２０として機能させる。より具体的には、ダミー画素電極１５１は各々、下層側に設けられたＴＦＴ３０に電気的に接続されており、液晶装置１００がノーマリーブラックモードの場合、表示領域Ｅ１の画素Ｐの表示状態に関わらず、常にダミー画素ＤＰの透過率が変化しない程度の交流電位が印加される。従って、電子見切り部１２０の全域が黒表示となる。なお、図１および図２を参照して説明した見切り部２１は、シール材４０とダミー画素領域Ｅ２との間に位置するため、ダミー画素領域Ｅ２（電子見切り部１２０）は、見切り部２１とともに、液晶装置１００のＯＮ・ＯＦＦに依存しない見切りとして機能する。

このように構成した液晶装置１００にイオントラップ機構１３０を構成するにあたって、第１基板１０および第２基板２０のうちの一方の基板には、平面視で画素領域Ｅとシール材４０とに挟まれた領域に第１信号Ｖａが供給される第１電極１３１と、平面視で第１電極１３１とシール材４０とに挟まれた領域で第１信号Ｖａと異なる位相の第２信号Ｖｂが供給される第２電極１３２とが設けられている。また、前記一方の基板には、平面視で第２電極１３２とシール材４０とに挟まれた領域で第１信号Ｖａおよび第２信号Ｖｂと異なる位相の第３信号Ｖｃが供給される第３電極１３３が設けられている。本実施形態において、第１電極１３１、第２電極１３２および第３電極１３３は各々、第１基板１０の側に画素領域Ｅを平面視で囲む四角形の枠状に形成されている。

第１電極１３１のＸ方向に延在する部分の両端付近には、Ｙ方向に延在する一対の引き回し配線１３５の一方端が電気的に接続され、引き回し配線１３５の他方端は、第１基板１０に形成された端子１０４に電気的に接続されている。一対の引き回し配線１３５が電気的に接続された端子１０４については、他の端子１０４と区別するため、端子１０４（Ｉｔ１）と表す。第２電極１３２のＸ方向に延在する部分の両端付近には、Ｙ方向に延在する一対の引き回し配線１３６の一方端が電気的に接続され、引き回し配線１３６の他方端は、第１基板１０に形成された端子１０４に電気的に接続されている。一対の引き回し配線１３６が電気的に接続された端子１０４については、他の端子１０４と区別するため、端子１０４（Ｉｔ２）と表す。第３電極１３３のＸ方向に延在する部分の両端付近には、Ｙ方向に延在する一対の引き回し配線１３７の一方端が電気的に接続され、引き回し配線１３７の他方端は、第１基板１０に形成された端子１０４に電気的に接続されている。一対の引き回し配線１３７が電気的に接続された端子１０４については、他の端子１０４と区別するため、端子１０４（Ｉｔ３）と表す。

このようにして、第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３、引き回し配線１３５、１３６、１３７、および端子１０４（Ｉｔ１、Ｉｔ２、Ｉｔ３）によってイオントラップ機構１３０が構成されている。イオントラップ機構１３０では、端子１０４（Ｉｔ１）から第１電極１３１に第１信号Ｖａが供給され、端子１０４（Ｉｔ２）から第２電極１３２に第２信号Ｖｂが供給され、端子１０４（Ｉｔ３）から第３電極１３３に第３信号Ｖｃが供給される。

本実施形態では、第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３に供給される信号が、第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３の位置によってばらつくことを抑制するために、２つの端子１０４（Ｉｔ１、Ｉｔ２、Ｉｔ３）から信号を供給する構成としたが、これに限定されるものではない。端子１０４（Ｉｔ１、Ｉｔ２、Ｉｔ３）が各々、１つでもよいし、３つ以上であってもよい。また、第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３は、平面視で電気的に閉じられた四角形の電極である態様に限定されず、一方の端に引き回し配線１３５、１３６、１３７が接続され、他方の端が開放された状態（オープン）であってもよい。

なお、図７に示すように、第１基板１０の一方面１０ｓ側には複数の配線層１１〜１４が設けられており、画素電極１５、第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３は各々、第４層間絶縁膜１４ａの上層に形成されている。本実施形態においては、画素電極１５、第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３は、画素電極１５を形成する工程で、同一の透光性導電膜（例えば、ＩＴＯ膜）をパターニングすることによって形成される。また、引き回し配線１３５、１３６、１３７は、配線層１１〜１４と同様な構成によって端子１０４（Ｉｔ１、Ｉｔ２、Ｉｔ３）に電気的に接続されている。

（イオントラップ機構１３０の動作）
イオントラップ機構１３０では、第１電極１３１に第１信号Ｖａが供給されるとともに、第２電極１３２には、第１信号Ｖａと位相の異なる第２信号Ｖｂが供給される。また、第３電極１３３には、第１信号Ｖａおよび第２信号Ｖｂと位相の異なる第３信号Ｖｃが供給される。より具体的には、第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３には、隣り合う電極間に生ずる電界（電気力線）の方向が画素領域Ｅに近い第１電極１３１から第２電極１３２の方向に移動し、さらに、第２電極１３２から第３電極１３３の方向に移動するように交流信号が与えられる。交流信号は、共通電極２３に与えられる共通電位（ＬＣＣＯＭ）を基準電位として、高電位と低電位とに遷移する信号である。正極性（＋）または負極性（−）のイオン性不純物は、上記の電界方向の第１電極１３１から第３電極１３３への移動に伴ってダミー画素領域Ｅ２から見切り領域Ｅ３に掃き寄せられる。

かかる動作は画像を表示している期間、あるいは画像の表示を休止している期間のいずれに実施してもよい。

（液晶装置１００の駆動方法）
図８は、図７に示すイオントラップ機構１３０で用いられる信号の第１例を示す説明図である。図９は、図７に示すイオントラップ機構１３０で用いられる信号の第２例を示す説明図である。図１０は、図７に示すイオントラップ機構１３０で用いられる信号の第３例を示す説明図である。

本実施形態の液晶装置１００においては、例えば、図８に示すように、第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３の各々に矩形波の交流信号を印加する。具体的には、第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３の各々に、周波数が同一で位相が異なる交流信号（第１信号Ｖａ、第２信号Ｖｂ、および第３信号Ｖｃ）を供給する。より具体的には、第１電極１３１に供給される第１信号Ｖａが正極性（＋）または基準電位から負極性（−）に遷移してから、基準電位または正極性（＋）に遷移する前に、第２電極１３２に供給される第２信号Ｖｂが正極性（＋）または基準電位から負極性（−）に遷移する。また、第２信号Ｖｂが負極性（−）に遷移してから、基準電位または正極性（＋）に遷移する前に、第３電極１３３に印加される第３信号Ｖｃが正極性（＋）または基準電位から負極性（−）に遷移する。また、第１電極１３１に印加される第１信号Ｖａが負極性（−）または基準電位から正極性（＋）に遷移してから、基準電位または負極性（−）に遷移する前に、第２電極１３２に印加される第２信号Ｖｂが負極性（−）または基準電位から正極性（＋）に遷移する。また、第２信号Ｖｂが負極性（−）または基準電位から正極性（＋）に遷移してから、基準電位または負極性（−）に遷移する前に、第３電極１３３に印加される第３信号Ｖｃが負極性（−）または基準電位から正極性（＋）に遷移する。

ここで、第１電極１３１に与えられた交流信号（第１信号Ｖａ）に対して、第２電極１３２に与えられた交流信号（第２信号Ｖｂ）は、時間軸ｔにおいてΔｔ時間だけ遅れている。同様に、第２電極１３２に与えられた交流信号（第２信号Ｖｂ）に対して、第３電極１３３に与えられた交流信号（第３信号Ｖｃ）は、時間軸ｔにおいてΔｔ時間だけ遅れている。例えば、Δｔ時間を１／３周期とすれば、第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３の各々に与えられた交流信号は、互いに１／３周期だけ位相がずれることとなる。言い換えれば、第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３の各々の電位が互いに位相がずれた状態となる最大の位相のずれ量Δｔは、交流信号の１周期を電極の数ｎで除した値となる。

なお、図８に示した矩形波の交流信号は、基準電位を０Ｖとして、高電位（５Ｖ）と低電位（−５Ｖ）とに遷移するものであるが、基準電位、高電位、低電位の設定は、これに限定されるものではない。

かかるイオントラップ機構１３０では、図８に示す時間ｔ0から時間ｔ1において、第１電極１３１に供給される第１信号Ｖａが５Ｖの正極性（＋）のとき、第１電極１３１に隣り合う第２電極１３２に供給の第２信号Ｖｂは、−５Ｖの負極性となる。従って、第１電極１３１と第２電極１３２との間には、図７に示すように、第１電極１３１から第２電極１３２に向う電界（実線で示した電気力線）が生ずる。

また、時間ｔ1から時間ｔ2において、第２電極１３２に供給される第２信号Ｖｂが５Ｖの正極性（＋）のとき、第２電極１３２に隣り合う第３電極１３３に供給される第３電位が−５Ｖの負極性（−）となる。従って、第２電極１３２と第３電極１３３との間には、図７に示すように、第２電極１３２から第３電極１３３に向う電界が生ずる。

また、時間ｔ2から時間ｔ3において、第３電極１３３に供給される第３信号Ｖｃが５Ｖの正極性（＋）のとき、第３電極１３３に隣り合う第２電極１３２に供給される第２信号Ｖｂが５Ｖの正極性（＋）から−５の負極性（−）に遷移する。従って、時間ｔ0から時間ｔ3の交流信号における１周期に相当する時間内において、第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３の電極間における電界の分布が、第１電極１３１から第３電極１３３へ時間的にスクロールされる。このような交流信号による電界の発生のさせ方を「電界のスクロール」と呼ぶこととする。

ここで、イオン性不純物は、正極性（＋）を有するものと、負極性（−）を有するものとが存在する可能性があるが、第１電極１３１の第１電位の極性に対応して正極性（＋）または負極性（−）のイオン性不純物が第１電極１３１に引き寄せられることになる。第１電極１３１に引き寄せられたイオン性不純物をそのまま滞留させておくと、次第にイオン性不純物が蓄積されて、電子見切り部１２０や表示領域Ｅ１の表示に影響を及ぼすおそれがあるので、第１電極１３１に引き寄せられたイオン性不純物を逐次、第２電極１３２や第３電極１３３に移動させる。

本実施形態では、上述したように、第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３に互いに位相がずれた交流信号を印加することで、電極間に生ずる電界の分布を第１電極１３１から第２電極１３２を経由して第３電極１３３へスクロールさせている。これによって、第１電極１３１に引き寄せられた正極性（＋）または負極性（−）のイオン性不純物を、第２電極１３２を経由して第３電極１３３へ移動させることができる。従って、第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３は各々、イオントラップ電極である。

また、電界のスクロールに伴って確実にイオン性不純物を第３電極１３３に掃き寄せるためには、イオン性不純物の移動速度を考慮して交流信号の周波数を決める必要がある。イオン性不純物の移動速度よりも電界のスクロールの速度が速いと、イオン性不純物が電界のスクロールに付いて行けずに、イオン性不純物を掃き寄せる効果が低下するおそれがある。

本発明者は、イオントラップ機構１３０における好ましい交流信号の周波数ｆ（Ｈｚ）を以下のように導き出した。まず、イオン性不純物の液晶層中の移動速度ｖ（ｍ／ｓ）は、数式（１）に示すように、隣り合うイオントラップ電極（第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極）の電界強度ｅ（Ｖ／ｍ）と、イオン性不純物の移動度μ（ｍ²／Ｖ・ｓ）との積で与えられる。
ｖ＝ｅ・μ・・・（１）

また、電界強度ｅ（Ｖ／ｍ）は、数式（２）で示すように、隣り合うイオントラップ電極間の電位差Ｖｎをイオントラップ電極の配置ピッチｐ（ｍ）で除した値である。
ｅ＝Ｖｎ／ｐ・・・（２）

また、隣り合うイオントラップ電極間の電位差Ｖｎは、交流信号における実効電圧ＶEの２倍に相当することから、次の数式（３）が導かれる。
ｅ＝２ＶE／ｐ・・・（３）となる。

なお、図７に示すように、矩形波の交流信号における実効電圧ＶEは、矩形波の基準電位に対する電位に相当し、本実施形態では５Ｖである。

数式（３）を数式（１）に当てはめることにより、イオン性不純物の移動速度ｖ（ｍ／ｓ）は、数式（４）となる。
ｖ＝２μＶE／ｐ・・・（４）

従って、隣り合うイオントラップ電極間をイオン性不純物が移動する時間ｔｄは、数式（５）に示すように、隣り合うイオントラップ電極の配置ピッチｐをイオン性不純物の移動速度ｖで除した値となる。
ｔｄ＝ｐ／ｖ＝ｐ2／２μＶE・・・（５）

従って、好ましい周波数ｆ（Ｈｚ）は、隣り合うイオントラップ電極間をイオン性不純物が移動する時間ｔｄに合わせて電界をスクロールすることで求められる。電界のスクロール時間は交流信号の位相差Δｔに相当するので、前述したようにΔｔを１／ｎ周期とすると、好ましい周波数ｆ（Ｈｚ）は次の数式（６）によって導かれる。ｎはイオントラップ電極の数である。
ｆ＝１／ｎ／ｔｄ＝２μＶE／ｎｐ²・・・（６）

また、前述したように、隣り合うイオントラップ電極に印加される交流信号の位相差Δｔを１／３周期とすると、イオントラップ機構１３０における隣り合うイオントラップ電極間の電位差Ｖｎは、０Ｖを基準電位として５Ｖと−５Ｖとに遷移する矩形波の交流信号の場合、１０Ｖとなる。また、イオントラップ機構１３０におけるイオントラップ電極の配置ピッチｐを８μｍとし、イオン性不純物の移動度μを２．２×１０^-10（ｍ²／Ｖ・ｓ）すると、好ましい周波数ｆは、数式（６）によれば、およそ１２Ｈｚとなる。なお、イオン性不純物の移動度μの値は、例えば、Ａ．Ｓａｗａｄａ，Ａ．Ｍａｎａｂｅ ａｎｄ Ｓ．Ｎａｅｍｕｒａ，“Ａ Ｃｏｍｐａｒａｔｉｖｅ Ｓｔｕｄｙ ｏｎ ｔｈｅ Ａｔｔｒｉｂｕｔｅｓ ｏｆ Ｉｏｎｓ ｉｎ Ｎｅｍａｔｉｃ ａｎｄ Ｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｐｈａｓｅｓ”，ＪＰｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ Ｐｈｙｓ Ｖｏｌ．４０，ｐ２２０−ｐ２２４（２００１）に記載されている。

交流信号の周波数ｆを１２Ｈｚよりも大きくすると電界のスクロールにイオン性不純物が付いて行けなくなるので、周波数ｆは１２Ｈｚと同じか１２Ｈｚよりも小さいことが好ましい。また、周波数ｆをあまりに小さくするとイオントラップ電極間に直流が印加される状態となって、例えば液晶の分解や、焼き付き、シミなどの表示不良が起るなど好ましくない。

イオントラップ電極に印加する交流信号は、図８に示した矩形波の交流信号に限定されない。例えば、図９に示すような矩形波としてもよい。図８の矩形波の交流信号は、電位が正極性（＋）である時間と負極性（−）である時間が同じであるが、例えば、図９に示すように、電位が正極性（＋）である時間ｔ4よりも電位が負極性（−）である時間ｔ5の方が長い設定の交流信号としてもよい。液晶装置１００の製造工程によれば、液晶層５０に正極性（＋）及び負極性（−）のイオン性不純物が含まれるおそれがあり、正極性（＋）のイオン性不純物のほうが負極性（−）のイオン性不純物に比べて、表示品位を低下させることが知られている。従って、イオントラップ電極の各々に電位が負極性（−）である時間ｔ5が長い設定の交流信号を印加することで、正極性（＋）のイオン性不純物を効果的に掃き寄せることが可能となる。

また、矩形波の交流信号は、図８および図９に示したように、例えば０Ｖを基準電位として、５Ｖと−５Ｖの２値の電位間で振幅させてもよいが、異なる３値以上の電位を遷移するように波形を設定してもよい。これによれば、イオントラップ機構１３０の第１電極１３１から第２電極１３２を経て第３電極１３３へ円滑にイオン性不純物を移動させることが可能である。また、図８および図９に示した矩形波の交流信号だけでなく、三角波の交流信号も採用することができる。

図１０に示す態様では、イオントラップ電極の各々に印加される交流信号は、１周期の時間内において互いに位相が異なる正弦波である。但し、正弦波のようなアナログ信号を生成するアナログ回路に比べて、矩形波を生成するデジタル回路の方が回路構成を簡略化できる。

また、同じ周波数の交流信号であれば、第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３に印加される交流信号の振幅の大きさ、つまり基準電位に対して正極性の最大電位と、負極性の最大電位とを必ずしも同じにしなくてもよい。例えば、第１電極１３１には、前述したように、０Ｖを基準電位として、５Ｖと−５Ｖとの間で振幅する交流信号を与える。これに対して、第２電極１３２には、０Ｖを基準電位として、７．５Ｖと−７．５Ｖとの間で振幅する交流信号を与え、第３電極１３３には、０Ｖを基準電位として、１０Ｖと−１０Ｖとの間で振幅する交流信号を与える。このように３つのイオントラップ電極に印加される交流信号の振幅の大きさを画素領域Ｅからイオントラップ電極が遠ざかるほど大きくすることで、イオン性不純物を効果的に掃き寄せることが可能である。

（交流信号の周波数ｆ）
図１１は、液晶層中におけるイオン性不純物の移動度と温度との関係を示すグラフである。図１１に示すグラフは、前述した文献に記載されたイオン性不純物の移動度μの値を参照して得られたものである。

画素Ｐを駆動することによって前述したように液晶層５０中に液晶分子ＬＣのフロー（流れ）が生じ、イオン性不純物は、このフロー（流れ）によって画素領域Ｅを移動する。フロー（流れ）の速度は画素Ｐを駆動する駆動信号の周波数に依存すると考えられる。このフロー（流れ）によって移動するイオン性不純物を画素領域Ｅからイオントラップ電極（第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３）に確実に引き寄せるには、イオントラップ電極間に生ずる電界の移動をゆっくりとしたほうがよい。つまり、イオントラップ電極に印加される交流信号の周波数ｆ（Ｈｚ）は、画素Ｐを駆動する駆動信号の周波数よりも小さいことが好ましい。

一方、イオン性不純物の移動度μ（移動速度ｖ）は温度に依存する。それ故、液晶装置１００が実際に駆動されるときの温度が常温よりも高ければ、周波数ｆを１２Ｈｚよりも大きく設定してもイオン性不純物を掃き寄せる効果が得られる。

図１１に示すように、温度が２５℃のときのイオン性不純物の移動度μの値は、およそ２．２×１０^-10（ｍ²／Ｖ・ｓ）であり、ｌｏｇμの値は、−９．６となる。これに対して、温度が６０℃のときのイオン性不純物の移動度μの値は、およそ２．２×１０^-9（ｍ²／Ｖ・ｓ）であり、ｌｏｇμの値は−８．７となる。つまり、２５℃に対して６０℃のイオン性不純物の移動度μはおよそ１０倍になる。６０℃の温度に着目するのは、液晶装置１００を後述する投射型表示装置のライトバルブとして使用するときの温度を考慮したものである。

前述した数式（６）に、ｎ＝３、ＶE＝５Ｖ、ｐ＝８μｍ、温度が６０℃のμ＝２．２×１０^-9（ｍ²／Ｖ・ｓ）を当てはめると、最適な周波数ｆは、およそ１１３Ｈｚとなる。この状態では、イオントラップ電極に印加される交流信号の最適な周波数ｆが、本実施形態の駆動周波数である６０Ｈｚよりも大きくなるがイオン性不純物の掃き寄せ効果を得ることができると考えられる。言い換えれば、駆動周波数を交流信号の最適な周波数ｆよりも大きな例えば１２０Ｈｚとすれば、より効果的にイオン性不純物を掃き寄せられると考えられる。

（交流信号の供給）
図１２は、図８等に示す信号を生成するための構成を示す回路図である。上記実施形態では、図６に示すように、外部から３つの端子１０４（Ｉｔ１、Ｉｔ２、Ｉｔ３）を介してイオントラップ機構１３０の第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３の各々に周波数が同じで位相がずれた交流信号を印加したが、周波数が同じで位相がずれた交流信号を印加する方法（手段）は、これに限定されない。

例えば、図１２に示すように、液晶装置１００は、引き回し配線１３５と引き回し配線１３６との間に設けられた遅延素子１７１と、引き回し配線１３６と引き回し配線１３７との間に設けられた遅延素子１７１とを含む遅延回路１７を備える構成としてもよい。遅延素子１７１は、例えば容量素子（Ｃ）とインダクタ素子（Ｌ）とを含む回路構成や、抵抗（Ｒ）と容量素子（Ｃ）とを含む回路構成が挙げられる。このような遅延回路１７によれば、端子１０４（Ｉｔ１）に第１信号Ｖａを供給することにより、引き回し配線１３５を経由して第１電極１３１に第１交流信号が印加される。また、第１信号Ｖａが遅延素子１７１を経由して引き回し配線１３６に伝わることにより、第１信号Ｖａに対して位相がずれた第２信号Ｖｂが引き回し配線１３６を経由して第２電極１３２に印加される。また、第２信号Ｖｂが遅延素子１７１を経由して引き回し配線１３７に伝わることにより、第２信号Ｖｂに対して位相がずれた第３信号Ｖｃが引き回し配線１３７を経由して第３電極１３３に印加される。かかる態様によれば、第１信号Ｖａだけを外部回路で生成して、端子１０４（Ｉｔ１）に供給すればよいので、装置全体の回路構成を簡略化できる。

（イオントラップ電極の詳細構成）
図１３は、図６に示すイオントラップ電極の構成とイオン性不純物の掃引効果との関係を示す説明図であり、図１３には、各電極間距離の比、および信号の周波数を変化させた場合のイオン性不純物の掃引効果を示してある。図１３には、第１電極１３１と画素電極１５との間隔Ｓ０を第１電極１３１と第２電極１３２との間隔Ｓ１で割った値を０．５〜４まで変化させ、信号の周波数を０．１Ｈｚから１０Ｈｚまで変化させた際のイオン性不純物の掃引効果を電気泳動シミュレーターで評価した結果を示してある。図１３において、イオン性不純物に対して十分な掃引効果が得られた条件には「○」を付し、イオン性不純物に対する掃引効果が不十分である条件には「×」を付してある。ここで、イオントラップ電極（第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３）の配置ピッチは４μｍであり、イオントラップ電極の幅、およびイオントラップ電極の間隔はいずれも２μｍである。

図６および図７に示すように、本実施形態において、第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３は、Ｘ方向に等間隔で配置されている。また、図示を省略するが、第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３は、Ｙ方向においても等間隔で配置されている。第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３のＸ方向の幅Ｌ１は、例えば４μｍであり、第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３の平面視におけるＸ方向のピッチは、例えば８μｍである。従って、第１電極１３１と第２電極１３２との平面におけるＸ方向の間隔Ｓ１（第２間隔）、および第２電極１３２と第３電極１３３との平面視におけるＸ方向の間隔Ｓ２（第３間隔）はいずれも、４μｍである。また、第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３のＹ方向の幅は、例えば４μｍであり、第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３の平面視におけるＹ方向のピッチは、例えば８μｍである。従って、第１電極１３１と第２電極１３２との平面におけるＹ方向の間隔（第２間隔）、および第２電極１３２と第３電極１３３との平面視におけるＹ方向の間隔（第３間隔）はいずれも、４μｍである

ここで、イオントラップ電極（第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３）の配置ピッチを８μｍよりも小さくすると、好ましい周波数ｆを大きくすることができる。また、イオントラップ電極の数を３本からさらに増やせば、イオン性不純物を画素領域Ｅからより遠くに掃引することができる。

また、図１３に示すように、信号の周波数を０．１Ｈｚから１０Ｈｚ変化させるとともに、第１電極１３１と画素電極１５との間隔Ｓ０（第１間隔）を第１電極１３１と第２電極１３２との間隔Ｓ１（＝第２電極１３２と第３電極１３３との間隔Ｓ２）で割った値を０．５〜４まで変化させると、比（Ｓ０／Ｓ１）が小さい程、十分な掃引効果を得ることのできる周波数の上限が高い。例えば、比（Ｓ０／Ｓ１）が０．５〜１．０である場合、信号の周波数が０．１Ｈｚ〜５Ｈｚで十分な掃引効果を得ることができるのに対して、比（Ｓ０／Ｓ１）が２．０である場合、信号の周波数が０．１Ｈｚ〜２Ｈｚでしか十分な掃引効果を得ることができず、比（Ｓ０／Ｓ１）が４．０である場合、信号の周波数が０．１Ｈｚでしか十分な掃引効果を得ることができない。従って、比（Ｓ０／Ｓ１）を１以下にすれば、比較的高い周波数でも十分な掃引効果を得ることができる。

それ故、本実施形態においては、複数の画素電極１５のうち、第１電極１３１とＸ方向で隣り合う画素電極１５と、第１電極１３１との平面視におけるＸ方向の間隔Ｓ０は、第１電極１３１と第２電極１３２との平面視におけるＸ方向の間隔Ｓ１（＝第２電極１３２と第３電極１３３との平面視におけるＸ方向の間隔Ｓ２）以下に設定されている。また、複数の画素電極１５のうち、第１電極１３１とＹ方向で隣り合う画素電極１５と、第１電極１３１との平面視におけるＹ方向の間隔は、第１電極１３１と第２電極１３２との平面視におけるＹ方向の間隔Ｓ１（＝第２電極１３２と第３電極１３３との平面視におけるＹ方向の間隔Ｓ２）以下に設定されている。

本実施形態において、画素電極１５と第１電極１３１との平面視におけるＸ方向の間隔Ｓ０は、第１電極１３１と第２電極１３２との平面視におけるＸ方向の間隔Ｓ１（＝第２電極１３２と第３電極１３３との平面視におけるＸ方向の間隔Ｓ２）と等しい。また、画素電極１５と第１電極１３１との平面視におけるＹ方向の間隔は、第１電極１３１と第２電極１３２との平面視におけるＹ方向の間隔（＝第２電極１３２と第３電極１３３との平面視におけるＹ方向の間隔）と等しい。ここで、間隔が等しいとは、設計値が等しいことを意味し、工程内でのばらつきを考慮すると、±１０％の差がある場合も、間隔が等しいとの定義に含まれる。

本形態において、第１電極１３１と第２電極１３２との平面視におけるＸ方向の間隔Ｓ１、および第２電極１３２と第３電極１３３との平面視におけるＸ方向の間隔Ｓ２は、Ｘ方向で隣り合う画素電極１５の間隔Ｓ３より広い。従って、画素電極１５と第１電極１３１との平面視におけるＸ方向の間隔Ｓ０は、Ｘ方向で隣り合う画素電極１５の間隔Ｓ３より広い。また、第１電極１３１と第２電極１３２との平面視におけるＹ方向の間隔、および第２電極１３２と第３電極１３３との平面視におけるＹ方向の間隔は、Ｙ方向で隣り合う画素電極１５の間隔より広い。従って、画素電極１５と第１電極１３１との平面視におけるＹ方向の間隔は、Ｙ方向で隣り合う画素電極１５の間隔より広い。

例えば、Ｘ方向およびＹ方向のいずれにおいても、第１電極１３１と画素電極１５との間隔Ｓ０（第１間隔）は１μｍであり、第１電極１３１と第２電極１３２との間隔Ｓ１、および第２電極１３２と第２電極１３２との間隔Ｓ２も１μｍである。また、Ｘ方向およびＹ方向のいずれにおいても、隣り合う画素電極１５の間隔は、０．６μｍである。第１信号Ｖａ、第２信号Ｖｂ、および第３信号Ｖｃの周波数は１Ｈｚであり、位相が１２０°ずつずれている。また、第１信号Ｖａ、第２信号Ｖｂ、および第３信号Ｖｃの最大電圧振幅の１／２倍に相当する電圧は、画素電極１５と共通電極２３との間に印加される最大電圧以下である。例えば、第１信号Ｖａ、第２信号Ｖｂ、および第３信号Ｖｃの最大電圧振幅は１０Ｖであり、画素電極１５と共通電極２３との間に印加される最大電圧は５Ｖであり、第１信号Ｖａ、第２信号Ｖｂ、および第３信号Ｖｃの最大電圧振幅の１／２倍に相当する電圧は、画素電極１５と共通電極２３との間に印加される最大電圧と等しい。

（本形態の主な効果）
以上説明したように、本実施形態の液晶装置１００では、画素領域Ｅとシール材４０との間に第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３を備えたイオントラップ機構１３０が設けられ、第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３の各々には、互いに位相がずれた交流信号が印加される。例えば、第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３には、同じ周波数であって、１周期に相当する時間内で互いに位相がずれた交流信号が印加される。これにより、第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３の間に生ずる電界の分布が第１電極１３１から第３電極１３３へスクロールされ、当該電界のスクロールによって液晶層５０中のイオン性不純物が画素領域Ｅから外側の見切り領域Ｅ３へ掃き出される。

また、第１電極１３１と画素電極１５との間隔Ｓ０は、第１電極１３１と第２電極１３２との間隔Ｓ１、および第２電極１３２と第３電極１３３との間隔Ｓ２以下である。より具体的には、第１電極１３１と画素電極１５との間隔Ｓ０は、第１電極１３１と第２電極１３２との間隔Ｓ１、および第２電極１３２と第３電極１３３との間隔Ｓ２と等しい。従って、移動度が低いイオン性不純物であっても、画素領域Ｅから第１電極１３１に引き寄せられる。従って、画素領域Ｅからイオン性不純物を適正に掃き出すことができるので、イオン性不純物が表示の品位を低下させにくい。また、第１電極１３１および第２電極１３２に印加する信号の周波数を過度に低くしなくても、移動度の低いイオン性不純物を画素領域Ｅから第１電極１３１に向けてイオン性不純物を掃き出すことができるので、電気分解等の電極反応が発生しにくい。

また、本実施形態では、第１電極１３１と画素電極１５との間隔Ｓ０が、第１電極１３１と第２電極１３２との間隔Ｓ１、および第２電極１３２と第３電極１３３との間隔Ｓ２以下であるが、第１信号Ｖａ、第２信号Ｖｂ、および第３信号Ｖｃの最大電圧振幅の１／２に相当する電圧は、画素電極１５と共通電極２３との間に印加される最大電圧以下である、このため、第１電極１３１と画素電極１５との間に印加される電圧によって発生する液晶分子の配向不良が小さい。従って、第１電極１３１と画素電極１５との間隔Ｓ０を狭めてイオン性不純物の掃き出しを効率よく行う構成であっても、画素領域Ｅの外周部での光の漏れが問題となりにくい。特に、第１信号Ｖａ、第２信号Ｖｂ、および第３信号Ｖｃの最大電圧振幅の１／２倍に相当する電圧が、画素電極１５と共通電極２３との間に印加される最大電圧と等しければ、第１電極１３１と画素電極１５との間隔Ｓ０を狭めてイオン性不純物の掃き出しをより確実に行うことができ、その場合でも、画素領域Ｅの外周部での光の漏れが問題となりにくい。

［実施形態２］
図１４は、本発明の実施形態２に係る液晶装置１００の説明図であり、画素領域Ｅの外側に形成したイオントラップ用の電極等の構成を模式的に示す説明図である。従って、図１４は、実施形態１で参照した図７に対応する。また、本形態および以下に説明する実施形態の基本的な構成は、実施形態１と同様であるため、対応する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。

図１４に示すように、本実施形態では、第２基板２０に設けた共通電極２３が、画素領域Ｅと平面視で重なる領域の全域にベタに設けられているが、共通電極２３の外縁は、平面視で画素領域Ｅと第１電極１３１との間に位置する。従って、イオントラップ電極（第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３）と平面視で重なる部分には共通電極２３がほとんど設けられていない。従って、イオントラップ電極（第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３）と共通電極２３との間に電界が生じ難いので、第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３の間に生ずる電界のスクロールによって、イオン性不純物を画素領域Ｅの外側（見切り領域Ｅ３）に効率よく掃き出すことができる。

この場合、例えば、共通電極２３の外縁の一部から延在する引き出し配線（図示せず）を設け、引き出し配線を介して共通電極２３を上下導通部１０６と電気的に接続した構造を採用すれば、イオントラップ電極（第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３）と共通電極２３とが平面的に重なる面積を極めて狭くすることができる。

また、第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３に部分的な途切れ部分を設け、途切れ部分と平面視で重なる部分で引き出し配線を延在させてもよい。

また、共通電極２３のうち、第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３が設けられた領域に形成された部分の上層に適度な厚さの絶縁膜を設け、イオントラップ電極（第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３）と共通電極２３との間に電界が生じ難い態様としてもよい。

［実施形態３］
図１５は、本発明の実施形態３に係る液晶装置１００の説明図であり、画素Ｐの構造を模式的に示す断面図である。従って、図１５は、実施形態１で参照した図４に対応する。実施形態１に係る液晶装置１００が透過型であるのに対して、本実施形態の液晶装置１００は反射型である。従って、画素電極１５は、例えば、光反射性を有するＡｌ（アルミニウム）やＡｌを含む合金等からなる。ここで、画素電極１５を覆うように無機絶縁膜１９が形成されており、無機絶縁膜１９の上層に第１配向膜１８が形成されている。

また、第２基板２０では、共通電極２３を覆うように無機絶縁膜２５が形成されており、無機絶縁膜２５の上層に第２配向膜２４が形成されている。無機絶縁膜１９、２５は、例えば酸化シリコンからなる。

かかる構成によれば、無機絶縁膜１９、２５が無い場合と違って、仕事関数の違いに起因して共通電位（ＬＣＣＯＭ）が変動（シフト）するといった不具合が発生しにくい。また、第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３も、画素電極１５と同様、無機絶縁膜１９によって覆われる。この場合でも、第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３には交流信号が印加されるので、直流電位が印加される場合に比べて、無機絶縁膜１９が存在することに起因する電位の低下が起こり難い。従って、イオン性不純物を画素領域Ｅから見切り領域Ｅ３へ確実に掃き寄せることが可能な反射型の液晶装置１００を実現することができる。

［実施形態４］
図１６は、本発明の実施形態４に係る液晶装置１００の説明図であり、画素Ｐの構造を模式的に示す断面図である。従って、図１６は、実施形態１で参照した図４に対応する。実施形態１では、イオントラップ電極（第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３）が第１基板１０に設けられていたが、本実施形態では、第２基板２０にイオントラップ電極（第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３）が設けられている。ここで、第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３は共通電極２３と同様、平坦化膜２２の上層に形成されている。このため、図示を省略するが、第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３は、第２配向膜２４によって覆われている。また、共通電極２３は、画素領域Ｅと平面視で重なる領域の全域に設けられているが、共通電極２３の外縁は、平面視で画素領域Ｅと第１電極１３１との間に位置する。

かかる構成の場合、共通電極２３の外縁の一部から延在する引き出し配線（図示せず）を設け、引き出し配線を介して共通電極２３を上下導通部１０６と電気的に接続する。また、第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３に対しても引き出し配線（図示せず）を設け、引き出し配線を介して、第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３を各々、上下導通部１０６とは別の上下導通部に電気的に接続する。

［実施形態５］
図１７は、本発明の実施形態５に係る液晶装置１００の説明図であり、画素Ｐの構造を模式的に示す断面図である。従って、図１７は、実施形態１で参照した図４に対応する。実施形態１では、共通電極２３が第２基板２０に設けられていたが、本実施形態においては、画素電極１５および共通電極２３がいずれも第１基板１０に形成されている。より具体的には、第１基板１０の配線層１４には、共通電極２３が形成されており、共通電極２３と画素電極１５との間には、絶縁層１４０が設けられている。また、画素電極１５には、スリット状の開口部が形成されており、画素電極１５と共通電極２３とは開口部を介して液晶層５０に駆動電圧を横電界として印加する。すなわち、液晶装置１００は、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式の液晶パネル１１０を有している。

本実施形態でも、実施形態１と同様、画素領域Ｅとシール材４０との間の領域には、イオントラップ電極（第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３）が設けられており、第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３に位相の異なる信号を供給すると、画素領域Ｅのイオン性不純物は、第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３によって画素領域Ｅの外側に掃き出される。

本実施形態では、第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３の下層側にも共通電極２３が設けられている。従って、第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３に位相の異なる信号を供給すると、第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３と共通電極２３との間の横電界によっても、画素領域Ｅのイオン性不純物は画素領域Ｅの外側に掃き出される。

［電子機器の構成］
（投射型表示装置の第１構成例）
図１８は、本発明を適用した電子機器（投射型表示装置）の第１構成例を示す説明図である。図１８に示すように、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４、１１０５と、３つの反射ミラー１１０６、１１０７、１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１、１２０２、１２０３、１２０４、１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０、１２２０、１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。

ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から出射された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１、１２０２、１２０３と２つの反射ミラー１１０７、１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。

液晶ライトバルブ１２１０、１２２０、１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０、１２２０、１２３０に入射した色光は、画像情報（画像信号）に基づいて変調され、クロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて出射される。クロスダイクロイックプリズム１２０６は、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。

液晶ライトバルブ１２１０は、上述したイオントラップ機構１３０を有する液晶装置１００が適用されたものであり、液晶パネル１１０の色光の入射側と出射側とにクロスニコルに配置された一対の偏光素子が隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０、１２３０も同様である。

このような投射型表示装置１０００によれば、液晶ライトバルブ１２１０、１２２０、１２３０として、実施形態１等に係る液晶装置１００が用いられているので、イオン性不純物に起因する表示不具合が改善され、優れた表示品質を有する投射型表示装置１０００を提供することができる。

（投射型表示装置の第２構成例）
図１９は、本発明を適用した電子機器（投射型表示装置）の第２構成例を示す説明図である。図１９に示すように、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置２０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置２１００と、３つのダイクロイックミラー２１１１、２１１２、２１１５と、２つの反射ミラー２１１３、２１１４と、３つの光変調手段としての反射型の液晶ライトバルブ２２５０、２２６０、２２７０と、クロスダイクロイックプリズム２２０６と、投射レンズ２２０７とを備えている。偏光照明装置２１００は、ハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプニット２１０１と、インテグレーターレンズ２１０２と、偏光変換素子２１０３とから概略されている。

偏光照明装置２１００から出射された偏光光束は、互いに直交して配置されたダイクロイックミラー２１１１とダイクロイックミラー２１１２とに入射する。光分離素子としてのダイクロイックミラー２１１１は、入射した偏光光束のうち赤色光（Ｒ）を反射する。もう一方の光分離素子としてのダイクロイックミラー２１１２は、入射した偏光光束のうち緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを反射する。反射した赤色光（Ｒ）は反射ミラー２１１３により再び反射され、液晶ライトバルブ２２５０に入射する。一方、反射した緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とは反射ミラー２１１４により再び反射して光分離素子としてのダイクロイックミラー２１１５に入射する。ダイクロイックミラー２１１５は緑色光（Ｇ）を反射し、青色光（Ｂ）を透過する。反射した緑色光（Ｇ）は液晶ライトバルブ２２６０に入射する。透過した青色光（Ｂ）は液晶ライトバルブ２２７０に入射する。

液晶ライトバルブ２２５０は、反射型の液晶パネル２２５１と、反射型偏光素子としてのワイヤーグリッド偏光板２２５３とを備えている。液晶ライトバルブ２２５０は、ワイヤーグリッド偏光板２２５３によって反射した赤色光（Ｒ）がクロスダイクロイックプリズム２２０６の入射面に垂直に入射するように配置されている。また、ワイヤーグリッド偏光板２２５３の偏光度を補う補助偏光板２２５４が液晶ライトバルブ２２５０における赤色光（Ｒ）の入射側に配置され、もう１つの補助偏光板２２５５が赤色光（Ｒ）の出射側においてクロスダイクロイックプリズム２２０６の入射面に沿って配置されている。なお、反射型偏光素子として偏光ビームスプリッターを用いた場合には、一対の補助偏光板２２５４、２２５５を省略することも可能である。

このような反射型の液晶ライトバルブ２２５０の構成と各構成の配置は、他の反射型の液晶ライトバルブ２２６０、２２７０においても同じである。つまり、液晶ライトバルブ２２６０は、反射型の液晶パネル２２６１と、ワイヤーグリッド偏光板２２６３とを有し、ワイヤーグリッド偏光板２２６３に対する緑色光（Ｇ）の入射側に補助偏光板２２６４が配置され、ワイヤーグリッド偏光板２２６３の緑色光（Ｇ）の出射側においてクロスダイクロイックプリズム２２０６の入射面に沿ってもう１つの補助偏光板２２６５が配置されている。

液晶ライトバルブ２２７０は、反射型の液晶パネル２２７１と、ワイヤーグリッド偏光板２２７３とを有し、ワイヤーグリッド偏光板２２７３に対する青色光（Ｂ）の入射側に補助偏光板２２７４が配置され、ワイヤーグリッド偏光板２２７３の青色光（Ｂ）の出射側においてクロスダイクロイックプリズム２２０６の入射面に沿ってもう１つの補助偏光板２２７５が配置されている。

液晶ライトバルブ２２５０、２２６０、２２７０に入射した各色光は、画像情報に基づいて変調され、再びワイヤーグリッド偏光板２２５３、２２６３、２２７３を経由してクロスダイクロイックプリズム２２０６に入射する。クロスダイクロイックプリズム２２０６では、各色光が合成され、合成された光は投射レンズ２２０７によってスクリーン２３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。

本実施形態では、液晶ライトバルブ２２５０、２２６０、２２７０として、実施形態３に係る反射型の液晶装置１００が用いられている。このような投射型表示装置２０００によれば、反射型の液晶装置１００を液晶ライトバルブ２２５０、２２６０、２２７０に用いているので、明るい画像を投射可能である。また、イオン性不純物に起因する表示不具合が改善されているので、優れた表示品質を有する反射型の投射型表示装置２０００を提供できる。

［他の実施形態］
本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲および明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う液晶装置の駆動方法、及び該液晶装置を適用する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。例えば、上記実施形態に係る液晶装置１００では、ダミー画素領域Ｅ２が見切り部２１と表示領域Ｅ１の間に設けられていたが、ダミー画素領域Ｅ２が見切り部２１と平面視で重なっている場合に本発明を適用してもよい。また、見切り部２１と表示領域Ｅ１の間にダミー画素領域Ｅ２が設けられていない場合に本発明を適用してもよい。

また、本発明に係る液晶装置１００を適用可能な電子機器は、投射型表示装置に限定されず、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、ＰＯＳなどの情報端末機器の表示部として好適に用いることができる。

３ａ…走査線、６ａ…データ線、１０…第１基板、１５…画素電極、１７…遅延回路、１８…第１配向膜、２０…第２基板、２１…見切り部、２３…共通電極、２４…第２配向膜、３０…ＴＦＴ、４０…シール材、５０…液晶層、１００…液晶装置、１０４…端子、１０６…上下導通部、１１０、２２５１、２２６１、２２７１…液晶パネル、１２０…電子見切り部、１３０…イオントラップ機構、１３１…第１電極、１３２…第２電極、１３３…第３電極、１５０…有効画素電極、１５１…ダミー画素電極、１７１…遅延素子、１０００、２０００…投射型表示装置、１１００、２１００…偏光照明装置、１２０７、２２０７…投射レンズ、１２１０、１２２０、１２３０、２２５０、２２６０、２２７０…液晶ライトバルブ、Ｅ…画素領域、Ｅ１…表示領域、Ｅ２…ダミー画素領域、Ｅ３…見切り領域、Ｌ…システム光軸、Ｐ…画素、Ｐ０…表示画素、Ｓ０…間隔（第１間隔）、Ｓ１…間隔（第２間隔）、Ｓ２（第３間隔）、Ｓ３…間隔、ＬＣ…液晶分子、ＤＰ…ダミー画素、Ｖａ…第１信号、Ｖｂ…第２信号、Ｖｃ…第３信号。

Claims (12)

1. 第１基板と、
   シール材を介して前記第１基板と貼り合わされた第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板との間の前記シール材で囲まれた空間内に配置された液晶層と、
   前記第１基板の画素領域に設けられた複数の画素電極と、
   前記第１基板および前記第２基板のうちの一方の基板に設けられ、平面視で前記画素領域と前記シール材とに挟まれた領域で周波数が０．１Ｈｚ〜５Ｈｚの第１信号が供給される第１電極と、
   前記一方の基板に設けられ、平面視で前記第１電極と前記シール材とに挟まれた領域で周波数が０．１Ｈｚ〜５Ｈｚであるとともに前記第１信号と異なる位相の第２信号が供給される第２電極と、
   を備え、
   前記複数の画素電極のうち、前記第１電極と隣り合う画素電極と前記第１電極との間隔である第１間隔が、前記第１電極と前記第２電極との間隔である第２間隔以下であり、
   前記第１間隔および前記第２間隔は、前記複数の画素電極のうち、隣り合う２つの画素電極の間隔より広いことを特徴とする液晶装置。
2. 請求項１に記載の液晶装置において、
   前記第１間隔と前記第２間隔とが等しいことを特徴とする液晶装置。
3. 第１基板と、
   シール材を介して前記第１基板と貼り合わされた第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板との間の前記シール材で囲まれた空間内に配置された液晶層と、
   前記第１基板の画素領域に設けられた複数の画素電極と、
   前記第１基板および前記第２基板のうちの一方の基板に設けられ、平面視で前記画素領域と前記シール材とに挟まれた領域で周波数が０．１Ｈｚ〜５Ｈｚの第１信号が供給される第１電極と、
   前記一方の基板に設けられ、平面視で前記第１電極と前記シール材とに挟まれた領域で周波数が０．１Ｈｚ〜５Ｈｚであるとともに前記第１信号と異なる位相の第２信号が供給される第２電極と、
   を備え、
   前記複数の画素電極のうち、前記第１電極と隣り合う画素電極と前記第１電極との間隔である第１間隔が、前記第１電極と前記第２電極との間隔である第２間隔以下であり、
   前記第１信号および前記第２信号の最大電圧振幅の１／２倍に相当する電圧は、前記画素電極と共通電極との間に印加される最大電圧以下であることを特徴とする液晶装置。
4. 請求項３に記載の液晶装置において、
   前記第１信号および前記第２信号の最大電圧振幅の１／２倍に相当する電圧は、前記画素電極と前記共通電極との間に印加される最大電圧と等しいことを特徴とする液晶装置。
5. 請求項１から４までの何れか一項に記載の液晶装置において、
   前記第１信号と前記第２信号とは、同一波形の交流信号であることを特徴とする液晶装置。
6. 請求項１から５までの何れか一項に記載の液晶装置において、
   前記一方の基板は前記第１基板であることを特徴とする液晶装置。
7. 請求項６に記載の液晶装置において、
   前記第２基板に共通電極が設けられていることを特徴とする液晶装置。
8. 請求項７に記載の液晶装置において、
   前記共通電極は、前記画素領域と平面視で重なる領域に設けられ、
   前記共通電極の外縁は、平面視で前記画素領域と前記第１電極との間に位置することを特徴とする液晶装置。
9. 請求項１から８までの何れか一項に記載の液晶装置において、
   前記一方の基板には、平面視で前記第２電極と前記シール材とに挟まれた領域で前記第１信号および第２信号と異なる位相の第３信号が供給される第３電極が設けられていることを特徴とする液晶装置。
10. 請求項９に記載の液晶装置において、
    前記第１信号、前記第２信号、および前記第３信号は、同一周波数の交流信号であり、
    前記第１信号が正極性または基準電位から負極性に遷移してから、前記基準電位または正極性に遷移する前に、前記第２信号が正極性または前記基準電位から負極性に遷移し、
    前記第２信号が負極性に遷移してから、前記基準電位または正極性に遷移する前に、前記第３信号が正極性または前記基準電位から負極性に遷移し、
    前記第１信号が負極性または前記基準電位から正極性に遷移してから、前記基準電位または負極性に遷移する前に、前記第２信号が負極性または前記基準電位から正極性に遷移し、
    前記第２信号が負極性または前記基準電位から正極性に遷移してから、前記基準電位または負極性に遷移する前に、前記第３信号が負極性または前記基準電位から正極性に遷移することを特徴とする液晶装置。
11. 請求項９または１０に記載の液晶装置において、
    前記第２電極と前記第３電極との間隔である第３間隔は、前記第２間隔と等しいことを特徴とする液晶装置。
12. 請求項１から１１までの何れか一項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。