CN104937655B - 电光装置、其制造方法以及电子设备 - Google Patents

电光装置、其制造方法以及电子设备 Download PDF

Info

Publication number
CN104937655B
CN104937655B CN201480005387.8A CN201480005387A CN104937655B CN 104937655 B CN104937655 B CN 104937655B CN 201480005387 A CN201480005387 A CN 201480005387A CN 104937655 B CN104937655 B CN 104937655B
Authority
CN
China
Prior art keywords
wiring
base material
contact hole
electrode
pixel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201480005387.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104937655A (zh
Inventor
中川雅嗣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
138 East Lcd Display Development Co ltd
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Publication of CN104937655A publication Critical patent/CN104937655A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104937655B publication Critical patent/CN104937655B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136204—Arrangements to prevent high voltage or static electricity failures
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133345—Insulating layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G02F1/13452—Conductors connecting driver circuitry and terminals of panels
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
    • H01L29/78633—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device with a light shield

Abstract

本发明提供能够使电可靠性提高的液晶装置、其制造方法以及电子设备。包括第1基材(10a)、配置于第1基材(10a)之上的TFT(30)、连接于TFT(30)的在一对电极之间夹持有绝缘膜的电容元件(16)、电连接于一对电极之中的一方电极的第1布线(16a1)、电连接于一对电极之中的另一方电极的第2布线(16c1)、用于对第1布线(16a1)与像素电极(27)进行电连接的接触孔(CNT71)和配置于第2布线(16c1)之上的接触孔(CNT72)，接触孔(CNT71、72)设置于配置于像素电极(27)与第1布线(16a1)及第2布线(16c1)之间的像素绝缘层(11e)。

Description

电光装置、其制造方法以及电子设备
技术领域
本发明涉及电光装置、其制造方法以及电子设备。
背景技术
作为所述电光装置之一，例如，已知作为对像素电极进行开关控制的元件按每像素具备有晶体管的有源驱动方式的液晶装置。液晶装置例如在直视型显示器和/或投影机的光阀等中采用。
如此的液晶装置例如如记载于专题文献1地，介由接触孔，电连接像素电极和在一对电极间夹持有电介质膜(绝缘膜)的结构的电容电极。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：特开2005—128309号公报
发明内容
发明要解决的问题
可是，在电连接于所述一对电极之中的一方电极的布线(COM电位侧)的面积比连接于另一方电极的布线(像素电极侧)的面积大的情况下，在一方电极，会更多地积存在制造过程中产生的静电(具有大的寄生电容)。由此，存在如下的问题：当将用于与像素电极进行连接的接触孔开孔于布线上时，过剩的静电会从一方电极流向另一方电极，构成电容的电介质膜(绝缘膜)被静电破坏。
解决问题的手段
本发明的方式用于解决所述问题的至少一部分而作出，可以作为以下的方式或应用例而实现。
(应用例1)本应用例涉及的电光装置特征为：包括第1基材、配置于所述第1基材之上的晶体管、连接于所述晶体管的在一对电极之间夹持有绝缘膜的电容、电连接于所述一对电极之中的一方电极的第1布线、电连接于所述一对电极之中的另一方电极的第2布线、用于对所述第1布线与像素电极进行电连接的第1接触孔、配置于所述第2布线之上的第2接触孔和用于对所述第2布线供给电位的外部连接端子，所述第1接触孔与所述第2接触孔设置于配置于所述像素电极和所述第1布线及所述第2布线之间的像素绝缘膜。
根据本应用例，因为将电连接于一方电极的第1接触孔和电连接于另一方电极的第2接触孔开口于同层的像素绝缘膜，所以能够使积存于第1布线侧的静电从第1接触孔消除，使积存于第2布线侧的静电从第2接触孔消除。若换言之，则通过与用于与像素电极电连接的第1接触孔不同地，另行设置第2接触孔，例如，能够抑制累积于布线的面积宽阔的第2布线侧的过剩的静电集中流过第1接触孔。也就是说，能够防止由于过剩的静电破坏电容。还有，所谓电连接于一对电极的一方或另一方的布线包括通过一对电极的一方或另一方的布线层产生的布线。
(应用例2)在所述应用例涉及的电光装置中，优选：从所述第1基材的顶面到所述第2布线的顶面的高度比从所述第1基材的顶面到所述第1布线的顶面的高度高。
根据本应用例，因为第2布线的顶面的高度比第1布线高，所以可以效仿该高度关系，使连接于第2布线的第2接触孔比连接于第1布线的第1接触孔先贯通。因而，即使在过剩的静电累积于第2布线侧的情况下(具有大的寄生电容的情况下)，也能够不介由电容，使静电从第2接触孔放跑。因而，能够防止破坏电容。
(应用例3)在所述应用例涉及的电光装置中，优选：对所述第2布线，施加公共电位。
根据本应用例，因为对第2布线施加公共电位，所以成为与第1布线侧的面积相比较、第2布线侧的面积变宽的关系。因而，即使在过剩的静电累积于第2布线侧的情况下，也可以使静电从第2接触孔放跑，能够防止破坏电容。
(应用例4)在所述应用例涉及的电光装置中，优选：进一步包括与所述第1基材相对置的第2基材；所述第2接触孔设置于当从所述第2基材朝向所述第1基材的方向看时重叠于所述第2基材的位置。
根据本应用例，通过第2接触孔设置于当从第2基材朝向第1基材的方向看时与所述第2基材重叠的位置，能够在靠近显示区域的位置有效地使静电放跑，其结果，能够防止电介质膜的破坏。因此，优选：第2接触孔多个地配置于显示区域的周边。
(应用例5)本应用例涉及的电光装置的制造方法，特征为，包括以下工序：在第1基材之上形成晶体管的晶体管形成工序；在所述晶体管之上，形成与所述晶体管连接的在一对电极间夹持有绝缘膜的结构的电容的电容形成工序；形成与所述一对电极之中的一方电极电连接的第1布线的第1布线形成工序；形成与所述一对电极之中的另一方电极电连接的第2布线的第2布线形成工序；在所述第1布线及所述第2布线之上形成像素绝缘膜的像素绝缘膜形成工序；在所述像素绝缘膜，形成用于对所述第1布线与像素电极进行电连接的第1接触孔；和与所述第2布线电连接的第2接触孔的接触孔形成工序；形成用于对所述第2布线供给电位的外部连接端子的外部连接端子形成工序。
根据本应用例，因为将电连接于一方电极的第1接触孔和电连接于另一方电极的第2接触孔形成于同层的像素绝缘膜，所以能够将积存于第1布线侧的静电从第1接触孔放跑，将积存于第2布线侧的静电从第2接触孔放跑。若换言之，则通过与用于与像素电极电连接的第1接触孔不同地，另行设置第2接触孔，例如，能够抑制累积于布线的面积宽阔的第2布线侧的过剩的静电集中流过第1接触孔。也就是说，能够防止由于过剩的静电破坏电容。
(应用例6)在所述应用例涉及的电光装置的制造方法中，优选：在所述第2布线形成工序中，使得所述第2布线的顶面的高度变得比所述第1布线的顶面的高度高地形成所述第2布线。
根据本应用例，因为第2布线的顶面的高度形成得比第1布线高，所以可以效仿该高度关系，使第2接触孔比第1接触孔先贯通。因而，即使在过剩的静电累积于第2布线侧的情况下，也能够不介由电容，将静电从第2接触孔放跑。因而，能够防止破坏电容。
(应用例7)在所述应用例涉及的电光装置的制造方法中，优选：进一步包括使得与所述第1基材相对置地配置第2基材的第2基材配置工序；所述第2接触孔设置于当从所述第2基材朝向所述第1基材的方向看时重叠于所述第2基材的位置。
根据本应用例，通过将第2接触孔设置于当从第2基材朝向第1基材的方向看时与所述第2基材重叠的位置，能够在靠近显示区域的位置有效地将静电放跑，其结果，能够防止电介质膜的破坏。
(应用例8)本应用例涉及的电子设备，特征为：具备记载于所述的电光装置。
根据本应用例，能够从过剩的静电保护电容，能够提供可靠性高的电子设备。
附图说明
图1是表示表面附着有多个作为电光装置的液晶装置的晶片的一部分的构成的示意俯视图。
图2是表示液晶装置的构成的示意俯视图。
图3是沿着示于图2的液晶装置的H—H’线的示意剖视图。
图4是表示液晶装置的电构成的等效电路图。
图5是对示于图1的晶片的A部进行放大而示的放大俯视图。
图6是表示示于图5的液晶装置的B部的结构的示意剖视图。
图7是液晶装置的制造方法之中的一部分制造方法的示意剖视图。
图8是液晶装置的制造方法之中的一部分制造方法的示意剖视图。
图9是表示具备有液晶装置的投影型显示装置的构成的简要图。
图10是表示变形例的液晶装置的结构的示意剖视图。
图11是对图10的液晶装置之中的一部分进行放大而示的示意剖视图。
图12是表示变形例的液晶装置的结构的示意剖视图。
图13是表示变形例的液晶装置的结构的示意剖视图。
具体实施方式
以下，关于将本发明具体化的实施方式按照附图进行说明。还有，所使用的附图适当放大或缩小而表示，以使得成为所说明的部分可以识别的状态。
还有，在以下的方式中，例如记载为“在基板上”的情况表示在基板之上以相接的方式配置的情况、或在基板之上介由其他的构成物配置的情况、或在基板之上一部分以相接的方式配置且一部分介由其他的构成物而配置的情况等。
在本实施方式中，作为电光装置，列举作为像素的开关元件具备有薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor)的有源矩阵型的液晶装置为例而进行说明。该液晶装置例如能够合适地用作投影型显示装置(液晶投影机)的光调制元件(液晶光阀)。
(电光装置的构成)
图1是表示表面附着有多个作为电光装置的液晶装置的晶片的一部分的构成的示意俯视图。图2是表示液晶装置的构成的示意俯视图。图3是沿着示于图2的液晶装置的H—H’线的示意剖视图。图4是表示液晶装置的电构成的等效电路图。以下，参照图1～图4说明液晶装置的构成。
如示于图1地，晶片500例如矩阵状地表面附着多个量的构成液晶装置100的一对基板之中的一方基板(例如，元件基板)。晶片500的大小例如为8英寸。晶片500的厚度例如为1.2mm。晶片500的材质例如为石英。以下，关于液晶装置100的构成进行说明。
如示于图2及图3地，本实施方式的液晶装置100具有对置配置的元件基板10及对置基板20和通过这一对基板夹持的液晶层15。构成元件基板10的第1基材10a及构成对置基板20的第2基材20a使用例如玻璃基板、石英基板等的透明基板。
元件基板10比对置基板20大，两基板介由沿着对置基板20的外周配置的密封材14而接合。在俯视设置为环状的密封材14的内侧，元件基板10在对置基板20之间封进具有正或负的介电各向异性的液晶而构成液晶层15。密封材14采用例如热固化性或紫外线固化性的环氧树脂等的粘接剂。在密封材14，混入用于将一对基板的间隔保持为一定的间隔体(图示省略)。
在密封材14的内侧，设置排列有多个像素P的显示区域E。虽然在图2及图3中将图示进行了省略，但是在显示区域E中对多个像素P分别平面性地进行划分的遮光膜(黑矩阵；BM)设置于对置基板20。
在沿着元件基板10的1个边部的密封材14与该1个边部之间，设置数据线驱动电路22。并且，在沿着对置于该1个边部的其他的1个边部的密封材14与显示区域E之间，设置检查电路25。进而，在沿着与该1个边部正交且相互对置的其他的2个边部的密封材14与显示区域E之间设置扫描线驱动电路24。在沿着与该1个边部对置的其他的1个边部的密封材14与检查电路25之间，设置连接2个扫描线驱动电路24的多条布线29。
在对置基板20中的配置为环状的密封材14与显示区域E之间，设置遮光膜18(分隔部)。遮光膜18例如包含遮光性的金属或者金属氧化物等而构成，遮光膜18的内侧成为具有多个像素P的显示区域E。还有，虽然在图2中将图示进行了省略，但是在显示区域E中也设置对多个像素P分别平面性地进行划分的遮光膜。
连接于这些数据线驱动电路22、扫描线驱动电路24的布线连接于沿着该1个边部排列的多个外部连接用端子65。以下，以沿着该1个边部的方向为X方向，并以沿着与该1个边部正交并相互对置的其他的2个边部的方向为Y方向而进行说明。
如示于图3地，在第1基材10a的液晶层15侧的表面，形成设置于每像素的透光性的像素电极27及作为开关元件的薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor；以下，称为“TFT30”)、信号布线和覆盖这些的取向膜28。
并且，采用防止光入射于TFT30中的半导体层而开关工作变得不稳定的遮光结构。本发明中的元件基板10至少包括像素电极27、TFT30、取向膜20。
在对置基板20的液晶层15侧的表面，设置遮光膜18、以覆盖它的方式成膜的平坦化层33、以覆盖平坦化层33的方式设置的对置电极31和覆盖对置电极31的取向膜32。本发明中的对置基板20至少包括对置电极31、取向膜32。
遮光膜18如示于图2地，设置于包围显示区域E且俯视与扫描线驱动电路24、检查电路25重叠的位置。由此遮蔽从对置基板20侧入射于包括这些驱动电路的周边电路的光，起到防止周边电路由于光进行误工作的作用。并且，使得无用的杂散光不会入射于显示区域E地进行遮蔽，确保显示区域E的显示中的高的对比度。
平坦化层33包含例如氧化硅等的无机材料而构成，具有光透射性而设置为覆盖遮光膜18。作为如此的平坦化层33的形成方法，可举出采用例如等离子CVD(Chemical VaporDeposition，化学气相沉积)法等进行成膜的方法。
对置电极31包含例如ITO(Indium Tin Oxide，铟锡氧化物)等的透明导电膜而构成，覆盖平坦化层33，并如示于图2地通过作为设置于对置基板20的四角的导通部的上下导通部26电连接于元件基板10侧的布线。
覆盖像素电极27的取向膜28及覆盖对置电极31的取向膜32基于液晶装置100的光学设计而选定。例如，可举出利用气相生长法使SiOx(氧化硅)等的无机材料进行成膜，相对于具有负的介电各向异性的液晶分子基本垂直取向的无机取向膜。
如此的液晶装置100为透射型，可采用不施加电压时的像素P的透射率比电压施加时的透射率大而成为亮显示的常白模式和/或不施加电压时的像素P的透射率比电压施加时的透射率小而成为暗显示的常黑模式的光学设计。可在光的入射侧与出射侧相应于光学设计分别配置使用偏振元件。
如示于图4地，液晶装置100至少具有在显示区域E中互相绝缘且正交的多条扫描线3a及多条数据线6a和电容线3b。扫描线3a所延伸的方向为X方向，数据线6a所延伸的方向为Y方向。
设置扫描线3a与数据线6a以及电容线3b、像素电极27、TFT30和作为电容的电容元件16，它们构成像素P的像素电路。
扫描线3a电连接于TFT30的栅，数据线6a电连接于TFT30的数据线侧源漏区域(源区域)。像素电极27电连接于TFT30的像素电极侧源漏区域(漏区域)。
数据线6a连接于数据线驱动电路22(参照图2)，将从数据线驱动电路22供给的图像信号D1、D2、…、Dn供给于像素P。扫描线3a连接于扫描线驱动电路24(参照图2)，将从扫描线驱动电路24供给的扫描信号SC1、SC2、…、SCm供给于各像素P。
从数据线驱动电路22供给于数据线6a的图像信号D1、D2、…、Dn既可以按该顺序以线依次进行供给，也可以对于彼此相邻的多条数据线6a按组进行供给。扫描线驱动电路24对于扫描线3a，以预定的定时供给扫描信号SC1～SCm。
液晶装置100构成为：通过作为开关元件的TFT30通过扫描信号SC1～SCm的输入以一定期间成为导通状态，从数据线6a供给的图像信号D1～Dn以预定的定时写入于像素电极27。于是，介由像素电极27写入于液晶层15的预定电平的图像信号D1～Dn在像素电极27与介由液晶层15对置配置的对置电极31之间保持一定期间。
用于防止保持的图像信号D1～Dn泄漏，与形成于像素电极27与对置电极31之间的液晶电容并联地连接电容元件16。电容元件16设置于TFT30的像素电极侧源漏区域与电容线3b之间。电容元件16在2个电容电极之间具有电介质层。
图5是将示于图1的晶片的A部进行放大而示的放大俯视图。图6是表示示于图5的液晶装置的B部的结构的示意剖视图。以下，参照图5及图6说明液晶装置的构成。还有，图6表示各构成要素的剖面性的位置关系，以可以明示的尺度表示。
示于图5的液晶装置100是表示液晶装置100的显示区域E与虚设像素区域E1的边界周边的示意俯视图。配置于显示区域E的像素P配置为，与TFT30的漏区域连接的第1布线16a1和连接于COM电位的第2布线16c1包围像素P。
显示区域E中与漏区域电连接的第1布线16a1的面积和与COM电位电连接的第2布线16c1的面积如果以像素为单位看则基本相同。可是，第2布线16c1在显示区域纵向或横向或者矩阵状地连接且在虚设像素区域E及其周边的Dr区域也以宽阔的面积配置的情况为多，与COM电位电连接的第2布线16c1的面积和与漏区域电连接的第1布线16a1的面积相比较，极端地变宽。
如此地可知：在液晶装置100中，相对于与漏区域电连接的第1布线16a1的面积，连接于COM电位的第2布线16c1的面积变得非常地宽。由此，在制造液晶装置100时累积的静电大量地累积于COM电位侧的第2布线16c1(具有大的寄生电容)。以下，关于液晶装置100的剖面结构进行说明。
如示于图6地，在第1基材a上，形成包含钛(Ti)和/或铬(Cr)等而构成的下侧遮光膜3c。下侧遮光膜3c平面性地图形化为栅格状，对各像素的开口区域进行限定。还有，下侧遮光膜3c也可以使得作为扫描线3a的一部分而起作用。在第1基材10a及下侧遮光膜3c上，形成包含氧化硅膜等而构成的衬底绝缘层11a。
在衬底绝缘层11a上，形成TFT30及扫描线3a等。TFT30例如具有LDD(LightlyDoped Drain，轻掺杂漏)结构，具有包括多晶硅等而构成的半导体层30a、形成于半导体层30a上的栅绝缘膜11g和形成于栅绝缘膜11g上的包括多晶硅膜等而构成的栅电极30g。如所述地，扫描线3a也作为栅电极30g而起作用。
半导体层30a例如通过注入磷(P)离子等的N型的杂质离子，作为N型的TFT30而形成。具体地，半导体层30a具备沟道区域30c、数据线侧LDD区域30s1、数据线侧源漏区域30s、像素电极侧LDD区域30d1和像素电极侧源漏区域30d。
在沟道区域30c，掺杂硼(B)离子等的P型的杂质离子。在其他的区域(30s、30s、30d1、30d)，掺杂磷(P)离子等的N型的杂质离子。如此地，TFT30作为N型的TFT而形成。
在栅电极30g、衬底绝缘层11a及扫描线3a上，形成包含氧化硅膜等而构成的第1层间绝缘层11b。在第1层间绝缘层11b，俯视与半导体层30a的端部重叠的位置，设置2个接触孔CNT41、CNT42。
具体地，通过填埋接触孔CNT41及接触孔CNT42并覆盖第1层间绝缘层11b地采用AL(铝)等的遮光性的导电部材料使导电膜进行成膜，并将其图形化，形成介由接触孔CNT42连接于像素电极侧区域30d的中继布线51。
中继布线51与后述的数据线6a一起对TFT30进行遮光。而且，中继布线51电连接TFT30及像素电极27间的一部分。
在中继布线51上，覆盖中继布线51及第1层间绝缘层11b地，设置第2层间绝缘层11c。在第2层间绝缘层11c，平面性地与接触孔CNT41的一部分重叠地设置接触孔CNT43，进而，与中继布线51的一部分重叠地设置接触孔CNT44。
具体地，通过填埋接触孔CNT43、CNT44并覆盖第2层间绝缘层11c地，采用AL(铝)等的遮光性的导电部材料使导电膜进行成膜，并将其图形化，形成数据线6a、中继布线52。
数据线6a介由开孔于第2层间绝缘层11c及第1层间绝缘层11b的接触孔CNT43、CNT41，电连接于半导体层30a的数据线侧源漏区域30s(源区域)。还有，也可以不在显示区域内的像素结构形成CNT43，而以CNT41侧的中继布线51为数据线，并以数据线6a为固定电位的屏蔽层。该情况下，也可以使CNT44也不形成于像素，而利用CNT45使中继布线51与后述的第1电容电极16a相连接。
在数据线6a及中继布线52上，覆盖数据线6a、中继布线52及第2层间绝缘层11c地，设置第3层间绝缘层11d。第3层间绝缘层11d也可以包含例如硅的氧化物和/或氮化物而构成，实施使通过覆盖TFT30等而产生的表面的凹凸平坦化的平坦化处理。作为平坦化处理的方法，例如可举出化学机械抛光处理(Chemical Mechanical Polishing：CMP处理)和/或旋涂处理等。
在第3层间绝缘层11d上，图形化而设置构成电容元件16的第1电容电极16a。在第1电容电极16a上，图形化而叠层构成电容元件16的电介质膜16b。
作为电介质膜16b，除了能够采用氧化硅膜和/或氮化硅膜等的硅的化合物之外，还能够采用氧化铝膜、氧化钛膜、氧化钽膜、氧化铌膜、氧化铪膜、氧化镧膜、氧化锆膜等的高介电常数的电介质层。
在电介质膜16b的上层，图形化而叠层构成电容元件16的第2电容电极16c。第2电容电极16c介由电介质膜16b重叠于第1电容电极16a而配置，与第1电容电极16a及电介质膜16b一起构成电容元件16。
具体地，电连接于TFT30的像素电极侧源漏区域30d(漏区域)及像素电极27的作为像素电位侧电容电极的第1电容电极16a与作为固定电位侧电容电极的第2电容电极16c的一部分介由电介质膜16b对置配置，形成电容元件16。
第2电容电极16c与作为固定电位的公共电位相连接。因而，如所述地，成为布线的面积宽而容易累积静电的状态。
还有，第1电容电极16a及第2电容电极16c既可以包括：包括例如Ti(钛)、Cr(铬)、W(钨)、Ta(钽)、Mo(钼)等的高熔点金属之中的至少之一的金属单质、合金、金属硅化物、聚硅化物、将它们进行叠层的叠层物等而构成，或者也可以包括Al(铝)膜而形成。并且，也可以采用ITO等而形成。
并且，第1电容电极16a的端部俯视与中继布线52(16a1)的一部分重叠，介由设置于第3层间绝缘层11d的接触孔CNT45与中继布线52的延伸部电连接。
在第2电容电极16c上，覆盖第2电容电极16c及第3层间绝缘层11d地，设置作为像素绝缘膜的像素绝缘层11e。像素绝缘层11e包含例如硅的氧化物和/或氮化物而构成，大多实施使通过覆盖布线和/或电极等而产生的表面的凹凸平坦化的平坦化处理。
在像素绝缘层11e上，设置包含ITO膜等而构成的透光性的像素电极27。像素电极27介由设置于像素绝缘层11e及第3层间绝缘层11d的接触孔CNT71与第1电容电极16a的延伸部电连接。
如此地，像素电极27及第1电容电极16a介由中继布线52、接触孔CNT44、中继布线51、接触孔CNT42，电连接于半导体层30a的像素电极侧源漏区域30d(漏区域)。
并且，在像素绝缘层11e，在与连接于第2电容电极16c的第2布线16c1的一部分俯视重叠的区域，设置静电释放用的接触孔CNT72。由此，通过使累积于处于公共电位的第2电容电极16c及第2布线16c1的静电从静电释放用的接触孔CNT72放跑，能够抑制在电容元件16流过过大的电流。还有，接触孔CNT72因为设置于显示区域E的外侧的区域，所以不会影响到显示。
在像素电极27及像素绝缘层11e上，设置将氧化硅(SiO2)等的无机材料斜向蒸镀后的取向膜28(参照图3)。在取向膜28上，设置在通过密封材14包围的空间封入有液晶等的液晶层15(参照图3)。
(电光装置的制造方法)
图7及图8是表示作为电光装置的液晶装置的制造方法之中的一部分的制造方法的示意剖视图。以下，参照图7及图8说明液晶装置的制造方法。还有，图7及图8将示于图6的液晶装置的剖面结构简化而进行说明。
首先，示于图7(a)的工序(晶体管形成工序)，在包括玻璃基板等而构成的第1基材10a上，利用周知的成膜技术、光刻技术及蚀刻技术，形成TFT30。
示于图7(b)的工序(电容形成工序、第1布线形成工序、第2布线形成工序)，在TFT30上形成电容元件16。具体地，首先，在TFT30及第1基材10a上，使包括氧化硅膜等而构成的第1层间绝缘层11b进行成膜。作为第1层间绝缘层11b的制造方法，例如采用CVD法(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积法)。
接下来，在第1层间绝缘层11b上形成电容元件16。具体地，首先，用于使第1层间绝缘层11b(第3层间绝缘层11d)的表面的凹凸平坦化，进行CMP处理等的平坦化处理。接下来，在第1层间绝缘层11b通过蚀刻形成接触孔42、44。此后，在第1层间绝缘层11b上，利用周知的成膜技术、光刻技术及蚀刻技术，形成电容元件16(第1电容电极16a、电介质膜16b、第2电容电极16c)。
还有，为了说明的方便，将第1电容电极16a与中继布线52(16a1)作为1条布线进行图示。第1电容电极16a与TFT30的漏区域30d侧及第1布线16a1电连接。并且，第2电容电极16c与施加公共电位的第2布线16c1电连接。
在示于图7(c)的工序(像素绝缘膜形成工序)中，覆盖电容元件16地形成像素绝缘层11e。具体地，利用例如CVD法进行成膜。此后，用于使像素绝缘层11e的表面的凹凸平坦化，进行CMP处理等的平坦化处理。
在示于图8(d)的工序(接触孔形成工序)中，在像素绝缘层11e形成接触孔CNT71、72。具体地，在像素绝缘层11e中的与中继布线52俯视重叠的位置形成作为第1接触孔的接触孔CNT71，与第2布线16c1俯视重叠的位置形成作为第2接触孔的接触孔CNT72。
如此地，因为在对与第1电容电极16a(16a1)连接的接触孔CNT71进行开口时，将与第2电容电极16c(16c1)连接的接触孔CNT72开口于相同的像素绝缘层11e，所以能够使积存于第1电容电极16a侧(像素电位侧电容电极侧)的静电从接触孔CNT71放跑，并使积存于连接于公共电位的第2电容电极16c侧(固定电位侧电容电极侧)的过剩的静电从接触孔CNT72放跑。也就是说，因为过剩的静电不会流过电介质膜16b，所以能够防止电容元件16破坏。
在示于图8(e)的工序中，形成像素电极27。具体地，利用周知的成膜技术、光刻技术及蚀刻技术，形成包括ITO膜等而构成的像素电极27。由此，像素电极27与接触孔CNT71电连接。若换言之，则像素电极27与TFT30的漏区域30d电连接。
还有，接触孔CNT72既可以由ITO膜填埋，也可以完全不填埋而处于敞开的状态。此后，在像素电极27上及像素绝缘层11e上，通过斜向蒸镀无机材料而形成取向膜28。
(电子设备的构成)
接下来，关于作为本实施方式的电子设备的投影型显示装置，参照图9进行说明。图9是表示具备有所述的液晶装置的投影型显示装置的构成的简要图。
如示于图9地，本实施方式的投影型显示装置100具备沿着系统光轴L配置的偏振照明装置1100、作为光分离元件的2个分色镜1104、1105、3个反射镜1106、1107、1108、5个中继透镜1201、1202、1203、1204、1205、3个作为光调制单元的透射型的液晶光阀1210、1220、1230、作为光合成元件的十字分色棱镜1206和投影透镜1207。
偏振照明装置1110包括：包括超高压水银灯和/或卤素灯等的白色光源而构成的作为光源的灯单元1101、积分透镜1102和偏振变换元件1103而简要构成。
分色镜1104使从偏振照明装置1110射出的偏振光束之中的红色光(R)反射，使绿色光(G)与蓝色光(B)透射。另一个分色镜1105使透射了分色镜1104的绿色光(G)反射，使蓝色光(B)透射。
在分色镜1104进行了反射的红色光(R)在以反射镜1106进行了反射之后经由中继透镜1205入射于液晶光阀1210。在分色镜1105进行了反射的绿色光(G)经由中继透镜1204入射于液晶光阀1220。透射了分色镜1105的蓝色光(B)经由以3个中继透镜1201、1202、1203与2个反射镜1107、1108构成的导光系统而入射于液晶光阀1230。
液晶光阀1210、1220、1230相对于十字分色棱镜1206的每色光的入射面分别对置配置。入射于液晶光阀1210、1220、1230的色光基于图像信息(图像信号)受调制而朝向十字分色棱镜1206射出。
该棱镜116贴合4个直角棱镜，在其内面十字状地形成对红色光进行反射的电介质多层膜与对蓝色光进行反射的电介质多层膜。通过这些电介质多层膜合成3个色光，合成表示彩色图像的光。合成的光通过作为投影光学系统的投影透镜1207投影于屏幕1300上，图像被放大而显示。
液晶光阀1210适用了所述的液晶装置100。液晶装置100在色光的入射侧与射出侧以正交尼科尔方式配置的一对偏振元件之间设置间隙而配置。其他的液晶光阀1220、1230也同样。
根据如此的投影型显示装置1000，作为液晶光阀1210、1220、1230，因为采用抑制了图像残留等的液晶装置100，所以能够实现高的显示质量。
还有，作为可搭载液晶装置100的电子设备，除了投影型显示装置1000之外，还能够用于平视显示器、智能电话机、EVF(Electrical View Finder，电子取景器)、移动微型投影机、便携电话机、便携计算机、数码相机、数码摄像机、显示器、车载设备、音频设备、曝光装置和/或照明设备等各种电子设备。
如以上详述地，根据本实施方式的液晶装置100、液晶装置100的制造方法及电子设备，可得到示于以下的效果。
(1)根据本实施方式的液晶装置100，因为将与电容元件16的一方电极电连接的像素电极连接用的接触孔CNT71和电连接于另一方电极的静电释放用的接触孔CNT72开口于同层的像素绝缘层11e，所以能够使积存于第1布线16a1侧的静电从接触孔CNT71放跑，并使积存于第2布线16c1侧的静电从接触孔CNT72放跑。若换言之，则通过除了用于与像素电极27电连接的接触孔CNT71之外，另行设置接触孔CNT72，例如能够抑制累积于布线的面积宽的公共电位侧的过剩的静电集中流过接触孔CNT71。也就是说，能够防止通过过剩的静电破坏电容元件16。
(2)根据本实施方式的液晶装置100的制造方法，因为将电连接于构成电容元件16的漏区域30d的像素电极连接用的接触孔CNT71和电连接于另一方电极的静电释放用的接触孔CNT72开口于同层的像素绝缘层11e，所以能够使积存于第1布线16a1侧的静电从接触孔CNT71放跑，并使积存于第2布线16c1侧的静电从接触孔CNT72放跑。若换言之，则通过除了用于与像素电极27电连接的接触孔CNT71之外，另行设置接触孔CNT72，例如能够抑制累积于布线的面积宽的公共电位侧的过剩的静电集中流过接触孔CNT71。也就是说，能够防止通过过剩的静电破坏电容元件16。
(3)根据本实施方式的电子设备，在制造过程中通过从过剩的静电保护电容元件16，能够以高成品率生产的基础上，在制造过程中的对绝缘膜的损伤少，所以能够提供可靠性高的电子设备。
还有，本发明的方式并不限于所述的实施方式，在不违反从技术方案及说明书整体读取的发明的要旨或者思想的范围可以适当变更，包括于本发明的方式的技术范围。并且，也能够以如下的方式而实施。
(变形例1)
如所述地，液晶装置的结构并非限定于如示于图6的结构，例如，也可以为如示于图10～图13的结构。图10、图12、图13是表示变形例的液晶装置的结构的示意剖视图。图11是表示图10的液晶装置之中的一部分的变形例的示意剖视图。
示于图10的液晶装置101在第1基材10a上设置半导体层30a，介由半导体层30a的漏区域30d和形成于像素绝缘层11e的像素电极连接用的接触孔CNT71及第1布线16a1等，与构成电容元件16的第1电容电极16a电连接。接触孔CNT71与像素电极27电连接。
在第1电容电极16a上，介由电介质膜16b形成第2电容电极16c。第2电容电极16c介由第2布线16c1等与静电释放用的接触孔CNT72电连接。
如此地，电容元件16的结构虽然与示于图6的液晶装置100不同，但是因为在和电连接于像素电极27的像素电极连接用的接触孔CNT71同层，设置静电释放用的接触孔CNT72，所以能够将当工作时积存于成为公共电位的第2布线16c1侧的静电从接触孔CNT72放跑。由此，能够防止由于过剩的静电而破坏电容元件16。
示于图11的液晶装置101a是将示于图10的液晶装置101的C部放大而示的示意剖视图。示于图11的液晶装置101a通过在层间绝缘层11x的表面形成台阶，第2布线16c1的顶面的高度变得比第1布线16a1的顶面的高度高。台阶的形成既可以通过蚀刻挖掘第1布线16a1的下层，也可以通过在第2布线16c1的下层残留布线图形而形成。通过如此地进行，因为成膜于其上的像素绝缘层11e通过CMP处理而平坦化，所以可以进行调整使得接触孔CNT72变得比接触孔CNT71浅。
通过如此地形成，可以使接触孔CNT72比接触孔CNT71先开口(贯通)，即使在当工作时成为公共电位的第2布线16c1累积有过剩的静电的情况下，不用介由电容元件16，也能够使静电从接触孔CNT72迅速地放跑。也就是说，优选：与接触孔CNT71同时或比接触孔CNT71早地开孔接触孔CNT72。
示于图12的液晶装置102，在第1基材10a上设置半导体层30a，在半导体层30a的上方，设置电容元件16。构成电容元件16的与公共电位连接的第2电容电极16c设置于层间绝缘层11y。在层间绝缘层11y中的第2电容电极16c上，设置电介质膜16b。在设置有电介质膜16b的层间绝缘层11y上，设置与漏区域30d电连接的第1电容电极16a。
与第1电容电极16a连接的第1布线16a1介由像素电极连接用的接触孔CNT71，与设置于像素绝缘层11e上的像素电极27电连接。第2电容电极16c介由下层的中继布线等，电连接于设置于像素绝缘层11e的第2布线16c1。第2布线16c1连接于设置于像素绝缘层11e的静电释放用的接触孔CNT72。
如此地，电容元件16的结构虽然与示于图6和/或图10的液晶装置100、101不同，但是因为在和电连接于像素电极27的像素电极连接用的接触孔CNT71同层，设置静电释放用的接触孔CNT72，所以能够将当工作时积存于成为公共电位的第2布线16c1侧的静电从接触孔CNT72放跑。由此，能够防止电容元件16通过过剩的静电所破坏。
示于图13的液晶装置103，在第1基材10a上设置半导体层30a，在半导体层30a的上方，设置电容元件16。构成电容元件16的与公共电位连接的第2电容电极16c设置于层间绝缘层11z。在层间绝缘层11z中的第2电容电极16c上，设置电介质膜16b。在设置有电介质膜16b的层间绝缘层11z上，设置与漏区域30d电连接的第1电容电极16a。
与第1电容电极16a连接的第1布线16a1介由像素电极连接用的接触孔CNT71，与设置于像素绝缘层11e上的像素电极27电连接。第2电容电极16c介由下层的中继布线等，电连接于设置于像素绝缘层11e的第2布线16c1。第2布线16c1连接于设置于像素绝缘层11e的静电释放用的接触孔CNT72。
如此地，电容元件16的结构虽然和示于图6、图10、图12的液晶装置100、101、102不同，但是因为在和电连接于像素电极27的像素电极连接用的接触孔CNT71同层，设置静电释放用的接触孔CNT72，所以能够将当工作时积存于成为公共电位的第2布线16c1侧的静电从接触孔CNT72放跑。由此，能够防止电容元件16通过过剩的静电所破坏。
(变形例2)
并非限定于如所述地作为透射型的液晶装置100，例如，也可以在反射型的液晶装置应用本发明。
(变形例3)
并非限定于如所述地作为电光装置采用液晶装置100，例如，也可以应用于有机EL装置、等离子显示器，电子纸等。
符号的说明
3a…扫描线，3b…电容线，3c…下侧遮光膜，6a…数据线，10…元件基板，10a…第1基材，11a…衬底绝缘层，11b…第1层间绝缘层，11c…第2层间绝缘层，11d…第3层间绝缘层，11e…作为像素绝缘膜的像素绝缘层，11g…栅绝缘膜，11x、11y、11z…层间绝缘层，14…密封材，15…液晶层，16…作为电容的电容元件，16a…第1电容电极，16a1…第1布线，16b…电介质膜，16c…第2电容电极，16c1…第2布线，18…遮光膜，20…对置基板，20a…第2基材，22…数据线驱动电路，24…扫描线驱动电路，25…检查电路，26…上下导通部，27…像素电极，28、32…取向膜，29…布线，30…TFT，30a…半导体层，30c…沟道区域，30d…像素电极侧源漏区域(漏区域)，30d1…像素电极侧LDD区域，30g…栅电极，30s…数据线侧源漏区域(源区域)，30s1…数据线侧LDD区域，31…对置电极，33…平坦化层，CNT41、42、43、44、45…接触孔，51、52…中继布线，65…外部连接用端子，CNT71…像素电极连接用的接触孔(第1接触孔)，CNT72…静电释放用的接触孔(第2接触孔)，100、101、101a、102、1203…液晶装置，500…晶片，100…投影型显示装置，1100…偏振照明装置，1101…灯单元，1102…积分透镜，1103…偏振变换元件，1104、1105…分色镜，1106、1107、1108…反射镜，1201、1202、1203、1204、1205…中继透镜，1206…十字分色棱镜，1207…投影透镜，1210、1220、1230…液晶光阀，1300…屏幕。

Claims (9)

1.一种电光装置，其特征在于，包括：
具有显示区域的第1基材，
配置于所述第1基材之上的所述显示区域的晶体管，
具有像素电极的、配置于所述第1基材之上的所述显示区域的像素，
电连接于所述晶体管的、在第1电极与第2电极之间夹持有绝缘膜的电容，
电连接于所述第1电极的第1布线，
电连接于所述第2电极的第2布线，
对所述第1布线与所述像素电极进行电连接的第1接触孔，
配置于所述第2布线之上的第2接触孔，和
用于对所述第2布线供给电位的外部连接端子；
所述第1接触孔与所述第2接触孔设置于：配置于所述像素电极与所述第1布线及所述第2布线之间的像素绝缘膜，
所述第2布线的一部分设置于所述显示区域。
2.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于：
从所述第1基材的顶面到所述第2布线的顶面的高度，比从所述第1基材的顶面到所述第1布线的顶面的高度高。
3.根据权利要求1或2所述的电光装置，其特征在于：
对所述第2布线，施加公共电位。
4.根据权利要求1或2所述的电光装置，其特征在于：
还包括与所述第1基材对置的第2基材；
所述第2接触孔设置于：沿从所述第2基材朝向所述第1基材的方向看时重叠于所述第2基材的位置。
5.根据权利要求3所述的电光装置，其特征在于：
还包括与所述第1基材对置的第2基材；
所述第2接触孔设置于：沿从所述第2基材朝向所述第1基材的方向看时重叠于所述第2基材的位置。
6.一种电光装置的制造方法，其特征在于，包括：
在具有显示区域的第1基材之上的所述显示区域形成晶体管的晶体管形成工序；
在所述第1基材之上的所述显示区域形成具有像素电极的像素的像素形成工序；
在所述晶体管之上，形成与所述晶体管电连接的、在第1电极与第2电极之间夹持有绝缘膜的结构的电容的电容形成工序；
形成与所述第1电极电连接的第1布线的第1布线形成工序；
形成与所述第2电极电连接的第2布线的第2布线形成工序；
在所述第1布线及所述第2布线之上形成像素绝缘膜的像素绝缘膜形成工序；
在所述像素绝缘膜，形成对所述第1布线与所述像素电极进行电连接的第1接触孔和与所述第2布线电连接的第2接触孔的接触孔形成工序；和
形成用于对所述第2布线供给电位的外部连接端子的外部连接端子形成工序，
将所述第2布线的一部分形成于所述显示区域。
7.根据权利要求6所述的电光装置的制造方法，其特征在于：
在所述第2布线形成工序中，以使得所述第2布线的顶面的高度变得比所述第1布线的顶面的高度高的方式，形成所述第2布线。
8.根据权利要求6或7所述的电光装置的制造方法，其特征在于：
还包括：以与所述第1基材对置的方式配置第2基材的第2基材配置工序；
所述第2接触孔设置于：沿从所述第2基材朝向所述第1基材的方向看时重叠于所述第2基材的位置。
9.一种电子设备，其特征在于：
具备权利要求1～5中的任一项所述的电光装置。
CN201480005387.8A 2013-01-22 2014-01-10 电光装置、其制造方法以及电子设备 Active CN104937655B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013009014A JP6251955B2 (ja) 2013-01-22 2013-01-22 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器
JP2013-009014 2013-01-22
PCT/JP2014/000095 WO2014115499A1 (ja) 2013-01-22 2014-01-10 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104937655A CN104937655A (zh) 2015-09-23
CN104937655B true CN104937655B (zh) 2018-03-06

Family

ID=51227296

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201480005387.8A Active CN104937655B (zh) 2013-01-22 2014-01-10 电光装置、其制造方法以及电子设备

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9645458B2 (zh)
JP (1) JP6251955B2 (zh)
CN (1) CN104937655B (zh)
WO (1) WO2014115499A1 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9472605B2 (en) * 2014-11-17 2016-10-18 Apple Inc. Organic light-emitting diode display with enhanced aperture ratio
CN105679771B (zh) * 2016-01-29 2018-10-12 厦门天马微电子有限公司 阵列基板及其制作方法、包含其的显示面板
JP7045185B2 (ja) * 2017-12-27 2022-03-31 株式会社ジャパンディスプレイ アレイ基板、アレイ基板の製造方法、表示装置及びスイッチング素子
KR20200115852A (ko) * 2019-03-28 2020-10-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN110518048B (zh) * 2019-08-30 2022-04-08 武汉天马微电子有限公司 显示面板和显示装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02256030A (ja) 1989-03-29 1990-10-16 Mitsubishi Electric Corp マトリクス型表示装置の製造方法
JP4179483B2 (ja) 1996-02-13 2008-11-12 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
JPH10325963A (ja) 1997-05-26 1998-12-08 Sharp Corp アクティブマトリクス型表示装置の製造方法
JP4199501B2 (ja) * 2002-09-13 2008-12-17 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 液晶表示装置の製造方法
JP3997979B2 (ja) 2003-10-24 2007-10-24 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置用基板の製造方法及び電気光学装置用基板、、電気光学装置及び電子機器、並びに半導体装置用基板の製造方法及び半導体装置用基板
EP1662579A1 (en) * 2004-11-25 2006-05-31 STMicroelectronics (Research & Development) Limited Photodiode detector
US7781815B2 (en) 2005-09-09 2010-08-24 Sharp Kabushiki Kaisha Thin-film element, display device and memory cell using the thin-film element, and their fabrication methods
JP2007123297A (ja) 2005-10-24 2007-05-17 Sharp Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2007122071A (ja) 2006-12-04 2007-05-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置の作製方法
WO2008131313A2 (en) * 2007-04-18 2008-10-30 Invisage Technologies, Inc. Materials systems and methods for optoelectronic devices
US8673217B2 (en) * 2007-10-18 2014-03-18 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Sensor using plasmon resonance
JP2012098577A (ja) * 2010-11-04 2012-05-24 Seiko Epson Corp 液晶装置および投射型表示装置
JP5830866B2 (ja) * 2011-02-02 2015-12-09 セイコーエプソン株式会社 制御装置、電気光学装置、電気光学装置の駆動方法および電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
WO2014115499A1 (ja) 2014-07-31
JP6251955B2 (ja) 2017-12-27
JP2014142384A (ja) 2014-08-07
CN104937655A (zh) 2015-09-23
US20150362805A1 (en) 2015-12-17
US9645458B2 (en) 2017-05-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103034001B (zh) 电光装置及电子设备
CN105705985B (zh) 电光装置的驱动方法、电光装置及电子设备
CN101211891B (zh) 连接结构、电光装置及其制造方法
TWI244765B (en) Liquid crystal apparatus, active matrix substrate, display apparatus and electronic machine
US9823530B2 (en) Electro-optical apparatus and electronic apparatus
CN101206363B (zh) 电光装置及电子设备
CN104937655B (zh) 电光装置、其制造方法以及电子设备
US9082854B2 (en) Electrooptic device substrate for shielding light from switching element, electrooptic device, and electronic apparatus
US20180173064A1 (en) Electro-optical device and electronic apparatus
US10268091B2 (en) Electro-optical device, method of manufacturing electro-optical device, and electronic apparatus
JP2018146870A (ja) 電気光学装置及び電子機器
JP2014212191A (ja) 半導体装置、電気光学装置、半導体装置の製造方法、電気光学装置の製造方法、及び電子機器
CN102213880A (zh) 电光装置以及电子设备
CN105223738A (zh) 电光装置及电子设备
CN106019739A (zh) 电光学装置以及电子设备
CN100378557C (zh) 电光装置及其制造方法以及电子设备
JP2018136477A (ja) 電気光学装置、電子機器
JP2010072512A (ja) 電気光学装置及び電子機器、並びに電気光学装置の製造方法
US9335593B2 (en) Electro-optic device comprising a data line disposed between a transistor and a capacitor and electronic apparatus
US20140347618A1 (en) Liquid crystal device, liquid crystal device manufacturing method, and electronic apparatus
JP2013183051A (ja) 電気光学装置、及び電子機器
JP2012108407A (ja) 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器
JP6236827B2 (ja) 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器
JP2014207401A (ja) 半導体装置、電気光学装置、半導体装置の製造方法、電気光学装置の製造方法、及び電子機器
JP2012220753A (ja) 電気光学装置および電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20220926

Address after: Irish Dublin

Patentee after: 138 East LCD Display Development Co.,Ltd.

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: Seiko Epson Corp.