CN105223738A - 电光装置及电子设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供能够使防湿性提高的电光装置和电子设备。具有元件基板(10)；和以与元件基板(10)介由密封件(14)而相对的方式配置的相对基板(20)，配置为从元件基板(10)以及相对基板(20)的侧面(10b、20b)到密封件(14)的长度(L)相对于元件基板(10)与相对基板(20)的间隔的长度(H)之比为50以上且300以下，以覆盖密封件(14)以及元件基板(10)和相对基板(20)的至少一部分侧面(10b、20b)的方式设置有阻挡膜(41)。

Description

电光装置及电子设备
技术领域
本发明涉及电光装置及电子设备。
背景技术
作为上述电光装置之一，例如，已知下述有源驱动方式的液晶装置：按各像素具备晶体管作为对像素电极进行开关控制的元件。液晶装置例如在直视型显示器和/或投影机的光阀等中使用。
液晶装置例如具备：元件基板；以与元件基板相对的方式配置的相对基板；和在元件基板与相对基板之间介由密封件而夹持的液晶层。为了抑制水分从元件基板与相对基板之间的密封件浸入至液晶层，例如，如专利文献1和专利文献2所记载，从元件基板的侧面，遍及密封件和相对基板的侧面形成有包括无机材料的阻挡层和/或防湿膜。
但是，由于相对于元件基板与相对基板的间隔的长度，从元件基板的侧面和相对基板的侧面到密封件为止的距离长，所以存在阻挡层形成不到密封件的问题。于是，例如如图9所示，从元件基板10的侧面10b遍及密封件14的侧面14a、相对基板20的侧面20b，形成包括树脂材料等的基底膜501，进而以覆盖该基底膜501的方式形成有阻挡膜502。
专利文献1：日本特开2008-225399号公报
专利文献2：日本特开2007-47253号公报
但是，存在如下问题：由于基底膜501和阻挡膜502从液晶装置500的侧面(元件基板10的侧面10b、相对基板20的侧面20b)大幅突出，所以在物理性地被施加冲击时，在阻挡膜502会产生裂纹和/或缺口而受到破坏，耐湿性将降低。
发明内容
本发明的方式是为了解决上述问题的至少一部分而实现的，能够作为以下的方式或应用例而实现。
应用例1：本应用例涉及的电光装置具有：元件基板；相对基板，其以与所述元件基板介由密封件而相对的方式配置；以及无机膜，其以覆盖所述密封件的侧面、所述元件基板的侧面的至少一部分和所述相对基板的侧面的至少一部分的方式设置，所述元件基板和所述密封件配置为：从所述元件基板的侧面到所述密封件的侧面的长度相对于所述元件基板与所述相对基板的间隔的长度的比为50以上且300以下，所述相对基板和所述密封件配置为：从所述相对基板的侧面到所述密封件的侧面的长度相对于所述元件基板与所述相对基板的间隔的长度的比为50以上且300以下。
根据本应用例，由于以上述长度之比(纵横比)为50以上且300以下的方式配置元件基板、相对基板以及密封件，所以能够从各基板的侧面遍及密封件而形成无机膜。因此，能够无需像以往那样在无机膜的基底设置树脂材料而直接在各基板和密封件的表面形成。因此，能够抑制无机膜从各基板的侧面大幅伸出，难以对无机膜施加冲击。此外，由于从基板的侧面遍及密封件的侧面以无机膜覆盖表面，所以能够防止水分浸入于由密封件包围的内部，能够使耐湿性提高。
应用例2：优选，在上述应用例涉及的电光装置中，所述元件基板与所述相对基板的间隔的长度为1μm～5μm，从所述元件基板的侧面到所述密封件的侧面以及从所述相对基板的侧面到所述密封件的侧面的各自的长度分别为1μm～1000μm。
根据本应用例，通过以成为上述的值的方式配置元件基板、相对基板以及密封件，能够从各基板的侧面遍及密封件的侧面完全地形成无机膜。因此，能够使耐湿性提高。
应用例3：优选，在上述应用例涉及的电光装置中，所述元件基板与所述相对基板的间隔的长度为2μm～3μm，从所述元件基板的侧面到所述密封件的侧面以及从所述相对基板的侧面到所述密封件的侧面的各自的长度分别为100μm～700μm。
根据本应用例，通过以成为上述值的方式配置元件基板、相对基板以及密封件，能够从各基板的侧面遍及密封件的侧面形成高品质的无机膜。因此，能够使耐湿性提高。
应用例4：优选，在上述应用例涉及的电光装置中，所述无机膜是通过ALD技术形成的膜。
根据本应用例，因为以ALD形成，所以在纵横比比较大的间隙也能够形成无机膜。因此，能够无需像以往那样在基底配置树脂材料而直接在各基板和/或密封件的侧面形成无机膜。
应用例5：优选，在上述应用例涉及的电光装置中，所述无机膜是氧化钽。
根据本应用例，由于从基板的侧面遍及密封件的侧面形成氧化钽，所以能够防止水分浸入于由密封件包围的内部。
应用例6：优选，在上述应用例涉及的电光装置中，所述无机膜的厚度是1nm～50nm。
根据本应用例，通过设定为上述的膜厚，能够耐冲击，且使耐湿性提高。
应用例7：本应用例涉及的电子设备，具备上面所述的电光装置。
根据本应用例，由于具备上述的电光装置，所以能够提供可以使显示品质提高的电子设备。
附图说明
图1是表示作为电光装置的液晶装置的结构的示意俯视图。
图2是图1所示的液晶装置的沿H-H’线的示意剖面图。
图3是液晶装置中主要表示像素的结构的示意剖面图。
图4(a)、图4(b)是表示在液晶装置设置的阻挡膜的结构的示意剖面图。
图5是表示纵横比与不良发生数量的关系的图表。
图6是表示改变了材质和膜厚时的波长与透射率的关系的曲线图。
图7是表示作为电子设备的投影机的结构的概略图。
图8是表示变形例的液晶装置的结构的示意剖面图。
图9是表示现有的液晶装置的结构的示意剖面图。
符号说明
3a扫描线，3b电容线，3c下侧遮光层，CNT1～CNT4接触孔，6a数据线，10元件基板，10a第一基材，10b侧面，11a基底绝缘层，11b第一层间绝缘层，11c第二层间绝缘层，11d第三层间绝缘层，11g栅绝缘层，14密封件，14a侧面，15液晶层，16电容元件，16a第一电容电极，16b第二电容电极，16c电介质膜，18遮光膜，20相对基板，20a第二基材，20b侧面，22数据线驱动电路，24扫描线驱动电路，25检查电路，26上下导通部，27像素电极，28、32无机取向膜，29布线，30TFT，30a半导体层，30c沟道区域，30d像素电极侧源漏区域，30d1像素电极侧LDD区域，30g栅电极，30s数据线侧源漏区域，30s1数据线侧LDD区域，31相对电极，33绝缘膜，35外部连接用端子，41、141作为无机膜的阻挡膜，100、200作为电光装置的液晶装置，1000作为电子设备的投影机，1100偏振照明装置，1101灯单元，1102积分透镜，1103偏振变换元件，1104、1105分色镜，1106、1107、1108反射镜，1201、1202、1203、1204、1205中继透镜，1206十字分色棱镜，1207投影透镜，1210、1220、1230液晶光阀，1300屏幕。
具体实施方式
下面，根据附图，对将本发明具体化了的实施方式进行说明。另外，使用的附图适当进行放大或缩小而显示，以便成为要说明的部分能够辨识的状态。
另外，在以下的方式中，在例如记载为“在基板上”的情况下，表示在基板上以相接的方式配置的情况，或者在基板上介由其他的构成物而配置的情况，或者在基板上以一部分相接的方式配置、一部分介由其他的构成物而配置的情况。
在本实施方式中，作为电光装置的一例，举出具备薄膜晶体管(TFT:ThinFilmTransistor)作为像素的开关元件的有源矩阵型的液晶装置为例进行说明。该液晶装置，例如能够适用作投影型显示装置(液晶投影机)的光调制元件(液晶光阀)。
电光装置的结构
图1是表示作为电光装置的液晶装置的结构的示意俯视图。图2是图1所示的液晶装置的沿H-H’线的示意剖面图。下面，参照图1和图2说明液晶装置的结构。
如图1和图2所示，本实施方式的液晶装置100具有：以相对的方式配置的元件基板10和相对基板20；和由该一对基板夹持的液晶层15。构成元件基板10的第一基材10a例如使用玻璃基板、石英基板等透明基板，或者硅基板，构成相对基板20的第二基材20a例如使用玻璃基板、石英基板等透明基板。
元件基板10比相对基板20大，两基板10、20介由沿着相对基板20的外周配置的密封件14接合。在俯视设置为环状的密封件14的内侧，元件基板10在与相对基板20之间封入具有正或者负的介电各向异性的液晶，构成液晶层15。密封件14例如采用热固化性或者紫外线固化性的环氧树脂等粘接剂。在密封件14，混入有用于将一对基板的间隔保持为一定的间隔体(省略图示)。
在比密封件14的内缘更内侧，设置有排列有多个像素P的显示区域E。显示区域E，除了对显示有用的多个像素P之外，也可以包括以包围多个像素P的方式配置的虚设像素。此外，虽然在图1和图2中省略了图示，但是在相对基板20设置有在显示区域E对多个像素P分别平面地进行划分的遮光膜(黑矩阵：BM)。
在沿着元件基板10的一边部的密封件14与该一边部之间，设置有数据线驱动电路22。此外，在沿着与该一边部相对的另一边部的密封件14与显示区域E之间，设置有检查电路25。进而，在沿着与该一边部正交且相互相对的另两边部的密封件14与显示区域E之间，设置有扫描线驱动电路24。在沿着与该一边部相对的另一边部的密封件14与检查电路25之间，设置有将两个扫描线驱动电路24连接的多条布线29。
在相对基板20的配置为环状的密封件14与显示区域E之间，设置有作为遮光部件的遮光膜18(截断部)。遮光膜18例如包含遮光性的金属或者金属氧化物等，遮光膜18的内侧为具有多个像素P的显示区域E。另外，虽然在图1中省略了图示，但是在显示区域E也设置有对多个像素P平面地进行划分的遮光膜。
与这些数据线驱动电路22、扫描线驱动电路24连接的布线，连接于沿着该一边部排列的多个外部连接用端子35。后面，将沿着该一边部的方向设为X方向，将沿着与该一边部正交且相互相对的另两边部的方向设为Y方向而进行说明。
如图2所示，在第一基材10a的液晶层15侧的表面，形成有按各像素P设置的透光性的像素电极27和作为开关元件的薄膜晶体管(TFT:ThinFilmTransistor，以下称为“TFT30”)、信号布线、和覆盖它们的无机取向膜28。
此外，采用防止光入射于TFT30的半导体层从而开关工作变得不稳定的遮光结构。本发明中的元件基板10至少包括：像素电极27、TFT30、无机取向膜28。
在相对基板20的液晶层15侧的表面，设置有遮光膜18、以覆盖其的方式成膜的绝缘膜33、以覆盖绝缘膜33的方式设置的相对电极31、覆盖相对电极31的无机取向膜32。本发明中的相对基板20至少包括：绝缘膜33、相对电极31、无机取向膜32。
遮光膜18，如图1所示，设置在包围显示区域E并且俯视与扫描线驱动电路24、检查电路25重叠的位置(简略图示)。由此，实现如下作用：遮蔽从相对基板20侧入射于包括这些驱动电路的周边电路的光，防止周边电路因光而误工作。此外，其进行遮蔽以便不需要的杂散光不入射于显示区域E，从而确保显示区域E的显示中的高对比度。
绝缘膜33，例如包含氧化硅等无机材料，具有光透射性，以覆盖遮光膜18的方式设置。作为这样的绝缘膜33的形成方法，列举例如使用等离子CVD(ChemicalVaporDeposition，化学气相沉积)法等进行成膜的方法。
相对电极31，例如包括ITO(IndiumTinOxide，铟锡氧化物)等的透明导电膜，覆盖绝缘膜33，并且如图1所示通过在相对基板20的四角设置的上下导通部26与元件基板10侧的布线电连接。
覆盖像素电极27的无机取向膜28和覆盖相对电极31的无机取向膜32，基于液晶装置100的光学设计而选定。作为无机取向膜28、31，列举使用气相沉积法进行SiOx(氧化硅)等无机材料的成膜，使其相对于具有负的介电各向异性的液晶分子大致垂直取向而成的无机取向膜。
这样的液晶装置100是透射型，采用不施加电压时的像素P的透射率大于电压施加时的透射率的常白、或不施加电压时的像素P的透射率小于电压施加时的透射率的常黑模式的光学设计。在光的入射侧和出射侧，分别根据光学设计配置使用偏振元件。
构成液晶装置的像素的结构
图3是液晶装置中主要表示像素的结构的示意剖面图。下面，参照图3说明液晶装置中像素的结构。图3表示各结构要素的剖面位置关系，以能够明示的尺度表示。
如图3所示，液晶装置100具备：元件基板10和与之相对配置的相对基板20。构成元件基板10的第一基材10a，如上所述例如包括石英基板等。
如图3所示，在第一基材10a上，形成有例如包括Al(铝)、Ti(钛)、Cr(铬)、W(钨)等材料的下侧遮光层3c。下侧遮光层3c，以俯视格子状进行图案形成，规定各像素P的开口区域。另外，下侧遮光层3c具有导电性，也可以作为扫描线3a的一部分发挥作用。在第一基材10a和下侧遮光层3c上，形成有包含氧化硅等的基底绝缘层11a。
在基底绝缘层11a上，形成有TFT30和扫描线3a等。TFT30例如具有LDD(LightlyDopedDrain，轻掺杂漏)结构，具有：包含多晶硅(高纯度的多晶硅)等的半导体层30a、在半导体层30a上形成的栅绝缘层11g、和在栅绝缘层11g上形成的包含多晶硅膜等的栅电极30g。扫描线3a也作为栅电极30g发挥作用。
半导体层30a，例如通过注入磷(P)离子等N型杂质离子，形成为N型的TFT30。具体而言，半导体层30a具备：沟道区域30c、数据线侧LDD区域30s1、数据线侧源漏区域30s、像素电极侧LDD区域30d1、和像素电极侧源漏区域30d。
在沟道区域30c，掺杂有硼(B)离子等P型的杂质离子。在其他的区域(30s1、30s、30d1、30d)，掺杂有磷(P)离子等N型的杂质离子。这样，TFT30形成为N型的TFT。
在栅电极30g和栅绝缘层11g上，形成有包含氧化硅等的第一层间绝缘层11b。在第一层间绝缘层11b上，设置有电容元件16。具体而言，通过将与TFT30的像素电极侧源漏区域30d和像素电极27电连接的作为像素电位侧电容电极的第一电容电极16a与作为固定电位侧电容电极的电容线3b(第二电容电极16b)的一部分介由电介质膜16c而相对配置，形成电容元件16。
电介质膜16c例如为氮化硅膜。第二电容电极16b(电容线3b)包含：例如包含Ti(钛)、Cr(铬)、W(钨)、Ta(钽)、Mo(钼)等高熔点金属中的至少一种的金属单体、合金、金属硅化物、多晶硅化物、层叠它们而得到的产物等。或者，也可以包含Al(铝)膜。
第一电容电极16a例如包括导电性的多晶硅膜，作为电容元件16的像素电位侧电容电极发挥作用。第一电容电极16a与电容线3b同样，可以由包括金属或合金的单层膜或多层膜构成。第一电容电极16a除了作为像素电位侧电容电极的作用之外，还具有经由接触孔CNT1、CNT3、CNT4将像素电极27与TFT30的像素电极侧源漏区域30d(漏区域)中继连接的功能。
在电容元件16上，介由第二层间绝缘层11c，形成有数据线6a。数据线6a经由在栅绝缘层11g、第一层间绝缘层11b、电介质膜16c以及第二层间绝缘层11c开孔而成的接触孔CNT2，与半导体层30a的数据线侧源漏区域30s(源区域)电连接。
在数据线6a的上层，介由第三层间绝缘层11d形成有像素电极27。第三层间绝缘层11d例如包括硅的氧化物和/或氮化物，被实施平坦化处理，该平坦化处理对通过覆盖设置有TFT30的区域而产生的表面的凸部进行平坦化。作为平坦化处理的方法，例如列举化学机械研磨处理(ChemicalMechanicalPolishing:CMP处理)和/或旋涂处理等。在第三层间绝缘层11d，形成有接触孔CNT4。
像素电极27，通过经由接触孔CNT4、CNT3与第一电容电极16a连接，与半导体层30a的像素电极侧源漏区域30d(漏区域)电连接。另外，像素电极27例如包含ITO膜等透明导电性膜。
在像素电极27与相邻的像素电极27之间的第三层间绝缘层11d上，设置有对氧化硅(SiO2)等无机材料进行斜向蒸镀而成的无机取向膜28。在无机取向膜28上，设置有在由密封件14(参照图1和图2)包围的空间封入液晶等而成的液晶层15。
另一方面，在第二基材20a上(液晶层15侧)，例如设置有包括PSG膜(掺杂了磷的氧化硅)等的绝缘膜33。在绝缘膜33上，遍及其整面设置有相对电极31。在相对电极31上，设置有对氧化硅(SiO2)等无机材料进行斜向蒸镀而成的无机取向膜32。相对电极31与上述像素电极27同样，例如包括ITO膜等透明导电性膜。
液晶层15，在像素电极27与相对电极31之间不产生电场的状态下通过无机取向膜28、32取得预定的取向状态。密封件14是用于使元件基板10与相对基板20贴合的、例如包括光固化性树脂和/或热固化性树脂的粘接剂，混入有用于将元件基板10与相对基板20的距离设为预定值的玻璃纤维或玻璃珠等间隔体。
液晶装置和阻挡膜的结构
图4是表示在液晶装置中设置的阻挡膜的结构的示意剖面图。图4(a)是表示液晶装置整体的结构的示意剖面图。图4(b)是放大表示图4(a)所示的液晶装置的A部的放大剖面图。以下，参照图4说明在液晶装置中设置的阻挡膜的结构。
如图4所示，液晶装置100其元件基板10与相对基板20介由密封件14贴合。从元件基板10的侧面10b遍及密封件14的侧面14a、进而相对基板20的侧面20b，形成有作为无机膜的阻挡膜41。
阻挡膜41是通过ALD(AtomicLayerDeposition：原子层沉积)技术形成的膜。ALD技术是将气体状的原料送入成膜面且从附着于成膜面的位置起为核心而成为膜的、形成非常均匀且被覆性高的薄膜的技术。具体而言，能够在细长的纵横比高的间隙形成，能够实现纳米和亚纳米的膜厚的控制。
作为阻挡膜41的材料，例如可以使用无机金属元素和其氧化膜。具体而言，是氧化钽(Ta2O5)，也可以是氧化铝(Al2O3)、二氧化硅(SiO2)、二氧化铪(HfO2)。此外，作为其他的材料，可以列举包括钽(Ta)、氧(O)、氮(N)、碳(C)的膜。
密封件14是包含羟基(OH)的膜，例如是环氧树脂、聚酯、聚醚、酚醛树脂、丙烯酸树脂等。通过使用包含羟基的材料，气体状的原料选择性地吸附于密封件14，推进ALD的反应。
密封件14配置在与元件基板10和相对基板20的侧面10b、20b相距1μm～1000μm的位置(L)。优选，是能够形成高品质的阻挡膜41的100μm～700μm。更加优选，配置在200μm～500μm的位置。
单元间隙H(元件基板10与相对基板20的间隔的长度)为1μm～5μm。优选，是形成高品质的阻挡膜41的2μm～3μm。
纵横比是1～500。优选，是完全地形成阻挡膜41的50～300。更加优选，是形成高品质的阻挡膜41的100～200。如果成为500以上，则阻挡膜41会难以附着。
阻挡膜41的厚度W，例如形成于1nm～50nm的范围。优选，形成在难以通过水分(水蒸气)、难以施加应力而难以破裂的范围的5nm～35nm。更加优选，是10nm～30nm。阻挡膜41如果过厚，则损坏的容易性高。进而，由于会产生基板与膜的应力差，所以有可能使阻挡膜41破坏。
在阻挡膜41的膜厚W为1nm以下的情况下，例如阻挡性劣化。另一方面，在阻挡膜41的膜厚W为50nm以上的情况下，变得容易破裂。
这样，由于能够在上述的纵横比的液晶装置100形成阻挡膜41，所以能够无需在阻挡膜41的基底设置树脂材料等而直接在各基板10、20以及密封件14的表面形成阻挡膜41。因此，能够抑制阻挡膜41从各基板10、20的侧面10b、20b大幅突出，难以在阻挡膜41施加冲击。此外，由于阻挡膜41覆盖密封件14的侧面14a，所以能够防止水分浸入于由密封件14包围的内部，能够使耐湿性提高。
图5是表示纵横比与不良发生数量的关系的图表。图6是表示改变材质和膜厚时的波长与透射率的关系的曲线图。下面，参照图5和图6，对元件基板与相对基板之间的纵横比以及阻挡膜的膜厚进行说明。
图5所示的图表表示在1～600分等级地改变纵横比时的液晶装置100的不良发生数，纵横比是元件基板10与相对基板20的间隔的长度H与从元件基板10和相对基板20的侧面10b、20b到密封件14的侧面14a的长度L的比率。
具体而言，表示在将纵横比分别设定为1、10、50、150、300、500、600的液晶装置100形成阻挡膜41，并在进行耐湿试验后产生的不良数。另外，用于试验的样品数是对于各纵横比使用了5个。
在纵横比为1和10的情况下，虽然作为阻挡膜41的材料的氧化钽被成膜，但在膜上附有伤痕，可见不良的产生。另外，相对于样品数5个，纵横比为1的情况下的不良数为4个，纵横比为10的情况下的不良数为3个。
在纵横比为50、150、300的情况下，氧化钽成膜，且在膜上没有伤痕，看不见不良的产生。
在纵横比为500、600的情况下，氧化钽不成膜，可见不良的产生。具体而言，纵横比为500的情况下的不良数为4个。纵横比为600的情况下的不良数为5个。
图6所示的曲线图，在横轴表示波长(nm)，具体而言，表示380nm～780nm的范围的波长。此外，在纵轴表示透射率，具体而言，表示0.78～0.98的范围的透射率。
曲线图所示的曲线，表示相对于Ref将阻挡膜41的膜厚W增厚且以三种材质A～材质C形成阻挡膜的情况下的结果。具体而言，表示各材质中形成为10nm、20nm、30nm厚度的阻挡膜41的情况下的透射率。
这样，可知各材质A～材质C都是若将膜厚W增厚则透射率降低。此外，换言之，通过设定为10nm～30nm的阻挡膜41，能够确保0.80～0.96左右的透射率。
电子设备的结构
下面，参照图7说明作为具备上述液晶装置的电子设备的投影机。图7是表示投影机的结构的概略图。
如图7所示，本实施方式的投影机1000具备：沿着系统光轴L配置的偏振照明装置1100；作为光分离元件的2个分色镜1104、1105；3个反射镜1106、1107、1108；5个中继透镜1201、1202、1203、1204、1205；3个作为光调制单元的透射型的液晶光阀1210、1220、1230；作为光合成元件的十字分色棱镜1206；和投影透镜1207。
偏振照明装置1100包括以下部件而概略构成：作为包括超高压水银灯和/或卤素灯等白色光源的光源的灯单元1101；积分透镜1102；偏振变换元件1103。
分色镜1104，使从偏振照明装置1100射出的偏振光光束之中的红色光(R)反射，使绿色光(G)和蓝色光(B)透射。另一个分色镜1105使透射过了分色镜1104的绿色光(G)反射，使蓝色光(B)透射。
由分色镜1104反射了的红色光(R)，在由反射镜1106反射后经由中继透镜1205入射于液晶光阀1210。由分色镜1105反射了的绿色光(G)，经由中继透镜1204入射于液晶光阀1220。透射过了分色镜1105的蓝色光(B)，经由包括3个中继透镜1201、1202、1203和2个反射镜1107、1108的导光系统入射于液晶光阀1230。
液晶光阀1210、1220、1230，相对于十字分色棱镜1206的各色光的入射面分别相对配置。入射到了液晶光阀1210、1220、1230的色光，基于图像信息(图像信号)被调制，并朝向十字分色棱镜1206射出。
该棱镜，由4个直角棱镜贴合且在其内表面以十字状形成有反射红色光的电介质多层膜和反射蓝色光的电介质多层膜。通过这些电介质多层膜将3个色光合成，从而合成表示彩色图像的光。合成后的光由作为投影光学系统的投影透镜1207投射于屏幕1300上，放大显示图像。
液晶光阀1210应用了上述液晶装置100。液晶装置100，在一对偏振元件之间隔开间隙而配置，该一对偏振元件在液晶装置的色光的入射侧和出射侧以正交尼科尔方式配置。其他的液晶光阀1220、1230也同样。
在这样的投影机1000中，由于使用液晶光阀1210、1220、1230，所以能够获得高可靠性。
另外，作为搭载液晶装置100的电子设备，除了投影机1000之外，可以用于平视显示器(HUD)、头戴式显示器(HMD)、智能手机、EVF(ElectricalViewFinder，电子取景器)、便携小型投影机、电子书、便携电话、便携计算机、数码照相机、数码摄像机、显示器、车载设备、音频设备、曝光装置和/或照明设备等各种电子设备。
如以上详述，根据本实施方式的液晶装置100和电子设备，获得如下所示的效果。
(1)根据本实施方式的液晶装置100，由于使用ALD技术，所以在液晶装置100以上述的纵横比构成的情况下，也能够从各基板10、20的侧面10b、20b遍及密封件14形成阻挡膜41。因此，能够无需如以往那样在阻挡膜41的基底设置树脂材料等而直接在各基板10、20和密封件14的侧面形成。因此，能够抑制阻挡膜41从各基板10、20的侧面10b、20b大幅伸出，对阻挡膜41难以施加冲击。进而，由于通过阻挡膜41覆盖密封件14的侧面14a，所以能够防止水分浸入于由密封件14包围的内部，能够使耐湿性提高。
(2)根据本实施方式的电子设备，由于具备上述的液晶装置100，所以能够提高能够使显示品质提高的电子设备。
另外，本发明的方式不限于上述的实施方式，而能够在不违背从权利要求和说明书全体可读取的发明的主旨或思想的范围适当变更，且包含于本发明的方式的技术范围。此外，还能够以如下方式实施。
变形例1
不限于如上所述，从元件基板10的侧面10b遍及密封件14的侧面14a、相对基板20的侧面20b设置阻挡膜41，而也可以如图8所示形成。图8是表示变形例的液晶装置200的结构的示意剖面图。
图8所示的液晶装置200，除了上述液晶装置100的阻挡膜41的范围外，还在相对基板20的上表面(包括显示区域)形成有阻挡膜141。作为阻挡膜141的材质，优选为具有透射性的膜，例如氧化硅(SiO2)和/或氧化铝(Al2O3)。
据此，由于不需要剥离在相对基板20的上表面形成的阻挡膜141，所以能够使制造工序简略化。此外，也不需要预先准备掩模。另外，不限于相对基板20的上表面，也可以在元件基板10的下表面(包括显示区域)形成阻挡膜141。此外，也可以在相对基板20的上表面和元件基板10的下表面双方形成阻挡膜141。
变形例2
不限于如上所述，为了在纵横比大的液晶装置100进行阻挡膜41的成膜而使用ALD技术，而例如也可以使用CVD法等成膜。
变形例3
不限于如上所述，作为电光装置应用于液晶装置100，而也可以应用于有机EL装置。具体而言，只要以覆盖密封树脂的方式形成上述的阻挡膜41，便能够提高防湿功能。此外，也可以不设置密封树脂而形成阻挡膜41。
变形例4
不限于如上所述，作为电光装置应用液晶装置100，而例如也可以应用于等离子显示器、电子纸(EPD)等。

Claims (7)

1.一种电光装置，其特征在于，具有：
元件基板；
相对基板，其以与所述元件基板介由密封件而相对的方式配置；以及
无机膜，其以覆盖所述密封件的侧面、所述元件基板的侧面的至少一部分和所述相对基板的侧面的至少一部分的方式设置，
所述元件基板和所述密封件配置为：从所述元件基板的侧面到所述密封件的侧面为止的长度相对于所述元件基板与所述相对基板的间隔的长度之比，为50以上且300以下，
所述相对基板和所述密封件配置为：从所述相对基板的侧面到所述密封件的侧面为止的长度相对于所述元件基板与所述相对基板的间隔的长度之比，为50以上且300以下。
2.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于，
所述元件基板与所述相对基板的间隔的长度为1μm～5μm，
从所述元件基板的侧面到所述密封件的侧面为止以及从所述相对基板的侧面到所述密封件的侧面为止的各自的长度，分别为1μm～1000μm。
3.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于，
所述元件基板与所述相对基板的间隔的长度为2μm～3μm，
从所述元件基板的侧面到所述密封件的侧面为止以及从所述相对基板的侧面到所述密封件的侧面为止的各自的长度，分别为100μm～700μm。
4.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于，
所述无机膜是以ALD形成的膜。
5.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于，
所述无机膜是氧化钽。
6.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于，
所述无机膜的厚度是1nm～50nm。
7.一种电子设备，其特征在于，
具备权利要求1～6中任一项所述的电光装置。
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