CN105705672A - 溅射靶 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种溅射靶。所述溅射靶为由In、Ga以及Zn的氧化物组成的溅射靶，并且为在80℃的质量百分比28％盐酸中，相对于该盐酸而将质量百分比40％的量的所述溅射靶浸渍了24小时之时所获得的溶解残渣的、相对于所述浸渍的溅射靶的质量比为质量百分比0.5％以下的溅射靶。本发明的由In、Ga以及Zn的氧化物组成的溅射靶在溅射时电弧或结块的产生较少，并且能够由该溅射靶获得成品率较好的氧化物半导体膜。

Description

溅射靶
技术领域
本发明涉及一种溅射靶，详细而言，涉及一种电弧或结块的产生较少的由In、Ga以及Zn的氧化物组成的溅射靶。
背景技术
近年来，由铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)的氧化物组成的氧化物半导体膜由于与无定形体Si膜相比而移动度较大，因此正在研究其对于液晶显示装置或薄膜电致发光装置等的开关元件等中的应用。
作为制作这些薄膜的方法，虽然存在喷雾法、浸渍法、真空蒸镀法、溅射法等，但由于在制造成本、生产率、大面积均匀性、膜质、膜的特性(导电率、透光性等)方面溅射法比较优异，因此溅射法成为目前生产技术的主流。
关于溅射法中所使用的靶，从对电弧或结块的产生进行抑制的观点出发，其为高密度且靶面内的体电阻为均匀较好。
在专利文献1中，介绍了在包含In、Ga、Zn的靶中，密度或靶的体电阻、靶的结晶结构、与进行溅射时的电弧或异常放电之间的关系。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2007-73312号公报
发明内容
发明所要解决的课题
在利用溅射法而制作出氧化物半导体膜的情况下，ITO等透明导电性膜的成膜中可允许的程度的微小的电弧或结块也会对膜特性造成影响，因此当产生这些现象时很难稳定地获得半导体膜。因此，对于用于获得氧化物半导体膜的溅射靶而言，需要用于减少电弧或结块的进一步的对策。
本发明的目的在于，提供一种溅射中的电弧或结块的产生较少的In-Ga-Zn-O系的溅射靶。
用于解决课题的方法
达成上述目的的本发明为，由In、Ga以及Zn的氧化物组成的溅射靶，并且为在80℃的质量百分比28％盐酸中，相对于该盐酸而将质量百分比40％的量的所述溅射靶浸渍了24小时之时所获得的溶解残渣的、相对于所述浸渍后的溅射靶的质量比为质量百分比0.5％以下的由In、Ga以及Zn的氧化物组成的溅射靶。
所述溅射靶优选为以如下方式而制造出，即，以湿式来实施作为溅射靶的制造原料的多个原料粉末的混合，并将所获得的混合原料成形而制作出成形体，并且对该成形体进行烧成而制造出，此外优选为，所述多个原料粉末的中位径(D50)为5μm以下，且所述各个原料粉末互相的中位径(D50)之差为2μm以下。
在所述溅射靶中优选为，所述溶解残渣以外的部分为单相结构，并且优选为，所述溶解残渣以外的部分的组成为InGaZnO4。
发明效果
本发明的由In、Ga以及Zn的氧化物组成的溅射靶在溅射时电弧或结块的产生较少，并且能够由该溅射靶获得成品率较好的氧化物半导体膜。
附图说明
图1为将在实施例1中获得的溅射靶用X射线衍射装置(XRD)进行分析时获得的X射线图。
具体实施方式
本发明的溅射靶由In、Ga以及Zn的氧化物组成。即，本发明的溅射靶的构成元素为In、Ga、Zn以及O，还可以包含其他不可避免的杂质元素。作为由In、Ga以及Zn的氧化物组成的溅射靶中的各个元素的含量，例如，In的含量以In2O3换算而优选为质量百分比43.2～45.2％、更优选为43.7～44.7％，Ga的含量以Ga2O3换算而优选为质量百分比28.4～31.4％，更优选为29.2～30.6％，Zn的含量以ZnO换算而优选为质量百分比24.9～26.9％，更优选为25.4～26.4％。当In、Ga以及Zn的含量在所述范围内时，具有通过溅射而能够获得良好的TFT(薄膜晶体管：Thinfilmtransistor)特性的优点。
在本发明的溅射靶中，于80℃的质量百分比28％盐酸中，相对于该盐酸而将质量百分比40％的量的所述溅射靶浸渍之时所获得的溶解残渣的、相对于所述浸渍了的溅射靶的质量比为质量百分比0.5％以下，优选为质量百分比0.3％以下，更优选为质量百分比0.2％以下。通过满足该条件，从而本发明的溅射靶在溅射时电弧或结块的产生较少。
如前文所述，在利用溅射法制作出氧化物半导体膜的情况下，在ITO等透明导电性膜的成膜中可允许的程度的微小的电弧或结块也会对膜特性造成影响。其原因可认为是，由于由靶而获得的膜为半导体膜，因此膜电阻会因少许的氧量或厚度的不同而受到影响。
作为对电弧或结块造成的影响的因素，可列举出靶面内的体电阻之差。当靶内存在与其他位置相比体电阻较高的部分时，则该部分不会被溅射而会残留，并且该处会产生被称为电弧的异常放电，并且伴随该异常放电而会产生结块。因此，要求用于获得氧化物半导体的靶的体电阻更均质。
已知在由In、Ga、Zn的氧化物组成的靶中，这些元素例如作为InGaZnO4、Ga2ZnO4、InGaO3、In2Ga2ZnO7等各种组成的化合物而存在。其中，Ga2ZnO4或InGaO3与InGaZnO4相比体电阻较高。可认为，当这些体电阻较高的Ga2ZnO4相或InGaO3在靶中混合时，这些相会成为电弧或结块的原因。可认为，如果对这些如Ga2ZnO4或InGaO3那样的电阻较高的结晶相的生成进行抑制，则能够获得电弧或结块的产生较少的靶。
一直以来，靶中的Ga2ZnO4相或InGaO3相在一般情况下通过XRD图谱而被确认，但能够通过XRD而检测出的情况仅限于这些结晶相的含有率在几个质量百分比％以上的情况，由此在较低的含有率的情况下检测较为困难，而且，事实上无法定量地求出该含有率。由于即使靶中的Ga2ZnO4相或InGaO3相的含有率低于几个质量百分比％也有可能成为电弧或结块的原因，因此在由XRD实现的评价中无法获得有关电弧或结块的产生的见解。
例如，在专利文献1中也通过XRD图谱对靶的结晶结构进行了确定，但是如前文所述，虽然通过XRD无法检测但并不能认为在靶中不包含Ga2ZnO4相或InGaO3相，从而也不能认为该靶材为电弧或结块较少的优秀的靶。此外，虽然在专利文献1中提及了靶的体电阻值，但即使靶中含有少量的绝缘性化合物，体电阻较低的结晶也对于靶整体的体电阻起支配作用，因此尽管靶的体电阻较低，但也不能认为是电弧或结块较少的靶。
本发明人发现，虽然InGaZnO4相等溶解在质量百分比28％左右的盐酸中，但是Ga2ZnO4相或InGaO3相实质上未在所述盐酸中溶解，从而获得了如下见解，即，即使是通过XRD无法检测到的低于几个质量百分比％的含有率的Ga2ZnO4或InGaO3也能够从未溶解的残存物的量中检测出。本发明为，基于该见解而对在所述条件下所获得的溶解残渣的比率进行规定，从而创造出电弧或结块的产生较少的靶的发明。
所述溶解残渣是指，在浸渍到盐酸中的溅射靶之中，在向盐酸中的溶解实质上未进行的状态下存在于盐酸中的残存物。可通过XRD分析确认出所述溶解残渣实质上为Ga2ZnO4以及InGaO3。
具体而言，溶解残渣的所述质量比能够按如下方式求出。向80℃的质量百分比28％的盐酸10kg中投入溅射靶4kg，并将温度保持在80℃，边搅拌边溶解24小时。之后，在100℃下对过滤所获得的溶解残渣进行干燥24小时并对其质量进行测定。求出所述溶解残渣的质量相对于所投入的溅射靶的质量的比率(％)。
在本发明的溅射靶中，从体电阻的均匀性的观点出发而优选为，所述溶解残渣以外的部分为具有固定的组成的单相结构，而且优选为，该部分的组成为InGaZnO4。溅射靶的组成由用于靶的制造的原料粉末中的元素的构成比而确定。具有单相结构的溅射靶能够通过以成为可实现该单相结构的组成的元素比的方式对各种原料粉末进行混合而制造。具有InGaZnO4的组成的单相结构的溅射靶能够通过以成为可实现InGaZnO4的组成的元素比的方式对各种原料粉末进行混合而制造。
本发明的溅射靶的形状并不特别地限制，可列举出平板状或圆筒形状等。
本发明的溅射靶能够通过常规方法使用低融点焊料而与基材接合并用于溅射中。
如前文所述，本发明的溅射靶在溅射过程中电弧或结块的产生较少。另外，溅射过程中的电弧的产生与结块的产生存在并行的关系，从而如果结块的产生较少则能够评价为电弧的产生也较少。
(溅射靶的制造方法)
本发明的溅射靶例如能够以如下方式而制造出，所述方式为，对作为该靶的制造中所需的多个原料粉末的氧化铟(In2O3)粉末、氧化镓(Ga2O3)粉末、氧化锌(ZnO)粉末、IGZO粉末进行混合，并将所获得的混合原料成形而制作出成形体，并对该成形体进行烧成。
在本发明的溅射靶中，溶解残渣的所述质量比为质量百分比0.5％以下，如前文所述，本发明的溅射靶为，作为体电阻较高的化合物的Ga2ZnO4或InGaO3的含量较少的靶。虽然由In、Ga以及Zn的氧化物组成的溅射靶因前述的理由而优选为具有固定的组成的单相结构，但是即使对原料粉末进行调配以能够获得具有预定的组成的单相结构，根据原料粉末的混合或所使用的原料品种等制造条件，也能够生成具有与所述预定的组成不同的组成的所述体电阻较高的化合物等。例如，若想要制造出具有InGaZnO4这种组成的单相结构的靶，则即使以预定的比率对氧化铟粉末、氧化镓粉末以及氧化锌粉末进行混合并在高温下对成形体进行烧结，但在混合不充分时成形体的每个局部也会产生组成的偏差，并通过烧结而生成Ga2ZnO4或InGaO3那样的体电阻较高的化合物。此外，在原料粉末的粒径较大等原料粉末的反应性较低的情况下，所述3种原料粉末的反应也会变得不充分而生成所述体电阻较高的化合物。
为了对所述体电阻较高的化合物的生成进行抑制而获得本发明的溅射靶，优选为以湿式而对原料粉末进行混合(湿式混合)。湿式混合是指，使用作为分散介质的水或酒精等液体而对原料粉末进行混合的混合方式。当进行湿式混合时，原料粉末的混合将变得良好，从而能够获得具有均匀的组成的靶。在不使用分散介质而对原料粉末进行混合的干式混合中，原料粉末的凝集很难解开而难以获得原料粉末的均匀的混合状态，因此当对该成形体进行烧成时容易生成作为绝缘性化合物的所述体电阻较高的化合物。通过注浆成形(slip-cast)法，或对浆料进行喷雾干燥而制作出颗粒并将该颗粒填充到模具中并且进行加压成形的方法等，由进行湿式混合之后的浆料制作出成形体。关于这些方法则在后文中进行叙述。
此外，各个原料粉末的中位径(D50)优选为5μm以下。例如，氧化铟粉末、氧化镓粉末以及氧化锌粉末的中位径(D50)均优选为5μm以下。所述中位径(D50)更优选为2μm以下，进一步优选为1μm以下。虽然所述中位径(D50)的下限未特别地限制，但通常为0.3μm。当原料粉末的中位径(D50)在所述范围时，原料粉末相互的反应性会变得良好，从而能够对所述体电阻较高的化合物的生成进行抑制。
并且，所述各原料粉末相互的中位径(D50)之差优选为2μm以下。例如，氧化铟粉末与氧化镓粉末的中位径(D50)之差、氧化铟粉末与氧化锌粉末的中位径(D50)之差以及氧化镓粉末与氧化锌粉末的中位径(D50)之差均优选为2μm以下。所述中位径(D50)之差更优选为1μm以下，进一步优选为0.5μm以下。最优选为，无所述中位径(D50)之差，即各个原料粉的中位径(D50)均相同。
在所述注浆成形法中，将包含各种原料粉末的浆料注入模具中，接着进行排水而成形。当原料粉末的中位径(D50)之差大于2μm时，在成形过程中原料粉末会变得容易分离，从而会因偏析而使体电阻较高的化合物变得容易生成。在对所述浆料进行喷雾干燥的方法中，当原料粉末的中位径(D50)之差大于2μm时，会发生在输送浆料的配管内产生分离等的问题。
所述中位径(D50)均为通过激光衍射、散射法而获得的数值。
以下，对本发明的溅射靶的具体制造方法进行说明。
(工序1)
在工序1中，由原料粉末制作成形体。
作为原料粉末，可使用氧化铟粉末、氧化镓粉末以及氧化锌粉末，而且还可以使用IGZO粉末。如前文所述，氧化铟粉末、氧化镓粉末、氧化锌粉末以及IGZO粉末的中位径(D50)优选为5μm以下。各原料粉末相互的中位径(D50)之差优选为2μm以下。氧化铟粉末、氧化镓粉末、氧化锌粉末以及IGZO粉末的混合比率以成为本靶预定的构成元素比的方式而被适当地确定。在本制造方法中可确认出，在使用氧化铟粉末、氧化镓粉末、氧化锌粉末以及IGZO粉末的混合粉末的情况下，在混合粉末中所包含的各个元素的比率(质量百分比％)可以同样视作最终所获得的靶中所包含的各个元素的比率(质量百分比％)。
也可以事先对原料粉末进行干式混合。干式混合方法中并没有特别地限制，例如能够将各粉末以及氧化锆球放入罐中并进行球磨混合。
作为由该混合粉末制作成形体的方法，例如，可列举出前述的注浆成形方法以及对浆料进行喷雾干燥的方法。
注浆成形方法
在注浆成形方法中，制备出含有所述混合粉末以及有机添加剂的浆料，并使该浆料注入到模具中，接着进行排水而成形。
作为所述有机添加剂，可列举出胶结剂、分散剂。作为胶结剂，一般为乳剂系的胶结剂，作为分散剂一般为聚羧酸铵等。
在制备含有混合粉末以及有机添加剂的浆料时所使用的分散介质未特别地限制，能够根据目的而从水、酒精等中进行适当地选择来使用。
制备含有混合粉末以及有机添加剂的浆料的方法未特别地限制，例如可使用将混合粉末、有机添加剂以及分散介质放入罐中并进行球磨混合的方法。该混合为湿式混合。
将所获得的浆料注入模具中，接着进行排水而成形，从而制作出成形体。作为模具，一般为石膏模具或通过加压进行排水的树脂模具。
对浆料进行喷雾干燥的方法
在对浆料进行喷雾干燥的方法中，制备出含有所述混合粉末以及有机添加剂的浆料并对该浆料进行喷雾干燥，并且将所获得的干燥粉末填充到模具中并进行加压成形。
作为所述有机添加剂，可列举出胶结剂、分散剂。作为胶结剂，一般为水溶性胶结剂，作为分散剂，一般为聚羧酸铵等。
在制备含有混合粉末以及有机添加剂的浆料时所使用的分散介质未特别地限制，能够根据目的而从水、酒精等中进行适当地选择来使用。
制备含有混合粉末以及有机添加剂的浆料的方法未特别地限制，例如可使用将混合粉末、有机添加剂以及分散介质放入罐中并进行球磨混合的方法。该混合为湿式混合。
对所获得的浆料进行喷雾干燥而制作出含水率为1％以下的干燥粉末，并将其填充至模具中，并且通过单轴压或等静压进行加压而成形，从而制作出成形体。
(工序2)
在工序2中，对工序1中所获得的成形体进行烧成，从而制作出烧成体。烧成炉未特别地限制，能够使用在陶瓷靶材的制造中一直以来所使用的烧成炉。
烧成温度通常为1300～1500℃，优选为1400℃～1450℃。烧成温度越高越能获得高密度的靶材，但如果过高时靶材的烧结组织会肥大化而变得容易破裂。
(工序3)
在工序3中，对工序2中所获得的烧成体进行切削加工而制作出溅射靶。加工使用平面磨床等来实施。加工后的表面粗糙度Ra能够通过对磨石的磨粒的大小进行选定而进行控制。
实施例
在实施例以及比较例中所获得的溅射靶的评价方法如下。
1.相对密度
溅射靶的相对密度基于阿基米德法而进行测定。具体而言，用溅射靶的空中重量除以体积(溅射靶的水中重量/计量温度中水比重)，并将相对于基于下式(X)而得到的理论密度ρ(g/cm3)的百分率的值作为相对密度(单位：％)。
数学式1
ρ＝((C1/100)/ρ1+(C2/100)/ρ2+……+(Ci/100)/ρi)-1(X)
(式中C1～Ci分别表示溅射靶的构成物质的含量(重量百分比％)，ρ1～ρi表示对应C1～Ci的各个构成物质的密度(g/cm3)。)
2.溶解残渣
将溅射靶粉碎成3cm方块以下的样品4kg置入80℃的质量百分比28％的盐酸10kg中，并将温度保持在80℃，且边搅拌边浸渍24小时。在浸渍了24小时的时间点处确认到样品的溶解并未进行。将所获得的含残渣液进行过滤，并回收溶解残渣，在100℃下干燥24小时，并对该质量进行测定。求出溶解残渣的质量相对于浸渍的样品的质量的比率(溶解残渣的质量百分比(％))。
3.原料粉末的中位径(D50)
原料粉末的中位径(D50)使用日机装株式会社制造的激光衍射、散射式粒度分布测定装置(HRA9320-X100)而进行了测定。溶剂使用水，并以测定物质的折射率2.20进行了测定。
4.结块量
使用作为低融点焊料的铟而将溅射靶接合在Cu制的基材上，并在下述条件下实施了溅射。
(溅射条件)
装置：DC磁控溅射装置、排气系低温泵、旋转泵
到达真空度：3×10-4Pa
溅射压力：0.4Pa
氧分压：4×10-2Pa
将溅射后的靶的表面进行拍摄，并通过图像分析，将靶表面的结块的面积相对于靶表面的面积的比率(％)作为结块量。此外，以下述的A～D的判定标准从面积比率较少的一方开始对该结块量进行评价。
A：小于3％；
B：3％以上且小于6％；
C：6％以上且小于9％；
D：9％以上
可以评价为，结块量越少则越能够形成适当的溅射膜。判断为A或B的靶的结块量较少，从而所生成的膜的大面积的均匀性、膜质、导电率、透光性等膜特性变得良好。因此可以说，如果是判断为A或B的靶，则与现有技术相比成品率良好，从而可以说能够更有效地获得氧化物半导体膜。
[实施例1]
在罐中通过氧化锆球对中位径(D50)为0.8μm的氧化锌粉末、中位径(D50)为0.6μm的氧化铟粉末、中位径(D50)为2μm的氧化镓粉末进行球磨干式混合，从而制备出混合粉末。混合粉末中的氧化铟粉末的含量为质量百分比44.2％，氧化锌粉末的含量为质量百分比25.9％，氧化镓粉末的含量为质量百分比29.9％。通过该调配比，从而能够获得实质上溶解残渣以外的部分的组成为InGaZnO4的单相结构的溅射靶。
在该罐中，作为胶结剂而相对于混合粉末添加质量百分比0.2％的丙烯酸乳剂胶结剂、作为分散剂而相对于混合粉末添加质量百分比0.6％的聚羧酸铵，以及作为分散介质而相对于混合粉末添加质量百分比20％的水并进行球磨混合，从而制备出浆料。使该浆料注入至石膏模具中，接着进行排水而获得成形体。
接下来，对该成形体进行烧成而制作出烧成体。烧成在大气环境中，烧成温度1400℃、烧成时间10小时、升温速度300℃/h、降温速度50℃/h下实施。
将所获得的烧成体进行削切加工，从而获得表面粗糙度Ra为0.7μm、直径为152.4mm、厚度为6mm的溅射靶。加工中使用了#170的磨石。
通过上述方法，从而求出溅射靶的相对密度、溶解残渣的质量比、结块量。将结果示于表1。此外，通过X射线衍射装置(XRD)对获得的溅射靶的结晶结构进行了研究。将X射线图表示于图1中。根据图1，所获得的溅射靶可判断为，实质上溶解残渣以外的部分的组成为InGaZnO4的单相结构。
[实施例2]
以与实施例1相同的方式进行干式混合而制备出混合粉末。
在装有混合粉末的罐中，作为胶结剂而相对于混合粉末添加质量百分比0.2％的PVA胶结剂、作为分散剂而相对于混合粉末添加质量百分比0.6％的聚羧酸铵、以及作为分散介质而相对于混合粉末添加质量百分比40％的水并进行球磨混合，从而制备出浆料。利用入口温度为200℃的喷雾干燥机对该浆料进行喷雾干燥，从而获得含水率为1％以下的干燥粉末。将所获得的干燥粉末填充到金属模具中，并以800kgf/cm2的单轴压进行加压而获得成形体。以与实施例1相同的方法对所获得的成形体进行烧成以及加工，从而获得与实施例1相同尺寸的溅射靶。
通过上述方法，求出溅射靶的相对密度、溶解残渣的质量比、结块量。将结果示于表1。X射线衍射的结果与图1相同。
[实施例3]
以与实施例2相同的方式而获得干燥粉末。
将干燥粉末填充到橡胶模具中，并在1200kgf/cm2的等静压下进行加压而获得成形体。以与实施例1相同的方法对所获得的成形体进行烧成以及加工，从而获得与实施例1相同尺寸的溅射靶。
通过上述方法，求出溅射靶的相对密度、溶解残渣的质量比、结块量。将结果示于表1。X射线衍射的结果与图1相同。
[实施例4]
在罐中通过氧化锆球对中位径(D50)为3.2μm的氧化锌粉末、中位径(D50)为2.5μm的氧化铟粉末、中位径(D50)为4.5μm的氧化镓粉末进行球磨干式混合，从而制备出混合粉末。混合粉末中的氧化铟粉末的含量为质量百分比44.2％，氧化锌粉末的含量为质量百分比25.9％，氧化镓粉末的含量为质量百分比29.9％。通过该调配比，从而获得实质上溶解残渣以外的部分的组成为InGaZnO4的单相结构的溅射靶。
在该罐中，作为胶结剂而相对于混合粉末添加质量百分比0.2％的丙烯酸乳剂胶结剂、作为分散剂而相对于混合粉末添加质量百分比0.3％的聚羧酸铵、以及作为分散介质而相对于混合粉末而添加质量百分比15％的水并进行球磨混合，从而制备出浆料。将该浆料注入石膏模具中，接着进行排水而获得成形体。
以与实施例1相同的方法对所获得的成形体进行烧成以及加工，从而获得与实施例1相同尺寸的溅射靶。
通过上述方法，求出溅射靶的相对密度、溶解残渣的质量比、结块量。将结果示于表1。X射线衍射的结果与图1相同。
[比较例1]
以与实施例1相同的方式进行干式混合而制备出混合粉末。
相对于该混合粉末而混合重量百分比0.2％的PVA胶结剂，并且无需进行湿式混合而填充在金属模具中，并以800kgf/cm2的单轴压进行加压而获得成形体。以与实施例1相同的方法对所获得的形体进行烧成以及加工，从而获得与实施例1相同尺寸的溅射靶。
通过上述方法，求出溅射靶的相对密度、溶解残渣的质量比、结块量。将结果示于表1。X射线衍射的结果与图1相同。
[比较例2]
在罐中通过氧化锆球对中位径(D50)为7.2μm的氧化锌粉末、中位径(D50)为8.5μm的氧化铟粉末、中位径(D50)为7.5μm的氧化镓粉末进行球磨干式混合，从而制备出混合粉末。在混合粉末中的氧化铟粉末的含量为质量百分比44.2％、氧化锌粉末的含量为质量百分比25.9％、氧化镓粉末的含量为质量百分比29.9％。
在该罐中，作为胶结剂而相对于混合粉末添加质量百分比0.2％的丙烯酸乳剂胶结剂、作为分散剂而相对于混合粉末添加质量百分比0.3％的聚羧酸铵、以及作为分散介质而相对于混合粉末添加质量百分比12％的水并进行球磨混合，从而制备出浆料。将该浆料注入石膏模具中，接着进行排水而获得成形体。
以与实施例1相同的方法对所获得的成形体进行烧成以及加工，从而获得与实施例1相同尺寸的溅射靶。
根据上述方法，求出溅射靶的相对密度、溶解残渣的质量比、结块量。将结果示于表1。X射线衍射的结果与图1相同。
[比较例3]
在罐中通过氧化锆球对中位径(D50)为0.8μm的氧化锌粉末、中位径(D50)为0.6μm的氧化铟粉末、中位径(D50)为4.5μm的氧化镓粉末进行球磨干式混合，从而制备出混合粉末。混合粉末中的氧化铟粉末的含量为质量百分比44.2％、氧化锌粉末的含量为质量百分比25.9％、氧化镓粉末的含量为质量百分比29.9％。
代替比较例2的混合粉末而使用所述混合粉末，除此之外，以与比较例2相同的方式而获得与实施例1相同尺寸的溅射靶。
通过上述方法，求出溅射靶的相对密度、溶解残渣的质量比、结块量。将结果示于表1。X射线衍射的结果与图1相同。
【表1】

Claims (5)

1.一种溅射靶，其为由In、Ga以及Zn的氧化物组成的溅射靶，并且在80℃的质量百分比28％盐酸中，相对于该盐酸而将质量百分比40％的量的所述溅射靶浸渍了24小时之时所获得的溶解残渣的、相对于所述浸渍的溅射靶的质量比为质量百分比0.5％以下。
2.如权利要求1所述的溅射靶，其中，
所述溅射靶以如下方式而制造出，即，以湿式来实施作为溅射靶的制造原料的多个原料粉末的混合，并将所获得的混合原料成形而制作出成形体，并且对该成形体进行烧成而制造出。
3.如权利要求2所述的溅射靶，其中，
所述多个原料粉末的中位径(D50)为5μm以下，并且所述各个原料粉末相互的中位径(D50)之差为2μm以下。
4.如权利要求1至3中任意一项所述的溅射靶，其中，
所述溶解残渣以外的部分为单相结构。
5.如权利要求4所述的溅射靶，其中，
所述溶解残渣以外的部分的组成为InGaZnO4。
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