TWI638691B - 濺鍍靶 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種濺鍍靶，其係包含In、Ga及Zn之氧化物，且於80℃之28質量%鹽酸中，將相對於該鹽酸為40質量%之量的上述濺鍍靶浸漬24小時後所得之溶解殘渣，相對於上述經浸漬之濺鍍靶的質量比為0.5質量%以下。本發明之包含In、Ga及Zn之氧化物的濺鍍靶係濺鍍時電弧及突粒之產生較少，且可從此濺鍍靶得到產率佳之氧化物半導體膜。

Description

濺鍍靶
本發明係關於濺鍍靶，詳而言之，係關於電弧(arcing)及突粒(nodule)之產生較少且包含In、Ga及Zn之氧化物之濺鍍靶。
近年來，包含銦(In)、鎵(Ga)、鋅(Zn)之氧化物之氧化物半導體膜係由於較非晶質Si膜之移動度更大，故正研究一種應用於液晶顯示裝置及薄膜電致發光裝置等之開關(switching)元件等。
就製作此等薄膜之方法而言，有噴塗法、浸漬法、真空蒸鍍法、濺鍍法等，但從製造成本、生產性、大面積均勻性、膜質、膜之特性(導電率、透光性等)之觀點來看，濺鍍法較優異，故濺鍍法成為目前生產技術之主流。
關於濺鍍法所使用之靶材，從抑制電弧及突粒之產生的觀點來看，已知高密度及靶材面內之體電阻(bulk resistance)均勻性較佳。
於專利文獻1中，已介紹一種在含有In、Ga、Zn之靶材中，密度及靶材之體電阻、靶材之結晶構造、 與濺鍍時之電弧及異常放電之關係。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2007-73312號公報
以濺鍍法製作氧化物半導體膜時，由於ITO等透明導電性膜之成膜中係即使可容許程度之微量電弧及突粒(nodule)，亦會影響膜特性，故若產生此等，難以穩定地得到半導體膜。因此，為了得到氧化物半導體膜之濺鍍靶必須有為了減少電弧及突粒之更進一步之對策。
本發明之目的係提供濺鍍中之電弧及突粒之產生較少之In-Ga-Zn-O系之濺鍍靶。
達成上述目的之本發明，係一種包含In、Ga及Zn之氧化物的濺鍍靶，該包含In、Ga及Zn之氧化物的濺鍍靶係於80℃之28質量%鹽酸中，將相對於該鹽酸為40質量%之量的上述濺鍍靶浸漬24小時後得到溶解殘渣，且該溶解殘渣相對於上述經浸漬之濺鍍靶的質量比為0.5質量%以下。
上述濺鍍靶較佳係以濕式進行濺鍍靶之製造原料的複數原料粉末之混合，將所得到之混合原料成形以製作成形體，並煅燒該成形體而製造者，又，較佳係上述複數原料粉末之中值粒徑(median size)(D50)為5μm以 下，且上述各原料粉末彼此之中值粒徑(D50)的差為2μm以下。
上述濺鍍靶係以上述溶解殘渣以外之部分為單相構造較佳，進一步，以上述溶解殘渣以外之部分之組成為InGaZnO4較佳。
本發明之包含In、Ga及Zn之氧化物的濺鍍靶係濺鍍時電弧及突粒之產生較少，從此濺鍍靶可得到產率佳之氧化物半導體膜。
第1圖係將於實施例1所得到之濺鍍靶以X線繞射裝置(XRD)分析而得之X線圖表。
本發明之濺鍍靶係包含In、Ga及Zn之氧化物。即，本發明之濺鍍靶之構成元素係In、Ga、Zn及O，亦可含有其他不可避免之雜質元素。就包含In、Ga及Zn之氧化物的濺鍍靶中的各元素之含量而言，例如In之含量以In2O3計，以43.2至45.2質量%為較佳，以43.7至44.7%為更佳，Ga之含量以Ga2O3計，以28.4至31.4質量%為較佳，以29.2至30.6%為更佳，Zn之含量以ZnO計，以24.9至26.9質量%為佳，以25.4至26.4%為更佳。若In、Ga及Zn之含量在上述範圍內，有可藉由濺鍍以得到良好之TFT(薄膜電晶體：Thin Firm Transistor)特性之優點。
本發明之濺鍍靶中，於80℃之28質量%鹽酸中，將相對於該鹽酸為40質量%之量的上述濺鍍靶浸漬後所得之溶解殘渣，相對於上述經浸漬之濺鍍靶的質量比為0.5質量%以下，以0.3質量%以下為較佳，以0.2質量%以下為更佳。藉由滿足此條件，本發明之濺鍍靶於濺鍍時電弧及突粒之產生較少。
如上所述，以濺鍍法製作氧化物半導體膜時，在ITO等透明導電性膜之成膜中即使為可容許程度之微量電弧及突粒，也會影響膜特性。認為此係由於由靶材得到之膜係半導體膜，因此會因為僅存之氧之量及厚度之差異而使膜抵抗受到影響。
就影響電弧及突粒之因素而言，可舉出靶材面內之體電阻之差。於靶材內，若存在有體電阻較其他處更高之部分，則該部分不會被濺鍍而殘留，於該處產生所謂電弧之異常放電，且伴隨此異常放電，產生突粒。因此，為了得到氧化物半導體之靶材係被要求體電阻更加一致。
在包含In、Ga、Zn之氧化物的靶材中，已知此等元素係以例如InGaZnO4、Ga2ZnO4、InGaO3、In2Ga2ZnO7等各式各樣之組成之化合物存在。於此等之中，又以Ga2ZnO4及InGaO3之體電阻係較InGaZnO4高。若此等體電阻較高之Ga2ZnO4相及InGaO3相混在靶材中，認為此等之相成為電弧及突粒之原因。若抑制此等如Ga2ZnO4及InGaO3般之高體電阻之結晶相之生成，認為可得到電弧 及突粒之產生較少之靶材。
以往，靶材中之Ga2ZnO4相及InGaO3相一般係藉由XRD繞射圖(profile)來確認，但可藉由XRD檢測者係僅限於此等結晶相之含有率在數質量%以上之情形，較此低之含有率時，難以檢測出，再者，實際上不可能定量地求得其含有率。靶材中之Ga2ZnO4相及InGaO3相係即使較數質量%低之含有率，亦成為電弧及突粒之原因，故關於電弧及突粒之產生是無法藉由XRD之評估而得知。
例如，即使於專利文獻1中，雖然從XRD繞射圖特定靶材之結晶構造，但如上所述，即使無法以XRD檢測出，但無法稱作靶材不含有Ga2ZnO4相及InGaO3相，而無法稱此靶材為電弧及突粒較少之優異之靶材。又，專利文獻1中雖然亦提及靶材之體電阻值，但即使靶材中含有少量絕緣性化合物，由於體電阻低之結晶相支配靶材整體之體電阻，故靶材之體電阻低，卻難謂為電弧及突粒較少之靶材。
本發明人發現InGaZnO4相等係溶解於28質量%左右之鹽酸，但Ga2ZnO4相及InGaO3相實際上不溶解於上述鹽酸，而得知即使是無法藉由XRD檢測出之較數質量%低之含有率之Ga2ZnO4及InGaO3，也可從未溶解之残存物之量檢測出。根據此見識，藉由決定依上述條件所得到之溶解殘渣之比例，研發出本發明之電弧及突粒之產生較少之靶材。
上述溶解殘渣係意指浸漬於鹽酸之濺鍍靶 中，在對鹽酸中之溶解實際上不進行之狀態下存在於鹽酸中之残存物。已藉由XRD分析確認出上述溶解殘渣實際上為Ga2ZnO4及InGaO3。
具體而言，溶解殘渣之上述質量比可如下所述來求得。於80℃之28質量%鹽酸10kg中，投入濺鍍靶4kg，將溫度保持在80℃，一邊攪拌24小時一邊使其溶解。其後，將過濾而得之溶解殘渣以100℃乾燥24小時後測量其質量。求得上述溶解殘渣之質量對所投入之濺鍍靶之質量的比例(%)。
在本發明之濺鍍靶中，從體電阻之均勻性之觀點來看，以上述溶解殘渣以外之部分具有一定組成之單相構造為佳，更進一步，以該部分之組成為InGaZnO4較佳。濺鍍靶之組成係藉由靶材之製造所使用之原料粉末中的元素之構成比例來決定。具有單相構造之濺鍍靶係以成為可實現該單相構造之組成的元素比例之方式，藉由混合各種原料粉末來製造。具有InGaZnO4之組成之單相構造的濺鍍靶係以成為可實現InGaZnO4之組成的元素比例之方式，混合各種原料粉末來製造。
本發明之濺鍍靶之形狀並無特別限制，可舉例平板狀或圓筒形狀。
本發明之濺鍍靶係可藉由通常之方法，使用低融點焊料來接合至基材以使用於濺鍍。
本發明之濺鍍靶係如上所述，濺鍍中電弧及突粒之產生較少。再者，濺鍍中之電弧的產生與突粒的 產生係呈平行關係，若突粒之產生較少，可評價為電弧之產生亦少。
<濺鍍靶之製造方法>
本發明之濺鍍靶係例如可將製造該靶材所需之複數原料粉末的氧化銦(In2O3)粉末、氧化鎵(Ga2O3)粉末、氧化鋅(ZnO)粉末、IGZO粉末混合後，將所得之混合原料成形以製作成形體，並煅燒該成形體來製造。
本發明之濺鍍靶係溶解殘渣之上述質量比為0.5質量%以下，如上所述，為高體電阻之化合物的Ga2ZnO4及InGaO3之含量較少之靶材。包含In、Ga及Zn之氧化物的濺鍍靶由於上述理由，以具有一定組成之單相構造為佳，但即使以能得到具有預定組成之單相構造的方式來調配原料粉末，依原料粉末之混合或所使用之原料品種等之製造條件，可生成具有與上述預定組成相異之組成的上述高體電阻之化合物等。例如若欲製造具有InGaZnO4之組成之單相構造的靶材，即使將氧化銦粉末、氧化鎵粉末及氧化鋅粉末以預定比例混合後，以高溫燒結成形體，若混合不充分，於成形體之各局部處會產生組成之偏差，並藉由燒結而生成如Ga2ZnO4或InGaO3般之高體電阻之化合物。又，且於原料粉末之粒徑大等原料粉末之反應性較低之情形下，上述3種原料粉末之反應變成不充分，生成上述高體電阻之化合物。
為了抑制上述高體電阻之化合物的生成，得到本發明之濺鍍靶，以將原料粉末以濕式來混合(濕式混 合)為佳。濕式混合係指使用水或醇等液體作為分散媒，來混合原料粉末之混合方式。若進行濕式混合，原料粉末之混合會變得良好，能得到具有均勻組成之靶材。不使用分散媒而混合原料粉末之乾式混合中，原料粉末之凝集會難以分離，難以得到原料粉末均勻混合狀態，故若煅燒該成形體，容易生成絕緣性化合物的上述高體電阻之化合物。從濕式混合後之漿料(slurry)，藉由注漿(slip cast)法或將漿料予以噴霧乾燥以製作顆粒，再將該顆粒填充於模具後施以加壓成形之方法等來製作成形體。關於此等方法係記載於後面。
又，以各原料粉末之中值粒徑(D50)為5μm以下較佳。例如，以氧化銦粉末、氧化鎵粉末及氧化鋅粉末之中值粒徑(D50)皆為5μm以下較佳。上述中值粒徑(D50)係以2μm以下較佳，又以1μm以下為更佳。上述中值粒徑(D50)之下限並無特別限制，但通常為0.3μm。若原料粉末之中值粒徑(D50)為上述範圍，原料粉末彼此之反應性變良好，能抑制上述高體電阻之化合物的生成。
又，上述各原料粉末彼此之中值粒徑(D50)之差以2μm以下為佳。例如，以氧化銦粉末與氧化鎵粉末之中值粒徑(D50)之差、氧化銦粉末與氧化鋅粉末之中值粒徑(D50)之差及氧化鎵粉末與氧化鋅粉末之中值粒徑(D50)之差皆為2μm以下為佳。上述中值粒徑(D50)之差以1μm以下為較佳，又以0.5μm以下為更佳。以上述中值粒徑(D50)無差異，亦即各原料粉之中值粒徑(D50)皆一樣 為最佳。
上述注漿法係使含有各種原料粉末之漿料流入至模具，接著排水而成形。若原料粉末之中值粒徑(D50)之差大於2μm，則成形中，原料粉末變得容易分離，由於分凝(segregation)使得高體電阻之化合物變得容易生成。即使為將上述漿料予以噴霧乾燥之方法，若原料粉末之中值粒徑(D50)之差大於2μm，造成於輸送漿料之配管內產生分離等之問題。
上述中值粒徑(D50)皆為藉由雷射繞射、散射法所得到之數值。
以下，說明本發明之濺鍍靶的具體製造方法。
(步驟1)
步驟1係從原料粉末製作成形體。
作為原料粉末，可使用氧化銦粉末、氧化鎵粉末及氧化鋅粉末，更進一步，亦可使用IGZO粉末。如上所述，氧化銦粉末、氧化鎵粉末、氧化鋅粉末及IGZO粉末之中值粒徑(D50)係以5μm以下為佳。各原料粉末相互之中值粒徑(D50)之差係以2μm以下為佳。氧化銦粉末、氧化鎵粉末、氧化鋅粉末及IGZO粉末之混合比例係以成為本靶材預定之構成元素比之方式來適當地決定。已經確認在本製造方法中，使用氧化銦粉末、氧化鎵粉末、氧化鋅粉末及IGZO粉末之混合粉末時，混合粉末所含有之各元素之比例(質量%)係可視為與最後所得之靶材所含 有之各元素之比率(質量%)相同。
原料粉末亦可事先進行乾式混合。乾式混合方法並不特別限制，例如可將各粉末及氧化鋯(zirconia)球體(ball)放入鍋壺(pot)中，以球磨機混合。
從此混合粉末製作成形體之方法，可舉例如上述注漿方法及將漿料予以噴霧乾燥之方法。
注漿方法
注漿方法係調製含有上述混合粉末及有機添加物之漿料，將此漿料倒入模具，接著排水而成形。
上述有機添加物可舉例如黏結劑(binder)、分散劑。就黏結劑而言，一般為乳液(emulsion)系之黏結劑，就分散劑而言，一般為多羧酸銨等。
調製含有混合粉末及有機添加物之漿料時所使用之分散媒並不特別限制，可因應目的，適當地從水、醇等來選擇、使用。
調製含有混合粉末及有機添加物之漿料之方法並無特別限制，例如可將混合粉末、有機添加物及分散媒置入於鍋壺中，再進行球磨機混合之方法。此混合係濕式混合。
將所得到之漿料倒入模具中，接著排水而成形，製作成形體。就模具而言，一般為石膏模具或加壓以進行排水之樹脂模具。
使漿料噴霧乾燥之方法
使漿料噴霧乾燥之方法係調製含有上述混合粉末及有 機添加物之漿料，將此漿料噴霧乾燥所得到之乾燥粉末填充於模具並加壓成形。
就上述有機添加物而言，可舉出黏結劑、分散劑。就黏結劑而言，一般為水溶性黏結劑，就分散劑而言，一般為多羧酸銨等。
調製含有混合粉末及有機添加物之漿料時所使用之分散媒並無特別限制，可因應目的，適當地從水、醇等選擇、使用。
調製含有混合粉末及有機添加物之漿料之方法並無特別限制，例如可使用混合粉末、將有機添加物及分散媒置入鍋壺中後以球磨機混合之方法。此混合係濕式混合。
將所得到之漿料噴霧乾燥，以製作含水率為1%以下之乾燥粉末，將此填充於模具，藉由一軸壓機或靜水壓壓機來加壓、成形，以製作成形體。
(步驟2)
步驟2係煅燒步驟1所得到之成形體，製作燒結體。煅燒爐並無特別限制，可使用陶瓷靶材之製造中，使用至今之煅燒爐。
燒成溫度通常為1300至1500℃，以1400℃至1450℃為佳。燒成溫度越高，愈可得到高密度之靶材，惟若過高，則靶材之燒結組織會膨脹，而變得容易破裂。
(步驟3)
步驟3係切削加工步驟2得到之燒成體，製作濺鍍靶。 加工係使用平面切削機等來進行。加工後之表面粗度Ra係可藉由選定磨石之研磨粒之大小來控制。
[實施例]
實施例及比較例中所得到之濺鍍靶之評價方法係如下所述。
1.相對密度
濺鍍靶之相對密度係依據阿基米德法來測量。具體而言，將濺鍍靶之空中重量除以體積(濺鍍靶之水中重量/測量溫度之水比重)，使相對於依據下述通式(X)之理論密度ρ(g/cm3)之百分比之值設為相對密度(單位：%)。
[數式1]ρ=((C1/100)/ρ1+(C2/100)/ρ2+．．．+(Ci/100)/ρi)-1 (X)
(式中C1至Ci係分別表示濺鍍靶之構成物質之含量(重量%)，ρ1至ρi係表示對應於C1至Ci之各構成物質之密度(g/cm3)。)
2.溶解殘渣
將濺鍍靶敲碎至3cm2以下之試料4kg於80℃之28質量%鹽酸10kg中保持於溫度80℃，一邊攪拌一邊浸漬24小時。已確認出於浸漬24小時之時點，未進行試料之溶解。過濾所得到之含有殘渣之液體，回收溶解殘渣，以100℃乾燥24小時，測量其質量。求得溶解殘渣之質量對浸漬後之試料之質量的比率(溶解殘渣之質量比(%))。
3.原料粉末之中值粒徑(D50)
原料粉末之中值粒徑(D50)係使用日機裝股份有限公司製之雷射繞射．散射式粒度分布測定裝置(HRA9320-X100)來測量。溶媒係使用水，以測定物質之折射率2.20來測定。
4.突粒量
將濺鍍靶於Cu製之基材上，使用銦作為低融點焊料而予以接合，以下述條件進行濺鍍。
<濺鍍條件>
裝置：DC磁控管(magnetron)濺鍍裝置、排氣系低溫泵、旋轉泵
到達真空度：3×10-4Pa
濺鍍壓力：0.4Pa
氧分壓：4×10-2Pa
拍攝濺鍍後之靶材之表面之照片，藉由圖像解析，相對於靶材表面之面積，使靶材表面中之突粒之面積之比率(%)設為突粒量。又，將此突粒量從面積比率之較小者以下述A至D之判斷基準進行評價。
A：未達3%
B：3%以上、未達6%
C：6%以上、未達9%
D：9%以上
可評價為突粒量越少，則越能形成適合之濺鍍膜。判定為A或B之靶材係突粒量少，生成之膜於大面積之均勻性、膜質、導電率、透光性等之膜特性變良好。因此，若 係判定為A或B之靶材，則相較於以往，可產率佳且有效率地得到氧化物半導體膜。
〔實施例1〕
將中值粒徑(D50)為0.8μm之氧化鋅粉末、中值粒徑(D50)為0.6μm之氧化銦粉末及中值粒徑(D50)為2μm之氧化鎵粉末於鍋壺中，藉由氧化鋯球體以球磨機乾式混合，調製混合粉末。混合粉末中之氧化銦粉末之含量係44.2質量%、氧化鋅粉末之含量係25.9質量%、氧化鎵粉末之含量係29.9質量%。藉由此調配比，可得到實質上溶解殘渣以外之部分之組成為InGaZnO4之單相構造的濺鍍靶。
於此鍋壺中添加作為黏結劑且相對於混合粉末為0.2質量%之丙烯酸乳液黏結劑、作為分散劑且相對於混合粉末為0.6質量%之多羧酸銨、及作為分散媒且相對於混合粉末為20質量%之水，以球磨機混合來調製漿料。將此漿料倒入於石膏模具，接著排水而得到成形體。
其次，煅燒此成形體以製作燒結體。煅燒係於大氣環境中、以煅燒溫度1400℃、煅燒時間10小時、升溫速度300℃/h、降溫速度50℃/h進行。
切削加工所得到之燒結體，而得到表面粗度Ra為0.7μm、直徑為152.4mm、厚度為6mm之濺鍍靶。於加工係使用#170之磨石。
藉由上述方法，求得濺鍍靶之相對密度、溶解殘渣之質量比、突粒量。將結果顯示於表1。又，以X線繞射裝置(XRD)調查所得到之濺鍍靶之結晶構造。將X 線圖表顯示於第1圖。根據第1圖可知，所得到之濺鍍靶係實質上溶解殘渣以外之部分之組成為InGaZnO4之單相構造。
〔實施例2〕
與實施例1同樣地進行乾式混合，調製混合粉末。
於混入混合粉末之鍋壺內，添加作為黏結劑且相對於混合粉末為0.2質量%之PVA黏結劑、作為分散劑且相對於混合粉末為0.6質量%之多羧酸銨、及作為分散媒且相對於混合粉末為40質量%之水，以球磨機混合，調製漿料。將此漿料以入口溫度為200℃之噴霧乾燥機進行噴霧乾燥，得到含水率為1%以下之乾燥粉末。將得到之乾燥粉末填充於金屬模具，以800kgf/cm2之一軸壓機進行加壓而得到成形體。將所得到之成形體以與實施例1相同之方法進行煅燒及加工，得到與實施例1相同尺寸之濺鍍靶。
藉由上述方法，求得濺鍍靶之相對密度、溶解殘渣之質量比、突粒量。將結果表示於表1。X線繞射之結果係與第1圖相同。
〔實施例3〕
與實施例2同樣做法而得到乾燥粉末。
將乾燥粉末填充至橡膠模具中，以1200kgf/cm2之靜水壓壓機進行加壓而得到成形體。將所得到之成形體以與實施例1相同之方法進行燒成及加工，得到與實施例1相同尺寸之濺鍍靶。
藉由上述方法，求得濺鍍靶之相對密度、溶解殘渣之質量比、突粒量。將結果顯示於表1。X線繞射之結果係與第1圖相同。
〔實施例4〕
將中值粒徑(D50)為3.2μm之氧化鋅粉末、中值粒徑(D50)為2.5μm之氧化銦粉末及中值粒徑(D50)為4.5μm之氧化鎵粉末於鍋壺中，藉由氧化鋯球體以球磨機乾式混合，調製混合粉末。混合粉末中之氧化銦粉末之含量係44.2質量%、氧化鋅粉末之含量係25.9質量%、氧化鎵粉末之含量係29.9質量%。藉由此調配比，得到實質上溶解殘渣以外之部分之組成為InGaZnO4之單相構造的濺鍍靶。
於此鍋壺中，添加作為黏結劑且相對於混合粉末為0.2質量%之丙烯酸乳液黏結劑、作為分散劑且相對於混合粉末為0.3質量%之多羧酸銨、及作為分散媒且相對於混合粉末為15質量%之水，以球磨機混合，調製漿料。將此漿料倒入石膏模具中，接著排水而得到成形體。
將所得到之成形體以與實施例1相同之方法進行燒製及加工，得到與實施例1相同尺寸之濺鍍靶。
藉由上述方法，求得濺鍍靶之相對密度、溶解殘渣之質量比、突粒量。將結果顯示於表1。X線繞射之結果係與第1圖相同。
〔比較例1〕
與實施例1同樣地進行乾式混合來調製混合粉末。
將相對於此混合粉末為0.2重量%之PVA黏 結劑進行混合，不予以濕式混合就填充至金屬模具，以800kgf/cm2之一軸壓機進行加壓，得到成形體。將所得到之成形體以與實施例1相同之方法進行煅燒及加工，得到與實施例1相同尺寸之濺鍍靶。
藉由上述方法，求得濺鍍靶之相對密度、溶解殘渣之質量比、突粒量。將結果顯示於表1。X線繞射之結果係與第1圖相同。
〔比較例2〕
將中值粒徑(D50)為7.2μm之氧化鋅粉末、中值粒徑(D50)為8.5μm之氧化銦粉末、及中值粒徑(D50)為7.5μm之氧化鎵粉末於鍋壺中，藉由氧化鋯球體以球磨機乾式混合，調製混合粉末。混合粉末中之氧化銦粉末之含量係44.2質量%、氧化鋅粉末之含量係25.9質量%、氧化鎵粉末之含量係29.9質量%。
於此鍋壺中，添加作為黏結劑且相對於混合粉末為0.2質量%之丙烯酸乳液黏結劑、作為分散劑且相對於混合粉末為0.3質量%之多羧酸銨、及作為分散媒且相對於混合粉末為12質量%之水，以球磨機混合，調製漿料。將此漿料倒入石膏模具中，接著排水以得到成形體。
將所得到之成形體以與實施例1相同之方法進行燒製及加工，得到與實施例1相同尺寸之濺鍍靶。
藉由上述方法，求得濺鍍靶之相對密度、溶解殘渣之質量比、突粒量。將結果顯示於表1。X線繞射之結果係與第1圖相同。
〔比較例3〕
將中值粒徑(D50)為0.8μm之氧化鋅粉末、中值粒徑(D50)為0.6μm之氧化銦粉末及中值粒徑(D50)為4.5μm之氧化鎵粉末於鍋壺中，藉由氧化鋯球體以球磨機乾式混合，調製混合粉末。混合粉末中之氧化銦粉末之含量係44.2質量%、氧化鋅粉末之含量係25.9質量%、氧化鎵粉末之含量係29.9質量%。
除了使用上述混合粉末來取代比較例2之混合粉末以外，以與比較例2同樣地做法而得到與實施例1相同尺寸之濺鍍靶。
藉由上述方法，求得濺鍍靶之相對密度、溶解殘渣之質量比、突粒量。將結果顯示於表1。X線繞射之結果係與第1圖相同。

Claims (5)

  1. 一種濺鍍靶，其係包含In、Ga及Zn之氧化物，其中，於80℃之28質量%鹽酸中，將相對於該鹽酸為40質量%之量的上述濺鍍靶浸漬24小時後得到溶解殘渣，且該溶解殘渣相對於上述經浸漬之濺鍍靶的質量比為0.5質量%以下。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之濺鍍靶，係以濕式進行作為濺鍍靶之製造原料的複數種原料粉末之混合，將所得到之混合原料成形以製作成形體，並煅燒該成形體而製造成該濺鍍靶。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之濺鍍靶，其中，上述複數原料粉末之中值粒徑(D50)為5μm以下，且上述各原料粉末彼此之中值粒徑(D50)的差為2μm以下。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之濺鍍靶，其中，上述溶解殘渣以外之部分為單相構造。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之濺鍍靶，其中，上述溶解殘渣以外之部分之組成為InGaZnO4。
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