CN105669232A - 一种SiC改性C/C-MoSi2复合材料的制备方法 - Google Patents

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Abstract

一种SiC改性C/C-MoSi2复合材料的制备方法，将二硅化钼、SiC粉体分散于去离子水中，得到混合物，将混合物搅拌均匀后得到悬浮液；将悬浮液与C/C试样一同加入到水热反应釜内衬中，并加入无水乙醇后，于160～220℃进行水热反应8～12h，水热反应结束后取出C/C试样并重复至MoSi2及SiC粉体渗透进入C/C试样内部；并采用等温化学气相渗透致密化，2500℃石墨化后得到SiC改性C/C-MoSi2复合材料。本发明制备的SiC改性C/C-MoSi2复合材料密度适中，结构致密，界面结合良好，抗烧蚀性能良好。本发明原料容易获得，制备工艺简单，操作简便，成本低，环境友好无污染。

Description

一种SiC改性C/C-MoSi2复合材料的制备方法
技术领域
本发明属于C/C复合材料技术领域，涉及一种SiC改性C/C-MoSi2复合材料的制备方法。
背景技术
碳/碳(C/C)复合材料由于具有非常优异的性能(膨胀系数低、密度低、耐高温、耐烧蚀、高强度、高模量等)使得其在航空航天领域具有广阔的应用前景，比如鼻锥，SRM喷管，涡轮机及燃气系统以及刹车盘等部位。然而，C/C复合材料在超过370℃的有氧环境就会被氧化，氧化质量损失导致其强度下降，限制了其应用范围，尤其是在高温或者潮湿环境下的使用。因此，提高C/C复合材料的高温抗氧化性对于其应用十分关键。
一种有效的解决途径是向C/C复合材料中引入超高温陶瓷，比如SiC、ZrC、HfC等。利用陶瓷相对C/C复合材料起到保护作用，同时还不会降低C/C复合材料的各项性能，反而会提高在高温环境下的稳定性，扩大应用范围。目前研究较多的碳/碳-耐高温陶瓷复合材料主要有C/C-SiC复合材料[LeiLiu,HejunLi.EffectofsurfaceablationproductsontheablationresistanceofC/C–SiCcompositesunderoxyacetylenetorch.CorrosionScience,2013,67:60-66、S.Singh,V.K.Srivastava.EffectofoxidationonelasticmodulusofC/C–SiCcomposites.MaterialsScienceandEngineeringA,2008,468:534-539.]、C/C-ZrC复合材料[C.Y.Li,K.Z.Li,H.J.Li,Y.L.Zhang,H.B.Ouyang,Microstructureandablationresistanceofcarbon/carboncompositeswithazirconiumcarbiderichsurfacelayer,Corros.Sci.85(2014)160-166.、ShenXuetao,LiKezhi.Microstructureandablationpropertiesofzirconiumcarbidedopedcarbon/carboncomposites.Carbon，2010，48：344-351、Chun-xuanLiu,Jian-xunChen.PyrolysismechanismofZrCprecursorandfabricationofC/C–ZrCcompositesbyprecursorinfiltrationandpyrolysis.Trans.NonferrousMet.Soc.China,2014,24:1779-1784.]、C/C-SiC-ZrC复合材料[ZhaoqianLi,HejunLi.MicrostructureandablationbehaviorsofintegerfeltreinforcedC/C-SiC-ZrCcompositespreparedbyatwo-stepmethod.CeramicsInternational,2012,38:3419–3425、LeiZhuang,Qian-gangFu.Effectofpre-oxidationtreatmentonthebondingstrengthandthermalshockresistanceofSiCcoatingforC/C–ZrC–SiCcomposites.2015.]、C/C-HfC复合材料[LiangXue,Zhe-anSu.MicrostructureandablationbehaviorofC/C–HfCcompositespreparedbyprecursorinfiltrationandpyrolysis.CorrosionScience.2015]等。
到目前止碳/碳-耐高温陶瓷复合材料的制备方法多种多样，主要有以下几种：先驱体浸渍热解法，化学气相渗透法，熔融渗硅法，反应熔融浸渍法，化学气相沉积法等。前驱体浸渍裂解法多次浸渍工艺周期长，易产生收缩裂纹，成本高[B.Yan,Z.F.Chen,J.X.Zhu,J.Z.Zhang,Y.Jiang,Effectsofablationatdifferentregionsinthree-dimensionalorthogonalC/SiCcompositesablatedbyoxyacetyleneat1800C,J.Mater.ProcessTech.209(2009)3438–3443.]，采用化学气相渗透法制备的复合材料基体致密化速度低，生产周期长，复合材料稳定性低[J.Yin,H.B.Zhang,X.Xiong,J.Zuo,H.J.Tao,AblationpropertiesofC/C–SiCcompositestestedonanarcheater,SolidStateSci.13(2011)2055–2059.]，采用熔融渗硅法制备的复合材料容易使纤维增强体强度下降，成本也过高[SeYoungKim,etal.Wear-mechanicalpropertiesoffiller-addedliquidsiliconinfiltrationC/C–SiCcompositesMaterialsandDesign[J],44(2013)107–113.]，而采用反应熔融浸渍法制备的复合材料对碳纤维损伤很大，造成复合材料力学性能偏低，断裂韧性差[Z.Q.Li,H.J.Li,S.Y.Zhang,J.Wang,W.Li,F.J.Sun,Effectofreactionmeltinfiltrationtemperatureontheablationpropertiesof2DC/C–SiC–ZrCcomposites,Corros.Sci.58(2012)12–19.]。而采用均相水热渗透结合等温化学气相渗(ICVI)透致密制备碳/碳-耐高温陶瓷复合材料的方法还未见报道。
发明内容
为克服现有技术中的问题，本发明的目的在于提供一种SiC改性C/C-MoSi2复合材料的制备方法，该方法制得的陶瓷基复合材料密度适中，结构致密，C/C与SiC界面，SiC与MoSi2界面以及C/C与MoSi2界面结合良好，并且高温抗氧化、抗烧蚀性能良好。
为达到上述目的，本发明采用了以下技术方案。
一种SiC改性C/C-MoSi2复合材料的制备方法，包括以下步骤：
1)将密度为0.4～0.6g/cm3的多孔碳/碳复合材料切割成圆形薄片，得到C/C试样；
2)将粒径为100～200nm的SiC、粒径为0.8～1μm的二硅化钼粉体按质量比(0.5～1)：(2～4)分散于去离子水中，搅拌均匀后得到悬浮液；
3)将悬浮液与C/C试样一同加入到水热反应釜内衬中，并加入无水乙醇后，于160～220℃进行水热反应24～48h，水热反应结束后取出C/C试样并洗涤，干燥；
4)将干燥后的试样在均热炉中采用等温化学气相渗透致密化，等温化学气相渗透的沉积温度为1100℃，沉积时间为60～80h，采用天然气作为碳源，并且天然气流量为1.5～2.5m3/h；
5)将致密化后的试样于氩气气氛保护下2500℃石墨化处理2h，得到SiC改性C/C-MoSi2复合材料。
步骤1)中圆形薄片的直径为1～4cm，厚度为1～1.5cm。
步骤2)中粒径为0.8～1μm的二硅化钼和粒径为100～200nm的SiC粉体具体通过以下方法制得：将二硅化钼粉体、SiC粉体混合分别湿法球磨24～48h，得到粒径为0.8～1μm的二硅化钼和粒径为100～200nm的SiC粉体。
步骤2)中搅拌均匀是通过磁力搅拌10～12h实现的。
步骤2)中碳化硅、二硅化钼的总质量与去离子水的比为(2.5～5)g：(150～200)mL。
步骤3)中加入悬浮液与无水乙醇的体积比为30～40mL：1～10mL。
步骤3)中干燥是在电热鼓风干燥箱中并在60～100℃下烘干2～4h。
与现有技术相比，本发明的有益效果体现在：
本发明通过多次水热渗透过程，使得MoSi2，SiC颗粒渗透进入多孔C/C复合材料内部。这一过程简单，实验设备简易，消耗能量低，环境友好无污染，并且由于渗透过程在水热超临界状态下，反应釜内部压力大，能使得被渗透颗粒有效定向到达C/C材料内部。采用等温化学气相渗透(CVI)法对复合材料进行致密，将沉积MoSi2，SiC颗粒后的复合材料置于均热炉中，反应气体天然气主要通过扩散从多孔碳/碳复合材料的纤维骨架表面渗入到含SiC和MoSi2的C/C试样的内表面，发生化学反应并原位沉积，同时反应气体副产物从含SiC和MoSi2的C/C试样内部扩散出来，本发明采用的装置简单，能够有效提高了沉积速率，而且能封填多孔碳/碳复合材料以及SiC、MoSi2颗粒的缝隙，使得材料缺陷减少，致密化程度有效提升。本发明制备的SiC改性C/C-MoSi2复合材料密度适中，结构致密，界面结合良好，抗烧蚀性能良好，经30s烧蚀后，质量烧蚀率和线烧蚀率分别为0.70mg/s和0.0051mm/s，性能优于相同测试条件下同等密度的C/C复合材料。本发明原料容易获得，制备工艺简单，操作简便，成本低，环境友好无污染。本发明由均相水热渗透结合等温化学气相渗透制备出致密、有结构致密的SiC改性C/C-MoSi2复合材料，有望取得C/C复合材料高温抗氧化、抗烧蚀性能的新突破，对拓展C/C复合材料在高温领域的应用具有重要意义。
附图说明
图1为实施例1制备SiC改性C/C-MoSi2复合材料的XRD图；
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作详细说明。
实施例1：
1)将密度为0.4g/cm3的多孔碳/碳复合材料(江苏天鸟高新技术有限公司)切割成直径为3cm，厚度为1cm左右的圆形薄片；
2)将二硅化钼粉体、SiC粉体混合分别湿法球磨24h，得到二硅化钼粒径为1μm，SiC粒径为200nm；
3)将球磨后的MoSi22g、SiC粉体0.5g分散于150mL去离子水中，得到混合物，将混合物磁力搅拌10h，得到悬浮液；
4)将30mL悬浮液与C/C试样一同加入到水热反应釜内衬中，并加入10mL无水乙醇后，于160℃进行水热反应48h，水热反应结束后取出C/C试样并洗涤，干燥；
5)将干燥后的试样在均热炉中采用等温化学气相渗透致密化，沉积温度为1100℃，沉积时间为60h，采用天然气作为碳源，并且天然气流量为1.5m3/h；
6)将致密化后的试样于氩气气氛保护下2500℃石墨化处理2h，得到密度为1.2g/cm3的SiC改性C/C-MoSi2复合材料。
实施例2：
1)将密度为0.6g/cm3的多孔碳/碳复合材料(江苏天鸟高新技术有限公司)切割成直径为4cm，厚度为1.5cm左右的圆形薄片；
2)将二硅化钼粉体、SiC粉体混合分别湿法球磨48h，得到二硅化钼粒径为0.8μm，SiC粒径为100nm；
3)将球磨后的MoSi24g、SiC粉体1g一起分散于150mL去离子水中，得到混合物，将混合物磁力搅拌10h，得到悬浮液；
4)将35mL悬浮液与C/C试样一同加入到水热反应釜内衬中，并加入5mL无水乙醇后，于220℃进行水热反应24h，水热反应结束后取出C/C试样并洗涤，干燥；
5)将干燥后的试样在均热炉中采用等温化学气相渗透致密化，沉积温度为1100℃，沉积时间为80h，采用天然气作为碳源，并且天然气流量为2m3/h；
6)将致密化后的试样于氩气气氛保护下2500℃石墨化处理2h，最终得到密度为1.4g/cm3的复合材料SiC改性C/C-MoSi2复合材料。
实施例3：
1)将密度为0.5g/cm3的多孔碳/碳复合材料(江苏天鸟高新技术有限公司)切割成直径为4cm，厚度为1.5cm左右的圆形薄片；
2)将二硅化钼粉体、SiC粉体混合分别湿法球磨48h，得到二硅化钼粒径为0.8μm，SiC粒径为100nm；
3)将球磨后的MoSi24g、SiC粉体0.5g都分散于150mL去离子水中，得到混合物，将混合物磁力搅拌12h，得到悬浮液；
4)将35mL悬浮液与C/C试样一同加入到水热反应釜内衬中，并加入5mL无水乙醇后，于200℃进行水热反应60h，水热反应结束后取出C/C试样并洗涤，干燥；
5)将干燥后的试样在均热炉中采用等温化学气相渗透致密化，沉积温度为1100℃，沉积时间为30h，采用天然气作为碳源，并且天然气流量为2.5m3/h；
6)将致密化后的试样于氩气气氛保护下2500℃石墨化处理2h，最终得到密度为1.34g/cm3的复合材料SiC改性C/C-MoSi2复合材料。
实施例4：
1)将密度为0.6g/cm3的多孔碳/碳复合材料(江苏天鸟高新技术有限公司)切割成直径为2cm，厚度为1cm左右的圆形薄片；
2)将二硅化钼粉体、SiC粉体混合分别湿法球磨24h，得到二硅化钼粒径为1μm，SiC粒径为200nm；
3)将球磨后的MoSi22g、SiC粉体1g分散于170mL去离子水中，得到混合物，将混合物磁力搅拌12h，得到悬浮液；
4)将40mL悬浮液与C/C试样一同加入到水热反应釜内衬中，并加入5mL无水乙醇后，于200℃进行水热反应48h，水热反应结束后取出C/C试样并洗涤，干燥；
5)将干燥后的试样在均热炉中采用等温化学气相渗透致密化，沉积温度为1100℃，沉积时间为70h，采用天然气作为碳源，并且天然气流量为2m3/h；
6)将致密化后的试样于氩气气氛保护下2500℃石墨化处理2h，最终得到密度为1.32g/cm3的复合材料SiC改性C/C-MoSi2复合材料。
实施例5：
1)将密度为0.6g/cm3的多孔碳/碳复合材料(江苏天鸟高新技术有限公司)切割成直径为1cm，厚度为1.5cm的圆形薄片；
2)将二硅化钼粉体、SiC粉体混合分别湿法球磨36h，得到二硅化钼粒径为0.8μm，SiC粒径为150nm；
3)将球磨后的MoSi23g、SiC粉体1g分散于200mL去离子水中，得到混合物，将混合物磁力搅拌10h，得到悬浮液；
4)将30mL悬浮液与C/C试样一同加入到水热反应釜内衬中，并加入1mL无水乙醇后，于180℃进行水热反应48h，水热反应结束后取出C/C试样并洗涤，干燥；
5)将干燥后的试样在均热炉中采用等温化学气相渗透致密化，沉积温度为1100℃，沉积时间为80h，采用天然气作为碳源，并且天然气流量为2.5m3/h；
6)将致密化后的试样于氩气气氛保护下2500℃石墨化处理2h，最终得到密度为1.4g/cm3的复合材料SiC改性C/C-MoSi2复合材料。
由图1可看出本发明制备的SiC改性C/C-MoSi2复合材料由SiC，MoSi2，C组成，没有其他杂相，说明通过本发明可以成功制备出C/C-MoSi2-SiC复合材料。
本发明通过水热渗透过程，使得MoSi2，SiC颗粒渗透进入多孔C/C复合材料内部。这一过程简单，实验设备简易，消耗能量低，环境友好无污染。并且由于渗透过程在水热超临界状态下，反应釜内部压力大，能使得被渗透颗粒有效定向到达C/C材料内部。采用等温CVI法对复合材料进行致密，将沉积MoSi2，SiC颗粒后的复合材料置于均热炉中，反应气体主要通过扩散从纤维骨架表面渗入到预制体内表面，发生化学反应并原位沉积，同时反应气体副产物从含SiC和MoSi2的C/C试样(预制体)内部扩散出来并由真空泵抽到外面，在同一炉中可以制备形状、大小各异、厚薄不等的各种部件，从而能有效提高了沉积速率。而且能封填多孔碳/碳复合材料以及SiC、MoSi2颗粒的缝隙，使得材料缺陷减少，致密化程度有效提升。而且能有效封填C/C基体以及SiC、MoSi2颗粒的缝隙，使得材料缺陷减少，致密化程度有效提升，对于提高复合材料抗烧蚀性能起到了有很作用。本发明制得的复合材料经30s烧蚀后，质量烧蚀率和线烧蚀率分别为0.70mg/s和0.0051mm/s，性能优于相同测试条件下同等密度的C/C复合材料。本发明制备出致密、有结构致密的SiC改性C/C-MoSi2复合材料，有望取得C/C复合材料高温抗氧化、抗烧蚀性能的新突破，对拓展C/C复合材料在高温领域的应用具有重要意义。

Claims (7)

1.一种SiC改性C/C-MoSi2复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)将密度为0.4～0.6g/cm3的多孔碳/碳复合材料切割成圆形薄片，得到C/C试样；
2)将粒径为100～200nm的SiC、粒径为0.8～1μm的二硅化钼粉体按质量比(0.5～1)：(2～4)分散于去离子水中，搅拌均匀后得到悬浮液；
3)将悬浮液与C/C试样一同加入到水热反应釜内衬中，并加入无水乙醇后，于160～220℃进行水热反应24～48h，水热反应结束后取出C/C试样并洗涤，干燥；
4)将干燥后的试样在均热炉中采用等温化学气相渗透致密化，等温化学气相渗透的沉积温度为1100℃，沉积时间为60～80h，采用天然气作为碳源，并且天然气流量为1.5～2.5m3/h；
5)将致密化后的试样于氩气气氛保护下2500℃石墨化处理2h，得到SiC改性C/C-MoSi2复合材料。
2.根据权利要求1所述的一种SiC改性C/C-MoSi2复合材料的制备方法，其特征在于，步骤1)中圆形薄片的直径为1～4cm，厚度为1～1.5cm。
3.根据权利要求1所述的一种SiC改性C/C-MoSi2复合材料的制备方法，其特征在于，步骤2)中粒径为0.8～1μm的二硅化钼和粒径为100～200nm的SiC粉体具体通过以下方法制得：将二硅化钼粉体、SiC粉体混合分别湿法球磨24～48h，得到粒径为0.8～1μm的二硅化钼和粒径为100～200nm的SiC粉体。
4.根据权利要求1所述的一种SiC改性C/C-MoSi2复合材料的制备方法，其特征在于，步骤2)中搅拌均匀是通过磁力搅拌10～12h实现的。
5.根据权利要求1所述的一种SiC改性C/C-MoSi2复合材料的制备方法，其特征在于，步骤2)中碳化硅、二硅化钼的总质量与去离子水的比为(2.5～5)g：(150～200)mL。
6.根据权利要求1所述的一种SiC改性C/C-MoSi2复合材料的制备方法，其特征在于，步骤3)中加入悬浮液与无水乙醇的体积比为30～40mL：1～10mL。
7.根据权利要求1所述的一种SiC改性C/C-MoSi2复合材料的制备方法，其特征在于，步骤3)中干燥是在电热鼓风干燥箱中并在60～100℃下烘干2～4h。
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