CN105655464A - 发光器件封装 - Google Patents

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Abstract

实施例涉及一种发光器件封装。在一实施例中，发光器件封装包括：封装本体，所述封装本体被配置为包括顶表面、被布置在顶表面上的板引导单元以及形成在顶表面中的腔；布置在所述腔内的发光器件；布置在封装本体的顶表面上并被板引导单元引导的板；以及布置在封装本体的上表面顶和板之间的粘结构件。粘结构件包括由柔性材料制成的基底层、布置在基底层和封装本体的顶表面之间并接合到基底层和封装本体的顶表面的第一粘结带，以及布置在基底层和板之间并接合到基底层和板的第二粘结带。采用本申请的技术方案，不需要用于固化粘结构件的热固化处理或紫外线固化处理，能够改进引线框架和树脂封装之间的粘结性能。

Description

发光器件封装
技术领域
本发明的实施例涉及一种发光器件封装。
背景技术
发光二极管(LED)是高效环保的光源，已经在各种领域受到了关注。LED应用于各种领域，例如显示设备、光通信、车辆以及普通照明。尤其是，对实现白光的白光LED的需求逐渐增长。
在制造以后，LED与其他部件一起封装使用。这被称作LED封装。在已知的LED封装中，LED芯片被安装在包括散热器的树脂封装上，并且布置在LED芯片上的玻璃板通过粘结剂耦接到该树脂封装。粘结剂通过热或紫外线固化，并且要求精确量的粘结剂来适用于对应的LED封装。
如果粘结剂的量大于或小于基准值，那么可能存在固化故障或可能在树脂封装和玻璃板之间产生间隙。此外，虽然粘结剂已经被固化，但是可能难以检查粘结剂是否已经精确地固化。此外，例如为LED的电子部件受水的影响很大。电子部件可能被水损坏或侵蚀。此外，如果粘结剂被热或紫外线固化，那么可能给LED封装内的其他部件带来负荷。这样的负荷可能是使得整个LED封装产生故障的原因之一。此外，如果粘结剂通过热或紫外线固化，那么需要不少的粘结剂固化处理，并且操作困难。此外，在粘结剂被固化之后，如果热被施加到形成在粘结剂中空的空间中，那么可能在粘结剂中产生裂缝。
在已知的发光器件封装中，发光芯片被安装在包括散热器的树脂封装本体上。发光芯片通过布线电连接到引线，发光芯片的顶部填充有树脂和例如为硅的密封剂，并且透镜被设置在填充完成后的顶部。具有这种结构的发光器件封装的散热效果低，这是因为当发光器件被驱动时产生的热传递是缓慢的。因此，发光器件的光学特性可能劣化，并且对用于将散热器插入到树脂封装本体的封装处理而言，很难指望有快速处理速度。如果发光器件被安装在没有散热器的引线框架上，那么存在的问题是，由于热量通过引线框架耗散因而热耗散性能低下，并且难以将发光器件应用到高输出发光器件。此外，如果在用于发光器件的引线框架中使用的树脂封装受到长时间的光照，那么存在由于树脂封装褪色或变色而使光学特性劣化的问题。
发明内容
针对现有技术存在的问题，在本公开的一实施例中，一种发光器件封装包括：封装本体，被配置为包括顶表面、被布置在所述顶表面上的板引导单元以及形成在所述顶表面中的腔；发光器件，布置在所述腔内；板，布置在所述封装本体的所述顶表面上并被所述板引导单元引导；以及粘结构件，布置在所述封装本体的所述顶表面和所述板之间。所述粘结构件包括：基底层，由柔性材料制成；第一粘结带，布置在所述基底层和所述封装本体的顶表面之间并接合到所述基底层和所述封装本体的所述顶表面；以及第二粘结带，布置在所述基底层和所述板之间并接合到所述基底层和所述板。
在另一个实施例中，该发光器件封装包括：封装本体，被配置为包括顶表面、被布置在所述顶表面上的板引导单元以及形成在所述顶表面中的腔；发光器件，布置在所述腔内；板，布置在所述封装本体的所述顶表面上并被所述板引导单元引导；以及外部粘结构件，布置在所述板引导单元和所述板上。其中所述外部粘结构件包括：基底层，由柔性材料制成；以及粘结带，布置在所述基底层之下，并接合到所述板引导单元和所述板。
在另一个实施例中，所述发光器件封装包括：发光器件；引线框架，被配置为使得所述发光器件布置在所述引线框架中；反射层，布置在所述引线框架上并被配置为反射由所述发光器件发射的光线；以及树脂封装，被配置为围绕所述引线框架和所述反射层，其中所述反射层包括被配置为对由所述发光器件发射的光线执行规则反射的倾斜面，以及所述倾斜面和所述反射层的底表面之间的角度为25度或大于25度到35度或小于35度。。
一实施例提供了一种发光器件封装，能够防止水或外部物质从封装本体和板之间进入。
一实施例提供了一种发光器件封装，其中粘结构件可以稳固地接合到所述封装本体和所述板，尽管所述封装本体与所述粘结构件进行接触的粘性表面和/或所述板与所述粘结构件进行接触的粘性表面不是平坦的。
一实施例提供了一种发光器件封装，其不需要用于固化粘结构件的热固化处理或紫外线固化处理。
一实施例提供了一种发光器件封装，能够改进引线框架和树脂封装之间的粘结性能。
一实施例提供了一种发光器件封装，能够防止水或外部物质从底部的渗入。
一实施例提供一种发光器件封装，能够防止当安装发光器件时产生的外部物质渗透。
一实施例提供了一种发光器件封装，能够稳固地将反射体固定在所述引线框架上。
一实施例提供了一种发光器件封装，能够选择性地将透镜或板安装在所述反射体上。
一实施例提供了一种发光器件封装，其可以牢固地耦接到引线框架原型(prototype)，并可以容易地与所述引线框架原型分离。
一实施例提供了一种发光器件封装，其可以通过增加同引线框架原型的摩擦力而不需要粘结剂就能牢固地耦接到引线框架原型。
一实施例提供了一种发光器件封装，能够改进光学输出。
一实施例提供了一种发光器件封装，能够改进光学提取速度。
一实施例提供了一种发光器件封装，其中没有在反射层中产生背光点。
一实施例提供了一种发光器件封装，能够改进光线方向性。
附图说明
可以参照下列附图详细描述布置和实施例，其中类似的附图标记指代类似的元件，并且附图中：
图1是根据一实施例的发光器件封装的透视图。
图2是根据一实施例的发光器件封装的剖视图。
图3是根据一实施例的发光器件封装的剖视图。
图4是根据一实施例的发光器件封装的俯视图。
图5是引线框架的透视图。
图6是根据一实施例的发光器件封装的底部透视图。
图7是根据一实施例的已经移除引线框架的引线框架原型的透视图。
图8是发光器件没有安装在引线框架原型上时的发光器件封装已经被组合的状态的透视图。
图9是示出能够大量生产的发光器件封装的结构的透视图。
图10是根据另一个实施例的发光器件封装的剖视图。
图11是从图10中示出的发光器件封装概括得到的发光器件封装的剖视图。
图12是图11示出的发光器件封装的部分放大视图。
图13到图16是包括在图11和图12中示出的发光器件封装的实际尺寸的设计图。
图17示出在图12中示出的发光器件封装的改型例。
图18是在图17中示出的发光器件封装的设计图。
图19是根据又一个实施例的发光器件封装的剖视图。
图20是图19中示出的发光器件封装的部分放大视图。
图21到图24是包括在图19和图20中示出的发光器件封装的实际尺寸的设计图。
图25是包括在图3中示出的发光器件封装的数值的设计图。
图26是根据又一个实施例的发光器件封装的剖视图。
图27是包括在图26中示出的发光器件封装的实际尺寸的设计图。
图28到31是示出当光线由图1到图5的发光器件封装发射时的仿真效果的数据。
图32到35是示出当光线由图26的发光器件封装发射时的仿真效果的数据。
图36是示出当光线由图1到图5的发光器件封装发射时的光线方向的示意图。
图37是示出当光线由图26的发光器件封装发射时的光线方向的示意图。
具体实施方式
在附图中，为了描述的方便和清楚起见，各层的厚度或尺寸已经被放大、省略或示意性地示出。此外，实际尺寸并不是全然与各元件的尺寸成比例。
在本发明实施例的描述中，如果一个元件被说成形成在另一个元件“之上(上方)或之下(下方)”，那么术语之上(上方)或之下(下方)包括这两个元件彼此直接接触或一个或多个其他元件布置在这两个元件之间(间接接触)。此外，如果表述为“之上(上方)或之下(下方)”，那么可以包括在一个元件的基础上向上的方向或向下的方向的意思。
根据本发明一实施例的一种发光器件封装描述如下。
图1是根据一实施例的发光器件封装的透视图。
参照图1，根据一实施例的发光器件封装1包括：发光器件100，被配置为包括发光芯片110和发光芯片110安装在其上的子基台120；引线框架200，被配置为使得发光器件100安装其上；布线130，被配置为电连接发光器件100和引线框架200；反射层140，被配置为围绕发光器件100的周边并反射由发光器件100发射的光线；以及树脂封装300，被配置为形成发光器件封装1的主体。
发光器件100可以是LED，但是不限于此。LED可以为发射深紫外线的深紫外线(DUV)LED，但是不限于此。例如，LED可以为红光、绿光、蓝光或白光LED，其分别发射红光、绿光、蓝光或白光。LED是一种能将电能转变为光的固体器件。通常，LED包括由插入在两个相对的掺杂层之间的半导体材料制成的有源层。当在两个掺杂层的两端都施加偏置时，空穴和电子被注入到有源层并在有源层复合，从而产生光线。由有源层产生的光线向所有方向或特定方向释放并通过暴露表面释放到LED的外部。
发光芯片110可以是倒装芯片，但是不限于此，也可以是垂直芯片或横向芯片。在附图中，为了方便起见，发光芯片110示出为横向芯片。发光芯片110的尺寸可以为600um宽和700um高，但是不限于此。发光芯片110可以发射波长为190～400nm的深紫外线。更具体的，发光芯片110可以发射波长为250～280nm的深紫外线。在该情形中，由发光芯片110发射的深紫外线具有最佳的杀菌力。虽然没有在图1中示出，但是发光芯片110可以包括板和发光结构，其中第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层被依次布置在板上。发光芯片110的板可以具有能够透射光线的光透射特性。该板可以为由蓝宝石(Al2O3)或尖晶石(MgAl2O4)制成的绝缘板和由SiC、Si、GaAs、GaN、InP或Ge制成的半导体板中的至少一种。
发光芯片110布置在子基台120中。子基台120将由发光芯片110产生的热通过释放该热而传递到引线框架200。此外,将发光器件100和引线框架200电连接的布线130的一端连接到子基台120。子基台120可以由具有高导热率的氮化铝(AlN)或碳化硅(SiC)制成，但是不限于此。发光芯片110和子基台120可以由焊料凸点耦接。
图2是根据一实施例的发光器件封装的剖视图，图3是根据一实施例的发光器件封装的剖视图。
参照图2和图3，根据一实施例的发光器件封装1的反射层140反射由发光器件100发射的光线。反射层140被配置为围绕发光器件100的周边并布置在引线框架200之上。反射层140可以由金属制成。具体而言，根据一实施例的发光器件封装1的反射层140可以由由纯铝制成。因此，反射层140可以具有高光线反射率、优良的热扩散性，以及抗氧气和硫化氢气体的耐腐蚀性。反射层140的内部可以具有凹入的圆形，但是反射层140的形状不是必然限于圆形。
其中可以布置光学透镜(没有示出)的透镜引导单元150可以形成在反射层140的顶部。此外，其中可以布置板的(没有示出)的板引导单元160可以布置在反射层140之上。透镜引导单元150可以由反射层140的顶表面和壁部321形成，壁部321由随后描述的第二树脂封装320的一端形成。此外，板引导单元160可以由形成在第二树脂封装320的顶表面之上的平面部和从第二树脂封装320的顶表面向上突出的壁部的一侧形成。这将在稍后描述。密封树脂剂可以填充在透镜(没有示出)或板(没有示出)与反射层140之间。硅树脂可以被用作密封树脂剂。根据一实施例的透镜(没有示出)或板(没有示出)可以为包括荧光材料的玻璃透镜或玻璃板。因此，光速维持率得以改善，因为荧光材料没有分散在透镜(没有示出)或板(没有示出)中或者没有使用包括荧光材料的密封剂，而是透镜(没有示出)或板(没有示出)包括荧光材料。也就是说，可以改善发光器件封装1的可靠性。
引线框架200被放置在发光器件100之下，并且发光器件100被安装在引线框架200之上。引线框架200可以包括发光器件100直接安装在其上的第一框架210和通过布线130电连接到发光器件100的第二框架220。开口部(随后描述的树脂封装300的第一树脂封装310插入该开口部中)可以形成在第一框架210和第二框架220之间。引线框架200可以由包括铜(Cu)组分的铜合金制成。因此，引线框架200可以起到散热器的作用，这是因为引线框架200的热导率是由氮化铝(AlN)制成的子基台120的热导率的2到3倍。因此，根据一实施例的发光器件封装1在成本方面是有利的，这是因为不必使用单独的散热器并且使用了铜(Cu)。
如果引线框架的厚度200较厚，那么引线框架200可以起到大容量散热器的作用。如果引线框架200的厚度增加，那么引线框架200的成本可能增加，但是这一成本相较于添加独立散热器而言仍然是降低了。此外，随着由铜(Cu)制成的引线框架200变厚，热扩散变得更好并且影响降低。如果引线框架200的厚度增加，那么树脂封装300的摩擦力也增加，并且外部物质或水从底部对发光器件封装1的渗透变得困难。此外，如果引线框架200的厚度增加，那么对由于外部应力导致的变形的抵抗力也增加了。
具体而言，由铜(Cu)组分制成的引线框架200的厚度可以是0.5mm到1.5mm。如果引线框架200的厚度小于0.5mm，那么热扩散和热排放性能不良。如果引线框架200的厚度大于1.5mm，那么相较于热扩散和热排放性能的提高，由于引线框架200的厚度增加而带来的生产成本的增加可能会变成问题。此外，如果由铜(Cu)组分制成的引线框架200的厚度小于0.5mm，那么对由于外部应力导致的发光器件封装1的变形的抵抗力变得小于极限。如果引线框架200的厚度大于1.5mm，那么生产成本的增加可能会变成问题。
总之，如果由铜(Cu)组分制成的引线框架200的厚度小于0.5mm，那么热扩散、热排放、对于变形的抵抗力和防渗水性能中的任何一个都会低于极限。随着引线框架200的厚度变厚，这些特性得到改善。然而，如果由铜(Cu)组分制成的引线框架200的厚度大于1.5mm，那么在发光器件封装1的制造中，与上述特性改善相比，制造成本的增加可能会变成问题。
发光器件100可以直接安装在第一框架210之上。虽然没有在附图中示出，但是接合至发光器件100的晶片接合膏(没有示出)可以形成在第一框架210的顶表面上。可以使用晶片接合膏将发光器件100安装在第一框架210之上。晶片接合膏可以包括具有光稳定性的环氧树脂或硅树脂。
第二框架220可以通过布线130电连接到发光器件100。
根据一实施例的发光器件封装1的树脂封装300可以包括第一树脂封装310和第二树脂封装320，第一树脂封装310被插入到引线框架200的第一框架210和第二框架220中，第二树脂封装320被配置为围绕发光器件100和反射层140并在中央部分具有凹入部。
第一树脂封装310可以填充在第一框架210和第二框架220之间。第二树脂封装320可以形成为围绕引线框架200的外部和反射层140的外部及其上侧的一部分。第一树脂封装310和第二树脂封装320可以通过模制或转移模制的热塑性树脂或热固性树脂形成在引线框架200之上。根据模具设计，第一树脂封装310和第二树脂封装320可以具有各种形状。
在第一树脂封装310和第二树脂封装320中使用的热塑性树脂或热固性树脂可以包括具有强大的耐气候性能的黑色树脂。例如，可以使用黑色芳香族尼龙，但是本发明不限于此。树脂封装300可能褪色或劣化，因为它长期暴露于来自发光器件100的光和热。由于黑色树脂具有良好的耐气候性能，因此根据一实施例的发光器件封装1可以防止具有短波长的紫外线使其劣化和变色。因此，如果发光器件100是白光LED，那么不需要使用黑色树脂，而是可以使用白色树脂。白色树脂在发光效率方面是有利的，因为它具有比黑色树脂更高的光学透射性。
如图1到3所示，第二树脂封装320可以包括凹槽部320a以及凹入部320b，反射层140的一部分能够插入并固定于凹槽部320a，稍后参照图7和图8描述的引线框架原型400的外围框架410能够耦接到凹入部320b。
具体而言，第二树脂封装320可以包括垂直形成在引线框架200和反射层140外部的壁部321。水平地从壁部321朝向发光器件100突出的突出部322可以形成在第二树脂封装320中。突出部322可以形成为覆盖反射层140的顶表面的至少一部分。凹槽部320a可以形成为被第二树脂封装320的壁部321和突出部322以及引线框架200的顶表面围绕。第二树脂封装320的一部分可以插入在反射层140和引线框架200之间。具体而言，第二树脂封装320的插入部323可以布置在反射层140的底表面和引线框架200的顶表面之间。插入部323的厚度可以相对小于反射层140和引线框架320的厚度。
反射层140布置在引线框架200之上。在一种现有技术中，反射层140使用粘结剂接合到引线框架200的顶部。如果使用这样的粘结剂，那么粘结剂的残余可能污染电极或布线。与此相反，在根据一实施例的发光器件1中，凹槽部320a形成在第二树脂封装320中。此外，反射层140的一部分，例如，反射层140最外边缘部分被插入在第二树脂封装320的凹槽部320a中并固定于此。因此，由于没有使用粘结剂而将反射层140固定到引线框架200的顶部，所以能防止使用粘结剂导致的污染，并且能降低成本。
此外，反射层140可以包括透镜引导单元150和板引导单元160。
反射层140的顶表面包括向上开口并且不被从壁部321突出的突出部322覆盖的部分。可以在其上安装有透镜的透镜引导单元150可以由该开口部和突出部322的端部形成。此外，壁部321的顶表面和突出部322的顶表面可以被配置为具有在反射层140上方的台阶。可以在其上安装板(没有示出)的板引导单元160可以由该台阶形成。
反射层140可以由具有高强度的金属制成。因此，当反射层140牢固地固定在引线框架200之上时，由于反射层140变形很少，因此高精度的反射是可能的。稍后描述凹入部320b。
图4是根据一实施例的发光器件封装的俯视图，图5是引线框架的透视图。
参照图1到5，反射层140可以形成在第一框架210和第二框架220上方，并且开口部可以形成在反射层140之内。发光器件100可以布置在反射层140的开口部中，并且开口部可以填充有树脂。
如图4和图5所示，第一框架210和第二框架220的一部分是弯曲的。具体而言，第一框架210可以包括朝着第二框架220凹入的凹入部210a。第二框架220可以包括凸出部220a，其与第一框架210的中凹部210a对应，朝着第一框架210凸出。如果第一框架210和第二框架220具有弯曲形状，那么引线框架200和布置在第一框架210和第二框架220之间的第一树脂封装310之间的接触面增大。因此，由于引线框架200和第一树脂封装310之间的接触面增大，因而一个优点是引线框架200和树脂封装300之间的粘接性能提高。
此外，如图2和图3所示，发光器件封装1的引线框架200具有高的成形度，这是因为它是厚铜框架。因此，在引线框架200中可以形成台阶，并且开口部也具有台阶。因此，由于依据第一框架210和第二框架220之间的开口部的形状填充第一树脂封装310，所以能增大第一框架210和第二框架220与第一树脂封装310之间的接触面。结果是，能提高引线框架200和第一树脂封装310之间的粘结性能。此外，因为引线框架200和第一树脂封装310被配置为具有台阶并耦接，因此能提高用于防止水或外部物质从引线框架200的底部渗透的性能。
图6是根据一实施例的发光器件封装的底部透视图。
参照图1到6，第一树脂封装310布置在引线框架200的第一框架210和第二框架220之间。第一树脂封装310在第一树脂封装310的长度方向上的两端310a可以在第一框架210的宽度方向上朝着第一框架210延伸，并且第一框架210在第一框架210的长度方向上的两端的一部分可以被第一树脂封装310掩埋。因此，由于突出到第一框架210外部的端子和第一树脂封装310之间的间隙被除去，因此可以防止当将发光器件100安装到第一框架210时产生的外部物质渗透发光器件封装1并污染布线或电极。
属于第一框架210和第二框架220并且暴露在发光器件封装1的外部的部分可以起到发光器件封装1的端子的作用。此外，该部分还可以起到热量计算器(TC)的作用。
图7是根据一实施例的已经除去引线框架的引线框架原型的透视图。
参照图5到图7，引线框架原型400可以包括第一框架210、第二框架220以及外围框架410。开口部可以形成在第一框架210和外围框架410之间以及第二框架220和外围框架410之间。开口部可以填充有树脂。
如图1到7所示，凹入部320b可以形成在第二树脂封装320外部第二树脂封装320的上部。引线框架原型400可以包括与凹入部320b对应的形成在外围框架410中的凸入部410a。因此，当发光器件封装1耦接到引线框架原型400时，凸出部410a插入到凹入部320b中并且与凹入部320b上部的接合颌部相接合。因此，发光器件封装1从引线框架原型400向下的运动被限制。发光器件封装1仅可以从引线框架原型400向上分离。因此，发光器件封装1可以容易地保持和载运。
此外，由于引线框架原型400很厚，因此在发光器件封装1外部，引线框架原型400和第二树脂封装320之间的摩擦力很大。因此，可以不使用粘结剂将发光器件封装1固定到引线框架原型400。因此，由于将发光器件封装1固定到引线框架原型400而不需要使用粘结剂，所以在根据一实施例的发光器件封装1中不产生外部物质。
图8是发光器件没有安装在引线框架原型上时发光器件封装已经被组合的状态的透视图。
参照图1到图8，发光器件封装1布置在引线框架原型400的引线框架200之上。当树脂封装300通过模制树脂形成在引线框架200之上时，发光器件封装1被安装在引线框架200之上。
在该情形中，引线框架原型400可以包括两个引线框架200以便安装两个发光器件封装1。
图9是示出能够大量生产的发光器件封装的结构的透视图。
参照图9，根据一实施例的发光器件封装1可以以在两行上延伸的模具来进行大批量生产。因此，由于发光器件封装1能通过模具进行大批量生产，所以能降低成本。
图10是根据另一个实施例的发光器件封装的剖视图。
在图10中示出的根据另一个实施例的发光器件封装与在图1到图7中示出的发光器件封装1的不同之处在于增加了板500和粘结构件600。增加的板500和粘结构件600也可以应用到除了图1到图7中示出的发光器件封装1之外的其他发光器件封装而不需要变动。因此，应当注意到增加的板500和粘结构件600不是仅可以应用到图1到图7中示出的发光器件封装1。
为了将图10的板500和粘结构件600应用到除了图1到图7的发光器件封装1之外的另一个发光器件封装，参照图11描述根据另一个实施例的发光器件封装。
图11是从图10中示出的发光器件封装中进行概括得到的发光器件封装的剖视图。
参照图11，概括得到的发光器件封装可以包括发光器件100、封装本体300’、板500以及粘结构件600。在该情形中，发光器件100与图1到图4的发光器件100相同，并且省略对它的描述。
发光器件100、板500以及粘结构件600布置在封装本体300'中。
封装本体300'可以包括腔350'，其中发光器件100布置在腔350'中。腔350'可以为形成在封装本体300'的顶表面380'的中心部分的凹槽。
封装本体300'可以包括板引导单元360'。
板引导单元360'可以从封装本体300'的顶表面380'的一部分向上突出或可以布置在封装本体300'的顶表面380'的一部分之上。
板引导单元360'可以布置为围绕板500的侧面。在该情形中，板引导单元360'可以围绕板500的侧面的一部分。
板引导单元360'可以布置为与板500分开特定间隔。
封装本体300'可以包括布置表面370'，其中发光器件100布置在布置表面370'中。
封装本体300'可以包括在图1到7中示出的发光器件封装1的引线框架200、树脂封装300以及反射层140。
板500可以布置在发光器件100之上并耦接到封装本体300'。
板500布置在封装本体300'的顶表面380’上并被板引导单元360'引导。
板500可以包括顶表面、底表面以及侧面。来自发光器件100的光线通过板500的底表面接收，并且光线通过板500的顶表面释放到外部。
板500的顶表面可以布置在比板引导单元360'的顶表面更高的位置处。
板500的侧面可以被板引导单元360'围绕。板500的侧面可以与板引导单元360'分开特定间隔。
板500的底表面的边缘可以布置在封装本体300'的顶表面380'上。
粘结构件600可以布置在封装本体300'与板500之间，使得板500接合到封装本体300'。
粘结构件600可以布置在封装本体300'的顶表面380'与板500的底表面之间。粘结构件600的底表面可以接触封装本体300'的顶表面380'，并且粘结构件600的顶表面可以接触板500的底表面。
粘结构件600的详细结构参照图12描述。
图12是图11示出的发光器件封装的一部分的放大视图。
参照图11和突12，粘结构件600可以包括基底层610、第一粘结带630以及第二粘结带650。
基底层610的材料是柔性材料，并且例如可以为橡胶。如果基底层610由柔性材料(尤其是橡胶)制成，那么虽然封装本体300'的顶表面380是不规则的，但是仍然具有优点：第一粘结带630被挤压，因此第一粘结带良好地完全接合到封装本体300'的顶表面380'。在该情形中，橡胶大致涉及链状的、在室温下具有特定弹性的聚合体物质，或者为聚合体物质的原材料的聚合体化合物。此外，顶表面380'是不规则的的意思包括：由于封装本体300'的材料的特性，顶表面380'不是平坦的或凹凸部分形成在顶表面380'的一部分中。尤其是，如果封装本体300'的顶表面380'由丙烯酸材料制成，那么从丙烯酸材料的特性来看，由丙烯酸材料制成的顶表面380'可能是不规则的。
如果基底层610由柔性材料(尤其是橡胶)制成，那么虽然板500的底表面是不规则的，但是仍然具有优点：第二粘结带650被挤压，因此第二粘结带650完全接合到板500的底表面。在该情形中，板500的底表面是不规则的意思包括：由于板500的材料的特性，板500的底表面不是平坦的或凹凸部分形成在底表面的一部分中。
第一粘结带630布置在基底层610之下。具体而言，第一粘结带630可以布置在基底层610的底表面上。
第一粘结带630可以包括顶表面和底表面。第一粘结带630的顶表面可以接触基底层610的底表面，并且第一粘结带630的底表面可以接触封装本体300'的顶表面380'。
第一粘结带630的材料可以与封装本体300'的材料相对应。例如，如果封装本体300'的顶表面380'由丙烯酸材料制成，那么第一粘结带630可以为专用于丙烯酸的带。
第二粘结带650布置在基底层610之上。具体而言，第二粘结带650可以布置在基底层610的顶表面上。
第二粘结带650可以包括顶表面和底表面。第二粘结带650的顶表面可以接触板500的底表面，并且第二粘结带650的的底表面可以接触基底层610的顶表面。
第二粘结带650的材料可以与板500的材料相对应。例如，如果板500由玻璃材料制成，那么第二粘结带650可以为专用于玻璃的带。
粘结构件600的厚度可以为0.15mm或大于0.15mm到1.0mm或小于1.0mm。
如果粘结构件600的厚度小于0.15mm，则很难将粘结构件600与保护片(没有示出)分离。此外，存在问题是可加工性降低，因为虽然粘结构件600与保护片分离，但是很难将粘结构件600贴附到封装本体300'的顶表面380'。保护片(没有示出)起到了在粘结构件600被安装在封装本体300'中之前保护粘结构件600的第一粘结带630和第二粘结带650的粘结力的作用。此外，还存在的问题是，由于粘结构件600变得难以粘附到形成在封装本体300'的顶表面380'上的凹凸部分而没有变化，因此在粘结构件600和封装本体300'的顶表面380'之间很可能产生间隙。此外，还存在的问题是，由于虽然粘结构件600被切断，但是很可能有一部分从粘结构件600的边缘部分伸出，因此甚至是在处理粘结构件600的工艺中也难以将粘结构件600切断并且良品率降低。
此外，还存在的问题是，如果粘结构件600的厚度大于1.0mm，那么由于厚度很厚而难以精确地切断粘结构件600，因此材料成本增加并且赢利率降低。
如上所述，第一粘结带630与封装本体300'的材料相对应，并且第二粘结带650与板500的材料相对应。因此，根据包括第一粘结带630和第二粘结带650的粘结构件600，即使封装本体300'和板500的材料不同，封装本体300'和板500仍然可以牢固地紧密接合。
此外，存在的优点是，尽管封装本体300'的顶表面380'和板500的底表面不一致，但利用基底层610仍然可以将第一粘结带630完全良好地接合到封装本体300'的顶表面380'，并且可以将第二粘结带650完全良好地接合到板500的底表面。
此外，在现有技术中，需要使用紫外线固化粘结剂的工艺。与此相反，存在的优点是，如果使用粘结构件600则不要求这样的固化工艺。此外，存在的优点是，由于固化导致的所有问题都不会发生。
粘结构件600可以与板引导单元360’分开特定间隔。具体而言，粘结构件600可以与板引导单元360'的侧面分开特定间隔。如果粘结构件600与板引导单元360'分开特定间隔，那么可以应对由于粘结构件600被板500压缩因而粘结构件600的形状扩展的情形。
粘结构件600和板引导单元360’之间的距离D1可以小于板500和板引导单元360'之间的距离D2。当粘结构件600被安装在封装本体300'的顶表面380'时，距离D1是必需的边缘空间。当板500被安装在封装本体300'之上时，距离D2是必需的边缘空间。距离D1和D2可以提供空间，当粘结构件600被板500挤压并且因此粘结构件600由于对应压力而延展时，粘结构件600的延展部分可以插入该空间。
图13到图16是包括在图11和图12中示出的发光器件封装的实际尺寸的设计图。具体而言，图13是在图11中示出的发光器件封装的设计图，图14是在图11中示出的粘结构件600的俯视图，图15是在图12中示出的粘结构件600的剖视图，图16是在图12中示出的发光器件封装的设计图。
图17示出在图12中示出的发光器件封装的改型例，图18是在图17中示出的发光器件封装的设计图。
参照图17和图18，板引导单元360"与图12的板引导单元360'不同。
图12的板引导单元360'自底至顶宽度恒定，然而板引导单元360"自底至顶宽度变窄。
板引导单元360"的侧面和顶表面380'之间的角度“a”可以是钝角。如果角度“a”是钝角，则存在的优点是，工作者可以容易地将粘结构件600插入到封装本体300'并且当制作封装本体300'时，可以容易地将完整的封装本体300'从封装本体300'的模具分离。
图19是根据又一个实施例的发光器件封装的剖视图。
在图19中示出的根据又一个实施例的发光器件封装还包括增加到在图11中示出的发光器件封装的粘结构件700。在下文中，为了避免增加的粘结构件700和粘结构件600之间产生混淆，粘结构件600被称为内部粘结构件，而粘结构件700被称为外部粘结构件。
在图19中示出的根据又一个实施例的发光器件封装中，除了外部粘结构件700之外的其他元件与在图11中示出的发光器件封装相同，因此省略了对它们的描述。
外部粘结构件700将封装本体300'与板500牢固地紧密耦接。外部粘结构件700的一部分接合到封装本体300'，而它的另一部分接合到板500。与仅使用内部粘结构件600的情形相比，按照外部粘结构件700，板500可以更牢固地固定到封装本体300'。
外部粘结构件700布置在封装本体300'与板500之上。具体而言，外部粘结构件700布置在封装本体300'的板引导单元300'上和板500的顶表面的边缘部分上。
参照图20描述外部粘结构件700的详细结构。
图20是在图19中示出的发光器件封装的一部分的放大视图。
参照图20，外部粘结构件700可以包括基底层710和粘结带730。
基底层710的材料是柔性材料，并且例如可以为橡胶。如果基底层710由柔性材料(尤其是橡胶)制成，那么存在的优点是，尽管封装本体300'的板引导单元360'的顶表面不一致，但是粘结带730可以被挤压并且因此粘结带730可以完全良好地接合到板引导单元360'的顶表面，并且尽管板500的顶表面不一致，但是粘结带730可以被挤压并且因此粘结带730可以完全良好地接合到板500的顶表面。板引导单元360'的顶表面和板500的顶表面不一致的意思包括：由于封装本体300'的材料的特性，板引导单元360'的顶表面或板500的顶表面不平坦，或者凹凸部分形成在板引导单元360'的顶表面或板500的顶表面的一部分上。尤其是，如果封装本体300'由丙烯酸材料制成，那么鉴于丙烯酸材料的特性，由丙烯酸材料制成的板引导单元360'的顶表面可能是不一致的。
此外，如果基底层710由尤其柔性材料(尤其是橡胶)制成，那么基底层710的形状可以被柔性地改变，尽管在板引导单元360'的顶表面和板500的顶表面之间存在特定的台阶D3。因此，粘结带730可以牢固地接合到板引导单元360'的顶表面和板500的顶表面。
粘结带730布置在基底层710之下。具体而言，粘结带730可以布置在基底层710的底表面之上。
粘结带730可以包括顶表面和底表面。粘结带730的顶表面可以接触基底层710的底表面，并且粘结带730的底表面可以接触封装本体300’的板500的顶表面和板引导单元360'的顶表面。
粘结带730的底表面的一部分可以不接触板引导单元360'的顶表面和板500的顶表面。这可能是因为板引导单元360'与板500分开而导致。
粘结带730的材料可以与封装本体300'的板引导单元360'的材料相对应或与板500的材料相对应。例如，如果封装本体300'的板引导单元360'的顶表面由丙烯酸材料制成，那么粘结带730可以为专用于丙烯酸的带。在一些实施例中，如果板500的材料是玻璃材料，那么粘结带730可以为专用于玻璃的带。
在一些实施例中，粘结带730的材料可以不与板引导单元360'的材料或板500的材料相对应，但是可以是与板引导单元360'和板500两者都良好接合的材料。
在图19中示出的发光器件封装的内部粘结构件600可以包括传统的粘结剂。在一些实施例中，在图19中示出的发光器件封装可以不包括内部粘结构件600。因此，应当注意，在图19中示出的发光器件封装中，内部粘结构件600可能不是必要元件。
图21到图24是包括在图19和图20中示出的发光器件封装的实际尺寸的设计图。具体而言，图21是在图19中示出的发光器件封装的设计图，图22是在图19中示出的外部粘结构件700的俯视图，图23是在图19中示出的外部粘结构件700的剖视图，图24是在图20中示出的发光器件封装的设计图。
如果根据本发明一实施例的发光器件封装的发光芯片是发射可见光的LED，那么根据本发明一实施例的发光器件封装可以被用于各种室内和室外液晶显示设备和照明器件，例如电子显示板和路灯。
如果根据本发明一实施例的发光器件封装的发光芯片发射深紫外线的DUVLED，那么根据本发明一实施例的发光器件封装可以被用于加湿器和净水器来杀菌和净化。
图25是包括在图3中示出的发光器件封装的数值的设计图。
在图1到图5中示出的发光器件封装包括反射层140。反射层140可以由例如为铝的金属制成。如果反射层140由例如为铝的金属制成，那么它可以容易地反射由发光器件100发射的深紫外线。在该情形中，由于反射层140可能产生特定问题。这在下面详细描述。
当反射来自发光器件100的光线时，反射层140对光线执行多反射(所谓的“扩散反射”或“漫反射”)同时将光线扩散。由于反射层140对入射光线执行多反射，所以可能产生由于多反射引起的光损耗。尤其是，如果发光器件100在横向上比向上方向上发射更多光线，那么可能存在的问题是，发光器件封装的整个光学输出Po由于该损耗而降低。
此外，还存在的问题是，由于执行多反射的反射镜140没有立即反射入射光线，而是在凝聚光线之后再反射，所以光学提取速度降低。
此外，如果发光器件100在横向上比在向上方向上发射的光线更多，那么可能在反射层140产生背光点。
此外，如果反射层140被用来执行多反射，那么存在的问题是，难以控制在辅助光学构件上入射的光线的背光，辅助光学构件例如为在反射层140上使用的透镜。
参照图26描述根据再一个实施例的发光器件封装，其能解决这样的问题。
图26是根据再一个实施例的发光器件封装的剖视图，图27是包括在图26中示出的发光器件封装的实际尺寸的设计图。与在图25中示出的数值相比，属于在图27中示出的数值并且不同于在图25中示出的数值的数值被表示得更粗。
在图26中示出的发光器件封装中，除了反射层140'之外的其他元件与在图1到图5中示出的发光器件封装的元件相同，因而省略了对它们的详细说明。下面详细描述反射层140'。
反射层140'反射由发光器件100发射的光线。反射层140'被配置为围绕发光器件100的周边并布置在引线框架200之上。反射层140可以由金属制成。
反射层140'的内部可以形成为具有凹入的圆形，但是反射层140的形状不是必然限于圆形。
反射层140'可以布置在第二树脂封装320的插入部323之上。第二树脂封装320的突出部322可以布置在反射层140'之上。因此，反射层140'可以布置在第二树脂封装320的突出部322与插入部323之间。
反射层140'可以由金属或非金属制成。反射层140'可以由任何材料制成。
反射层140'包括倾斜面141'。
反射层140'的倾斜面141'是镜面，其执行对入射光线的规则反射。规则反射不同于漫反射(或扩散反射)。在规则反射中，入射光线被没有变化地反射。与此相反，在漫反射中，入射光线经受若干方向上的多次反射。如果反射层140'的倾斜面141'是镜面，那么光输出Po和光提取速度可以得到提高。此外，如果发光器件100的横向背光强度比它向上方向的背光强度更强，可以出现在倾斜面141'中的背光点可以减少。因此，可以容易地控制辅助光学构件上入射的光线的背光，辅助光学构件例如为在反射层140'之上使用的透镜。
反射层140'的倾斜面141'可以为从反射层140'的底面起以特定角度“a”倾斜的表面。在该情形中，特定角度“a”可以为25度或大于25度到35度或小于35度。如果特定角度“a”是25度或大于25度到35度或小于35度，那么光输出Po可以得到改善，并且在倾斜面141'中，可以防止或减少特定形状的背光点的生成。下面参照图13到图24详细描述特定角度“a”的技术效果。
图28到图31是示出当光线由图1到图5的发光器件封装发射时的仿真效果的数据。
图32到图35是示出当光线由图26的发光器件封装发射时的仿真效果的数据。
在图28和图32中，光线的数量被设为100,000。从图28与图32之间的比较可见，在图32中示出的发光器件封装中心部分的光线密度小于在图28中示出的发光器件封装中心部分的光线的密度。这意味着在图32的发光器件封装中，背光不是在中心部分密集，并且可见形成了大致均匀的背光。
下面的表1示出在图1到图5中示出的发光器件封装的光学输出Po、工作电压Vf和峰值波长Wp。
表1
表2示出在图26中示出的发光器件封装的光学输出Po、工作电压Vf和峰值波长Wp。
表2
表1和表2可见，在图26中示出的发光器件封装的光输出Po比在图1到图5中示出的发光器件封装的光输出Po在平均值(Avg.)方面好0.48。
从图29到图31与图33到图35之间的比较可见。虽然没有表现出背光点，在图1到图5中示出的发光器件封装的中心部分生成了环形的背光点，而在图26的发光器件封装中没有生成特定形状的背光点。
图36是示出当光线由图1到图5的发光器件封装发射时的光线方向性的示意图，图37是示出当光线由图26的发光器件封装发射时的光线方向性的示意图。
从图36与37之间的比较可见，图26的发光器件封装具有比图1到图5的发光器件封装更好的光线方向性。具体而言，与图1到图5的发光器件封装相比，可以看出图26的发光器件封装具有均匀的背光。
此外，虽然没有在图中示出，但是如果特定角度“a”小于25度，那么难以执行反射任务并且发光器件封装的尺寸可能被不利地影响。如果特定角度“a”小于25度，那么反射层140'的尺寸在横向增加。如果反射层140'的尺寸增大，那么存在的问题是，如果树脂封装320的尺寸被固定为特定尺寸，那么可以安装发光器件100的空间更窄。此外，还存在的问题是，如果特定数量的发光器件100需要安装在树脂封装320之上，那么封装本体的尺寸需要增大。
通过考虑到上述问题，反射层140'的倾斜面141'的特定角度“a”可以为25度或大于25度到35度或小于35度。
已经主要地描述了这些实施例，但是它们仅是例子。本发明所属领域的技术人员可以理解，在不脱离本实施例的基本特征的情况下，上文没有描述的各种改型和应用都是可行的。例如，在实施例中描述的每个元件可以被修改和实施。与这样的修改和应用相关的差异应当被认为是落入由所附权利要求限定的本发明的范围。

Claims (19)

1.一种发光器件封装，包括：
封装本体，被配置为包括顶表面、被布置在所述顶表面上的板引导单元以及形成在所述顶表面中的腔；
发光器件，布置在所述腔内；
板，布置在所述封装本体的所述顶表面上并被所述板引导单元引导；以及
粘结构件，布置在所述封装本体的所述顶表面和所述板之间，
其中所述粘结构件包括：
基底层，由柔性材料制成；
第一粘结带，布置在所述基底层和所述封装本体的顶表面之间并接合到所述基底层和所述封装本体的所述顶表面；以及
第二粘结带，布置在所述基底层和所述板之间并接合到所述基底层和所述板。
2.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中所述粘结构件的所述基底层由橡胶材料制成。
3.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中：
所述封装本体的所述顶表面由丙烯酸材料制成，并且
所述板由玻璃材料制成。
4.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中：
所述第一粘结带与所述封装本体的所述顶表面的材料对应，并且
所述第二粘结带与所述板的材料对应。
5.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中所述粘结构件的厚度为0.15mm或大于0.15mm到1.0mm或小于1.0mm。
6.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中所述粘结构件和所述板引导单元以特定间隔彼此分开。
7.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中所述粘结构件和所述板引导单元之间的距离小于所述板引导单元和所述板之间的距离。
8.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中所述板引导单元的侧面和所述顶表面之间的角度是钝角。
9.一种发光器件封装，包括：
封装本体，被配置为包括顶表面、被布置在所述顶表面上的板引导单元以及形成在所述顶表面中的腔；
发光器件，布置在所述腔内；
板，布置在所述封装本体的所述顶表面上并被所述板引导单元引导；以及
外部粘结构件，布置在所述板引导单元和所述板上，
其中所述外部粘结构件包括：
基底层，由柔性材料制成；以及
粘结带，布置在所述基底层之下，并接合到所述板引导单元和所述板。
10.根据权利要求9所述的发光器件封装，其中所述粘结带与所述板引导单元的材料或所述板的材料对应。
11.根据权利要求9所述的发光器件封装，其中所述外部粘结构件的所述基底层由橡胶材料制成。
12.根据权利要求9所述的发光器件封装，其中：
所述封装本体的所述顶表面由丙烯酸材料制成，并且
所述板由玻璃材料制成。
13.根据权利要求9所述的发光器件封装，还包括内部粘结构件，所述内部粘结构件布置在所述封装本体的所述顶表面和所述板之间，
其中所述内部粘结构件包括：
基底层，由柔性材料制成；
第一粘结带，布置在所述基底层与所述封装本体的顶表面之间并接合到所述基底层和所述封装本体的所述顶表面；以及
第二粘结带，布置在所述基底层和所述板之间并接合到所述基底层和所述板。
14.一种发光器件封装,包括：
发光器件；
引线框架，被配置为使得所述发光器件布置在所述引线框架中；
反射层，布置在所述引线框架上并被配置为反射由所述发光器件发射的光线；以及
树脂封装，被配置为围绕所述引线框架和所述反射层，
其中所述反射层包括被配置为对由所述发光器件发射的光线执行规则反射的倾斜面，以及
所述倾斜面和所述反射层的底表面之间的角度为25度或大于25度到35度或小于35度。
15.根据权利要求14所述的发光器件封装，其中所述倾斜面包括镜面。
16.根据权利要求14所述的发光器件封装，其中：
所述发光器件包括子基台和布置在所述子基台上的发光芯片，并且
所述发光芯片发射紫外线。
17.根据权利要求14所述的发光器件封装，其中所述反射层由铝制成。
18.根据权利要求14所述的发光器件封装，其中：
所述引线框架包括第一框架和第二框架，所述第一框架被配置为使得所述发光器件布置在所述引线框架中，所述第二框架与所述第一框架电绝缘，并且
该树脂封装包括第一树脂封装和第二树脂封装，所述第一树脂封装布置在所述第一框架和所述第二框架之间，所述第二树脂封装被配置为围绕所述发光器件和所述反射层并在所述第二树脂封装的中心部分具有凹入部。
19.根据权利要求18所述的发光器件封装，其中所述第二树脂封装包括凹槽部，所述反射层的一部分被插入到并固定于所述凹槽部。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115068643A (zh) * 2021-03-10 2022-09-20 博尔博公司 深紫外光源

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6459880B2 (ja) * 2015-09-30 2019-01-30 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
WO2017127023A1 (en) * 2016-01-20 2017-07-27 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Optoelectronic modules having fluid permeable channels and methods for manufacturing the same
KR102641336B1 (ko) * 2017-09-05 2024-02-28 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체 소자 패키지
JP6637003B2 (ja) * 2017-09-08 2020-01-29 サンコール株式会社 バスバーアッセンブリ
JPWO2019059047A1 (ja) * 2017-09-20 2020-10-01 岩崎電気株式会社 発光装置、照明装置、及び発光装置の製造方法
KR102334936B1 (ko) * 2017-11-08 2021-12-02 시아먼 산안 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 캄파니 리미티드 자외선 led 패키징 구조
JP6793139B2 (ja) * 2018-01-25 2020-12-02 日機装株式会社 半導体発光装置
JP7370274B2 (ja) * 2020-02-18 2023-10-27 日機装株式会社 半導体パッケージ及び半導体発光装置
TWI751526B (zh) * 2020-04-09 2022-01-01 晟美光電有限公司 深紫外線ｌｅｄ模組構造
WO2023042792A1 (ja) * 2021-09-16 2023-03-23 旭化成株式会社 紫外線照射装置
WO2023042862A1 (ja) * 2021-09-16 2023-03-23 旭化成株式会社 紫外線照射装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200843130A (en) * 2007-04-17 2008-11-01 Wen Lin Package structure of a surface-mount high-power light emitting diode chip and method of making the same
JP2010045265A (ja) * 2008-08-15 2010-02-25 Techwin Opto-Electronics Co Ltd Ｌｅｄリードフレームの製造方法
CN102646777A (zh) * 2011-02-16 2012-08-22 三星Led株式会社 发光器件封装件及其制造方法
CN202513207U (zh) * 2012-04-11 2012-10-31 深圳市兆驰股份有限公司 Led封装结构
CN102779932A (zh) * 2011-05-13 2012-11-14 Lg伊诺特有限公司 发光器件封装及具有该发光器件封装的紫外灯
CN103184015A (zh) * 2011-12-27 2013-07-03 日东电工株式会社 玻璃板用粘合片
JP2013251384A (ja) * 2012-05-31 2013-12-12 Seika Sangyo Kk 発光装置

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3536763B2 (ja) * 2000-02-04 2004-06-14 日本電気株式会社 封止装置
CN101631841A (zh) * 2007-03-26 2010-01-20 住友电气工业株式会社 粘合带
JP5773649B2 (ja) * 2008-07-17 2015-09-02 株式会社東芝 発光装置とそれを用いたバックライト、液晶表示装置および照明装置
US8579490B2 (en) * 2008-08-29 2013-11-12 Sharp Kabushiki Kaisha Backlight device and display device provided with the same
KR101518459B1 (ko) * 2008-12-31 2015-05-11 서울반도체 주식회사 Ｌｅｄ 패키지
EP2495774B1 (en) * 2009-10-29 2018-07-18 Kyocera Corporation Light emitting device
JP2012009723A (ja) * 2010-06-28 2012-01-12 Nichia Chem Ind Ltd 光半導体装置及びその製造方法
KR20120082714A (ko) * 2011-01-14 2012-07-24 삼성엘이디 주식회사 발광소자용 접착필름 및 이를 이용한 발광다이오드 패키지 제조방법
JP5812754B2 (ja) * 2011-02-11 2015-11-17 日東電工株式会社 難燃性熱伝導性粘着シート
CN103988323B (zh) * 2011-06-08 2017-04-05 首尔半导体株式会社 发光二极管封装件
KR101251821B1 (ko) * 2011-09-15 2013-04-09 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
JP5533827B2 (ja) * 2011-09-20 2014-06-25 豊田合成株式会社 線状光源装置
JP2013110273A (ja) * 2011-11-21 2013-06-06 Sharp Corp 半導体発光装置
KR101927942B1 (ko) * 2012-02-09 2018-12-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법
US9263658B2 (en) * 2012-03-05 2016-02-16 Seoul Viosys Co., Ltd. Light-emitting device and method of manufacturing the same
KR20130101467A (ko) * 2012-03-05 2013-09-13 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그것을 제조하는 방법
CN103311445B (zh) * 2012-12-24 2016-03-16 上海天马微电子有限公司 有机发光二极管封装结构及其形成方法
US20150362652A1 (en) * 2013-01-28 2015-12-17 Sharp Kabushiki Kaisha Lighting device, display device, and television receiving device
WO2014189221A1 (ko) * 2013-05-23 2014-11-27 엘지이노텍주식회사 발광 모듈
KR102025977B1 (ko) * 2013-07-09 2019-09-26 닛토덴코 가부시키가이샤 점착 시트 및 그 이용
KR20150092812A (ko) * 2014-02-05 2015-08-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN203932108U (zh) * 2014-05-29 2014-11-05 博罗承创精密工业有限公司 一种大角度发光led支架
KR20150141237A (ko) * 2014-06-09 2015-12-18 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR102252156B1 (ko) * 2014-07-08 2021-05-17 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
JP6671117B2 (ja) * 2014-07-08 2020-03-25 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200843130A (en) * 2007-04-17 2008-11-01 Wen Lin Package structure of a surface-mount high-power light emitting diode chip and method of making the same
JP2010045265A (ja) * 2008-08-15 2010-02-25 Techwin Opto-Electronics Co Ltd Ｌｅｄリードフレームの製造方法
CN102646777A (zh) * 2011-02-16 2012-08-22 三星Led株式会社 发光器件封装件及其制造方法
CN102779932A (zh) * 2011-05-13 2012-11-14 Lg伊诺特有限公司 发光器件封装及具有该发光器件封装的紫外灯
CN103184015A (zh) * 2011-12-27 2013-07-03 日东电工株式会社 玻璃板用粘合片
CN202513207U (zh) * 2012-04-11 2012-10-31 深圳市兆驰股份有限公司 Led封装结构
JP2013251384A (ja) * 2012-05-31 2013-12-12 Seika Sangyo Kk 発光装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115068643A (zh) * 2021-03-10 2022-09-20 博尔博公司 深紫外光源

Also Published As

Publication number Publication date
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