CN105591375B - 触电保护器件及具有其的便携式电子装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供触电保护器件及具有其的便携式电子装置。本发明的例示性实施例的触电保护器件配置于电子装置的人体可接触的导体和内置回路部之间，当从上述导体流入静电时，不受绝缘破坏而使上述静电通过，阻断从回路部的接地流入的外部电源的泄漏电流，并满足以下公式，使得从上述导体流入的通信信号通过：Vbr＞Vin，其中，Vbr为上述触电保护器件的击穿电压，Vin为上述电子装置的外部电源的额定电压。

Description

触电保护器件及具有其的便携式电子装置
技术领域
本发明涉及触电保护器件及具有其的便携式电子装置，更详细地，涉及可从基于电源的泄漏电流中保护使用人员，并且可从外部静电回路中保护内部回路的触电保护器件及具有其的便携式电子装置。
背景技术
目前，为了提高审美性和坚固性，便携式电子装置更多使用金属材质的外壳。
然而，这种金属材质的外壳由于其材质的特性而具有优秀的导电性，因此可通过特定器件或根据部位来在外置外壳和内置回路部之间形成有电路径。尤其，随着金属外壳和回路部形成环，在通过如外部的露出面积大的金属外壳等导体来瞬间流入具有高电压的静电的情况下，可破损IC等回路部，因此需要解决这种问题的对策。
另一方面，这种便携式电子装置通常使用充电器来对电池进行充电。这种充电器利用直流电(DC)电源对外部的交流电(AC)电源进行整流之后，重新通过变压器变换为适合便携式电子装置的低直流电电源。其中，为了强化变压器的电绝缘性，在变压器的两端设置由电容器构成的Y电容(Y-CAP)。
然而，如非正版充电器等Y电容不具有正规特性的情况下，直流电电源无法被Y电容充分切断，尤其，可因交流电电源而发生泄漏电流，且这种泄漏电流可沿着回路的接地部来传播。
这种泄漏电流可向便携式电子装置的外置外壳等人体可接触的导体传递，因此，最终会给使用人员带来麻麻的不愉快的感觉，并且在严重的情况下，使用人员可因触电而受到致命伤。
因此，如利用金属外壳的手机等便携式电子装置需要从上述泄漏电流中保护使用人员的方案。
另一方面，具有上述金属材质的外壳的便携式电子装置正处于随着多功能化，按不同的功能来设置多个天线，其中，至少一部分为内置型天线，配置于便携式电子装置的外置外壳或将金属外壳本身用作天线的趋势。
在此情况下，需要连接天线和便携式电子装置的内部回路，但此时，需要以无衰减的方式向内部回路顺畅地传输通信信号。
然而，如上所述，在为了有效地传输通信信号而增加相应器件的电容的情况下，存在因外部的静电而受到绝缘破坏，由此使相应器件受损的问题。
进而，如上所述，由于相互相反的效果，很难体现用于阻断基于外部电源的泄漏电流的高击穿电压和用于传输通信信号的高容量电容。因此，需要可以从静电中进行保护，阻断泄漏电流，并体现高电容的方案。
发明内容
本发明考虑如上所述的问题而提出，本发明的目的在于，提供可从基于静电或外部电源的泄漏电流中保护内部回路和/或使用人员的触电保护器件及具有其的便携式电子装置。
为了解决上述问题，本发明提供配置于电子装置的人体能可触的导体和内置回路部之间的触电保护器件。当从上述导体流入静电时，上述触电保护器件不受绝缘破坏而使上述静电通过，阻断从回路部的接地流入的外部电源的泄漏电流，并满足以下公式，使得从上述导体流入的通信信号通过：
Vbr＞Vin，
其中，Vbr为上述触电保护器件的击穿电压，
Vin为上述电子装置的外部电源的额定电压。
并且，上述额定电压可以为各个国家的标准额定电压。
并且，可以为Vcp＞Vbr，其中，Vcp可以为电容层的绝缘击穿电压。
并且，上述通信信号可具有无线通信频带。
并且，上述触电保护器件可包括：烧体，层叠有多个薄片层；触电保护部，包括至少一对内部电极及空隙，上述至少一对内部电极以隔开规定间隔的方式配置于上述烧体的内部，上述空隙形成于上述内部电极之间；以及至少一个电容层，使得从上述导体流入的通信信号通过。
并且，上述一对内部电极可配置于同一平面上。
并且，可在上述空隙的内壁形成有沿着高度方向以规定厚度涂敷的放电物质层。
并且，可在上述一对内部电极之间形成有多个上述空隙。
并且，上述放电物质层可由包含金属粒子的非导电性物质或半导体物质形成。
并且，上述放电物质层可包括：第一部分，沿着上述空隙的内壁涂敷；第二部分，从上述第一部分的上端向外侧延伸；以及第三部分，从上述第一部分的下端向外侧延伸，上述第二部分与上述一对内部电极中的一个内部电极相接触，且上述第三部分与上述一对内部电极中的另一个内部电极相接触。
并且，上述烧体可包括具有电容率的绝缘体。
并且，上述内部电极可包含Ag、Au、Pt、Pd、Ni及Cu中的一种以上的成分。
并且，上述电容层可以电连接的方式与上述触电保护部并联。
并且，上述电容层和上述触电保护部之间的间隔可大于上述触电保护部和上述一对内部电极之间的间隔。
并且，上述触电保护器件可包括：触电保护部，包括至少两个压敏电阻物质层、多个第一内部电极及多个第二内部电极，上述至少两个压敏电阻物质层由第一压敏电阻物质层及第二压敏电阻物质层交替层叠而成，上述多个第一内部电极在上述第一压敏电阻物质层上以规定间隔L隔开，上述多个第二内部电极在上述第二压敏电阻物质层上以规定间隔L隔开；以及至少一个电容层，使得从上述导体流入的通信信号通过。
并且，上述击穿电压Vbr可以为分别形成于最靠近的第一内部电极和第二内部电极之间的击穿电压之和。
并且，上述第一内部电极及上述第二内部电极可分别以至少一部分重叠的方式配置。
并且，上述第一内部电极及上述第二内部电极可分别以互不重叠的方式配置。
并且，上述第一内部电极或上述第二内部电极的分隔间隔L可大于上述第一内部电极和上述第二内部电极之间的最短距离d1与相邻的另一第一内部电极和上述第二内部电极之间的最短距离d2之和。
并且，上述第一压敏电阻物质层及上述第二压敏电阻物质层可以为包含ZnO、SrTiO3、BaTiO3及SiC中的一种以上的半导性材料或Pr类材料及Bi类材料中的一种。
并且，上述电容层可以电连接的方式与上述触电保护部并联。
并且，上述电容层和上述触电保护部之间的距离可大于上述第一内部电极和上述第二内部电极之间的最短距离d1与相邻的另一第一内部电极和上述第二内部电极之间的最短距离d2之和。
并且，上述电容层可包括多个薄片层，并包括陶瓷材料。
另一方面，本发明提供具有触电保护功能的便携式电子装置，上述具有触电保护功能的便携式电子装置包括：人体可接触导体；回路部；以及触电保护器件，配置于上述导体和上述回路部之间。其中，当从上述导体流入静电时，上述触电保护器件不受绝缘破坏而使上述静电通过，阻断从回路部的接地流入的外部电源的泄漏电流，并满足以下公式，使得从上述导体流入的通信信号通过：
Vbr＞Vin，Vcp＞Vbr，
其中，Vbr为上述触电保护器件的击穿电压，
Vin为上述电子装置的外部电源的额定电压，
Vcp为电容层的绝缘击穿电压。
并且，上述导体可包括用于使上述电子装置和外部设备进行通信的天线、金属外壳及导电性装饰物中的至少一个。
并且，上述金属外壳可以以包围上述电子装置的外壳的一部分侧部或包围上述电子装置的整个外壳的方式设置。
并且，上述金属外壳可以以包围摄像头的方式设置，上述摄像头以向外部露出的方式设置于上述电子装置的外壳的前部面或后部面。
另一方面，本发明提供配置于电子装置的人体能够接触的导体和内置回路部之间的触电保护器件。其中，上述触电保护器件包括：触电保护部，当从上述导体流入静电时，不受绝缘破坏而使上述静电通过，并阻断从回路部的接地流入的外部电源的泄漏电流；以及触电保护部，与上述触电保护部并联，使得从上述导体流入的通信信号无衰减地通过，上述触电保护器件满足下述式：
Vbr＞Vin，Vcp＞Vbr，
其中，Vbr为上述触电保护器件的击穿电压，
Vin为上述电子装置的外部电源的额定电压，
Vcp为电容层的绝缘击穿电压。
并且，上述触电保护部可包括：烧体，层叠有多个薄片层；至少一对内部电极，以隔开规定间隔的方式配置于上述烧体的内部；以及空隙，形成于上述内部电极之间。
并且，上述触电保护部包括：至少两个压敏电阻物质层，由第一压敏电阻物质层及第二压敏电阻物质层交替层叠而成；多个第一内部电极，在上述第一压敏电阻物质层上以规定间隔L隔开；以及多个第二内部电极，在上述第二压敏电阻物质层上以规定间隔L隔开。
并且，上述触电保护部可包括至少一个电容层，上述至少一个电容层以留有规定间隔的方式配置于上述触电保护部的上部及下部中的一个或同时配置于触电保护部的上部及下部。
根据本发明一实施例的触电保护器件及具有其的便携式电子装置由于在如金属外壳之类的导体向外部露出的便携式电子装置中设有连接导体和回路部的触电保护器件，因而具有可从基于外部电源的泄漏电流及静电中保护使用人员及内部回路，并体现高的电容来将通信信号的衰减最小化并传输的优点。
附图说明
图1为简要表示本发明一实施例的触电保护器件的结构图。
图2a至2e为表示本发明一实施例的触电保护器件的适用例的示意图。
图3a至图3c为分别用于说明本发明一实施例的触电保护器件的泄漏电流(图3a)、静电(ESD)(图3b)及通信信号(图3c)的工作的简要等效电路图。
图4a及图4b为表示电容的通频带的模拟结果的图表。
图5a至图5c为表示本发明一实施例的触电保护器件的一例的图。
图6为本发明一实施例的触电保护器件的再一例的图。
图7a至图7c为表示本发明一实施例的触电保护器件的另一例的图。
图8a及图8b为表示在本发明一实施例的触电保护器件的还有一实施例中触电保护器件的多种形态的图。
附图标记的说明
10：便携式电子装置
12a、12b、12c、12d：导体
14：回路部
100、200、300：触电保护器件
211、212、311、312：薄片层
211a、212b、314a、314b：内部电极
231、232、331、332：外部电极
225：空隙形成部件
125a、125b、125c、324：放电物质层
216、320：空隙
410、420：压敏电阻物质层
416、416’、418：内部电极
具体实施方式
以下，为了使本发明所属技术领域的普通技术人员容易地实施本发明，参照附图对本发明的实施例进行详细的说明。本发明可体现为多种形态，并不局限于在此说明的实施例。在附图中，为了明确说明本发明而省略与说明无关的部分，在说明书全文中，对相同或类似的结构要素赋予相同的附图标记。
如图1所示，本发明一实施例的触电保护器件100可配置于电子装置的人体可接触的导体12和内置回路部14之间。
当从上述导体12流入静电时，上述触电保护器件100不受绝缘破坏而使上述静电通过，阻断从上述回路部14的接地流入的外部电源的泄漏电流，并具有满足以下公式的击穿电压Vb，使得从上述导体流入的通信信号通过：
Vbr＞Vin，Vcp＞Vbr，
其中，Vin为上述电子装置的外部电源的额定电压，
Vcp为上述电容层的绝缘击穿电压。
此时，上述额定电压可以为各个国家的标准额定电压，例如，可以为240V、110V、220V、120V、及100V中的一个。
这种触电保护器件100可以为压敏电阻或抑制器，此时，上述击穿电压Vbr意味着压敏电阻或抑制器的击穿电压(或触发电压)，并且可以根据压敏电阻或抑制器的内部电极的间隔、相互重叠的内部电极的面积、层叠的薄片层的电容率、内部电极之间的空隙体积、放电物质层和压敏电阻材料的粒径及串联的内部电极的数量来决定。
如图2a所示，上述触电保护器件100可以在便携式电子装置10中配置于外置金属外壳之类的导体12和回路部14之间。
其中，上述便携式电子装置10可以为可携带并可容易搬运的便携式电子装置的形态。作为一例，上述便携式电子装置可以为智能手机、蜂窝式电话等便携终端，可以为智能手表、数码相机、数字多媒体广播(DMB)、电子书、上网本、平板电脑及便携式电脑等。这种电子装置可具有包括用于与外部设备进行通信的天线结构的任意适当的电子器件。并且，可以为使用如无线网及蓝牙等近距离网络通信的设备。
上述便携式电子装置10可包括外壳，上述外壳由金属(铝、不锈钢等)之类的导电性材料或碳纤维合成材料或其他纤维类合成物、玻璃、陶瓷、塑料及组合它们的材料形成。
此时，便携式电子装置10的外壳可包括由金属形成并向外部露出的导体12。其中，上述导体12可包括用于与电子装置和外部设备进行通信的天线、金属外壳及导电性装饰物中的一个。
尤其，上述金属外壳可以以包围上述电子装置10的外壳的一部分侧部或包围上述电子装置的整个外壳的方式设置。并且，上述金属外壳可以以包围摄像头的方式设置，上述摄像头以向外部露出的方式设置于上述电子装置的外壳的前部面或后部面。
像这样，触电保护器件100可为了从泄漏电流及静电中保护内部的回路而配置于便携式电子装置10的人体可接触的导体12和回路部14之间。
上述触电保护器件100可以与设在上述便携式电子装置10的外壳的金属外壳的数量相匹配地适当设置。只是，在设有多个上述金属外壳的情况下，各个金属外壳12a、12b、12c、12d均可以以与触电保护器件100单独连接的方式内置于上述便携式电子装置10的外壳。
即，如图2a所示，，在包围上述便携式电子装置10的外壳的侧部的金属外壳之类的导体12分为三个部分的情况下，各个导体12a、12b、12c、12d均与触电保护器件100相连接，从而可从泄漏电流及静电中保护上述便携式电子装置10的内部的回路。
此时，在上述触电保护器件100设有多个金属外壳12a、12b、12c、12d的情况下，可以以与上述金属外壳12a、12b、12c、12d的相应区域相匹配的方式进行多样设置。
作为一例，在上述便携式电子装置10的外壳设有向外部露出的摄像头的情况下，若在包围上述摄像头的导体12d适用上述触电保护器件100的情况下，上述触电保护器件100可以被设置成阻断泄漏电流并从静电中保护内部回路的形态。
并且，在上述金属外壳12b执行地面作用的情况下，上述触电保护器件100可以设置成与上述金属外壳12b相连接来阻断泄漏电流，并从固定电流中保护内部回路的形态。
另一方面，如图2b所示，触电保护器件100可配置于金属外壳12’和回路基板14’之间。此时，触电保护器件100用于使静电以无自身破损的方式通过的器件，因此回路基板14’可具有用于向接地旁通静电的额外的保护器件16。其中，保护器件16可以为抑制器或压敏电阻。
如图2c所示，触电保护器件100可通过匹配回路(例如，R及L成分)来配置于金属外壳12'和前端模块(FEM，front End Module)14a之间。其中，金属外壳12'可以为天线。此时，触电保护器件100一边使通信信号无衰减地通过，一边使金属外壳12'的静电通过，并通过匹配回路来阻断从接地流入的泄漏电流。
如图2d所示，触电保护器件100可配置于设有天线的金属外壳12'和通过相应天线来体现通信功能的集成电路(IC)14c之间。其中，相应通信功能可以为近距离无线(NFC)通信。此时，触电保护器件100由于使静电以无自身破损的方式通过，因此，可设有用于向接地旁通静电的额外的保护器件16。其中，保护器件16可以为抑制器或压敏电阻。
如图2e所示，检测保护器件100可配置于平面倒F天线(PIFA，Planar Inverted FAntenna)20的短销(short pin)22和匹配回路之间。此时，触电保护器件100一边使通信信号无衰减地通过，一边使金属外壳12'的静电通过，并通过匹配回路来阻断从接地流入的泄漏电流。
如图3a至3c所示，这种触电保护器件100可根据基于外部电源的泄漏电流、从导体12流入的静电及通信信号来具有不同的功能。
即，如图3a所示，在外部电源的泄漏电流通过回路部14的回路基板，例如，通过接地向导体12流入的情况下，触电保护器件100因其击穿电压Vbr大于泄漏电流的过电压而可以维持开启状态。即，触电保护器件100由于其击穿电压Vbr大于便携式电子装置的外部电源的额定电压，因此不进行导电而维持开启状态，从而可以阻断从金属外壳之类的人体可接触的导体12传递泄漏电流。
此时，设于触电保护器件100内的电容层可阻断泄漏电流所包含的直流电成分，泄漏电流具有相对低于无线通信频带的频率，因此，对相应频率产生大的阻抗，从而可阻断泄漏电流。
结果，触电保护器件100可阻断从回路部14的接地流入的外部电源的泄漏电流，从而可以防止使用人员触电。
并且，如图3b所示，若静电通过导体12从外部流入，则触电保护器件100作为抑制器或压敏电阻之类的静电保护器件来行使作用。即，在触电保护器件100为压敏电阻的情况下，压敏电阻的击穿电压Vbr小于静电的瞬间电压，因此进行导电而使静电通过，而在触电保护器件100为抑制器的情况下，用于放出静电的抑制器的工作电压小于静电的瞬间电压，因此可通过瞬间放电来使静电通过。结果，当从导体12流入静电时，由于电阻变小，因而触电保护器件100自身不受绝缘破坏而使静电通过。
此时，设于触电保护器件100内的电容层的绝缘击穿电压Vcp大于抑制器或压敏电阻的击穿电压Vbr，因此，静电不向电容层220a、220b流入，而仅向抑制器或压敏电阻通过。
其中，回路部14可具有用于向接地旁通静电的额外的保护器件。结果，触电保护器件100可以不会因从导体12流入的静电而受绝缘破坏，并使静电通过，来保护后端的内部回路。
并且，如图3c所示，在通信信号通过导体12流入的情况下，触电保护器件100行使着电容器的功能。即，触电保护器件100可由抑制器或压敏电阻维持开启状态来阻断导体12和回路部14，但可由内部的电容层使所流入的通信信号通过。像这样，触电保护器件100的电容层可提供通信信号的流入路径。
其中，优选地，上述电容层的电容以使主要无线通信频带的通信信号无衰减地通过的方式设定。如图4a及图4b所示，根据模拟分析电容的通过频带的结果，实际上针对5pF以上的电容，移动无线通信频带(700MHz至2.6GHz)几乎没有损失地传输，从而引起电短路现象。
然而，如图4b所示，若观察细微的影响，可知在大约30pF以上的电容中进行通信时，几乎不会受到接收灵敏度的影响，因此，优选地，上述电容层的电容在移动无线通信频带中应使用30pF以上的高电容。
结果，触电保护器件100可借助内部的电容层的高的电容来使从导体12流入的通信信号无衰减地通过。
以下，参照图5至图7，对本发明实施例的触电保护器件的多种实例进行更详细的说明。
如图5a至5c所示，上述触电保护器件200可以为抑制器形态。这种触电保护器件200包括烧体、触电保护部210及电容层220a、220b。
此时，上述烧体以可构成触电保护部210及电容层120a、120b的方式在上述烧体的一面依次层叠设有电极211a、212a、221a、222a、223a、215a、225a、226a、227a、228a的多个薄片层211、212、213、221、222、223、224、225、226、227、228，设于各个一面的多个电极在以相向的方式配置后，通过烧结或固化工序形成为一体。
这种烧体可包括具有电容率的绝缘体。例如，上述绝缘体可包括陶瓷材料、低温共烧陶瓷(LTCC)、高温共烧陶瓷(HTCC)及磁性材料。此时，陶瓷材料可以为金属类氧化物，金属类氧化物可包含选自Er2O3、Dy2O3、Ho2O3、V2O5、CoO、MoO3、SnO2、BaTiO3及Nd2O3的一种以上。
上述内部电极211a、212a可以以隔开规定间隔的方式形成于烧体的内部，并可形成为至少一对。其中，第一内部电极211a及第二内部电极212a可分别与设在烧体的两端的外部电极231、232电连接。
这种内部电极211a、212a可包含Ag、Au、Pt、Pd、Ni及Cu中的一种以上的成分，外部电极231、232可包含Ag、Ni、Sn成分中的一种以上的成分。
上述内部电极211a、212a可设置成多种形状及模式，上述第一内部电极211a和第二内部电极212a可具有相同模式，也可具有互不相同的模式。即，当构成烧体时，若以使第一内部电极211a和第二内部电极212a的一部分相向的方式重叠，则内部电极211a、212a并不局限于特定模式。
此时，这种内部电极211a、212a之间的间隔及相向的面积或者相互重叠的长度可以以满足抑制器200的击穿电压Vbr的方式构成，例如，上述内部电极211a、212a之间的间隔可以为10～100μm。
另一方面，在相对应的一对电极211a、212a之间配置有防护薄片层213，上述防护薄片层213用于从防护静电的过电压中保护回路保护器件及周边回路。
这种防护薄片层213在上述一对内部电极211a、212a之间形成有形成为中空形的至少一个空隙形成部件215。为此，防护薄片层213可在设有空隙形成部件215的位置形成有贯通孔。
详细说明如下，在上述烧体相互层叠有第一薄片层211和第二薄片层212，上述第一薄片层211在上部面设有第一内部电极211a，上述第二薄片层212在下部面设有第二内部电极212a，在上述第一薄片层211及第二薄片层212的之间配置有防护薄片层213。
即，以使上述第一内部电极211a及第二内部电极212a相向的方式依次层叠第一薄片层211、防护薄片层213及第二薄片层212。
以此，上述第一内部电极211a及第二内部电极212a以相向的方式配置后，被上述防护薄片层213相互隔开规定间隔，上述第一内部电极211a及第二内部电极212a的一侧分别与上述空隙形成部件215相接触。
另一方面，配置于上述第一薄片层211和第二薄片层212的防护薄片层213贯通地形成有至少一个贯通孔。
其中，上述贯通孔位于以上述防护薄片层213为基准来分别配置于上部和下部的第一内部电极211a及第二内部电极212a相互重叠的区域。
此时，可在上述贯通孔设有空隙形成部件215。这种空隙形成部件215可配置于内部电极211a、212a之间，并在内壁包括沿着高度方向以规定厚度涂敷的放电物质层125a、125b、125c。
相对应地，在不单独设置空隙形成部件215的情况下，放电物质层可在上述贯通孔的内壁沿着高度方向以规定厚度涂敷。
其中，上述空隙形成部件215或涂敷于上述空隙形成部件215的放电物质层的上部端与上述第二内部电极212a相接触，下部端与上述第一内部电极211a相接触。
通过这种空隙形成部件215，可在一对内部电极211a、212a之间形成空隙216。通过这种空隙216来从外部流入的静电可在内部电极211a、212a之间进行放电。此时，可使内部电极211a、212a之间的电阻变低，可将触电保护器件200的两端的电压差减小到规定值以下。因此，抑制器220可以不受绝缘破坏而使静电通过。
其中，构成上述放电物质层225a、225b、225c的放电物质需要电容率低、无导电率，且在施加过电压时，不能有短路(short)。
为此，上述放电物质可由至少包含一种金属粒子的非导电性物质形成，且可由包含SiC或硅类成分的半导体物质形成。并且，也可按规定的比率混合选自SiC、碳、石墨及Zno中的一种以上材料和选自Ag、Pd、Pt、Au、Cu、Ni、W及Mo中的一种以上材料来形成上述放电物质。
作为一例，在上述第一内部电极211a及第二内部电极212a包含Ag成分的情况下，上述放电物质可包含SiC-ZnO类成分。SiC(Silicon carbide，碳化硅)成分具有优秀的热稳定性，在氧化环境下也具有优秀的稳定性，并具有规定的导电性和导热性，具有低的电容率。
并且，ZnO成分具有优秀的非线性阻抗特性及放电特性。.
当分别单独使用SiC和ZnO时，两者均有导电性，但若混合两者并进行烧结，则SiC粒子表面与ZnO相结合，从而形成作为绝缘性低的物质的绝缘层。
这种绝缘层使SiC完全发生反应来在SiC粒子表面形成SiC-ZnO反应层。以此，上述绝缘层可阻断Ag通过，来向放电物质赋予更高一层的绝缘性，并提高对于静电的耐性，从而解决在电子部件安装抑制器120时发生的直流电短路现象。
其中，作为上述放电物质的一例，虽然以包含SiC-ZnO类的成分的方式进行了说明，但不局限于此，可使用包含与构成上述第一内部电极211a及第二内部电极212a的成分相匹配的半导体物质或金属离子的分导电性物质作为上述放电物质。
此时，涂敷于上述空隙形成部件215的内壁的上述放电物质层215a、215b、215c可包括：第一部分215a，沿着空隙形成部件215的内壁涂敷；第二部分215b，从上述第一部分215a的上端沿着上述防护薄片层213的上部面以与第一内部电极211a相向地进行接触的方式延伸；以及第三部分215c，从上述第一部分215a的下端沿着上述防护薄片层213的下部面以与第二内部电极212a相向地进行接触的方式延伸。
以此，上述放电物质层215a、215b、215c不仅形成于上述空隙形成部件215的内壁，而且上述第二部分215b及第三部分215c以分别从上述空隙形成部件215的上部端和下部端延伸的方式形成，从而可扩大与上述第一内部电极211a及第二内部电极212a的接触面积。
根据这种结构，随着构成上述放电物质层215a、215b、215c的成分中的一部分因静电火花而被气化，即使放电物质层215a、215b、215c的一部分受损，上述放电物质层215a、215b、215c也可以行驶自身的功能，从而可提高对静电的耐性。
另一方面，上述防护薄片层213可具有多个空隙形成部件215。像这样，若上述空隙形成部件215的数量增加，则静电的放电路径也增加，从而可提高对静电的耐性。
需要注明的是，配置于上述第一薄片层211及第二薄片层212之间的防护薄片层213的面积可以与上述第一薄片层211及第二薄片层212的面积相同，但包括相对应的第一内部电极211a及第二内部电极212a相重叠的面积，且面积可以小于上述第一薄片层211及第二薄片层212的面积。
上述电容层220a、220b使得从如天线的导体12流入的通信信号无衰减地通过，上述电容层220a、220b可以以电连接的方式与触电保护部210并联。例如，电容层220a、220b可配置于触电保护部210的上部及下部中的至少一个或同时配置于上部和下部。
其中，可在各个电容层220a、220b分别层叠有多个薄片层。此时，构成电容层220a、220b的多个薄片层可包括具有电容率的绝缘体，优选地，可由陶瓷材料形成。
例如，陶瓷材料可包含金属类氧化化合物，上述金属类氧化化合物包含选自Er2O3、Dy2O3、Ho2O3、V2O5、CoO、MoO3、SnO2及BaTiO3中的一种以上，或者可包含铁氧体，并且，可使用低温共烧陶瓷(LTCC，low-temperature co-fired ceramic)或高温共烧陶瓷(HTCC，high-temperature co-fired ceramic)等。并且，上述陶瓷材料可使用ZnO类的压敏电阻材料或Pr类材料及Bi类材料等，而作为金属类氧化化合物来提及的Er2O3、Dy2O3、Ho2O3、V2O5、CoO、MoO3、SnO2及BaTiO3仅为一例，也可使用未提及的其他种类的金属类氧化化合物。
此时，构成上述电容层220a、220b的多个电容器电极可以以使相向的一对电容器电极之间的间隔d1成为15～100μm范围的方式设置，例如，可使上述电容器电极具有20μm的间隔。
另一方面，触电保护器件200的触电保护部210和电容层220a、220b可以构成为不同的电极间隔及不同的电极宽度。
即，相向配置的一对内部电极211a、212a之间的间隔可以与电容器电极221a、222a、223a、224a、225a、226a、227a、228a之间的间隔相同。
此时，触电保护部210和电容层220a、220b之间的间隔可大于一对内部电极211a、212a之间的间隔。
即，优选地，以防止沿着上述一对内部电极211a、212a流动的静电或泄漏电流向相邻的电容器电极泄漏的方式与内部电极211a、212a确保充分的间隔。此时，上述电容层220a、220b和上述触电保护部210之间的距离可以为15～100μm，优选地，上述电容层220a、220b和上述触电保护部210之间的距离为上述一对内部电极211a、212a之间的间隔的两倍以上。例如，在上述一对内部电极211a、212a之间的间隔为10μm的情况下，上述电容层220a、220b和上述触电保护部210之间的距离可以为20μm以上。
像这样，触电保护器件100具有电容层220a、220b，从而可使静电通过，阻断外部电源的泄漏电流，并可容易地提供适合使用目的的通信频带的电容。即，以往，通过上述电容层115a、115b对静电同时使用用于保护内部回路的抑制器、压敏电阻或齐纳二极管及用于提高射频(Rf)接收灵敏度的额外部件，而与这种现有技术不同，本发明具有可通过一个触电保护器件100来提高对静电的保护，并且可提高射频接收灵敏度的优点。
作为另一实施例，如图6所示，触电保护器件300可包括隔开规定间隔来水平配置的一对内部电极314a、314b。即，内部电极314a、314b以形成空隙的方式相互隔开地配置于至少一对薄片层311、312的内部。优选地，上述一对内部电极314a、314b以向平行的方向隔开规定间隔的方式配置于同一平面上。
其中，可在一对内部电极314a、314b之间形成有空隙320。其中，空隙320的高度可以高于一对内部电极314a、314b的高度，宽度可以大于一对内部电极314a、314b的间隔。像这样，若空隙320的体积扩大，则在基于静电进行放电时，即使从内部电极314a、314b发生微细的龟裂，也因内部电极314a、314b之间的空间广阔而可以减少由龟裂引起的缺陷的发生率。此时，上述空隙作为在流入静电时，通过一对内部电极314a、314b来放电的空间，优选地，上述空隙的体积以满足对静电的耐性的方式设置。例如，相对于上述触电保护器件300的总体积，上述空隙的体积可以为1～15％。
具体说明如下，上述一对内部电极314a、314b以在上述第一薄片层311的上部面形成空隙的方式相互隔开地配置。其中，上述一对内部电极314a、314b之间的间隔可以为10～100μm。这种一对内部电极314a、314b在上述第一薄片层311的上部面进行图案印刷。
此时，在相互对应的一对内部电极314a、314b之间形成有空隙320，上述空隙320用于防护静电，从过电压保护回路保护器件及周边回路，并阻断泄漏电流。
这种空隙320配置于上述一对内部电极314a、314b之间，上述一对内部电极314a、314b以相互平行的方式排列于同一平面上，并以可装满空气的方式呈中空形，在上述空隙320的开放的上部侧层叠有上述第二薄片层312。
这种空隙320可以设置多个，并沿着上述内部电极314a、314b的宽度方向隔开配置。像这样，若上述空隙320的数量增加，则静电的放电路径增加，从而可提高对静电的耐性。
此时，上述空隙320的高度可大于从上述第一薄片层111的上部面至上述内部电极314a、314b的上部端的高度。即，本发明一实施例的空隙320的高度可以具有大于内部电极314a、314b的总高度，从而可使整个空隙320的体积扩大。
以此，即使在静电进行放电时，从上述内部电极314a、314b发生微细的龟裂，也可通过具有广阔空间的空隙320来减少由龟裂引起的缺陷的发生率。
此时，上述空隙320可向相互隔开配置的一对内部电极314a、314b的上部面或下部面上延伸。
并且，上述空隙320的宽度与一对内部电极314a、314b的宽度相同，此时，上述空隙320的厚度可大于一对内部电极314a、314b的厚度。
空隙材料在上述一对内部电极314a、314b之间进行图案印刷之后，借助烧结过程中施加的热量来去除上述空隙材料，由此形成上述空隙320。其中，上述空隙材料为了在层叠第一薄片层311及第二薄片层312后形成烧体而在压缩过程中防止上述空隙320因压力而发生变形或破损的现象。
为此，上述空隙材料包含可以被高热分解的材质，从而可在层叠多个薄片层后，在烧结的过程中被去除。作为一例，上述空隙材料可包含在200～2000℃之间的温度范围被分解的材质。
此时，上述一对内部电极314a、314b可呈多边形、圆形、椭圆形、螺旋形及由它们组合而成的多种形状及图案。并且，相向的内部电极可呈相同的图案及形状，也可呈不同的图案及形状。
另一方面，在上述一对内部电极314a、314b相向的端部之间形成有隔开规定间隔的间隙，以上述间隙为中心在附近形成上述空隙320。此时，在上述空隙320的内壁形成有沿着上述内部电极314a、314b的高度方向以规定厚度涂敷的放电物质层。此时，需要先明确的是，上述放电物质层可以仅在在上述空隙320的内壁设置，但以盖住上述空隙320开放的上部的方式涂敷。即，上述放电物质层不仅可以连接上述空隙320的内壁来延伸，而且也可以连接上述空隙320开放的上部端来延伸。
另一方面，构成上述烧体的第一薄片层311及第二薄片层312可在第一薄片层311的上部直接层叠第二薄片层312，但也可层叠与形成于上述第一薄片层311的上部面的一对内部电极314a、314b及空隙320的高度相对应的额外的缓冲层。这种缓冲层执行消除与内部电极314a、314b的高度及空隙320的高度相对应的高度偏差的作用。
上述触电保护器件可以为如图7a至图7c所示的触电保护器件400。这种触电保护器件400包括触电保护部410及电容层420a、420b。
触电保护部410包括压敏电阻物质层412、414及多个内部电极416、416’、418。
此时，上述压敏电阻物质层可由第一压敏电阻物质层412及第二压敏电阻物质层414交替地配置至少两层。其中，上述第一压敏电阻物质层412及上述第二压敏电阻物质层414可以为包含ZnO、SrTiO3、BaTiO3及SiC中的一种以上的半导性材料或Pr类材料及Bi类材料中的一种。并且，优选地，将上述压敏电阻物质层设定为压敏电阻物质的粒径满足击穿电压Vbr。
上述内部电极可包括：多个第一内部电极416、416’，在第一压敏电阻物质层412上以规定间隔L隔开；以及多个第二内部电极418，在第二压敏电阻物质层414上以规定间隔L隔开。
其中，压敏电阻400的击穿电压Vbr可以为分别形成于最靠近第一内部电极416、416’和第二内部电极418之间的单位击穿电压之和。即，压敏电阻400的击穿电压Vbr可根据分别形成于第一内部电极416、416’和第二内部电极418之间的单位击穿电压及通过电串联的第一内部电极416、416’和第二内部电极418的数量来决定。
上述第一内部电极416、416’及上述第二内部电极418可以分别以至少一部分不重叠的方式配置。即，上述第一内部电极416、416’及上述第二内部电极418可分别以至少一部分重叠的方式交叉配置，或者以互不重叠的方式在相互之间交叉配置。
此时，优选地，上述第一内部电极或上述第二内部电极以防止静电或泄漏电流向内部电极416、416’、418的相邻的外部电极(未图示)泄漏，并在内部电极416、416’、418之间正常运行的方式设置间隔。
例如，优选地，一个第一内部电极416与相邻的第一内部电极416’之间的隔开间隔L大于上述第一内部电极416和上述第二内部电极418之间的最短距离d1和上述相邻的另一第一内部电极416’和第二内部电极418之间的最短距离d2之和。
与此同时，优选地，上述第二内部电极418与相邻外部电极(未图示)之间的距离大于第一内部电极416、416’之间的隔开距离。
具体说明如下，上述第一压敏电阻物质层412可具有两个第一内部电极416、416’，且上述两个第一内部电极416、416’可在同一平面上并排地隔开配置。
并且，可在上述第二压敏电阻物质层414的一面设有第二内部电极418。
此时，述第一压敏电阻物质层412及第二压敏电阻物质层414向上下方向层叠，使得上述第二内部电极418与两个第一内部电极416、416’以向上下方向隔开规定间隔的状态配置。
并且，上述第二内部电极418可以以使两端部侧与上述两个第一内部电极416、416’的一端部侧重叠规定区域的方式配置。为此，上述第二内部电极418的中央部可位于形成在上述两个第一内部电极416、416’之间的间隙L1的中央部。
其中，如图8a所示，形成有两个第一内部电极416、416’的第一压敏电阻物质层412可层叠于形成有一个第二内部电极418的第二压敏电阻物质层414的上部，可选地，可层叠于第二压敏电阻物质层414的下部。
如图8b所示，可在触电保护部410并列设有通过第一内部电极416、416’及第二内部电极418来形成的多个单位器件。即，触电保护部410可以为形成有两个第一内部电极416、416’的两个第一压敏电阻物质层412和形成有一个第二内部电极418的一个第二压敏电阻物质层414交替层叠而成的形态。
此时，上述两个第一压敏电阻物质层412可以以分别层叠于上述第二压敏电阻物质层414的上部和下部的形态层叠。其中，形成于上述第二压敏电阻物质层414的第二内部电极418分别与两端部侧配置在上部的第一内部电极416、416’及配置在下部的第二内部电极418的一端部侧重叠规定区域。
并且，配置于上述第二压敏电阻物质层414的上部的第一内部电极416、416’和配置于第二压敏电阻物质层414的下部的第一内部电极416、416’可向上、下方向并排地配置，并且可在向垂直方向隔开配置的第一内部电极416、416’的之间配置第二内部电极418。
此时，上述第二内部电极418的中央部可位于间隔L的中央部，上述间隔L形成在配置于同一平面上的两个第一内部电极416、416’之间。
上述第一压敏电阻物质层412及第二压敏电阻物质层414可满足上述第一内部电极416、416’及第二内部电极418的间隔d1、d2或它们之间的间隔L，并以多种层叠顺序配置。
例如，上述两个第二压敏电阻物质层414可以以分别配置于上述第一压敏电阻物质层412的上部、下部的形态层叠。
其中，形成于上述第二压敏电阻物质层414的第二内部电极418可配置于两端部侧分别隔开配置于上部和下部的一对第一内部电极416、416’相互重叠的位置。
此时，优选地，上述第二内部电极418的间隔设置成可以防止静电或泄漏电流向外部电极(未图示)泄漏而向第一内部电极416’正常流动。例如，优选地，上述第二内部电极418与相邻的外部电极(未图示)间的距离大于第一内部电极416、416’之间的间隔d1、d2。
像这样，随着层叠有多个第一压敏电阻物质层412及第二压敏电阻物质层414，使得静电的放电路径增加，从而可提高对静电的耐性。
另一方面，第一内部电极416、416’及第二内部电极418的数量可以根据在它们之间形成的单位击穿电压来满足压敏电阻400的击穿电压Vbr来决定。即，虽然以通过第一内部电极416、416’及第二内部电极418形成的单位器件为两个的情况进行了说明，但并不局限于此，可根据单位击穿电压的大小来形成多个。
像这样，随着层叠多个第一压敏电阻物质层412及第二压敏电阻物质层414，增加静电的放电路径，从而可提供对静电的耐性。
上述压敏电阻400、400’由于在压敏电阻物质层设有第一内部电极416、416’和第二内部电极418，因此在施加静电时，通过压敏电阻物质的非线性电压特性使第一内部电极416、416’和第二内部电极418之间的电阻变低，从而可使静电通过。因此，压敏电阻物质也可以不受高静电绝缘破坏而使静电通过。
上述电容层420a、420b使得从如天线的导体12流入的通信信号无衰减地通过，上述电容层420a、420b可以以电连接的方式与触电保护部410并联。例如，电容层420a、420b可配置于触电保护部410的上部及下部中的至少一个或同时配置于上部和下部。
其中，可在各个电容层420a、420b分别层叠有多个薄片层。此时，构成电容层420a、420b的多个薄片层可包括具有电容率的绝缘体，优选地，可由陶瓷材料形成。
例如，陶瓷材料可包含金属类氧化化合物，上述金属类氧化化合物包含选自Er2O3、Dy2O3、Ho2O3、V2O5、CoO、MoO3、SnO2及BaTiO3中的一种以上，或者可包含铁氧体，并且，可使用低温共烧陶瓷(LTCC，low-temperature co-fired ceramic)或高温共烧陶瓷(HTCC，high-temperature co-fired ceramic)等。并且，上述陶瓷材料可使用ZnO类的压敏电阻材料或Pr类材料及Bi类材料等，而作为金属类氧化化合物来提及的Er2O3、Dy2O3、Ho2O3、V2O5、CoO、MoO3、SnO2及BaTiO3仅为一例，也可使用未提及的其他种类的金属类氧化化合物。
此时，构成上述电容层420a、420b的多个电容器电极可以以使相向的一对电容器电极之间的间隔成为15～100μm范围的方式设置，例如，可使上述电容器电极具有20μm的间隔。
并且，上述电容层420a、420b和触电保护部410之间的距离可大于上述第一内部电极416和上述第二内部电极418之间的最短距离与相邻的上述另一第一内部电极416’和第二内部电极418之间的最短距离之和。
即，优选地，以防止沿着上述第一内部电极416、416’或上述第二内部电极418流动的静电或泄漏电流向相邻的电容器电极泄漏的方式与内部电极416、416’、418确保充分的间隔。此时，上述电容层420、420b和上述触电保护部410之间的距离可以为15～100μm，优选地，上述电容层420、420b和上述触电保护部410之间的距离为上述第一内部电极416、416’和上述第二内部电极418之间间隔的两倍以上。例如，在第一内部电极416、416’和上述第二内部电极418之间的间隔为10μm的情况下，上述电容层420a、420b和上述触电保护部410之间的距离可为20μm以上。
像这样，触电保护器件100具有电容层420a、420b，从而可使静电通过，阻断外部电源的泄漏电流，并可容易地提供适合使用目的的通信频带的电容。即，以往，通过上述电容层420a、420b对静电同时使用用于保护内部回路的抑制器、压敏电阻或齐纳二极管及用于提高射频接收灵敏度的额外部件，而与这种现有技术不同，本发明具有可通过一个器件来提高对静电的保护，并且也可提高射频接收灵敏度的优点。
以上，虽然对本发明一实施例进行了说明，但本发明的思想并不局限于本说明书所公开的实施例，理解本发明思想的本发明所属技术领域的普通技术人员可在相同的思想范围内，通过结构要素的附加、变更、删除、追加等来容易地提出其他实施例，而这些属于本发明的思想范围内。

Claims (30)

1.一种触电保护器件，用于连接电子装置的人体能够接触的导体和内置回路部之间，上述触电保护器件的特征在于，包括：
触电保护部，使从上述导体流入的静电通过，阻断从回路部的接地流入的外部电源的泄漏电流向上述导体传递；以及
至少一个电容层，与上述触电保护部并联，使从上述导体流入的通信信号通过；
一对外部电极，连接到所述触电保护部和所述至少一个电容层，
其中，所述一对外部电极中的一个外部电极连接到所述导体，并且所述一对外部电极中的另一个外部电极连接到所述回路部；并且
上述触电保护器件满足以下公式，
Vbr＞Vin，
其中，Vbr为上述触电保护器件的击穿电压，
Vin为上述电子装置的外部电源的额定电压，
所述电容层阻断泄漏电流所包含的直流电成分，泄漏电流具有相对低于无线通信频带的频率，因此，对相应频率产生大的阻抗，从而阻断泄漏电流。
2.根据权利要求1所述的触电保护器件，其特征在于，
上述额定电压为各个国家的标准额定电压。
3.根据权利要求1所述的触电保护器件，其特征在于，
Vcp＞Vbr，
其中，Vcp为上述电容层的绝缘击穿电压。
4.根据权利要求1所述的触电保护器件，其特征在于，上述通信信号具有无线通信频带。
5.根据权利要求1所述的触电保护器件，其特征在于，上述触电保护器件还包括：
烧体，层叠有多个薄片层；以及
至少一对内部电极，以隔开规定间隔的方式配置于上述烧体的内部。
6.根据权利要求5所述的触电保护器件，其特征在于，上述一对内部电极配置于同一平面上。
7.根据权利要求5所述的触电保护器件，其特征在于，上述触电保护部还包括形成于上述一对内部电极之间的空隙。
8.根据权利要求7所述的触电保护器件，其特征在于，在上述一对内部电极之间形成有多个上述空隙。
9.根据权利要求7所述的触电保护器件，其特征在于，在上述空隙的内壁形成有沿着高度方向以规定厚度涂敷的放电物质层。
10.根据权利要求9所述的触电保护器件，其特征在于，
上述放电物质层包括：
第一部分，沿着上述空隙的内壁涂敷；
第二部分，从上述第一部分的上端向外侧延伸；以及
第三部分，从上述第一部分的下端向外侧延伸，
上述第二部分与上述一对内部电极中的一个内部电极相接触，且上述第三部分与上述一对内部电极中的另一个内部电极相接触。
11.根据权利要求5所述的触电保护器件，其特征在于，上述烧体包括具有电容率的绝缘体。
12.根据权利要求5所述的触电保护器件，其特征在于，上述内部电极包含Ag、Au、Pt、Pd、Ni及Cu中的一种以上的成分。
13.根据权利要求9所述的触电保护器件，其特征在于，上述放电物质层由包含金属粒子的非导电性物质或半导体物质形成。
14.根据权利要求5所述的触电保护器件，其特征在于，上述电容层和上述触电保护部之间的间隔大于上述触电保护部的上述一对内部电极之间的间隔。
15.根据权利要求1所述的触电保护器件，其特征在于，上述触电保护部包括至少两个压敏电阻物质层、多个第一内部电极及多个第二内部电极，上述至少两个压敏电阻物质层由第一压敏电阻物质层及第二压敏电阻物质层交替层叠而成，上述多个第一内部电极在上述第一压敏电阻物质层上以规定间隔(L)隔开，上述多个第二内部电极在上述第二压敏电阻物质层上以规定间隔(L)隔开。
16.根据权利要求15所述的触电保护器件，其特征在于，上述击穿电压(Vbr)为分别形成于最靠近的第一内部电极和第二内部电极之间的击穿电压之和。
17.根据权利要求15所述的触电保护器件，其特征在于，上述第一内部电极及上述第二内部电极分别以至少一部分重叠的方式配置。
18.根据权利要求15所述的触电保护器件，其特征在于，上述第一内部电极及上述第二内部电极分别以互不重叠的方式配置。
19.根据权利要求15所述的触电保护器件，其特征在于，上述第一内部电极或上述第二内部电极的分隔间隔(L)大于上述第一内部电极和上述第二内部电极之间的最短距离(d1)与相邻的另一第一内部电极和上述第二内部电极之间的最短距离(d2)之和。
20.根据权利要求15所述的触电保护器件，其特征在于，上述第一压敏电阻物质层及上述第二压敏电阻物质层为包含ZnO、SrTiO3、BaTiO3及SiC中的一种以上的半导性材料或Pr类材料及Bi类材料中的一种。
21.根据权利要求15所述的触电保护器件，其特征在于，上述电容层和上述触电保护部之间的距离大于上述第一内部电极和上述第二内部电极之间的最短距离(d1)与相邻的另一第一内部电极和上述第二内部电极之间的最短距离(d2)之和。
22.根据权利要求15所述的触电保护器件，其特征在于，上述电容层包括多个薄片层，并包含陶瓷材料。
23.一种具有触电保护功能的便携式电子装置，其特征在于，
包括：
人体能够接触的导体；
回路部；以及
权利要求1至22中的任一项所述的触电保护器件，用于连接上述导体和上述回路部之间。
24.根据权利要求23所述的具有触电保护功能的便携式电子装置，其特征在于，上述导体包括用于使上述电子装置和外部设备进行通信的天线、金属外壳及导电性装饰物中的至少一个。
25.根据权利要求24所述的具有触电保护功能的便携式电子装置，其特征在于，上述金属外壳以包围上述电子装置的外壳的一部分侧部或包围上述电子装置的整个外壳的方式设置。
26.根据权利要求24所述的具有触电保护功能的便携式电子装置，其特征在于，上述金属外壳以包围摄像头的方式设置，上述摄像头以向外部露出的方式设置于上述电子装置的外壳的前部面或后部面。
27.一种触电保护器件，用于串联连接电子装置的人体能够接触的导体和内置回路部之间，上述触电保护器件的特征在于，
包括：
触电保护部，使从上述导体流入的静电通过，并阻断从上述回路部的接地流入的外部电源的泄漏电流向上述导体传递；
至少一个电容层，与上述触电保护部并联，使得从上述导体流入的通信信号无衰减地通过；以及
一对外部电极，连接到所述触电保护部和所述至少一个电容层，
其中，所述一对外部电极中的一个外部电极连接到所述导体，并且所述一对外部电极中的另一个外部电极连接到所述回路部；并且
上述至少一个电容层包括多个薄片层，
上述多个薄片层由陶瓷材料构成，
上述电容层和上述触电保护部之间的间隔大于上述触电保护部的内部电极之间的间隔，
上述触电保护器件满足下述式：
Vbr＞Vin，Vcp＞Vbr，
其中，Vbr为上述触电保护器件的击穿电压，
Vin为上述电子装置的外部电源的额定电压，
Vcp为电容层的绝缘击穿电压，
所述电容层阻断泄漏电流所包含的直流电成分，泄漏电流具有相对低于无线通信频带的频率，因此，对相应频率产生大的阻抗，从而阻断泄漏电流。
28.根据权利要求27所述的触电保护器件，其特征在于，上述触电保护器件还包括：
烧体，层叠有多个薄片层；以及
至少一对内部电极，以隔开规定间隔的方式配置于上述烧体的内部。
29.根据权利要求27所述的触电保护器件，其特征在于，上述触电保护部包括：
至少两个压敏电阻物质层，由第一压敏电阻物质层及第二压敏电阻物质层交替层叠而成；
多个第一内部电极，在上述第一压敏电阻物质层上以规定间隔(L)隔开；以及
多个第二内部电极，在上述第二压敏电阻物质层上以规定间隔(L)隔开。
30.根据权利要求28或29所述的触电保护器件，其特征在于，上述电容层以留有规定间隔的方式配置于上述触电保护部的上部及下部中的一个或同时配置于触电保护部的上部及下部。
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