CN105375458B - 触电保护器件及具有其的便携式电子装置 - Google Patents

触电保护器件及具有其的便携式电子装置 Download PDF

Info

Publication number
CN105375458B
CN105375458B CN201510794419.3A CN201510794419A CN105375458B CN 105375458 B CN105375458 B CN 105375458B CN 201510794419 A CN201510794419 A CN 201510794419A CN 105375458 B CN105375458 B CN 105375458B
Authority
CN
China
Prior art keywords
mentioned
electrical shock
shock protection
protection device
pair
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201510794419.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105375458A (zh
Inventor
金炵岐
刘俊瑞
朴奎焕
宣贵男
柳在洙
李承哲
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Amotech Co Ltd
Original Assignee
Amotech Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=55173500&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=CN105375458(B) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Amotech Co Ltd filed Critical Amotech Co Ltd
Publication of CN105375458A publication Critical patent/CN105375458A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105375458B publication Critical patent/CN105375458B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F1/00Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
    • G06F1/16Constructional details or arrangements
    • G06F1/1613Constructional details or arrangements for portable computers
    • G06F1/1633Constructional details or arrangements of portable computers not specific to the type of enclosures covered by groups G06F1/1615 - G06F1/1626
    • G06F1/1656Details related to functional adaptations of the enclosure, e.g. to provide protection against EMI, shock, water, or to host detachable peripherals like a mouse or removable expansions units like PCMCIA cards, or to provide access to internal components for maintenance or to removable storage supports like CDs or DVDs, or to mechanically mount accessories
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002Details
    • H01G4/018Dielectrics
    • H01G4/06Solid dielectrics
    • H01G4/08Inorganic dielectrics
    • H01G4/12Ceramic dielectrics
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G2/00Details of capacitors not covered by a single one of groups H01G4/00-H01G11/00
    • H01G2/14Protection against electric or thermal overload
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/30Stacked capacitors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/35Feed-through capacitors or anti-noise capacitors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/12Supports; Mounting means
    • H01Q1/22Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles
    • H01Q1/24Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles with receiving set
    • H01Q1/241Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles with receiving set used in mobile communications, e.g. GSM
    • H01Q1/242Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles with receiving set used in mobile communications, e.g. GSM specially adapted for hand-held use
    • H01Q1/243Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles with receiving set used in mobile communications, e.g. GSM specially adapted for hand-held use with built-in antennas
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04MTELEPHONIC COMMUNICATION
    • H04M1/00Substation equipment, e.g. for use by subscribers
    • H04M1/02Constructional features of telephone sets
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04MTELEPHONIC COMMUNICATION
    • H04M1/00Substation equipment, e.g. for use by subscribers
    • H04M1/02Constructional features of telephone sets
    • H04M1/0202Portable telephone sets, e.g. cordless phones, mobile phones or bar type handsets
    • H04M1/026Details of the structure or mounting of specific components
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0007Casings
    • H05K9/0015Gaskets or seals
    • H05K9/0016Gaskets or seals having a spring contact
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/0203Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0248Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
    • H01L27/0251Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
    • H01L27/0288Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices using passive elements as protective elements, e.g. resistors, capacitors, inductors, spark-gaps
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02HEMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H9/00Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
    • H02H9/04Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage
    • H02H9/045Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage adapted to a particular application and not provided for elsewhere
    • H02H9/046Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage adapted to a particular application and not provided for elsewhere responsive to excess voltage appearing at terminals of integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0213Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0254High voltage adaptations; Electrical insulation details; Overvoltage or electrostatic discharge protection ; Arrangements for regulating voltages or for using plural voltages
    • H05K1/0257Overvoltage protection
    • H05K1/0259Electrostatic discharge [ESD] protection

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)
  • Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

本发明提供触电保护器件及具有其的便携式电子装置。本发明例示性实施例的触电保护器件配置于电子装置的人体可接触的导体和内置回路部之间,上述触电保护器件包括:烧体,层叠有多个薄片层;触电保护部,包括至少一对内部电极及空隙,上述至少一对内部电极以隔开规定间隔的方式配置于上述烧体的内部,上述空隙形成于上述内部电极之间;以及至少一个电容层,使得从上述导体流入的通信信号通过,当从上述导体流入静电时,不受绝缘破坏而使上述静电通过,阻断从上述回路部的接地部流入的外部电源的泄漏电流,并满足以下公式,使得从上述导体流入的通信信号通过:Vbr>Vin,其中,Vbr为上述触电保护部的击穿电压,Vin为上述电子装置的外部电源的额定电压。

Description

触电保护器件及具有其的便携式电子装置
技术领域
本发明涉及触电保护器件及具有其的便携式电子装置,更详细地,涉及可从基于电源的泄漏电流中保护使用人员,并且可从外部静电保护内部回路,使传输的通信信号的衰减最小化的触电保护器件及具有其的便携式电子装置。
背景技术
目前,为了提高审美性和坚固性,便携式电子装置更多使用金属材质的外壳。
然而,这种金属材质的外壳由于其材质的特性而具有优秀的导电性,因此可通过特定器件或根据部位来在外置外壳和内置回路部之间形成有电路径。尤其,随着金属外壳和回路部形成环,在通过如外部的露出面积大的金属外壳等导体来瞬间流入具有高电压的静电的情况下,可破损IC等回路部,因此需要解决这种问题的对策。
另一方面,这种便携式电子装置通常使用充电器来对电池进行充电。这种充电器利用直流电(DC)电源对外部的交流电(AC)电源进行整流之后,重新通过变压器变换为适合便携式电子装置的低直流电电源。其中,为了强化变压器的电绝缘性,在变压器的两端设置由电容器构成的Y电容(Y-CAP)。
然而,如非正版充电器等Y电容不具有正规特性的情况下,直流电电源无法被Y电容充分切断,尤其,可因交流电电源而发生泄漏电流,且这种泄漏电流可沿着回路的接地部来传播。
这种泄漏电流可向便携式电子装置的外置外壳等人体可接触的导体传递,因此,最终会给使用人员带来麻麻的不愉快的感觉,并且在严重的情况下,使用人员可因触电而受到致命伤。
因此,如利用金属外壳的手机等便携式电子装置需要从上述泄漏电流中保护使用人员的方案。
另一方面,具有上述金属材质的外壳的便携式电子装置正处于随着多功能化,按不同的功能来设置多个天线,其中,至少一部分为内置型天线,配置于便携式电子装置的外置外壳或将金属外壳本身用作天线的趋势。
在此情况下,需要连接天线和便携式电子装置的内部回路,但此时,需要以无衰减的方式向内部回路顺畅地传输通信信号。
然而,如上所述,在为了有效地传输通信信号而增加相应器件的电容的情况下,存在因外部的静电而受到绝缘破坏而使相应器件受损的问题。
进而,如上所述,由于相互相反的效果,很难体现用于阻断基于外部电源的泄漏电流的高击穿电压和用于传输通信信号的高容量电容。因此,需要可以从静电中进行保护,阻断泄漏电流,并体现高电容的方案。
发明内容
本发明考虑如上所述的问题而提出,本发明的目的在于,提供可从基于静电或外部电源的泄漏电流中保护内部回路和/或使用人员,使传输的通信信号的衰减最小化的触电保护器件及具有其的便携式电子装置。
为了解决上述问题,本发明提供配置于电子装置的人体可接触的导体和内置回路部之间的触电保护器件,上述触电保护器件包括:烧体,层叠有多个薄片层;触电保护部,包括至少一对内部电极及空隙,上述至少一对内部电极以隔开规定间隔的方式配置于上述烧体的内部,上述空隙形成于上述内部电极之间;以及至少一个电容层,使得从上述导体流入的通信信号通过,当从上述导体流入静电时,不受绝缘破坏而使上述静电通过,阻断从上述回路部的接地部流入的外部电源的泄漏电流,并满足以下公式,使得从上述导体流入的通信信号通过:
Vbr>Vin,
其中,Vbr为上述触电保护部的击穿电压,
Vin为上述电子装置的外部电源的额定电压。
并且,上述额定电压可以为各个国家的标准额定电压。
并且,Vcp>Vbr,其中,Vcp可以为上述电容层的绝缘击穿电压。
并且,上述通信信号可具有无线通信频带。
并且,上述电容层可以以电连接的方式与上述触电保护部并联。
并且,上述电容层和上述触电保护部之间的间隔可大于上述触电保护部的上述一对内部电极之间的间隔。
并且,上述电容层和上述触电保护部之间的间隔可以为15~100μm。
并且,上述电容层的电容器电极的厚度可以为2~10μm。
并且,上述电容层的电容器电极之间的间隔可以为15~100μm。
并且,上述烧体可包括具有电容率的绝缘体。
并且,上述多个薄片层中的至少一部分可包括第一陶瓷材料,剩余薄片层可包括第二陶瓷材料,上述第一陶瓷材料及上述第二陶瓷材料为不同种类的陶瓷材料。
并且,上述陶瓷材料可以为金属类氧化化合物,上述金属类氧化化合物可包含选自Er2O3、Dy2O3、Ho2O3、V2O5、CoO、MoO3、SnO2、BaTiO3及Nd2O3中的一种以上。
并且,上述陶瓷材料可以为低温共烧陶瓷(LTCC,low-temperature co-firedceramic)或高温共烧陶瓷(HTCC,high temperature co-fired(alumina)ceramic)。
并且,上述陶瓷材料可以为铁氧体。
并且,上述一对内部电极可配置于同一平面上。
并且,上述空隙的宽度可大于等于上述一对内部电极之间的间隔,上述空隙的高度可大于等于上述一对内部电极的厚度。
并且,上述空隙可以以上述内部电极为中心向垂直或水平方向配置。
并且,可在上述一对内部电极之间设有多个上述空隙。
并且,可在上述空隙的内壁形成有沿着高度方向以规定厚度涂敷的放电物质层。
并且,上述放电物质层可由包含金属粒子的非导电性物质或半导体物质组成。
并且,上述放电物质层可包括:第一部分,沿着上述空隙的内壁涂敷;第二部分,从上述第一部分的上端向外侧延伸;以及第三部分,从上述第一部分的下端向外侧延伸,上述第二部分与上述一对内部电极中的一个内部电极相接触,上述第三部分与上述一对内部电极中的另一个内部电极相接触。
并且,上述内部电极可包含Ag、Au、Pt、Pd、Ni及Cu中的一种以上的成分。
并且,上述内部电极可呈多边形、圆形、椭圆形、螺旋形或由它们组合而成的形态。
并且,上述内部电极的间隔可以为10~100μm。
并且,上述内部电极的厚度可以为2~10μm。
并且,上述空隙的体积可占上述触电保护器件的总体积的1-15%。
并且,基于上述内部电极的静电的放电起始电压可以为1~15kV。
另一方面,本发明提供触电保护器件,上述触电保护器件包括:烧体,层叠有多个薄片层;触电保护部,包括至少一对内部电极及空隙,上述至少一对内部电极以隔开规定间隔的方式配置于上述烧体的内部,上述空隙形成于上述内部电极之间;以及至少一个电容层,配置于上述触电保护部的至少一侧。其中,当从上述导体流入静电时,上述触电保护器件不受绝缘破坏而使上述静电通过,阻断从上述回路部的接地部流入的外部电源的泄漏电流,并满足以下公式,使得从上述导体流入的通信信号通过:
Vbr>Vin,
其中,Vbr为上述触电保护部的击穿电压,
Vin为上述电子装置的外部电源的额定电压,
上述电容层和上述触电保护部之间的间隔可大于上述触电保护部的上述一对内部电极之间的间隔或上述电容层的电容器电极之间的间隔,上述一对内部电极以相向的方式配置,上述一对内部电极以相向的方式重叠的宽度小于上述电容器电极所重叠宽度,上述一对内部电极的厚度小于上述电容器电极的厚度,上述烧体包含Ti、Zn、Ce、Nd及Bi中的至少一种,涂敷于上述空隙的放电物质层包含Ti、Ni、Zn、Co、Tc、Zr、La、Nd及Pt中的至少一种。
另一方面,本发明提供具有触电保护功能的便携式电子装置,上述具有触电保护功能的便携式电子装置包括:人体可接触的导体;回路部;以及触电保护器件,配置于上述导体和上述回路部之间。其中,上述触电保护器件可包括:烧体,层叠有多个薄片层;触电保护部,包括至少一对内部电极及空隙,上述至少一对内部电极以隔开规定间隔的方式配置于上述烧体的内部,上述空隙形成于上述内部电极之间;以及至少一个电容层,使得从上述导体流入的通信信号通过,当从上述导体流入静电时,不受绝缘破坏而使上述静电通过,阻断从上述回路部的接地部流入的外部电源的泄漏电流,并满足以下公式,使得从上述导体流入的通信信号通过:
Vbr>Vin,Vcp>Vbr,
其中,Vbr为上述触电保护部的击穿电压,
Vin为上述电子装置的外部电源的额定电压,
Vcp为电容层的绝缘击穿电压。
并且,上述导体可包括用于使上述电子装置和外部设备进行通信的天线、金属外壳及导电性装饰物中的至少一个。
并且,上述金属外壳可以以包围上述电子装置的外壳的一部分侧部或包围上述电子装置的整个外壳的方式设置。
并且,上述金属外壳可以以包围摄像头的方式设置,上述摄像头以向外部露出的方式设置于上述电子装置的外壳的前部面或后部面。
根据本发明一实施例的触电保护器件及具有其的便携式电子装置由于在如金属外壳之类的导体向外部露出的便携式电子装置中设有连接导体和回路部的触电保护器件,因而具有可从基于外部电源的泄漏电流及静电中保护使用人员及内部回路,并体现高的电容来将通信信号的衰减最小化并传输的优点。
附图说明
图1为表示本发明一实施例的触电保护器件的整体立体图。
图2为表示图1的多个薄片层的层叠关系的分离立体图。
图3为图1的纵向剖视图。
图4a至图4e为表示本发明一实施例的触电保护器件的适用例的示意图。
图5a至图5c为用于说明本发明一实施例的触电保护器件的泄漏电流(图5a)、静电(ESD,Electro-Static Discharge)(图5b)及通信信号(图5c)的工作的简要等效电路图。
图6a及图6b为表示电容的通过频带的模拟实验结果的图表。
图7a至图7e为表示本发明一实施例的触电保护器件中的内部电极的多种形态的图。
图8a至图8d为表示本发明一实施例的触电保护器件中的触电保护部和电容层的多种配置关系的纵向剖视图。
图9a至图9g为表示本发明一实施例的触电保护器件中的第一陶瓷材料及第二陶瓷材料的多种配置关系的纵向剖视图。
图10为表示本发明一实施例的触电保护器件中的触电保护部的另一例的纵向剖视图。
图11a至图11d为表示本发明一实施例的触电保护器件中的空隙的多种形态的纵向剖视图。
图12a至图12d为表示本发明一实施例的触电保护器件的再一例中的触电保护部和电容器的多种配置关系的图。
图13a至图13e为表示本发明一实施例的触电保护器件的再一例中的内部电极的多种形态的图。
图14为表示本发明一实施例的触电保护器件的另一例的纵向剖视图。
图15a至图15c为表示本发明一实施例的触电保护器件的另一例中的空隙的多种形态的图。
附图标记的说明
10:便携式电子装置
12a、12b、12c、12d:导体
14:回路部
100、100'、100"、200、200'、200"、200'":触电保护器件
111、112、121、122、123、124、125、126、127、128:薄片层
111a、112a、114a、114b:内部电极
131、132:外部电极
115:空隙形成部件
115a、115b、115c、155、165:放电物质层
116、164:空隙
154、164:贯通孔
具体实施方式
以下,为了使本发明所属技术领域的普通技术人员容易地实施本发明,参照附图对本发明的实施例进行详细的说明。本发明可体现为多种形态,并不局限于在此说明的实施例。在附图中,为了明确说明本发明而省略与说明无关的部分,在说明书全文中,对相同或类似的结构要素赋予相同的附图标记。
如图1至图3所示,本发明一实施例的触电保护器件100可包括烧体、触电保护部110及电容层120a、120b,上述触电保护部110可以为抑制器。
当从上述导体流入静电时,上述触电保护器件100配置于电子装置的人体可接触的导体和内置回路部之间,从而不受绝缘破坏而使上述静电通过,阻断从上述回路部的接地部流入的外部电源的泄漏电流,使得从上述导体流入的通信信号通过,为此,上述触电保护器件100可满足以下条件:
Vbr>Vin,Vcp>Vbr,
其中,Vbr为上述触电保护器件的击穿电压,
Vin为上述电子装置的外部电源的额定电压,
Vcp为上述电容层的绝缘击穿电压。
其中,上述额定电压可以为各个国家的标准额定电压,例如,可以为240V、110V、220V、120V、及100V中的一个。
此时,上述烧体以构成触电保护部110及电容层120a、120b的方式依次在一面层叠设有电极111a、112a、121a、122a、123a、115a、125a、126a、127a、128a的多个薄片层111、112、113、121、122、123、124、125、126、127、128,而设于各个一面的多个电极在以相向的方式配置后,通过烧结工序或固化工序来形成为一体。
这种烧体210可包括具有电容率的绝缘体。例如,上述绝缘体可包括陶瓷材料、低温共烧陶瓷、高温共烧陶瓷及磁性材料。此时,陶瓷材料可以为金属类氧化物,金属类氧化物可包含选自Er2O3、Dy2O3、Ho2O3、V2O5、CoO、MoO3、SnO2、BaTiO3及Nd2O3的一种以上。
其中,上述内部电极111a、112a可以以隔开规定间隔的方式形成于烧体的内部,并可形成为至少一对。其中,第一内部电极111a及第二内部电极112a可分别与设在烧体的两端的外部电极131、132电连接。
这种内部电极111a、112a可包含Ag、Au、Pt、Pd、Ni及Cu中的一种以上的成分,外部电极131、132可包含Ag、Ni、Sn成分中的一种以上的成分。
此时,这种内部电极111a、112a之间的间隔及相向的面积或相互重叠的长度可满足触电保护器件100的击穿电压(或触发电压)Vbr,上述内部电极111a、112a之间的间隔可以为10~100μm。例如,上述内部电极111a、112a之间的间隔可以为25μm。
其中,若第一内部电极111a和第二内部电极112a之间的间隔低于10μm,则可降低对静电的耐性。并且,若第一内部电极111a和第二内部电极112a之间的间隔大于100μm,则可使放电起始电压(工作电压)增加,无法形成基于静电的顺畅的放电,从而可丧失对静电的保护功能。
此时,第一内部电极111a和第二内部电极112a的厚度可以为2~10μm。其中,若第一内部电极111a和第二内部电极112a的厚度低于2μm,则无法执行作为内部电极的作用,若第一内部电极111a和第二内部电极112a的厚度大于10μm,则无法确保内部电极之间的距离,且增加触电保护器件100的体积,从而对小型化产生不良影响。
根据上述结构,基于上述内部电极111a、112a的静电的放电起始电压(工作电压)可以为1~15kV。其中,若触电保护器件100的放电起始电压为1kV以下,则很难确保对静电的耐性,若触电保护器件100的放电起始电压为15kV以上,则无法使静电通过,因此,触电保护器件100自身可因静电而受损。
另一方面,相互对应的一对电极111a、112a之间配置有防护薄片层113,上述防护薄片层113用于从防护静电的过电压中保护回路保护器件及周边回路。
这种防护薄片层113在上述一对内部电极111a、112a之间形成有形成为中空形的至少一个空隙形成部件115。为此,防护薄片层113可在设有空隙形成部件115的位置形成有贯通孔。
具体说明如下,在上述烧体相互层叠有第一薄片层111和第二薄片层112,上述第一薄片层111在上部面设有第一内部电极111a,上述第二薄片层112在下部面设有第二内部电极112a,在上述第一薄片层111及第二薄片层112的之间配置有防护薄片层113。
即,以使上述第一内部电极111a及第二内部电极112a相向的方式依次层叠第一薄片层111、防护薄片层113及第二薄片层112。
以此,上述第一内部电极111a及第二内部电极112a以相向的方式配置后被上述防护薄片层113相互隔开规定间隔,且上述第一内部电极111a及第二内部电极112a的一侧分别与上述空隙形成部件115相接触。
另一方面,如图3所示,配置于上述第一薄片层111和第二薄片层112之间的防护薄片层113贯通地形成有至少一个贯通孔。
其中,上述贯通孔位于以上述防护薄片层113为基准来分别配置于上部和下部的第一内部电极111a及第二内部电极112a相互重叠的区域。
此时,可在上述贯通孔设有空隙形成部件115。这种空隙形成部件115可配置于内部电极111a、112a之间,并在内壁包括沿着高度方向以规定厚度涂敷的放电物质层115a、115b、115c。
相对应地,在不单独设置空隙形成部件115的情况下,放电物质层可在上述贯通孔的内壁沿着高度方向以规定厚度涂敷。
其中,上述空隙形成部件115或涂敷于上述空隙形成部件115的放电物质层的上部端和下部端分别与上述第二内部电极112a和上述第一内部电极111a相接触。
通过这种空隙形成部件115,可在一对内部电极111a、112a之间形成有空隙126。通过这种空隙126来从外部流入的静电可在内部电极111a、112a之间进行放电。此时,可使内部电极111a、112a之间的电阻变低,可将触电保护器件100的两端的电压差减少至规定值以下。因此,触电保护器件100可以不受破坏而使静电通过。
其中,构成上述放电物质层115a、115b、115c的放电物质层需要电容率低、无导电率,且在施加过电压时,不能有短路(short)。
为此,上述放电物质层可由至少包含一种金属粒子的非导电性物质组成,也可由包含SiC或硅类成分的半导体物质组成。并且,也可按规定的比率混合选自SiC、碳、石墨及ZnO中的一种以上材料和选自Ag、Pd、Pt、Au、Cu、Ni、W及Mo中的一种以上的材料来组成上述放电物质层。
作为一例,在上述第一内部电极111a及第二内部电极112a包含Ag成分的情况下,上述放电物质层可包含SiC-ZnO类成分。碳化硅(SiC,Silicon carbide)成分具有优秀的热稳定性,在氧化环境下也具有优秀的稳定性,并具有规定的导电性和导热性,具有低的电容率。
并且,ZnO成分具有优秀的非线性阻抗特性及放电特性。
当分别单独使用SiC和ZnO时,两者均有导电性,但若混合两者并进行烧结,则SiC粒子的表面与ZnO相结合,从而形成绝缘层。
这种绝缘层使SiC完全发生反应来在SiC粒子的表面形成SiC-ZnO反应层。以此,上述绝缘层可阻断Ag通过,来向放电物质赋予更高一层的绝缘性,并提高对于静电的耐性,从而解决在电子部件安装触电保护器件100时发生的直流电短路现象。
其中,作为上述放电物质的一例,虽然以包含SiC-ZnO类的成分的方式进行了说明,但不局限于此,可使用包含与构成上述第一内部电极111a及第二内部电极112a的成分相匹配的半导体物质或金属粒子的分导电性物质作为上述放电物质层。
此时,涂敷于上述空隙形成部件115的内壁的上述放电物质层115a、115b、115c可包括:第一部分115a,沿着空隙形成部件115的内壁涂敷;第二部分115b,从上述第一部分115a的上端沿着上述防护薄片层113的上部面以与第一内部电极111a相向地进行接触的方式延伸;以及第三部分115c,从上述第一部分115a的下端沿着上述防护薄片层113的下部面以与第二内部电极112a相向地进行接触的方式延伸。
以此,上述放电物质层115a、115b、115c不仅形成于上述空隙形成部件115的内壁,而且上述第二部分115b及第三部分115c以分别从上述空隙形成部件115的上部端和下部端延伸的方式形成,从而可扩大与上述第一内部电极111a及第二内部电极112a的接触面积。
根据这种结构,随着构成上述放电物质层115a、115b、115c的成分的一部分通过静电火花来实现气化,因此,即使放电物质层115a、115b、115c的一部分受损,上述放电物质层115a、115b、115c也可以行驶自身的功能,从而可提高对静电的耐性。
另一方面,可在上述防护薄片层113设有多个空隙形成部件115。像这样,若上述空隙形成部件115的数量增加,则静电的放电路径也增加,从而可提高对静电的耐性。
需要先明确的是,配置于上述第一薄片层111及第二薄片层112之间的防护薄片层113可以与上述第一薄片层111及第二薄片层112具有相同面积,但也可以包括相互对应的第一内部电极111a及第二内部电极112a重叠的面积,并具有上述第一薄片层111及第二薄片层112更小的面积。
上述电容层120a、120b使得从天线之类的导体12流入的通信信号无衰减地通过,上述电容层120a、120b可以以电连接的方式与触电保护部110并联。例如,电容层120a、120b可只配置于触电保护部110的上部及下部中的至少一个或一同配置于上部和下部。
其中,可在各个电容层120a、120b分别层叠有多个薄片层。此时,构成电容层120a、120b的多个薄片层可包括具有电容率的绝缘体,优选地,可由陶瓷材料组成。
例如,陶瓷材料可包含金属类氧化化合物,上述金属类氧化化合物包含选自Er2O3、Dy2O3、Ho2O3、V2O5、CoO、MoO3、SnO2、BaTiO3及Nd2O3中的一种以上的金属类氧化化合物,或者包含铁氧体,并且,可使用低温共烧陶瓷或高温共烧陶瓷等。并且,上述陶瓷材料可使用ZnO类的压敏电阻材料或Pr类材料及Bi类材料等,而作为金属类氧化化合物来提及的Er2O3、Dy2O3、Ho2O3、V2O5、CoO、MoO3、SnO2、BaTiO3及Nd2O3仅为一例,也可使用未提及的其他种类的金属类氧化化合物。
另一方面,上述电容层120a、120b的电容器电极可包含选自Ag、Au、Pt、Pd、Ni及Cu中的一种以上的成分。
此时,构成上述电容层120a、120b的多个电容器电极可使相向一对电容器电极的间隔d1具有15~100μm的范围,例如,可具有20μm的间隔(参照图11)。
其中,若上述电容器电极之间的间隔小于15μm,则很难确保使无线通信频带的通信信号无衰减地通过的充分的电容,若上述电容器电极之间的间隔大于100μm,则很难确保电容器电极之间的距离,使得包括电容器电极的薄片层的层叠数受限,从而很难体现高容量的电容器。
此时,构成上述电容层120a、120b的各个电容器电极的厚度可以为相向的一对电容器电极之间的间隔的1/10~1/2。
例如,在相向的一对电容器电极间的间隔为20μm的情况下,上述电容器电极的厚度可在2~10μm的范围。其中,若电容器间隔的厚度小于2μm,则无法执行作为电容器的作用,若电容器间隔的厚度大于10μm,则电容器电极的厚度变厚,无法在固定的大小中确保于构成电容层的电容器电极之间的距离,导致包括电容器电极的薄片层的层叠数量受限,从而很难体现高容量的电容器。
另一方面,在上述电容器电极的两端部中未与外部电极相连接的自由端部和上述外部电极131、132间的最短距离d2至少为15μm,且并可以具有15~100μm范围的距离(参照图11)。
像这样,触电保护器件100具有电容层120a、120b,从而可使静电通过,阻断外部电源的泄漏电流,并可容易地提供适合使用目的的通信频带的电容。即,以往,通过上述电容层115a、115b对静电一同使用用于保护内部回路的抑制器、压敏电阻或齐纳二极管及用于提高射频(Rf)接收灵敏度的额外部件,而与这种现有技术不同,本发明具有可通过一个触电保护器件100来提高对静电的保护,并且可提高射频接收灵敏度的优点。
如图4a所示,上述触电保护器件100可以在便携式电子装置10中配置于外置金属外壳之类的导体12和回路部14之间。
其中,上述便携式电子装置10可以为可携带并可容易搬运的便携式电子装置的形态。作为一例,上述便携式电子装置可以为智能手机、蜂窝式电话等便携终端,可以为智能手表、数码摄像头、数字多媒体广播(DMB)、电子书、上网本、平板电脑及便携式电脑等。这种电子装置可具有包括用于与外部设备进行通信的天线结构的任意适当的电子器件。并且,可以为使用如无线网及蓝牙等近距离网络通信的设备。
这种便携式电子装置10可包括外壳,上述外壳由金属(铝、不锈钢等)之类的导电性材料或碳纤维合成材料或其他纤维类合成物、玻璃、陶瓷、塑料及由它们组合而成的材料组成。
此时,便携式电子装置10的外壳可包括由金属形成并向外部露出的导体12。其中,上述导体12可包括用于与电子装置和外部设备进行通信的天线、金属外壳及导电性装饰物中的一个。
尤其,上述金属外壳可以以包围上述便携式电子装置10的外壳的一部分侧部或包围上述电子装置的整个外壳的方式设置。并且,上述金属外壳可以以包围摄像头的方式设置,上述摄像头以向外部露出的方式设置于上述电子装置的外壳的前部面或后部面。
像这样,触电保护器件100可以为了从泄漏电流及静电中保护内部的回路而配置于便携式电子装置10的人体可接触的导体12和回路部14之间。
这种触电保护器件100可以与设在上述便携式电子装置10的外壳的金属外壳的数量相匹配地适当设置。只是,在设有多个上述金属外壳的情况下,各个金属外壳12a、12b、12c、12d均可以以与触电保护器件100单独连接的方式内置于上述便携式电子装置10的外壳。
即,如图4a所示,在包围上述便携式电子装置10的外壳的侧部的金属外壳之类的导体12分为三个部分的情况下,各个导体12a、12b、12c、12d均与触电保护器件100相连接,从而可从泄漏电流及静电中保护上述便携式电子装置10的内部的回路。
此时,在上述触电保护器件100设有多个金属外壳12a、12b、12c、12d的情况下,可以以与上述金属外壳12a、12b、12c、12d的相应区域相匹配的方式进行多样设置。
作为一例,在上述便携式电子装置10的外壳设有向外部露出的摄像头的情况下,若在包围上述摄像头的导体12d适用上述触电保护器件100,则上述触电保护器件100可以被设置成阻断泄漏电流并从静电中保护内部回路的形态。
并且,在上述金属外壳12b执行地面作用的情况下,上述触电保护器件100可以设置成与上述金属外壳12b相连接来阻断泄漏电流,并从固定电流中保护内部回路的形态。
另一方面,如图4b所示,触电保护器件100可配置于金属外壳12’和回路基板14’之间。此时,触电保护器件100用于使静电以无自身破损的方式通过的器件,因此,回路基板14’可具有用于向接地部旁通静电的额外的保护器件16。其中,保护器件16可以为抑制器或压敏电阻。
如图4c所示,触电保护器件100可通过匹配回路(例如,R及L成分)来配置于金属外壳12'和前端模块(FFM,front End Module)14a之间。其中,金属外壳12'可以为天线。此时,触电保护器件100一边使通信信号无衰减地通过,一边使金属外壳12'的静电通过,并通过匹配回路来阻断从接地部流入的泄漏电流。
如图4d所示,触电保护器件100可配置于设有天线的金属外壳12'和通过相应天线来体现通信功能的集成电路(IC)14c之间。其中,相应通信功能可以为近距离无线(NFC)通信。此时,触电保护器件100由于使静电以无自身破损的方式通过,因此,可设有用于向接地部旁通静电的额外的保护器件16。其中,保护器件16可以为抑制器或压敏电阻。
如图4e所示,触电保护器件100可配置于平面倒F天线(PIFA,Planar Inverted FAntenna)20的短销(short pin)22和匹配回路之间。此时,触电保护器件100一边使通信信号无衰减地通过,一边使金属外壳12'的静电通过,并通过匹配回路来阻断从接地部流入的泄漏电流。
如图5a至5c所示,这种触电保护器件100可根据基于外部电源的泄漏电流、从导体12流入的静电来具有不同的功能。
即,如图5a所示,回路部14的回路基板,例如,外部电源的泄漏电流通过接地部向导体12流入的情况下,触电保护器件100可以因其击穿电压Vbr大于泄漏电流的过电压而维持开启状态。即,触电保护器件100由于其击穿电压Vbr大于便携式电子装置的外部电源的额定电压,因此不进行导电而维持开启状态,从而可以阻断泄漏电流向金属外壳等人体可接触的导体12传递。
此时,设于触电保护器件100内的电容层120a、120b可阻断泄漏电流所包含的直流电成分,泄漏电流具有低于无线通信频带的频率,因此,对相应频率产生大的阻抗,从而可阻断泄漏电流。
结果,触电保护器件100可阻断从回路部14的接地部流入的外部电源的泄漏电流,从而可以防止使用人员触电。
并且,如图5b所示,若静电通过导体12从外部流入,则触电保护器件100作为抑制器之类的静电保护器件来行使作用。即,在触电保护器件100为抑制器的情况下,抑制器的工作电压(放电起始电压)小于静电的瞬间电压,因此通过瞬间放电可使静电通过。结果,当从导体12流入静电时,由于电阻变小,因而触电保护器件100自身不受绝缘破坏而使静电通过。
此时,设于触电保护器件100内的电容层120a、120b的绝缘击穿电压Vcp大于触电保护部110的击穿电压Vbr,因此,静电不向电容层120a、120b流入,而仅向触电保护部110通过。
其中,回路部14可具有用于向接地部旁通静电的额外的保护器件。结果,触电保护器件100可以不会因从导体12流入的静电而受绝缘破坏而使静电通过,来保护后端的内部回路。
并且,如图5c所示,在通信信号通过导体12流入的情况下,触电保护器件100行使着电容器的功能。即,触电保护器件100可由触电保护部110维持开启状态来阻断导体12和回路部14,但可由内部的电容层120a、120b使所流入的通信信号通过。像这样,触电保护器件100的电容层120a、120b可提供通信信号的流入路径。
其中,优选地,上述电容层120a、120b的电容以使主要无线通信频带的通信信号无衰减地通过的方式设定。如图6a及图6b所示,根据模拟分析电容的通过频带的结果,实际上针对5pF以上的电容,移动无线通信频带(700MHz至2.6GHz)几乎没有损失地传输,从而引起电短路现象。
然而,如图6b所示,若观察细微的影响,可知在大约30pF以上的电容中进行通信时,几乎不会受到接收灵敏度的影响,因此,优选地,上述电容层的电容在移动无线通信频带中应使用30pF以上的高电容。
结果,触电保护器件100可借助内部的电容层120a、120b的高的电容来使从导体12流入的通信信号无衰减地通过。
以下,参照图7至图12,对本发明实施例的触电保护器件的多种实例进行更详细的说明。
上述触电保护器件100的在上述烧体中构成内部电极的上述第一内部电极111a及第二内部电极112a可设置成多种形状及图案,上述第一内部电极111a和第二内部电极112a可设置成相同图案,也可设置成不同的图案。
作为一例,如图7a所示,可在具有规定长度的杆形状的第一内部电极111a的两端部侧以一对第二内部电极112a的端部相互重叠的方式设置,也可在内壁涂敷有放电物质层的空隙形成部件115所重叠的区域配置一个。
并且,如图7b所示,上述第一内部电极111a及第二内部电极112a可大致呈“Y”字形状,并以两部分相互重叠的方式设置,也可分别配置于相互重叠的部分中的内壁涂敷有放电物质层的空隙形成部件115挨个重叠的区域。
并且,如图7c所示,上述第一内部电极111a大致以“Y”字形状设有两个,第二内部电极112a以规定长度的杆形状设有两个,从而以四个部分相互重叠的方式配置,且可以分别配置于内壁涂敷有放电物质层的空隙形成部件115相互重叠的四个部分。
并且,如图7d所示,上述第一内部电极111a及第二内部电极112a可设置成规定长度的杆形状,且可以在相互重叠的区域隔开配置有在内壁涂覆有放电物质层的两个空隙形成部件115。
并且,如图7e所示,上述第二内部电极112a可设置成规定长度的一个杆形状,上述第一内部电极111a可设置成规定长度的两个杆形状,因此,以在上述第二内部电极112a的两端部侧重叠一部分的方式配置,可在上述重叠的区域配置分别涂敷有两个放电物质层的空隙形成部件115。
像这样,上述第一内部电极111a及第二内部电极112a可设置成多种形状和图案,当进行层叠时,只要上述第一内部电极111a和第二内部电极112a的一部分以相互重叠的方式配置,就无妨。
作为另一实施例,如图8a至图8d所示,触电保护器件100可以由上述触电保护器件100及上述电容层120a、120b以多种方式层叠。
即,如图8a所示,上述电容层120a可以仅层叠于触电保护部110的上部侧,如图8b所示,也可仅层叠于触电保护部110的下部侧。
并且,可设置多个上述触电保护部110。例如,如图8c所示,可在上述多个触电保护部110之间配置各个电容层120a、120b,如图8d所示,两个电容层120a、120b可以以触电保护部110为基准对称地进行排列,可在上述触电保护部110设有多个空隙形成部件115。
即,本发明的触电保护器件100的多个电容层可以以上述触电保护器件110为基准对称地进行配置,也可以以不对称方式配置,并可在多个电容层之间配置多个触电保护部110。
像这样,用于构成上述触电保护器件100的电容层120a、120b及触电保护部110的数量不受限制,可以根据所需的电容量来设置成多种数量,并且触电保护部110及电容层120a、120b的层叠关系也可发生多种变更。
作为另一实施例,如图9a至图9g所示,触电保护器件100’的形成上述烧体的多个薄片层可由不同陶瓷材料组成。
具体说明如下,构成电容层120a、120b的多个薄片层中的至少一个薄片层可使用第一陶瓷材料A,剩余薄片层可使用第二陶瓷材料B。
此时,第一陶瓷材料及第二陶瓷材料可以为不同种类的陶瓷材料。其中,“不同种类”的含义意味着化学式互不相同或化学式即使相同,物性也不同。
即,第一陶瓷材料及第二陶瓷材料可由包含选自Er2O3、Dy2O3、Ho2O3、V2O5、CoO、MoO3、SnO2、BaTiO3及Nd2O3的一种以上的金属类氧化化合物或铁氧体组成,且可使用低温共烧陶瓷、高温共烧陶瓷等。
并且,第一陶瓷材料可由包含选自Er2O3、Dy2O3、Ho2O3、V2O5、CoO、MoO3、SnO2、BaTiO3及Nd2O3中的一种以上的金属类氧化化合物组成,第二陶瓷材料可由铁氧体组成,第一陶瓷材料可由低温共烧陶瓷组成,第二陶瓷材料可由高温共烧陶瓷组成。
并且,第一陶瓷材料及第二陶瓷材料可由分别选自金属类氧化化合物中的一种组成,上述金属类氧化化合物包含选自Er2O3、Dy2O3、Ho2O3、V2O5、CoO、MoO3、SnO2、BaTiO3及Nd2O3的一种以上,也可由分别选自铁氧体中的一种组成。
即,第一陶瓷材料及第二陶瓷材料可呈在金属类氧化化合物、陶瓷、低温共烧陶瓷及高温共烧陶瓷中相互组合的多种形态,不同种类的陶瓷材料通过烧结或固化来相互接合。
另一方面,在本发明一实施例的触电保护器件100’中由不同种类的陶瓷材料组成的电容层120a、120b可由不同种类的第一陶瓷材料及第二陶瓷材料以触电保护部110为基准来以多种方式配置。
如图9a所示,与触电保护部110的上/下相接合的电容层120a、120b由第一陶瓷材料A组成,位于触电保护器件100’的最上层及最下层的电容层120a、120b可由第二陶瓷材料B组成。
以下,为了便于说明,将第二陶瓷材料定义为不同种类的材料。
图9a至图9g示出第一陶瓷材料和第二陶瓷材料的多种配置关系。未画斜线的部分A意味着薄片由第一陶瓷材料组成,在图中,画斜线的部分B意味着薄片由第二陶瓷材料组成。即,在图9a至图9g中,附图标记A及B代表薄片的材料。
具体地,构成电容层120a、120b的多个薄片层整体可由第一陶瓷材料A或第二陶瓷材料B中的一种组成。
并且,构成电容层120a、120b的多个薄片层中的一部分薄片层由第一陶瓷材料A组成,构成电容层120a、120b的多个薄片层中的剩余薄片层可由不同种类的第二陶瓷材料B组成。
另一方面,如图9b所示,可在上述触电保护部110及电容层120a、120b之间配置有至少一个中间薄片层141、142,上述中间薄片层141、142可由与上述电容层120a、120b相同的第二陶瓷材料B组成。其中,上述中间薄片层141、142可由额外的薄片层设置,但配置于上述电容层120a、120b的最下层或最上层的薄片层的厚度相对大于其他薄片层。
并且,如图9c所示,上述电容层120a、120b可由作为不同种类的陶瓷材料的第一陶瓷材料A组成,上述防护薄片层119可由第二陶瓷材料B组成。
此时,如图9d所示,可在上述触电保护部110及电容层120a、120b之间配置有至少一个中间薄片层141、142,上述中间薄片层141、142可由与上述防护薄片层119相同的第二陶瓷材料B组成。其中,上述中间薄片层141、142可由额外的薄片层设置,但配置于上述电容层120a、120b的最下层或最上层的薄片层的厚度相对大于其他薄片层。
如图9e及图9f所示,构成上述电容层120a、120b的多个薄片层中的一部分薄片层由不同材料的第一陶瓷材料A组成,构成上述电容层120a、120b的多个薄片层中剩余薄片层和防护薄片层119也可由第二陶瓷材料B组成。
并且,如图9g所示,上述触电保护部110及电容层120a、120b可由第二陶瓷材料B组成,可在上述触电保护部110及电容层120a、120b配置有由不同材料的第一陶瓷材料A组成的至少一个中间薄片层141、142。
像这样,本发明一实施例的触电保护器件100’分别选择第一陶瓷材料A和第二陶瓷材料B,并在适当的位置配置作为不同种类的陶瓷材料的第一陶瓷材料A,由此以高电容率的材料构成电容层120a、120b,从而不仅可以体现所需的特性,而且可以与所需特性相匹配地自由体现特性变化。
另一方面,如图9c至图9g所示,在构成上述烧体的防护薄片层119可由第二陶瓷材料组成,剩余部分中的一部分或全部由作为不同种类的陶瓷材料的第一陶瓷材料组成的情况下,上述第一陶瓷材料以上述防护薄片层119为基准向上方向、下方向对称地进行配置。
这是因为可考虑作为不同种类的材料的第一陶瓷材料和第二陶瓷材料的接合的各材料的匹配性来谋求均匀的收缩率及结构稳定性。可通过这种结构稳定性来改善触电保护器件的可靠性。
另一方面,附图中虽然示出并说明了作为不同种类的材料的第一陶瓷材料以上述防护薄片层119为基准对称地进行设置,但并不局限于此,可以以上述防护薄片层119为基准以不对称方式配置。
并且,在作为不同种类的材料的第一陶瓷材料部分使用于上述电容层120a、120b的情况下,可谋求以如压敏电阻原料等的耐性为主的产品及容量的细分化。
其中,根据所需的特性及容量,相对于上述烧体的总厚度,作为不同材料的上述第一陶瓷材料可以使用适当的厚度。
作为另一实施例,如图10所示,上述触电保护器件可以不使用额外的空隙形成部件而在内部电极111a、111b之间配置放电物质层145。
即,这种触电保护部110使一对内部电极111a、111b中的至少一部分以相互重叠的方式配置于防护薄片层112的上部、下部,并在上述一对内部电极111a、111b之间配置有放电物质层145。其中,上述一对内部电极111a、111b可直接设于上述防护薄片层112的上部面、下部面,但也可设于层叠在上述防护薄片层112的上部、下部的薄片。
例如,如图10所示,上述一对内部电极111a、111b以一部分相互重叠的方式配置,且在第一内部电极111a和第二内部电极111b所重叠的空隙之间配置有内部被填满的放电物质层145。
具体地,第一内部电极111a和第二内部电极111b通过上述防护薄片层112来向上、下隔开规定间隔,第一内部电极111a和第二内部电极111b的一部分为相互具有间隔来重叠配置的形状,并且在上述第一内部电极111a及第二内部电极111b相互重叠的区域配置有放电物质层155。
作为另一实施例,如图11a至图11d所示,触电保护器件100"可以不使用额外的空隙形成部件而在内部电极111a、112a之间形成有空隙154。此时,可在空隙154的侧壁设有放电物质层155。
即,触电保护器件100"可在相向的一对内部电极111a、112a之间配置有防护薄片层113,且可构成为具有贯通上述防护薄片层113的至少一个贯通孔154的形态。其中,上述贯通孔154以上述防护薄片层113为基准,位于分别配置于上部、下部的一对内部电极111a、112a相互重叠的区域。
具体说明如下,如图11a所示,触电保护器件100"由第一薄片层111和第二薄片层112相互层叠,上述第一薄片层111在下部面设有第一内部电极111a,上述第二薄片层112在上部面设有第二内部电极112a,且在上述第一薄片层111及第二薄片层112之间配置具有至少一个贯通孔154的防护薄片层113。
以使上述第一内部电极111a及第二内部电极112a相向的方式依次层叠第一薄片层111、防护薄片层113及第二薄片层112。
由此,上述第一内部电极111a及第二内部电极112a在以相向的方式进行配置后,通过上述防护薄片层113来相互隔开规定间隔,且在相向的重叠区域配置有上述贯通孔154。
此时,配置于上述第一内部电极111a及第二内部电极112a的重叠区域的贯通孔154可具有多种形态。
另一方面,如图11a所示,在上述一对外部电极131、132以覆盖上述烧体的上部面和下部面的一部分的方式具有从上部端和下部端向水平方向延伸的大致“匚”字形状的剖面的情况下,可设于多个薄片层中的最上层及最下层的内部电极和外部电极中与向水平方向延伸的部分间的间隔d3的距离至少为15μm,并可以在15~100μm的范围。
此时,如图11b所示,触电保护器件100"的触电保护部110和电容层120a、120b可以由互不相同的电极间隔及电极宽度构成。
即,相向配置的一对内部电极111a、112a之间的间隔d4可以与电容器电极121a、122a、123a、124a、125a、126a、127a、128a之间的间隔d1相同。
此时,触电保护部110和电容层120a、120b之间的间隔d5可大于一对内部电极111a、112a之间的间隔d4。
即,优选地,以防止沿着上述一对内部电极111a、112a流动的静电或泄漏电流向相邻电容器电极泄漏的方式与内部电极111a、112a确保充分的间隔。此时,上述电容层120a、120b和上述触电保护部110之间的距离可以为15~100μm,优选地,为上述一对内部电极111a、112a之间的间隔的两倍以上。例如,在上述一对内部电极111a、112a之间的间隔为10μm的情况下,上述电容层120a、120b和上述触电保护部110之间的距离可以为20μm以上。
并且,一对内部电极111a、112a相互重叠的宽度w1小于电容器电极相互重叠的宽度w2。其中,一对内部电极111a、112a的厚度可小于电容器电极的厚度t。
此时,上述烧体可包含Ti、Zn、Ce、Nd及Bi中的至少一种。
另一方面,在形成于一对内部电极111a、112a之间的空隙涂敷放电物质层的情况下,上述放电物质层可包含Ti、Ni、Zn、Co、Tc、Zr、La、Nd及Pt中的至少一种。
另一方面,如图11c所示,上述触电保护部110可具有在贯通孔154的内壁沿着高度方向以规定厚度涂敷的放电物质层155,并且如图11d所示,可填满填充材料156。
上述触电保护器件100"的上述电容层120a、120b可以以上述触电保护部110为中心以多种方式层叠。
即,上述电容层120a、120b由多个薄片层121、122、123、124、125、126层叠而成,如图12a所示,可以仅层叠于上述触电保护部110的上部侧,如图12b所示,也可以仅层叠于上述触电保护部110的下部侧。
并且,如图12c所示,可在互不相同的层设有多个上述触电保护部110,可在上述多个触电保护部110之间配置有各个电容层120a、120b。
并且,如图12d所示,触电保护部110呈在相同薄片层具有多个贯通孔154的形态,也可以由单层的薄片形成的电容层121、125对称地配置于触电保护部110的上部、下部。
上述触电保护器件100"的在上述烧体中构成内部电极的上述第一内部电极111a及第二内部电极112a可设置成多种形状及图案,上述第一内部电极111a和第二内部电极112a可设置成相同图案,也可设置成不同的图案。
作为一例,如图13a所示,一对第一内部电极111a在具有规定长度的杆形状的第二内部电极112a的上部侧以端部相互重叠的方式设置,且可上述贯通孔154在重叠的区域设置一个,如图13b所示,第一内部电极111a及第二内部电极112a大致呈“Y”字形状,从而以两部分相互重叠的方式设置,也可分别于相互重叠的部分中重叠的区域挨个配置上述贯通孔154。
并且,如图13c所示,上述第二内部电极112a以规定长度的杆形状设有两个,第一内部电极111a以大致“Y”字形状设有两个,从而以四个部分相互重叠的方式配置,且上述贯通孔154可以分别配置于相互重叠的四个部分。
并且,如图13d所示,上述第一内部电极111a及第二内部电极112a可设置成规定长度的杆形状,且可以在相互重叠的区域以隔开规定间隔的方式配置有贯通孔154。
并且,如图13e所示,上述第二内部电极112a可设置成规定长度的一个杆形状,上述第一内部电极111a可设置成规定长度的两个杆形状,因此,以一部分重叠于上述第二内部电极112a的两端部侧的方式配置,且可在上述重叠的区域分别配置两个贯通孔154。
像这样,上述第一内部电极111a及第二内部电极112a可设置成多种形状和图案,当进行层叠时,只要上述第一内部电极111a和第二内部电极112a的一部分以相互重叠的方式配置,就无妨。
作为另一实施例,如图14所示,触电保护器件200可包括隔开规定间隔并向水平方向配置的一对内部电极114a、114b。即,内部电极114a、114b以形成空隙的方式相互隔开配置于至少一对薄片层111、112的内部。优选地,上述一对内部电极114a、114b在同一平面上以相平行的方向隔开规定间隔。
其中,可在上述一对内部电极114a、114b之间形成有空隙164。其中,空隙164的高度可以高于一对内部电极114a、114b的高度,空隙164的宽度可以大于一对内部电极114a、114b的间隔。像这样,若空隙164的体积扩张,则当借助静电进行放电时,即使从内部电极114a、114b发生微细的龟裂,也因内部电极114a、114b之间的空间广阔而可减少由龟裂所引起的缺陷的发生率。此时,上述空隙作为在流入静电时通过一对内部电极114a、114b来放电的空间,优选地,以满足对于静电的耐性的方式设置上述空隙的体积。例如,上述空隙的体积可占上述触电保护器件100的总体积的1~15%。其中,若上述空隙的体积与触电保护器件200的总体积之比小于1%,则可在一对内部电极214a、214b之间发生短路,且可降低对静电的耐性。并且,若上述空隙的体积与触电保护器件200的总体积之比大于15%,则可增加触电保护器件200的总体积,降低机械强度,并可在烧结时因变形而发生扭曲或凹陷。
具体说明如下,上述一对内部电极114a、114b以在上述第一薄片层111的上部面形成间隔的方式相互隔开配置。其中,上述一对内部电极114a、114b之间的间隔可以为10~100μm。像这样,一对内部电极114a、114b在上述第一薄片层111的上部面进行图案印刷。
此时,在相对应的一对内部电极114a、114b之间配置有空隙164,上述空隙164用于从防护静电,从过电压中保护回路保护器件及周边回路,阻断泄漏电流。
这种空隙164配置于在同一平面上相互平行排列的上述一对内部电极114a、114b之间,以可填满空气的方式呈中空形,并且在上述空隙164的开放的上部侧层叠有上述第二薄片层112。
可设有多个上述空隙164来沿着上述内部电极114a、114b的宽度方向隔开配置。像这样,若上述空隙164的数量增加,则静电的放电路径增加,从而可提高对静电的耐性。
此时,上述空隙164的高度大于从上述第一薄片层111的上部面至上述内部电极114a、114b的上端部高度。即,本发明一实施例的空隙164的高度具有大于内部电极114a、114b的总高度,从而可使空隙164的总体积扩大。
由此,当静电进行放电时,即使从上述内部电极114a、114b发生微细的龟裂,也可通过具有广阔空间的空隙164来减少由龟裂引起的缺陷的发生率。
此时,上述空隙164可向相互隔开配置的一对内部电极114a、114b的上部面或下部面上延伸。
并且,上述空隙164的宽度可以与一对内部电极114a、114b的宽度相同,此时,上述空隙164的厚度可大于一对内部电极114a、114b的厚度。
在空隙材料在上述一对内部电极114a、114b之间进行图案印刷空隙材后,这种空隙164借助烧结过程中施加的热量来去除上述空隙材料来形成。其中,上述空隙材料为了在层叠第一薄片层111及第二薄片层112后形成烧体而在压缩过程中防止上述空隙164因压力而发生变形或破损的现象。
为此,上述空隙材料包含可以被高热分解的材质,从而可在层叠有多个薄片层后,在烧结的过程中被去除。作为一例,上述空隙材料可包含在200~2000℃之间的温度范围被分解的材质。
此时,上述一对内部电极114a、114b可设置成多种形状及图案,且可具有相同的图案,还可以设置成互不相同的图案。
例如,相向配置的内部电极114a、114b可呈多边形、圆形、椭圆形、螺旋形及由它们组合而成的多种形状及图案。并且,相向的内部电极可以为相同的图案及形状,也可以为不同的图案及形状。
例如,上述一对内部电极114a、114b可以为具有矩形剖面的杆形状,端部可以为具有矩形边角的大致“Y”字形状。
并且,上述一对内部电极114a、114b可以为端部具有弧形状的杆形状,且可以为端部具有弧形状的大致“Y”形状。
然而,上述电极的剖面并不局限于此,且可具有由上述四个形态相互组合的形态,相向的端部也可呈圆形、多边形、波形及由它们组合而成的形态。
另一方面,在上述一对内部电极114a、114b相向的端部之间形成有隔开规定间隔的间隔,在上述间隔的中心及其附近设有上述空隙164。此时,在上述空隙164的内壁形成有沿着上述内部电极114a、114b的高度方向以规定厚度涂敷的放电物质层。此时,需要先明确的是,上述放电物质层可以仅设在上述空隙164的内壁,但以盖住上述空隙164开放的上部的方式涂敷。即,上述放电物质层不仅可以连接上述空隙164的内壁来延伸,而且也可以连接上述空隙164开放的上部端来延伸。
另一方面,构成上述烧体的第一薄片层111及第二薄片层112可在第一薄片层111的上部直接层叠第二薄片层112,但也可层叠与形成于上述第一薄片层111的上部面的一对内部电极114a、114b及空隙164的高度相对应的额外的缓冲层。这种缓冲层执行消除与内部电极114a、114b的高度及空隙164的高度相对应的高度偏差的作用。
作为另一实施例,如图15a至图15c所示,上述触电保护器件200'、200"、200"'可以以在上述防护薄片层211的相同面上由一对内部电极211a、211b形成间隔的方式隔开配置,在上述一对内部电极之间形成的空隙可以构成为具有贯通孔164的形态。
即,上述贯通孔164配置于在同一平面上相互平行配置的一对内部电极211a、211b之间,并以填满空气的方式设置为中空形状。
另一方面,在构成上述触电保护部210的第一内部电极211a及第二内部电极211b以隔开规定间隔的方式配置于防护薄片层211的相同面上的情况下,上述第一内部电极211a及第二内部电极211b可以被设置成多种形状和图案。
即,如图15b所示,可在触电保护器件200"设有放电物质层165,上述放电物质层165用于使上述触电保护部210沿着贯通孔164的内壁的高度方向以规定厚度涂敷。
并且,如图15c所示,触电保护器件200"'可在上述触电保护部210的贯通孔164填满填充材料166。
根据这种结构,上述触电保护器件可以以多种方式提供适合与所要使用的目的相对应的无线通信频带的通信信号的电容。
以上,虽然对本发明一实施例进行了说明,但本发明的思想并不局限于本说明书所公开的实施例,理解本发明思想的本发明所属技术领域的普通技术人员可在相同的思想范围内,通过结构要素的附加、变更、删除、追加等来容易地提出其他实施例,而这些属于本发明的思想范围内。

Claims (30)

1.一种触电保护器件,用于串联连接在电子装置的人体能够接触的导体和内置回路部之间,上述触电保护器件的特征在于,
包括:
烧体,层叠有多个薄片层;
触电保护部,包括至少一对内部电极及空隙,上述至少一对内部电极以隔开规定间隔的方式配置于上述烧体的内部,上述空隙形成于上述内部电极之间;
至少一个电容层,使得从上述导体流入的通信信号通过;以及
一对外部电极,连接到上述触电保护部和上述至少一个电容层,其中,上述一对外部电极中的一个外部电极连接到上述导体,上述一对外部电极中的另一个外部电极连接到上述回路部;
在上述空隙的内壁形成有沿着高度方向以规定厚度涂敷的放电物质层,
上述放电物质层包括:
第一部分,沿着上述空隙的内壁涂敷;
第二部分,从上述第一部分的上端向外侧延伸;以及
第三部分,从上述第一部分的下端向外侧延伸,
上述第二部分与上述一对内部电极中的一个内部电极相接触,上述第三部分与上述一对内部电极中的另一个内部电极相接触,
当从上述导体流入静电时,不受绝缘破坏而使上述静电通过,阻断从上述回路部的接地部流入的外部电源的泄漏电流,并满足以下公式,使得从上述导体流入的通信信号通过:
Vbr>Vin,
其中,Vbr为上述触电保护部的击穿电压,
Vin为上述电子装置的外部电源的额定电压。
2.根据权利要求1所述的触电保护器件,其特征在于,上述额定电压为各个国家的标准额定电压。
3.根据权利要求1所述的触电保护器件,其特征在于,Vcp>Vbr,其中,Vcp为上述电容层的绝缘击穿电压。
4.根据权利要求1所述的触电保护器件,其特征在于,上述通信信号具有无线通信频带。
5.根据权利要求1所述的触电保护器件,其特征在于,上述电容层以电连接的方式与上述触电保护部并联。
6.根据权利要求1所述的触电保护器件,其特征在于,上述电容层和上述触电保护部之间的间隔大于上述触电保护部的上述一对内部电极之间的间隔。
7.根据权利要求6所述的触电保护器件,其特征在于,上述电容层和上述触电保护部之间的间隔为15~100μm。
8.根据权利要求1所述的触电保护器件,其特征在于,上述电容层的电容器电极的厚度为2~10μm。
9.根据权利要求1所述的触电保护器件,其特征在于,上述电容层的电容器电极之间的间隔为15~100μm。
10.根据权利要求1所述的触电保护器件,其特征在于,上述烧体包括具有电容率的绝缘体。
11.根据权利要求1所述的触电保护器件,其特征在于,上述多个薄片层中的至少一部分包括第一陶瓷材料,剩余薄片层包括第二陶瓷材料,上述第一陶瓷材料及上述第二陶瓷材料为不同种类的陶瓷材料。
12.根据权利要求11所述的触电保护器件,其特征在于,上述陶瓷材料为金属类氧化化合物,上述金属类氧化化合物包含选自Er2O3、Dy2O3、Ho2O3、V2O5、CoO、MoO3、SnO2、BaTiO3及Nd2O3中的一种以上。
13.根据权利要求11所述的触电保护器件,其特征在于,上述陶瓷材料为低温共烧陶瓷或高温共烧陶瓷。
14.根据权利要求11所述的触电保护器件,其特征在于,上述陶瓷材料为铁氧体。
15.根据权利要求1所述的触电保护器件,其特征在于,上述一对内部电极配置于同一平面上。
16.根据权利要求1所述的触电保护器件,其特征在于,上述空隙的宽度大于等于上述一对内部电极之间的间隔,上述空隙的高度大于等于上述一对内部电极的厚度。
17.根据权利要求16所述的触电保护器件,其特征在于,上述空隙以上述内部电极为中心向垂直方向或水平方向配置。
18.根据权利要求1所述的触电保护器件,其特征在于,在上述一对内部电极之间形成有多个上述空隙。
19.根据权利要求1所述的触电保护器件,其特征在于,上述放电物质层由包含金属粒子的非导电性物质或半导体物质组成。
20.根据权利要求1所述的触电保护器件,其特征在于,上述内部电极包含Ag、Au、Pt、Pd、Ni及Cu中的一种以上的成分。
21.根据权利要求1所述的触电保护器件,其特征在于,上述内部电极呈多边形、圆形、椭圆形、螺旋形或由它们组合而成的形态。
22.根据权利要求1所述的触电保护器件,其特征在于,上述内部电极的间隔为10~100μm。
23.根据权利要求1所述的触电保护器件,其特征在于,上述内部电极的厚度为2~10μm。
24.根据权利要求1所述的触电保护器件,其特征在于,上述空隙的体积占上述触电保护器件的总体积的1~15%。
25.根据权利要求1所述的触电保护器件,其特征在于,基于上述内部电极的静电的放电起始电压为1~15kV。
26.一种触电保护器件,用于串联连接在电子装置的人体能够接触的导体和内置回路部之间,上述触电保护器件的特征在于,
包括:
烧体,层叠有多个薄片层;
触电保护部,包括至少一对内部电极及空隙,上述至少一对内部电极以隔开规定间隔的方式配置于上述烧体的内部,上述空隙形成于上述内部电极之间;至少一个电容层,使得从上述导体流入的通信信号通过;以及
一对外部电极,连接到上述触电保护部和上述至少一个电容层,其中,上述一对外部电极中的一个外部电极连接到上述导体,上述一对外部电极中的另一个外部电极连接到上述回路部;
当从上述导体流入静电时,不受绝缘破坏而使上述静电通过,阻断从上述回路部的接地部流入的外部电源的泄漏电流,并满足以下公式,使得从上述导体流入的通信信号通过:
Vbr>Vin,
其中,Vbr为上述触电保护部的击穿电压,
Vin为上述电子装置的外部电源的额定电压,
上述电容层和上述触电保护部之间的间隔大于上述触电保护部的上述一对内部电极之间的间隔或上述电容层的电容器电极之间的间隔,
上述一对内部电极以相向的方式配置,上述一对内部电极以相向的方式重叠的宽度小于上述电容器电极所重叠宽度,
上述一对内部电极的厚度小于上述电容器电极的厚度,
上述烧体包含Ti、Zn、Ce、Nd及Bi中的至少一种,
涂敷于上述空隙的放电物质层包含Ti、Ni、Zn、Co、Tc、Zr、La、Nd及Pt中的至少一种。
27.一种具有触电保护功能的便携式电子装置,其特征在于,
包括:
人体能够接触的导体;
回路部;以及
权利要求1至26中任一项所述的触电保护器件,用于串联连接在上述导体和上述回路部之间。
28.根据权利要求27所述的具有触电保护功能的便携式电子装置,其特征在于,上述导体包括用于使上述电子装置和外部设备进行通信的天线、金属外壳及导电性装饰物中的至少一个。
29.根据权利要求28所述的具有触电保护功能的便携式电子装置,其特征在于,上述金属外壳以包围上述电子装置的外壳的一部分侧部或包围上述电子装置的整个外壳的方式设置。
30.根据权利要求28所述的具有触电保护功能的便携式电子装置,其特征在于,上述金属外壳以包围摄像头的方式设置,上述摄像头以向外部露出的方式设置于上述电子装置的外壳的前部面或后部面。
CN201510794419.3A 2014-11-20 2015-11-18 触电保护器件及具有其的便携式电子装置 Active CN105375458B (zh)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2014-0162858 2014-11-20
KR20140162858 2014-11-20
KR10-2015-0069286 2015-05-18
KR20150069286 2015-05-18
KR10-2015-0094273 2015-07-01
KR1020150094273A KR101585619B1 (ko) 2014-11-20 2015-07-01 감전보호소자 및 이를 구비한 휴대용 전자장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105375458A CN105375458A (zh) 2016-03-02
CN105375458B true CN105375458B (zh) 2018-07-31

Family

ID=55173500

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510794419.3A Active CN105375458B (zh) 2014-11-20 2015-11-18 触电保护器件及具有其的便携式电子装置

Country Status (4)

Country Link
US (2) US9703326B2 (zh)
KR (3) KR101585619B1 (zh)
CN (1) CN105375458B (zh)
WO (1) WO2016080625A1 (zh)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101808794B1 (ko) * 2015-05-07 2018-01-18 주식회사 모다이노칩 적층체 소자
KR101808796B1 (ko) * 2016-02-05 2017-12-13 주식회사 모다이노칩 적층형 소자
KR20170135146A (ko) 2016-05-30 2017-12-08 주식회사 모다이노칩 감전 방지 컨택터
KR20170139373A (ko) * 2016-06-09 2017-12-19 조인셋 주식회사 평판형 소자 및 이를 구비한 복합 기능 소자
KR101760877B1 (ko) * 2016-07-27 2017-07-24 주식회사 모다이노칩 복합 소자 및 이를 구비하는 전자기기
KR101789243B1 (ko) * 2016-10-07 2017-11-20 주식회사 모다이노칩 복합 보호 소자 및 이를 구비하는 전자기기
CN109891680B (zh) * 2016-11-04 2021-11-16 阿莫技术有限公司 功能性接触器
KR101828991B1 (ko) * 2016-12-06 2018-03-29 주식회사 모다이노칩 복합 보호 소자 및 이를 구비하는 전자기기
US10504655B2 (en) * 2016-12-22 2019-12-10 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Composite electronic component and board having the same
WO2018124492A1 (ko) * 2016-12-29 2018-07-05 주식회사 모다이노칩 복합 소자 및 이를 구비하는 전자기기
KR102073726B1 (ko) * 2016-12-29 2020-02-05 주식회사 모다이노칩 복합 소자 및 이를 구비하는 전자기기
KR101872633B1 (ko) * 2017-01-09 2018-06-28 삼성전기주식회사 공통 모드 필터
CZ2017143A3 (cs) * 2017-03-15 2018-08-08 Saltek S.R.O. Omezovač napětí s přepěťovou ochranou
WO2018182249A1 (ko) * 2017-03-29 2018-10-04 주식회사 아모텍 감전보호소자, 그 제조 방법 및 이를 구비한 휴대용 전자장치
RU2020129247A (ru) 2018-03-05 2022-04-06 ЭйВиЭкс КОРПОРЭЙШН Каскадный варистор с улучшенными возможностями по управлению энергией
KR102501186B1 (ko) * 2018-04-03 2023-02-20 엘에스일렉트릭(주) 무효전력보상장치, 방전시스템 및 방전시스템의 방전 동작 방법
CN110189878A (zh) * 2018-04-11 2019-08-30 谭乔文 一种电涌保护器mov芯片及其制备方法
KR102053356B1 (ko) * 2018-06-08 2019-12-06 주식회사 모다이노칩 복합 소자의 제조 방법, 이에 의해 제조된 복합 소자 및 이를 구비하는 전자기기
CN108925024A (zh) * 2018-06-15 2018-11-30 上海思致汽车工程技术有限公司 一种基于陶瓷基印刷电路板的静电防护器件

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5862035A (en) * 1994-10-07 1999-01-19 Maxwell Energy Products, Inc. Multi-electrode double layer capacitor having single electrolyte seal and aluminum-impregnated carbon cloth electrodes
CN1942042A (zh) * 2005-09-26 2007-04-04 佳邦科技股份有限公司 电子电路的保护元件
CN103140997A (zh) * 2010-09-30 2013-06-05 Tdk株式会社 抗静电元件
CN103270656A (zh) * 2010-12-27 2013-08-28 株式会社村田制作所 Esd保护装置及其制造方法
CN103314420A (zh) * 2010-08-18 2013-09-18 太阳诱电株式会社 叠层型陶瓷电子零件

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005505188A (ja) 2001-09-28 2005-02-17 エプコス アクチエンゲゼルシャフト 回路装置、該回路装置を有するスイッチングモジュール、および該スイッチングモジュールの使用方法
JP2003257781A (ja) * 2002-03-05 2003-09-12 Murata Mfg Co Ltd 放電機能付き積層セラミックコンデンサ
KR100630187B1 (ko) 2005-05-27 2006-10-02 삼성전자주식회사 이동통신 단말기의 감전 보호 장치
KR100573364B1 (ko) 2005-06-11 2006-04-26 주식회사 이노칩테크놀로지 칩형 써지 어레스터 및 이의 제조 방법
KR100813195B1 (ko) * 2006-04-20 2008-03-13 주식회사 이노칩테크놀로지 정전기 보호 소자
KR101326653B1 (ko) 2007-01-17 2013-11-08 엘지전자 주식회사 휴대 단말기
KR20080044551A (ko) 2006-11-16 2008-05-21 엘지전자 주식회사 이동통신 단말기
US8069083B2 (en) * 2007-08-08 2011-11-29 Yahoo! Inc. Pay-per-action system for selling advertisements
TW200952301A (en) * 2008-06-02 2009-12-16 Inpaq Technology Co Ltd Electro-static discharge protection device with low temperature co-fire ceramic and manufacturing method thereof
KR101012965B1 (ko) * 2008-10-20 2011-02-08 주식회사 아모텍 복합소자
JP2010146779A (ja) * 2008-12-17 2010-07-01 Panasonic Corp 過電圧保護部品
WO2011112867A1 (en) * 2010-03-10 2011-09-15 The United States Of America, As Represented By The Secretary, Dept. Of Health And Human Services The use of fenoterol and fenoterol analogues in the treatment of glioblastomas and astrocytomas
US8724284B2 (en) * 2011-05-25 2014-05-13 Tdk Corporation Electrostatic protection component

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5862035A (en) * 1994-10-07 1999-01-19 Maxwell Energy Products, Inc. Multi-electrode double layer capacitor having single electrolyte seal and aluminum-impregnated carbon cloth electrodes
CN1942042A (zh) * 2005-09-26 2007-04-04 佳邦科技股份有限公司 电子电路的保护元件
CN103314420A (zh) * 2010-08-18 2013-09-18 太阳诱电株式会社 叠层型陶瓷电子零件
CN103140997A (zh) * 2010-09-30 2013-06-05 Tdk株式会社 抗静电元件
CN103270656A (zh) * 2010-12-27 2013-08-28 株式会社村田制作所 Esd保护装置及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR101585619B1 (ko) 2016-01-15
CN105375458A (zh) 2016-03-02
KR20160060603A (ko) 2016-05-30
KR20160108282A (ko) 2016-09-19
KR101657189B1 (ko) 2016-09-19
US20160149397A1 (en) 2016-05-26
US9703326B2 (en) 2017-07-11
WO2016080625A1 (ko) 2016-05-26
US10635138B2 (en) 2020-04-28
US20170262024A1 (en) 2017-09-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105375458B (zh) 触电保护器件及具有其的便携式电子装置
CN105470685B (zh) 触电保护用电流接触器及具有其的便携式电子装置
CN105591375B (zh) 触电保护器件及具有其的便携式电子装置
KR101578544B1 (ko) 감전보호소자 및 이를 구비한 휴대용 전자장치
CN108701943B (zh) 功能性接触器及包括其的便携式电子装置
CN107360706B (zh) 触电保护器件及具有其的便携式电子装置
KR20170060846A (ko) 감전 보호용 컨택터 및 이를 구비한 휴대용 전자 장치
CN108141993B (zh) 触电保护装置
CN207834826U (zh) Esd保护装置
KR101727079B1 (ko) 감전보호소자 및 이를 구비한 휴대용 전자장치
KR101926599B1 (ko) 감전보호 장치
KR20170069036A (ko) 감전보호용 컨택터 및 이를 구비한 휴대용 전자 장치
KR20170051086A (ko) 감전보호부 및 이를 포함하는 감전보호소자
KR20170047718A (ko) 감전보호소자 및 이를 구비한 휴대용 전자장치
KR20170060886A (ko) 감전보호용 컨택터 및 이를 구비한 휴대용 전자 장치
KR20170048050A (ko) 감전보호소자
KR20170053053A (ko) 감전보호용 컨택터 및 이를 구비한 휴대용 전자장치

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant