KR20170047718A - 감전보호소자 및 이를 구비한 휴대용 전자장치 - Google Patents

감전보호소자 및 이를 구비한 휴대용 전자장치 Download PDF

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KR20170047718A
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Abstract

감전보호소자 및 이를 구비한 휴대용 전자장치가 제공된다. 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 감전보호소자는 전자장치의 인체 접촉가능 전도체와 내장 회로부 사이에 배치되는 감전보호소자로서, 상기 전도체로부터 유입되는 통신 신호를 통과시키며, 제1 소체를 포함하는 적어도 하나의 커패시터부; 및 제1 소체의 일측에 배치되는 제2 소체 및 상기 제2 소체의 내부에 일정 간격 이격되어 배치된 적어도 한 쌍의 내부전극과 상기 한 쌍의 내부전극 사이에 형성된 공극을 포함하는 감전보호부;를 포함하고, 상기 전도체로부터 정전기 유입시 절연파괴 되지 않고 정전기를 통과시킴과 아울러 상기 회로부의 접지로부터 유입되는 외부전원의 누설전류를 차단하도록 관계식 1로써, Vbr > Vin를 만족하고, 통과하는 통신 신호의 감쇄를 방지하도록 관계식 2로써, ε1 > ε2를 만족한다. 상기 관계식 1에서 Vbr은 상기 감전보호소자의 항복전압, Vin은 상기 전자장치의 외부전원의 정격전압이고, 상기 관계식 2에서 ε1은 상기 제1 소체의 유전율, ε1는 상기 제2 소체의 유전율이다. 이에 의하면, 메탈 케이스와 같은 전도체가 외부로 노출되는 휴대용 전자장치에서 전도체와 회로부를 연결하는 감전보호소자를 구비함으로써, 외부전원에 의한 누설전류 및 정전기로부터 사용자 및 내부 회로를 보호하고 높은 커패시턴스를 구현하여 통신 신호의 감쇄를 최소화하여 전달할 수 있는 장점이 있다.

Description

감전보호소자 및 이를 구비한 휴대용 전자장치{Circuit protection device and mobile electronic device with the same}
본 발명은 감전보호소자 및 이를 구비한 휴대용 전자장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 전원에 의한 누설전류로부터 사용자를 보호하고, 외부의 정전기로부터 내부회로를 보호하며, 통신 신호의 감쇄를 최소화하여 전달할 수 있는 감전보호소자 및 이를 구비한 휴대용 전자장치에 관한 것이다.
최근 휴대용 전자장치는 심미성과 견고함을 향상시키기 위해 메탈 재질의 하우징의 채택이 증가하고 있는 추세이다.
그러나, 이러한 메탈 재질의 하우징은 재질의 특성상 전기전도도가 우수하기 때문에, 특정 소자를 통하여 또는 부위에 따라 외장 하우징과 내장 회로부 사이에 전기적 경로가 형성될 수 있다. 특히, 메탈 하우징과 회로부가 루프를 형성함에 따라, 외부의 노출면적이 큰 메탈 하우징과 같은 전도체를 통하여 순간적으로 높은 전압을 갖는 정전기가 유입되는 경우, IC 등의 회로부를 파손시킬 수 있기 때문에 이 대한 대책이 요구되고 있다.
한편, 이와 같은 휴대용 전자장치는 통상적으로 충전기를 사용하여 배터리를 충전한다. 이와 같은 충전기는 외부의 AC 전원을 DC 전원으로 정류한 후, 다시 트랜스포머를 통하여 휴대용 전자장치에 적합한 낮은 DC 전원으로 변환한다. 여기서, 트랜스포머의 전기적 절연성을 강화시키기 위해 트랜스포머 양단에 커패시터로 구성된 Y-CAP을 구비한다.
그러나, 비정품 충전기 등과 같이, Y-CAP이 정규 특성을 갖지 못하는 경우에는 Y-CAP에 의해 DC 전원이 충분히 차단되지 못할 수 있고, 더욱이, AC 전원에 의해 누설전류가 발생할 수 있으며, 이러한 누설전류는 회로의 접지부를 따라 전파될 수 있다.
이와 같은 누설전류는 휴대용 전자장치의 외장 케이스와 같이 인체가 접촉가능한 전도체에도 전달될 수 있기 때문에, 결과적으로 사용자에게 찌릿찌릿한 느낌의 불쾌감을 줄 수 있고, 심한 경우, 사용자가 감전에 의한 치명상을 입을 수 있다.
따라서, 메탈 케이스를 채용한 휴대폰과 같은 휴대용 전자장치는 이와 같은 누설 전류로부터 사용자를 보호하기 위한 방안이 요구되고 있다.
한편, 이와 같이 메탈 재질의 하우징을 구비한 휴대용 전자장치는 다기능화에 따라 기능별로 복수의 안테나를 구비하며 그 중 적어도 일부는 내장형 안테나로서, 휴대용 전자장치의 외장 하우징에 배치되거나, 메탈 하우징 자체를 안테나로 사용하는 추세이다.
이와 같은 경우, 안테나와 휴대용 전자장치의 내부 회로가 연결되어야 하는데, 이때, 통신 신호를 감쇄없이 내부회로로 원활하게 전달할 수 있어야 한다.
그러나, 상술한 바와 같이, 통신 신호의 효과적인 전달을 위해 해당 소자의 커패시턴스를 증가시키는 경우, 외부의 정전기에 의해 절연파괴되고, 따라서 해당 소자가 파손되는 문제점이 있다.
더욱이, 상술한 바와 같이 외부전원에 의한 누설전류를 차단하기 위한 높은 항복전압의 구현과 통신 신호를 전달하기 위한 고용량 커패시턴스의 구현은 서로 상반되는 효과 때문에 달성이 곤란하다. 따라서, 정전기로부터의 보호, 누설전류의 차단과 동시에 높은 커패시턴스를 구현할 수 있는 방안이 요구되고 있다.
KR 0573364 B
본 발명은 상기와 같은 점을 감안하여 안출한 것으로, 정전기나 외부전원에 의한 누설전류로부터 내부 회로 및/또는 사용자를 보호하고 통신 신호의 감쇄를 최소화하여 전달할 수 있는 감전보호소자 및 이를 구비한 휴대용 전자장치를 제공하는 데 목적이 있다.
상술한 과제를 해결하기 위하여, 전자장치의 인체 접촉가능 전도체와 내장 회로부 사이에 배치되는 감전보호소자로서, 상기 전도체로부터 유입되는 통신 신호를 통과시키며, 제1 소체를 포함하는 적어도 하나의 커패시터부; 및 제1 소체의 일측에 배치되는 제2 소체 및 상기 제2 소체의 내부에 일정 간격 이격되어 배치된 적어도 한 쌍의 내부전극과 상기 한 쌍의 내부전극 사이에 형성된 공극을 포함하는 감전보호부;를 포함하고, 상기 전도체로부터 정전기 유입시 절연파괴 되지 않고 정전기를 통과시킴과 아울러 상기 회로부의 접지로부터 유입되는 외부전원의 누설전류를 차단하도록 하기의 관계식 1을 만족하며, 통과하는 통신 신호의 감쇄를 방지하도록 하기의 관계식 2를 만족하는 감전보호소자를 제공한다.
[관계식 1]
Vbr > Vin 여기서, Vbr은 상기 감전보호소자의 항복전압, Vin은 상기 전자장치의 외부전원의 정격전압이고,
[관계식 2] ε1 > ε2 여기서, ε1은 상기 제1 소체의 유전율, ε1는 상기 제2 소체의 유전율이다.
또한, 상기 정격전압은 국가별 표준 정격전압일 수 있다.
또한, Vcp > Vbr이고, 여기서 Vcp는 커패시터부의 절연파괴 전압일 수 있다.
또한, 상기 통신 신호는 무선 통신 주파수 대역을 가질 수 있다.
또한, 상기 커패시터부는 감전보호부와 전기적으로 병렬로 접속될 수 있다.
또한, 상기 한 쌍의 내부전극은 동일 평면상에서 배치될 수 있다.
또한, 상기 공극은 내벽에 높이방향을 따라 일정 두께로 도포되는 방전물질층이 구비될 수 있다. 또한, 상기 방전물질층은 금속입자를 포함하는 비전도성 물질 또는 반도체 물질로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 방전물질층은 상기 공극의 내벽의 높이방향을 따라 도포되는 제1부분과 상기 제1부분의 상단으로부터 외측으로 연장되는 제2부분 및 상기 제1부분의 하단으로부터 외측으로 연장되는 제3부분을 포함하고, 상기 제2부분은 상기 한 쌍의 내부전극 중 하나와 접촉되고, 상기 제3부분은 상기 한 쌍의 내부전극 중 다른 하나와 접촉될 수 있다.
또한, 상기 공극은 상기 내부전극을 중심으로 수직 또는 수평 방향으로 배치될 수 있다. 또한, 상기 공극은 상기 한 쌍의 내부전극 사이에서 복수개로 구비될 수 있다. 또한, 상기 공극은 폭이 상기 한 쌍의 내부전극 사이의 간격보다 크거나 같고, 높이가 상기 한 쌍의 내부전극의 두께보다 크거나 같을 수 있다.
또한, 상기 제1 소체 및 제2 소체는 유전체를 포함할 수 있다.
또한, 상기 내부전극은 Ag, Au, Pt, Pd, Ni 및 Cu 중 어느 하나 이상의 성분을 포함할 수 있다. 상기 내부전극의 간격은 10~100㎛일 수 있고, 두께는 2~10㎛일 수 있다.
또한, 상기 커패시터부와 상기 감전보호부 사이의 간격은 상기 감전보호부의 상기 한 쌍의 내부전극 사이의 간격보다 클 수 있다. 이때, 상기 커패시터부와 상기 감전보호부 사이의 간격은 15~100㎛일 수 있다.
또한, 상기 커패시터부는 제1 소체 내부에 커패시터 전극을 포함하고, 상기 커패시터 전극의 두께는 2~10㎛일 수 있다. 또한, 상기 상기 커패시터 전극 사이의 간격은 15~100㎛일 수 있다.
또한, 상기 공극의 체적은 상기 감전보호소자의 총 체적 대비 1~15%일 수 있다.
또한, 상기 내부전극의 정전기에 의한 방전 개시 전압은 1~15㎸일 수 있다.
또한, 상기 제1 소체의 유전율과 제2 소체의 유전율 차이는 10 이상일 수 있다.
한편, 본 발명은 인체 접촉가능 전도체; 회로부; 및 상기 전도체와 상기 회로부 사이에 배치되는 감전보호소자를 포함하며, 상기 감전보호소자는 상기 전도체로부터 유입되는 통신 신호를 통과시키며, 제1 소체를 포함하는 적어도 하나의 커패시터부; 및 제1 소체의 일측에 배치되는 제2 소체 및 상기 제2 소체의 내부에 일정 간격 이격되어 배치된 적어도 한 쌍의 내부전극과 상기 한 쌍의 내부전극 사이에 형성된 공극을 포함하는 감전보호부;를 포함하고, 통과하는 통신 신호의 감쇄를 방지하도록 하기의 관계식 2를 만족하며, 상기 전도체로부터 정전기 유입시 절연파괴 되지 않고 정전기를 통과시킴과 아울러 상기 회로부의 접지로부터 유입되는 외부전원의 누설전류를 차단하도록 하기의 관계식 3을 만족하는 휴대용 전자장치를 제공한다.
[관계식 2]
ε1 > ε2 여기서, ε1은 상기 제1 소체의 유전율, ε1는 상기 제2 소체의 유전율이고,
[관계식 3]
Vbr > Vin, Vcp > Vbr이고, 여기서 Vbr은 상기 감전보호소자의 항복전압, Vin은 상기 전자장치의 외부전원의 정격전압, Vcp는 커패시터부의 절연파괴 전압이다.
또한, 상기 전도체는 상기 전자장치와 외부기기의 통신을 위한 안테나, 메탈 케이스, 및 도전성 장신구 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
또한, 상기 메탈 케이스는 상기 전자장치의 하우징의 측부를 부분적으로 둘러싸거나 전체적으로 둘러싸도록 구비될 수 있다.
또한, 상기 메탈 케이스는 상기 전자장치의 하우징의 전면 또는 후면에 외부로 노출되도록 구비되는 카메라를 둘러싸도록 구비될 수 있다.
또한, 상기 제1 소체의 유전율과 제2 소체의 유전율 차이는 10 이상일 수 있다.
한편, 본 발명은 전자장치의 인체 접촉가능 전도체와 내장 회로부 사이에 배치되는 소자로서, 상기 전도체로부터 유입되는 통신 신호를 통과시키며, 제1 소체를 포함하는 적어도 하나의 커패시터부; 및 제1 소체의 일측에 배치되는 제2 소체 및 상기 제2 소체의 내부에 일정 간격 이격되어 배치된 적어도 한 쌍의 내부전극과 상기 한 쌍의 내부전극 사이에 형성된 공극을 포함하여 상기 전도체로부터 정전기 유입시 절연파괴 되지 않고 정전기를 통과시킴과 아울러 상기 회로부의 접지로부터 유입되는 외부전원의 누설전류를 차단하는 감전보호부;를 포함하고, 통과하는 통신 신호의 감쇄를 방지하도록 하기의 관계식 2를 만족하며, 하기 관계식 3을 만족하는 감전보호소자를 제공한다.
[관계식 2]
ε1 > ε2 여기서, ε1은 상기 제1 소체의 유전율, ε1는 상기 제2 소체의 유전율이고,
[관계식 3]
Vbr > Vin, Vcp > Vbr이고, 여기서 Vbr은 상기 감전보호소자의 항복전압, Vin은 상기 전자장치의 외부전원의 정격전압, Vcp는 커패시터부의 절연파괴 전압이다.
또한, 상기 커패시터부는 감전보호부와 전기적으로 병렬로 접속될 수 있다.
또한, 상기 커패시터부는 상기 감전보호부의 상부 및 하부 중 어느 하나, 또는 감전보호부의 상부 및 하부 모두에 일정 간격을 두고 적어도 하나 이상 구비할 수 있다.
이하, 본원발명에서 사용한 용어에 대해 설명한다.
본원발명에서 사용한 용어인 유전율은 어떤 물질의 유전율과 진공상태에서의 유전율과의 비를 나타내는 비유전율을 의미한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 감전보호소자 및 이를 구비한 휴대용 전자장치는 메탈 케이스와 같은 전도체가 외부로 노출되는 휴대용 전자장치에서 전도체와 회로부를 연결하는 감전보호소자를 구비함으로써, 외부전원에 의한 누설전류 및 정전기로부터 사용자 및 내부 회로를 보호하고 높은 커패시턴스를 구현하여 통신 신호의 감쇄를 최소화하여 전달할 수 있는 장점이 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 감전보호소자를 나타낸 전체사시도,
도 2는 도 1의 복수의 시트층의 적층관계를 나타낸 분리사시도,
도 3은 도 1의 종단면도,
도 4a 내지 도 4e는 본 발명의 일 실시예에 따른 감전보호소자의 적용예를 나타낸 개념도,
도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 일 실시예에 따른 감전보호소자의 (a)누설전류 및 (b)정전기(ESD), 및 (c)통신 신호에 대한 동작을 설명하기 위한 개략적 등가회로도,
도 6a 및 도 6b는 커패시턴스에 따른 통과 주파수 대역에 대한 시뮬레이션 결과를 나태는 그래프,
도 7a 내지 도 7e는 본 발명의 일 실시예에 따른 감전보호소자에서 내부전극의 다양한 형태를 나타낸 도면,
도 8a 내지 도 8d는 본 발명의 일 실시예에 따른 감전보호소자에서 감전보호부와 커패시터부의 다양한 배치관계를 나타낸 종단면도,
도 9a 내지 도 9g는 본 발명의 일 실시예에 따른 감전보호소자에서 제1세라믹재료 및 제2세라믹재료의 다양한 배치관계를 나타낸 종단면도,
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 감전보호소자에서 감전보호부의 다른 예를 나타낸 종단면도,
도 11a 내지 11d는 본 발명의 일 실시예에 따른 감전보호소자에서 공극의 다양한 형태를 나타낸 종단면도,
도 12a 내지 도 12e는 본 발명의 일 실시예에 따른 감전보호소자의 다른 예에서 감전보호부와 커패시터부의 다양한 배치관계를 나타낸 도면,
도 13a 내지 도 13d는 본 발명의 일 실시예에 따른 감전보호소자의 다른 예에서 내부전극의 다양한 형태를 나타낸 도면,
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 감전보호소자의 또 다른 예를 나타낸 종단면도, 그리고
도 15a 내지 도 15c는 본 발명의 일 실시예에 따른 감전보호소자의 또 다른 예에서 공극의 다양한 형태를 나타낸 종단면도이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 부가한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 감전보호소자(100)는 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 감전보호부(110), 및 커패시터부(120a,120b)를 포함하며, 상기 감전보호부(110)는 써프레서일 수 있다.
상기 감전보호소자(100)는 전자장치의 인체 접촉가능 전도체와 내장 회로부 사이에 배치되어 상기 전도체(12)로부터 정전기 유입시 절연파괴되지 않고 상기 정전기를 통과시키며, 상기 회로부(14)의 접지로부터 유입되는 외부전원의 누설전류를 차단하기 위하여 하기 관계식 1을 만족하고, 동시에 상기 전도체(12)로부터 유입되는 통신 신호를 통과시키도록 하기의 관계식 3을 만족하는 항복전압(Vb)을 가질 수 있다:
[관계식 1]
Vbr > Vin 여기서, Vbr은 상기 감전보호소자의 항복전압, Vin은 상기 전자장치의 외부전원의 정격전압이며,
[관계식 3]
Vbr > Vin, Vcp > Vbr이고, 여기서 Vbr은 상기 감전보호소자의 항복전압, Vin은 상기 전자장치의 외부전원의 정격전압, Vcp는 커패시터부의 절연파괴 전압이다.
이때, 상기 정격전압은 국가별 표준 정격전압일 수 있으며, 예를 들면, 240V, 110V, 220V, 120V, 110V, 및 100V 중 어느 하나일 수 있다.
상기 항복전압(Vbr)은 감전보호부의 항복전압(또는 트리거전압)을 의미하며, 감전보호부의 내부전극의 간격, 서로 중첩되는 내부전극의 면적, 적층된 시트층의 유전율, 내부전극 사이의 공극 체적, 및 방전물질층 등에 따라 결정될 수 있다.
상기 감전보호소자(100)는 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 제2 소체(111,112,113)를 포함하는 써프레서 형태의 감전보호부(110) 및 제1 소체(121,122,123,124,125,126,127,128)를 포함하는 커패시터부(120a,120b)를 구비하여 구현될 수 있다.
상기 커패시터부(120a,120b)는 안테나와 같은 전도체(12)로부터 유입되는 통신 신호를 감쇄없이 통과시키기 위한 것으로, 감전보호부(110)와 전기적으로 병렬 접속될 수 있다. 예를 들면, 커패시터부(120a,120b)는 감전보호부(110)의 상부 및 하부 중 적어도 하나 또는 상부 및 하부 모두에 배치될 수 있다. 또한, 전도체로부터 정전기 유입시 절연파괴되지 않고 상기 정전기를 통과시키며, 상기 회로부의 접지로부터 유입되는 외부전원의 누설전류, 특히 DC 성분을 차단하기 위하여 커패시터부의 절연파괴전압(Vcp)는 전자장치의 외부전원의 정격전압(Vbr)보다 클 수 있다(관계식3 참조). 이때. 상기 커패시터부의 절연파괴전압(Vcp)은 커패시터부에 구비되는 커패시터 전극의 양단에서 형성되는 것이며, 복수개의 커패시터 전극이 이격되어 배치되는 커패시터부의 경우 절연파괴전압은 복수개의 커패시터 전극들이 모두 병렬로 연결되어 있음에 따라서 각각의 커패시터 전극들 사이에서 형성된다.
또한, 상기 커패시터부(120a,120b)는 일면에 커패시터 전극(122a,123a,124a,125a,125a,126a,127a,128a)이 구비된 복수의 시트층(121,122,123,124,125,126,127,128)이 순차적으로 적층되고, 각각의 일면에 구비된 복수의 전극들이 서로 대향되도록 배치된 후 소결 또는 경화 공정을 통해 제1 소체를 형성하여 일체로 구현될 수 있다. 또는 하나의 시트 내부에 커패시터부(120a, 120b)의 전극구조를 가지도록 전극을 이격배치 시킨 후 소결 또는 경화공정을 통해 제1 소체가 형성될 수도 있다. 이때, 상기 제1 소체는 통과하는 통신 신호의 감쇄를 방지하도록 유전율이 20 이상일 수 있고, 바람직하게는 유전율이 35 이상일 수 있으며, 이를 통해 목적하는 통신주파수 대역에서 감전보호소자를 통과하는 통신신호가 감쇄없이 소자를 통과할 수 있게 하는 동시에 커패시터부의 누설전류 중 DC 성분의 차단능력이 향상되고, 전자장치의 외부전원의 전격전압보다 더 높은 항복전압을 가질 수 있도록 하여 누설전류나 정전기에 의해 절연파괴되지 않을 수 있다. 또한, 보다 소형화되도록 소자를 구현시키기에 보다 유리할 수 있다. 만일 유전율이 20 미만인 경우 통신신호, 예를 들어 모바일 무선통신 주파수 대역에서 통신신호의 수신감도를 감쇄시키는 문제점이 있다. 또한, 낮은 유전율의 소체를 사용한 커패시터가 고정전용량으로 구현되기 위해서는 전극간의 거리가 현저히 좁아져야 하는데, 이 경우 전극 사이에 위치하는 소체에 결함(기공포함, 크랙)이 있을 경우 ESD 등에 의해 커패시터부의 절연파괴가 현저히 증가될 수 있을 우려가 있음에 따라서 전극간의 거리를 현저히 좁도록 설계된 커패시터부를 감전보호부와 복합화하는 것은 매우 바람직하지 못할 수 있다. 나아가, 커패시터의 항복전압(Vcp)이 전자장치의 외부전원의 정격전압보다 낮아져 커패시터부가 절연파괴됨에 따라 누설전류의 차단 및/또는 정전기로부터의 회로보호 기능이 저하 또는 상실될 수 있다.
상기 제1 소체(121,122,123,124,125,126,127,128)는 유전체로 이루어질 수 있으며, 유전율이 20 이상을 만족하게 하는 유전체인 경우 제한 없이 사용될 수 있고, 공지의 유전체를 사용해도 무방하다. 예를 들면, 상기 제1 소체를 형성하는 유전체는 저온 소결 세라믹(LTCC) 및 고온 소결 세라믹(HTCC) 등을 포함하는 세라믹재료 및 자성재료로 이루어질 수 있다. 이때, 상기 세라믹재료는 산화물계 세라믹화합물 또는 비산화물계 세라믹화합물일 수 있으며, 상기 산화물계 세라믹화합물은 BeO, MgO, LaCrO3, PbTiO3, (Ba,Pb)TiO3, ZrO2, Er2O3, Dy2O3, Ho2O3, V2O5, CoO, MoO3, SnO2, BaTiO3, Nd2O3, SiO2 , TiO2, ZnO, SrTiO3, LiNbO3, LiTaO3 , Mn계 산화물, Ni계 산화물, Mn계 산화물, Al2O3 및 이들의 고용체 중 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다. 또한, 상기 비산화물계 세라믹화합물은 SiC, CdTe, TiC, TiN, B4C, Si3N4, BN, TiB2 및 AlN 중 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다. 또한, 상기 자성재료는 페라이트계 화합물일 수 있으며, 통상의 소프트 페라이트의 경우 제한없이 사용될 수 있고 일 예로, Ni-Zn계 페라이트, Mn-Zn계 페라이트 등이 1 종 이상 포함될 수 있다.
또한, 상기 커패시터 전극 전극(122a,123a,124a,125a,125a,126a,127a,128a)은 Ag, Au, Pt, Pd, Ni 및 Cu 중 어느 하나 이상의 성분을 포함할 수 있으며, 일예로, Ag/Pd일 수 있다. 또한, 상기 커패시터 전극은 다양한 형상 및 패턴으로 구비될 수 있으며, 복수개의 커패시터 전극 중 어느 하나 이상의 전극이 동일한 패턴으로 구비되거나 서로 다른 패턴을 갖도록 구비될 수도 있다. 즉, 커패시터 전극은 목적하는 정전용량을 구현할 수 있도록 제1 소체 내부에 배치될 경우 각 커패시터 전극의 패턴에는 제한이 없다.
또한, 상기 커패시터부(120a,120b)를 구성하는 복수의 커패시터 전극들 전극(122a,123a,124a,125a,125a,126a,127a,128a)은 서로 마주하는 한 쌍의 커패시터 전극 사이, 예를 들어 제1 커패시터부(120a)에 구비되는 제1 커패시터전극(121a)/ 제2 커패시터전극(122a) 사이의 이격 간격이 15~100㎛의 범위를 갖도록 구비될 수 있으며, 예를 들면, 20㎛의 간격을 갖도록 구비될 수 있다.
여기서, 상기 커패시터 전극 사이의 간격이 15㎛ 미만이면, 무선 통신대역의 통신 신호를 감쇄없이 통과시키기에 충분한 커패시턴스를 확보하기 곤란하고, 100㎛를 초과하면, 커패시터 전극 사이의 거리확보가 제한되어 커패시터 전극을 포함하는 시트층의 적층 수가 제한되므로 고용량의 커패시터를 구현하는데 어려움이 따르기 때문이다.
이때, 상기 커패시터부(120a,120b)를 구성하는 각각의 커패시터 전극들의 두께는 서로 마주하는 한 쌍의 커패시터 전극 사이의 간격보다 1/10 ~ 1/2의 크기를 갖도록 구비될 수 있다.
예를 들면, 서로 마주하는 한 쌍의 커패시터 전극 간의 간격이 20㎛인 경우, 상기 커패시터 전극의 두께는 2~10㎛의 범위를 갖도록 구비될 수 있다. 여기서, 커패시터 전극의 두께가 2㎛이하이면, 전극으로서의 역할을 수행할 수 없고, 10㎛를 초과하면 커패시터 전극의 두께가 두꺼워져 정해진 크기에서 커패시터부를 구성하기 위한 커패시터 전극 사이의 거리확보가 제한되어 커패시터 전극을 포함하는 시트층의 적층 수가 제한되므로 고용량의 커패시터를 구현하는데 어려움이 따르기 때문이다.
한편, 상기 커패시터 전극들의 양단부 중 외부전극과 연결되지 않는 자유단부와 상기 외부전극(131,132)과의 최단거리(d2)가 적어도 15㎛의 거리를 갖도록 구비되며, 15~100㎛의 범위의 거리를 갖도록 구비될 수 있다(도 11참조).
또한, 상기 커패시터부(120a, 120b)를 구성하는 커패시터 전극은 도 2에 도시된 것과 같이 하나의 시트층(121)에 하나의 커패시터 전극(121a)이 형성되지 않고, 하나의 시트층(미도시)에 일렬로 이격하여 배치되는 복수개의 커패시터 전극(미도시)을 포함할 수 있고, 복수개의 커패시트 전극이 일면에 포함된 시트층을 복수개 적층시키되, 각 시트층에 형성된 복수개의 커패시터 전극을 일정 면적 이상의 중첩면적을 가지도록 서로 대향 배치할 수도 있다. 일예로, 일시트층에 형성된 커패시터 전극의 개수는 2개일 수 있고, 이격간격은 50㎛일 수 있으며, 상기 2개의 커패시터 전극 중 어느 하나는 길이가 120㎛, 폭이 360㎛일 수 있고, 다른 하나는 길이가 1010㎛, 폭이 360㎛일 수 있으며, 이와 같은 일시트층을 총 12개 적층시키되, 어느 일 시트층에 포함된 2개의 커패시터 전극 중 짧은 길이의 전극이 인접하여 적층되는 다른 시트층에 포함된 2개의 커패시터 전극 중 긴 길이의 전극에 중첩되도록 하여, 인접하게 적층되는 2개의 시트층에 각각 포함된 긴 길이의 커패시터 전극의 중첩면적이 폭 360× 길이 840㎛이 되도록 교호적층시켜 소결 후 커패시터부가 구현될 수 있다.
이와 같이, 감전보호소자(100)는 커패시터부(120a,120b)를 구비함으로써, 정전기를 통과시키고, 외부전원의 누설전류를 차단하는 기능과 아울러, 사용하고자 하는 목적에 따른 통신 대역에 적합한 커패시턴스를 용이하게 제공할 수 있고, 특히 유전율이 20 이상의 제1 소체를 포함함에 따라서 목적하는 물성의 구현이 보다 용이하고, 현저히 향상된 물성을 발현할 수 있다. 즉, 이와 같은 커패시터부에 의해, 정전기에 대하여 내부 회로를 보호하기 위한 써프레서, 바리스터 또는 제너 다이오드와 함께 RF 수신감도를 높이기 위한 별도의 부품을 같이 사용하던 종래와는 달리, 하나의 감전보호소자(100)를 통해 정전기에 대한 보호는 물론 RF 수신감도를 높일 수 있는 장점이 있다.
한편, 상기 감전보호부(110)는 일면에 내부 전극(111a,112a) 및 공극형성부재(115)가 각각 구비된 복수의 시트층(111,112,113)을 적층시키되, 공극형성부재(115)를 포함하는 방호시트층(113)이 전극이 형성된 시트층 사이에 개재되도록 적층하고, 다른 2개의 시트층에서 일면에 구비된 내부 전극(111a,112a)들이 서로 대향 되도록 배치 후 소결 또는 경화 공정을 통해 제2 소체를 형성하여 일체로 구현될 수 있다.
상기 제2 소체는 유전체로 형성될 수 있고, 구체적인 설명은 제1 소체와 동일하며, 다만, 제2 소체를 형성하는 유전체는 후술되는 관계식 2를 만족하기 위하여 제1 소체를 형성하는 유전체 보다도 유전율이 낮도록 구현될 수 있는 유전체가 선택되어야 하며, 바람직하게는 제2 소체의 유전율은 10 이하를 만족하도록 구현될 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 감전보호소자(100)에 포함되는 커패시터부(120a,120b)의 제1 소체와 감전보호부(110)의 제2 소체는 통과하는 통신 신호의 감쇄를 방지하도록 하기 관계식 2를 만족한다.
[관계식 2]
ε1 > ε2 여기서, ε1은 상기 제1 소체의 유전율, ε1는 상기 제2 소체의 유전율이다. 제1 소체의 유전율이 제2 소체의 유전율 보다 크도록 구현된 감전보호소자는 커패시터부를 정전용량이 감전보호소자의 정전용량 보다도 고정전용량으로 용이하게 구현가능하고, 이를 통해 커패시터를 통과하는 통신신호를 더욱 감쇄 없이 통과시킬 수 있는 이점이 있다. 또한, 제2 소체의 유전율은 낮아질수록 전도체로부터 유입되는 정전기와 회로부 접지로부터 유입되는 외부전원의 누설전류로부터의 보호성능이 보다 더욱 향상될 수 있다. 이를 위해 바람직하게는 상기 제1 소체의 유전율과 제2 소체의 유전율 차이는 10 이상일 수 있고, 보다 바람직하게는 20 이상, 더욱 바람직하게는 30 이상일 수 있고, 이를 통해 감전보호부를 통한 감전보호성능 및 커패시터부를 통한 통신신호의 전달성능은 더욱 향상될 수 있다.
한편, 상기 내부전극(111a,112a)은 제2 소체의 내부에 일정 간격 이격되어 형성되며, 적어도 한 쌍으로 이루어질 수 있다. 상기 내부전극(111a,112a)은 Ag, Au, Pt, Pd, Ni 및 Cu 중 어느 하나 이상의 성분을 포함할 수 있으며, 외부전극(131,132)은 Ag, Ni, Sn 성분 중 어느 하나 이상의 성분을 포함할 수 있다.
상기 내부전극(111a,112a)은 다양한 형상 및 패턴으로 구비될 수 있으며, 상기 제1내부전극(111a)과 제2내부전극(112a)은 동일한 패턴으로 구비될 수도 있고, 서로 다른 패턴을 갖도록 구비될 수도 있다. 즉, 내부전극(111a,112a)은 소체의 구성시 제1내부전극(111a)과 제2내부전극(112a)의 일부가 서로 대향하여 중첩되도록 배치되면 특정 패턴에 한정되지 않는다.
이때, 이러한 내부전극(111a,112a) 사이의 간격 및 서로 대향하는 면적 또는 서로 중첩되는 길이는 감전보호소자(100)의 항복전압(Vbr)을 만족하도록 구성될 수 있으며, 예를 들면, 상기 내부전극(111a,112a) 사이의 간격은 10~100㎛일 수 있다. 예를 들면, 상기 내부전극(111a,112a) 사이의 간격은 25㎛일 수 있다.
여기서, 제1내부전극(111a)과 제2내부전극(112a) 사이의 간격이 10㎛ 미만이면, 정전기에 대한 내성이 취약해질 수 있다. 또한, 제1내부전극(111a)과 제2내부전극(112a) 사이의 간격이 100㎛를 초과하면, 방전 개시 전압(동작 전압)이 증가하여 정전기에 의한 원활한 방전이 이루어지지 않아 정전기에 대한 보호기능이 상실될 수 있다.
이때, 제1내부전극(111a)과 제2내부전극(112a)의 두께는 2-10㎛일 수 있다. 여기서, 제1내부전극(111a)과 제2내부전극(112a)의 두께가 2㎛미만이면, 내부전극으로서의 역할을 수행할 수 없고, 10㎛를 초과하면, 내부전극 사이의 거리 확보가 제한되고, 감전보호소자(100)의 부피가 증가하여 소형화에 악영향을 미칠 수 있다.
이와 같은 구성에 의해, 상기 내부전극(111a,112a)의 정전기에 의한 방전 개시 전압(동작 전압)은 1~15㎸일 수 있다. 여기서, 감전보호소자(100)의 방전 개시 전압이 1㎸이하이면, 정전기에 대한 내성의 확보가 곤란하고, 15㎸이상이면, 정전기를 통과시킬 수 없고, 따라서, 감전보호소자(100) 자체가 정전기에 의해 손상될 수 있다.
한편, 서로 대응되는 한 쌍의 전극(111a,112a) 사이에는 정전기를 방호하고 과전압으로부터 회로 보호 소자 및 주변 회로들을 보호하기 위한 방호시트층(113)이 배치된다.
이러한 방호시트층(113)은 상기 한 쌍의 내부전극(111a,112a) 사이에 중공형으로 이루어진 적어도 하나의 공극형성부재(115)가 구비된다. 이를 위해, 방호시트층(113)은 공극형성부재(115)가 구비되는 위치에 관통홀이 형성될 수 있다.
구체적으로 설명하면, 상기 제2 소체는 상부면에 제1내부전극(111a)이 구비되는 제1시트층(111)과, 하부면에 제2내부전극(112a)이 구비되는 제2시트층(112)이 서로 적층되며, 상기 제1시트층(111) 및 제2시트층(112)의 사이에는 방호시트층(113)이 배치된다.
즉, 상기 제1내부전극(111a) 및 제2내부전극(112a)이 서로 마주할 수 있도록 제1시트층(211), 방호시트층(113) 및 제2시트층(112)을 순차적으로 적층한다.
이에 따라, 상기 제1내부전극(111a) 및 제2내부전극(112a)은 서로 마주하도록 배치된 후 상기 방호시트층(213)에 의해 서로 일정간격 이격배치되며, 상기 제1내부전극(111a) 및 제2내부전극(112a)은 일측이 상기 공극형성부재(115)와 각각 접촉된 상태로 배치된다.
한편, 상기 제1시트층(111)과 제2시트층(112)의 사이에 배치되는 방호시트층(113)은 적어도 하나의 관통홀이 관통되어 형성될 수도 있다.
여기서, 상기 관통홀은 상기 방호시트층(113)을 기준으로 상, 하부에 각각 배치되는 제1내부전극(111a) 및 제2내부전극(112a)이 서로 겹쳐지는 영역에 위치하도록 형성된다.
이때, 상기 관통홀에는 공극형성부재(115)가 구비될 수 있다. 이러한 공극형성부재(115)는 내부전극(111a,112a) 사이에 배치되며, 내벽에 높이방향을 따라 일정 두께로 도포되는 방전물질층(125a,125b,125c)을 포함할 수 있다.
대안적으로, 공극형성부재(115)를 별도로 구비하지 않은 경우, 상기 관통홀의 내벽에는 높이방향을 따라 방전물질층이 일정두께로 도포될 수 있다.
여기서, 상기 공극형성부재(115) 또는 그에 도포된 방전물질층은 상부단이 상기 제2내부전극(112a)과 접하고 하부단이 상기 제1내부전극(111a)과 각각 접하도록 구비된다.
이러한 공극형성부재(115)에 의해 한 쌍의 내부전극(111a,112a) 사이에 공극(216)이 형성될 수 있다. 이러한 공극(216)에 의해 외부로부터 유입된 정전기는 내부전극(111a,112a) 사이에서 방전될 수 있다. 이때, 내부전극(111a,112a) 사이의 전기적 저항이 낮아지고, 감전보호소자(100) 양단의 전압차를 일정 값 이하로 감소시킬 수 있다. 따라서, 감전보호부(220)는 절연파괴되지 않고 정전기를 통과시킬 수 있다.
여기서, 상기 방전물질층(125a,125b,125c)을 구성하는 방전물질은 유전율이 낮고 전도도가 없으며, 과전압 인가시 쇼트(short)가 없어야 한다.
이를 위해, 상기 방전물질은 적어도 한 종의 금속입자를 포함하는 비전도성물질로 이루어질 수 있으며, SiC 또는 실리콘 계열의 성분을 포함하는 반도체물질로 이루어질 수 있다. 더불어, 상기 방전물질은 SiC, 카본, 그라파이트 및 ZnO 중에서 선택된 1종 이상의 재료와, Ag, Pd, Pt, Au, Cu, Ni, W, Mo 중에서 선택된 1종 이상의 재료를 소정의 비율로 혼합하여 이루어질 수도 있다.
일례로, 상기 제1내부전극(111a) 및 제2내부전극(112a)이 Ag 성분을 포함하는 경우, 상기 방전물질은 SiC-ZnO계의 성분을 포함할 수 있다. SiC(Silicon carbide) 성분은 열적 안정성이 우수하고, 산화 분위기에서 안정성이 우수하며, 일정한 도전성과 도열성을 가지고 있으며, 낮은 유전율을 갖는다.
그리고, ZnO 성분은 우수한 비선형 저항특성 및 방전특성이 있다.
SiC와 ZnO는 각각 별도로 사용시 둘 다 전도성이 있으나, 서로 혼합 후 소결 진행하면 SiC 입자 표면에 ZnO가 결합됨으로써 절연층을 형성하게 된다.
이와 같은 절연층은 SiC가 완전히 반응하여 SiC 입자 표면에 SiC-ZnO 반응층을 형성한다. 이에 따라, 상기 절연층은 Ag 패스를 차단하여 방전물질에 한층 더 높은 절연성을 부여하고, 정전기에 대한 내성을 향상시켜 감전보호부(120)를 전자부품에 장착시 DC 쇼트 현상을 해결할 수 있게 된다.
여기서, 상기 방전물질의 일례로써 SiC-ZnO계의 성분을 포함하는 것으로 설명하였지만 이에 한정하는 것은 아니며, 상기 방전물질은 상기 제1내부전극(111a) 및 제2내부전극(112a)을 구성하는 성분에 맞는 반도체 물질 또는 금속입자를 포함하는 비전도성 물질이 사용될 수 있다
이때, 상기 공극형성부재(115)의 내벽에 도포되는 상기 방전물질층(115a,115b,115c)은 공극형성부재(115)의 내벽의 높이방향을 따라 도포되는 제1부분(115a)과 상기 제1부분(115a)의 상단으로부터 상기 방호시트층(213)의 상부면을 따라 제1내부전극(111a)과 대향하여 접촉하도록 연장되는 제2부분(115b) 및 상기 제1부분(115a)의 하단으로부터 상기 방호시트층(213)의 하부면을 따라 제2내부전극(112a)과 대향하여 접촉하도록 연장되는 제3부분(115c)을 포함할 수 있다.
이를 통해, 상기 방전물질층(115a,115b,115c)은 상기 공극형성부재(115)의 내벽뿐만 아니라 상기 공극형성부재(115)의 상부단과 하부단으로부터 상기 제2부분(115b) 및 제3부분(115c)이 각각 연장되도록 형성됨으로써 상기 제1내부전극(111a) 및 제2내부전극(112a)과의 접촉면적을 넓힐 수 있도록 한다.
이러한 구성에 의해, 상기 방전물질층(115a,115b,115c)을 구성하는 성분의 일부가 정전기 스파크에 의해 기화됨에 따라 방전물질층(115a,115b,115c)의 일부가 손상되더라도 상기 방전물질층(115a,115b,115c)이 제 기능을 수행할 수 있도록 함으로써, 정전기에 대한 내성을 향상시킬 수 있다.
한편, 상기 방호시트층(113)은 복수의 공극형성부재(115)가 구비될 수도 있다. 이와 같이, 상기 공극형성부재(115)의 개수가 증가되면, 정전기의 방전 경로가 증가됨으로써, 정전기에 대한 내성을 높일 수 있다.
상기 제1시트층(111) 및 제2시트층(112) 사이에 배치되는 방호시트층(113)은 상기 제1시트층(111) 및 제2시트층(112)과 동일한 면적을 갖도록 구비될 수도 있지만, 서로 대응되는 제1내부전극(111a) 및 제2내부전극(112a)이 겹쳐지는 면적을 포함하고 상기 제1시트층(111) 및 제2시트층(112)보다 좁은 면적을 갖도록 구비될 수도 있음을 밝혀둔다.
한편, 상술한 감전보호부(110)와 커패시터부(120a,120b)는 전기적으로 서로 병렬적으로 접속되도록 제1 소체의 일측에 제2 소체가 배치되어 감전보호소자를 구현할 수 있다. 상기 제2 소체는 도 1 내지 도 3과 같이 제1 커패시터부(120a)의 제1 소체 및 제2 커패시터부(120b)의 제2 소체 사이에 개재되도록 배치될 수 있고, 이때 상기 감전보호부(110)의 내부전극(111a,112a)과 커패시터부(120a,120b)의 커패시터전극(121a,122a,123a,124a,125a,126a,127a,128a)은 적층된 제1 소체 및 제2 소체의 양단에 구비되는 외부전극(131,132)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 외부전극(131, 132)은 전자장치의 인체 접촉가능한 전도체와 상기 내장회로부 각각 전기적으로 연결됨으로써 감전보호부 및 커패시터부는 전기적으로 병렬로 접속될 수 있다.
한편, 상기 감전보호부(110)와 커패시터부(120a,120b)에 포함된 전극은 서로 상이한 전극 간격, 전극길이 및/또는 전극 폭으로 구성될 수 있다.
즉, 서로 대향하여 배치된 한 쌍의 내부전극(111a,112a) 사이의 간격은 커패시터 전극(121a,122a,123a,124a,125a,126a,127a,128a) 사이의 간격과 동일할 수 있다.
이때, 감전보호부(110)와 커패시터부(120a,120b) 사이의 간격은 한 쌍의 내부전극(111a,112a) 사이의 간격보다 클 수 있다.
즉, 상기 한 쌍의 내부전극(111a,112a)을 따라 흐르는 정전기 또는 누설전류가 인접한 커패시터 전극으로 누설되지 않도록 내부전극(111a,112a)과 충분한 간격을 확보하는 것이 바람직하다. 이때, 상기 커패시터부(120a,120b)과 상기 감전보호부(110) 사이의 거리는 15~100㎛일 수 있으며, 상기 한 쌍의 내부전극(111a,112a) 사이의 간격보다 2배이상 큰 것이 바람직하다. 예를 들면, 상기 한 쌍의 내부전극(111a,112a) 사이의 간격이 10㎛인 경우, 상기 커패시터부(120a,120b)과 상기 감전보호부(110) 사이의 거리는 20㎛이상일 수 있다. 여기서, 상기 커패시터부와 감전보호부 사이의 거리란 도 3을 참고로 설명하면, 커패시터부(120a)에 포함된 복수개의 커패시트 전극 중 감전보호부(110)와 가장 인접하도록 위치하는 커패시터 전극(121a)과 감전보호부(110)에 구비되는 내부전극 중 가장 인접한 내부전극(112a)간의 거리를 의미한다.
한편, 상술한 감전보호부(110) 및 커패시터부(220)는 각각에 포함된 소체가 단층의 시트층이 적층된 후 소결되어 형성되는 경우 제1 소체를 형성하는 복수개의 시트층을 적층시키고, 그 상부에 제2 소체를 형성하는 복수개의 시트층을 적층 후, 제2 소체의 상부에 다시 제1 소체를 형성시키는 복수개의 시트층을 적층시켜 최종 소결 후 제1 소체와 제2 소체가 일체화된 감전보호소자를 구현할 수 있다. 또는 각각 소결되어 형성된 제1 소체와 제2 소체가 목적하는 배치로 적층되어 감전보호소자를 형성할 수 있는 등 본 발명은 감전보호소자의 형성방법에 대해 특별히 한정하지 않는다.
이와 같은 감전보호소자(100)는 도 4a에 도시된 바와 같이, 휴대용 전자장치(10)에서, 외장 메탈 케이스와 같은 전도체(12)와 회로부(14) 사이에 배치될 수 있다.
여기서, 상기 휴대용 전자장치(10)는 휴대가 가능하고 운반이 용이한 휴대용 전자기기의 형태일 수 있다. 일례로, 상기 휴대용 전자장치는 스마트폰, 셀룰러폰 등과 같은 휴대단말기일 수 있으며, 스마트 워치, 디지털 카메라, DMB, 전자책, 넷북, 태블릿 PC, 휴대용 컴퓨터 등일 수 있다. 이러한 전자장치들은 외부기기와의 통신을 위한 안테나 구조들을 포함하는 임의의 적절한 전자 컴포넌트들을 구비할 수 있다. 더불어, 와이파이 및 블루투스와 같은 근거리 네트워크 통신을 사용하는 기기일 수 있다.
이와 같은 휴대용 전자장치(10)는 금속(알루미늄, 스테인리스 스틸 등)과 같은 도전성 재료들, 또는 탄소-섬유 합성 재료 또는 기타 섬유 계열 합성물들, 유리, 세라믹, 플라스틱 및 이들을 조합한 재료로 이루어진 외부 하우징을 포함할 수 있다.
이때, 휴대용 전자장치(10)의 하우징은 금속으로 이루어지고 외부로 노출되는 전도체(12)를 포함할 수 있다. 여기서, 상기 전도체(12)는 상기 전자장치와 외부기기의 통신을 위한 안테나, 메탈 케이스, 및 도전성 장신구 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
특히, 상기 메탈 케이스는 상기 휴대용 전자장치(10)의 하우징의 측부를 부분적으로 둘러싸거나 전체적으로 둘러싸도록 구비될 수 있다. 또한, 상기 메탈 케이스는 상기 전자장치의 하우징의 전면 또는 후면에 외부로 노출되도록 구비되는 카메라를 둘러싸도록 구비될 수 있다.
이와 같이, 감전보호소자(100)는 누설전류 및 정전기로부터 내부의 회로를 보호하기 위해 휴대용 전자장치(10)의 인체 접촉가능한 전도체(12)와 회로부(14) 사이에 배치될 수 있다.
이와 같은 감전방지소자(100)는 상기 휴대용 전자장치(10)의 하우징에 구비되는 메탈 케이스의 개수에 맞춰 적절하게 구비될 수 있다. 다만, 상기 메탈 케이스가 복수개로 구비되는 경우 각각의 메탈 케이스(12a,12b,12c,12d)는 모두 감전방지소자(100)가 개별적으로 연결되도록 상기 휴대용 전자장치(10)의 하우징에 내장될 수 있다.
즉, 도 4a에 도시된 바와 같이 상기 휴대용 전자장치(10)의 하우징의 측부를 둘러싸는 메탈 케이스와 같은 전도체(12)가 세 부분으로 이루어지는 경우 각각의 전도체(12a,12b,12c,12d)는 모두 감전방지소자(100)와 연결됨으로써 누설전류 및 정전기로부터 상기 휴대용 전자장치(10) 내부의 회로를 보호할 수 있다.
이때, 상기 감전방지소자(100)는 복수의 메탈 케이스(12a,12b,12c,12d)가 구비되는 경우 상기 메탈 케이스(12a,12b,12c,12d)의 해당 역할에 맞게 다양한 방식으로 구비될 수 있다.
일례로, 상기 휴대용 전자장치(10)의 하우징에 외부로 노출되는 카메라가 구비되는 경우 상기 카메라를 둘러싸는 전도체(12d)에 상기 감전방지소자(100)가 적용되는 경우, 상기 감전방지소자(100)는 누설전류를 차단하고 정전기로부터 내부회로를 방호하는 형태로 구비될 수 있다.
또한, 상기 메탈 케이스(12b)가 그라운드 역할을 수행하는 경우 상기 감전방지소자(100)는 상기 메탈 케이스(12b)와 연결되어 누설전류를 차단하고 정전기로부터 내부회로를 보호하는 형태로 구비될 수 있다.
한편, 도 4b에 도시된 바와 같이, 감전보호소자(100)는 메탈 케이스(12')와 회로기판(14') 사이에 배치될 수 있다. 이때, 감전보호소자(100)는 정전기를 자체 파손 없이 통과시키기 위한 것이기 때문에, 회로기판(14')은 정전기를 접지로 바이패스하기 위한 별도의 보호소자(16)를 구비할 수 있다. 여기서, 보호소자(16)는 써프레서 또는 바리스터일 수 있다.
도 4c에 도시된 바와 같이, 감전보호소자(100)는 메탈 케이스(12')와 FFM(front End Module)(14a) 사이에서 정합회로(예를 들면, R 및 L 성분)를 통하여 배치될 수 있다. 여기서 메탈 케이스(12')는 안테나일 수 있다. 이때, 감전보호소자(100)는 통신 신호를 감쇄없이 통과시키는 동시에 메탈 케이스(12')로부터의 정전기를 통과시키고, 정합회로를 통하여 접지로부터 유입되는 누설전류를 차단시키기 위한 것이다.
도 4d에 도시된 바와 같이, 감전보호소자(100)는 안테나가 구비된 메탈 케이스(12')와 해당 안테나를 통한 통신 기능을 구현하는 IC(14c) 사이에 배치될 수 있다. 여기서, 해당 통신 기능은 NFC 통신일 수 있다. 이때, 감전보호소자(100)는 정전기를 자체 파손 없이 통과시키기 위한 것이기 때문에, 정전기를 접지로 바이패스하기 위한 별도의 보호소자(16)를 구비할 수 있다. 여기서, 보호소자(16)는 써프레서 또는 바리스터일 수 있다.
도 4e에 도시된 바와 같이, 감전보호소자(100)는 PIFA(Planar Inverted F Antenna) 안테나(20)의 쇼트 핀(short pin)(22)과 매칭회로 사이에 배치될 수 있다. 이때, 감전보호소자(100)는 통신 신호를 감쇄없이 통과시키는 동시에 메탈 케이스(12')로부터의 정전기를 통과시키고, 정합회로를 통하여 접지로부터 유입되는 누설전류를 차단시키기 위한 것이다.
이러한 감전보호소자(100)는, 도 5a 내지 도 5c에 도시된 바와 같이, 외부전원에 의한 누설전류, 및 전도체(12)로부터 유입되는 정전기에 따라 상이한 기능을 가질 수 있다.
즉, 도 5a에 도시된 바와 같이, 회로부(14)의 회로기판, 예를 들면, 접지를 통하여 외부전원의 누설전류가 전도체(12)로 유입되는 경우, 감전보호소자(100)는 그 항복전압(Vbr)이 누설전류에 의한 과전압에 비하여 크기 때문에, 오픈 상태로 유지될 수 있다. 즉, 감전보호소자(100)는 그의 항복전압(Vbr)이 휴대용 전자장치의 외부전원의 정격전압보다 크기 때문에, 전기적으로 도통되지 않고 오픈 상태를 유지하여 메탈 케이스 등과 같은 인체접착 가능한 전도체(12)로 누설전류가 전달되는 것을 차단할 수 있다.
이때, 감전보호소자(100) 내에 구비된 커패시터부(120a,120b)은 누설전류에 포함된 DC 성분을 차단할 수 있고, 누설 전류가 무선통신 대역에 비하여 상대적으로 낮은 주파수를 갖기 때문에, 해당 주파수에 대하여 큰 임피던스로 작용함으로써 누설전류를 차단할 수 있다.
결과적으로, 감전보호소자(100)는 회로부(14)의 접지로부터 유입되는 외부전원에 누설전류를 차단하여 사용자를 감전으로부터 보호할 수 있다.
또한, 도 5b에 도시된 바와 같이, 전도체(12)를 통하여 외부로부터 정전기가 유입되면, 감전보호소자(100)는 써프레서와 같은 정전기 보호 소자로서 기능한다. 즉, 감전보호소자(100)는 정전기 방전을 위한 써프레서의 동작 전압(방전 개시 전압)이 정전기의 순간 전압보다 작기 때문에, 순간 방전에 의해 정전기를 통과시킬 수 있다. 결과적으로, 감전보호소자(100)는 전도체(12)로부터 정전기 유입시 전기적 저항이 낮아져 자체가 절연파괴되지 않고 정전기를 통과시킬 수 있다.
이때, 감전보호소자(100) 내에 구비된 커패시터부(120a,120b)은 그 절연파괴 전압(Vcp)이 감전보호부(110)의 항복전압(Vbr)보다 크기 때문에, 정전기는 커패시터부(120a,120b)으로 유입되지 않고, 감전보호부(110)로만 통과될 수 있다.
여기서, 회로부(14)는 정전기를 접지로 바이패스하기 위한 별도의 보호소자를 구비할 수 있다. 결과적으로, 감전보호소자(100)는 전도체(12)로부터 유입되는 정전기에 의해 절연파괴되지 않고 정전기를 통과시켜, 후단의 내부 회로를 보호할 수 있다.
또한, 도 5c에 도시된 바와 같이, 전도체(12)를 통하여 통신 신호가 유입되는 경우, 감전보호소자(100)는 커패시터로서 기능한다. 즉, 감전보호소자(100)는 감전보호부(110)가 오픈 상태로 유지되어 전도체(12)와 회로부(14)를 차단하지만, 내부의 커패시터부(120a,120b)이 유입된 통신 신호를 통과시킬 수 있다. 이와 같이, 감전보호소자(100)의 커패시터부(120a,120b)은 통신 신호의 유입 경로를 제공할 수 있다.
여기서, 상기 커패시터부(120a,120b)의 커패시턴스는 주요 무선 통신 대역의 통신 신호를 감쇄없이 통과시킬 수 있도록 설정되는 것이 바람직하다. 도 6a 및 도 6b에 도시된 바와 같이, 커패시턴스에 따른 통과 주파수 대역을 시뮬레이션한 결과에 따르면, 유전율이 40 인 제1 소체를 포함하는 5㎊ 이상의 커패시턴스에 대하여 모바일 무선 통신 주파수 대역(700㎒ 내지 2.6㎓)에서 실질적으로 거의 손실 없이 전달되어 전기적으로 쇼트 현상을 나타낸다.
그러나, 도 6b에 도시된 바와 같이, 미세한 영향을 살펴보면, 대략 20pF 이상, 바람직하게는 30㎊ 이상의 커패시턴스에서 통신시 수신감도의 영향을 거의 받지 않음을 알 수 있고, 따라서, 상기 커패시터부의 커패시턴스는 모바일 무선 통신 주파수 대역에서는 20F 이상의 높은 정전용량을 구현하기에 보다 용이하도록 유전율이 20 이상인 소체를 포함하는 커패시터를 이용하는 것이 바람직하다.
결과적으로, 감전보호소자(100)는 상기 커패시터부(120a,120b)의 높은 커패시턴스에 의해 전도체(12)로부터 유입되는 통신 신호를 감쇄없이 통과시킬 수 있다.
이하, 도 7 내지 도 12를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 감전보호소자의 다양한 구현예를 더 상세하게 설명한다.
상기 감전보호소자(100)는 상기 제2 소체에서 내부전극을 구성하는 상기 제1내부전극(111a) 및 제2내부전극(112a)은 다양한 형상 및 패턴으로 구비될 수 있으며, 상기 제1내부전극(111a)과 제2내부전극(112a)은 동일한 패턴으로 구비될 수도 있고 서로 다른 패턴을 갖도록 구비될 수도 있다.
일례로, 도 7a에 도시된 바와 같이, 일정길이를 갖는 바형상의 제1내부전극(111a)의 양단부 측에 한 쌍의 제2내부전극(112a)의 단부가 서로 겹쳐지도록 구비되고, 내벽에 방전물질층이 도포된 공극형성부재(115)가 겹쳐지는 영역에 한 개가 배치될 수도 있다.
또한, 도 7b에 도시된 바와 같이 상기 제1내부전극(111a) 및 제2내부전극(112a)이 대략 'Y'자 형상으로 구비되어 2부분이 서로 겹쳐지도록 구비되고 서로 겹쳐지는 부분에 내벽에 방전물질층이 도포된 공극형성부재(115)가 하나씩 겹쳐지는 영역에 각각 배치될 수도 있다.
더불어, 도 7c에 도시된 바와 같이 상기 제1내부전극(111a)은 일정길이를 갖는 바형상으로 2개로 구비되고 제2내부전극(112a)은 대략 'Y'자 형상으로 2개로 구비되어 4부분이 서로 겹쳐지도록 배치되며, 내벽에 방전물질층이 도포된 공극형성부재(115)가 서로 겹쳐지는 4부분에 각각 배치될 수도 있다.
또한, 도 7d에 도시된 바와 같이 상기 제1내부전극(111a) 및 제2내부전극(112a)은 각각 일정길이를 갖는 바형상으로 구비되고 서로 겹쳐지는 영역에 내벽에 방전물질층이 도포된 두 개의 공극형성부재(115)가 일정간격 이격배치될 수도 있다.
더불어, 도 7e에 도시된 바와 같이 상기 제1내부전극(111a)은 일정길이를 갖는 하나의 바형상으로 구비되고, 상기 제2내부전극(112a)은 일정길이를 갖는 두 개의 바형상으로 구비되어 상기 제1내부전극(111a)의 양 단부측에 일부가 겹쳐지도록 배치되고, 상기 겹쳐지는 영역에 두 개씩의 방전물질층이 도포된 공극형성부재(115)가 배치될 수도 있다
이와 같이 상기 제1내부전극(111a) 및 제2내부전극(112a)이 다양한 형상과 패턴으로 구비될 수 있으며, 적층시 상기 제1내부전극(111a)과 제2내부전극(112a)의 일부가 서로 겹쳐지도록 배치되면 무방함을 밝혀둔다.
다른 실시예로서, 도 8a 내지 도 8d에 도시된 바와 같이, 감전보호소자(100)는 상기 감전보호소자(100) 및 상기 커패시터부(120a,120b)가 다양한 방식으로 적층될 수 있다.
즉, 도 8a에 도시된 바와 같이, 상기 커패시터부(120a)은 감전보호부(110)의 상부측에만 적층될 수 있으며, 도 8b에 도시된 바와 같이, 감전보호부(110)의 하부측에만 적층될 수도 있다.
더불어, 상기 감전보호부(110)는 복수 개로 구비될 수 있다. 예를 들면, 도 8c에 도시된 바와 같이, 상기 복수의 감전보호부(110) 사이에 각각의 커패시터부(120a,120b)가 배치될 수도 있으며, 도 8d에 도시된 바와 같이, 두 개의 커패시터부(120a,120b)가 감전보호부(110)를 기준으로 대칭적으로 배열되고, 상기 감전보호부(110)에 복수의 공극형성부재(115)가 구비될 수도 있다.
즉, 본 발명에 따른 감전보호소자(100)는 복수의 커패시터부가 상기 감전보호부(110)를 기준으로 대칭적으로 구비될 수도 있고, 비대칭적으로 구비될 수도 있으며, 복수의 커패시터부 사이에 복수의 감전보호부(110)가 배치되도록 구성될 수도 있음을 밝혀둔다.
이와 같이, 상기 감전보호소자(100)를 구성하기 위한 커패시터부(120a,120b) 및 감전보호부(110)의 개수는 제한되지 않으며 원하는 정전용량에 따라 다양한 개수로 구비될 수 있으며, 감전보호부(110) 및 커패시터부(120a,120b)의 적층관계 역시 다양하게 변경될 수 있음을 밝혀둔다.
다른 실시예로서, 도 9a 내지 도 9g에 도시된 바와 같이, 감전보호소자(100')는 상기 제1 소체 및/또는 제2 소체를 각각 이루는 복수의 시트층이 이종의 세라믹재료로 이루어질 수 있다.
구체적으로 설명하면, 커패시터부(120a,120b)의 제1 소체를 형성시키는 복수의 시트층 중 적어도 하나의 시트층은 제1세라믹재료(A)를 사용하고, 나머지 시트층은 제2세라믹재료(B)를 사용할 수 있다.
이때, 제1세라믹재료 및 제2세라믹재료는 이종의 세라믹재료일 수 있다. 여기서, '이종'의 의미는 화학식이 서로 상이하거나 화학식이 서로 동일하더라도 물성이 서로 상의함을 의미한다.
즉, 제1세라믹재료 및 제2세라믹재료는 상술한 제1 소체에서의 유전체의 종류일 수 있다. 일예로, 제1세라믹재료는 Er2O3, Dy2O3, Ho2O3, V2O5, CoO, MoO3, SnO2, BaTiO3, Nd2O3 중 선택된 1종 이상을 포함하는 금속계 산화 화합물로 이루어지고, 제2세라믹재료는 페라이트로 이루어질 수도 있으며, 제1세라믹재료는 저온동시소성세라믹(LTCC)으로 이루어지고 제2세라믹재료는 고온동시소성세라믹(HTCC)으로 이루어질 수도 있다.
또한, 제1세라믹재료 및 제2세라믹재료는 Er2O3, Dy2O3, Ho2O3, V2O5, CoO, MoO3, SnO2, BaTiO3, Nd2O3 중 선택된 1종 이상을 포함하는 금속계 산화 화합물 중 각각 택일된 하나로 이루어질 수 있으며, 페라이트 중 각각 선택된 하나로 이루어질 수도 있다.
즉, 제1세라믹재료 및 제2세라믹재료는 금속계 산화 화합물, 페라이트, 저온동시소성세라믹(LTCC) 및 고온동시소성세라믹(HTCC) 중에서 상호 조합된 다양한 형태로 이루어질 수도 있으며, 이종의 세라믹 재료는 소성 또는 경화를 통해 상호 접합된다.
한편, 본 발명의 일실시예에 따른 감전보호소자(100')에서 이종의 세라믹재료로 이루어지는 커패시터부(120a,120b)는 이종의 제1세라믹재료 및 제2세라믹재료가 감전보호부(110)를 기준으로 다양한 방식으로 배치될 수 있다.
도 9a에 도시된 바와 같이 감전보호부(110)의 상/하에 접합되는 커패시터부(120a,120b)는 제1세라믹재료(A)로 이루어지고, 감전보호소자(100')의 최상층 및 최하층에 위치한 커패시터부(120a,120b)은 제2세라믹재료(B)로 이루어질 수 있다.
이하에서, 설명의 편의상 제2세라믹재료가 이종의 재료인 것으로 정의하기로 한다.
도 9a 내지 도 9g에 제1세라믹재료와 제2세라믹재료의 다양한 배치 관계가 도시되어 있다. 빗금치지 않은 부분(A)은 시트가 제1세라믹재료로 이루어진 것을 의미하며, 도면에서 빗금친 부분(B)은 시트가 제2세라믹재료로 이루어진 것을 의미한다. 즉, 9a 내지 도 9g에서 도면부호 A 및 B는 시트의 재료를 지칭함을 밝혀둔다.
구체적으로 설명하면, 커패시터부(120a,120b)를 구성하는 복수개의 시트층 전체가 제1세라믹재료(A) 또는 제2세라믹재료(B) 중 하나로 이루어질 수 있다.
또한, 커패시터부(120a,120b)를 구성하는 복수의 시트층 중 일부 시트층은 제1세라믹 재료(A)로 이루어지고, 커패시터부(120a,120b)를 구성하는 복수의 시트층 중 나머지 시트층은 이종의 제2세라믹재료(B)로 이루어질 수도 있다.
한편, 상기 감전보호부(110) 및 커패시터부(120a,120b)의 사이에는 도 9b에 도시된 바와 같이, 적어도 하나의 중간시트층(141,142)이 배치될 수 있으며, 상기 중간시트층(141,142)은 상기 커패시터부(120a,120b)과 동일한 제2세라믹재료(B)로 이루어질 수 있다. 여기서, 상기 중간시트층(141,142)은 별도의 시트층으로 구비될 수도 있지만, 상기 커패시터부(120a,120b)의 최하층 또는 최상층에 배치되는 시트층의 두께가 다른 시트층보다 상대적으로 더 큰 두께를 갖도록 구비되는 형태일 수도 있다.
또한, 도 9c에 도시된 바와 같이, 상기 커패시터부(120a,120b)는 이종의 세라믹 재료인 제1세라믹재료(A)로 이루어지고, 상기 방호시트층(119)은 제2세라믹재료(B)로 이루어질 수 있다.
이때, 상기 감전보호부(110) 및 커패시터부(120a,120b) 사이에는 도 9d에 도시된 바와 같이, 적어도 하나의 중간시트층(141,142)이 배치될 수 있으며, 상기 중간시트층(141,142)은 상기 방호시트층(119)과 동일한 제2세라믹재료(B)로 이루어질 수 있다. 여기서, 상기 중간시트층(141,142)은 별도의 시트로 구비될 수도 있지만, 상기 커패시터부(120a,120b)의 최하층 또는 최상층에 배치되는 시트의 두께가 다른 시트보다 상대적으로 더 큰 두께를 갖도록 구비되는 형태일 수도 있다.
도 9e 및 도 9f에 도시된 바와 같이, 상기 커패시터부(120a,120b)를 구성하는 복수의 시트층 중 일부 시트층은 이종의 재료인 제1세라믹재료(A)로 이루어지고, 상기 커패시터부(120a,120b)를 구성하는 복수의 시트층 중 나머지 시트층과 방호시트층(119)은 제2세라믹재료(B)로 이루어질 수도 있다.
더불어, 도 9g에 도시된 바와 같이, 상기 감전보호부(110) 및 커패시터부(120a,120b)는 제2세라믹 재료(B)로 이루어지고, 상기 감전보호부(110) 및 커패시터부(120a,120b)의 사이에는 이종의 재료인 제1세라믹 재료(A)로 이루어진 적어도 하나의 중간시트층(141,142)이 배치될 수도 있다.
이와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 감전보호소자(100')는 제1세라믹재료(A)와 제2세라믹재료(B)를 각각 선택하고 이종의 세라믹 재료인 제1세라믹재료(A)를 적절한 위치에 배치함으로써 목적하는 20 이상의 유전율을 달성할 수 있도록 고유전율의 재료로 커패시터부(120a, 120b)을 구성하여 원하는 특성을 구현할 수 있을 뿐만 아니라, 요구되는 특성에 맞게 특성변화를 자유롭게 구현할 수 있게 된다.
한편, 도 9c 내지 도 9g에 도시된 바와 같이, 상기 제2 소체를 구성하는 방호시트층(119)은 제2세라믹 재료로 이루어지고, 나머지 부분 중 일부 또는 전부가 이종의 세라믹 재료인 제1세라믹 재료로 구성되는 경우, 상기 제1세라믹 재료는 상기 방호시트층(119)을 기준으로 상,하 방향으로 대칭적으로 배치될 수 있다.
이는, 이종재료인 제1세라믹 재료와 제2세라믹 재료의 접합에 따른 각 재료들의 매칭성을 고려하여, 균일한 수축률 및 구조적인 안정성을 도모할 수 있기 때문이다. 이러한 구조적인 안정성을 통해 감전보호소자의 신뢰성을 개선할 수 있게 된다.
한편, 도면에는 이종의 재료인 제1세라믹 재료가 상기 방호시트층(119)을 기준으로 대칭적으로 구비되는 것으로 도시하고 설명하였지만 이에 한정하는 것은 아니며 상기 방호시트층(119)을 기준으로 비대칭적으로 배치될 수도 있음을 밝혀둔다.
더불어, 이종의 재료인 제1세라믹 재료가 상기 커패시터부(120a,120b)에 부분적으로 사용되는 경우 바리스터 원료 등과 같은 내성을 위주로 하는 제품 및 용량의 세분화를 도모할 수 있게 된다.
여기서, 이종의 재료인 상기 제1세라믹 재료는 요구되는 특성 및 용량에 따라 상기 제1 소체의 전체 두께 대비 적절한 두께로 사용될 수 있음을 밝혀둔다.
다른 실시예로서, 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 감전보호소자는 별도의 공극형성부재를 이용하지 않고, 내부전극(111a,111b) 사이에 방전물질층(145)이 배치될 수 있다.
즉, 이러한 감전보호부(110)는 방호시트층(112)의 상,하부에 한 쌍의 내부전극(111a,111b) 중 적어도 일부가 서로 중첩되도록 배치되고, 상기 한 쌍의 내부전극(111a,111b) 사이에 방전물질층(145)이 배치된다. 여기서, 상기 한 쌍의 내부전극(111a,111b)은 상기 방호시트층(112)의 상,하부면에 직접 구비될 수도 있지만, 상기 방호시트층(112)의 상,하부에 적층되는 시트에 구비될 수도 있음을 밝혀둔다.
예를 들면, 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 한 쌍의 내부전극(111a,111b)은 일부가 서로 중첩되도록 배치되며, 제1내부전극(111a)과 제2내부전극(111b)의 중첩되는 공극 사이에 내부가 채워진 방전물질층(145)이 배치된다.
구체적으로, 제1내부전극(111a)과 제2내부전극(111b)은 상기 방호시트층(112)을 통해 상,하로 일정간격 이격되고 제1내부전극(111a)과 제2내부전극(111b)의 일부가 서로 간격을 가지고 중첩되게 배치된 형상이며, 상기 제1내부전극(111a) 및 제2내부전극(111b)이 서로 중첩된 영역에 방전물질층(155)이 배치된다.
다른 실시예로서, 도 11a 내지 도 11d에 도시된 바와 같이, 감전보호소자(100")는 별도의 공극형성부재를 이용하지 않고, 내부전극(111a,112a) 사이에 공극(154)이 형성될 수 있다. 이때, 공극(154)의 측벽은 방전물질층(155)을 구비할 수 있다.
즉, 감전보호소자(100")는 서로 마주하는 한 쌍의 내부전극(111a,112a) 사이에 방호시트층(113)이 배치되고, 상기 방호시트층(113)을 관통하는 적어도 하나의 관통홀(154)을 갖는 형태로 구성될 수 있다. 여기서, 상기 관통홀(154)은 상기 방호시트층(113)을 기준으로 상, 하부에 각각 배치되는 한 쌍의 내부전극(111a)(112a)이 서로 겹쳐지는 영역에 위치하도록 형성된다.
구체적으로 설명하면, 감전보호소자(100")는 도 11a에 도시된 바와 같이, 하부면에 제1내부전극(111a)이 구비되는 제1시트층(111)과, 상부면에 제2내부전극(112a)이 구비되는 제2시트층(112)이 서로 적층되며, 상기 제1시트층(111) 및 제2시트층(112)의 사이에는 적어도 하나의 관통홀(154)을 갖는 방호시트층(113)이 배치된다.
상기 제1내부전극(111a) 및 제2내부전극(112a)이 서로 마주할 수 있도록 제1시트층(111), 방호시트층(113) 및 제2시트층(112)을 순차적으로 적층한다.
이에 따라, 상기 제1내부전극(111a) 및 제2내부전극(112a)은 서로 마주하도록 배치된 후 상기 방호시트층(113)에 의해 서로 일정간격 이격배치되며, 서로 대향하는 중첩영역에 상기 관통홀(154)이 배치된다.
이때, 상기 제1내부전극(111a) 및 제2내부전극(112a)의 중첩영역에 배치되는 관통홀(154)은 다양한 형태로 구비될 수 있다.
한편, 상기 한 쌍의 외부전극(131,132)이 도 11a에 도시된 바와 같이, 상기 소체의 상부면과 하부면을 일부 덮도록 상부단과 하부단으로부터 수평한 방향으로 연장되는 대략 'ㄷ'자 형상의 단면을 갖도록 구비되는 경우 복수의 시트층 중 최상층 및 최하층에 구비되는 내부전극과 외부전극 중 수평한 방향으로 연장되는 부분과의 간격(d3)은 적어도 15㎛의 거리를 갖도록 구비되며, 15~100㎛의 범위의 거리를 갖도록 구비될 수 있다.
이때, 감전보호소자(100")는 도 11b에 도시된 바와 같이, 감전보호부(110)와 커패시터부(120a,120b)가 서로 다른 전극 간격 및 전극 폭으로 구성될 수 있다.
즉, 서로 대향하여 배치된 한 쌍의 내부전극(111a,112a) 사이의 간격(d4)은 커패시터 전극(121a,122a,123a,124a,125a,126a,127a,128a) 사이의 간격(d1)과 동일할 수 있다.
이때, 감전보호부(110)와 커패시터부(120a,120b) 사이의 간격(d5)은 한 쌍의 내부전극(111a,112a) 사이의 간격(d4)보다 클 수 있다.
즉, 상기 한 쌍의 내부전극(111a,112a)을 따라 흐르는 정전기 또는 누설전류가 인접한 커패시터 전극으로 누설되지 않도록 내부전극(111a,112a)과 충분한 간격을 확보하는 것이 바람직하다. 이때, 상기 커패시터부(120a,120b)과 상기 감전보호부(110) 사이의 거리는 15~100㎛일 수 있으며, 상기 한 쌍의 내부전극(111a,112a) 사이의 간격보다 2배이상 큰 것이 바람직하다. 예를 들면, 상기 한 쌍의 내부전극(111a,112a) 사이의 간격이 10㎛인 경우, 상기 커패시터부(120a,120b)과 상기 감전보호부(110) 사이의 거리는 20㎛ 이상일 수 있다.
또한, 한 쌍의 내부전극(111a,112a)이 서로 중첩되는 폭(w1)은 커패시터 전극이 서로 중첩되는 폭(w2)보다 작다. 여기서, 한 쌍의 내부전극(111a,112a)의 두께는 커패시터 전극의 두께(t)보다 작을 수 있다.
이때, 제1 소체 및/또는 제2 소체는 Ti, Zn, Ce, Nd, Bi 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
한편, 한 쌍의 내부전극(111a,112a) 사이에 형성된 공극에 방전물질층이 도포되는 경우, 상기 방전물질층은 Ti, Ni, Zn, Co, Tc, Zr, La, Nd, Pt 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
한편, 상기 감전보호부(110)는 도 11c에 도시된 바와 같이 관통홀(154)의 내벽에 높이방향을 따라 일정 두께로 도포되는 방전물질층(155)이 구비될 수도 있으며, 도 11d에 도시된 바와 같이 충진재(156)가 채워질 수도 있다.
이와 같은 감전보호소자(100")는 상기 커패시터부(120a,120b)가 상기 감전보호부(110)를 중심으로 다양한 방식으로 적층될 수 있다.
즉, 상기 커패시터부(120a,120b)는 복수의 시트층(121,122,123,124,125,126)이 적층되어 구성되고, 도 12a에 도시된 바와 같이, 상기 감전보호부(110)의 상부측에만 적층될 수 있으며, 도 12b에 도시된 바와 같이, 상기 감전보호부(110)의 하부측에만 적층될 수도 있다.
더불어, 도 12c에 도시된 바와 같이 상기 감전보호부(110)가 서로 다른 층에 복수개로 구비되고, 상기 복수의 감전보호부(110) 사이에 각각의 커패시터부(120a,120b)가 배치될 수도 있다.
또한, 도 12d에 도시된 바와 같이, 감전보호부(110)가 동일한 시트층에 복수의 관통홀(154)을 갖는 형태로 구비되고, 단층의 시트로 이루어진 커패시터부(121,125)가 감전보호부(110)의 상, 하부에 대칭적으로 배열될 수도 있다.
상기 감전보호소자(100")는 상기 소체에서 내부전극을 구성하는 상기 제1내부전극(111a) 및 제2내부전극(112a)은 다양한 형상 및 패턴으로 구비될 수 있으며, 상기 제1내부전극(111a)과 제2내부전극(112a)은 동일한 패턴으로 구비될 수도 있고 서로 다른 패턴을 갖도록 구비될 수도 있다.
일례로, 도 13a에 도시된 바와 같이 일정길이를 갖는 바형상의 제2내부전극(112a)의 상부 측에 한 쌍의 제1내부전극(111a)의 단부가 서로 겹쳐지도록 구비되고, 상기 관통홀(154)이 겹쳐지는 영역에 한 개가 배치될 수도 있고, 도 13b에 도시된 바와 같이, 제1내부전극(111a) 및 제2내부전극(112a)이 대략 'Y'자 형상으로 구비되어 2부분이 서로 겹쳐지도록 구비되고, 서로 겹쳐지는 부분에 상기 관통홀(154)이 하나씩 겹쳐지는 영역에 각각 배치될 수도 있다.
더불어, 도 13c에 도시된 바와 같이 상기 제2내부전극(112a)은 일정길이를 갖는 바형상으로 2개로 구비되고, 제1내부전극(111a)은 대략 'Y'자 형상으로 2개로 구비되어 4부분이 서로 겹쳐지도록 배치되며, 상기 관통홀(154)이 서로 겹쳐지는 4부분에 각각 배치될 수도 있다.
또한, 도 13d에 도시된 바와 같이 상기 제1내부전극(111a) 및 제2내부전극(112a)은 각각 일정길이를 갖는 바형상으로 구비되고 서로 겹쳐지는 영역에 관통홀(154)이 일정간격 이격배치될 수도 있다.
더불어, 도 13e에 도시된 바와 같이 상기 제2내부전극(112a)은 일정길이를 갖는 하나의 바형상으로 구비되고, 상기 제1내부전극(111a)은 일정길이를 갖는 두 개의 바형상으로 구비되어 상기 제2내부전극(112a)의 양 단부측에 일부가 겹쳐지도록 배치되고, 상기 겹쳐지는 영역에 두 개씩의 관통홀(154)이 배치될 수도 있다.
이와 같이 상기 제1내부전극(111a) 및 제2내부전극(112a)은 다양한 형상과 패턴으로 구비될 수 있으며, 적층시 상기 제1내부전극(111a)과 제2내부전극(112a)의 일부가 서로 겹쳐지도록 배치되면 무방함을 밝혀둔다.
다른 실시예로서, 도 14에 도시된 바와 같이, 감전보호소자(200)는 일정 간격 이격되어 수평으로 배치된 한 쌍의 내부전극(114a,114b)을 포함할 수 있다. 즉, 적어도 한 쌍의 시트층(111,112)의 내부에는 내부전극(114a,114b)이 공극을 형성하도록 서로 이격 배치된다. 바람직하게는 상기 한 쌍의 내부전극(114a,114b)은 동일 평면상에서 평행한 방향으로 일정간격 이격배치된다.
여기서, 한 쌍의 내부전극(114a,114b) 사이에는 공극(164)이 형성될 수 있다. 여기서, 공극(164)은 한 쌍의 내부전극(114a,114b)의 높이보다 큰 높이로 형성될 수 있고, 한 쌍의 내부전극(114a,114b)의 간격보다 큰 너비로 형성될 수 있다. 이와 같이, 공극(164)의 체적이 확장되면, 정전기에 의한 방전시 내부전극(114a,114b)으로부터 미세한 파티클이 발생하더라도 내부전극(114a,114b) 사이의 공간이 넓기 때문에 파티클에 의해 발생할 수 있는 결함의 발생률을 감소시킬 수 있다. 이때, 상기 공극은 정전기 유입시 한 쌍의 내부전극(114a,114b)에 의해 방전이 개시되는 공간으로서, 상기 공극의 체적은 정전기에 대한 내성을 만족하도록 설정하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 상기 공극의 체적은 상기 감전보호소자(100)의 총 체적 대비 1-15% 일 수 있다. 여기서, 상기 공극의 체적이 감전보호소자(200)의 총 체적 대비 1%미만이면, 한 쌍의 내부전극(214a,214b) 사이의 쇼트가 발생할 수 있고, 정전기에 대한 내성이 악화될 수 있다. 또한, 상기 공극의 체적이 감전보호소자(200)의 총 체적 대비 15%를 초과하면, 감전보호소자(200)의 전체 부피가 증가하고, 기계적 강도가 낮아지며, 소성시 변형에 의해 뒤틀림이나 함몰이 발생할 수 있다.
구체적으로 설명하면, 상기 한 쌍의 내부전극(114a,114b)은 상기 제1시트층(111)의 상부면에 간극을 형성하도록 상호 이격배치된다. 여기서, 상기 한 쌍의 내부전극(114a,114b) 사이의 간극은 10~100㎛일 수 있다. 이와 같은 한 쌍의 내부전극(114a,114b)은 상기 제1시트층(111)의 상부면에 패턴인쇄된다.
이때, 서로 대응되는 한 쌍의 내부전극(114a,114b) 사이에는 정전기를 방호하고 과전압으로부터 회로 보호 소자 및 주변 회로들을 보호하고 누설전류를 차단하기 위한 공극(164)이 구비된다.
이러한 공극(164)은 동일 평면상에 서로 평행하게 배열되는 상기 한 쌍의 내부전극(114a,114b) 사이에 배치되며 공기가 채워질 수 있도록 중공형으로 구비되며, 상기 공극(164)의 개방된 상부측에 상기 제2시트층(112)이 적층된다.
이와 같은 공극(164)은 복수개로 구비되어 상기 내부전극(114a,114b)의 폭방향을 따라 이격 배치될 수도 있다. 이와 같이, 상기 공극(164)의 개수가 증가되면, 정전기의 방전 경로가 증가됨으로써, 정전기에 대한 내성을 향상시킬 수 있다.
이때, 상기 공극(164)은 상기 제1시트층(111)의 상부면으로부터 상기 내부전극(114a,114b)의 상부단까지의 높이를 초과하는 높이를 갖도록 형성된다. 즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 공극(164)은 내부전극(114a,114b)의 전체높이보다 초과하는 높이를 갖도록 구비됨으로써 전체적인 공극(164)의 체적이 확대될 수 있도록 한다.
이를 통해, 정전기의 방전시 상기 내부전극(114a,114b)으로부터 미세한 파티클이 발생하더라도 넓은 공간을 갖는 공극(164)을 통해 파티클에 의해 발생할 수 있는 결함의 발생률을 감소시킬 수 있다.
이때, 상기 공극(164)은 서로 이격배치되는 한 쌍의 내부전극(114a,114b)의 상부면 또는 하부면 상으로 연장되도록 구비될 수 있다.
더불어, 상기 공극(164)은 한 쌍의 내부전극(114a,114b)의 폭과 동일한 폭으로 구비될 수 있으며, 이때, 상기 공극(164)은 한 쌍의 내부전극(114a,114b)의 두께보다 크게 구비될 수 있다.
이와 같은 공극(164)은 상기 한 쌍의 내부전극(114a,114b) 사이에 공극재가 패턴인쇄된 후 소결과정에서 가해지는 열에 의해 상기 공극재가 제거됨으로써 형성된다. 여기서, 상기 공극재는 제1시트층(111) 및 제2시트층(112)을 적층한 후 소체를 형성하기 위하여 압착하는 과정에서 상기 공극(164)이 압력에 의해 변형되거나 파손되는 것을 방지하기 위하여 사용된다.
이를 위해, 상기 공극재는 고온의 열에 의해 분해될 수 있는 재질로 이루어짐으로써 복수의 시트층을 적층한 후 소성하는 과정에서 제거될 수 있도록 한다. 일례로, 상기 공극재는 200~2000℃ 사이의 온도범위에서 분해되는 재질로 이루어질 수 있다.
이때, 상기 한 쌍의 내부전극(114a,114b)은 다양한 형상 및 패턴으로 구비될 수 있으며, 서로 동일한 패턴으로 구비될 수도 있고, 서로 다른 패턴을 갖도록 구비될 수도 있다.
예를 들면, 서로 대향 배치되는 내부전극(114a,114b)은 다각형, 원형, 타원형, 나선형 및 이들이 조합된 다양한 형상 및 패턴으로 구비될 수 있다. 그리고, 서로 대향되는 내부전극들은 서로 동일한 패턴 및 형상으로 구비될 수도 있고, 다른 패턴 및 형상을 갖도록 구비될 수도 있다.
예를 들면, 상기 한 쌍의 내부전극(114a,114b)은 직사각형의 단면을 갖는 바형상으로 구비될 수 있고, 단부가 사각단면의 모서리를 갖는 대략 'Y'자 형상으로 구비될 수도 있다.
또한, 상기 한 쌍의 내부전극(114a,114b)은 단부가 호의 형상을 갖는 바형상으로 구비될 수도 있으며, 단부가 호의 형상을 갖는 대략 'Y'자 형상으로 구비될 수도 있다.
그러나, 상기 전극의 단면을 이에 한정하는 것은 아니며, 상술한 4개의 형태가 상호 조합된 형태로 구비될 수도 있으며, 서로 마주하는 단부가 원형, 다각형, 파형 및 이들을 조합한 형태로 구비될 수도 있음을 밝혀둔다.
한편, 상기 한 쌍의 내부전극(114a,114b)이 서로 마주하는 단부 사이에는 일정간격 이격되는 간극이 형성되고, 상기 간극의 중심으로 그 부근에 상기 공극(164)이 구비된다. 이때, 상기 공극(164)의 내벽에는 상기 내부전극(114a,114b)의 높이방향을 따라 일정 두께로 도포되는 방전물질층이 구비된다. 이때, 상기 방전물질층은 상기 공극(164)의 내벽에만 구비될 수도 있지만, 상기 공극(164)의 개방된 상부를 덮도록 도포될 수도 있음을 밝혀둔다. 즉, 상기 방전물질층은 상기 공극(164)의 내벽뿐만 아니라 상기 공극(164)의 개방된 상부단을 연결하여 연장될 수 있다.
한편, 상기 소체를 구성하는 제1시트층(111) 및 제2시트층(112)은 제1시트층(111)의 상부에 제2시트층(112)이 직접 적층될 수도 있지만, 상기 제1시트층(111)의 상부면에 형성되는 한 쌍의 내부전극(114a,114b) 및 공극(164)의 높이에 해당하는 별도의 버퍼층이 적층될 수도 있다. 이러한 버퍼층은 내부전극(114a,114b)의 높이 및 공극(164)의 높이에 해당하는 높이편차를 없애주는 역할을 수행한다.
다른 실시예로서, 도 15a 내지 도 15c에 도시된 바와 같이, 상기 감전보호소자(200',200",200"')는 상기 방호시트층(211)의 동일면 상에 한 쌍의 내부전극(211a,211b)이 간극을 형성하도록 서로 이격 배치되며, 상기 한 쌍의 내부전극 사이에 형성되는 공극에 관통홀(164)을 갖는 형태로 구성될 수도 있다.
즉, 상기 관통홀(164)은 동일 평면상에 서로 평행하게 배열되는 한 쌍의 내부전극(211a,211b) 사이에 배치되며 공기가 채워질 수 있도록 중공형으로 구비된다.
한편, 상기 감전보호부(210)를 구성하는 제1내부전극(211a) 및 제2내부전극(211b)이 방호시트층(211)의 동일면상에 일정간격 이격되도록 배치되는 경우, 상기 제1내부전극(211a) 및 제2내부전극(211b) 역시 다양한 형상과 패턴으로 구비될 수도 있다.
즉, 감전보호소자(200")는 15b에 도시된 바와 같이, 상기 감전보호부(210)가 관통홀(164)의 내벽에 높이방향을 따라 일정 두께로 도포되는 방전물질층(165)이 구비될 수도 있다.
또한, 감전보호소자(200'")는 15c에 도시된 바와 같이, 상기 감전보호부(210)의 관통홀(164)에 충진재(166)가 채워질 수도 있다.
이러한 구성에 의해, 상기 감전보호소자는 사용하고자 하는 목적에 대응하는 무선 통신 대역의 통신 신호에 적합한 커패시턴스를 다양하게 제공할 수 있다.
이상에서 본 발명의 일 실시예에 대하여 설명하였으나, 본 발명의 사상은 본 명세서에 제시되는 실시 예에 제한되지 아니하며, 본 발명의 사상을 이해하는 당업자는 동일한 사상의 범위 내에서, 구성요소의 부가, 변경, 삭제, 추가 등에 의해서 다른 실시 예를 용이하게 제안할 수 있을 것이나, 이 또한 본 발명의 사상범위 내에 든다고 할 것이다.
10 : 휴대용 전자장치 12a,12b,12c,12d : 전도체
14 : 회로부
100,100',100", 200,200',200",200'" : 감전보호소자
111,112: 감전보호부 시트층
121,122,123,124,125,126,127,128: 커패시터부 시트층
111a,112a,114a,114b : 내부전극 131,132 : 외부전극
121a,122a,123a,124a,125a,126a,127a,128a: 커패시터 전극
115 : 공극형성부재 115a,115b,115c,155,165 : 방전물질층
116,164 : 공극 154,164 : 관통홀

Claims (30)

  1. 전자장치의 인체 접촉가능 전도체와 내장 회로부 사이에 배치되는 감전보호소자로서,
    상기 전도체로부터 유입되는 통신 신호를 통과시키며, 제1 소체를 포함하는 적어도 하나의 커패시터부; 및
    제1 소체의 일측에 배치되는 제2 소체 및 상기 제2 소체의 내부에 일정 간격 이격되어 배치된 적어도 한 쌍의 내부전극과 상기 한 쌍의 내부전극 사이에 형성된 공극을 포함하는 감전보호부;를 포함하고,
    상기 전도체로부터 정전기 유입시 절연파괴 되지 않고 정전기를 통과시킴과 아울러 상기 회로부의 접지로부터 유입되는 외부전원의 누설전류를 차단하도록 하기의 관계식 1을 만족하며,
    통과하는 통신 신호의 감쇄를 방지하도록 하기의 관계식 2를 만족하는 감전보호소자:
    [관계식 1]
    Vbr > Vin
    여기서, Vbr은 상기 감전보호소자의 항복전압, Vin은 상기 전자장치의 외부전원의 정격전압임,
    [관계식 2]
    ε1 > ε2
    여기서, ε1은 상기 제1 소체의 유전율, ε1는 상기 제2 소체의 유전율임.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 정격전압은 국가별 표준 정격전압인 감전보호소자.
  3. 제1항에 있어서,
    Vcp > Vbr이고, 여기서 Vcp는 커패시터부의 절연파괴 전압인 감전보호소자.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 통신 신호는 무선 통신 주파수 대역을 갖는 감전보호소자.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 커패시터부는 감전보호부와 전기적으로 병렬로 접속되는 감전보호소자.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 한 쌍의 내부전극은 동일 평면상에서 배치되는 감전보호소자.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 공극은 폭이 상기 한 쌍의 내부전극 사이의 간격보다 크거나 같고, 높이가 상기 한 쌍의 내부전극의 두께보다 크거나 같은 감전보호소자.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 공극은 상기 내부전극을 중심으로 수직 또는 수평 방향으로 배치되는 감전보호소자.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 공극은 상기 한 쌍의 내부전극 사이에서 복수개로 구비되는 감전보호소자.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 공극은 내벽에 높이방향을 따라 일정 두께로 도포되는 방전물질층을 더 구비하는 감전보호소자.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 방전물질층은 금속입자를 포함하는 비전도성 물질 또는 반도체 물질을 포함하는 감전보호소자.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 방전물질층은 상기 공극의 내벽의 높이방향을 따라 도포되는 제1부분과 상기 제1부분의 상단으로부터 외측으로 연장되는 제2부분 및 상기 제1부분의 하단으로부터 외측으로 연장되는 제3부분을 포함하고,
    상기 제2부분은 상기 한 쌍의 내부전극 중 어느 하나와 접촉되고, 상기 제3부분은 상기 한 쌍의 내부전극 중 다른 하나와 접촉되는 감전보호소자.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 제1 소체 및 제2 소체는 유전체를 포함하는 감전보호소자.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 내부전극은 Ag, Au, Pt, Pd, Ni 및 Cu 중 어느 하나 이상의 성분을 포함하는 감전보호소자.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 커패시터부와 상기 감전보호부 사이의 간격은 상기 감전보호부의 상기 한 쌍의 내부전극 사이의 간격보다 큰 감전보호소자.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 커패시터부와 상기 감전보호부 사이의 간격은 15~100㎛인 감전보호소자.
  17. 제1항에 있어서,
    상기 커패시터부는 제1 소체 내부에 커패시터 전극을 포함하고, 상기 커패시터 전극의 두께는 2~10㎛인 감전보호소자.
  18. 제1항에 있어서,
    상기 커패시터부는 제1 소체 내부에 이격 배치되는 복수개의 커패시터 전극을 포함하고, 상기 커패시터 전극 사이의 간격은 15~100㎛인 감전보호소자.
  19. 제1항에 있어서,
    상기 내부전극의 간격은 10~100㎛이고, 상기 내부전극의 두께는 2~10㎛인 감전보호소자.
  20. 제1항에 있어서,
    상기 제1 소체의 유전율과 제2 소체의 유전율 차이는 10 이상인 감전보호소자.
  21. 제1항에 있어서,
    상기 공극의 체적은 상기 감전보호소자의 총 체적 대비 1~15%인 감전보호소자.
  22. 제1항에 있어서,
    상기 내부전극의 정전기에 의한 방전 개시 전압은 1~15㎸인 감전보호소자.
  23. 인체 접촉가능 전도체;
    회로부; 및
    상기 전도체와 상기 회로부 사이에 배치되는 감전보호소자를 포함하며, 상기 감전보호소자는
    상기 전도체로부터 유입되는 통신 신호를 통과시키며, 제1 소체를 포함하는 적어도 하나의 커패시터부; 및
    제1 소체의 일측에 배치되는 제2 소체 및 상기 제2 소체의 내부에 일정 간격 이격되어 배치된 적어도 한 쌍의 내부전극과 상기 한 쌍의 내부전극 사이에 형성된 공극을 포함하는 감전보호부;를 포함하고,
    통과하는 통신 신호의 감쇄를 방지하도록 하기의 관계식 2를 만족하며,
    상기 전도체로부터 정전기 유입시 절연파괴 되지 않고 정전기를 통과시킴과 아울러 상기 회로부의 접지로부터 유입되는 외부전원의 누설전류를 차단하도록 하기의 관계식 3을 만족하는 휴대용 전자장치:
    [관계식 2]
    ε1 > ε2
    여기서, ε1은 상기 제1 소체의 유전율, ε1는 상기 제2 소체의 유전율임,
    [관계식 3]
    Vbr > Vin, Vcp > Vbr이고, 여기서 Vbr은 상기 감전보호소자의 항복전압, Vin은 상기 전자장치의 외부전원의 정격전압, Vcp는 커패시터부의 절연파괴 전압임.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 전도체는 상기 전자장치와 외부기기의 통신을 위한 안테나, 메탈 케이스, 및 도전성 장신구 중 적어도 하나를 포함하는 감전보호기능을 갖는 휴대용 전자장치.
  25. 제24항에 있어서,
    상기 메탈 케이스는 상기 전자장치의 하우징의 측부를 부분적으로 둘러싸거나 전체적으로 둘러싸도록 구비되는 감전보호기능을 갖는 휴대용 전자장치.
  26. 제24항에 있어서,
    상기 메탈 케이스는 상기 전자장치의 하우징의 전면 또는 후면에 외부로 노출되도록 구비되는 카메라를 둘러싸도록 구비되는 감전보호기능을 갖는 휴대용 전자장치.
  27. 제23항에 있어서,
    상기 제1 소체의 유전율과 제2 소체의 유전율 차이는 10 이상인 감전보호소자.
  28. 전자장치의 인체 접촉가능 전도체와 내장 회로부 사이에 배치되는 소자로서,
    상기 전도체로부터 유입되는 통신 신호를 통과시키며, 제1 소체를 포함하는 적어도 하나의 커패시터부; 및
    제1 소체의 일측에 배치되는 제2 소체 및 상기 제2 소체의 내부에 일정 간격 이격되어 배치된 적어도 한 쌍의 내부전극과 상기 한 쌍의 내부전극 사이에 형성된 공극을 포함하여 상기 전도체로부터 정전기 유입시 절연파괴 되지 않고 정전기를 통과시킴과 아울러 상기 회로부의 접지로부터 유입되는 외부전원의 누설전류를 차단하는 감전보호부;를 포함하고,
    통과하는 통신 신호의 감쇄를 방지하도록 하기의 관계식 2를 만족하며, 하기 관계식 3을 만족하는 감전보호소자:
    [관계식 2]
    ε1 > ε2
    여기서, ε1은 상기 제1 소체의 유전율, ε1는 상기 제2 소체의 유전율임,
    [관계식 3]
    Vbr > Vin, Vcp > Vbr
    여기서, Vbr은 상기 감전보호소자의 항복전압, Vin은 상기 전자장치의 외부전원의 정격전압, Vcp는 상기 커패시터부의 절연파괴 전압임.
  29. 제28항에 있어서,
    상기 커패시터부는 감전보호부와 전기적으로 병렬로 접속되는 감전보호소자.
  30. 제28항에 있어서,
    상기 커패시터부는 상기 감전보호부의 상부 및 하부 중 어느 하나, 또는 감전보호부의 상부 및 하부 모두에 일정 간격을 두고 적어도 하나 이상 구비되는 감전보호소자.
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