CN105589264A - 窄边框平板显示器 - Google Patents
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Abstract
窄边框平板显示器。本公开涉及一种具有窄边框结构的平板显示器。本公开提出了一种平板显示器,该平板显示器包括:下面板,该下面板限定显示区域和非显示区域;驱动器元件和线,该驱动器元件和该线被布置在所述非显示区域内;平面层,该平面层覆盖所述下面板;第一沟道,该第一沟道形成在位于所述驱动器元件和所述线上方的所述平面层处;下配向层,该下配向层被布置在所述平面层的上表面和所述第一沟道的下表面上,并且暴露所述平面层的布置有所述第一沟道的一些上表面;以及密封剂,该密封剂被布置在形成有所述第一沟道的地方。
Description
技术领域
本公开涉及具有窄边框结构的平板显示器。特别地,本公开涉及一种通过增强布置在上基板与下基板之间的密封剂的附接/粘附力来使得用于密封材料(或“密封剂”)的区域最小化的窄边框平板显示器。
背景技术
液晶显示装置(或“LCD”)通过利用电场控制液晶层的光透射性来表示视频数据。根据电场的方向,能够将LCD分为两种主要类型;一种是垂直电场型,另一种是水平电场型。
对于垂直电场型LCD,形成在上基板上的公共电极和形成在下基板上的像素电极彼此面对以形成方向与基板正面垂直的电场。布置在上基板与下基板之间的扭曲向列(TN)液晶层由垂直电场驱动。垂直电场型LCD具有较高孔径比的优点,然而它具有大约90度的较窄视角的缺点。
对于水平电场型LCD,公共电极和像素电极并行地形成在同一基板上。布置在上基板与下基板之间的液晶层在面内切换(或“IPS”)模式下由与基板正面平行的电场驱动。水平电场型LCD具有比垂直电场型LCD宽的视角(超过170度)以及比垂直电场型LCD快的响应速度的优点。然而,水平电场型LCD可能具有诸如背光的低孔径比和低透射率的缺点,因为在电极正上方不存在电场,使得布置在电极上方的液晶未被驱动。
对于大部分液晶显示器,在将具有按照矩阵方式布置的多个薄膜晶体管的薄膜晶体管基板与具有多个滤色器的滤色器基板表面接合之后,液晶层被插入在这些表面接合的基板之间。随着这两个基板被接合,限定在薄膜晶体管基板中的各个像素区域和限定在滤色器基板中的各个像素区域彼此对应地对准。为了在接合工艺中减小对准边距,在一些情况下,滤色器可以形成在薄膜晶体管基板上。
图1是例示了根据现有技术的平板显示器中的一种的液晶显示器的结构的平面图。图2是例示了根据现有技术的通过沿着线I-I’切割图1的液晶显示器的结构的截面图。
参照图1和图2,滤色器形成在薄膜晶体管基板上的水平电场型液晶显示器包括:下面板LP,在该下面板LP上,各自具有一个薄膜晶体管和一个滤色器的多个像素区域按照矩阵方式布置;上面板UP,在该上面板UP上多个黑色柱状间隔体被布置在像素区域之间;以及液晶层LC,该液晶层LC被插入在下面板LP与上面板UP之间。
下面板包括由诸如玻璃的透明材料制成的下基板SL。下基板SL具有占据中间部分的大部分以用于表示视频数据的显示区域AA以及围绕显示区域AA的非显示区域NA。在显示区域AA中,按照矩阵方式布置了多个像素区域。在各个像素区域中,分配了薄膜晶体管T、连接至该薄膜晶体管T的像素电极PXL和表示颜色的滤色器CF。
具体地,在按照矩阵方式限定在下基板SL上的像素区域的一个拐角处,布置了薄膜晶体管T。第一钝化层PAS被沉积在薄膜晶体管T上以用于保护该薄膜晶体管T。在第一钝化层PAS上,滤色器CF被形成为覆盖像素区域的大部分。例如,可以将红色滤色器CFR、绿色滤色器CFG和蓝色滤色器CFB交替地布置在按照串行方式布置的三个像素区域上。
在滤色器CF上,沉积了第二钝化层PAC。在位于第二钝化层PAC上的像素区域内,形成了连接至薄膜晶体管T的像素电极PXL。对于水平电场型液晶显示器,像素电极PXL具有并行地排列了多个段的梳状结构。此外,公共电极COM被形成为具有逐个地与像素电极PXL的段并行布置的多个段。
同时,上面板UP包括由诸如玻璃的透明材料制成的上基板SU。在上基板SU的一个表面上,像下基板SL一样限定了显示区域AA和非显示区域NA。在非显示区域NA的整个区域上,形成了黑色柱状间隔体BCS。此外,在显示区域AA中,可以将黑色柱状间隔体BCS布置在与限定在下基板SL上的像素区域之间的边界区域对应的区域处。优选的是,在滤色器CF之间布置黑色柱状间隔体BCS。
在下面板LP的非显示区域NA中,可以形成选通驱动器元件GIP以用于驱动形成在显示区域AA中的显示元件。此外,在选通驱动器元件GIP的外部,可以布置地线LIN。选通驱动器元件GIP具有多个薄膜晶体管。为了保护选通驱动器元件GIP的这些薄膜晶体管,优选的是,能够将黑色柱状间隔体BCS形成为覆盖上面板UP的非显示区域NA的整个区域。
此后,利用液晶层LC,上面板UP的上面布置有黑色柱状间隔体BCS的表面以及下面板的上面布置有显示元件的表面被接合为彼此面对。使得液晶显示器完成。柱状间隔体CS用于均匀地保持上基板SU与下基板SL之间的单元间隙。此外,柱状间隔体CS可以在滤色器CF之间起黑底作用。
在滤色器CF像以上所提到的那样形成在具有薄膜晶体管T的下基板SL上的情况下,滤色器CF形成在限定在下基板SL上的像素区域内,使得滤色器CF能够与像素区域刚好对准。此外,在上面板UP上,因为仅形成了黑色柱状间隔体BCS和/或柱状间隔体CS,所以可以简化针对上面板UP的制造工艺。
例如,为了接合上面板UP和下面板LP,可以沿着下面板LP的非显示区域NA沿着周边布置密封材料SEAL。此外,可以将液晶层LC布置在下面板LP的显示区域AA内。此后,上面板UP在下面板LP上方被对准,然后附接至下面板LP。为了使它们严密地结合,施加特定附接力、热能和/或光能,能够通过密封材料SEAL使上面板UP和下面板LP彼此结合。
对于该液晶显示器,在下面板LP和上面板UP的各个内部上层上,布置了配向层。例如,在下面板LP的最上层上,布置了下配向层LPI。在上面板UP的最上层上,布置了上配向层UPI。实际上,密封材料SEAL被插入在下配向层LPI与上配向层UPI之间以便粘附下面板LP和上面板UP。
在使边框区域最小化的情况下,该区域用于布置密封材料SEAL,使得密封材料SEAL应该被布置在配向层LPI和UPI上。因为密封材料SEAL对配向层LPI和UPI有低粘合特性,所以可能在液晶显示器的已附接部分处引起破裂。在边框区域相对较宽的情况下,能够将密封材料SEAL布置为远离配向层LPI和UPI。然而,对于窄边框结构,应该将密封材料SEAL布置在配向层LPI和UPI上。因此,需要开发具有用于增强密封材料与配向层之间的粘合性的结构的液晶显示器。
发明内容
为了克服以上提到的缺点,本公开的目的在于提出一种具有窄边框结构的平板显示器。本公开的另一目的在于提出一种窄边框结构平板显示器,在该窄边框结构平板显示器中,即使密封材料被布置为与配向层的区域交叠,也增强了密封材料与配向层之间的粘合特性。为了这样做,所述配向层不选择性地覆盖布置有所述密封材料的地方。本公开的另一个目的在于提出一种窄边框结构平板显示器,在该窄边框结构平板显示器中,通过在布置有所述密封材料的钝化层处形成沟道来增强所述密封材料与所述配向层之间的所述粘合特性。
为了实现上述目的,本公开提出了一种平板显示器,该平板显示器包括:下面板,该下面板限定显示区域和非显示区域;驱动器元件和线,该驱动器元件和该线被布置在所述非显示区域内;平面层,该平面层覆盖所述下面板;第一沟道,该第一沟道形成在位于所述驱动器元件和所述线上方的所述平面层处;下配向层,该下配向层被布置在所述平面层的上表面和所述第一沟道的下表面上,并且暴露所述平面层的布置有所述第一沟道的一些上表面;以及密封剂,该密封剂被布置在形成有所述第一沟道的地方。
在一个实施方式中,所述第一沟道的所述下表面以小于所述平面层的厚度的预定深度从所述平面层的所述上表面下沉;所述第一沟道包括连接至所述第一沟道的所述下表面的侧壁;并且所述密封剂与所述平面层的所述上表面的经暴露的部分接触并与所述沟道的所述侧壁接触。
在一个实施方式中,所述侧壁与所述下表面之间的锥角是至少50度。
在一个实施方式中,所述平板显示器还包括:第二沟道,该第二沟道暴露所述下面板的上表面的在所述驱动器元件和所述线的周边处的一些部分,其中,所述下配向层暴露所述第二沟道的下表面以及所述平面层的布置有所述第二沟道的一些上表面。
在一个实施方式中,所述第二沟道包括连接至所述第二沟道的所述下表面的侧壁;并且所述密封剂直接接触所述平面层的经暴露的上表面和所述侧壁。
此外,本公开提出了一种平板显示器,该平板显示器包括:下面板,该下面板限定显示区域和非显示区域;驱动器元件和线,该驱动器元件和该线被布置在所述非显示区域内;平面层,该平面层覆盖所述下面板;沟道,该沟道形成在位于所述驱动器元件和所述线上方的所述平面层处;钝化层,该钝化层位于所述平面层的上表面和所述沟道的所述侧壁上;下配向层,该下配向层被布置在所述钝化层的上表面和所述沟道的下表面上,并且暴露所述钝化层的布置有所述沟道的一些上表面;以及密封剂,该密封剂被布置在形成有所述第一沟道的地方。
在一个实施方式中,所述沟道的所述下表面以小于所述平面层的厚度的预定深度从所述平面层的所述上表面下沉;所述沟道包括连接至所述沟道的所述下表面的侧壁;并且所述密封剂与所述钝化层的所述上表面的经暴露的部分接触并与所述沟道的所述侧壁接触。
此外,本公开提出了一种平板显示器,该平板显示器包括:面板;薄膜晶体管和线,该薄膜晶体管和该线被布置在所述面板上;绝缘层,该绝缘层覆盖所述薄膜晶体管和所述线;配向层,该配向层覆盖所述绝缘层;脊部(ridge)和沟槽(furrow),该脊部和该沟槽形成在位于所述线上的所述绝缘层处以防止所述配向层被保持在所述脊部上;以及密封剂,该密封剂被布置在所述配向层上以用于在所述脊部和所述沟槽处接触所述绝缘层。
根据本公开的所述平板显示器通过将所述密封材料布置为与所述选通驱动器元件和/或所述地线交叠而具有窄边框结构。通过形成布置有所述密封材料的沟道,能够增强所述密封材料的附接和/或粘附力。特别地,所述沟道具有50度或更大的锥角,使得所述配向层被部分地和/或选择性地未布置在所述沟道的所述上表面上。因此,所述密封材料能够与除所述配向层以外的其它层的表面附接,使得能够增强和/或确保所述密封材料的粘合和/或附接力。
附图说明
附图被包括以提供对本发明的进一步理解,并且被并入本说明书并构成本说明书的一部分,附图例示了本发明的实施方式,并且与本说明书一起用来说明本发明的原理。
附图中:
图1是例示了根据现有技术的平板显示器中的一种的液晶显示器的结构的平面图。
图2是例示了根据现有技术的通过沿着线I-I’切割图1的液晶显示器的结构的截面图。
图3是例示了根据本公开的平板显示器中的一种的液晶显示器的结构的平面图。
图4是例示了根据本公开的第一实施方式的通过沿着图3中的线II-II’切割平板显示器中的一种的面内切换型液晶显示器的结构的截面图。
图5是例示了图4中布置有密封剂的附接结构的放大截面图。
图6A至图6C是例示了制造用于根据本公开的第一实施方式的面内切换型液晶显示器的薄膜晶体管基板的方法的截面图。
图7是例示了根据本公开的第二实施方式的通过沿着图3中的线II-II’切割平板显示器中的一种的边缘场切换型液晶显示器的结构的截面图。
图8是例示了图7中的布置有密封剂的附接结构的放大截面图。
图9A至图9D是例示了制造用于根据本公开的第二实施方式的边缘场切换型液晶显示器的薄膜晶体管基板的方法的截面图。
具体实施方式
参照附图,我们将说明本公开的优选实施方式。相同的附图标记在详细描述中自始至终标明相同的元件。然而,本公开不受这些实施方式限制,而是能够应用于各种改变或修改而不改变技术精神。在以下实施方式中,元件的名称是为了易于说明而选择的,并且可以与实际名称不同。
<第一实施方式>
首先,参照图3和图4,我们将关于本公开的第一实施方式进行说明。图3是例示了根据本公开的平板显示器中的一种的液晶显示器的结构的平面图。图4是例示了根据本公开的第一实施方式的通过沿着图3中的线II-II’切割平板显示器中的一种的面内切换型液晶显示器的结构的截面图。
对于该面内切换型液晶显示器(根据本公开的第一实施方式的平板显示器中的一个),大部分元件与现有技术的那些元件非常相似。IPS型液晶显示器具有布置在同一级层上并且按照并行方式以预定距离排列的像素电极和公共电极。第一实施方式的主要特征之一是增强了用于附接下面板和上面板的力的窄边框结构。例如,在平面图中,根据第一实施方式的液晶显示器的特征是密封剂SEAL被布置为与选通驱动器元件GIP和地线LIN交叠,如图3所示,使得使边框区域BZ最小化。
具体地,根据本公开的第一实施方式的面内切换型液晶显示器包括:下面板LP,该下面板LP包括按照矩阵方式布置并且具有薄膜晶体管T和滤色器CF的多个像素区域;上面板UP,该上面板UP具有由黑色树脂材料制成并且被布置在像素区域之间的柱状间隔体CS;以及液晶层LC,该液晶层LC被插入在下面板LP与上面板UP之间。
下面板LP包括由诸如玻璃的透明材料制成的下基板SL以及形成在下基板SL上的显示元件。下基板SL具有占据下基板SL的中间部分以用于表示视频数据的显示区域AA以及围绕该显示区域AA的非显示区域NA。在显示区域AA中,按照矩阵方式限定了多个像素区域。在各个像素区域中,分配了薄膜晶体管T、连接至该薄膜晶体管T的像素电极PXL和用于表示颜色的滤色器CF。
在限定在下基板SL上的像素区域的一个拐角处,形成了薄膜晶体管T。钝化层PAS被沉积在薄膜晶体管T上以用于保护该薄膜晶体管T。在钝化层PAS上,滤色器CF被形成为覆盖像素区域的大部分。例如,可以将红色滤色器CFR、绿色滤色器CFG和蓝色滤色器CFB交替地布置在按照串行方式布置的三个像素区域上。
在滤色器CF上,沉积了平面层PAC。在位于平面层PAC上的像素区域内,形成了连接至薄膜晶体管T的像素电极PXL。对于水平电场型液晶显示器,像素电极PXL具有并行地排列了多个段的梳状结构。此外,公共电极COM被形成为具有逐个地与像素电极PXL的段并行地布置的多个段。
此外,在下面板LP的最上层处,下配向层LPI被布置为覆盖下基板SL的整个表面。
同时,上面板UP包括由诸如玻璃的透明材料制成的上基板SU。在上基板SU的一个表面上,像下基板SL一样限定了显示区域AA和非显示区域NA。在非显示区域NA的整个区域上,形成了黑色柱状间隔体BCS。此外,在显示区域AA中,可以将柱状间隔体CS布置在与限定在下基板SL上的像素区域之间的边界区域对应的区域处。优选的是,在滤色器CF之间布置柱状间隔体CS。布置在非显示区域NA中的黑色柱状间隔体BCS以及布置在显示区域AA中的柱状间隔体CS由诸如黑色树脂的相同材料制成。
在下面板LP的非显示区域NA中,可以形成选通驱动器元件GIP以用于驱动形成在显示区域AA中的显示元件。此外,在选通驱动器元件GIP的外部,可以布置地线LIN。选通驱动器元件GIP具有多个薄膜晶体管。这些薄膜晶体管对从外部入射的光非常敏感。为了保护选通驱动器元件GIP的这些薄膜晶体管不受光的影响,优选的是,能够将黑色柱状间隔体BCS形成为覆盖上面板UP的非显示区域NA的整个区域。
此后,利用液晶层LC,上面板UP的上面布置有柱状间隔体CS的表面以及下面板的上面布置有显示元件的表面被接合为彼此面对。使得液晶显示器完成。柱状间隔体CS用于均匀地保持上基板SU与下基板SL之间的单元间隙。此外,柱状间隔体CS可以在滤色器CF之间起黑底作用。
此外,在上面板UP的最上层处,上配向层UPI被布置为覆盖上基板SU的整个表面。
利用布置在非显示区域NA处的密封剂SEAL,上面板UP和下面板LP彼此附接/接合。特别地,为了窄边框结构,密封剂SEAL被布置为与选通驱动器元件GIP和地线LIN交叠。结果,能够使边框区域BZ最小化。
在密封剂SEAL被布置在下配向层LPI和上配向层UPI上的情况下,密封剂SEAL与配向层LPI和UPI之间的附接力显著地低于密封剂SEAL与其它层(例如平面层PAC)之间的附接力。这会引起对于附接/接合上面板UP和下面板LP的不良问题。
为了解决这个问题,本公开提出了具有下配向层LPI被部分地/选择性地未布置在下面板LP的布置有密封剂SEAL的特定区域上的结构的液晶显示器。在下文中,参照图5,我们将关于密封剂被布置在根据本公开的第一实施方式的IPS型液晶显示器的下基板中的部分进行说明。图5是例示了图4中的布置有密封剂的附接结构的放大截面图。
在平面层PAC在选通驱动器元件GIP和地线LIN上方的一些部分处,第一沟道TR1通过对平面层PAC的一些厚度进行蚀刻而形成。
第一沟道TR1具有预定深度。第一沟道TR1包括第一上表面US1、第一下表面LS1以及连接第一上表面US1和第一下表面LS1的第一侧壁SW1。当将下配向层LPI布置在具有第一沟道TR1的平面层PAC上时,不将下配向层LPI布置在第一沟道TR1的第一上表面US1上。替代地,下配向层LPI被仅布置在第一下表面LS1上。
为了不将下配向层LPI选择性地布置在第一上表面US1上,优选的是,第一沟道TR1的锥角(θ°)是至少50度。也就是说,第一下表面LS1与第一侧壁SW1之间的倾斜角是至少50度。对于最佳模式,锥角优选地大于55度。此外,第一上表面US1具有高度从中间部分至边部分略微降低的凸剖面。利用这些结构,当将下配向层LPI布置在下基板SL上时,不在第一沟道TR1的第一上表面US1上保持下配向层LPI。配向层LPI的大部分流入到第一沟道TR1中。
另外,在布置在围绕选通驱动器元件GIP和地线LIN的周边区域上的平面层PAC上,形成了第二沟道TR2。第二沟道TR2被形成为暴露下基板SL的上表面。例如,第二沟道TR2包括平面层PAC的第二上表面US2、作为下基板SL的经暴露的表面的第二下表面LS2以及连接第二上表面US2和下基板SL的第二侧壁SW2。因为通过使平面层PAC和钝化层PAS图案化直到暴露下基板SL的上表面为止来形成第二沟道TR2,所以第二沟道TR2的锥角大于第一沟道TR1的锥角。此外,第二上表面US2还具有高度从中间部分至边部分略微降低的凸剖面。利用这些结构,当将下配向层LPI布置在下基板SL上时,不在第二沟道TR2的第二上表面US2上保持下配向层LPI。配向层LPI的大部分流入到第二沟道TR2中。
因此,在平面层PAC的形成有第一沟道TR1和第二沟道TR2的一些部分上,未布置下配向层LPI并且暴露平面层PAC的这些部分。通过利用这些结构来布置密封剂SEAL,密封剂SEAL能够与平面层PAC的一些上表面直接接触,特别是在形成有沟道的地方。另外,随着密封剂SEAL填充到沟道的内部空间中,密封剂SEAL能够与沟道的侧壁直接接触。因此,根据本公开的窄边框结构能够提出在上面板UP与下面板LP之间的足够的附接/接合力。
在下文中,参照图6A至6C,我们将关于制造用于根据本公开的第一实施方式的液晶显示器的薄膜晶体管基板的方法进行说明。图6A至图6C是例示了制造用于根据本公开的第一实施方式的面内切换型液晶显示器的薄膜晶体管基板的方法。
如图6A所示,制备了用于薄膜晶体管基板的下基板SL。在下基板SL上,形成了薄膜晶体管T并且钝化层PAS被沉积为覆盖薄膜晶体管T。在钝化层PAS上,滤色器CF形成在像素区域内。在具有滤色器CF的下基板SL上,平面层PAC被布置为覆盖下基板SL的整个表面。将像素接触孔形成在平面层PAC处,暴露了薄膜晶体管T的漏极。在平面层PAC上,沉积了透明导电层IT。在透明导电层IT上,涂覆了光致抗蚀剂PR。利用曝光工艺和显影工艺,使光致抗蚀剂PR图案化为具有像素电极PXL和公共电极COM的相同形状。这里,优选的是,将半色调掩模用于使光致抗蚀剂PR图案化。例如,半色调区域HT被限定在形成有第一沟道TR1的区域上,并且开口区域(或“白色调区域”)WT被限定在形成有第二沟道TR2的区域上。首先,在开口区域WT处使第二沟道TR2的特定深度图案化。也就是说,第二沟道TR2未被完全图案化而是被部分地图案化为具有预定深度。此后,用于对第二沟道TR2的剩余深度进行蚀刻的图案化将被执行为使第一沟道TR1图案化。
利用灰化工艺,使光致抗蚀剂PR变薄。例如,执行灰化工艺,直到去除了半色调区域上的光致抗蚀剂PR为止。此后,利用剩余的光致抗蚀剂PR作为掩模,通过对由光致抗蚀剂PR暴露的透明导电层IT和平面层PAC进行蚀刻来形成第一沟道TR1。同时,对第二沟道TR2的剩余深度进行蚀刻以暴露下基板SL的上表面。这里,优选的是,应用干法蚀刻工艺。利用干法蚀刻工艺,能够确保第一沟道TR1的锥角是至少50度。在蚀刻工艺期间,平面层PAC在沟道之间的边部分比中间部分被蚀刻更多,使得沟道的上表面具有高度从中间部分至边部分略微降低的凸剖面,如图6B所示。
去除剩余的光致抗蚀剂PR中的全部。利用另外的掩模工艺,使透明导电层IT图案化以形成像素电极PXL和公共电极COM。通过该掩模工艺,去除了非显示区域上的透明导电层IT。此后,下配向层LPI被布置在具有第一沟道TR1和第二沟道TR2的下基板SL的整个表面上。然后,下配向层LPI被布置在平面层PAC的大部分上表面上。然而,下配向层LPI未被布置在平面层PAC的形成有第一沟道TR1和第二沟道TR2的上表面上。替代地,下配向层LPI流入到第一沟道TR1和第二沟道TR2的内部空间中,如图6C所示。
因为下配向层LPI未被布置在形成有沟道TR1和沟道TR2的区域上,所以密封剂SEAL直接接触平面层PAC。因此,能够确保密封剂SEAL的足够的附接力。在将密封剂SEAL布置在非显示区域NA的形成有第一沟道TR1和第二沟道TR2的表面上并且将液晶层LC布置在显示区域AA内之后,上面板UP被附接在下面板LP上。然后,液晶显示器完成。
<第二实施方式>
在第一实施方式中,我们关于用于增强面内切换型液晶显示器中的接合/附接力的结构进行说明。在下文中,我们将关于用于增强边缘场开关(或“FFS”)型液晶显示器中的接合/附接力的结构进行说明。对于FFS型,因为公共电极和像素电极被布置在不同级层中,所以截面结构比IPS型更复杂。
在第二实施方式中,我们将关于按本公开的精神应用于FFS型液晶显示器的详细结构进行说明。FFS型的主要特征之一在于像素电极和公共电极被布置在不同级层中,并且它们利用绝缘层彼此交叠。像素电极和公共电极中的任一个具有表面型电极并且另一个具有以预定距离彼此并行的多个段。因为根据本公开的第二实施方式的FFS型液晶显示器具有现有技术的非常类似的结构,所以我们将主要通过集中于重要特征来说明。
此外,因为主要特征之一是在非显示区域处,所以我们还将使用第一实施方式来参照图3。图7是例示了根据本公开的第二实施方式的通过沿着图3中的线II-II’切割平板显示器中的一种的边缘场切换型液晶显示器的结构的截面图。
根据本公开的第二实施方式的边缘场切换型液晶显示器包括:下面板LP,该下面板LP包括按照矩阵方式布置并且具有薄膜晶体管T和滤色器CF的多个像素区域;上面板UP,该上面板UP具有布置在像素区域之间的柱状间隔体CS;以及液晶层LC,该液晶层LC被插入在下面板LP与上面板UP之间。
下面板LP包括由诸如玻璃的透明材料制成的下基板SL以及形成在下基板SL上的显示元件。下基板SL具有占据下基板SL的中间部分以用于表示视频数据的显示区域AA以及围绕该显示区域AA的非显示区域NA。在显示区域AA中,按照矩阵方式限定了多个像素区域。在各个像素区域中,分配了薄膜晶体管T、连接至该薄膜晶体管T的像素电极PXL和用于表示颜色的滤色器CF。
在限定在下基板SL上的像素区域的一个拐角处,形成了薄膜晶体管T。第一钝化层PAS1被沉积在薄膜晶体管T上以用于保护该薄膜晶体管T。在第一钝化层PAS1上,滤色器CF被形成为覆盖像素区域中的大部分。例如,可以将红色滤色器CFR、绿色滤色器CFG和蓝色滤色器CFB交替地布置在按照串行方式布置的三个像素区域上。
在滤色器CF上,沉积了平面层PAC。在位于平面层PAC上的像素区域内,形成了具有与滤色器CF的尺寸和形状对应的尺寸和形状的公共电极COM。布置在各个像素区域中的所有公共电极COM可以通过公共线彼此连接。否则,可以将公共电极COM形成为具有覆盖平面层PAC的除诸如接触孔的一些部分以外的整个上表面的形状。
在具有公共电极COM的下基板SL的整个表面上,沉积了第二钝化层PAS2。在第二钝化层PAS2上,形成了连接至薄膜晶体管T的像素电极PXL。对于FFS型液晶显示器,像素电极PXL具有并行排列了多个段的梳状结构。此外,像素电极PXL的段与位于第二钝化层PAS2上的公共电极COM交叠。
此外,在下面板LP的最上层处,下配向层LPI被布置为覆盖下基板SL的整个表面。
同时,上面板UP包括由诸如玻璃的透明材料制成的上基板SU。在上基板SU的一个表面上,像下基板SL一样限定了显示区域AA和非显示区域NA。在非显示区域NA的整个区域上,形成了黑色柱状间隔体BCS。此外,在显示区域AA中,可以将柱状间隔体CS布置在与限定在下基板SL上的像素区域之间的边界区域对应的区域处。优选的是,在滤色器CF之间布置柱状间隔体CS。布置在非显示区域NA中的黑色柱状间隔体BCS以及布置在显示区域AA中的柱状间隔体CS由诸如黑色树脂材料的相同材料制成。
在下面板LP的非显示区域NA中,可以形成选通驱动器元件GIP以用于驱动形成在显示区域AA中的显示元件。此外,在选通驱动器元件GIP的外部,可以布置地线LIN。选通驱动器元件GIP具有多个薄膜晶体管。这些薄膜晶体管对从外部入射的光非常敏感。为了保护选通驱动器元件GIP的这些薄膜晶体管不受光的影响,优选的是,能够将黑色柱状间隔体BCS形成为覆盖上面板UP的非显示区域NA的整个区域。
此外,在上面板UP的最上层处,上配向层UPI被布置为覆盖上基板SU的整个表面。
此后,利用液晶层LC,上面板UP的上面布置有柱状间隔体CS的表面以及下面板的上面布置有显示元件的表面被接合为彼此面对。使得液晶显示器完成。柱状间隔体CS用于均匀地保持上基板SU与下基板SL之间的单元间隙。此外,柱状间隔体CS可以在滤色器CF之间起黑底作用。
利用布置在非显示区域NA处的密封剂SEAL,上面板UP和下面板LP彼此附接/接合。特别地,为了窄边框结构,密封剂SEAL被布置为与选通驱动器元件GIP和地线LIN交叠。结果,能够使边框区域BZ最小化。
在密封剂SEAL被布置在下配向层LPI和上配向层UPI上的情况下,密封剂SEAL与配向层LPI和UPI之间的附接力显著地低于密封剂SEAL与其它层(例如平面层PAC)之间的附接力。这会引起对于附接/接合上面板UP和下面板LP的不良问题。
为了解决这个问题,本公开提出了具有下配向层LPI被部分地/选择性地未布置在下面板LP的布置有密封剂SEAL的特定区域上的结构的液晶显示器。在下文中,参照图8,我们将关于密封剂被布置在根据本公开的第二实施方式的FFS型液晶显示器的下基板中的部分进行说明。图8是例示了图7中的布置有密封剂的附接结构的放大截面图。
在第二钝化层PAS2和平面层PAC在选通驱动器元件GIP和地线LIN上方的一些部分处,通过对第二钝化层PAS2和平面层PAC的特定厚度进行蚀刻而形成沟道TR。特别地,在第二实施方式中,沟道TR被形成为穿透第二钝化层PAS2并且形成为以一些深度沉入到平面层PAC中。为了方便,在第二实施方式中,我们未提到在第一实施方式中提到的穿透平面层PAC的第二沟道。然而,如果需要,在第二实施方式中能够形成第二沟道。
沟道TR具有预定深度。沟道TR包括上表面US、下表面LS以及连接上表面US和下表面LS的侧壁SW。当将下配向层LPI布置在具有沟道TR的第二钝化层PAS2和平面层PAC上时,不在沟道TR的上表面US上布置下配向层LPI。替代地,下配向层LPI被仅布置在下表面LS上。
为了不将下配向层LPI选择性地布置在上表面US上,优选的是,沟道TR的锥角(θ°)是至少50度。也就是说,下表面LS与侧壁SW之间的倾斜角是至少50度。对于最佳模式,锥角优选地大于55度。利用这些结构,当将下配向层LPI布置在下基板SL上时,不在沟道TR的上表面US上保持下配向层LPI。配向层LPI的大部分流入到沟道TR中。
因此,在第二钝化层PAS2和平面层PAC的形成有沟道TR的一些部分上,未布置下配向层LPI并且暴露了第二钝化层PAS2的一些上表面。通过利用这些结构来布置密封剂SEAL,密封剂SEAL能够与第二钝化层PAS2的一些上表面直接接触,特别是在形成有沟道TR的地方。另外,因为密封剂SEAL填充到沟道TR的内部空间中,所以密封剂SEAL能够与沟道TR的侧壁直接接触。因此,根据本公开的窄边框结构能够提出在上面板UP与下面板LP之间的足够的附接/接合力。
在下文中,参照图9A至9D,我们将关于制造用于根据本公开的第二实施方式的液晶显示器的薄膜晶体管基板的方法进行说明。图9A至图9D是例示了制造用于根据本公开的第二实施方式的边缘场切换型液晶显示器的薄膜晶体管基板的方法的截面图。
如图9A所示,制备了用于薄膜晶体管基板的下基板SL。在下基板SL上,形成了薄膜晶体管T并且第一钝化层PAS1被沉积为覆盖薄膜晶体管T。在第一钝化层PAS1上,滤色器CF形成在像素区域内。在具有滤色器CF的下基板SL上,平面层PAC被布置为覆盖下基板SL的整个表面。通过使平面层PAC图案化,形成了像素接触孔PH。这时,在覆盖选通驱动器元件GIP和地线LIN的平面层PAC处,沟道TR被形成为具有预定深度。沟道TR的深度和像素接触孔PH的深度彼此不同。因此,优选的是利用半色调掩模。稍后,通过利用像素接触孔PH进一步使第一钝化层PAS1图案化,像素接触孔PH完成以暴露薄膜晶体管T的漏极。
在具有沟道TR和像素接触孔PH的平面层PAC上,形成了公共电极COM。在下基板SL的整个表面上,沉积了第二钝化层PAS2,如图9B所示。
通过使第二钝化层PAS2和第一钝化层PAS1图案化,像素接触孔PH完成以便暴露薄膜晶体管T的漏极。这里,通过对第二钝化层PAS2和平面层PAC的特定深度进行蚀刻,沟道TR完成。形成为使平面层PAC图案化的沟道TR具有相对吞没的深度,并且沟道TR的侧壁SW的锥角因为半色调掩模而具有平缓坡度。当在这个结构下方沉积下配向层LPI时,下配向层LPI被保持在沟道TR的上表面US上。为了使沟道TR具有足够的深度和锥角,还对沟道TR进行蚀刻,以在对第二钝化层PAS2进行蚀刻以便完成像素接触孔PH的工艺期间完成沟道TR。
在第二钝化层PAS2上,沉积透明导电层IT并且然后通过使透明导电层IT图案化而形成像素电极PXL。此后,下配向层LPI被布置在具有沟道TR和像素电极PXL的下基板SL的整个表面上。结果,在第二钝化层PAS2的表面上,布置了下配向层LPI。然而,在形成有沟道TR的第二钝化层PAS2上,未布置下配向层LPI。替代地,下配向层LPI流入到沟道TR的内部空间中,如图9D所示。
因为下配向层LPI未被布置在形成有沟道TR1和沟道TR2的区域上,所以密封剂SEAL直接接触第二钝化层PAS2。因此,能够确保密封剂SEAL的足够的附接力。在将密封剂SEAL布置在非显示区域NA的形成有沟道TR的表面上并且将液晶层LC布置在显示区域AA内之后,上面板UP被附接到下面板LP。然后,液晶显示器完成。
在配向层被布置为最上层并且两个基板被接合以形成根据本公开的平板显示器的平板显示器中,第一实施方式和第二实施方式提出了用于确保这两个基板之间的增强的附接力的接合结构。在配向层未被布置在布置有密封剂的区域处的情况下,能够确保足够的附接力。布置有密封剂的区域是边框区域。对于窄边框结构,边框区域太窄以致不能够布置除密封剂区域以外的配向层。
根据本公开,沟道形成在密封剂区域处,使得即使配向层被布置为覆盖边框区域,配向层的大部分也流入到沟道的内部空间中。配向层被部分地/选择性地未布置在沟道区域处。能够将密封剂附接至具有比配向层更好的附接力的其它层。特别地,对于窄边框结构,边框区域包括选通驱动器元件和诸如地线的线。在这种情况下,优选的是,沟道被形成为不暴露或穿透保护选通驱动器元件和线的钝化层或平面层。
在沟道被形成为钝化层和/或平面层未被穿透的情况下,沟道的侧壁的锥角可以小于30度。在这种情况下,可以在沟道的上表面上保持配向层。在本公开的最佳模式下,沟道的侧壁具有至少50度的锥角,使得配向层能够从沟道的上表面流入到沟道中。
此外,优选的是,沟道的深度具有足以使得配向层有效地流入到沟道的内部空间中的预定深度。对于沟道的深度来说存在许多示例,使得我们不限定沟道的深度。在像第二实施方式一样第二钝化层还被布置在平面层上的情况下,当沟道形成在平面层处并且然后沉积第二钝化层时,沟道的侧壁的锥角将是平缓的并且将吞没沟道的深度。在这种情况下,沟道可能不适当地工作。为了防止该问题,进一步对第二钝化层在沟道上方的一些部分进行蚀刻,使得能够确保沟道的足够的深度和锥角。
同时,沟道沿着基板的周边形成在选通驱动器元件或诸如地线的线上方。沟道可以沿着这些线具有半长隧道形状。否则,多个短沟道被沿着这些线布置,因为沟道的轴线与这些线垂直。沟道的截面形状可以是其剖面与圆、椭圆、矩形等中的任一个对应的井形状。
在用于说明本公开的特征的另一方面中,脊部和沟槽图案形成在布置有密封剂的绝缘层(或“平面层”和/或“钝化层”)处。当将配向层布置在绝缘层上时,配向材料流入到沟槽部分中,使得配向材料未被布置在脊部部分上。然后,布置形成有脊部和沟槽的密封剂,密封剂能够直接接触到未布置有配向层的脊部部分并且接触到脊部和沟槽图案的侧壁。也就是说,密封剂未接触到具有比其它层差的粘合特性的配向层,但是接触到具有比配向层好的粘合特性的绝缘层。结果,能够确保密封剂与基板的优良粘合特性。
虽然已经参照附图详细地描述了本发明的实施方式,但是本领域技术人员应当理解,在不改变本发明的技术精神或必要特征的情况下能够按照其它特定形式实现本发明。因此,应该注意,以上实施方式在所有方面中仅是例示性的并且将不被解释为限制本发明。本发明的范围由本发明的所附权利要求而不是详细描述来限定。在权利要求的意义和范围内做出的所有改变或修改或它们的等同物应该被解释为落入本发明的范围内。
本申请要求2014年11月7日提交的韩国专利申请No.10-2014-0154649的权益,通过引用将其并入本文以用于所有目的,如同在本文中充分阐述一样。
Claims (8)
1.一种平板显示器,该平板显示器包括:
下面板,该下面板限定显示区域和非显示区域;
驱动器元件和线,该驱动器元件和该线被布置在所述非显示区域内;
平面层,该平面层覆盖所述下面板;
第一沟道,该第一沟道形成在位于所述驱动器元件和所述线上方的所述平面层处;
下配向层,该下配向层被布置在所述平面层的上表面和所述第一沟道的下表面上,并且暴露所述平面层的布置有所述第一沟道的一些上表面;以及
密封剂,该密封剂被布置在形成有所述第一沟道的地方。
2.根据权利要求1所述的平板显示器,其中,所述第一沟道的所述下表面以小于所述平面层的厚度的预定深度从所述平面层的所述上表面下沉;
所述第一沟道包括连接至所述第一沟道的所述下表面的侧壁;并且
所述密封剂与所述平面层的所述上表面的经暴露的部分接触并且与所述沟道的所述侧壁接触。
3.根据权利要求2所述的平板显示器,其中,所述侧壁与所述下表面之间的锥角是至少50度。
4.根据权利要求1所述的平板显示器,该平板显示器还包括:
第二沟道,该第二沟道暴露所述下面板的上表面的在所述驱动器元件和所述线的周边处的一些部分,
其中,所述下配向层暴露所述第二沟道的下表面以及所述平面层的布置有所述第二沟道的一些上表面。
5.根据权利要求4所述的平板显示器,其中,所述第二沟道包括连接至所述第二沟道的所述下表面的侧壁;并且
所述密封剂直接接触所述平面层的经暴露的上表面和所述侧壁。
6.一种平板显示器,该平板显示器包括:
下面板,该下面板限定显示区域和非显示区域;
驱动器元件和线,该驱动器元件和该线被布置在所述非显示区域内;
平面层,该平面层覆盖所述下面板;
沟道,该沟道形成在位于所述驱动器元件和所述线上方的所述平面层处;
钝化层,该钝化层位于所述平面层的上表面和所述沟道的侧壁上;
下配向层,该下配向层被布置在所述钝化层的上表面和所述沟道的下表面上,并且暴露所述钝化层的布置有所述沟道的一些上表面;以及
密封剂,该密封剂被布置在形成有第一沟道的地方。
7.根据权利要求6所述的平板显示器,其中,所述沟道的所述下表面以小于所述平面层的厚度的预定深度从所述平面层的所述上表面下沉;
所述沟道包括连接至所述沟道的所述下表面的侧壁;并且
所述密封剂与所述钝化层的所述上表面的经暴露的部分接触并且与所述沟道的所述侧壁接触。
8.一种平板显示器,该平板显示器包括:
面板;
薄膜晶体管和线,该薄膜晶体管和该线被布置在所述面板上;
绝缘层,该绝缘层覆盖所述薄膜晶体管和所述线;
配向层,该配向层覆盖所述绝缘层;
脊部和沟槽,该脊部和该沟槽形成在位于所述线上的所述绝缘层处以用于防止所述配向层被保持在所述脊部上;以及
密封剂,该密封剂被布置在所述配向层上以用于在所述脊部和所述沟槽处接触所述绝缘层。
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