JP2018185473A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 製造歩留りを改善することが可能な表示装置を提供する。【解決手段】 一実施形態における表示装置は、第１面を有する第１基板と、前記第１面に対向する第２面を有する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とを接着する接着層と、前記第１基板および前記第２基板の一方にあり、駆動回路が接続される端子と、前記第１基板および前記第２基板の他方にある電極と、前記駆動回路と前記電極とを電気的に接続する導通構造と、を備える。前記第２基板は、可撓性を有する。前記導通構造は、前記接着層と重なる領域において前記第１面に配置された第１突起と、前記第１突起の少なくとも一部を覆う第１導電膜と、前記第２基板に設けられ、前記第１導電膜と対向する第２導電膜と、前記接着層に含まれ、前記第１導電膜および前記第２導電膜に接触した導電材と、を含む。【選択図】 図８

Description

本発明の実施形態は、表示装置に関する。

近年、液晶表示装置等の表示装置が各種分野で利用されている。液晶表示装置は、アレイ基板と、対向基板と、これら基板の間に配置された液晶層とを備えている。対向基板には、タッチセンサ用の電極が配置されることもある。

上記電極のように対向基板に配置された導電膜は、例えばアレイ基板と対向基板の間に配置された導電材を介して、アレイ基板の導電膜と導通される。このような導通構造においては、導通の不具合が生じないように改善が求められている。

特開２００１−１００２１７号公報

本開示の一態様における目的は、製造歩留りを改善することが可能な表示装置を提供することである。

一実施形態における表示装置は、第１面を有する第１基板と、前記第１面に対向する第２面を有する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とを接着する接着層と、前記第１基板および前記第２基板の一方にあり、駆動回路が接続される端子と、前記第１基板および前記第２基板の他方にある電極と、前記駆動回路と前記電極とを電気的に接続する導通構造と、を備える。前記第２基板は、可撓性を有する。前記導通構造は、前記接着層と重なる領域において前記第１面に配置された第１突起と、前記第１突起の少なくとも一部を覆う第１導電膜と、前記第２基板に設けられ、前記第１導電膜と対向する第２導電膜と、前記接着層に含まれ、前記第１導電膜および前記第２導電膜に接触した導電材と、を含む。

図１は、第１実施形態における表示装置の概略的な平面図である。 図２は、第１実施形態における表示装置の画像表示に関わる構成を概略的に示す図である。 図３は、第１実施形態における表示装置のセンシングに関わる構成を概略的に示す図である。 図４は、第１実施形態における表示パネルの概略的な断面図である。 図５は、第１実施形態における表示装置の概略的な平面図である。 図６は、図５におけるＶＩ−ＶＩ線に沿う表示パネルの概略的な断面図である。 図７は、変形例に係る表示パネルの概略的な断面図である。 図８は、第１実施形態における導通構造の概略的な平面図である。 図９は、図８におけるＩＸ−ＩＸ線に沿う表示パネルの概略的な断面図である。 図１０は、第１実施形態の効果を説明するための平面図である。 図１１は、第１実施形態の効果を説明するための断面図である。 図１２は、第２実施形態における導通構造の概略的な平面図である。 図１３は、第３実施形態における導通構造の概略的な平面図である。 図１４は、第４実施形態における導通構造の概略的な平面図である。 図１５は、第４実施形態における表示パネルの概略的な斜視図である。 図１６は、第５実施形態における導通構造の概略的な平面図である。 図１７は、第６実施形態における導通構造の概略的な平面図である。 図１８は、第７実施形態における表示装置の概略的な平面図である。 図１９は、第８実施形態における表示装置の概略的な平面図である。

いくつかの実施形態につき、図面を参照しながら説明する。
なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有される。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。各図において、連続して配置される同一又は類似の要素については符号を省略することがある。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を省略することがある。
また、本明細書において「αはＡ，Ｂ又はＣを含む」、「αはＡ，Ｂ及びＣのいずれかを含む」、「αはＡ，Ｂ及びＣからなる群から選択される一つを含む」といった表現は、特に明示がない限り、αがＡ〜Ｃの複数の組み合わせを含む場合を排除しない。さらに、これらの表現は、αが他の要素を含む場合も排除しない。

各実施形態においては、表示装置の一例として、タッチセンサを備えた液晶表示装置を例示する。この液晶表示装置は、例えば、スマートフォン、タブレット端末、携帯電話端末、ノートブックタイプのパーソナルコンピュータ、車載機器、ゲーム機器等の種々の装置に用いることができる。本実施形態にて開示する主要な構成は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置等の自発光型の表示装置、電気泳動素子等を有する電子ペーパ型の表示装置、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）を応用した表示装置、或いはエレクトロクロミズムを応用した表示装置等にも適用可能である。

［第１実施形態］
図１は、第１実施形態に係る液晶表示装置１（以下、表示装置１と称す）の概略的な平面図である。表示装置１は、表示パネル２と、フレキシブル回路基板３と、駆動回路４とを備えている。本実施形態では、図示したようにＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向を定義する。これら方向は、本実施形態においては互いに直交するが、垂直以外の角度で交差してもよい。

表示パネル２は、アレイ基板ＡＲと、対向基板ＣＴと、シール５と、液晶層（後述する液晶層ＬＣ）とを備えている。アレイ基板ＡＲおよび対向基板ＣＴの一方は本実施形態における第１基板に相当し、他方は本実施形態における第２基板に相当する。シール５は、各基板ＡＲ，ＣＴを貼り合わせる接着層の一例である。液晶層は、各基板ＡＲ，ＣＴおよびシール５で囲われた空間に配置されている。

アレイ基板ＡＲは、第１辺Ｓ１と、第１辺の反対側の第２辺Ｓ２と、第１辺Ｓ１と第２辺Ｓ２を繋ぐ第３辺Ｓ３および第４辺Ｓ４とを有している。表示パネル２は、平面視において、各辺Ｓ１〜Ｓ４の間にある表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡを囲う周辺領域ＳＡと、第４辺Ｓ４に沿う端子領域ＴＡとを有している。図１の例においては、各辺Ｓ１，Ｓ２がＹ方向と平行であり、各辺Ｓ３，Ｓ４がＸ方向と平行である。表示領域ＤＡおよび周辺領域ＳＡにおいては各基板ＡＲ，ＣＴが対向しているが、端子領域ＴＡにおいてはアレイ基板ＡＲのみ存在する。

端子領域ＴＡには、端子Ｔが配置されている。フレキシブル回路基板３は、端子Ｔと電気的に接続されている。駆動回路４は、例えばＩＣであり、表示やセンシングを制御する回路を含む。表示を制御する回路とセンシングを制御する回路が別々に配置されてもよい。図１の例においては、駆動回路４がフレキシブル回路基板３に実装されている。駆動回路４は、例えば端子領域ＴＡなどの他の位置に実装されてもよい。

シール５は、例えば図１に示すように矩形枠状であり、第１辺Ｓ１に沿う第１部分５１と、第２辺Ｓ２に沿う第２部分５２と、第３辺Ｓ３に沿う第３部分５３と、第４辺Ｓ４に沿う第４部分５４とを有している。各部分５１〜５４は、表示領域ＤＡと各辺Ｓ１〜Ｓ４の間にそれぞれ配置されている。

図２は、表示装置１の画像表示に関わる構成を概略的に示す図である。表示装置１は、複数の走査線Ｇと、複数の信号線Ｓと、走査線ドライバＧＤＲ１，ＧＤＲ２と、信号線ドライバＳＤＲとを備えている。各走査線Ｇは、表示領域ＤＡにおいてＸ方向に延びるとともにＹ方向に並んでいる。各信号線Ｓは、表示領域ＤＡにおいてＹ方向に延びるとともにＸ方向に並んでいる。例えば、図中の上から奇数番目の走査線Ｇが走査線ドライバＧＤＲ１に接続され、偶数番目の走査線Ｇが走査線ドライバＧＤＲ２に接続されている。各信号線Ｓは、信号線ドライバＳＤＲに接続されている。走査線ドライバＧＤＲ１，ＧＤＲ２は、各走査線Ｇに走査信号を供給する。信号線ドライバＳＤＲは、各信号線Ｓに映像信号を供給する。駆動回路４は、各ドライバＧＤＲ１，ＧＤＲ２，ＳＤＲの動作を制御する。なお、表示装置１は、走査線ドライバを１つのみ備えてもよい。

２本の走査線Ｇと２本の信号線Ｓで区画される領域は、副画素ＳＰに相当する。例えば、赤、緑、青にそれぞれ対応する副画素ＳＰＲ，ＳＰＧ，ＳＰＢによって画像表示の最小単位となる画素ＰＸが構成される。画素ＰＸの構成はこれに限定されず、例えば白色などの他の色に対応する副画素ＳＰをさらに含んでもよい。副画素ＳＰは、スイッチング素子ＳＷと、画素電極ＰＥと、共通電極ＣＥとを含む。スイッチング素子ＳＷは、走査線Ｇ、信号線Ｓ、および画素電極ＰＥに接続されている。

図３は、表示装置１のセンシングに関わる構成を概略的に示す図である。表示装置１は、センシング用電極としての複数の駆動電極ＴＸと、センシング用電極としての複数の検出電極ＲＸと、切替回路６とを備えている。各駆動電極ＴＸは、表示領域ＤＡにおいてＹ方向に延びるとともにＸ方向に並んでいる。検出電極ＲＸは、表示領域ＤＡにおいてＸ方向に延びるとともにＹ方向に並んでいる。

本実施形態においては、駆動電極ＴＸとして共通電極ＣＥを利用する。但し、駆動電極ＴＸと共通電極ＣＥが別々の電極であってもよい。また、本実施形態においては、駆動電極ＴＸ（すなわち共通電極ＣＥ）がアレイ基板ＡＲに配置され、検出電極ＲＸが対向基板ＣＴに配置される場合を想定する。但し、駆動電極ＴＸが対向基板ＣＴに配置され、検出電極ＲＸがアレイ基板ＡＲに配置されてもよい。さらにこの場合において、共通電極ＣＥを検出電極ＲＸとして利用してもよい。

画像表示に際して、切替回路６は、各共通電極ＣＥに共通電圧を供給する。センシングに際して、切替回路６は、各共通電極ＣＥに駆動信号を順次供給する。各検出電極ＲＸと各共通電極ＣＥの間には、容量が形成されている。したがって、駆動信号が供給されると、各検出電極ＲＸから駆動回路４に検出信号が出力される。駆動回路４は、検出信号に基づいて、表示領域ＤＡに近接または接触している導体の有無やその位置を検出することができる。

共通電極ＣＥは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電材料で形成することができる。検出電極ＲＸは、例えば格子状に接続された導電線によって形成することができる。この導電線は、例えば金属やＩＴＯを含む積層構造であってもよいし、単層構造であってもよい。

図４は、表示領域ＤＡにおける表示パネル２の概略的な断面図である。以下の説明においては、Ｚ方向の矢印が示す方向を「上」と称し、当該方向の反対方向を「下」と称す。
アレイ基板ＡＲは、上述のスイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥ、走査線Ｇ、および信号線Ｓに加え、第１基体１０と、絶縁層１１〜１５と、第１配向膜ＡＬ１と、中継電極ＲＥとを備えている。

絶縁層１１は、第１基体１０の上面を覆っている。スイッチング素子ＳＷの半導体層ＳＣは、絶縁層１１の上に配置されている。絶縁層１２は、半導体層ＳＣおよび絶縁層１１を覆っている。走査線Ｇは、絶縁層１２の上に配置されている。絶縁層１３は、走査線Ｇおよび絶縁層１２を覆っている。信号線Ｓおよび中継電極ＲＥは、絶縁層１３の上に配置されている。信号線Ｓは、各絶縁層１２，１３を貫通するコンタクトホールＣＨ１を通じて半導体層ＳＣに接触している。中継電極ＲＥは、各絶縁層１２，１３を貫通するコンタクトホールＣＨ２を通じて半導体層ＳＣに接触している。信号線Ｓ、中継電極ＲＥ、および絶縁層１３は、絶縁層１４で覆われている。

共通電極ＣＥは、絶縁層１４の上に配置されている。絶縁層１５は、共通電極ＣＥおよび絶縁層１４を覆っている。画素電極ＰＥは、絶縁層１５の上に配置されている。画素電極ＰＥは、各絶縁層１４，１５を貫通するコンタクトホールＣＨ３を通じて中継電極ＲＥに接触している。第１配向膜ＡＬ１は、画素電極ＰＥおよび絶縁層１５を覆っている。

対向基板ＣＴは、上述の検出電極ＲＸに加え、第２基体２０と、遮光層２１と、カラーフィルタ２２と、オーバーコート層２３と、第２配向膜ＡＬ２とを備えている。

遮光層２１は、第２基体２０の下面に配置されている。カラーフィルタ２２は、遮光層２１および第２基体２０の下面を覆っている。オーバーコート層２３は、カラーフィルタ２２を覆っている。検出電極ＲＸは、オーバーコート層２３の下に配置されている。第２配向膜ＡＬ２は、検出電極ＲＸを覆っている。検出電極ＲＸの配置位置は、図示した例に限られず、例えばカラーフィルタ２２とオーバーコート層２３の間に配置されてもよい。

各配向膜ＡＬ１，ＡＬ２の間には、液晶分子を含む液晶層ＬＣが封入されている。遮光層２１は、スイッチング素子ＳＷ、走査線Ｇ、および信号線Ｓと対向するとともに、副画素ＳＰに対応する領域で開口している。
第１基体１０の下面には、第１偏光子ＰＬ１を含む第１光学素子ＯＤ１が配置されている。第２基体２０の上面には、第２偏光子ＰＬ２を含む第２光学素子ＯＤ２が配置されている。

本実施形態において、各基体１０，２０は、ポリイミドなどの樹脂材料を用いた樹脂基板である。すなわち、各基板ＡＲ，ＣＴは、可撓性を有している。各基体１０，２０の少なくとも一方がガラス基板などの剛性基板であってもよい。

表示パネル２の構成は、図４の例に限られない。例えば、図４においては共通電極ＣＥと液晶層ＬＣの間に画素電極ＰＥが配置されているが、画素電極ＰＥと液晶層ＬＣの間に共通電極ＣＥが配置されてもよい。

本実施形態において、検出電極ＲＸは、端子Ｔを介して駆動回路４と電気的に接続されている。以下、検出電極ＲＸと駆動回路４とを導通させるための構造について説明する。
図５は、表示装置１の概略的な平面図である。図５においては、説明を容易にするために、図１に比べて周辺領域ＳＡを大きくしている。表示装置１は、シール５と重畳する複数の導通構造４０（４０Ａ，４０Ｂ）と、アレイ基板ＡＲに設けられた複数の配線Ｌとを備えている。破線で示した検出電極ＲＸは、対応する導通構造４０および配線Ｌを介して端子Ｔに接続されている。言い換えれば、対向基板ＣＴに形成された各々のセンシング用電極（本実施形態では検出電極ＲＸ）は、互いに異なる導通構造４０に接続されている。

例えば、第３辺Ｓ３から奇数番目の検出電極ＲＸは、第１辺Ｓ１と表示領域ＤＡの間に配置された導通構造４０Ａを介して、第１辺Ｓ１と表示領域ＤＡの間を通る配線Ｌに接続されている。また、第３辺Ｓ３から偶数番目の検出電極ＲＸは、第２辺Ｓ２と表示領域ＤＡの間に配置された導通構造４０Ｂを介して、第２辺Ｓ２と表示領域ＤＡの間を通る配線Ｌに接続されている。なお、全ての導通構造４０が第１辺Ｓ１と表示領域ＤＡの間、または、第２辺Ｓ２と表示領域ＤＡの間に配置されてもよい。

配線Ｌの一方の端部は、端子Ｔに接続されている。配線Ｌは、他方の端部において、幅が拡大した拡大部分ＬＡを有している。
導通構造４０は、アレイ基板ＡＲに設けられた第１導電膜４１と、対向基板ＣＴに設けられた第２導電膜４２とを備えている。各導電膜４１，４２は、例えばＩＴＯなどの透明導電材料で形成されてもよいし、金属材料で形成されてもよい。

第１導電膜４１は、後述するコンタクトホールＣＨ４を通じて拡大部分ＬＡと電気的に接続されている。図５の例において、第２導電膜４２は、検出電極ＲＸの一部である。なお、検出電極ＲＸと別に第２導電膜４２が設けられ、これらが電気的に接続されてもよい。

図６は、図５におけるＶＩ−ＶＩ線に沿う表示パネル２の概略的な断面図である。ここでは導通構造４０Ａに着目するが、導通構造４０Ｂも導通構造４０Ａと同様の構造を備えている。以下の説明においては、対向基板ＣＴと対向するアレイ基板ＡＲの面を第１面ＳＦ１、第１面ＳＦ１と対向する対向基板ＣＴの面を第２面ＳＦ２と称す。

配線Ｌ（拡大部分ＬＡ）は、絶縁層１２，１３の間に配置されている。第１導電膜４１は、絶縁層１３〜１５を貫通するコンタクトホールＣＨ４を通じて拡大部分ＬＡに接触している。なお、配線Ｌは、第１基体１０と絶縁層１１の間、絶縁層１１，１２の間、絶縁層１３，１４の間など、他の位置に配置されてもよい。

導通構造４０Ａは、上述の第１導電膜４１および第２導電膜４２に加え、第１面Ｆ１に配置された突起４３と、第２面Ｆ２に配置された突起４４と、導電材４５とを備えている。
本実施形態において、導通構造４０Ａは、第１面Ｆ１に配置された４つの突起４３（４３ａ〜４３ｄ）を備えている。例えば図６に示すように、突起４３ａ〜４３ｄは、絶縁層１５の上に配置された樹脂層により構成され、第１導電膜４１で覆われている。なお、導通構造４０Ａが備える突起４３の数は、４つに限定されない。

本実施形態において、導通構造４０Ａは、第２面Ｆ２に配置された２つの突起４４（４４ａ，４４ｂ）を備えている（４４ｂについては後述の図９参照）。例えば図６に示すように、突起４４ａは、オーバーコート層２３の下に配置された樹脂層により構成され、第２導電膜４２で覆われている。突起４４ｂも同様の構成を有している。なお、導通構造４０Ａが備える突起４４の数は、２つに限定されない。

各配向膜ＡＬ１，ＡＬ２は、表示領域ＤＡおよび周辺領域ＳＡの略全面に形成されている。すなわち、各配向膜ＡＬ１，ＡＬ２の端部は、導通構造４０Ａの突起４３ａ〜４３ｄおよび突起４４ａ，４４ｂよりも第１辺Ｓ１に近い位置にある。また、各配向膜ＡＬ１，ＡＬ２の端部は、導通構造４０Ｂの突起４３ａ〜４３ｄおよび突起４４ａ，４４ｂよりも第２辺Ｓ２に近い位置にある。

配向膜ＡＬ１，ＡＬ２の厚さは、突起４２ａ〜４３ｄ及び突起４４ａ，４４ｂの頂部では薄くなり、実質的に厚さが無くなるため、突起４３ａ〜４３ｄと突起４４ａ，４４ｂの間において、第１導電膜４１は、第１配向膜ＡＬ１で覆われていない。同様に、突起４３ａ〜４３ｄと突起４４ａ，４４ｂの間において、第２導電膜４２は、第２配向膜ＡＬ２で覆われていない。

図６においては、突起４３ｂ，４３ｃがシール５で覆われ、突起４３ａ，４３ｄがシール５で覆われていない。導電材４５は、少なくとも突起４３ｂ，４３ｃと突起４４ａ，４４ｂの間において、シール５の内部に配置されている。本実施形態において、導電材４５は、球状の導電粒子（導電フィラー）である。但し、導電材４５の形状は球状に限定されない。

図６においては、突起４３ｂ，４３ｃと突起４４ａの間に１つずつ導電材４５が配置されているが、複数配置されてもよい。導電材４５は、シール５内の他の位置にさらに配置されてもよい。導電材４５は、各導電膜４１，４２に接触している。これにより、上述の駆動回路４と検出電極ＲＸは、配線Ｌ、第１導電膜４１、導電材４５、第２導電膜４２を介して電気的に接続される。

なお、突起４３および突起４４の態様は、図６の例に限られない。図７は、変形例に係る表示パネル２の概略的な断面図である。この図の例においては、絶縁層１４の厚さを変えることによって突起４３ａ〜４３ｄが形成されている。また、オーバーコート層２３の厚さを変えることによって突起４４ａが形成されている。突起４４ｂも同様の構成を有している。

図８および図９を用いて導通構造４０Ａをさらに詳細に説明する。
図８は、導通構造４０Ａの概略的な平面図である。突起４３ａ〜４３ｄは、第１方向Ｄ１に沿って長尺に延びるとともに、第２方向Ｄ２に並んでいる。突起４４ａ，４４ｂは、第２方向Ｄ２に沿って長尺に延びるとともに、第１方向Ｄ１に並んでいる。図８の例においては、第１方向Ｄ１がＹ方向と平行であり、第２方向Ｄ２がＸ方向と平行である。すなわち、本実施形態では各方向Ｄ１，Ｄ２が互いに直交するが、各方向Ｄ１，Ｄ２が垂直以外の角度で交差してもよい。シール５の第１部分５１は、第３方向Ｄ３に延びている。本実施形態において、第３方向Ｄ３は、第１方向Ｄ１と平行である。

平面視において、突起４３ａ，４３ｄは、シール５と重畳していない。一方で、突起４３ｂ，４３ｃおよび突起４４ａ，４４ｂは、シール５と重畳している。シール５と重畳しない突起４４がさらに設けられてもよい。

平面視において、突起４４ａ，４４ｂは、それぞれ突起４３ａ〜４３ｄと交差している。これにより、導通構造４０Ａにおいて、突起４３と突起４４が交差する８つの交差領域ＣＡが形成される。また、交差領域ＣＡの周囲には、突起４３または突起４４のみが存在する非交差領域ＮＡが形成される。図８の例においては、突起４３ｂ，４３ｃと突起４４ａ，４４ｂとで形成された交差領域ＣＡはシール５と重畳し、他の交差領域ＣＡはシール５と重畳していない。シール５と重畳する交差領域ＣＡにおいては、上述の導電材４５を介して各導電膜４１，４２が電気的に接続されている。したがって、これらの交差領域ＣＡは、実質的に導通に寄与する領域である。

図９は、図８におけるＩＸ−ＩＸ線に沿う表示パネル２の概略的な断面図である。突起４３ｂ，４３ｃは、例えば図示したように滑らかな表面を有し得る。突起４３ａ，４３ｄおよび突起４４ａ，４４ｂも同様である。突起４３ａ〜４３ｄの上には第１配向膜ＡＬ１が形成されておらず、第１導電膜４１が露出している。同様に、突起４４ａ，４４ｂの下には第２配向膜ＡＬ２が形成されておらず、第２導電膜４２が露出している。なお、突起４３ａ〜４３ｄの周囲には第１配向膜ＡＬ１が形成されている。また、突起４４ａ，４４ｂの周囲には第２配向膜ＡＬ２が形成されている。

導電材４５は、例えば球状に形成され、全体が金属製であってもよいし、樹脂などの絶縁材料を金属材料でコーティングしたものであってもよい。導電材４５は、シール５の全体に分散配置されている。したがって、交差領域ＣＡだけでなく、非交差領域ＮＡにも導電材４５が存在する。非交差領域ＮＡに配置された導電材４５は、例えば断面が正円形の球状である。交差領域ＣＡに配置された導電材４５は、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴを貼り合せる際に加わる力によって、例えば断面が楕円形の球状に変形している。このように変形した導電材４５により、各導電膜４１，４２が導通する。

なお、突起４３ｂ，４３ｃの上に第１配向膜ＡＬ１が薄く形成されてもよい。また、突起４４ａ，４４ｂの下に第２配向膜ＡＬ２が薄く形成されてもよい。これらの場合であっても、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴを貼り合せる際に、導電材４５が各配向膜ＡＬ１，ＡＬ２を破って各導電膜４１，４２に接触する。

非交差領域ＮＡに配置された導電材４５の直径はＲａであり、交差領域ＣＡに配置された導電材４５の短径（Ｚ方向における長さ）はＲｂである。一例として、短径Ｒｂは直径Ｒａより１０％以上小さい。このような条件においては、変形した導電材４５を介して各導電膜４１，４２を好適に導通させることができる。

突起４３ａ〜４３ｃの高さはＨ１であり、突起４４ａ，４４ｂの高さはＨ２である。導通の観点からは、直径Ｒａ、高さＨ１、および高さＨ２は、それぞれ表示領域ＤＡにおけるセルギャップ（各配向膜ＡＬ１，ＡＬ２の間の距離）の１／６以上かつ１／２未満であることが好ましい。一例として、セルギャップが３μｍである場合に、直径Ｒａ、高さＨ１、および高さＨ２は、０．５μｍ〜１．５μｍの範囲で任意に定めることができる。直径Ｒａ、高さＨ１、および高さＨ２は同じであってもよいし、異なってもよい。

図８に示すように、シール５の幅は、Ｗ０である。突起４３ａ〜４３ｄの幅は、Ｗ１である。隣り合う突起４３の間隔は、Ｐ１である。突起４４ａ，４４ｂの幅は、Ｗ２である。突起４４ａ，４４ｂの間隔は、Ｐ２である。なお、突起４３ａ〜４３ｄの幅は異なってもよい。また、隣り合う突起４３の間隔は異なってもよい。また、突起４４ａ，４４ｂの幅は異なってもよい。

図９に示す突起４３ｂ，４３ｃのように突起４３が滑らかな表面を有する場合、高さＨ１は、例えば突起４３の最大高さと定義することができる。さらに、幅Ｗ１は、例えば突起４３の高さがＨ１の９０％以上となる領域の幅と定義することができる。突起４４の高さＨ２および幅Ｗ２についても、同様に定義することができる。

一例として、幅Ｗ０は、１００μｍ以上かつ５００μｍ以下である。また、幅Ｗ１，Ｗ２は、５μｍ以上かつ２０μｍ以下である。幅Ｗ１，Ｗ２は、直径Ｒａの５倍以上かつ２０倍以下であることが好ましい。また、間隔Ｐ１は、幅Ｗ１の０．７倍以上かつ１．３倍以下であることが好ましい。間隔Ｐ１と幅Ｗ１が実質的に同一であれば一層好適である。このような条件においては、表示パネル２の製造時において突起４３の上に形成された第１配向膜ＡＬ１の材料が隣り合う突起４３の間に流れ落ち易い。同様の理由から、間隔Ｐ２は幅Ｗ２の０．７倍以上かつ１．３倍以下であることが好ましく、間隔Ｐ２と幅Ｗ２が実質的に同一であれば一層好適である。以上の条件によれば、導電材４５を介した各導電膜４１，４２の導通の信頼性が向上する。
なお、導通構造４０Ｂの構成は、図８および図９を用いて説明した導通構造４０Ａと同様である。

本実施形態の効果について説明する。
比較例として、導通構造４０が突起４３および突起４４を備えず、導電材４５の直径が各導電膜４１，４２の間のギャップと同程度にする場合を想定する。この比較例においては、第１面ＳＦ１および第２面ＳＦ２に生じる凹凸に起因して、各導電膜４１，４２の間のギャップが設計よりも大きくなり、導電材４５が各導電膜４１，４２と十分に接触しない可能性がある。このような導通不良を防ぐべく、導電材４５をギャップよりも大きくすることが考えられる。しかしながら、導電材４５はシール５の全体に分布しているため、シール５による接着領域の全体で導電材４５の反発が生じ、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴの接着不良を招き得る。

これに対し本実施形態においては、突起４３および突起４４により、各導電膜４１，４２の間のギャップを、上記凹凸による導通不良が生じない所望の値に調整することができる。また、導電材４５は、突起４３および突起４４が対向する領域においてのみアレイ基板ＡＲおよび対向基板ＣＴに接触する。したがって、接着領域の全体で導電材４５の反発が生じることはないので、上記比較例のような基板間の接着不良を防ぐことができる。

また、突起４３および突起４４を備えない場合には、各導電膜４１，４２の上にそれぞれ配向膜ＡＬ１，ＡＬ２が形成される。したがって、導通を確保するためには、各導電膜４１，４２の表面から各配向膜ＡＬ１，ＡＬ２を除去する工程が必要となる。これに対し、突起４３および突起４４を備える場合には、製造時において配向膜ＡＬ１，ＡＬ２の材料を形成した際に、突起４３および突起４４の上の当該材料が周囲に流れ落ちる。したがって、各配向膜ＡＬ１，ＡＬ２を除去する工程を経なくても、突起４３ａ〜４３ｄの上には第１配向膜ＡＬ１が形成されず、第１導電膜４１が露出する。同様に、突起４４ａ，４４ｂの下には第２配向膜ＡＬ２が形成されず、第２導電膜４２が露出する。

また、本実施形態における導通構造４０は、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴの貼り合せに際してのシール５の広がりの観点からも有利である。この効果につき、図１０の平面図および図１１の断面図を用いて説明する。図１０において１点鎖線で示すように、表示パネル２の製造過程において、シール５ａが第１面ＳＦ１または第２面ＳＦ２に所定の幅で形成される。このシール５ａは、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴを貼り合せる際に、矢印で示す広がり方向ＥＤに広がり、シール５となる。シール５の幅は、例えばシール５ａの幅の３倍程度である。導通構造４０の各突起がシール５ａからシール５への広がりを阻害する態様で配置されていると、シール５の形状が乱れる可能性がある。さらに、導電材４５が各交差領域ＣＡに移動せず、導通不良を招く可能性がある。

シール５ａの広がりを阻害する態様としては、例えば、突起４３と突起４４とが長手方向において重畳し、かつ当該長手方向が広がり方向ＥＤと交差する場合が挙げられる。図１１は、このような構成を有する表示パネルを、広がり方向ＥＤから見た断面図である。この例では、破線で囲ったように、突起４３と突起４４の間のギャップＧが小さい領域Ａが長尺に形成されている。この領域Ａにより、シール５ａの広がりや、導電材４５の移動が阻害され得る。

これに対し本実施形態においては、図８〜図１０に示すように、突起４３と突起４４が交差する交差領域ＣＡと、交差しない非交差領域ＮＡとが交互に形成される。非交差領域ＮＡにおいては、交差領域ＣＡに比べてギャップＧが大きい。したがって、図１１に示した比較例に比べて、シール５ａが広がりやすく、導電材４５も移動しやすい。これにより、シール５の形状が安定するとともに、導電材４５を介した導通の信頼性が向上する。

また、本実施形態においては、導通構造４０がシール５と重畳しない突起４３ａ，４３ｄを有している。さらに、突起４４ａ，４４ｂは、シール５と重畳しない位置まで延出して、突起４３ａ，４３ｄと交差している。これら突起４３ａ，４３ｄと突起４４ａ，４４ｂとで構成される交差領域ＣＡは、各導電膜４１，４２の導通には寄与しない。但し、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴの貼り合せずれや、シール５のずれが生じた場合には、これらの交差領域ＣＡとシール５が重畳し得る。すなわち、突起４３ａ，４３ｄは各種のずれに対する予備的な役割を担っており、導通の信頼性の向上に寄与している。
以上のように、本実施形態によれば、アレイ基板ＡＲの端子Ｔと、対向基板ＣＴの検出電極ＲＸとの導通の信頼性が高まるので、表示装置１の製造歩留りを改善することができる。

さらに、本実施形態の導通構造４０Ａは、図１５に示すように表示パネル２が曲げられている場合に効果的である。図示した表示パネル２は、第１辺Ｓ１および第２辺Ｓ２の近傍において、これらの辺Ｓ１，Ｓ２に沿ってアレイ基板ＡＲおよび対向基板ＣＴが曲げられている。このように表示パネル２が曲げられた位置では、基板の表面は湾曲し、基板の曲率中心に近い側で圧縮応力が生じ、遠い側で引張応力が生じる。この場合、シール５に複雑な応力が発生し、各導電材４５が第１方向Ｄ１や第２方向Ｄ２に大きく移動してしまう可能性がある。しかし、本実施形態の突起４４ａ、４４ｂと、突起４３ａ〜４３ｄとは、互いに異なる方向に延びており、導電材４５の過度な移動を規制できる。
その他にも、本実施形態からは種々の好適な効果を得ることができる。

以下、導通構造４０に適用し得る他の実施形態について説明する。特に言及しない構成および効果については、第１実施形態と同様である。第２乃至第６実施形態では、導通構造４０Ａに着目するが、導通構造４０Ｂにも同様の構成を適用できる。また、各実施形態における突起４３および突起４４の数や配置態様は一例に過ぎず、適宜に変形することが可能である

［第２実施形態］
図１２は、第２実施形態に係る導通構造４０Ａの概略的な平面図である。この導通構造４０Ａは、対向基板ＣＴに設けられる８つの突起４４（４４ａ〜４４ｈ）を備えている。突起４４ａ，４４ｅと突起４３ａ、突起４４ｂ，４４ｆと突起４３ｂ、突起４４ｃ，４４ｇと突起４３ｃ、突起４４ｄ，４４ｈと突起４３ｄは、それぞれ交差している。突起４４ａ〜４４ｄは、第２方向Ｄ２に並んでいる。突起４４ｅ〜４４ｈは、第２方向Ｄ２に並んでいる。

本実施形態においては、第２方向Ｄ２に隣り合う突起４４の間に、突起４３および突起４４の双方が存在しない領域Ｂが形成される。この領域Ｂにより、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴを貼り合せる際に、シール５が広がり易くなる。

［第３実施形態］
図１３は、第３実施形態に係る導通構造４０Ａの概略的な平面図である。この導通構造４０Ａは、アレイ基板ＡＲに設けられる８つの突起４３（４３ａ〜４３ｈ）と、対向基板ＣＴに設けられる８つの突起４４（４４ａ〜４４ｈ）とを備えている。突起４３ａ〜４３ｈは、それぞれ突起４４ａ〜４４ｈと交差している。突起４３ａと４３ｅ、突起４３ｂと４３ｆ、突起４３ｃと４３ｇ、突起４３ｄと４３ｈは、それぞれ第１方向Ｄ１に並んでいる。突起４３ａ〜４３ｄは、第２方向Ｄ２に並んでいる。突起４３ｅ〜４３ｈは、第２方向Ｄ２に並んでいる。突起４４ａ〜４４ｈの形状および配列は、図１２の例と同じである。

本実施形態においては、第２方向Ｄ２に隣り合う突起４４の間に加え、第１方向Ｄ１に隣り合う突起４３の間にも領域Ｂが形成される。したがって、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴを貼り合せる際に、シール５が一層広がり易くなる。

［第４実施形態］
図１４は、第４実施形態に係る導通構造４０Ａの概略的な平面図である。この導通構造４０Ａは、第１実施形態と同じく、アレイ基板ＡＲに設けられる４つの突起４３（４３ａ〜４３ｄ）と、対向基板ＣＴに設けられる２つの突起４４（４４ａ，４４ｂ）とを備えている。

本実施形態においては、突起４３ａ〜４３ｄが延在する第１方向Ｄ１がＹ方向と平行でなく、突起４４ａ，４４ｂが延在する第２方向Ｄ２がＸ方向と平行でない。一方で、シール５が延在する第３方向Ｄ３は、Ｙ方向と平行である。すなわち、第３方向Ｄ３は、各方向Ｄ１，Ｄ２と交差している。
このような構成であれば、第１実施形態よりも導通構造４０ＡがＸ方向またはＹ方向への応力に強くなり、導通の信頼性が一層向上する。

例えば、上記の応力は、図１５に示すように表示パネル２が曲げられた際に発生する。図示した表示パネル２は、第１辺Ｓ１および第２辺Ｓ２の近傍において、これらの辺Ｓ１，Ｓ２に沿ってアレイ基板ＡＲおよび対向基板ＣＴが曲げられている。このように表示パネル２が曲げられた位置では、曲率中心に近い側で圧縮応力が生じ、遠い側で引張応力が生じる。図１４に示した導通構造４０Ａは、このような応力が発生する表示パネル２に適用すると顕著な効果を奏する。
なお、図１５の表示パネル２は各辺Ｓ１，Ｓ２の双方の近傍が曲げられているが、一方の近傍のみ曲げられてもよい。

［第５実施形態］
図１６は、第５実施形態に係る導通構造４０Ａの概略的な平面図である。この導通構造４０Ａは、第２実施形態と同じく、アレイ基板ＡＲに設けられる４つの突起４３（４３ａ〜４３ｄ）と、対向基板ＣＴに設けられる８つの突起４４（４４ａ〜４４ｈ）とを備えている。さらに、第４実施形態と同じく、第３方向Ｄ３が第１方向Ｄ１および第２方向Ｄ２と交差している。
このような構成であれば、第２および第５実施形態の双方の効果を得ることができる。

［第６実施形態］
図１７は、第６実施形態に係る導通構造４０Ａの概略的な平面図である。この導通構造４０Ａは、第３実施形態と同じく、アレイ基板ＡＲに設けられる８つの突起４３（４３ａ〜４３ｈ）と、対向基板ＣＴに設けられる８つの突起４４（４４ａ〜４４ｈ）とを備えている。さらに、第４実施形態と同じく、第３方向Ｄ３が第１方向Ｄ１および第２方向Ｄ２と交差している。
このような構成であれば、第３および第５実施形態の双方の効果を得ることができる。

［第７実施形態］
図１８は、第７実施形態に係る表示装置１の概略的な平面図である。本実施形態においては、端子Ｔと表示領域ＤＡの間において、導通構造４０がＸ方向に配列されている。第２導電膜４２と検出電極ＲＸは、対向基板ＣＴに設けられた配線６０を介して電気的に接続されている。例えば、第３辺Ｓ３から奇数番目の検出電極ＲＸと導通構造４０を接続する配線６０は、第１辺Ｓ１と表示領域ＤＡの間を通る。また、第３辺Ｓ３から偶数番目の検出電極ＲＸと導通構造４０を接続する配線６０は、第２辺Ｓ２と表示領域ＤＡの間を通る。

本実施形態における導通構造４０は、シール５の第４部分５４と重畳している。すなわち、各導電膜４１，４２は、第４部分５４に含まれる導電材４５を介して電気的に接続される。導通構造４０に含まれる突起４３，４４の形状等は、上述の各実施形態にて開示した構成を適用できる。なお、本実施形態においては、シール５の導通構造４０と重畳する部分（第４部分５４）の延在方向である第３方向Ｄ３が、Ｘ方向と平行である。

本実施形態の構成であれば、各辺Ｓ１，Ｓ２の近傍で表示パネル２を曲げた場合でも、導通構造４０に応力が加わらない。したがって、導通構造４０による導通の信頼性が向上する。

［第８実施形態］
図１９は、第８実施形態に係る表示装置１の概略的な平面図である。本実施形態において、各駆動電極ＴＸ（共通電極ＣＥ）は、Ｘ方向に延びるとともにＹ方向に並んでいる。各検出電極ＲＸは、Ｙ方向に延びるとともにＸ方向に並んでいる。導通構造４０は、第７実施形態と同じく、端子Ｔと表示領域ＤＡの間においてＸ方向に配列されている。

本実施形態の構成であれば、各辺Ｓ１，Ｓ２と表示領域ＤＡとの間に、検出電極ＲＸと導通構造４０を接続する配線や、導通構造４０と端子Ｔを接続する配線を設ける必要がない。したがって、周辺領域ＳＡの狭小化が可能である。

以上の第１乃至第８実施形態にて開示した構成は、適宜に変形することができる。例えば、各実施形態においては、導通構造４０の接続対象である対向基板ＣＴの電極が、検出電極ＲＸである場合を想定した。しかしながら、対向基板ＣＴの電極は、駆動電極ＴＸであってもよいし、センシングとは関係の無い他の電極であってもよい。
また、センシング方法は、検出電極ＲＸと駆動電極ＴＸを用いた相互容量方式に限られず、例えば自己容量方式であってもよい。自己容量方式を採用する場合、対向基板ＣＴの電極に駆動信号が供給されるとともに、当該電極から検出信号が読み出される。

突起４３の一部の領域が第１導電膜４１で覆われ、残りの領域が第１導電膜４１から露出してもよい。同様に、突起４４の一部の領域が第２導電膜４２で覆われ、残りの領域が第２導電膜４２から露出してもよい。
また、導通構造４０の突起は、アレイ基板ＡＲおよび対向基板ＣＴの一方にのみ設けられてもよい。

各実施形態において、アレイ基板ＡＲの突起４３と対向基板ＣＴの突起４４の形状および配置を入れ替えてもよい。例えばシール５の形状を安定させる観点からは、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴのうち、製造時において先にシール５が形成される基板の突起が第３方向Ｄ３に沿って延在する方が好ましい。一例を上げると、図１０に示す構成においては、突起４３ａ〜４３ｄが第３方向Ｄ３に沿って延在するので、アレイ基板ＡＲにシール５が形成されると良い。対向基板ＣＴにシール５を形成する場合には、例えば突起４３ａ〜４３ｄと同形状の突起を対向基板ＣＴに設け、突起４４ａ，４４ｂと同形状の突起をアレイ基板ＡＲに設ければよい。

なお、各実施形態において例示した複数の突起、複数の導通構造、複数の検出電極、あるいは複数の駆動電極（共通電極）のように、同一または類似する複数の要素に対しては、適宜に「第１」、「第２」、「第３」、「第４」・・・のような文言を付加して互いを識別させることができる。

本発明の実施形態として説明した表示装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
また、各実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、又は当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

１…液晶表示装置、ＡＲ…アレイ基板、ＣＴ…対向基板、ＬＣ…液晶層、ＤＡ…表示領域、ＳＡ…周辺領域、ＴＡ…端子領域、Ｔ…端子、４…駆動回路、５…シール、ＴＸ…駆動電極、ＲＸ…検出電極、Ｌ…配線、ＬＡ…拡大部分、Ｄ１…第１方向、Ｄ２…第２方向、Ｄ３…第３方向、ＣＡ…交差領域、ＮＡ…非交差領域、４０…導通構造、４１…第１導電膜、４２…導電膜、４３…アレイ基板の突起、４４…対向基板の突起、４５…導電材。

Claims (11)

1. 第１面を有する第１基板と、
   前記第１面に対向する第２面を有する第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板とを接着する接着層と、
   前記第１基板および前記第２基板の一方にあり、駆動回路が接続される端子と、
   前記第１基板および前記第２基板の他方にある電極と、
   前記駆動回路と前記電極とを電気的に接続する導通構造と、を備え、
   前記第２基板は、可撓性を有し、
   前記導通構造は、
   前記接着層と重なる領域において前記第１面に配置された第１突起と、
   前記第１突起の少なくとも一部を覆う第１導電膜と、
   前記第２基板に設けられ、前記第１導電膜と対向する第２導電膜と、
   前記接着層に含まれ、前記第１導電膜および前記第２導電膜に接触した導電材と、
   を含む表示装置。
2. 前記導通構造は、前記接着層と重なる領域において前記第２面に配置された第２突起をさらに備え、
   前記第２導電膜は、前記第２突起の少なくとも一部を覆う、
   請求項１に記載の表示装置。
3. 平面視において、前記第１突起は第１方向に延在し、前記第２突起は前記第１方向に交差する第２方向に延在する、
   請求項２に記載の表示装置。
4. 前記導通構造は、前記第１面に配置された第３突起と、前記第２面に配置された第４突起と、をさらに含み、
   前記第１導電膜は前記第３突起の少なくとも一部を覆い、前記第２導電膜は前記第４突起の少なくとも一部を覆い、
   平面視において、前記第３突起は前記第１方向に延在し、前記第４突起は前記第２方向に延在し、
   平面視において、前記第１突起と前記第３突起は前記第２方向に並び、前記第２突起と前記第４突起は前記第１方向に並ぶ、
   請求項３に記載の表示装置。
5. 前記導通構造と重畳する前記接着層の第１部分は、前記第１方向および前記第２方向と交差する第３方向に延在する、
   請求項３または４に記載の表示装置。
6. 前記第１基板は、第１辺と、前記第１辺の反対側の第２辺とを有し、
   平面視において、前記第１辺および前記第２辺の間にある表示領域を有し、
   平面視において、前記導通構造は、前記第１辺と前記表示領域の間、または、前記第２辺と前記表示領域の間にあり、
   前記第１辺および前記第２辺の少なくとも一方の近傍において、前記第１基板および前記第２基板が曲がっている、
   請求項１乃至５のいずれか１項に記載の表示装置。
7. 前記第１基板は、第１辺と、前記第１辺の反対側の第２辺と、前記第１辺および前記第２辺を繋ぐ第３辺および第４辺とを有し、
   平面視において、前記第３辺および前記第４辺の間にある表示領域を有し、
   平面視において、前記端子は、前記第４辺と前記表示領域の間にあり、
   平面視において、前記導通構造は、前記端子と前記表示領域の間にあり、
   前記第１辺および前記第２辺の少なくとも一方の近傍において、前記第１基板および前記第２基板が曲がっている、
   請求項１乃至５のいずれか１項に記載の表示装置。
8. 前記第１面に配置された第５突起をさらに備え、
   前記第１導電膜は、前記第５突起の少なくとも一部を覆い、
   平面視において、前記第５突起と前記接着層が重畳しない、
   請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載の表示装置。
9. 前記導電材は、導電粒子であり、
   前記第１突起の幅は、前記導電粒子の直径の５倍以上かつ２０倍以下である、
   請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載の表示装置。
10. 前記第１基板と前記第２基板の間にある液晶層と、
    前記第１基板にあり、前記液晶層に含まれる液晶分子を配向させる配向膜と、をさらに備え、
    平面視において、前記配向膜の端部は、前記第１突起よりも前記第１基板の端部に近い位置にある、
    請求項１乃至９のうちいずれか１項に記載の表示装置。
11. 前記導通構造を複数備え、
    前記電極は複数のセンシング用電極を有し、
    前記センシング用電極の各々は、互いに異なる前記導通構造に接続されている、
    請求項１乃至１０のうちいずれか１項に記載の表示装置。

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