CN105579410B - 在euv照射下没有膨胀的用于euv光刻的反射镜毛坯 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及用于EUV反射镜的衬底，所述衬底具有过零温度的偏离统计分布的变化过程。此外，本发明涉及用于制造用于EUV反射镜的衬底的方法及其使用，其中所述衬底中的过零温度的变化过程与反射镜的运行温度适配，以及涉及在使用这种衬底的情况下的光刻方法。

Description

在EUV照射下没有膨胀的用于EUV光刻的反射镜毛坯
技术领域
本发明涉及用于EUV反射镜的衬底，所述衬底的特色是：衬底的光学上所利用的表面上的过零温度的分布偏离统计分布并且衬底在表面上分别具有最小的和最大的过零温度。此外，本发明涉及用于制造用于EUV反射镜的衬底的方法，在所述方法中过零温度的不均匀的额定温度变化过程被预给定，以及涉及根据本发明的衬底在光刻法中的使用。
背景技术
在EUV光刻中高度集成的结构借助于电磁辐射被产生。在此，所采用的辐射的波长在大约13nm的范围中、即在极紫外光（EUV）的范围中变动。将EUV反射镜用于EUV投影系统，其中EUV反射镜具有至少一个衬底以及被施加在衬底上的反射性的多层涂层。衬底为此经常具有零膨胀材料和热膨胀的在衬底中不依赖于位置的过零温度。EUV反射镜当在EUV投影系统中在EUV反射镜中以极紫外辐射照射的情况下具有依赖于位置的运行温度。
反射镜衬底通常由高硅酸含量的以二氧化钛掺杂的玻璃构成。实际的反射镜通过对衬底的机械加工和以多层涂层对所述衬底进行涂层被获得。在此，EUV反射镜元件的最大（理论）反射率为大概70%，使得辐射能量的大约30%在涂层中或者在反射镜衬底的表面附近的层中被吸收并且在那里被转化成热量。进入到反射镜衬底中的辐射导致衬底的热体积变化，其中可能发生表面的变形。在1nm的范围中的最小的体积变化就已经可能导致成像质量的明显的恶化和失真。在此特别使围绕辐射的撞击面的表面区域承受负荷。
DE 10 2010 009 589 B4描述一种用于制造用于供EUV光刻中采用的反射镜衬底的由钛掺杂的、高硅酸含量的玻璃构成的坯件的方法。反射镜衬底具有要施加反射涂层（verspiegeln）的表面区域，其中用于表面区域的玻璃借助于火焰水解被产生并且被预给定的氢含量被调整。
US 2012/0264584 A1公开了用于EUV光刻投影系统的衬底，所述衬底具有两个不一致的表面，所述表面的过零温度相差至少5℃。
DE 10 2011 085 358 B3涉及用于EUV光刻的光学装置以及用于配置该光学装置的方法。所述光学装置、例如投影物镜在此包括两个分别具有不同热膨胀系数的反射镜衬底，所述反射镜衬底被布置，使得由反射镜的变形所造成的失真被补偿。
发明内容
增多地存在提供如下EUV反射镜衬底的需求，所述EUV反射镜衬底适于在EUV反射镜中采用并且尤其在半导体工业中实现微电子器件、例如集成电路的精确的加工。因此本发明的任务是提供用于EUV反射镜的衬底以及用于制造这种衬底的方法，所述衬底在所定义的EUV照射条件下、例如在EUV光刻方法中采用的情况下不具有膨胀或者至少仅具有最小的膨胀并且因此实现高的成像质量。
所述任务根据本发明通过如下方式被解决：衬底的依赖于位置的过零温度在衬底的表面上改变并且为所述过零温度预给定不均匀的、非统计的分布。该分布在理想情况下对应于反射镜的要预期的运行温度的分布。
因此，本发明的主题是用于EUV反射镜的衬底，所述衬底在表面上具有偏离统计分布的过零温度，其中所述衬底在表面上具有彼此偏离多于1.5K的最小过零温度（Tzcmin）和最大过零温度（Tzcmax）。
偏离统计分布的分布在本发明的意义上应被理解为非任意的、非线性的、不均匀的分布。优选地，过零温度依照所规定的变化过程和/或所规定的分布，所述变化过程或者所述分布遵循反射镜的运行温度的要预期的分布和/或要预期的变化过程。
衬底的表面在EUV反射镜中配备有反射性的多层涂层，所述多层涂层可被称为反射镜的表面。反射镜的表面直接遭受运行条件。在本发明的范围中的衬底的表面意指衬底的在EUV反射镜中面向多层涂层的表面。在本发明的意义上的表面可以不仅涉及二维尺寸而且涉及体积元件。对于术语“衬底的表面”涉及体积元件的情况来说所述体积元件优选地是如下元件，所述元件具有例如2cm至4cm的厚度并且形成衬底的面向运行的外部界限。
在本发明的意义上的衬底应被理解为如下成形本体，所述成形本体应被视为实际的EUV反射镜的前体和/或坯件。可以由该前体借助于另外的方法步骤、例如通过施加凹的反射镜形状并且抛光以及反射性地对所述前体进行涂层来得到实际的EUV反射镜。
由于在EUV光刻中所采用的衬底所遭受的短波辐射，对所述衬底提出高的材料的要求。满足高的要求的材料组是掺杂的石英玻璃。此外，所述石英玻璃的特性可以通过引入不同的掺杂物与相应的要求适配。因此，例如可以通过掺杂物的合适的选择改变玻璃的折射率或者粘性。以二氧化钛掺杂尤其有助于进一步最小化石英玻璃的热膨胀。
因此，本发明的如下实施方式是优选的，在所述实施方式中衬底包括二氧化钛掺杂的石英玻璃。
在本发明的一种优选的实施方式中，衬底具有量分别相对于衬底的总重量为5重量％至12重量％、优选地6重量％至10重量％的二氧化钛。
易于理解的是，衬底可以具有另外的掺杂物。因此例如尤其可以将碱金属用于降低衬底中的纹影（Schlieren）的影响。此外，例如可以将另外的掺杂物用于根据运行条件适配衬底的粘性或折射系数。
在另一种优选的实施方式中，衬底包括玻璃陶瓷，在所述玻璃陶瓷的情况下晶相与玻璃相的比例被调整，使得不同的相的热膨胀系数几乎抵消。
衬底层状地被组成已被证实是有利的。层可以在其过零温度、过零温度的分布或者其他特征、如气泡方面相区分。因此，本发明的如下实施方式是优选的，在所述实施方式中衬底包括多个层。各个层的厚度在此可以改变并且在考虑衬底的所期望的特性的情况下被自由地选择。层的数量在此例如可以在2至4的范围中变动。
通过以EUV辐射照射反射镜，在运行中加热反射镜，其中反射镜由于通过具有空间强度分布的伸展的EUV束斑引起的不均匀的照明而具有如下温度分布和/或温度分布图，所述温度分布和/或温度分布图依赖于EUV束斑的撞击面和/或强度分布。该温度分布图类似地出现在衬底的表面上。在此，束斑可以照射整个反射镜表面或者也可以仅照射所述反射镜表面的一部分。
为了抵制衬底和/或反射镜的由热决定的形变，因此值得期望的是，过零温度的分布与该温度分布图和/或该温度分布适配。因此，如下实施方式是优选的，在所述实施方式中衬底的表面具有不同的过零温度，其中过零温度优选地具有至少一个最大值。
因此，如下实施方式是优选的，在所述实施方式中衬底在远离边缘的区域中具有过零温度Tzc1并且在边缘处具有过零温度Tzc2，其中Tzc1比Tzc2高至少1.5℃。
在实践中，EUV辐射场通常具有一个或多个强度最大值。由此得出如下温度分布图，所述温度分布图的特色基本上是：不同的点具有不同的温度，这导致过零温度同样具有差并且在衬底的表面上出现最大以及最小过零温度。对于撞击到EUV反射镜上的辐射具有多个强度最大值的情况来说，EUV反射镜表面上的温度分布同样具有多个最大值，其中反射镜的表面上的最大值与辐射的强度的最大值相对应。
因此，如下实施方式是优选的，在所述实施方式中Tzcmax和Tzcmin之间的差为至少2K、进一步优选地为3K。
此外，衬底的如下实施方式是优选的，在所述实施方式中Tzcmax和Tzcmin之间的差位于2至10K、尤其2.5至7K的范围中。
由衬底所遭受的普遍的运行条件一般来说得出衬底的表面上的至少一个如下部位，在所述部位处所述衬底具有最大温度。因此，如下实施方式是优选的，在所述实施方式中衬底的表面处的过零温度的分布具有至少一个局部最大值。
此外，如下实施方式是优选的，在所述实施方式中过零温度的分布至少部分地具有基本上连续的变化过程。因此过零温度例如可以从EUV辐射场的撞击面开始连续地从其中心出发降低。反射镜的表面上的与衬底的表面上的过零温度的分布适配的温度分布在此通常通过由于以EUV辐射场照射对反射镜的加热和向环境的散热之间的相互作用得出。此外可以通过反射镜的有针对性的冷却来影响温度分布。
对在EUV光刻中所采用的衬底提出高的要求。衬底必须具备诸如热膨胀系数或者过零温度的特性，所述特性要求特性的精确的调整以及衬底的仔细的制造。
因此，本发明的另外的主题是用于制造用于EUV反射镜的衬底的方法，所述方法包括以下步骤：
a) 针对衬底预给定过零温度的不均匀的额定温度变化过程，
b) 在调整过零温度的所预给定的依赖于位置的额定变化过程的情况下制造衬底。
在本发明的意义上的额定温度变化过程应被理解为如下温度变化过程，所述温度变化过程在衬底的制造之前被规定。在此，所述规定例如可以通过测量或者计算进行。该额定温度变化过程例如遵循反射镜的要预期的运行温度，所述运行温度可以依赖于辐射源、辐射源的数量和布置以及另外的过程条件改变。在以后的衬底中的过零温度的分布与该变化过程适配。在此，所述适配优选地进行，使得衬底在运行条件下不具有由热决定的形变。通常出现的变形在此通过衬底中的和/或所述衬底的表面上的过零温度的相应调整尽最大可能地被补偿。
在一种优选的实施方式中，额定温度的变化过程横向地延伸。在本发明的意义上的横向变化过程尤其应被理解为如下变化过程，在所述变化过程中额定温度依照衬底的表面上的所规定的温度分布图。
在一种有利的实施方案中，根据本发明的方法包括以下步骤：
i) 在构成TiO2掺杂的烟灰体的情况下沉积包含硅的初始物质和包含钛的初始物质，
ii）使所述烟灰体干燥，
iii) 在构成坯件的情况下使烟灰体烧结，
iv）使坯件均匀化，并且必要时
v）构成衬底。
在本发明的意义上的烟灰体是多孔的、未被烧结的由石英玻璃构成的本体。
在本发明的意义上的坯件应被理解为被烧结的由石英玻璃构成的工件，所述工件被确定用于进一步处理。在此，进一步处理例如可以包括成型方法。
优选地，包含硅的初始物质从由八甲基环四硅氧烷（OMCTS）和四氯化硅（SiCl4）构成的组中被选择。
优选地，包含钛的初始物质从由异丙氧基钛[Ti(OiPr)4]和四氯化钛（SiCl4）构成的组中被选择。
包含硅的初始物质和包含钛的初始物质的沉积可以借助于普遍的、在现有技术中已知的方法进行。优选地，所述沉积借助于火焰水解、特别优选地借助于CVD、OVD或VAD方法进行。
在另一方法步骤中在步骤i)中所获得的烟灰体被干燥。在此，所述干燥不仅可以在正常压力（1巴）的情况下进行而且可以在降低的压力的情况下进行。此外，所述干燥可以在惰性气体、诸如氮气或者稀有气体在场时进行。同样可能的是，在氧化的气氛中执行所述干燥以便例如避免从Ti4+到Ti3+的还原反应，因为Ti3+导致以后的衬底的被降低的透射。为了获得改进的干燥效果，干燥必要时可以在含氯的气氛中被进行。
优选地，在步骤iii)中的烟灰体的烧结在1000至1700℃的范围中、优选地在1300至1500℃的范围中的温度下进行。
在坯件的均匀化之后，该坯件必要时可以例如通过成型方法或者另外的方法步骤被进一步处理成衬底。
为了调整过零温度的分布，如下实施方式是优选的，在所述实施方式中初始物质的沉积逐层地在圆柱形的坯件上进行。衬底的以后的表面上的过零温度的变化过程可以以这种方式根据事先所规定的标准被调整。
已显示出，过零温度的分布尤其依赖于衬底中的TiO2浓度。因此可以通过TiO2含量的变化影响过零温度的分布。因此，根据本发明的方法的如下实施方式是优选的，在所述方法中包含钛的初始物质的量在沉积期间被改变。
过零温度的分布优选地依照非统计分布。因此，如下实施方式是优选的，在所述实施方式中过零温度的分布的调整通过偏离统计分布的氧化钛掺杂进行。
此外发现了：衬底的过零温度及其分布能够受烟灰体中的OH含量影响。与此相应地，如下实施方式是优选的，在所述实施方式中过零温度的分布的调整通过烟灰体中的OH含量的偏离统计分布的分布进行。
由在烟灰体的干燥期间的扩散过程决定地，烟灰体通常具有OH含量的如下分布，所述分布在壁中心具有最大值并且朝向表面下降。因此通过适当地选择过程参数、如温度、时间和压力来影响OH分布图，使得所述OH分布图对应于关于过零温度的变化过程的事先所规定的以及所期望的预给定。
此外，本发明的如下实施方式是优选的，在所述实施方式中过零温度的分布的调整通过卤素共掺杂物的偏离统计分布的分布进行。合适的卤素共掺杂物例如是四氟化硅（SiF4）、四氟化碳（CF4）、六氟乙烷（C2F6）。卤素共掺杂物例如可以在干燥过程期间被引入。
在进一步优选的实施方式中，过零温度的变化过程的调整通过衬底的假想温度进行。在本发明的范围中的假想温度是如下温度，在所述温度之下键角在玻璃中的冷却过程中不再变化，即键角在相应的假想温度下被“冻结（eingefroren）”。
已显示出，假想温度可以通过有针对性的措施在冷却过程期间被影响。因此，假想温度的调整优选地通过利用环、人为的尺寸过大和/或强制冷却的退火来进行。特别优选地，进行假想温度的调整，使得其变化过程依照事先所规定的分布图，所述分布图对应于以后的衬底中的过零温度的所期望的变化过程。
根据本发明的衬底以及按照根据本发明的方法可获得的衬底的特色是小的热变形。因此，本发明的另一主题是将根据本发明的衬底或者按照根据本发明的方法可获得的衬底用于EUV反射镜或者用在优选地用于制造电路或者印制导线的光刻方法、例如EUV光刻方法中。
在光刻过程中采用EUV反射镜的情况下值得期望的是，反射镜在过程期间不变形，因为否则可能发生成像质量的干扰。与此相应地，形成反射镜的基础的衬底的特色必须是即使在加热的情况下高的形状稳定性。
因此，如下实施方式是优选的，在所述实施方式中根据本发明的衬底或者按照根据本发明的方法获得的衬底的使用的特色是：衬底中的过零温度的变化过程与反射镜的运行温度的变化过程适配。以这种方式确保反射镜的可能的形变由衬底补偿，使得总体上来看不能观察到形状变化。
本发明的另一主题是光刻方法，该光刻方法包括以下步骤：
a）提供具有衬底的EUV反射镜，以及
b）提供至少一个辐射源，所述辐射源在运行期间对EUV反射镜产生影响，
其中衬底中的过零温度的分布和/或变化过程与反射镜的运行温度的变化过程适配。
优选地，衬底中的过零温度的分布和/或变化过程与运行温度的变化过程适配，使得反射镜总体上不具有形状变化。
应当借助以下示例和图进一步解释本发明，而不应将这些示例和图理解为对发明构思的限制。
示例1：通过就利用人为的尺寸过大的退火来调整过零温度的分布
通过作为用于形成SiO2-TiO2颗粒的初始物质的八甲基环四硅氧烷（OMCTS）和异丙氧基钛[Ti(OiPr)4]的火焰水解，借助于OVD方法制造烟灰体，所述烟灰体以大约8重量％的TiO2被掺杂。
烟灰体在1150℃的温度下在具有由石墨构成的加热元件的加热炉中在真空的情况下被脱水。脱水处理在2小时之后结束。
之后，被如此干燥的烟灰体在烧结炉中在大约1500℃的温度下在降低的压力（10-2 毫巴）的情况下被玻璃化成由TiO2-SiO2玻璃构成的透明的坯件。玻璃的平均的OH含量处于大约170重量百万分比。
所述玻璃紧接着通过由TiO2-SiO2玻璃构成的圆柱体的热机械均匀化（扭转）和形成被均匀化。为此，棒形的初始本体被夹紧到装备有氢氧烧嘴的玻璃车床中并且借助如在EP 673 888 A1中为了完全地移除层的目的所描述的变换过程被均匀化。在此，初始本体借助于氢氧烧嘴局部地被加热到2000℃之上并且在此被软化。在此，给氢氧烧嘴输送每1摩尔氧气1.8摩尔氢气并且因此产生起氧化作用的氢氧火焰。
通过两个支架彼此的相对移动，初始本体围绕其纵轴被扭转，其中所软化的玻璃坯料在形成扭转本体的情况下在径向方向上强烈地被充分混合。以这种方式获得具有大约90mm的直径以及大约635mm的长度的微长的扭转本体。
之后由坯件成形具有30cm的直径和5.7cm的厚度的由TiO2-SiO2玻璃构成的圆板。
为了降低机械应力以及为了调整所预给定的假想温度，玻璃板经受退火处理。在此，坯件的边缘处的假想温度应当比中心的假想温度更低，以便在外部实现膨胀系数的更低的过零温度。为此，沿着坯件的周边的端面和最外面的50mm通过50mm厚度的由石英玻璃构成的辅助件被隔离并且如此被安装到退火炉中。在这种情况下玻璃板在8小时的保持时间期间在空气和气氛压力的情况下被加热到1080℃并且紧接着以4℃/h的冷却速率被冷却到850℃的温度。在该冷却期间，由于坯件的边缘区域中的隔离，假想温度可以比在表面的中心中更长地（更深地）松弛，由此实现所期望的分布。接着，TiO2-SiO2玻璃板以50℃/h的更高的冷却速率被冷却到300℃的温度，紧接着所述炉被关掉并且玻璃板听任所述炉的自由冷却。
为了进一步处理，通过机械加工移去玻璃板的表面层，使得得出29.4cm的直径以及5.1cm的厚度d。
如此所获得的板由特别高品质的、被均匀化的、高硅酸含量的玻璃构成，所述玻璃包含8重量％的氧化钛。OH含量为170重量百万分比。在整个厚度上所测量的平均的假想温度为968℃，并且朝向边缘下降6℃。因此，过零温度从中心径向地向外下降2℃。
示例2：通过所适配的氧化钛分布调整过零温度的分布
通过作为用于形成SiO2-TiO2颗粒的初始物质的八甲基环四硅氧烷（OMCTS）和异丙氧基钛[Ti(OiPr)4]的火焰水解，借助于OVD方法制造烟灰体。在构造期间钛前体[Ti(OiPr)4]的份额在一定程度上被减少，使得TiO2浓度在开始时为8.20%并且在时间上降低，使得TiO2浓度在快结束时仅还为8.05%。
烟灰体在1150℃的温度下在具有由石墨构成的加热元件的加热炉中在真空的情况下被脱水。脱水处理在2小时之后结束。
之后，被如此干燥的烟灰体在烧结炉中在大约1500℃的温度下在降低的压力（10-2 毫巴）的情况下被玻璃化成由TiO2-SiO2玻璃构成的透明的坯件。玻璃的平均的OH含量处于大约180重量百万分比。
所述玻璃紧接着与示例1类似地被均匀化。获得具有大约90mm的直径以及大约620mm的长度的微长的扭转本体。通过均匀化，氧化钛分布变为旋转对称。由于原始本体中的氧化钛浓度的梯度，氧化钛分布从中心径向地向外下降0.05%。下降的强度可以在火焰水解期间被容易地调整。
之后由坯件成形具有30cm的直径和5.5cm的厚度的由TiO2-SiO2玻璃构成的圆板。
为了降低机械应力以及为了调整所预给定的假想温度，玻璃板经受退火处理。在这种情况下玻璃板在8小时的保持时间期间在空气和气氛压力的情况下被加热到1080℃并且紧接着以4℃/h的冷却速率被冷却到950℃的温度。在该温度下板被保持4小时，以便避免假想温度的局部的变化。接着，TiO2-SiO2玻璃板以50℃/h的更高的冷却速率被冷却到300℃的温度，紧接着所述炉被关掉并且玻璃板听任所述炉的自由冷却。
为了进一步处理，通过机械加工移去玻璃板的表面层，使得得出28.6cm的直径以及5.0cm的厚度d。
如此所获得的板由特别高品质的、被均匀化的、高硅酸含量的玻璃构成，所述玻璃平均包含大约8.11重量％的氧化钛。氧化钛份额径向地从中心向外降低0.05%。OH含量为180重量百万分比。在整个厚度上所测量的平均的假想温度为972℃，并且朝向边缘下降小于1℃。因此，过零温度从中心径向地向外下降2.2℃。
具体实施方式
图1示出在沿着延伸穿过衬底的中心点的轴中央地照射的情况下EUV反射镜的运行温度的变化过程，其中反射镜尤其在中心被加热。
图2示出衬底的过零温度（Tzc）沿着延伸穿过衬底的中心点的轴的变化过程，其中过零温度的变化过程对应于图1中的反射镜的运行温度的变化过程。以这种方式能够实现反射镜的最小的失真。
图3示出在图2中所示出的衬底的OH含量沿着延伸穿过衬底的中心点的轴的变化过程。OH含量的变化过程能够通过有针对性地使SiO2烟灰体干燥被调整。在该情况下有优点的是，衬底的假想温度（Tf）示出尽可能平坦的变化过程，以便阻止假想温度对OH含量的负面的、即互相相反的影响。假想温度的该平坦的变化过程例如能够通过退火、即通过长时间地保持在固定的温度下来获得。
如已经阐述的那样，衬底中的过零温度的变化过程能够替代地通过衬底中的假想温度被规定。图4示出衬底的假想温度沿着延伸穿过衬底的中心点的轴的变化过程，所述衬底具有过零温度的在图2中所示出的变化过程。假想温度的如在图4中所示出的向外下降的变化过程例如能够通过衬底周边的隔离、例如通过退火环在冷却期间被实现。替代地，衬底的较大的面、尤其表面可以通过气流被强制冷却并且因此更高的假想温度能够被调整。此外可能的是，通过盖板或者砂浴的使用来影响假想温度的横向变化过程。因此，盖板例如可以仅覆盖表面的确定的区域。假想温度同样可以通过盖板的使用被调整，所述盖板具有不同的厚度并且因此不同的隔离特性。
衬底中的假想温度的轴向变化过程的调整例如能够通过有针对性地充分利用退火炉中的在衬底的高度上的散热片来实现。
图5示出衬底的TiO2浓度沿着延伸穿过衬底的中心点的轴的变化过程，所述衬底具有在图2中所再现的过零温度变化过程。TiO2浓度分布图例如能够通过衬底的逐层的构造来实现，在所述衬底的制造中包含TiO2的初始化合物的浓度在沉积过程期间被改变。

Claims (15)

1.用于EUV反射镜的衬底，其特征在于，所述衬底在表面上具有偏离统计分布的过零温度，其中所述衬底在所述表面上具有彼此相差多于1.5K的最小过零温度（Tzcmin）和最大过零温度（Tzcmax），
其中所述衬底在远离边缘的区域中具有过零温度Tzc1并且在边缘处具有过零温度Tzc2，其中Tzc1比Tzc2高至少1.5℃，
其中所述表面上的过零温度的分布具有至少一个局部最大值，
其中所述衬底中的过零温度的变化过程与所述反射镜的运行温度的变化过程适配，
其中OH分布图对应于关于过零温度的变化过程的所期望的预给定，以及
其中假想温度的变化过程依照事先所规定的分布图，所述分布图对应于以后的衬底中的过零温度的所期望的变化过程。
2.根据权利要求1所述的衬底，其特征在于，所述衬底包括氧化钛掺杂的石英玻璃。
3.根据权利要求1或2所述的衬底，其特征在于，所述衬底具有重量分别相对于所述衬底的总重量为5重量％至12重量％的二氧化钛。
4.根据权利要求1或2所述的衬底，其特征在于，所述衬底具有重量分别相对于所述衬底的总重量为6重量％至10重量％的二氧化钛。
5.根据权利要求1或2所述的衬底，其特征在于，所述衬底包括多个层。
6.根据权利要求1或2所述的衬底，其特征在于，Tzcmax和Tzcmin之间的差为至少2K。
7.根据权利要求1或2所述的衬底，其特征在于，Tzcmax和Tzcmin之间的差为至少3K。
8.根据权利要求1或2所述的衬底，其特征在于，Tzcmax和Tzcmin之间的差在2至10K的范围中。
9.根据权利要求1或2所述的衬底，其特征在于，Tzcmax和Tzcmin之间的差在2.5至7K的范围中。
10.根据权利要求1或2所述的衬底，其特征在于，所述过零温度的分布至少部分地具有基本上连续的变化过程。
11.用于制造用于EUV反射镜的衬底的方法，所述方法包括以下步骤：
a）针对所述衬底预给定过零温度的不均匀的额定温度变化过程，
b）在调整所述过零温度的所预给定的依赖于位置的额定变化过程的情况下制造所述衬底，其中所述衬底的制造包括以下步骤：
i) 在构成TiO2掺杂的烟灰体的情况下沉积包含硅的初始物质和包含钛的初始物质，
ii）使所述烟灰体干燥，
iii) 在构成坯件的情况下使所述烟灰体烧结，
iv）使所述坯件均匀化，并且必要时
v）构成衬底，
其特征在于，
所述额定温度变化过程横向地延伸，
所述衬底在所述表面上具有彼此相差多于1.5K的最小过零温度（Tzcmin）和最大过零温度（Tzcmax），
其中所述衬底在远离边缘的区域中具有过零温度Tzc1并且在边缘处具有过零温度Tzc2，其中Tzc1比Tzc2高至少1.5℃，
其中所述表面上的过零温度的分布具有至少一个局部最大值，
其中所述过零温度的分布的调整通过烟灰体中的OH含量的偏离统计分布的分布来进行，
其中所述过零温度的变化过程的调整通过所述衬底的假想温度来进行，以及
其中所述衬底中的过零温度的变化过程与所述反射镜的运行温度的变化过程适配。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，包含钛的初始物质的量在所述沉积期间被改变。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述过零温度的分布的调整通过偏离统计分布的氧化钛掺杂来进行。
14.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述假想温度的调整通过利用环和/或强制冷却的退火来进行。
15.根据权利要求1至10中的任何一个所述的衬底或者按照根据权利要求11至14中的任何一个所述的方法所获得的衬底的使用，用于EUV反射镜或者用在光刻方法中。
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