CN105470611B - 高频电力转换机构 - Google Patents
高频电力转换机构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105470611B CN105470611B CN201510586429.8A CN201510586429A CN105470611B CN 105470611 B CN105470611 B CN 105470611B CN 201510586429 A CN201510586429 A CN 201510586429A CN 105470611 B CN105470611 B CN 105470611B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- plate
- foil
- layer access
- switching mechanism
- power switching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 title claims abstract description 33
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims abstract description 99
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 49
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 40
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 27
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 55
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 25
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 9
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/08—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices
- H01P5/10—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices for coupling balanced lines or devices with unbalanced lines or devices
- H01P5/107—Hollow-waveguide/strip-line transitions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
- H01P3/12—Hollow waveguides
- H01P3/121—Hollow waveguides integrated in a substrate
Landscapes
- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Waveguide Connection Structure (AREA)
- Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)
- Waveguides (AREA)
Abstract
本发明提供一种高频电力转换机构。该高频电力转换机构使用包括纤维强化树脂制的板的基板代替昂贵的陶瓷基板来构成。具有将如下部件组合而成的结构:将导体的箔夹在中间并层叠的多个纤维强化树脂制的板;贯通所述板的导体制的通路的排列;与板的表面紧贴的传送线;以及在开口侧的一部分具有缺口的导波管。并且该高频电力转换机构在细节部分的结构上具有特点。
Description
技术领域
本发明涉及一种高频电力转换机构。
背景技术
例如,在使用收发电路从天线放射用于汽车用雷达的毫米波和微波等波长较短的波段的信号,以及使天线接收用于汽车用雷达的毫米波和微波等波长较短的波段的信号的情况下,使用具有收发电路以及导波管的高频电力转换机构。上述收发电路例如作为单片微波集成电路而被集聚到设置有导波管、微带线以及贴片电极的基板。从单片微波集成电路产生的高频电力经由微带线以及贴片电极转换为规定的传送模式的信号后通过导波管进行传送。或者通过导波管传送的信号在贴片电极以及微带线处转换为规定的传送模式的信号后传送至单片微波集成电路(例如参照专利文献1)。
专利文献1:日本特开2013-172251号公报
设置有上述单片微波集成电路、导波管、微带线以及贴片电极的基板例如如专利文献1所记载的那样,由于使用昂贵的陶瓷基板,因此导致制造成本较高。
发明内容
考虑到以上这些问题,本发明的目的是提供一种能够降低制造成本的高频电力转换机构。
本发明的第一方式是一种包括由多个纤维强化树脂制的板以及导体的箔构成的板以及导波管的高频电力转换机构,其包括:单片微波集成电路;纤维强化树脂制的第一板;传送线,其是与所述第一板的上表面紧贴的导体制的带状的箔或者线材,并且其一端与所述单片微波集成电路连接;导体制的第一箔,其与所述第一板的下表面侧紧贴,且至少覆盖配置有所述传送线的区域的下表面侧;纤维强化树脂制的第二板,其与所述第一箔的下表面紧贴;导体制的第二箔,其与所述第二板的下表面紧贴;导波管,其朝向从所述第一板上表面离开的方向延伸,且在内部具有截面呈方形的空洞;以及表层通路,其至少贯通所述第一板以及所述第二板,且与所述第二箔连接,并且所述表层通路是上端露出于所述基板的表面的导体的筒或者柱,所述导波管在下端部具有方形的开口,存在有多个所述表层通路,所述表层通路的至少一部分形成包围所述传送线的另一端的至少三面的排列,所述导波管的下端面与构成所述排列的所述表层通路的上端面紧贴,所述排列包括所述表层通路分别沿着所述开口的长边以及短边排列的长边部以及短边部,从所述导波管侧观察时,构成所述排列的表层通路没有位于所述开口的内侧,所述排列在所述长边部的一个整体或者所述长边部的一部分具有通过使所述通路的排列中断而形成的门部,所述导波管在下端部的侧面具有朝向下端面开放的缺口,所述传送线穿过所述门部到达所述排列的内侧,所述缺口覆盖所述门部的至少供所述传送线穿过的区域,所述第二箔覆盖所述第二板的下表面中的至少所述排列的内侧的区域,所述单片微波集成电路配置于所述第一板或者所述第二板的上下任意面,所述第一箔、所述第二箔以及构成所述方形的排列的所述表层通路接地。
通过上述本发明的结构,可提供一种能够降低制造成本的高频电力转换机构。
附图说明
图1是示出本发明的实施方式的图,是高频电力转换机构的立体图。
图2是局部示出基板20的+Y侧的平面图。
图3是从-Y侧观察到的图2的导波管10以及基板20的主视图。
图4是以图2中的A-A线剖切所得的图。
图5是示出与单片微波集成电路的配置相关的变形例的局部剖视图。
图6是示出将接收用单片微波集成电路与发送用单片微波集成电路分别分体地设置于基板上的变形例的平面图。
具体实施方式
以下参照图1至图6对本发明的高频电力转换机构的实施方式进行说明。
图1是高频电力转换机构1的立体图。
高频电力转换机构1包括导波管10以及基板20。基板20包括第一板30、第二板40、第三板50、传送线SL、导体箔35、第一箔31、第二箔41、第三箔51、多个表层通路60以及多个内层通路70。在基板20设置有单片微波集成电路80。
在附图中,适当地将XYZ坐标系表示为三维直角坐标系。相对于图1所示的基板20将设置有导波管10的方向作为Z轴方向,在与Z轴方向正交的方向中,将传送线31延伸的方向作为Y轴方向,将与Z轴方向以及Y轴方向正交的方向作为X轴方向来进行说明。在附图中,将+Z侧作为上侧,将-Z侧作为下侧来适当地进行说明。在附图中,为了容易理解基板20的结构,适当用双点划线表示导波管10。
导波管10是传送高频电磁波的传送线路。导波管10例如是铝制的。导波管10设置于基板20的上表面。导波管10朝向与第一板30的上表面分离的方向延伸,且导波管10在内部具有截面呈方形的空洞11。高频电磁波在空洞11内被传送。导波管10在下端部具有方形的开口12,导波管10的下端面与后述表层通路60的上端面紧贴。
导波管10的上端部例如与天线连接。图2是局部示出基板20的+Y侧的平面图。如图2中的双点划线所示,在导波管10的截面中,空洞11的长边11a例如为单片微波集成电路80振荡时的高频电磁波在空气中的波长的二分之一以上,且比单片微波集成电路80振荡时的高频电磁波在空气中的波长短。空洞11的短边11b例如为单片微波集成电路80振荡时的高频电磁波在空气中的波长的四分之一以上且二分之一以下。
图3是从-Y侧观察到的图2所示的导波管10以及基板20的主视图。如图3中的实线所述,导波管10在下端部的-Y侧的侧面具有朝向下端面开放的缺口13。
第一板30是纤维强化树脂制的。纤维强化树脂指的是通过使树脂浸泡在纤维原料中获得的原料。可以例举玻璃纤维、碳素纤维作为纤维原料。可以例举丙烯树脂、聚酰胺树脂以及酚醛树脂作为树脂。在本实施方式中,第一板30是玻璃纤维强化丙烯树脂制的。在第一板30的上表面的表层配置有传送线SL以及导体箔35。
传送线SL是与第一板30的上表面紧贴的导体制的带状的箔。传送线SL例如是纯铜制或者铜合金制的。如后文所述,也可以是传送线SL的表面的至少一部分被金属覆盖。表面的至少一部分被金属覆盖的传送线SL也适用于被金属引线键合的用途。
传送线SL的一端与单片微波集成电路80连接。传送线SL包括第一带线SL1以及第二带线SL2。第一带线SL1与空洞11的短边11b平行地延伸。第一带线SL1的-Y侧的端部与单片微波集成电路80连接。第二带线SL2沿X轴方向延伸并且与第一带线SL1的+Y侧的端部连接。第二带线SL2在单片微波集成电路80振荡高频电磁波的情况下,成为放射元件。第二带线SL2在单片微波集成电路80接收高频电磁波的情况下,成为接收元件。第二带线SL2的长度在第一板30的上表面的单片微波集成电路80振荡时的高频电磁波的波长的四分之一以上二分之一以下。另外,不具有第二带线SL2的变形例也能够实施。但是,通过设置第二带线SL2,提高了从第一带线SL1的端部朝向导波管放射高频电磁波的放射效率。
导体箔35例如为纯铜制或者铜合金制的。导体箔35与第一板30的上表面紧贴。导体箔35接地。即,导体箔35为接地电位。如图2所示,导体箔35配置于与第一板30的上表面的导波管10接触的部位。如后文所述,将第一板30的上表面的多个表层通路60之间连接起来。导体箔35没有设置于与空洞11对置的位置、传送线SL的周围以及配置有内层通路70的位置。
图4是以图2中的A-A线剖切所得的图。
如图4所示,表层通路60贯通第一板30、第二板40以及第三板50。表层通路60与第一箔31以及第二箔41连接。表层通路60的上端露出于基板20的表面。表层通路60的下端与第三箔51连接。表层通路60是导体的筒。表层通路60也可以是导体的柱。
如图2所示,表层通路60形成排列MX,所述排列MX包围存在于传送线SL的+Y侧的端部处的第二带线SL2以及第一带线SL1的一部分的至少三面。从导波管10观察时,构成排列MX的表层通路60没有位于开口12的内侧。
排列MX包括相对于第二带线SL2以及第一带线SL1的一部分,表层通路60沿导波管10的开口12的长边11a排列的长边部MXa。排列MX包括表层通路60沿着导波管10的开口12的短边11b排列的短边部MXb。在构成长边部MXa以及短边部MXb的表层通路60与导波管10的开口12的边缘之间,在平面方向上存在着间隔。导体箔35超越构成长边部MXa以及短边部MXb的表层通路60中的最靠近空洞侧的表层通路60朝向空洞11侧扩展。如此,通过使导体箔35富余地扩展,表层通路60的加工变得容易。
排列MX在开口12的-Y侧的长边部MXa的一部分具有门部GT,所述门部GT是通过使表层通路60的排列中断而形成的。上述传送线SL穿过门部GT到达排列MX的内侧。上述导波管10的缺口13覆盖门部GT的至少供传送线SL穿过的区域。
如图4所示,内层通路70贯通第二板40以及第三板50。内层通路70与第二箔41连接。内层通路70的下端与第三箔51连接。内层通路50的上端位于第二板40的上表面,且与第一箔31连接。内层通路70是导体的筒。内层通路70也可以是导体的柱。
如图2所示,内层通路70相对于排列MX配置于门部GT的正下方或者-Y侧的外侧。内层通路70配置于在俯视观察时与传送线SL的第一带线SL1重叠的位置以及第一带线SL1的X方向的两侧的没有被导体箔35覆盖的位置。
第一箔31是导体制的。第一箔31的材质例如与导体箔35的材质相同。如图4所示,第一箔31与第一板30的下表面紧贴。
第一箔31至少覆盖配置有传送线SL的区域的下表面侧。但是在排列MX的内侧以及比门部GT的+Y方向端靠+Y侧的位置不存在第一箔31。
第二板40是纤维强化树脂制的。第二板40的材质例如与第一板30的材质相同。第二板40与第一箔31的下表面紧贴。
第二箔41是导体制。第二箔41的材质例如与第一箔31的材质相同。第二箔41与第二板40的下表面紧贴。第二箔41覆盖第二板40的下表面中的至少排列MX的内侧的区域。在方形的排列MX的内侧,从第一板30的表面至第二箔41的距离L比单片微波集成电路80振荡的高频电磁波在第一板30以及第二板40的内部的波长的四分之一长且比二分之一短。
另外,本发明的高频电力转换机构能够用于调频连续波方式的雷达。在这种情况下,由于高频电力的频率严格来说具有宽度,因此即使在波长上也会产生宽度。在这样的用途中,上述“比波长的四分之一长”指的是“比所使用的高频带中的最短的波长的四分之一长”的意思。同样地,“比波长的二分之一短”指的是“比所使用的高频带中的最长的波长的二分之一短”的意思。
第三板50是纤维强化树脂制的。第三板50的材质例如与第一板30和第二板40中的至少一方的材质相同。第三板50与第二箔41的下表面紧贴。
第三箔51与第三板50的下表面紧贴。第三箔51接地。即,第三箔51是接地电位。
由于导体箔35以及第三箔51接地,因此第一箔31、第二箔41、表层通路60以及内层通路70接地。
第一板30、第二板40以及第三板50中的任意一个以上也可以是由多个板以及一个以上的箔构成的复合板。复合板例如可以采用多用于印刷基板的FR-4基板。FR-4基板通过将硬化前的状态的丙烯树脂渗透到玻璃纤维的布中,并对树脂进行热硬化处理而获得。
单片微波集成电路80能够振荡以及接收70GHz以上100GHz以下的频率的高频波。本实施方式中的单片微波集成电路80例如振荡以及接收以76.5GHz为中心频率的高频波。单片微波集成电路80配置于第一板30的上表面。
在上述高频电力转换机构1中,单片微波集成电路80振荡的高频电磁波以平面线路模式经由传送线SL的第一带线SL1传播,并在作为放射元件的第二带线SL2中从平面线路模式转换为导波管模式。转换为导波管模式的高频电磁波从第二带线SL2放射。放射的高频电磁波中的朝向+Z侧放射的高频电磁波向导波管10的空洞11放射。放射的高频电磁波中的朝向-Z侧放射的高频电磁波被作为短路面的第二箔41反射后向导波管10的空洞11放射。导波管10在下端面与导体箔35以及表层通路60接触。表层通路60与导体箔35、第一箔31、第二箔41以及第三波51连接。由于导体箔35以及第三箔51接地,因此抑制了单片微波集成电路80振荡的高频电磁波漏出。
一般地,为了高频电磁波到达谐振状态且放射最大电力,例如从第一板30的表面至第二箔41的距离L是该部位的单片微波集成电路80振荡的高频电磁波的波长的四分之一。为了高频电磁波到达谐振状态且放射最大电力,例如第二带线SL2的长度是第一板30的上表面的单片微波集成电路80振荡时的高频电磁波的波长的四分之一。
本申请的发明者在上述高频电力转换机构1中,发现了提高高频电磁波的传送效率的条件。
更加详细地说,如上所述,在从第一板30的表面至第二箔41的距离L比该部位的单片微波集成电路80振荡的高频电磁波的波长的四分之一长且比二分之一短时,传送效率提高。第二带线SL2的长度是单片微波集成电路80振荡时的高频电磁波在第一板30的上表面的波长的四分之一以上且二分之一以下时,传送效率提高。优选距离L比第一板30以及第二板40的内部的高频电磁波的波长的四分之一长且比二分之一短时,以及第二带线SL2的长度是高频电磁波的波长的四分之一以上且二分之一以下时,导波管10的空洞11的长边11a是单片微波集成电路80振荡时的高频电磁波在空气中的波长的二分之一以上且比单片微波集成电路80振荡时的高频电磁波在空气中的波长短。优选在距离L比高频电磁波的波长的四分之一长且比二分之一短时,以及第二带线SL2的长度是高频电磁波的波长的四分之一以上且二分之一以下时,空洞11的短边11b例如是单片微波集成电路80振荡时的高频电磁波在空气中的波长的四分之一以上且二分之一以下。
以往,优选距离L与高频电磁波的波长的四分之一相等。在距离L比高频电磁波的波长的四分之一长且比二分之一短的情况下,传送效率提高的一个原因是,排列MX的长边部MXa的宽度,特别是在表层通路60的内侧的边缘之间测量的宽度比导波管10的空洞11的长边方向的宽度稍微宽。因此,通过高频电磁波的谐振状态发生变化,将距离L设置成比通常值大来提高传送效率。
根据本实施方式,第一板30、第二板40以及第三板50是纤维强化树脂制的。根据本实施方式,不必使用昂贵的陶瓷基板,就能够放射或者接收高频电磁波。因此,通过本实施方式,可提供一种能够降低制造成本的高频电力转换机构。
通过本实施方式,由于是包括表层通路60以及内层通路70的高频电力转换机构1,因此有可能出现高频电磁波漏出导致谐振状态发生变化的情况。根据本实施方式,在方形的排列MX的内侧,从第一板30的表面到第二箔41的距离L比该部位的单片微波集成电路80振荡的高频电磁波的波长的四分之一长且比二分之一短。根据本实施方式,在使用能够振荡和接收70GHz以上且100GHz以下频率的高频波的单片微波集成电路80的情况下,能够提高高频电磁波的传送效率。
根据本实施方式,内层通路70相对于排列MX配置于门部GB的外侧。因此,根据本实施方式,能够抑制高频电磁波从门部GB漏出。
以上参照附图对本发明所涉及的优选的实施方式进行了说明,但是本发明所涉及的实施例不限于此,这是不言而喻的。上述实施例中出现的各构成部件的诸多形状或者组合等只是一个例子,在不脱离本发明的主旨的范围内可以根据设计要求等进行各种变更。
例如,在上述实施方式中,例示了设置第三板50以及第三箔51的结构,但是在上述实施方式中,也可以是不设置第三板50以及第三箔51的结构。在不设置第三板50以及第三箔51的结构的情况下,表层通路60贯通第一板30以及第二板,并与导体箔35、第一箔31以及第二箔41连接。在不设置第三板50以及第三箔51的结构的情况下,内层通路70贯通第二板40,并与第一箔31以及第二箔41连接。
也可以是在上述实施方式中所示的排列MX所在的部位设置覆盖第一板30的上表面的至少一部分的纤维强化树脂制的第四板的结构。在采用设置第四板的结构的情况下,优选表层通路60贯通第四板,表层通路60的上端露出于第四板的上表面。
在上述实施方式中,示出了将单片微波集成电路80配置于第一板30的上表面的例子。单片微波集成电路80例如也可如图5所示,配置于第三板50的下表面。在将单片微波集成电路80设置于第三板50的下表面的情况下,将与单片微波集成电路80连接的第三箔51a与第三板50分离设置。第三箔51a通过贯通第一板30、第二板40以及第三板50的贯通通路61与第一带线SL1连接。
接下来,图6示出将接收用单片微波集成电路与发送用单片微波集成电路分别分体地设置于同一张基板上的变形例。在图6中,省略了导波管10的图示。
在基板140装配有接收用的高频电路部141、发送用的高频电路部142以及信息处理用电路部47。在基板140中,信息处理用电路部47的平面位置与高频电路部141以及高频电路部142的平面位置不重叠。高频电路部141以及高频电路部142彼此相邻地配置,整体构成高频电路区域45。
在基板140设置有将高频电路部141以及高频电路部142与信息处理用电路部47连接的信号线48。
信息处理用电路47具有信息处理用集成电路47a。信息处理用集成电路47a起到控制高频电路部141以及高频电路部142或者处理信息的作用。更加具体地说,信息处理用集成电路47a通过信号线48指示向高频电路部142发送高频电磁波。并且,信息处理用集成电路47a通过信号线48计算高频电路部141接收高频电磁波的信息。
高频电路部141具有接收用的单片微波集成电路141a和五个传送线(微带线)141c,所述传送线141c从单片微波集成电路141a延伸且在末端分别具有作为接收端的第二带线141b。
高频电路部142具有发送用的单片微波集成电路142a和两个传送线(微带线)142c,所述传送线142c从单片微波集成电路142a延伸且在末端分别具有作为发送端的第二带线142b。
高频电路部141的接收端141b利用接收端141b接收从导波管10传送的高频电磁波并传送至单片微波集成电路141a。
高频电路部142的发送端142b将从单片微波集成电路142a传送的电磁波从发送端142b放射。
Claims (13)
1.一种高频电力转换机构,其包括:由多个纤维强化树脂制的板以及导体的箔构成的基板;以及导波管,
所述高频电力转换机构的特征在于,包括:
单片微波集成电路;
纤维强化树脂制的第一板;
传送线,其是与所述第一板的上表面紧贴的导体制的带状的箔或者线材,并且其一端与所述单片微波集成电路连接;
导体制的第一箔,其与所述第一板的下表面侧紧贴,且至少覆盖配置有所述传送线的区域的下表面侧;
纤维强化树脂制的第二板,其与所述第一箔的下表面紧贴;
导体制的第二箔,其与所述第二板的下表面紧贴;
导波管,其朝向从所述第一板的上表面离开的方向延伸,且在内部具有截面呈方形的空洞;以及
表层通路,其至少贯通所述第一板以及所述第二板,且与所述第二箔连接,并且所述表层通路是上端露出于所述基板的表面的导体的筒或者柱,
所述导波管在下端部具有方形的开口,
存在有多个所述表层通路,所述表层通路的至少一部分形成包围所述传送线的另一端的至少三面的排列,
所述导波管的下端面与构成所述排列的所述表层通路的上端面紧贴,
所述排列包括所述表层通路分别沿着所述开口的长边以及短边排列的长边部以及短边部,
从所述导波管侧观察时,构成所述排列的表层通路没有位于所述开口的内侧,
所述排列在所述长边部的一个整体或者所述长边部的一部分具有通过使所述通路的排列中断而形成的门部,
所述导波管在下端部的侧面具有朝向下端面开放的缺口,
所述传送线穿过所述门部到达所述排列的内侧,
所述缺口覆盖所述门部的至少供所述传送线穿过的区域,
所述第二箔覆盖所述第二板的下表面中的至少所述排列的内侧的区域,
所述单片微波集成电路配置于所述第一板或者所述第二板的上下任意面,
所述第一箔、所述第二箔以及构成所述排列的所述表层通路接地,
所述导波管的截面的长边是所述单片微波集成电路振荡的高频电磁波在空气中的波长的二分之一以上且比该波长短,
所述导波管的截面的短边是所述单片微波集成电路振荡的高频电磁波在空气中的波长的四分之一以上且二分之一以下,
所述高频电力转换机构能够振荡以及接收70GHz以上100GHz以下的频率的高频波,
在所述排列的内侧,从所述第一板的表面至所述第二箔的距离比所述单片微波集成电路振荡的高频电磁波在所述第一板以及第二板的内部的波长的四分之一长且比二分之一短。
2.根据权利要求1所述的高频电力转换机构,其特征在于,
在所述第一板的上表面还具有将构成所述排列的表层通路之间连接起来的导体的箔,
在构成所述排列的长边部以及短边部的所述表层通路与所述导波管的所述开口的边缘之间,在平面方向上具有间隔。
3.根据权利要求1或2所述的高频电力转换机构,其特征在于,
还具有与所述第二箔的下表面紧贴的纤维强化树脂制的第三板,
所述表层通路贯通所述第三板,
所述第一板、所述第二板以及所述第三板中的任意一个以上是由多个板以及一个以上的箔构成的复合板。
4.根据权利要求1所述的高频电力转换机构,其特征在于,
还具有导体的筒或者柱的内层通路,所述内层通路贯通所述第二板,且所述内层通路的下端与所述第二箔连接,所述内层通路的上端位于所述第二板的上表面,
所述内层通路相对于所述排列配置于所述门部的外侧。
5.根据权利要求3所述的高频电力转换机构,其特征在于,
还具有导体的筒或者柱的内层通路,所述内层通路贯通所述第二板,且所述内层通路的下端与所述第二箔连接,所述内层通路的上端位于所述第二板的上表面,
所述内层通路相对于所述排列配置于所述门部的外侧。
6.根据权利要求1所述的高频电力转换机构,其特征在于,
所述传送线包括:
第一带线,其沿与所述短边平行的方向延伸,其一端与所述单片微波集成电路连接;以及
第二带线,其沿与所述第一带线相交的方向延伸,且与所述第一带线的另一端连接。
7.根据权利要求5所述的高频电力转换机构,其特征在于,
所述传送线包括:
第一带线,其沿与所述短边平行的方向延伸,其一端与所述单片微波集成电路连接;以及
第二带线,其沿与所述第一带线相交的方向延伸,且与所述第一带线的另一端连接。
8.根据权利要求1所述的高频电力转换机构,其特征在于,
还具有与所述第一板的上表面紧贴的导体制的表层箔,
所述传送线是所述表层箔的一部分,
所述表层箔的表面的至少一部分被金属覆盖。
9.根据权利要求7所述的高频电力转换机构,其特征在于,
还具有与所述第一板的上表面紧贴的导体制的表层箔,
所述传送线是所述表层箔的一部分,
所述表层箔的表面的至少一部分被金属覆盖。
10.根据权利要求1所述的高频电力转换机构,其特征在于,
在所述排列所在的部位还具有纤维强化树脂制的第四板,所述第四板覆盖所述第一板的上表面的至少一部分,
所述表层通路贯通所述第四板,
所述表层通路的上端露出于所述第四板的上表面。
11.根据权利要求9所述的高频电力转换机构,其特征在于,
在所述排列所在的部位还具有纤维强化树脂制的第四板,所述第四板覆盖所述第一板的上表面的至少一部分,
所述表层通路贯通所述第四板,
所述表层通路的上端露出于所述第四板的上表面。
12.根据权利要求1所述的高频电力转换机构,其特征在于,
所述纤维强化树脂是玻璃丙烯树脂,
所述第一箔以及所述第二箔是纯铜或者铜合金制的。
13.根据权利要求11所述的高频电力转换机构,其特征在于,
所述纤维强化树脂是玻璃丙烯树脂,
所述第一箔以及所述第二箔是纯铜或者铜合金制的。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014202127A JP2016072881A (ja) | 2014-09-30 | 2014-09-30 | 高周波電力変換機構 |
JP2014-202127 | 2014-09-30 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105470611A CN105470611A (zh) | 2016-04-06 |
CN105470611B true CN105470611B (zh) | 2019-04-19 |
Family
ID=55585438
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510586429.8A Expired - Fee Related CN105470611B (zh) | 2014-09-30 | 2015-09-15 | 高频电力转换机构 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9666931B2 (zh) |
JP (1) | JP2016072881A (zh) |
CN (1) | CN105470611B (zh) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9893405B2 (en) * | 2015-07-17 | 2018-02-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Input/output coupling structure of dielectric waveguide |
DE102019200902A1 (de) * | 2019-01-24 | 2020-07-30 | Audi Ag | Radarsensor, Kraftfahrzeug und Verfahren zum Herstellen eines Radarsensors |
US11114733B2 (en) | 2019-07-23 | 2021-09-07 | Veoneer Us, Inc. | Waveguide interconnect transitions and related sensor assemblies |
US11171399B2 (en) | 2019-07-23 | 2021-11-09 | Veoneer Us, Inc. | Meandering waveguide ridges and related sensor assemblies |
US10957971B2 (en) * | 2019-07-23 | 2021-03-23 | Veoneer Us, Inc. | Feed to waveguide transition structures and related sensor assemblies |
US11283162B2 (en) | 2019-07-23 | 2022-03-22 | Veoneer Us, Inc. | Transitional waveguide structures and related sensor assemblies |
US11196171B2 (en) | 2019-07-23 | 2021-12-07 | Veoneer Us, Inc. | Combined waveguide and antenna structures and related sensor assemblies |
US11349220B2 (en) | 2020-02-12 | 2022-05-31 | Veoneer Us, Inc. | Oscillating waveguides and related sensor assemblies |
US11378683B2 (en) * | 2020-02-12 | 2022-07-05 | Veoneer Us, Inc. | Vehicle radar sensor assemblies |
US11563259B2 (en) | 2020-02-12 | 2023-01-24 | Veoneer Us, Llc | Waveguide signal confinement structures and related sensor assemblies |
CN112103608B (zh) * | 2020-09-29 | 2022-02-22 | 中国航空工业集团公司雷华电子技术研究所 | 一种高隔离度的功分功合器 |
US11914067B2 (en) | 2021-04-29 | 2024-02-27 | Veoneer Us, Llc | Platformed post arrays for waveguides and related sensor assemblies |
US11668788B2 (en) | 2021-07-08 | 2023-06-06 | Veoneer Us, Llc | Phase-compensated waveguides and related sensor assemblies |
WO2024005052A1 (ja) * | 2022-06-29 | 2024-01-04 | 京セラ株式会社 | 導波管変換器、電子部品実装用パッケージ、および導波管変換装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1396902A1 (en) * | 2002-03-13 | 2004-03-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Waveguide/microstrip line converter |
US7019600B2 (en) * | 2002-08-29 | 2006-03-28 | Fujitsu Ten Limited | Waveguide/planar line converter and high frequency circuit arrangement |
CN102414911A (zh) * | 2009-04-28 | 2012-04-11 | 三菱电机株式会社 | 波导变换部的连接构造、其制造方法、以及使用该连接构造的天线装置 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10256730A (ja) | 1997-03-10 | 1998-09-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多層セラミック基板 |
JP2000183233A (ja) | 1998-12-14 | 2000-06-30 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 高周波用基板 |
JP4330712B2 (ja) | 1999-07-26 | 2009-09-16 | イビデン株式会社 | 配線基板のビアオンビア構造 |
JP3937433B2 (ja) | 2002-09-17 | 2007-06-27 | 日本電気株式会社 | 平面回路−導波管接続構造 |
US7276987B2 (en) * | 2002-10-29 | 2007-10-02 | Kyocera Corporation | High frequency line-to-waveguide converter and high frequency package |
JP4133747B2 (ja) | 2003-11-07 | 2008-08-13 | 東光株式会社 | 誘電体導波管の入出力結合構造 |
KR100723635B1 (ko) * | 2005-12-08 | 2007-06-04 | 한국전자통신연구원 | 고주파 신호를 전달하기 위한 변환 회로 및 이를 구비한송수신 모듈 |
JP2007329908A (ja) | 2006-05-12 | 2007-12-20 | Denso Corp | 誘電体基板、導波管、伝送線路変換器 |
JP5115026B2 (ja) * | 2007-03-22 | 2013-01-09 | 日立化成工業株式会社 | トリプレート線路−導波管変換器 |
US7498896B2 (en) * | 2007-04-27 | 2009-03-03 | Delphi Technologies, Inc. | Waveguide to microstrip line coupling apparatus |
JP2011055377A (ja) * | 2009-09-03 | 2011-03-17 | Fujitsu Ltd | 導波管変換器及びその製造方法 |
JP5476873B2 (ja) * | 2009-09-05 | 2014-04-23 | 富士通株式会社 | 信号変換器及びその製造方法 |
JP2011061290A (ja) | 2009-09-07 | 2011-03-24 | Hitachi Chem Co Ltd | マイクロストリップ線路−導波管変換器 |
US8536954B2 (en) * | 2010-06-02 | 2013-09-17 | Siklu Communication ltd. | Millimeter wave multi-layer packaging including an RFIC cavity and a radiating cavity therein |
US8912858B2 (en) * | 2009-09-08 | 2014-12-16 | Siklu Communication ltd. | Interfacing between an integrated circuit and a waveguide through a cavity located in a soft laminate |
JP5880120B2 (ja) | 2012-02-20 | 2016-03-08 | 富士通株式会社 | 導波管変換器 |
-
2014
- 2014-09-30 JP JP2014202127A patent/JP2016072881A/ja active Pending
-
2015
- 2015-08-24 US US14/833,313 patent/US9666931B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2015-09-15 CN CN201510586429.8A patent/CN105470611B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1396902A1 (en) * | 2002-03-13 | 2004-03-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Waveguide/microstrip line converter |
US7019600B2 (en) * | 2002-08-29 | 2006-03-28 | Fujitsu Ten Limited | Waveguide/planar line converter and high frequency circuit arrangement |
CN102414911A (zh) * | 2009-04-28 | 2012-04-11 | 三菱电机株式会社 | 波导变换部的连接构造、其制造方法、以及使用该连接构造的天线装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105470611A (zh) | 2016-04-06 |
US20160093936A1 (en) | 2016-03-31 |
JP2016072881A (ja) | 2016-05-09 |
US9666931B2 (en) | 2017-05-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN105470611B (zh) | 高频电力转换机构 | |
US8179306B2 (en) | High-frequency circuit board, high-frequency circuit module, and radar apparatus | |
US20130076570A1 (en) | Rf module | |
JP7047084B2 (ja) | キャビティに対応したパッチアンテナ | |
US20090073047A1 (en) | Antenna System With Second-Order Diversity and Card for Wireless Communication Apparatus Which is Equipped With One Such Device | |
CN108494430B (zh) | 一种小型化毫米波射频前端 | |
US9629282B2 (en) | Electronic device, structure, and heat sink | |
CN105009367A (zh) | 天线及电子装置 | |
JP6219156B2 (ja) | アンテナ用ユニット | |
US11011814B2 (en) | Coupling comprising a conductive wire embedded in a post-wall waveguide and extending into a hollow tube waveguide | |
JP6579298B1 (ja) | マルチバンドアンテナ、無線通信モジュールおよび無線通信装置 | |
US20230020224A1 (en) | Antenna module | |
US8564478B2 (en) | High-frequency module and method of manufacturing the same, and transmitter, receiver, transceiver, and radar apparatus comprising the high-frequency module | |
JP2017118350A (ja) | 伝送装置、無線通信モジュール、及び、無線通信システム | |
JP2021027527A (ja) | マルチバンドアンテナおよびマルチバンドアンテナの設計方法 | |
WO2012171041A1 (en) | Multiple layer dielectric panel directional antenna | |
US9048522B2 (en) | Waveguide to planar line transducer having a coupling hole with oppositely directed protuberances | |
JP2006279199A (ja) | 高周波線路−導波管変換器 | |
CN115411480A (zh) | 一种射频结构、探测装置及通信系统 | |
JP2007266835A (ja) | 開口面アンテナ | |
JP6282011B2 (ja) | 誘電体アンテナ | |
JP2016054465A (ja) | 無線モジュール、電子モジュール及び測定方法 | |
JP7317244B2 (ja) | 給電線路及びそれを用いたアンテナ装置 | |
JP4606351B2 (ja) | 高周波線路−導波管変換器 | |
JP2006270760A (ja) | アンテナ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20180927 Address after: Kyoto City, Kyoto, Japan Applicant after: NIDEC Corp. Address before: Kanagawa Applicant before: NIDEC ELESYS Corp. |
|
TA01 | Transfer of patent application right | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20190419 Termination date: 20210915 |
|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |