CN105470173A - 一种芯片接合系统及方法 - Google Patents
一种芯片接合系统及方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105470173A CN105470173A CN201510938394.XA CN201510938394A CN105470173A CN 105470173 A CN105470173 A CN 105470173A CN 201510938394 A CN201510938394 A CN 201510938394A CN 105470173 A CN105470173 A CN 105470173A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- chip
- motion
- sports platform
- keyset
- subsystem
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims abstract description 126
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 72
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 230000013011 mating Effects 0.000 claims description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 3
- 230000008450 motivation Effects 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 abstract description 4
- 230000007306 turnover Effects 0.000 abstract description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000002860 competitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67121—Apparatus for making assemblies not otherwise provided for, e.g. package constructions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/561—Batch processing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/563—Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67282—Marking devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/67712—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrate being handled substantially vertically
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68309—Auxiliary support including alignment aids
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68354—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to support diced chips prior to mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54426—Marks applied to semiconductor devices or parts for alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54473—Marks applied to semiconductor devices or parts for use after dicing
- H01L2223/54486—Located on package parts, e.g. encapsulation, leads, package substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/7565—Means for transporting the components to be connected
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/7598—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors specially adapted for batch processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8312—Aligning
- H01L2224/83121—Active alignment, i.e. by apparatus steering, e.g. optical alignment using marks or sensors
- H01L2224/8313—Active alignment, i.e. by apparatus steering, e.g. optical alignment using marks or sensors using marks formed on the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/832—Applying energy for connecting
- H01L2224/83201—Compression bonding
- H01L2224/83203—Thermocompression bonding, e.g. diffusion bonding, pressure joining, thermocompression welding or solid-state welding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/951—Supplying the plurality of semiconductor or solid-state bodies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/9512—Aligning the plurality of semiconductor or solid-state bodies
- H01L2224/95136—Aligning the plurality of semiconductor or solid-state bodies involving guiding structures, e.g. shape matching, spacers or supporting members
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
Abstract
本发明提供一种芯片接合系统及方法,使用用于提供芯片的源端第一运动台,将芯片位置重新排布并承载着转接板的第二运动台,以及承载与芯片接合的基底的第三运动台,使用两个运动机构在三个运动台之间进行抓取芯片、放置芯片,当运动机构从第一运动台上抓取芯片放置在第二运动台时,可以按照芯片最终与基底接合时的形态而将芯片放置在第二运动台上,也就是将芯片按照与基底接合的形态进行重新排布,这样将转接板一次性翻转后,将已重新排布后的芯片与基底接合时,无需再次排布,这样整个芯片接合系统中,实现翻转的机构只需实现一次翻转,就可以将所有芯片按照工艺要求与基底一次性接合,这样提高了生产效率,节省了时间,满足了量产化需求。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造领域,特别涉及一种芯片接合系统及方法。
背景技术
倒装芯片接合工艺是将芯片与载片连接形成的一种互连形式,这里的载片可以是基底或者其它材料。由于电子产品朝着轻、薄和小型化的趋势发展,使得芯片接合技术的应用日益增多,将芯片接合工艺与晶圆级封装工艺相结合,能够制作出封装尺寸更小、性能更高的封装形式,如果将芯片接合工艺与TSV(硅通孔)工艺相结合,能够制作出成本和性能更有竞争力的三维立体结构。
请参照图1,现有的芯片倒装接合设备中,未接合的接合芯片2以器件面3向上的方式放置在承载台1上,采用机械手抓取和翻转的方式将上述接合芯片2接合到基底4上,接合芯片2的间距L可根据不同工艺需求调整,具体地,如图2所示,承载台1上的接合芯片2首先通过翻转机械手5拾取承载台1上的一颗接合芯片2并进行翻转,再将接合芯片2交接给移动机械手6,移动机械手6运动到基底4上方后,通过图像传感器7将接合芯片2正面的对准标记和基底4上的对准标记进行对准后将接合芯片2下压完成接合。该方案的缺点是:整个工艺流程都是串行完成,对于下压接合时间长的工艺,由于移动一次只能接合一颗芯片,若是基底上需要接合几百颗芯片,那么需要翻转机械手5与移动机械手6运动几百次,这样设备产率非常低,耗时耗电,难以满足量产需求。
因此针对上述问题,有必要发明一种芯片接合系统及方法,以提高芯片接合的效率,满足量产需求。
发明内容
为解决上述问题,本发明提出了一种芯片接合装置及方法,使用三个运动台、分别用于提供芯片的源端、将芯片位置重新排布、以及承载与芯片接合的基底,使用两个运动机构在三个运动台之间移动芯片,将芯片位置重新排布并翻转后一次性粘接在基底上,这样减少了起翻转作用的机械装置的运动次数,提高了生产效率,满足量产需求。
为达到上述目的,本发明提供一种芯片接合系统,包括依次排列的用于提供芯片的第一运动台、用于承载转接板的第二运动台、用于承载与芯片接合的基底的第三运动台,还包括用于从所述第一运动台上抓取芯片放置在所述第二运动台的第一运动机构、用于从所述第二运动台上抓取所述转接板放置在所述第三运动台上的第二运动机构、用于控制芯片接合系统的主机系统,所述转接板可固定所述芯片,所述第二运动机构可翻转所述转接板,所述基板与所述芯片接合。
作为优选,还包括用于探测所述第一运动台、所述第二运动台以及所述第三运动台上物体位置的探测系统。
作为优选,所述探测系统包括用于使所述第一运动机构与所述芯片位置对准的第一对准分系统、用于使所述第一运动机构将所述芯片与所述转接板对准的第二对准分系统、用于使所述第二运动机构将所述转接板与所述基底对准的第三对准分系统,所述第一对准分系统、所述第二对准分系统、所述第三对准分系统与所述主机系统信号连接。
作为优选,还包括用于控制所述第一运动台运动的第一运动台控制分系统、用于控制所述第二运动台运动的第二运动台控制分系统、用于控制所述第三运动台运动的第三运动台控制分系统,所述第一运动台控制分系统、所述第二运动台控制分系统、所述第三运动台控制分系统分别与所述主机系统信号连接。
作为优选,还包括用于控制第一动机构的第一运动控制分系统、用于控制第二运动机构的第二运动控制分系统,所述第一运动控制分系统与所述第二运动控制分系统与所述主机系统信号连接。
作为优选,所述第一运动台通过粘接所述芯片将所述芯片固定。
作为优选,所述转接板通过静电吸附或者真空吸附或者有机胶粘接固定所述芯片。
作为优选,所述基底为金属材料或者半导体材料或者有机材料。
作为优选,所述基底与所述芯片的接合方式为粘接或者热压接合。
作为优选,所述转接板上具有用于使所述芯片的重新排布而作为参考点的对准标记。
作为优选,所述基底上具有与所述对准标记对应的排列标记,当所述转接板上的芯片与所述基底接合时,所述对准标记与所述排列标记用于使所述芯片与所述基底位置对准。
本发明还提供一种使用如上所述的芯片接合系统的芯片接合方法,包括以下步骤:
步骤一,所述芯片固定在所述第一运动台上,所述第一运动机构从所述第一运动台上抓取所述芯片;
步骤二,所述第一运动机构将抓取的芯片放置在所述第二运动台的转接板上,并将芯片在所述转接板上的所述芯片被重新排布;
步骤三,所述第二运动机构从所述第二运动台上抓取所述转接板;
步骤四,所述第二运动机构将所述转接板翻转,将所述转接板上已重新排布的所述芯片与所述基底接合;
步骤五,所述第二运动机构将所述转接板带走,使所述转接板与所述芯片分离。
作为优选,所述步骤二中的所述转接板上的芯片的重新排布的实现方式为通过在所述第一运动机构从所述第一运动台上抓取所述芯片后,所述主机系统控制所述第二运动台带动所述转接板转动或者移动使所述第一运动机构将所述芯片放置在所述转接板相应位置上。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:本发明提供一种芯片接合系统,包括依次排列的用于提供芯片的第一运动台、用于承载转接板的第二运动台、用于承载与芯片接合的基底的第三运动台,还包括用于从所述第一运动台上抓取芯片放置在所述第二运动台的第一运动机构、用于从所述第二运动台上抓取所述转接板放置在所述第三运动台上的第二运动机构、用于控制芯片接合系统的主机系统,所述转接板可固定所述芯片,所述第二运动机构可翻转所述转接板,所述基板与所述芯片接合。
本发明还提供一种使用如上所述的芯片接合系统的芯片接合方法,包括以下步骤:
步骤一,所述芯片固定在所述第一运动台上,所述第一运动机构从所述第一运动台上抓取所述芯片;
步骤二,所述第一运动机构将抓取的芯片放置在所述第二运动台的转接板上,并将芯片在所述转接板上的所述芯片被重新排布;
步骤三,所述第二运动机构从所述第二运动台上抓取所述转接板;
步骤四,所述第二运动机构将所述转接板翻转,将所述转接板上已重新排布的所述芯片与所述基底接合;
步骤五,所述第二运动机构将所述转接板带走,使所述转接板与所述芯片分离。
本发明提供的芯片接合系统及方法中,使用用于提供芯片的源端第一运动台,将芯片位置重新排布并承载着转接板的第二运动台,以及承载与芯片接合的基底的第三运动台,使用两个运动机构在三个运动台之间进行抓取芯片、放置芯片,当运动机构从第一运动台上抓取芯片放置在第二运动台时,可以按照芯片最终与基底接合时的形态而将芯片放置在第二运动台上,也就是将芯片按照与基底接合的形态进行重新排布,这样将转接板一次性翻转后,将已重新排布后的芯片与基底接合时,无需再次排布,这样整个芯片接合系统中,实现翻转的机构只需实现一次翻转,就可以将所有芯片按照工艺要求与基底一次性接合,这样提高了生产效率,节省了时间,能够满足量产化需求。
附图说明
图1和图2皆为现有技术中倒装芯片接合工艺示意图;
图3为本发明提供的芯片接合系统结构示意图;
图4为本发明提供的转接板结构示意图;
图5和图6皆为本发明提供的将转接板芯片放置在基底上的示意图;
图7为本发明提供的基底结构示意图。
现有技术图示:1-承载台、2-接合芯片、3-器件面、4-基底、5-翻转机械手、6-移动机械手、7-图像传感器;
本发明图示:000-主机系统、001-第一运动台控制分系统、002-第二运动台控制分系统、003-第三运动台控制分系统、010-第一运动机构、011-第一运动控制分系统、020-第二运动机构、021-第二运动控制分系统、100-第一运动台、101-第一对准分系统、200-第二运动台、201-第二对准分系统、300-第三运动台、301-第三对准分系统、10-芯片、20-转接板、21-对准标记、22-对准区域、23-待临时接合区域、30-基底、31-接合区域。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
请参照图3,本发明提供一种芯片接合系统,包括依次排列的用作提供芯片10的第一运动台100、用于承载转接板20的第二运动台200、用于承载与芯片10接合的基底30的第三运动台300,还包括用于从第一运动台100上抓取芯片10放置在第二运动台200的转接板20上的第一运动机构010、用于从第二运动台200上抓取转接板20放置在第三运动台300上的基底30上的第二运动机构020、用于控制第一运动机构010的第一运动控制分系统011,用于控制第二运动机构020的第二运动控制分系统021,整个芯片接合系统由主机系统000控制,主机系统000还信号连接有能够控制第一运动台100的第一运动台控制分系统001、能够控制第二运动台200的第二运动台控制分系统002、能够控制第三运动台300的第三运动台控制分系统003。
此外,还包括用于探测第一运动台100上芯片10位置的第一对准分系统101、用于探测第二运动台200上转接板20的位置的第二对准分系统201、用于探测第三运动台300上基底30上芯片10放置位置的第三对准分系统301,第一对准分系统101、第二对准分系统201以及第三对准分系统301皆由主机系统000直接控制。第一对准分系统101、第二对准分系统201以及第三对准分系统301除了用于探测各自对应的运动台上的位置信息,还可以用于探测各自对应运动台上的温度、压力信息等。
第一运动台100和第二运动台200以及第三运动台300的放置次序以方便第一运动机构010与第二运动机构020运动为准,且要给予足够的使三个运动台移动或者转动的空间。
第一运动台100提供芯片10,第一运动台100本身可以通过第一运动台控制分系统001控制实现多自由度的运动。一般地,可将芯片10粘附在第一运动台100承载的具有黏性的柔性有机材料上,如可使芯片10粘接在有机膜上,或者芯片10被固定在第一运动台100承载着具有芯片限位功能的刚性材料上。
第一运动台100上的第一对准分系统101探测第一运动台100上芯片10的位置,并输送给主机系统000,并由主机系统000通过第一运动控制分系统011控制第一运动机构010在第一运动台100上芯片10的抓取的准确性,如根据每次要抓取的芯片10的种类,由第一对准分系统101探测到该种类的芯片10在第一运动台100上的位置以及个数,并由第一运动控制分系统011控制第一运动机构010到该种类芯片10所在的位置处抓取一个该种类的芯片10。
第一运动机构010抓取芯片10的方式可以为静电吸附或者真空吸附等其它方式,在抓取芯片10时,对芯片10的吸附力大于第一运动台100上固定芯片10的力从而保证抓取芯片10的顺利进行。
第二运动台200上承载着转接板20,第二运动台200本身可以通过第二运动台控制分系统002控制实现多自由度的运动。由第一运动机构010将第一运动台100上的芯片10抓取放置到转接板20上。请参照图4,转接板20上的芯片10的分布与第一运动台100上的芯片10的分布方式不同,该转接板20上用于排布芯片10的区域与整个基底30或者基底30的某一个区域呈镜像分布,这样在后续将转接板20上的芯片10翻转180°后,其芯片10的排布则与基底30上对应区域的排布方式相同。
第一运动机构010从第一运动台100上将芯片10抓取后,第二运动台200需要根据芯片10在转接板20的排列方式作转动或者移动,第二运动台200在转动或者移动的过程中由第二对准分系统201探测第二运动台200上转接板20上用于放置芯片10的位置,待然后由主机系统000控制第一运动机构010将抓取的芯片10放置在转接板20上。
转接板20是与芯片10进行临时接合的,临时接合的方式可以是静电吸附、真空吸附或者使用有机胶粘合,当第一运动机构010将芯片10放置在转接板20上芯片10临时接合的位置处时,第一运动机构010瞬间解除对芯片10的固定力,从而使芯片10被固定在转接板20上。
转接板20上具有对准标记21,位于对准区域22内,该标记是在第一运动机构010将芯片10逐个排布在转接板20上时以对准标记21作为参考点,由第二对准分系统201将相对于对准标记21,芯片10应当排放的位置告知主机系统000,由主机系统000通过第一运动控制分系统011控制第一运动机构010将芯片10放置在转接板20上。
第二运动机构020通过真空吸附或者静电吸附的方式或者通过机械结构抓取转接板20,可抓取转接板20的两侧,第二运动机构020具有翻转功能,将转接板20翻转180°,将转接板20上的芯片10与基底30接合。
较佳地,基底30为金属材料或者半导体材料或者有机材料。
请参照图7,基底30上具有与对准标记21对应的排列标记(未图示),当第二运动机构020将转接板20翻转后,第三对准分系统301探测基底30上的排列标记与转接板20上的对准标记21的位置,并由第三运动台控制分系统003控制第三运动台300、以及通过第二运动控制分系统021控制第二运动机构020,第二运动机构020带动转接板20移动及翻转,而第三运动台控制分系统003控制第三运动台300的运动及移动,从而使对准标记21与排列标记对准,此时将转接板20上的芯片与基底30接合时,芯片10才能准确放置在基底30上预定与芯片10接合之处。
请继续参照图7,基底30上划分为若干个接合区域31,转接板20上容纳芯片10的空间与某个接合区域31容纳芯片10的空间大小相同,第二运动机构020每运送一次转接板20至基底30上,完成一个接合区域31的接合。
较佳地,基底30与芯片10的接合方式为粘接,或者由第二运动机构020给予基底30向下的压力,同时第三运动台300对基底30进行加热,使得芯片10与基底30进行热压接合。
本发明还提供一种使用上述的芯片接合系统的芯片接合方法,具体包括以下步骤:
步骤一:第一运动台100上粘附着若干个芯片10,可以有多种种类的芯片10,种类与数量根据最终要与基底30接合的芯片10要求为准;
步骤二:主机系统000通过第一运动控制分系统011控制第一运动机构010移动到第一运动台100附近,第一对准分系统101探测需要抓取的芯片10在第一运动台100上的位置,并发送给主机系统000,根据第一对准分系统101所探测得的位置,主机系统000发送信号给予第一运动控制分系统011,第一运动控制分系统011控制第一运动机构010到第一运动台100上抓取芯片10,如果需要芯片10被抓取的时候改变被抓取的姿态,那么可以由第一运动台控制分系统001控制着第一运动台100进行转动或者移动,第一运动机构010也可以运动从而改变抓取的姿态。
步骤三:第二运动台200上的转接板20上事先划定好需要与基底30上哪一个接合区域31接合,按照该接合区域31上的芯片排布,在转接板20上划定该接合区域31镜像后的排布图案,划定需要临时接合的芯片10的位置以及排列方式。当第一运动机构010将芯片10从第一运动台100上抓取芯片10后,移动至第二运动台200附近,由第二对准分系统201探测该芯片10在转接板20上待临时接合区域23,并发送给主机系统000,由主机系统000通过第二运动控制分系统021控制第二运动机构020的移动,以及由主机系统000通过第二运动台控制分系统002控制第二运动台200移动或者转动,较佳地,第一运动机构010的移动根据转接板20上对准区域22内的对准标记21而进行,第二运动台200的移动或者转动根据芯片10需要与转接板20临时接合时的姿态而进行,当第二运动台200移动或者转动完成后,主机系统000通过第一运动控制分系统011控制着第一运动机构010将芯片10放置到转接板20的待临时接合之处从而与连接板20临时接合,放置时,转接板20与芯片10的临时接合力大于第一运动机构010固定芯片10的结合力,由第二对准分系统201探测放置位置的准确性。
步骤四:当转接板20上临时接合了足够的芯片10后,由主机系统000通过第二运动控制分系统021控制第二运动机构020抓取转接板20的两侧,并移动至第三运动台300附近,由第三对准分系统301探测基底30上需要被接合的接合区域31的位置,第二运动机构020将转接板20移动至该接合区域31附近,或者第三运动台300配合第二运动机构020的运动,从而使第二运动机构020携带转接板20至该接合区域31的上方,将转接板20翻转180°,则此时转接板20上芯片10的排布与该接合区域31上需要与芯片10接合的排布方式相同,此时第二运动机构020将转接板20向下与该接合区域31靠近,当转接板20上的芯片10接触到基底30时,瞬间释放转接板20吸附芯片10的吸附力,或者基底30对芯片10的吸引力大于转接板20对芯片10的吸引力,使得芯片10固定在基底30上,此时可以按照工艺要求使转接板20离开芯片10,使得芯片10粘合在基底30上;如果需要使芯片10与基底30热压接合,那么转接板20给予芯片10向下的压力,同时第三运动台300对基底30进行加热升温,使得芯片10与基底30热压接合在一起。
本发明中转接板20上既可以将每一个接合区域31上所需要接合的芯片10先全部临时接合至转接板20上,然后由转接板20将该区域内的所有芯片10一次性全部与基底30上该接合区域31接合,转接板20也可以临时接合单个的芯片10。在转接板20临时接合整个接合区域31内的芯片10时,需要保证该区域内所有芯片10的高度一致,这样在将转接板20翻转180°之后,与基底30接合时,每个芯片10都能接触到基底30。
本发明提供的芯片接合系统及方法中,实现翻转的第二运动机构020只需实现一次翻转,就可以将所有芯片10按照工艺要求与基底30一次性接合,这样提高了生产效率,节省了时间,能够满足量产化需求。
显然本领域的技术人员可以对发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包括这些改动和变型在内。
Claims (13)
1.一种芯片接合系统,其特征在于,包括依次排列的用于提供芯片的第一运动台、用于承载转接板的第二运动台、用于承载与芯片接合的基底的第三运动台,还包括用于从所述第一运动台上抓取芯片放置在所述第二运动台的第一运动机构、用于从所述第二运动台上抓取所述转接板放置在所述第三运动台上的第二运动机构、用于控制芯片接合系统的主机系统,所述转接板可固定所述芯片,所述第二运动机构可翻转所述转接板,所述基板与所述芯片接合。
2.如权利要求1所述的芯片接合系统,其特征在于,还包括用于探测所述第一运动台、所述第二运动台以及所述第三运动台上物体位置的探测系统。
3.如权利要求2所述的芯片接合系统,其特征在于,所述探测系统包括用于使所述第一运动机构与所述芯片位置对准的第一对准分系统、用于使所述第一运动机构将所述芯片与所述转接板对准的第二对准分系统、用于使所述第二运动机构将所述转接板与所述基底对准的第三对准分系统,所述第一对准分系统、所述第二对准分系统、所述第三对准分系统与所述主机系统信号连接。
4.如权利要求1所述的芯片接合系统,其特征在于,还包括用于控制所述第一运动台运动的第一运动台控制分系统、用于控制所述第二运动台运动的第二运动台控制分系统、用于控制所述第三运动台运动的第三运动台控制分系统,所述第一运动台控制分系统、所述第二运动台控制分系统、所述第三运动台控制分系统分别与所述主机系统信号连接。
5.如权利要求1所述的芯片接合系统,其特征在于,还包括用于控制第一动机构的第一运动控制分系统、用于控制第二运动机构的第二运动控制分系统,所述第一运动控制分系统与所述第二运动控制分系统与所述主机系统信号连接。
6.如权利要求1所述的芯片接合系统,其特征在于,所述第一运动台通过粘接所述芯片将所述芯片固定。
7.如权利要求1所述的芯片接合系统,其特征在于,所述转接板通过静电吸附或者真空吸附或者有机胶粘接固定所述芯片。
8.如权利要求1所述的芯片接合系统,其特征在于,所述基底为金属材料或者半导体材料或者有机材料。
9.如权利要求1所述的芯片接合系统,其特征在于,所述基底与所述芯片的接合方式为粘接或者热压接合。
10.如权利要求1所述的芯片接合系统,其特征在于,所述转接板上具有用于使所述芯片的重新排布而作为参考点的对准标记。
11.如权利要求10所述的芯片接合系统,其特征在于,所述基底上具有与所述对准标记对应的排列标记,当所述转接板上的芯片与所述基底接合时,所述对准标记与所述排列标记用于使所述芯片与所述基底位置对准。
12.一种使用如权利要求1~11中任意一项所述的芯片接合系统的芯片接合方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤一,所述芯片固定在所述第一运动台上,所述第一运动机构从所述第一运动台上抓取所述芯片;
步骤二,所述第一运动机构将抓取的芯片放置在所述第二运动台的转接板上,并将芯片在所述转接板上的所述芯片被重新排布;
步骤三,所述第二运动机构从所述第二运动台上抓取所述转接板;
步骤四,所述第二运动机构将所述转接板翻转,将所述转接板上已重新排布的所述芯片与所述基底接合;
步骤五,所述第二运动机构将所述转接板带走,使所述转接板与所述芯片分离。
13.如权利要求12所述的芯片接合方法,其特征在于,所述步骤二中的所述转接板上的芯片的重新排布的实现方式为通过在所述第一运动机构从所述第一运动台上抓取所述芯片后,所述主机系统控制所述第二运动台带动所述转接板转动或者移动使所述第一运动机构将所述芯片放置在所述转接板相应位置上。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510938394.XA CN105470173B (zh) | 2015-12-15 | 2015-12-15 | 一种芯片接合系统及方法 |
TW104144715A TWI564932B (zh) | 2015-12-15 | 2015-12-31 | Wafer bonding system and method |
US16/062,435 US20180366353A1 (en) | 2015-12-15 | 2016-12-15 | Chip-bonding system and method |
PCT/CN2016/110057 WO2017101805A1 (zh) | 2015-12-15 | 2016-12-15 | 一种芯片接合系统及方法 |
KR1020187020190A KR102261989B1 (ko) | 2015-12-15 | 2016-12-15 | 칩-본딩 시스템 및 방법 |
JP2018531251A JP2018537862A (ja) | 2015-12-15 | 2016-12-15 | チップボンディングシステム及び方法 |
EP16874862.2A EP3392904A4 (en) | 2015-12-15 | 2016-12-15 | Chip-bonding system and method |
SG11201805110SA SG11201805110SA (en) | 2015-12-15 | 2016-12-15 | Chip-bonding system and method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510938394.XA CN105470173B (zh) | 2015-12-15 | 2015-12-15 | 一种芯片接合系统及方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105470173A true CN105470173A (zh) | 2016-04-06 |
CN105470173B CN105470173B (zh) | 2018-08-14 |
Family
ID=55607742
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510938394.XA Active CN105470173B (zh) | 2015-12-15 | 2015-12-15 | 一种芯片接合系统及方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20180366353A1 (zh) |
EP (1) | EP3392904A4 (zh) |
JP (1) | JP2018537862A (zh) |
KR (1) | KR102261989B1 (zh) |
CN (1) | CN105470173B (zh) |
SG (1) | SG11201805110SA (zh) |
TW (1) | TWI564932B (zh) |
WO (1) | WO2017101805A1 (zh) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017101805A1 (zh) * | 2015-12-15 | 2017-06-22 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种芯片接合系统及方法 |
CN107452644A (zh) * | 2016-05-31 | 2017-12-08 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 分体式芯片载板搬运键合装置 |
CN107665827A (zh) * | 2016-07-29 | 2018-02-06 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 芯片键合装置和方法 |
CN107665828A (zh) * | 2016-07-29 | 2018-02-06 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种自动键合装置及方法 |
CN108063104A (zh) * | 2016-11-07 | 2018-05-22 | 先进科技新加坡有限公司 | 用于调整接合装置的部件之间的相对位置的系统 |
CN109037420A (zh) * | 2018-07-02 | 2018-12-18 | 惠州雷通光电器件有限公司 | 一种倒装芯片固晶装置及方法 |
WO2019029602A1 (zh) * | 2017-08-10 | 2019-02-14 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 半导体制造装置 |
CN109655469A (zh) * | 2018-12-27 | 2019-04-19 | 深圳市燕麦科技股份有限公司 | 一种柔性电路板的对接测试装置及其对接测试方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10910239B1 (en) * | 2019-07-10 | 2021-02-02 | Mikro Mesa Technology Co., Ltd. | Method of transferring micro devices and device transfer system |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000058707A (ja) * | 1998-08-17 | 2000-02-25 | Citizen Watch Co Ltd | 半導体パッケージの製造方法 |
CN101055846A (zh) * | 2006-04-12 | 2007-10-17 | 中南大学 | 热超声倒装芯片键合机 |
CN101409240A (zh) * | 2008-03-21 | 2009-04-15 | 北京德鑫泉科技发展有限公司 | 可使用芯片的智能标签及倒装芯片模块生产设备 |
CN101546175A (zh) * | 2008-03-25 | 2009-09-30 | 塔工程有限公司 | 用于结合机的控制方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59227328A (ja) * | 1983-06-09 | 1984-12-20 | Mitsubishi Electric Corp | 放電加工装置 |
TW295675B (en) * | 1995-02-23 | 1997-01-11 | Ind Tech Res Inst | The chip bonding system |
DE19840210A1 (de) | 1998-09-03 | 2000-03-09 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur Handhabung einer Mehrzahl von Schaltungschips |
US6640423B1 (en) | 2000-07-18 | 2003-11-04 | Endwave Corporation | Apparatus and method for the placement and bonding of a die on a substrate |
JP5007127B2 (ja) * | 2004-12-28 | 2012-08-22 | 光正 小柳 | 自己組織化機能を用いた集積回路装置の製造方法及び製造装置 |
TWI322476B (en) * | 2006-10-05 | 2010-03-21 | Advanced Semiconductor Eng | Die bonder and die bonding method thereof |
JP6149277B2 (ja) * | 2011-03-30 | 2017-06-21 | ボンドテック株式会社 | 電子部品実装方法、電子部品実装システムおよび基板 |
JP2013065757A (ja) * | 2011-09-20 | 2013-04-11 | Toshiba Corp | 半導体チップのピックアップ方法及び半導体チップのピックアップ装置 |
KR20130079031A (ko) * | 2012-01-02 | 2013-07-10 | 삼성전자주식회사 | 반도체 칩 실장 장치 |
CN102655193A (zh) * | 2012-03-11 | 2012-09-05 | 无锡派图半导体设备有限公司 | 平移式芯片倒装装置 |
KR102103811B1 (ko) * | 2012-04-24 | 2020-04-23 | 본드테크 가부시키가이샤 | 칩 온 웨이퍼 접합 방법 및 접합 장치, 및 칩과 웨이퍼를 포함하는 구조체 |
TWI473180B (zh) * | 2012-08-24 | 2015-02-11 | Gallant Micro Machining Co Ltd | Wafer bonding device |
JP5963374B2 (ja) * | 2012-09-23 | 2016-08-03 | 国立大学法人東北大学 | チップ支持基板、チップ支持方法、三次元集積回路、アセンブリ装置及び三次元集積回路の製造方法 |
US10312118B2 (en) * | 2014-01-16 | 2019-06-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Bonding apparatus and method |
DE102016113328B4 (de) * | 2015-08-31 | 2018-07-19 | Besi Switzerland Ag | Verfahren für die Montage von mit Bumps versehenen Halbleiterchips auf Substratplätzen eines Substrats |
CN105470173B (zh) * | 2015-12-15 | 2018-08-14 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种芯片接合系统及方法 |
-
2015
- 2015-12-15 CN CN201510938394.XA patent/CN105470173B/zh active Active
- 2015-12-31 TW TW104144715A patent/TWI564932B/zh active
-
2016
- 2016-12-15 KR KR1020187020190A patent/KR102261989B1/ko active IP Right Grant
- 2016-12-15 EP EP16874862.2A patent/EP3392904A4/en active Pending
- 2016-12-15 US US16/062,435 patent/US20180366353A1/en not_active Abandoned
- 2016-12-15 WO PCT/CN2016/110057 patent/WO2017101805A1/zh active Application Filing
- 2016-12-15 JP JP2018531251A patent/JP2018537862A/ja active Pending
- 2016-12-15 SG SG11201805110SA patent/SG11201805110SA/en unknown
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000058707A (ja) * | 1998-08-17 | 2000-02-25 | Citizen Watch Co Ltd | 半導体パッケージの製造方法 |
CN101055846A (zh) * | 2006-04-12 | 2007-10-17 | 中南大学 | 热超声倒装芯片键合机 |
CN101409240A (zh) * | 2008-03-21 | 2009-04-15 | 北京德鑫泉科技发展有限公司 | 可使用芯片的智能标签及倒装芯片模块生产设备 |
CN101546175A (zh) * | 2008-03-25 | 2009-09-30 | 塔工程有限公司 | 用于结合机的控制方法 |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017101805A1 (zh) * | 2015-12-15 | 2017-06-22 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种芯片接合系统及方法 |
CN107452644A (zh) * | 2016-05-31 | 2017-12-08 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 分体式芯片载板搬运键合装置 |
CN107665827A (zh) * | 2016-07-29 | 2018-02-06 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 芯片键合装置和方法 |
CN107665828A (zh) * | 2016-07-29 | 2018-02-06 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种自动键合装置及方法 |
CN107665827B (zh) * | 2016-07-29 | 2020-01-24 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 芯片键合装置和方法 |
CN108063104A (zh) * | 2016-11-07 | 2018-05-22 | 先进科技新加坡有限公司 | 用于调整接合装置的部件之间的相对位置的系统 |
WO2019029602A1 (zh) * | 2017-08-10 | 2019-02-14 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 半导体制造装置 |
CN109390249A (zh) * | 2017-08-10 | 2019-02-26 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 半导体制造装置 |
TWI692844B (zh) * | 2017-08-10 | 2020-05-01 | 大陸商上海微電子裝備(集團)股份有限公司 | 半導體製造裝置 |
US11551948B2 (en) | 2017-08-10 | 2023-01-10 | Shanghai Micro Electronics Equipment (Group) Co., Ltd. | Semiconductor manufacturing apparatus |
CN109037420A (zh) * | 2018-07-02 | 2018-12-18 | 惠州雷通光电器件有限公司 | 一种倒装芯片固晶装置及方法 |
CN109655469A (zh) * | 2018-12-27 | 2019-04-19 | 深圳市燕麦科技股份有限公司 | 一种柔性电路板的对接测试装置及其对接测试方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105470173B (zh) | 2018-08-14 |
EP3392904A4 (en) | 2018-12-12 |
EP3392904A1 (en) | 2018-10-24 |
WO2017101805A1 (zh) | 2017-06-22 |
TW201628056A (zh) | 2016-08-01 |
KR102261989B1 (ko) | 2021-06-08 |
US20180366353A1 (en) | 2018-12-20 |
SG11201805110SA (en) | 2018-07-30 |
JP2018537862A (ja) | 2018-12-20 |
KR20180095874A (ko) | 2018-08-28 |
TWI564932B (zh) | 2017-01-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN105470173A (zh) | 一种芯片接合系统及方法 | |
TWI652745B (zh) | Wafer bonding device and method | |
TWI633607B (zh) | 接合裝置、接合系統及接合方法 | |
TWI511225B (zh) | Substrate transfer device and substrate assembly line | |
KR101948428B1 (ko) | 압착 장치 | |
CN104157594B (zh) | 带有多个用于传送电子器件进行键合的旋转传送臂的键合装置 | |
TW201320254A (zh) | 固晶裝置及固晶方法 | |
JPWO2014157134A1 (ja) | 実装方法および実装装置 | |
KR20200107559A (ko) | Led 구조체 전사 장치 | |
TW202017092A (zh) | 一種晶片鍵合裝置 | |
TW201515160A (zh) | 接合複數個半導體晶片到基板之設備與方法 | |
CN104051318A (zh) | 图像传感器芯片的自动化封装系统和自动化封装方法 | |
CN105327830B (zh) | 热熔胶点胶机 | |
TW201415562A (zh) | 黏晶方法及其裝置 | |
TWI642337B (zh) | Electronic component mounting device | |
KR100884585B1 (ko) | 기판 이송 시스템 | |
CN107134423B (zh) | 倒装芯片键合装置及其键合方法 | |
CN103766016A (zh) | 电子元件安装装置及电子元件安装方法 | |
CN203554800U (zh) | 自动贴合机 | |
TWI646625B (zh) | 用於接合半導體元件的系統及方法 | |
WO2019065394A1 (ja) | 実装装置 | |
WO2023011080A1 (zh) | 片材键合对位系统及片材键合方法 | |
JP7122607B2 (ja) | 熱圧着装置及び熱圧着方法 | |
JP7122606B2 (ja) | 熱圧着装置及び熱圧着方法 | |
CN203967060U (zh) | 图像传感器芯片的自动化封装系统 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
CB02 | Change of applicant information |
Address after: 201203 Pudong New Area East Road, No. 1525, Shanghai Applicant after: Shanghai microelectronics equipment (Group) Limited by Share Ltd Address before: 201203 Pudong New Area East Road, No. 1525, Shanghai Applicant before: Shanghai Micro Electronics Equipment Co., Ltd. |
|
CB02 | Change of applicant information | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |