JP2000058707A - 半導体パッケージの製造方法 - Google Patents

半導体パッケージの製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 BGAのルーター外形加工は外形段差が発生
し、生産性が低く、生産コストが高くなる。 【解決手段】 回路基板にICチップをボンディングす
るボンディング工程と、樹脂封止する封止工程と、外部
接続用電極に突起電極であるボール電極を形成するボー
ル付け工程とによりパッケージ集合体を形成し、回路基
板をボール電極を基準にして、ルーター装置の基準型に
固定する固定工程と、エンドミルで外形切削して、単個の
完成半導体パッケージを形成する外形抜き工程とよりな
る半導体パッケージの製造方法である。CSPとして最
適な製造方法で信頼性及び生産性が優れている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体パッケージの
製造方法に係わり、更に詳しくは外部接続用の突起電極
を有する半導体パッケージの製造方法に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体パッケージの小型化、高密
度化に伴いベア・チップを直接フェイスダウンで、基板
上に実装するフリップチップボンディングが開発されて
いる。カメラ一体型VTRや携帯電話機等の登場によ
り、ベア・チップと略同じ寸法の小型パッケージ、所謂
CSP(チップサイズ/スケール・パッケージ)を載せ
た携帯機器が相次いで登場してきている。最近CSPの
開発は急速に進み、その市場要求が本格化している。
【0003】先ず、図5、図6に基づいて、従来の半導
体パッケージの製造法の概要を説明する。
【0004】図5(a)の回路基板形成工程は、短冊状
の銅箔積層板に位置決め穴2と回路基板の上面と下面を
電気接続するスルーホール(図示せず)を形成後、銅メ
ッキ層を形成し、ICチップと接続するボンディングパ
ターンと外部端子用電極9を銅をエッチングすることで
形成し、その上にソルダーレジストを形成し、表面に露出
している銅パターン表面に、Ni−Auメッキ層を形成
し、回路基板1が完成する。
【0005】図5(b)に示すボンディング工程は、I
Cチップ3を回路基板1上の所定の位置に搭載・固定
し、回路基板1上のボンディングパターンと金ワイヤー
4により、電気接続する。
【0006】図5(c)に示す封止工程は、ICチップ
3と金ワイヤー4側の面を封止樹脂5により、樹脂封止
する。
【0007】図5(d)に示すボール付け工程は、回路
基板1上に形成された外部端子用電極9上に、半田フラ
ックスを塗布し、その上に半田ボールを搭載し、リフロー
することで外部端子としての半田ボール6が形成され
る。
【0008】図6(e)に示す第1外形抜き工程は、回
路基板1上の位置決め穴2を基準にしてルーター装置上
に固定し、製品が単個になった時、製品が飛び散らない
ように、回路基板1と製品との接続耳13を残して、エ
ンドミルで切削加工し、第1外形抜き溝11を形成する。
【0009】図6(f)に示す第2外形抜き工程は、回
路基板1上に形成された第1外形抜き溝11に対応した
位置決めピン14を予めルーター装置上に作っておき、
この位置決めピン14でルーター装置に回路基板1を固
定し、エンドミルで切削加工し、第2外形抜き溝12を
形成することで、接続耳13を切断し、単個のBGAパ
ッケージに分離する。以上の工程により単個のBGAパ
ッケージが完成される。
【0010】図7は、従来の半導体パッケージの外周ラ
インを表している。外形抜きを2回に分け、行っている
ため、外形抜き溝11で作られた外周ラインと外形抜き
溝12で作られた外周ラインに位置ズレが生じるため。
その境界に段差が生じている。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た半導体パッケージの製造方法には次のような問題点が
ある。即ち、外形抜き工程が2工程あり、生産性が低
く、コストアップになる。また、各外形抜き工程間に位置
ズレが発生するため、完成半導体パッケージの外周ライ
ンに段差が生じ、外観が悪いと同時に、外形基準の位置
精度が悪い等の問題があった。
【0012】本発明は、上記従来の課題に鑑みなされた
ものであり、その目的は、小型携帯機器等に搭載する信
頼性及び生産性に優れた、安価な半導体パッケージの製
造方法を提供するものである。
【0013】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明における半導体パッケージの製造方法は、I
Cチップを実装した半導体パッケージの製造方法に於い
て、ICチップ実装用のボンディングパターンと外部端
子用電極を形成するための電極パターンとを集合回路基
板面に複数個分配列して形成する回路基板形成工程と、
前記ボンディングパターンと前記ICチップを電気的に
接続するICチップ実装工程と、該ICチップを樹脂封
止する工程と、前記外部接続用電極に突起電極を形成す
る電極形成工程とによりパッケージ集合体を形成し、該
パッケージ集合体の突起電極側面を基準にして該パッケ
ージ集合体を基準型に固定する保持工程と、保持された
パッケージ集合体を切削して単個の完成半導体パッケー
ジを形成する切削工程とからなることを特徴とするもの
である。
【0014】また、前記パッケージ集合体保持工程は、
基準型の一部より減圧法によりなされていることを特徴
とするものである。
【0015】また、前記突起電極は、半田バンプである
ことを特徴とするものである。
【0016】また、前記切削工程は、エンドミルによる
切削で行うことを特徴とするものである。
【0017】また、前記完成半導体パッケージの外周面
は、段差の無いことを特徴とするものである。
【0018】
【発明の実施の形態】以下図面に基づいて本発明におけ
る半導体パッケージの製造方法について説明する。図
1、図2は本発明の実施の形態で、突起電極付きの半導
体パッケージの製造工程を示す説明図である。図4は本
発明の実施形態で半田ボールを基準にして回路基板を固
定する基準型の説明図である。図3は本発明の実施の形
態で作られた半導体パッケージの外周ラインを示す説明
図である。従来技術と同一部材は同一符号で示す。
【0019】先ず、図1(a)の回路基板形成工程、図
1(b)のボンディング工程、図1(c)の封止工程、
図1(d)のボール付け工程は前述の従来技術と同様で
あるので、説明は省略する。
【0020】図2(e)に示す固定工程は、回路基板1
に接続された半田ボール6の外周を基準にして、ルータ
ー装置上に作られた基準型7にのせ、回路基板1と基準
型7とで作られた空間を減圧して、回路基板1がルータ
ー装置上に固定される。
【0021】図2(f)に示す外形抜き工程は、ルータ
ー装置上に固定された回路基板1上に作られたBGAパ
ッケージの外周ラインに沿って、一筆書きの要領で、エ
ンドミルで外周抜き溝8をあけ、単個のBGAパッケー
ジに分離する。以上の工程により単個のBGAパッケー
ジ10が完成する。
【0022】図4(a)は、半田ボール6のついた回路
基板1が基準型7に固定された状態の断面図である。基
準型7はパッケージ外形線の内側に配置され、回路基板
1と基準型7で作られた空間を減圧にすることで回路基
板1を固定している。
【0023】図4(b)は、A−A‘断面図である。基
準型7の各4辺の内側の側壁は半田ボール6に接してお
り、パッケージの位置を規制していると同時に、エンド
ミルでBGAパッケージが単個に分離されたときのBG
Aパッケージの動きを抑制し、エンドミルを折ったり、
BGAパッケージに傷がつくことを防いでいる。
【0024】図3は、本発明で作られた外形線を示した
ものである。一筆書きの要領で外形線を切削しているた
め、従来に見られるような切削ラインのずれ等の問題が
生ぜずに切削できるものである。
【0025】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体パ
ッケージの製造方法によれば、回路基板にICチップを
実装し、封止樹脂で封止して、下面側の外部接続用電極
に突起電極を形成後、突起電極を基準にして基準型に回
路基板を固定した後、切削して単個の半導体パッケージ
を製造することにより、小型携帯機器等に搭載する信頼
性及び生産性の優れた半導体パッケージの製造方法を提
供することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に係わる半導体パッケージ
の製造工程で、回路基板形成工程、ボンディング工程を
示す説明図である。
【図2】本発明の実施の形態に係わる半導体パッケージ
の製造工程で、封止工程、ボール付け工程、固定工程、
外形抜き工程を示す説明図である。
【図3】本発明の実施の形態に関わる半導体パッケージ
の外形線を示す図である。
【図4】本発明の実施の形態に関わる固定工程における
基準型と回路基板の関係を示す説明図である。
【図5】従来のBGA製造工程で、回路基板形成工程、
ボンディング工程、封止工程、ボール付け工程を示す説
明図である。
【図6】従来のBGA製造工程で、第1外形抜き工程、
第2外形抜き工程を示す説明図である。
【図7】従来のBGAパッケージの外形線を示す図であ
る。
【符号の説明】
1 回路基板 2 位置決め穴 3 ICチップ 4 金ワイヤー 5 封止樹脂 6 半田ボール 7 基準型 8 外形抜き溝 9 外部端子用電極 10 フリップチップBGA 11 第1外形抜き溝 12 第2外形抜き溝 13 接続耳 14 位置決めピン

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ICチップを実装した半導体パッケージ
    の製造方法に於いて、ICチップ実装用のボンディング
    パターンと外部端子用電極を形成するための電極パター
    ンとを集合回路基板面に複数個分配列して形成する回路
    基板形成工程と、前記ボンディングパターンと前記IC
    チップを電気的に接続するICチップ実装工程と、該I
    Cチップを樹脂封止する工程と、前記外部接続用電極に
    突起電極を形成する電極形成工程とによりパッケージ集
    合体を形成し、該パッケージ集合体の突起電極側面を基
    準にして該パッケージ集合体を基準型に固定する保持工
    程と、保持されたパッケージ集合体を切削して単個の完
    成半導体パッケージを形成する切削工程とからなること
    を特徴とする半導体パッケージの製造方法。
  2. 【請求項2】 前記パッケージ集合体保持工程は、基準
    型の一部より減圧法によりなされていることを特徴とす
    る請求項1記載の半導体パッケージの製造方法。
  3. 【請求項3】 前記突起電極は、半田バンプであること
    を特徴とする請求項1または2記載の半導体パッケージ
    の製造方法。
  4. 【請求項4】 前記切削工程は、エンドミルによる切削
    で行うことを特徴とする請求項1〜3記載の半導体パッ
    ケージの製造方法。
  5. 【請求項5】 前記完成半導体パッケージの外周面は、
    段差の無いことを特徴とする請求項1〜4記載の半導体
    パッケージの製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105470173A (zh) * 2015-12-15 2016-04-06 上海微电子装备有限公司 一种芯片接合系统及方法
WO2019029602A1 (zh) * 2017-08-10 2019-02-14 上海微电子装备(集团)股份有限公司 半导体制造装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105470173A (zh) * 2015-12-15 2016-04-06 上海微电子装备有限公司 一种芯片接合系统及方法
CN105470173B (zh) * 2015-12-15 2018-08-14 上海微电子装备(集团)股份有限公司 一种芯片接合系统及方法
WO2019029602A1 (zh) * 2017-08-10 2019-02-14 上海微电子装备(集团)股份有限公司 半导体制造装置
US11551948B2 (en) 2017-08-10 2023-01-10 Shanghai Micro Electronics Equipment (Group) Co., Ltd. Semiconductor manufacturing apparatus

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