JP2005197496A - 回路基板及び回路基板の製造方法、並びに半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法。 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体素子が搭載されたインターポーザー基板と、半導体素子とインターポーザー基板の実装面に形成されたランドを接続する引き出し配線2と、引き出し配線の先端部及びランド1の上層に形成されたニッケルメッキ層3及び金メッキ層4を備え、半導体素子が樹脂封止された半導体パッケージにおいて、インターポーザー基板の実装面に形成された引き出し配線上のニッケルメッキ層及び金メッキ層の形成領域と非形成領域との境界を、引き出し配線を横断する最短距離よりも長く形成する。
【選択図】 図1
Description
以下、図面を用いて従来のBGA型半導体パッケージについて説明する。
従来のBGA型半導体パッケージの製造では、先ず、図7(a)で示す様に、インターポーザー基板のチップ搭載面に半導体チップを搭載するダイパット109及び搭載面配線パターン110を形成し、チップ搭載面と反対側の実装面に実装面配線パターン105及びランドを形成する。
即ち、配線パターンを横断する最短距離の線が、配線パターン上の導電層形成領域と導電層非形成領域の境界をなしていた従来の導電層と比較すると、境界部分の長さ自体が長くなることにより、境界部分にかかる応力を分散することができ、環境温度が変化した場合の線膨張の差に起因する境界部分の配線パターンの破断を抑制することができる。
更に、端子からの引き出し配線の微細化を図ることができるために、半導体パッケージを実装基板に実装する際に用いるはんだ等の接合材料の形状を整えることができ、接合部自体の強度向上を図ることもできる。
本発明を適用した半導体パッケージの一例であるBGA型半導体パッケージは、上記した従来のBGA型半導体パッケージと同様に、インターポーザー基板5と、インターポーザー基板の上面にダイボンドされた半導体チップ6と、半導体チップを封止する封止樹脂12から構成されている。(図3(f)及び図4(e)参照)
本発明を適用したBGA型半導体パッケージの製造方法の一例では、先ず、図3(a)で示す様に、インターポーザー基板5のチップ搭載面に半導体チップ6を搭載する銅から成るダイパット7及び銅から成る搭載面配線パターン8を形成し、チップ搭載面と反対側の実装面に銅から成る実装面配線パターン9及び銅から成るランドを形成する。
本発明を適用したBGA型半導体パッケージの製造方法の他の一例では、先ず、図4(a)で示す様に、インターポーザー基板5のチップ搭載面に半導体チップ6を搭載する銅から成るダイパット7及び銅から成る搭載面配線パターン8を形成し、チップ搭載面と反対側の実装面に銅から成る実装面配線パターン9及び銅から成るランドを形成する。
従って、実装基板に実装された半導体パッケージの温度サイクルに対する引き出し配線の破断は、従来の半導体パッケージと比較して抑制することができ、半導体パッケージを実装した際の実装信頼性の向上を図ることができる。
2 引き出し配線
3 ニッケルメッキ層
4 金メッキ層
5 インターポーザー基板
6 半導体チップ
7 ダイパット
8 搭載面配線パターン
9 実装面配線パターン
10 ソルダーレジスト層
11 マウント材
12 封止樹脂
21 金細線
23 フォトレジスト
Claims (6)
- 配線パターンと、
該配線パターンの先端部から連設された端子と、
前記配線パターンの先端部及び前記端子の上層に形成された導電層を備える回路基板において、
前記配線パターン上の導電層形成領域と導電層非形成領域との境界は、同配線パターンを横断する最短距離よりも長い
ことを特徴とする回路基板。 - 基板本体に配線パターン及び該配線パターンの先端部に連設した端子を形成する工程と、
前記配線パターンの先端部領域及び前記端子領域が開口したマスク層を前記基板本体に形成する工程と、
前記マスク層の開口領域に導電層を形成する工程と、
前記導電層を形成して前記マスク層を除去した後に、少なくとも前記端子領域が開口したソルダーレジスト層を前記基板本体に形成する工程を備える回路基板の製造方法において、
前記マスク層の開口領域は、前記配線パターン上のマスク層形成領域とマスク層非形成領域との境界が、同配線パターンを横断する最短距離よりも長くなる様に形成する
ことを特徴とする回路基板の製造方法。 - 基板本体に配線パターン及び該配線パターンの先端部に連設した端子を形成する工程と、
前記配線パターンの先端部領域及び前記端子領域が開口したソルダーレジスト層を前記基板本体に形成する工程と、
前記ソルダーレジスト層の開口領域に導電層を形成する工程を備える回路基板の製造方法において、
前記ソルダーレジスト層の開口領域は、前記配線パターン上のソルダーレジスト層形成領域とソルダーレジスト層非形成領域との境界が、同配線パターンを横断する最短距離よりも長くなる様に形成する
ことを特徴とする回路基板の製造方法。 - 半導体素子が搭載された基板本体と、
前記半導体素子と接続された配線パターンと、
該配線パターンの先端部から連設された端子と、
前記配線パターンの先端部及び前記端子の上層に形成された導電層を備え、
前記半導体素子が樹脂封止された半導体パッケージにおいて、
前記配線パターン上の導電層形成領域と導電層非形成領域との境界は、同配線パターンを横断する最短距離よりも長い
ことを特徴とする半導体パッケージ。 - 基板本体に配線パターン及び該配線パターンの先端部に連設した端子を形成する工程と、
前記配線パターンの先端部領域及び前記端子領域が開口したマスク層を前記基板本体に形成する工程と、
前記マスク層の開口領域に導電層を形成する工程と、
前記導電層を形成して前記マスク層を除去した後に、少なくとも前記端子領域が開口したソルダーレジスト層を前記基板本体に形成する工程と、
前記基板本体に半導体素子を搭載し、同半導体素子と前記配線パターンを接続した後に、同半導体素子を樹脂封止する工程を備える半導体パッケージの製造方法において、
前記マスク層の開口領域は、前記配線パターン上のマスク層形成領域とマスク層非形成領域との境界が、同配線パターンを横断する最短距離よりも長くなる様に形成する
ことを特徴とする半導体パッケージの製造方法。 - 基板本体に配線パターン及び該配線パターンの先端部に連設した端子を形成する工程と、
前記配線パターンの先端部領域及び前記端子領域が開口したソルダーレジスト層を前記基板本体に形成する工程と、
前記ソルダーレジスト層の開口領域に導電層を形成する工程と、
前記基板本体に半導体素子を搭載し、同半導体素子と前記配線パターンを接続した後に、同半導体素子を樹脂封止する工程を備える半導体パッケージの製造方法において、
前記ソルダーレジスト層の開口領域は、前記配線パターン上のソルダーレジスト層形成領域とソルダーレジスト層非形成領域との境界が、同配線パターンを横断する最短距離よりも長くなる様に形成する
ことを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2004002827A JP2005197496A (ja) | 2004-01-08 | 2004-01-08 | 回路基板及び回路基板の製造方法、並びに半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法。 |
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Family
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JP2004002827A Pending JP2005197496A (ja) | 2004-01-08 | 2004-01-08 | 回路基板及び回路基板の製造方法、並びに半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法。 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012094768A (ja) * | 2010-10-28 | 2012-05-17 | Kyocera Corp | 配線基板、およびその配線基板上に電子部品を実装した実装構造体 |
US11569155B2 (en) | 2021-06-09 | 2023-01-31 | Western Digital Technologies, Inc. | Substrate bonding pad having a multi-surface trace interface |
-
2004
- 2004-01-08 JP JP2004002827A patent/JP2005197496A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2012094768A (ja) * | 2010-10-28 | 2012-05-17 | Kyocera Corp | 配線基板、およびその配線基板上に電子部品を実装した実装構造体 |
US11569155B2 (en) | 2021-06-09 | 2023-01-31 | Western Digital Technologies, Inc. | Substrate bonding pad having a multi-surface trace interface |
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