TWI652745B - Wafer bonding device and method - Google Patents

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TWI652745B
TWI652745B TW106106719A TW106106719A TWI652745B TW I652745 B TWI652745 B TW I652745B TW 106106719 A TW106106719 A TW 106106719A TW 106106719 A TW106106719 A TW 106106719A TW I652745 B TWI652745 B TW I652745B
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陳飛彪
夏海
余斌
郭聳
戈亞萍
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Abstract

本發明提供一種晶片鍵合裝置,包括第一運動臺、第二運動臺、晶片拾取裝置,轉接載板、晶片調整系統、鍵合臺和控制系統。本發明更提供一種晶片鍵合方法,藉由採用轉接載板臨時接合晶片,而後藉由晶片調整系統精確調整晶片在轉接載板上的位置,並將轉接載板上的晶片一次性鍵合到基底上,實現了晶片的批量接合,有效地提高了倒裝晶片接合製程的效率。本發明採用晶片批量拾取和批量鍵合方式,平衡了晶片拾取、晶片位置精調和晶片鍵合的時間;使鍵合設備在保證鍵合精度的同時,提高了產率。

Description

晶片鍵合裝置及方法
本發明涉及晶片封裝技術領域,特別涉及一種晶片鍵合裝置及方法。
隨著科學技術的發展,電子產品日益朝著輕、薄以及小型化方向發展。由於倒裝晶片接合技術具有縮小晶片封裝面積以及縮短訊號傳輸路徑等諸多優點,因此已經廣泛應用於晶片封裝領域。
請參考第1圖,其為習知技術的倒裝晶片接合裝置進行晶片接合的示意圖。如第1圖所示,習知的倒裝晶片接合製程主要包括以下步驟:首先,提供準備接合的晶片2和基底4,晶片2具有器件面3;接著,將晶片2以器件面3向上的方式放置在承載臺1上;然後,利用第一機械手5抓取晶片2並進行翻轉;之後,藉由第一機械手5將晶片2交接給第二機械手6,在第二機械手6將晶片2移動到基底4的上方後,藉由CCD圖像感測器7將晶片2的對位元標記與基底4的對位元標記進行對準;最後,藉由第二機械手6將晶片2下壓完成接合。
在上述倒裝晶片接合製程過程中,利用倒裝晶片接合裝置(flip chip bonding device)將晶片2倒置,並將晶片2直接接合到基底4上,使得晶片2與基底4形成互連結構。然而,由於習知的倒裝晶片接合裝置一次下壓(約30秒)只能接合一顆晶片,整個製程流程是串列完成的,因此產率非常低,難以滿足量產需求。
基此,如何改善習知技術中倒裝晶片接合裝置的產率低,難以滿 足量產需求的問題已經成為本發明所屬技術領域中具有通常知識者亟需解決的技術問題。
為了解決習知技術存在的問題,本發明提供一種晶片鍵合裝置,包括第一運動臺、第二運動臺、晶片拾取裝置,轉接載板、晶片調整系統、鍵合臺和控制系統;所述第一運動臺用於承載並運送一組晶片至所述晶片拾取裝置;所述轉接載板用於臨時接合所述晶片拾取裝置從所述第一運動臺上拾取的晶片;所述晶片調整系統用於調整所述晶片在所述轉接載板上的位置;所述鍵合臺用於承載基底;所述第二運動臺用於帶動所述轉接載板至所述晶片拾取裝置,並將臨時接合晶片後的轉接載板運送至所述晶片調整系統,並將調整晶片位置後的轉接載板運送至所述基底處,以使所述基底與所述轉接載板上的所述晶片最終鍵合;所述第一運動臺、第二運動臺、晶片調整系統和鍵合臺由所述控制系統統一控制,均能夠實現多自由度運動。
較佳地,所述的晶片鍵合裝置更包括校準系統,所述晶片上設置有晶片標記,所述基底上設置有基底標記,所述校準系統用於探測所述晶片標記和所述基底標記,所述控制系統根據所述校準系統的探測結果調整所述鍵合臺的位置並實現所述晶片標記和所述基底標記的對準鍵合。
較佳地,所述晶片拾取裝置包括翻轉手,所述翻轉手從所述第一運動臺上拾取晶片後進行翻轉,翻轉後的晶片用於臨時接合於所述轉載板上。
較佳地,所述翻轉手包括第一運動機構、用於帶動所述第一運動機構進行翻轉的電機、連接所述電機和所述第一運動機構的連接件,以及連接於所述第一運動機構上,用於吸附目標晶片的第一吸盤。
較佳地,所述鍵合臺位於所述基底下方,所述鍵合臺帶動所述基底由下往上鍵合所述轉接載板上的所述晶片。
較佳地,所述晶片調整系統包括對準系統和精調系統,分別用於測量和調整所述晶片在所述轉接載板上的位置。
較佳地,所述精調系統包括第二運動機構、連接所述第二運動機構且用於吸附目標晶片的第二吸盤,以及用於支撐所述第二運動機構的支撐機構;當所述晶片調整系統用於調整晶片在所述轉接載板上的位置時,所述第二吸盤吸附位於所述轉接載板上方的目標晶片,待所述第二運動臺根據所述對準系統測量所得的目標晶片位置將轉接載板移動到目標晶片臨時接合位置後,所述第二吸盤將所述目標晶片再次接合到所述轉接載板上。
較佳地,所述第二吸盤將所述目標晶片再次接合到所述轉接載板上後,所述第二運動臺將所述轉載板送到所述對準系統的對準測量區域內進行位置驗證,若所述對準系統驗證的目標晶片位置未達到目標晶片預定位置,則重複調整晶片在所述轉接載板上的位置,直至目標晶片位置達到目標晶片預定位置。
較佳地,所述對準系統包括寬頻光源、照明鏡組、分束棱鏡、成像前組、成像後組和圖像感測器;所述寬頻光源提供的測量光依次藉由照明鏡組、分束棱鏡、成像前組照射到目標晶片的標記,測量光經所述目標晶片的標記反射後,再依次經過成像前組、分束棱鏡以及成像後組,將所述標記成像到圖像感測器上,圖像感測器輸出的圖像經過影像處理之後,即測量得到所述晶片在所述轉接載板上的位置。
較佳地,所述的晶片鍵合裝置更包括頂針機構,所述頂針機構與所述第一運動臺連接,用於頂起晶片,以便於所述晶片拾取裝置從所述第一運動臺上拾取晶片。
較佳地,所述頂針機構包括針頭、吸附結構和固定於所述吸附結構下方的水平運動機構;所述吸附結構用於吸附晶片,所述針頭用於將目標晶 片頂起,所述水平運動機構用於實現針頭和吸附結構的水平方向的運動,以將所述針頭移動到目標晶片位置。
較佳地,所述的晶片鍵合裝置更包括載片庫和第一機械手,所述載片庫靠近所述第一運動臺,用於放置承載所述晶片組的載片,所述第一機械手藉由所述控制系統將所述載片抓取並運送至所述第一運動臺。
較佳地,更包括載片庫和第一機械手,所述載片庫靠近所述第一運動臺,用於放置承載所述一組晶片的載片,所述第一機械手藉由所述控制系統將所述載片抓取並運送至所述第一運動臺。
本發明更提供一種晶片鍵合方法,包括第一運動臺運送一組晶片至晶片拾取裝置,第二運動臺帶動轉接載板至所述晶片拾取裝置;晶片拾取裝置從所述第一運動臺上拾取晶片,並使得所述晶片與所述轉接載板臨時接合;第二運動臺將臨時接合晶片後的轉接載板運送至晶片調整系統;晶片調整系統調整所述晶片在所述轉接載板上的位置;第二運動臺將調整晶片位置後的轉接載板運送至基底處;以及承載所述基底的鍵合臺使所述基底與所述轉接載板上的所述晶片最終鍵合。
較佳地,在所述第一運動臺運送所述一組晶片至晶片拾取裝置前,更包括第一機械手將承載所述一組晶片的載片從載片庫抓取並運送至所述第一運動臺。
較佳地,所述的晶片鍵合方法更包括重複前述步驟,直至載片上的晶片全部鍵合至所述基底上。
較佳地,所述基底與所述轉接載板上的所述晶片最終鍵合後,更包括第二機械手將與所述晶片鍵合完畢形成的基片抓取並運送至基片庫。
在本發明的晶片鍵合裝置及其方法中,藉由採用轉接載板臨時接 合晶片,而後藉由晶片調整系統精確調整晶片在所述轉接載板上的位置,並將轉接載板上的晶片一次性鍵合到基底上,實現了晶片的批量接合,有效地提高了倒裝晶片接合製程的效率。本發明採用晶片批量拾取和批量鍵合方式,平衡了晶片拾取、晶片位置精調和晶片鍵合的時間;使鍵合設備在保證鍵合精度的同時,提高了產率。
1‧‧‧承載臺
2‧‧‧晶片
3‧‧‧器件面
4‧‧‧基底
5‧‧‧第一機械手
6‧‧‧第二機械手
7‧‧‧CCD圖像感測器
000‧‧‧載片庫
010‧‧‧第一機械手
030‧‧‧基片庫
040‧‧‧第二機械手
100‧‧‧分離區
110‧‧‧第一運動臺
111‧‧‧針頭
112‧‧‧吸附結構
113‧‧‧水平運動機構
120‧‧‧頂針機構
130‧‧‧載片
140a~140n‧‧‧晶片
150a~150n‧‧‧標記
160‧‧‧晶片拾取裝置
161‧‧‧電機
162‧‧‧連接件
163‧‧‧第一運動機構
164‧‧‧第一吸盤
170‧‧‧轉接載板
200‧‧‧第二運動臺
211‧‧‧寬頻光源
212‧‧‧照明鏡組
213‧‧‧分束棱鏡
214‧‧‧成像前組
215‧‧‧成像後組
216‧‧‧圖像感測器
220‧‧‧精調系統
221‧‧‧支撐機構
222‧‧‧第二運動機構
223‧‧‧第二吸盤
300‧‧‧對準精調區域
400‧‧‧鍵合區域
410‧‧‧第一校準系統
411‧‧‧第二校準系統
420‧‧‧鍵合臺
430‧‧‧基底
500‧‧‧控制系統
1000‧‧‧晶片調整系統
第1圖為習知技術的倒裝晶片接合裝置進行晶片接合的示意圖。
第2至4圖為本發明一實施例所述晶片鍵合方法中不同階段的結構示意圖。
第5圖為本發明一實施例所述晶片鍵合裝置中翻轉手的結構示意圖。
第6圖為本發明一實施例所述晶片鍵合裝置中頂針機構的結構示意圖。
第7圖為本發明一實施例所述晶片鍵合裝置中精調系統的結構示意圖。
第8圖為本發明一實施例所述晶片鍵合裝置中對準系統的結構示意圖。
第9圖為本發明一實施例所述晶片鍵合方法的流程圖。
以下結合圖式和具體實施例對本發明作進一步詳細說明。根據下面說明和權利要求書,本發明的優點和特徵將更清楚。需說明的是,圖式均採用非常簡化的形式且均使用非精準的比率,僅用以方便、明晰地輔助說明本發明實施例的目的。
本發明提供的晶片鍵合裝置如第2圖所示,包括第一運動臺110、第二運動臺200、晶片拾取裝置160,轉接載板170、晶片調整系統1000、鍵合臺420和控制系統500;第一運動臺110用於承載並運送晶片組(晶片140a-140n)至晶片拾取裝置160;轉接載板170用於臨時接合晶片拾取裝置160從第一運動臺110上拾取的晶片;晶片調整系統1000用於調整晶片在轉接載板170上的位置;鍵合臺420用於承載基底430,並使基底430與轉接載板170上的晶片最終鍵合;第二運動臺200用於帶動轉接載板170至晶片拾取裝置160,並將臨時接合晶片後的轉接載板170運送至晶片調整系統1000,並將調整晶片位置後的轉接載板170運送至基底430的位置;第一運動臺110、第二運動臺200、晶片調整系統1000和鍵合臺420由控制系統500統一控制,均能夠實現多自由度運動。
請繼續參見第2圖,在本實施例中,晶片鍵合裝置結構更包括載片庫000和第一機械手010,載片庫000靠近第一運動臺110,用於放置承載晶片組的載片130,第一機械手010藉由控制系統500將載片130抓取並運送至第一運動臺110。晶片鍵合裝置更包括基片庫030和第二機械手040,基片庫030靠近鍵合臺420,用於放置與晶片接合完畢形成的基片,第二機械手040藉由控制系統500將基底430抓取並運送至基片庫030。本實施例的一組目標晶片為140a....140n、包括分別位於目標晶片上方的標記150a....150n。本實施例的鍵合臺420位於基底430下方,鍵合臺420帶動基底430由下往上鍵合轉接載板170上的晶片。
本實施例中,晶片拾取裝置160為翻轉手160,翻轉手160從第一運動臺110上拾取晶片後進行翻轉,以將晶片翻轉後臨時接合於轉接載板170上。
具體而言,翻轉手160的結構如第5圖所示,包括第一運動機構163、用於帶動第一運動機構163進行翻轉的電機161、連接電機161和第一運 動機構163的連接件162,以及連接於第一運動機構163上,用於吸附目標晶片的第一吸盤164。
本實施例中,第一運動機構163實現Z向運動的。其中吸盤164安裝到運動機構163下方。藉由控制系統500將第一運動機構163向下運動到目標晶片正上方指定位置處,頂針機構120將目標晶片頂起,吸盤164拾取目標晶片,第一運動機構163向上運動到指定翻轉位置,電機161將第一運動機構163和橡膠吸盤164進行180度翻轉,此時原先位於目標晶片上方的標記現在位於目標晶片下方。較佳方案中,吸盤164可以是橡膠吸盤、陶瓷吸盤等任何可以吸附目標晶片的吸盤。
本實施例的晶片鍵合裝置更包括頂針機構120,頂針機構120與第一運動臺110連接,用於頂起晶片,以便於晶片拾取裝置160從第一運動臺110上拾取晶片。
如第6圖所示,本發明的頂針機構120包括針頭111、吸附結構112和固定於吸附結構112下方的水平運動機構113。吸附結構112用於吸附晶片,針頭111用於將目標晶片頂起,水平運動機構113用於實現水平方向的運動,以將針頭111移動到目標晶片位置。在本實施例中,針頭111和吸附結構112固定至水平運動機構113上方,與水平運動機構113實現同步Y向運動。吸附結構112藉由真空吸附方式將載片吸附,針頭111將目標晶片頂起,等待翻轉手160抓取晶片。水平運動機構113用於實現Y向的運動,將針頭111運動到下一目標晶片位置。
如第2圖所示,本發明的晶片調整系統1000包括對準系統210和精調系統220,分別用於測量和調整晶片在轉接載板170上的位置。
具體如第7圖所示,精調系統220包括第二運動機構222、連接第二運動機構222、用於吸附目標晶片的第二吸盤223,以及用於支撐第二運動 機構222的支撐機構221;晶片調整系統1000調整晶片在轉接載板170上位置的方法包括第二吸盤223吸附位於轉接載板170上方的目標晶片,待第二運動臺200根據對準系統210測量所得的目標晶片位置將轉接載板170移動到目標晶片臨時接合位置後,第二吸盤223將目標晶片再次接合到轉接載板170上。在此之後,第二運動臺200將轉接載板170送到對準系統210的對準測量區域內進行位置驗證,若對準系統210驗證的目標晶片位置未達到目標晶片預訂位置,則重複調整晶片在轉接載板170上的位置,直至目標晶片接合位置達到預定位置。
如第8圖所示,對準系統210包括寬頻光源211、照明鏡組212、分束棱鏡213、成像前組214、成像後組215和圖像感測器216;寬頻光源211提供的測量光依次藉由照明鏡組212、分束棱鏡213、成像前組214照射到目標晶片170的標記150a,測量光經目標晶片170的標記150a反射後,再依次經過成像前組214、分束棱鏡213以及成像後組215,將標記150a成像到圖像感測器216上,圖像感測器216輸出的圖像經過影像處理之後,即測量得到晶片170在轉接載板170上的位置。即獲得標記150a的對準位置。本發明的對準系統210採用的是典型的基於機器視覺的對準測量技術。
如第2圖所示,在本實施例中,晶片鍵合裝置更包括校準系統,晶片上設置有晶片標記,基底430上設置有基底標記,校準系統用於探測晶片標記和基底標記,以指導控制系統500調整鍵合臺420的位置並實現晶片標記和基底標記的對準鍵合。具體的,校準系統包括用於測量轉接載板170位置的第一校準系統410,用於測量基底430位置的第二校準系統411。本發明的校準系統410和411也可採用第8圖所示對準系統的結構,對於該結構本發明不作限制。
較佳地,本設備採用小於基底430尺寸的轉接載片170進行臨時接合製程,以提高製程適應性,轉接載片170尺寸可根據實際晶片尺寸需求調 整。本晶片鍵合裝置根據功能又可分為分離區100、對準精調區域300和鍵合區域400。分離區100用於目標晶片的分批分離,包括運動臺110、頂針機構120、翻轉手160所在區域;對準精調區域300用於對目標晶片的對準測量及位置精調,包括對準系統210和精調機構220所在區域;鍵合區域400用於實現目標晶片與基底430的鍵合,包括校準系統410、411和鍵合臺420所在區域。
本實施例的對準系統210位於轉接載板170下方,校準系統410位於轉接載板170下方,校準系統411位於基底430上方。對準系統210和校準系統410測量上方區域的標記位置,校準系統411測量下方區域的標記位置。本發明的基底430上方包含用於對準測量的標記。
本發明的控制系統500統一控制第一運動臺110、第二運動臺200、晶片調整系統1000(翻轉手)160和鍵合臺420,使得上述部件均能夠實現多自由度運動。對準測量的標記150n位於目標晶片140n上方。第二機械手040藉由控制系統500實現對載片430的抓取與傳輸。用於承載目標晶片的第一運動臺110藉由控制系統500實現X、Y向運動,翻轉手160藉由控制系統500實現Z向運動。第二運動臺200藉由控制系統500實現X向運動。對準系統210藉由控制系統500實現位置測量。校準系統410藉由控制系統500實現轉接載板170的位置測量,鍵合臺420藉由控制系統500實現X、Y、Z、Rz向的運動,第二機械手040藉由控制系統實現對基底的抓取與傳輸。較佳方案中,基底430可以是金屬材料、半導體材料或有機材料。
本發明更提供一種晶片鍵合方法,如第9圖所示,包括第一運動臺110運送晶片組至晶片拾取裝置,第二運動臺帶動轉接載板至晶片拾取裝置;晶片拾取裝置從第一運動臺上拾取晶片,並使得晶片與轉接載板臨時結合;第二運動臺將臨時接合晶片後的轉接載板運送至晶片調整系統;晶片調整系統調整晶片在轉接載板上的位置;第二運動臺將調整晶片位置後的轉接載板運送至 基底位置;以及承載基底的鍵合臺使基底與轉接載板上的晶片最終鍵合。
下面以一具體實施例詳細說明本發明的晶片鍵合方法。
如第2圖所示,第一機械手010藉由控制系統500從載片庫000抓取載片130,然後將載片130放置到第一運動臺110上,藉由第一運動臺110將目標晶片140n運動到翻轉手160正下方,頂針機構120頂出目標晶片140n,翻轉手160拾取目標晶片140n,然後將目標晶片140n進行180度翻轉,隨後翻轉手160帶著目標晶片140n朝Z向運動至轉接載板170的臨時接合位置,然後目標晶片140n藉由吸附方式接合合到轉接載板170上。吸附方式可以是真空吸附、靜電吸附等任何有效的可以吸附目標晶片的吸附方式。此時,標記150n位於目標晶片140n下方。
如第3圖所示,待整片轉接載板170的目標晶片臨時接合完畢,第二運動臺200將轉接載板170運動到對準系統210的對準測量區域內,對準系統210測量位於轉接載板170的目標晶片位置,運動臺200將轉接載板170運動到精調機構220上方,藉由控制系統500、精調機構220與第二運動臺200匹配運動實現對目標晶片的調整。
如第4圖所示,待轉接載板170上的目標晶片位置調整完畢,第二運動臺200將轉接載板170運動到基底430正上方,藉由校準系統410和411的測量資料,鍵合臺420進行多自由度運動使得轉接載板170與基底430對準,然後轉接載板170藉由可剝離的有機膠鍵合至基底430上,此時標記150n位於目標晶片140n和基底中間。
之後,第二運動臺200將轉接載板170運回到分離區100,重複上述步驟,直至載片130上所有目標晶片都鍵合至基底430上。接著第二機械手040抓取基底430並放置到基片庫030中。
可根據製程要求提供的目標晶片尺寸、間隔距離、目標晶片數量 和轉接載片邊距對目標晶片在轉接載片上的佈局進行規劃。本發明也可以包括多個相同的對準系統210同步對轉接載板170上的多個目標晶片進行位置測量,也可以配備多個精調機構220進行位置精調,可根據產率要求、成本要求綜合進行優化和配置。
綜上,在本發明的晶片鍵合裝置及其方法中,藉由採用轉接載板170臨時接合晶片,而後藉由晶片調整系統1000精確調整晶片在轉接載板170上的位置,並將轉接載板170上的晶片一次性鍵合到基底430上,實現了晶片的批量接合,有效地提高了倒裝晶片接合製程的效率。本發明採用晶片批量拾取和批量鍵合方式,平衡了晶片拾取、晶片位置精調和晶片鍵合的時間;使鍵合設備在保證鍵合精度的同時,提高了產率。
上述描述僅是對本發明較佳實施例的描述,並非對本發明範圍的任何限定,本發明領域的普通技術人員根據上述揭示內容做的任何變更、修飾,均屬於權利要求書的保護範圍。
顯然,本領域的技術人員可以對發明進行各種改動和變型而不脫離本發明的精神和範圍。這樣,倘若本發明的這些修改和變型屬於本發明權利要求及其等同技術的範圍之內,則本發明也意圖包括這些改動和變型在內。

Claims (17)

  1. 一種晶片鍵合裝置,其包括:一第一運動臺、一第二運動臺、一晶片拾取裝置、一轉接載板、一晶片調整系統、一鍵合臺和一控制系統;該第一運動臺用於承載並運送一組晶片至該晶片拾取裝置;該轉接載板用於臨時接合該晶片拾取裝置從一第一運動臺上拾取的一晶片;該晶片調整系統用於調整該晶片在該轉接載板上的位置;該鍵合臺用於承載一基底;該第二運動臺用於帶動該轉接載板至該晶片拾取裝置,並將臨時接合該晶片後的該轉接載板運送至該晶片調整系統,並將調整該晶片位置後的該轉接載板運送至該基底處,以使該基底與該轉接載板上的該晶片最終鍵合;以及該第一運動臺、該第二運動臺、該晶片調整系統和該鍵合臺由該控制系統統一控制,均能夠實現多自由度運動。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之晶片鍵合裝置,其更包括一校準系統,該晶片上設置有一晶片標記,該基底上設置有一基底標記,該校準系統用於探測該晶片標記和該基底標記,該控制系統根據該校準系統的探測結果調整該鍵合臺的位置並實現該晶片標記和該基底標記的對準鍵合。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之晶片鍵合裝置,其中該晶片拾取裝置包括一翻轉手,該翻轉手從該第一運動臺上拾取該晶片後進行翻轉,翻轉後的該晶片用於臨時接合於一轉載板上。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之晶片鍵合裝置,其中該翻轉手包括一第一運動機構、用於帶動該第一運動機構進行翻轉的一電機、連接該電機和該第一運動機構的一連接件,以及連接於該第一運動機構上,用於吸附一目標晶片的一第一吸盤。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之晶片鍵合裝置,其中該鍵合臺位於該基底下方,該鍵合臺帶動該基底由下往上鍵合該轉接載板上的該晶片。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之晶片鍵合裝置,其中該晶片調整系統包括一對準系統和一精調系統,分別用於測量和調整該晶片在該轉接載板上的位置。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之晶片鍵合裝置,其中該精調系統包括一第二運動機構、連接該第二運動機構且用於吸附一目標晶片的一第二吸盤,以及用於支撐該第二運動機構的一支撐機構,當該晶片調整系統用於調整該晶片在該轉接載板上的位置時,該第二吸盤吸附位於該轉接載板上方的該目標晶片,待該第二運動臺根據該對準系統測量所得的該目標晶片位置將該轉接載板移動到該目標晶片臨時接合位置後,該第二吸盤將該目標晶片再次接合到該轉接載板上。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之晶片鍵合裝置,其中該第二吸盤將該目標晶片再次接合到該轉接載板上後,該第二運動臺將一轉載板送到該對準系統的對準測量區域內進行位置驗證,若該對準系統驗證的該目標晶片位置未達到該目標晶片預定位置,則重複調整該晶片在該轉接載板上的位置,直至該目標晶片位置達到該目標晶片預定位置。
  9. 如申請專利範圍第6項所述之晶片鍵合裝置,其中該對準系統包括一寬頻光源、一照明鏡組、一分束棱鏡、一成像前組、一成像後組和一圖像感測器;以及該寬頻光源提供的測量光依次藉由一照明鏡組、一分束棱鏡、一成像前組照射到該目標晶片的標記,測量光經該目標晶片的標記反射後,再依次經過該成像前組、該分束棱鏡以及該成像後組,將該標記成像到一圖像感測器上,該圖像感測器輸出的一圖像經過影像處理之後,即測量得到該晶片在該轉接載板上的位置。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之晶片鍵合裝置,其更包括一頂針機構,該頂針機構與該第一運動臺連接,用於頂起該晶片,以便於該晶片拾取裝置從該第一運動臺上拾取該晶片。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之晶片鍵合裝置,其中該頂針機構包括一針頭、一吸附結構和固定於該吸附結構下方的一水平運動機構,該吸附結構用於吸附該晶片,該針頭用於將一目標晶片頂起,該水平運動機構用於實現該針頭和該吸附結構的水平方向的運動,以將該針頭移動到該目標晶片位置。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之晶片鍵合裝置,其更包括一載片庫和一第一機械手,該載片庫靠近該第一運動臺,用於放置承載該組晶片的載片,該第一機械手藉由該控制系統將該載片抓取並運送至該第一運動臺。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之晶片鍵合裝置,其更包括一基片庫和一第二機械手,該基片庫靠近該鍵合臺,用於放置與該晶片接合完畢形成的一基片,該第二機械手藉由該控制系統將該基片抓取並運送至該基片庫。
  14. 一種晶片鍵合方法,其包括:一第一運動臺運送一組晶片至一晶片拾取裝置,一第二運動臺帶動一轉接載板至該晶片拾取裝置;該晶片拾取裝置從該第一運動臺上拾取該晶片,並使得該晶片與該轉接載板臨時接合;該第二運動臺將臨時接合該晶片後的該轉接載板運送至一晶片調整系統;該晶片調整系統調整該晶片在該轉接載板上的位置;該第二運動臺將調整該晶片位置後的該轉接載板運送至一基底處;以及承載該基底的一鍵合臺使該基底與該轉接載板上的該晶片最終鍵合。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之晶片鍵合方法,其中在該第一運動臺運送該一組晶片至該晶片拾取裝置前,更包括一第一機械手將承載該組晶片的載片從一載片庫抓取並運送至該第一運動臺。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之晶片鍵合方法,其更包括重複前述步驟,直至載片上的該晶片全部鍵合至該基底上。
  17. 如申請專利範圍第14項所述之晶片鍵合方法,其中該基底與該轉接載板上的該晶片最終鍵合後,更包括一第二機械手將與該晶片鍵合完畢形成的一基片抓取並運送至一基片庫。
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