CN105467511A - 一种Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤及其制备方法 - Google Patents
一种Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105467511A CN105467511A CN201510941655.3A CN201510941655A CN105467511A CN 105467511 A CN105467511 A CN 105467511A CN 201510941655 A CN201510941655 A CN 201510941655A CN 105467511 A CN105467511 A CN 105467511A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- altogether
- oxide
- mixes
- bismuth
- deposition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/02—Optical fibres with cladding with or without a coating
- G02B6/02395—Glass optical fibre with a protective coating, e.g. two layer polymer coating deposited directly on a silica cladding surface during fibre manufacture
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/018—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD] by glass deposition on a glass substrate, e.g. by inside-, modified-, plasma-, or plasma modified- chemical vapour deposition [ICVD, MCVD, PCVD, PMCVD], i.e. by thin layer coating on the inside or outside of a glass tube or on a glass rod
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
本发明涉及一种基于原子层沉积技术(ALD)的具有超宽带、高增益特性的Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤及其制备方法,属光纤技术领域。它由纤芯,内包层和包层组成,其特征在于所述纤芯由GeO2材料构成,内包层由Bi/Er或Bi/Er/Al共掺材料构成,包层由纯石英构成,两种光纤结构如图1(a)所示,纤芯直径Φ=5~20μm,内包层直径Φ=8~50μm,包层直径Φ=40~400μm;如图1(b)所示,纤芯直径Φ=5~80μm,包层直径Φ=60~400μm。利用ALD技术交替沉积不同掺杂离子,沉积浓度为0.01-10mol%。本发明的光纤结构简单、合理,具有均匀分布与掺杂浓度可控等优点。
Description
技术领域
本发明涉及一种Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤及其制备方法,属于光纤技术领域。
背景技术
由于通信系统的快速发展,1.55μm通信窗口已不能满足远距离、大容量通信的需求,全光通信势在必行。目前,掺稀土元素(例如铒、铥、镱等)的光纤放大器,由于其具有带宽宽、增益高等特点,且由掺稀土元素(钕、镨、铥、铒)光纤产生的宽带荧光光源具有输出光谱稳定、受环境影响小、输出功率高等优点一直是人们研究的热点,尤其是掺铒光纤早已普遍商用。然而,掺铒光纤放大器增益带宽只有35nm,仅覆盖石英单模光纤低损耗传输窗口的一部分,严重限制了石英光纤固有的容纳波长信道数。
铋离子由于其600-900nm,1150-1800nm范围内的宽带荧光特性,是宽带光源的理想材料。且光谱稳定性好、谱线宽、功率高的光源,在光纤传感系统、光纤陀螺仪等领域,具有非常重要的应用价值。由于稀土元素产生的荧光带宽很难超过100nm,那么具有更宽荧光带宽的铋材料则更具优势。因此,将铋元素与铒元素共掺入光纤中,可以实现从600-1600nm超宽带荧光放大。
原子层沉积(ALD)技术是一种化学气相沉积技术,它是将掺杂源的气相前驱体脉冲交替引入到加热反应器中,然后依次进行化学吸附过程沉积于基底表面,直至表面饱和时自动终止。其优点主要体现在:可以精确控制薄膜厚度(原子层尺度);由于前驱体是饱和化学吸附,可保证生成保形、均匀、大面积的薄膜;可广泛适用于各种基质材料;对温度的要求不高等。由于其掺杂具有高均匀、高浓度、多元性等特性,应用到Bi/Er共掺石英光纤制备过程中,就可以制备出均一性好、分散性高、掺杂浓度高的Bi/Er共掺石英光纤。
不仅如此,在1150-1800nm范围内,没有光纤激光器存在,而这个波长范围的光纤激光器在光通信系统、医学、天文学方面占有重要地位。光纤激光器主要由于光束质量好,斜率效率高等优点受到青睐。因此,从掺杂技术入手,深入探索新型掺杂光纤的制备技术,制备均一性好、分散性高、Bi/Er共掺石英光纤,具有广泛的研究意义和普遍的应用价值。
发明内容
本发明的目的在于根据原子层沉积技术的优势,将Bi2O3和Er2O3纳米材料与光纤制备相结合,提供一种Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤及其制备方法。该光纤具有增益谱宽、放大效率高、结构简单、价位低廉,易于产业化生产等特点,可用于制作激光器、光放大器、传感器、宽带光源及光纤的高非线性效应特性等。
为达到上述目的,本发明采用下述技术方案:
一种Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤,包括纤芯、内包层和包层,所述纤芯是由掺杂高折射率GeO2的石英材料构成,所述内包层是Bi/Er或Bi/Er/Al离子掺杂材料构成,所述包层是由纯石英材料构成,所述内包层包裹纤芯并位于包层的中部。
所述纤芯与内包层整合为Bi/Er/Ge或Bi/Er/Al/Ge共掺的芯层结构。
所述纤芯掺杂离子为铋离子(Bi0,Bi+,Bi3+,Bi5+)、铒离子Er3+或铝离子Al3+与提高折射率分布的二氧化锗。
所述内包层是利用原子层沉积技术交替沉积适量Bi/Er或Bi/Er/Al共掺材料,沉积厚度为10-2000nm。
所述纤芯直径Dcore=Φ5~20μm,内包层直径Dinnercladding=Φ8~50μm,包层直径Dcladding=Φ40~400μm。
所述芯层直径D′core=Φ5~80μm,包层直径Dcladding=Φ60~400μm,芯层与包层折射率差为0.3%-5.5%之间,且包层形状为圆形、四边形、六边形或八边形。
光纤的吸收峰分别为500±40,700±20,800±20,1000±40与1550±50nm;荧光光谱范围:600-900,1000-1400与1450-1800nm;增益范围在1000-1380与1400-1800nm。
一种Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤的制备方法,步骤如下:
1)利用MCVD沉积二氧化硅疏松层,并将其高温处理半玻璃化状态,为包层;
2)然后,利用ALD将氧化铋与氧化铒或氧化铋、氧化铒与氧化铝材料均匀沉积在包层表面,为内包层;
3)沉积二氧化锗,浓度控制在1-15mol%,且将掺有二氧化锗的疏松层半玻璃化,为芯层;
4)通过重复步骤2)的循环周期来调节氧化铋、氧化铒与氧化铝的掺杂浓度与掺杂粒子分布情况;
5)采用MCVD高温缩棒得到光纤预制棒,最后,将掺杂光纤预制棒在拉丝塔上进行光纤拉丝。
铋源前驱体为Bis(2,2,6,6-tetra-methyl-3,5-heptanedionato)Bismuth(III)(Bi(thd)3)(thd=2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedione),三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)铋(III)或(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮)铋或三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酸)铋;或Bi(N(SiMe3)2)3(Me:CH3),三三甲基硅胺基铋;铒源前驱体为Er(thd)3,三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)铒;铝源前驱体为Al(CH3)3(TMA),三甲基铝;氧源前驱体为臭氧或去离子水。
氧化铝沉积100-3000循环周期,氧化铋颗粒沉积100-2000循环周期,沉积温度范围200-300℃,前驱体脉冲时10-1000s、热源温度为100-450℃、反应温度为120-400℃与气体流速控制在20-600sccm;Er2O3颗粒100-3000个循环周期,沉积温度范围200-500℃,交替沉积Bi2O3和Er2O3共150-4000个循环周期。
利用原子层沉积技术精确控制前驱体脉冲时间、热源温度、反应温度与气体流速等工艺参数沉积掺杂氧化铋、氧化铒或氧化铝氧化物,或其氧化物半导体材料,所述原子层沉积技术的控制参数均采用微沉积为20-2000层,其中每个沉积循环在0.01-0.25nm;且所述掺杂氧化铋、氧化铒或氧化铝氧化物,或其氧化物半导体材料的摩尔浓度为5ppm-25mol%。
本发明与现有技术相比较,具有如下显而易见的实质性特点和显著优点:
1、Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤可实现从600-1600nm超宽带放大;2、采用原子层沉积技术,均一性好,掺杂浓度高,方便可行,从而得到更高品质的Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤;3、结构简单、价位低廉,易于产业化生产,可用于构建光纤激光器、光放大器、光纤传感,以及高非线性效应特性等。
附图说明
图1是本发明光纤的结构示意图。
图2为本发明实施例的结构示意图。
具体实施方式
本发明的优选实施例结合附图说明如下:
实施例一:
参见图1(a),一种Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤,包括纤芯1、内包层2和包层3,纤芯1是由掺杂少量高折射率的GeO2的二氧化硅疏松层构成,内包层2是Bi/Er或Bi/Er/Al共掺离子材料构成,在石英基底21表面采用原子层沉积技术沉积内包层,内包层的Bi/Er或Bi/Er/Al共掺材料构成。首先沉积Al2O3纳米颗粒100循环周期与Bi2O3纳米颗粒100循环周期,铝源前驱体为三甲基铝Al(CH3)3(TMA);氧源前驱体为臭氧O3或去离子水H2O,Bi(thd)3是Bi2O3的气相前驱体材料,沉积温度200℃;然后,沉积Er2O3纳米颗粒100个循环周期,Er(thd)3和O3是用来沉积Er2O3的气相前驱体,沉积温度范围200℃。交替沉积Bi2O3和Er2O3共150个循环周期,根据循环周期调节掺杂离子浓度。然后,在氧化物表面沉积芯层,纤芯由SiO2和GeO2共掺材料构成。然后,踏缩成棒;最后经拉丝搭拉丝,制成Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤。其中,Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤,其特征在于纤芯、内包层,包层直径范围分别为Dcore=Φ5μm,Dinnercladding=Φ8μm,Dcladding=Φ100μm。
实施例二
参见图1(a),一种Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤,包括纤芯1、内包层2和包层3,纤芯1是由掺杂少量高折射率的GeO2的二氧化硅疏松层构成,内包层2是Bi/Er或Bi/Er/Al共掺离子材料构成,在石英基底21表面采用原子层沉积技术沉积内包层,内包层的Bi/Er或Bi/Er/Al共掺材料构成。首先沉积Al2O3纳米颗粒1500循环周期与Bi2O3纳米颗粒2000循环周期,铝源前驱体为三甲基铝Al(CH3)3(TMA);氧源前驱体为臭氧O3或去离子水H2O,Bi(thd)3是Bi2O3的气相前驱体材料,沉积温度300℃;然后,沉积Er2O3纳米颗粒100个循环周期,Er(thd)3和O3是用来沉积Er2O3的气相前驱体,沉积温度范围500℃。交替沉积Bi2O3和Er2O3共1500个循环周期,根据循环周期调节掺杂离子浓度。然后,在氧化物表面沉积芯层,纤芯由SiO2和GeO2共掺材料构成。然后,踏缩成棒;最后经拉丝搭拉丝,制成Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤。其中,Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤,其特征在于纤芯、内包层,包层直径范围分别为Dcore=Φ15μm,Dinnercladding=Φ50μm,Dcladding=Φ130μm。
实施例三:
参见图1(b),一种Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤,包括芯层和包层3,芯层是由掺杂少量高折射率的GeO2的石英疏松层与Bi/Er或Bi/Er/Al离子共掺材料构成,其中Bi/Er或Bi/Er/Al离子采用原子层沉积技术沉积;所述包层3是由比芯层折射率低的纯石英材料构成。最后踏缩成棒拉丝。其中,Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤,其特征在于纤芯与包层直径范围分别为Dcore=Φ5μm,Dcladding=Φ125μm,芯层与包层折射率差为0.35%。且包层形状可为常规掺杂石英放大光纤类型。
实施例四:
参见图1(b),一种Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤,包括芯层和包层3,芯层是由掺杂少量高折射率的GeO2的石英疏松层与Bi/Er或Bi/Er/Al离子共掺材料构成,其中Bi/Er或Bi/Er/Al离子采用原子层沉积技术沉积;所述包层3是由比芯层折射率低的纯石英材料构成。最后踏缩成棒拉丝。其中,Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤,其特征在于纤芯与包层直径范围分别为Dcore=Φ10μm,Dcladding=Φ130μm,芯层与包层折射率差为0.5%。且包层形状可为六边形或八边形的双包层掺杂石英放大光纤。
Claims (11)
1.一种Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤,包括纤芯(1)、内包层(2)和包层(3),其特征在于,所述纤芯(1)是由掺杂高折射率GeO2的石英材料构成,所述内包层(2)是Bi/Er或Bi/Er/Al离子掺杂材料构成,所述包层(3)是由纯石英材料构成,所述内包层(2)包裹纤芯(1)并位于包层(3)的中部。
2.根据权利要求1所述的Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤,其特征在于,所述纤芯(1)与内包层(2)整合为Bi/Er/Ge或Bi/Er/Al/Ge共掺的芯层结构。
3.根据权利要求1所述的Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤,其特征在于,所述纤芯(1)掺杂离子为铋离子Bi0,Bi+,Bi3+,Bi5+、铒离子Er3+或铝离子Al3+与提高折射率分布的二氧化锗。
4.根据权利要求1所述的Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤,其特征在于,所述内包层(2)是利用原子层沉积技术交替沉积适量Bi/Er或Bi/Er/Al共掺材料,沉积厚度为10-2000nm。
5.根据权利要求1所述的Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤,其特征在于,所述纤芯(1)直径Dcore=Φ5~20μm,内包层(2)直径Dinnercladding=Φ8~50μm,包层(3)直径Dcladding=Φ40~400μm。
6.根据权利要求2所述的Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤,其特征在于,所述芯层直径D′core=Φ5~80μm,包层(3)直径Dcladding=Φ60~400μm,芯层与包层(3)折射率差为0.3%-5.5%之间,且包层形状为圆形、四边形、六边形或八边形。
7.根据权利要求1所述的Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤,其特征在于,光纤的吸收峰分别为500±40,700±20,800±20,1000±40与1550±50nm;荧光光谱范围:600-900,1000-1400与1450-1800nm;增益范围在1000-1380与1400-1800nm。
8.一种Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤的制备方法,其特征在于,步骤如下:
1)利用MCVD沉积二氧化硅疏松层,并将其高温处理半玻璃化状态,为包层(3);
2)然后,利用ALD将氧化铋与氧化铒或氧化铋、氧化铒与氧化铝材料均匀沉积在包层(3)表面,为内包层(2);
3)沉积二氧化锗,浓度控制在1-15mol%,且将掺有二氧化锗的疏松层半玻璃化,为芯层(1);
4)通过重复步骤2)的循环周期来调节氧化铋、氧化铒与氧化铝的掺杂浓度与掺杂粒子分布情况;
5)采用MCVD高温缩棒得到光纤预制棒,最后,将掺杂光纤预制棒在拉丝塔上进行光纤拉丝。
9.根据权利要求8所述的Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤的制备方法,其特征在于,铋源前驱体为Bis(2,2,6,6-tetra-methyl-3,5-heptanedionato)Bismuth(III)(Bi(thd)3)(thd=2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedione),三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)铋(III)或(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮)铋或三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酸)铋;或Bi(N(SiMe3)2)3(Me:CH3),三三甲基硅胺基铋;铒源前驱体为Er(thd)3,三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)铒;铝源前驱体为Al(CH3)3(TMA),三甲基铝;氧源前驱体为臭氧或去离子水。
10.根据权利要求8所述的Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤的制备方法,其特征在于,氧化铝沉积100-3000循环周期,氧化铋颗粒沉积100-2000循环周期,沉积温度范围200-300℃,前驱体脉冲时10-1000s、热源温度为100-450℃、反应温度为120-400℃与气体流速控制在20-600sccm;Er2O3颗粒100-3000个循环周期,沉积温度范围200-500℃,交替沉积Bi2O3和Er2O3共150-4000个循环周期。
11.根据权利要求8所述的Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤,其特征在于,利用原子层沉积技术精确控制前驱体脉冲时间、热源温度、反应温度与气体流速等工艺参数沉积掺杂氧化铋、氧化铒或氧化铝氧化物,或其氧化物半导体材料,所述原子层沉积技术的控制参数均采用微沉积为20-2000层,其中每个沉积循环在0.01-0.25nm;且所述掺杂氧化铋、氧化铒或氧化铝氧化物,或其氧化物半导体材料的摩尔浓度为5ppm-25mol%。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510941655.3A CN105467511B (zh) | 2015-12-16 | 2015-12-16 | 一种Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510941655.3A CN105467511B (zh) | 2015-12-16 | 2015-12-16 | 一种Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤及其制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105467511A true CN105467511A (zh) | 2016-04-06 |
CN105467511B CN105467511B (zh) | 2019-04-02 |
Family
ID=55605401
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510941655.3A Active CN105467511B (zh) | 2015-12-16 | 2015-12-16 | 一种Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤及其制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN105467511B (zh) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108594362A (zh) * | 2018-04-25 | 2018-09-28 | 中国建筑材料科学研究总院有限公司 | 红外光纤面板及其制备方法 |
CN110467342A (zh) * | 2019-08-15 | 2019-11-19 | 武汉长进激光技术有限公司 | 一种超宽带增益掺铒光纤及其制备方法 |
CN111090142A (zh) * | 2020-01-22 | 2020-05-01 | 上海大学 | 一种Bi/Er/La/Al共掺L波段或C+L波段石英光纤及制备方法 |
CN111751925A (zh) * | 2019-03-27 | 2020-10-09 | 华为技术有限公司 | 光纤及其制备方法、光纤放大器、光纤激光器 |
CN112723751A (zh) * | 2020-10-23 | 2021-04-30 | 南京同溧晶体材料研究院有限公司 | 一种稀土掺杂锗酸铋单晶光纤及包层方法 |
CN113568244A (zh) * | 2021-07-16 | 2021-10-29 | 上海大学 | 一种半导体量子点和稀土共掺石英放大光纤及其制备方法 |
CN113800774A (zh) * | 2021-09-10 | 2021-12-17 | 华南理工大学 | 一种用作增益介质的掺铒玻璃光纤及其在光纤激光器中的应用 |
CN114956544A (zh) * | 2022-06-24 | 2022-08-30 | 上海大学 | 调控掺铒石英光纤增益强度与带宽的方法及光纤结构 |
CN115032735A (zh) * | 2022-06-24 | 2022-09-09 | 上海大学 | 一种降低c+波段噪声系数的有源光纤及其制备方法 |
CN115108717A (zh) * | 2022-06-02 | 2022-09-27 | 浙江超晶晟锐光电有限公司 | 新型铋铒共掺石英光纤预制棒、应用及制备方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050158006A1 (en) * | 2004-01-20 | 2005-07-21 | Joohyun Koh | Double clad rare earth doped fiber |
CN1994946A (zh) * | 2006-12-28 | 2007-07-11 | 北京交通大学 | 石英基铋镓铒铝共掺光纤及其制作方法 |
CN102253446A (zh) * | 2011-07-08 | 2011-11-23 | 上海大学 | 基于原子层沉积技术的高浓度铒铝共掺放大光纤及其制造方法 |
CN102515500A (zh) * | 2011-12-06 | 2012-06-27 | 长飞光纤光缆有限公司 | 一种掺杂稀土光纤预制棒的制造方法 |
CN103011607A (zh) * | 2012-12-27 | 2013-04-03 | 南京邮电大学 | 一种长距离微米或纳米芯玻璃光纤及其制备方法 |
-
2015
- 2015-12-16 CN CN201510941655.3A patent/CN105467511B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050158006A1 (en) * | 2004-01-20 | 2005-07-21 | Joohyun Koh | Double clad rare earth doped fiber |
CN1994946A (zh) * | 2006-12-28 | 2007-07-11 | 北京交通大学 | 石英基铋镓铒铝共掺光纤及其制作方法 |
CN102253446A (zh) * | 2011-07-08 | 2011-11-23 | 上海大学 | 基于原子层沉积技术的高浓度铒铝共掺放大光纤及其制造方法 |
CN102515500A (zh) * | 2011-12-06 | 2012-06-27 | 长飞光纤光缆有限公司 | 一种掺杂稀土光纤预制棒的制造方法 |
CN103011607A (zh) * | 2012-12-27 | 2013-04-03 | 南京邮电大学 | 一种长距离微米或纳米芯玻璃光纤及其制备方法 |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
JIANXIANG WEN等: "Photoluminescence properties of Bi/Al-codoped silica optical fiber based on atomic layer deposition method", 《APPLIED SURFACE SCIENCE》 * |
WENJUN LIU 等: "Spectral characteristics of Bi/Er co-doped silica fiber fabricated by atomic layer deposition (ALD)", 《ASIA COMMUNICATIONS AND PHOTONICS CONFERENCE》 * |
YANHUA DONG 等: "Formation and photoluminescence property of PbS quantum dots in silica optical fiber based on atomic layer deposition", 《OPTICAL MATERIALS EXPRESS》 * |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108594362A (zh) * | 2018-04-25 | 2018-09-28 | 中国建筑材料科学研究总院有限公司 | 红外光纤面板及其制备方法 |
CN111751925A (zh) * | 2019-03-27 | 2020-10-09 | 华为技术有限公司 | 光纤及其制备方法、光纤放大器、光纤激光器 |
CN111751925B (zh) * | 2019-03-27 | 2021-11-26 | 华为技术有限公司 | 光纤及其制备方法、光纤放大器、光纤激光器 |
CN110467342A (zh) * | 2019-08-15 | 2019-11-19 | 武汉长进激光技术有限公司 | 一种超宽带增益掺铒光纤及其制备方法 |
CN111090142A (zh) * | 2020-01-22 | 2020-05-01 | 上海大学 | 一种Bi/Er/La/Al共掺L波段或C+L波段石英光纤及制备方法 |
WO2021147436A1 (zh) * | 2020-01-22 | 2021-07-29 | 上海大学 | 一种Bi/Er/La/Al共掺L波段或C+L波段石英光纤及制备方法 |
CN112723751B (zh) * | 2020-10-23 | 2022-03-11 | 南京同溧晶体材料研究院有限公司 | 一种稀土掺杂锗酸铋单晶光纤及包层方法 |
CN112723751A (zh) * | 2020-10-23 | 2021-04-30 | 南京同溧晶体材料研究院有限公司 | 一种稀土掺杂锗酸铋单晶光纤及包层方法 |
CN113568244A (zh) * | 2021-07-16 | 2021-10-29 | 上海大学 | 一种半导体量子点和稀土共掺石英放大光纤及其制备方法 |
CN113800774A (zh) * | 2021-09-10 | 2021-12-17 | 华南理工大学 | 一种用作增益介质的掺铒玻璃光纤及其在光纤激光器中的应用 |
CN113800774B (zh) * | 2021-09-10 | 2022-10-21 | 华南理工大学 | 一种用作增益介质的掺铒玻璃光纤及其在光纤激光器中的应用 |
CN115108717A (zh) * | 2022-06-02 | 2022-09-27 | 浙江超晶晟锐光电有限公司 | 新型铋铒共掺石英光纤预制棒、应用及制备方法 |
CN114956544A (zh) * | 2022-06-24 | 2022-08-30 | 上海大学 | 调控掺铒石英光纤增益强度与带宽的方法及光纤结构 |
CN115032735A (zh) * | 2022-06-24 | 2022-09-09 | 上海大学 | 一种降低c+波段噪声系数的有源光纤及其制备方法 |
CN115032735B (zh) * | 2022-06-24 | 2023-01-20 | 上海大学 | 一种降低c+波段噪声系数的有源光纤及其制备方法 |
CN114956544B (zh) * | 2022-06-24 | 2023-09-22 | 上海大学 | 调控掺铒石英光纤增益强度与带宽的方法及光纤结构 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105467511B (zh) | 2019-04-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN105467511A (zh) | 一种Bi/Er或Bi/Er/Al共掺石英光纤及其制备方法 | |
CN100509672C (zh) | 纳米量子点光纤及其制造方法 | |
CN105467510A (zh) | 一种纳米半导体PbS掺杂石英放大光纤及其制备方法 | |
Dianov | Amplification in extended transmission bands using bismuth-doped optical fibers | |
CN101762843B (zh) | 放大光纤和生产方法 | |
CN105467512B (zh) | 一种Bi/Al共掺石英光纤及其制备方法 | |
CN101351934B (zh) | 在1000-1700nm的波长范围工作的放大光纤,其制备方法和纤维激光器 | |
US6889528B2 (en) | Process of making rare earth doped optical fiber | |
CN101750670A (zh) | 抗电离辐射的光纤放大器 | |
CN110510864A (zh) | 高掺杂掺稀土光纤预制棒的制备方法及光纤预制棒 | |
US20190375672A1 (en) | Process of fabrication of erbium and ytterbium-co-doped multi-elements silica glass based cladding-pumped fiber | |
CN102135641B (zh) | 一种抗光子暗化的有源光纤及其制备方法 | |
KR100816010B1 (ko) | 희토류 도핑된 광학 섬유의 제조방법 | |
CN102253446A (zh) | 基于原子层沉积技术的高浓度铒铝共掺放大光纤及其制造方法 | |
CN102515500B (zh) | 一种掺杂稀土光纤预制棒的制造方法 | |
CN106990475A (zh) | 新波长双包层掺镱光纤及制备方法 | |
CN113800774B (zh) | 一种用作增益介质的掺铒玻璃光纤及其在光纤激光器中的应用 | |
CN107390315A (zh) | 一种抑制有源光纤中光子暗化效应的方法 | |
JPH10190113A (ja) | 光増幅用ファイバ及びその製造方法 | |
CN107809053A (zh) | 用于光纤脉冲激光器的基于tco的可饱和吸收体器件及方法 | |
CN110255882A (zh) | 一种1.7μm光纤激光器用Tm/Tb共掺石英光纤及其制备方法 | |
CN109502961A (zh) | 一种抗光暗化的掺镱石英光纤及其制备方法 | |
CN114180823B (zh) | 抗辐照超宽带L-band掺铒光纤及其制备方法和应用 | |
Wang et al. | Efficient structural manipulation of PbS in Er-doped silica optical fibers for enhanced amplification systems | |
CN102421715A (zh) | 用新颖共掺杂剂制备掺杂稀土(re)光纤的改良方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |