CN105378919A - 使用液态胶粘剂用于半导体封装件emi屏蔽的溅射方法及其溅射设备 - Google Patents

使用液态胶粘剂用于半导体封装件emi屏蔽的溅射方法及其溅射设备 Download PDF

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Abstract

在此公开了一种使用液态胶粘剂用于半导体封装件EMI(电磁干扰)屏蔽的溅射方法及其溅射设备。所述方法包括：(a)安装托盘；(b)在所述托盘上应用液态胶粘剂；(c)固化所述液态胶粘剂；(d)将多个半导体封装件装载到托盘上，以使所述多个半导体封装件附着到所述液态胶粘剂；(e)对所述多个半导体封装件进行溅射处理；(f)从所述托盘卸载所述多个半导体封装件；以及(g)从所述托盘去除所述液态胶粘剂。

Description

使用液态胶粘剂用于半导体封装件EMI屏蔽的溅射方法及其溅射设备
技术领域
本发明总体涉及一种使用液态胶粘剂用于半导体封装件EMI(电磁干扰)屏蔽的溅射方法及其溅射设备，更具体地讲，涉及一种当薄膜沉积在半导体封装件上时，通过使用液态胶粘剂以有利于半导体封装件的粘着和分离并且提高产品质量的使用液态胶粘剂用于半导体封装件EMI屏蔽的溅射方法及其溅射设备。
背景技术
为了通过使用溅射设备为半导体封装件屏蔽EMI，溅射设备通常设置在半导体封装件处理设备中，该半导体封装件处理设备由用于消除半导体封装件排气的烘烤室、用于提高沉积薄膜的粘着力的等离子处理室以及薄膜沉积室组成。
半导体封装处理设备包括：胶带附着单元，其适于将胶带附着到托盘，以使半导体封装件保持在托盘上；装载和卸载单元，其适于在沉积处理之前和之后装载和卸载半导体封装件；以及胶带去除单元，其适于去除使用的胶带。
图1是示出包括胶带的传统溅射设备的透视图。
如图1所示，为了在被配置为附着胶带30的胶带附着单元中进行半导体封装件P的处理，以将半导体封装件P保持在传统的半导体封装处理设备中的托盘10上，胶带30粘着到托盘10，半导体封装件附着到胶带30，在溅射处理完成之后，半导体封装件P从胶带分离，并且胶带30从托盘10分离。
在上述传统处理中，胶带粘着到装载半导体封装件的托盘的上表面，半导体封装件保持在胶带上，然后，实施薄膜沉积。由于在高温条件下执行薄膜沉积，胶带被烧掉或粘到半导体封装件的侧表面和下表面，从而在沉积处理中由于胶带的胶粘剂成分而导致污染。因此，由于半导体处理需要清洁的环境使得沉积薄膜较麻烦。此外，存在其它问题：在沉积处理期间由于排气使得沉积压力增大，并且在沉积处理期间由于真空室中的温度增加而导致半导体封装件产生热损伤。
当使用溅射设备沉积用于半导体封装件的EMI屏蔽的薄膜时，由于电极位于半导体封装的下表面上，所以薄膜不应被沉积在半导体封装件的下表面，而应该仅沉积在半导体封装件的上表面和侧表面上。然而，上述传统技术具有以下问题：沉积物渗透到半导体封装件的下表面的边缘区，从而沉积到其上。
此外，由于溅射处理后应执行从胶带逐个去除半导体封装件的操作，所以工作效率和生产率降低。此外，由于当半导体封装件从托盘卸载同时半导体封装件附着到胶带时，半导体封装件被损坏或剩余胶带残留物，所以半导体封装处理的产品质量下降。
除了这些问题，由于诸如BGA(球栅阵列)的半导体芯片包括从其底表面突出的电极，而使用传统的胶带处理导致沉积物沉积在胶带和半导体芯片的突出电极之间，这也是麻烦的。
发明内容
因此，考虑到发生在现有技术中的上述问题而取得本发明，本发明的目的是提供一种使用液态胶粘剂用于半导体封装件的EMI屏蔽的溅射设备，其有利于半导体封装件的粘着和分离。
本发明的另一目的是提供一种使用液态胶粘剂用于半导体封装件EMI屏蔽的溅射设备，其允许半导体封装件的下表面粘着到液态胶粘剂，从而允许半导体封装件除了下表面之外的所有表面都被均匀地沉积。
本发明的进一步的目的是提供一种使用液态胶粘剂用于半导体封装件EMI屏蔽的溅射设备，其允许液态胶粘剂应用到托盘的上表面，以在溅射处理之后从托盘容易地去除，并减少污染和排气。
本发明的又一目的是提供一种使用液态胶粘剂用于半导体封装件EMI屏蔽的溅射设备，其可按照各种图案将液态胶粘剂应用到托盘上。
为了实现上述目的，本发明提供一种使用液态胶粘剂用于半导体封装件EMI屏蔽的溅射方法，所述方法包括以下步骤：(a)安装托盘，(b)将液态胶粘剂应用到所述托盘上，(c)固化液态胶粘剂，(d)将多个半导体封件装载到所述托盘，以将所述多个半导体封装件附着到液态胶粘剂，(e)对所述多个半导体封装件进行溅射处理，(f)从所述托盘卸载所述多个半导体封装件，以及(g)从所述托盘去除液态胶粘剂。
所述托盘的上表面可涂覆有聚四氟乙烯(Teflon)，从而可形成有涂层，以允许液态胶粘剂容易地从托盘去除。
所述托盘可被构造为具有平坦表面，液态胶粘剂可以按照线性图案应用到托盘的上表面上。
液态胶粘剂可以按照螺旋图案应用到所述托盘的上表面上，并且液态胶粘剂可以按照线性图案应用到所述托盘的上表面上并可使用橡胶辊轴而将其平坦化。
液态胶粘剂可以按照线性图案应用到所述托盘的整个上表面上，并且可通过旋涂而将其平坦化。
所述液态胶粘剂的图案成形法可进一步包括：使用成形板按压所述液态胶粘剂的上表面，以在应用的液态胶粘剂的上表面上形成凹槽。
可制备具有容纳凹槽的分离器，在所述容纳凹槽中容纳在步骤(e)中已进行溅射处理的半导体封装件；其中，半导体封装件容纳在所述容纳凹槽中，所述分离器沿着将半导体封装件从托盘卸载的方向运动。
条状分离器可设置在已在步骤(e)中进行溅射处理的半导体封装件的侧表面，其中，所述条状分离器沿着从托盘分离半导体封装件并卸载半导体封装件的方向运动。
所述托盘可包括对应于装载半导体封装件的点处的孔，所述液态胶粘剂可按照线性栅格图案涂覆，使得托盘的孔露出。
在溅射处理期间产生的气体可通过托盘的孔而排出。
在托盘的孔中可设置推针，其中，所述推针向上推动半导体封装件，从而从所述托盘分离并卸载半导体封装件。
所述液态胶粘剂可在大气压下并在100℃-200℃的温度范围内固化。
可使用气体压力或橡胶辊轴去除所述液态胶粘剂。
为了实现上述目的，本发明提供了一种使用液态胶粘剂用于半导体封装件的EMI屏蔽的溅射设备；其包括：托盘，其上装载半导体封装件；点胶单元(dispensingunit)，其设置在所述托盘之上并将所述液态胶粘剂应用到托盘的上表面；以及卸载单元，其设置在所述托盘周围，以从所述托盘卸载所述半导体封装件。
所述托盘的上表面可涂覆有聚四氟乙烯，从而可形成有涂层，以使得液态胶粘剂容易地从托盘去除。
所述托盘可被构造为具有平坦表面，在将所述液态胶粘剂应用到托盘上之后，可设置橡胶辊轴或旋涂单元以将所述液态胶粘剂平坦化。
所述溅射设备可进一步包括成形板，其按压所述液态胶粘剂的上表面，以在所述液态胶粘剂的上表面形成凹槽。
所述卸载单元可包括具有容纳凹槽的分离器，其中可容纳半导体封装件。
所述卸载单元可包括设置在所述半导体封装件的侧表面的条状分离器。
所述托盘可包括对应于装载所述半导体封装件的点处的孔，在溅射处理中产生的气体可通过所述托盘的孔排出。
所述卸载单元可包括设置在所述托盘的下方并且延伸通过所述托盘的孔的推针。
所述液态胶粘剂可由硅树脂和固化剂的混合物制成，所述硅树脂和所述固化剂可按照2:1-100:1的混合比例进行混合。
所述点胶单元可包括：第一储存器，其用于储存硅树脂；第二储存器，其用于储存固化剂；混合部，其用于按照预定混合比例混合硅树脂和固化剂；以及点胶部，其设置在混合部的下端，以分配硅树脂和固化剂的混合物。
所述点胶单元可包括控制液态胶粘剂的应用位置和长度的位置控制器。
所述点胶单元可包括控制硅树脂和固化剂的混合比例的自动混合控制器。
如上所述根据本发明，由于在溅射设备中使用液态胶粘剂，半导体封装件可容易地附着和分离，也可自动装载或卸载，从而提高生产率和产量。
此外，由于半导体封装件的底部边缘附着到液态胶粘剂，半导体封装件与液态胶粘剂紧密接触而在液态胶粘剂与半导体封装件之间没有任何间隙。此外，由于半导体封装件的下表面粘着到液态胶粘剂，所以半导体封装件除了下表面之外的所有表面都被均匀地沉积，从而极大地提高了半导体封装件的质量。
除了这些有益效果，由于液态胶粘剂可从托盘容易地去除，所以未被外来物质污染的托盘可被重复利用。此外，每当装载半导体封装件时，由于应用液态胶粘剂以形成新的液态胶粘剂垫，所以可减少由在之前的沉积处理中装载半导体封装件的区域中沉积的材料所造成的半导体封装件的缺陷的发生。
此外，由于可根据半导体封装件的尺寸和形状来应用液态胶粘剂，所以可将具有不同尺寸和形状的半导体封装件装载到托盘，并可进行溅射处理。
此外，由于以线性或螺旋图案将液态胶粘剂应用到托盘，并且使用橡胶辊轴或旋涂技术来平坦化，所以可采用范围广泛的生产处理。
此外，由于本发明在溅射设备中使用液态胶粘剂，所以在溅射处理期间产生的排气的量可比使用胶带的情况减少。因此，在沉积处理中的沉积压力稳定，并且真空室中的污染减少，从而减少了由升高的温度导致的半导体封装件的热损伤。
附图说明
通过下面结合附图的详细描述，将更清楚地理解本发明的上述和其它目的、特征和其它优点，其中：
图1是示出包括胶带的传统溅射设备的透视图；
图2是例示出根据本发明的使用液态胶粘剂用于半导体封装件EMI屏蔽的溅射方法的流程图；
图3是例示出根据本发明第二实施例的应用液态胶粘剂的托盘的透视图；
图4是例示出根据本发明的液态胶粘剂点胶单元的剖视图；
图5是例示出根据本发明第一实施例的使用分离单元从液态胶粘剂分离半导体封装件的步骤的剖视图；
图6是例示出根据本发明第二实施例的使用推针从液态胶粘剂分离半导体封装件的步骤的剖视图；
图7是例示出根据本发明第三实施例的使用分离单元从液态胶粘剂分离半导体封装件的步骤的剖视图；
图8是例示出根据本发明第一实施例将液态胶粘剂应用到托盘、附着半导体封装件并执行溅射的过程的局部剖视图；
图9是例示出根据本发明第二实施例将液态胶粘剂应用到托盘、附着和分离半导体封装件程序、同时执行溅射处理的过程的局部剖视图；以及
图10是例示出根据本发明第三实施例将液态胶粘剂应用到托盘、附着和分离半导体封装件程序、也执行溅射的过程的局部剖视图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图详细描述使用液态胶粘剂用于半导体封装件EMI屏蔽的溅射方法及其溅射设备。
图2是例示出根据本发明的使用液态胶粘剂用于半导体封装件EMI屏蔽的溅射方法的流程图，图3是例示出根据本发明第二实施例的应用液态胶粘剂的托盘的透视图，图4是例示出根据本发明的液态胶粘剂点胶单元的剖视图，图5是例示出根据本发明第一实施例的使用分离单元从液态胶粘剂分离半导体封装件的步骤的剖视图；图6是例示出根据本发明第二实施例的使用推针从液态胶粘剂分离半导体封装件的步骤的剖视图；图7是例示出根据本发明第三实施例的使用分离单元从液态胶粘剂分离半导体封装件的步骤的剖视图；图8是例示出根据本发明第一实施例将液态胶粘剂应用到托盘、附着半导体封装件并执行溅射的过程的局部剖视图；图9是例示出根据本发明第二实施例将液态胶粘剂应用到托盘、附着和分离半导体封装件程序并执行溅射处理的过程的局部剖视图；以及图10是例示出根据本发明第三实施例将液态胶粘剂应用到托盘、附着和分离半导体封装件程序并执行溅射的过程的局部剖视图。
本发明针对一种使用液态胶粘剂用于半导体封装件的EMI屏蔽的溅射方法及其溅射设备，当使用溅射设备将用于EMI屏蔽的薄膜沉积在半导体封装件上时，通过使用液态胶粘剂将薄膜均匀地沉积在半导体封装件的所有面，这有利于半导体封装件的粘着和分离，也提高了产品质量。
当用于EMI屏蔽的薄膜被沉积或形成在半导体封装件上时，薄膜应形成在半导体封装件的侧表面以及上表面上，并且不应形成在下表面上，因为下表面包括在其上形成的电极。
根据本发明，液态胶粘剂应用于托盘，并将半导体封装件装载在液态胶粘剂上，使得每个半导体封装件的下表面的整个区域或边缘区域位于液态胶粘剂上。在这种情况下，在半导体封装件上执行溅射处理，使得薄膜形成在除了半导体封装件的下表面之外的所有半导体表面上，从而使得半导体封装件从液态胶粘剂容易地去除。
此外，由于在溅射和卸载半导体封装件的过程之后，液态胶粘剂可从托盘容易地去除，所以未被污染的托盘可被重复使用。
参照图2至图7，根据本发明的使用液态胶粘剂的溅射方法包括：(a)安装托盘，(b)将液态胶粘剂应用到托盘，(c)固化液态胶粘剂，(d)在托盘上装载多个半导体封装件，使得所述多个半导体封装件粘着到液态胶粘剂，(e)在半导体封装件上执行溅射处理，(f)从托盘卸载半导体封装件，以及(g)从托盘去除液态胶粘剂。
此外，根据本发明的使用液态胶粘剂用于半导体封装件EMI屏蔽的溅射设备包括：托盘，其上装载半导体封装件；点胶单元，其设置在托盘之上，以将液态胶粘剂应用到托盘的上表面；以及卸载单元，其设置在托盘周围，以从托盘卸载半导体封装件。
首先，步骤(a)意在安装托盘100。
托盘100被构造为具有平板的形状，并在其上表面上设置有通过在托盘100上应用聚四氟乙烯而形成的涂层120，以允许将液态胶粘剂从托盘100去除。
在这种情况下，涂层120可由任意材料形成，只要在溅射处理之后可使液态胶粘剂300容易地去除即可。
在本发明的第一和第三实施例中，托盘100可被构造为扁平的。
在本发明的第二实施例中，托盘100包括多个形成在其中的孔110，使得孔110位于对应于半导体封装件的放置位置的位置处。
因此，可根据半导体封装件P的尺寸和形状来改变形成在托盘100中的孔110的数量和孔110之间的间距。
同时，在溅射处理期间产生的气体通过孔110排出。
通常，托盘100由铝、石墨或氧化铝制成。然而，由于本发明的一个目的为重复地再利用托盘100，只要其不被重复溅射处理期间产生的热导致变形或扭转形变，托盘可由任意材料制成。
步骤(b)意在将液态胶粘剂应用到托盘100上。
通过设置在托盘100之上的点胶单元200按照线性图案将液态胶粘剂300应用到托盘100的上表面。换言之，意在将液态胶粘剂300应用到托盘100的上表面上的点胶单元200被设计为朝向托盘100应用液态胶粘剂，同时在托盘100之上的预定水平沿着预定图案的路径在预定的方向上运动。
在这种情况下，如在第一和第三实施例中，通过由点胶单元应用的液态胶粘剂的表面张力造成的延展性(spreadingproperty)而在托盘上形成平坦的液态胶粘剂垫。
在本发明的第三实施例中，步骤(b)可进一步包括使用成形板在所应用的液态胶粘剂的平坦上表面上使凹槽成形。
这是在液态胶粘剂上装载半导体封装件的过程，半导体封装件包括从其下表面突出的电极。更具体地讲，其意在通过将成形板按压到液态胶粘剂的上表面上而在液态胶粘剂上成型凹槽，以将诸如BGA(球栅阵列)的半导体封装件装载到液态胶粘剂，半导体封装件包括从其下表面突出的电极。
按照这种方式，成形板为液态胶粘剂提供期望的形状，使得半导体封装件P可根据半导体封装件的尺寸和形状装载到托盘100，从而使得具有各种尺寸和形状的半导体封装件能够装载到托盘100。
在这种情况下，当托盘旋转时，液态胶粘剂可从内向外或从外向内应用到托盘的整个上表面上，从而产生螺旋状的应用路径。此时，通过由点胶单元应用的液态胶粘剂的表面张力导致的延展性而形成平坦的液态胶粘剂垫。
可选地，当托盘处于静止状态时，液态胶粘剂可从内向外或从外向内应用到托盘的整个上表面上，以产生螺旋状的应用路径。此时，通过由点胶单元应用的液态胶粘剂的表面张力导致的延展性而形成平坦的液态胶粘剂垫。
在另一种方法中，可按照这样的方式获得液态胶粘剂的平坦的上表面：将液态胶粘剂以线性图案应用到托盘的整个上表面，然后使用橡胶辊轴或旋涂将液态胶粘剂的上表面平坦化。因此，应用到托盘的液态胶粘剂产生平坦的液态胶粘剂垫，其能够使半导体封装件水平地装载在液态胶粘剂上。
在通常的情况下，优选地液态胶粘剂300形成为具有平坦表面。
如第二实施例，液态胶粘剂垫可形成为栅格图案，使得液态胶粘剂被应用到放置矩形半导体封装件P的边缘于其上的区域，且在半导体封装件P之间限定间距。
液态胶粘剂300按照与点胶单元200具有预定间隔的线性矩形图案应用到托盘100，使得围绕孔110的区域露出。因此，仅半导体封装件P的边缘通过由液态胶粘剂300的表面张力导致的延展性而粘着到液态胶粘剂垫。
更具体地，控制液态胶粘剂300的量，并按照具有网格尺寸(netsize)的栅格图案细长地应用液态胶粘剂300，以形成液态胶粘剂垫，使得液态胶粘剂300即使在经过预定时间段之后由于液态胶粘剂的表面张力导致的延展性而使得液态胶粘剂300的宽度增大，也无法到达孔110。
在第二实施例中，优选应用液态胶粘剂300，使得围绕孔110的区域露出来。这使得半导体封装件P容易分离并有效卸载。
由液态胶粘剂300形成的液态胶粘剂垫的形状由点胶单元200的位置控制器(未示出)控制。根据半导体封装件P的形状和尺寸，预先设置待应用的液态胶粘剂300的位置和长度，并将该位置和长度输入到位置控制器(未示出)中，从而确定由所应用的液态胶粘剂300产生的液态胶粘剂垫的形状。
液态胶粘剂300由硅树脂和固化剂的混合物制成。考虑半导体封装件P的材料和尺寸以及液态胶粘剂300的粘性和粘着力，硅树脂和固化剂优选按照2:1-100:1的比例进行混合。
此外，因为液态胶粘剂300的粘着力必须根据半导体封装件P的尺寸、形状和材料而确定，所以硅树脂和固化剂的混合比例对于增加液态胶粘剂300的粘着力颇为重要。因此，在本实施例中，优选为用于应用液态胶粘剂的点胶单元200设置有可确定硅树脂和固化剂的混合比例的自动混合控制器(未示出)。
当半导体封装件P装载在液态胶粘剂300上时，固化剂意在保持预定坚固度，优选混合有热固化剂。例如，固化剂可包括甲基四氢邻苯二甲酸酐、甲基纳迪克酸酐、苯均四酸酐、十二碳烯基琥珀酸酐等。
用于应用液态胶粘剂的点胶单元200包括：第一储存器210，其用于储存硅树脂；第二储存器220，其用于储存固化剂；混合部230，其用于将从第一储存器210和第二储存器220供应的硅树脂和固化剂混合到预定混合比例；以及点胶部240，其设置在混合单元230的下端，以应用硅树脂和固化剂的混合物。
具体地讲，液态胶粘剂300的成分材料收集在混合部230中，点胶部240位于托盘100之上，响应于已根据液态胶粘剂300导致的液态胶粘剂垫的形状所确定的位置信息。随后，液态胶粘剂300被应用到托盘100上，以在托盘100上形成液态胶粘剂垫。
步骤(c)意在固化液态胶粘剂300。更具体地讲，在将半导体封装件P装载到托盘100之前，液态胶粘剂300被加热，从而在大气压及100℃-200℃的温度范围内持续3分钟而固化。
当半导体封装件P装载到液态胶粘剂300时，半导体封装件P的边缘可能会陷入液态胶粘剂300中或半导体封装件P和液态胶粘剂300之间的粘着力可根据液态胶粘剂300的固化程度而降低。
因此，液态胶粘剂300应被固化为适当的程度，使得半导体封装件P的边缘被放置并附着在液态胶粘剂300上。此时，优选为根据半导体封装件P的种类来确定固化液态胶粘剂300所需要的温度和时间。
在步骤(d)中，在固化液态胶粘剂之后，多个半导体封装件P装载到托盘并粘着到液态胶粘剂。
换言之，步骤(d)意在将多个半导体封装件P装载到托盘，从而将所述多个半导体封装件P附着到液态胶粘剂。
由于通常相对于一个托盘上的多个半导体封装件P执行溅射处理，所以多个半导体封装件P被提供给位于托盘100之上的半导体封装件处理器(未示出)，使得所述多个半导体封装件P位于与所述多个半导体封装件待放置处的液态胶粘剂300的点对应的点处，然后，所述多个半导体封装件P同时被半导体封装件处理器装载到液态胶粘剂300。
在步骤(e)中，在完成将半导体封装件P装载到托盘100之后，在半导体封装件P上执行溅射处理。
实施溅射处理，以在半导体封装件P上沉积或形成用于EMI屏蔽的薄膜。当在将半导体封装件P装载到液态胶粘剂300之后执行溅射处理时，薄膜700可均匀地形成在不包括半导体封装件P的下表面的、半导体封装件P的上表面和侧表面上。
半导体封装件P的溅射处理中产生的气体通过设置在托盘100之下的导管(未示出)而排出。优选地，在溅射处理中产生的气体通过形成在托盘100中的孔110而引入到导管中并通过该导管排出。
步骤(f)意在分离和卸载半导体封装件P。换言之，在溅射处理之后，半导体封装件P从液态胶粘剂300分离。
在本发明的第一和第三实施例中，为了同时并快速地将所述多个半导体封装件P从液态胶粘剂300分离，设置分离器600，其包括容纳半导体封装件P于其中的容纳凹槽610。在半导体封装件P被容纳在容纳凹槽610中之后，分离器600沿一个方向运动预定距离，从而使半导体封装件P从液态胶粘剂300分离，从而从托盘100卸载半导体封装件P。
在本发明的第一实施例中，为了同时并快速将所述多个半导体封装件P从液态胶粘剂300分离，设置在半导体封装件P的侧表面上的条状分离器(未示出)沿一个方向运动预定距离，从而分离半导体封装件。因此，使用半导体封装件处理器(未示出)作为卸载装置能够卸载半导体封装件P。
在本发明的第二实施例中，为了同时并快速将所述多个半导体封装件P从液态胶粘剂300分离，在托盘100的下方设置多个推针500，并通过移动驱动器(未示出)来使推针500运动。
更具体地，推针500设置在孔110中，推针500的上端向上推动半导体封装件P的下表面的中央。因此，半导体封装件P从液态胶粘剂300分离，从而从托盘100卸载半导体封装件P。
当从托盘卸载半导体封装件P时，已在半导体封装件P装载到托盘100时使用的半导体封装件运动器(未示出)从液态胶粘剂300分离半导体封装件P。此时，半导体封装件处理器(未示出)吸住半导体封装件P的上表面，然后从托盘卸载半导体封装件P。
在传统的技术中，由于使用双面胶带来装载或卸载半导体封装件P，所以半导体封装件必须手动地从双面胶带上逐个分离。另一方面，根据本发明，粘着到液态胶粘剂的半导体封装件P使用各种分离器中的任意分离器从液态胶粘剂分离，然后，使用半导体封装件处理器(未示出)同时装载或卸载大量的半导体封装件P，从而允许装载或卸载过程的自动化。
最后，步骤(g)意在从托盘去除液态胶粘剂。此时，使用气体压力或橡胶辊轴以从托盘干净地去除液态胶粘剂。
在本发明的实施例中，使用喷射高压气体的气刀。高压气体从液态胶粘剂300的边缘开始朝向液态胶粘剂300喷射，从而液态胶粘剂300逐渐从托盘100分离。在这种情况下，由于托盘100上形成聚四氟乙烯涂层120，使得液态胶粘剂容易脱离，所以液态胶粘剂300可从托盘100容易地分离。
此时，涂层120可由任何材料构成，只要在溅射处理之后其允许液态胶粘剂300从托盘100容易地去除即可。
此外，可以使用橡胶辊轴去除液态胶粘剂。除了橡胶辊轴，可使用任意装置，只要其能够干净地去除液态胶粘剂即可。
这样，由于液态胶粘剂300可从托盘100去除，未被弄脏的托盘可重新使用，每当装载半导体封装件P时，可应用液态胶粘剂300以形成新的液态胶粘剂垫。因此，可减少由沉积在先前的溅射处理中已被污染的托盘上的材料导致的有缺陷的半导体封装件P。
在下文中，将更详细地描述将半导体封装件附着到液态胶粘剂和从液态胶粘剂分离的操作。
在如图8(a)所例示的本发明的第一实施例中，首先在托盘100的上表面上形成确保液态胶粘剂300容易脱离的聚四氟乙烯涂层120，使得液态胶粘剂300可从托盘100容易地分离。
如图8(b)所例示，液态胶粘剂300从点胶单元应用到托盘100的上表面。此时，以预定间隔和预定量按照线性图案分配液态胶粘剂300。在经过一定时间段之后，液态胶粘剂300由于其表面张力而延展，从而在托盘100上形成平坦的液态胶粘剂垫。
如图8(c)所例示，半导体封装件P的下表面附着并装载到液态胶粘剂300。此时，由于使用半导体封装件处理器(未示出)，其设置有大量半导体封装件P，对应于将半导体封装件P装载到液态胶粘剂300的布置而被布置，所以大量的半导体封装件P可被同时装载到液态胶粘剂300。
图8(d)示出了形成在半导体封装件P上的薄膜700。此时，半导体封装件P的上表面和侧表面均匀地经受溅射，同时半导体封装件P的下表面不经受溅射，从而不形成薄膜。
在溅射之后，如图8(e)所例示，半导体封装件P从液态胶粘剂300分离，而沉积材料保持在液态胶粘剂300的上表面上。
随后，通过喷射高压气体或使用橡胶辊轴而从托盘100去除液态胶粘剂300。如图8(f)所例示，当从托盘100去除液态胶粘剂300时，在溅射处理期间已沉积在液态胶粘剂300上的材料也被去除。
因此，即使在溅射处理之后，未被沉积材料污染的托盘100可在下一次溅射处理中重复使用。
在第二实施例中，如图9(a)所例示，在托盘100的上表面上形成聚四氟乙烯涂层120，以便液态胶粘剂容易脱离，使得液态胶粘剂300可从托盘100容易地分离。
如图9(b)所例示，液态胶粘剂300从点胶单元应用到托盘100的上表面。此时，液态胶粘剂300以形成在托盘100中的孔110的周围区域通过液态胶粘剂300露出的方式应用在栅格图案中，从而形成液态胶粘剂垫。因为已被应用在栅格图案中的液态胶粘剂300由于其表面张力随着时间而延展，所以优选为以预定厚度应用液态胶粘剂300，使得即使在液态胶粘剂延展之后，孔110也不被液态胶粘剂300覆盖。
如图9(c)所例示，半导体封装件P装载到液态胶粘剂300，使得半导体封装件P的边缘位于液态胶粘剂300的边缘上。此时，由于使用半导体封装件处理器(未示出)，其设置有对应于将半导体封装件P装载到液态胶粘剂300的布置而布置的大量半导体封装件P，所以大量的半导体封装件P可被同时装载到液态胶粘剂300。
图9(d)示出了形成在半导体封装件P上的薄膜700。此时，半导体封装件P的上表面和侧表面均匀地经受溅射，同时半导体封装件P的下表面不经受溅射，从而不形成薄膜。
在溅射之后，如图9(e)所例示，半导体封装件P从液态胶粘剂300分离，而沉积材料保持在液态胶粘剂300的上表面上。
随后，通过喷射高压气体或使用橡胶辊轴从托盘100去除液态胶粘剂300。如图9(f)所例示，当从托盘100去除液态胶粘剂300时，在溅射处理期间已沉积在液态胶粘剂300上的材料也被去除。
因此，即使在溅射处理之后，未被沉积材料污染的托盘100可在下一次溅射处理中重复使用。
在第三实施例中，如图10(a)所例示，在托盘100的上表面上形成聚四氟乙烯涂层120，以便液态胶粘剂容易脱离，使得液态胶粘剂300可从托盘100容易地分离。
如图10(b)所例示，液态胶粘剂300从点胶单元应用到托盘100的上表面。以预定间隔和预定量按照线性图案分配液态胶粘剂300。在经过一定时间段之后，液态胶粘剂300由于其表面张力而延展，从而在托盘100上形成平坦的液态胶粘剂垫。
在这种情况下，当托盘旋转时，液态胶粘剂可从内向外或从外向内应用到托盘的整个上表面上，从而产生螺旋状的应用路径。此时，通过点胶单元应用的液态胶粘剂的表面张力导致的延展性而形成平坦的液态胶粘剂垫。
可选地，当托盘处于静止状态时，液态胶粘剂可从内向外或从外向内应用到托盘的整个上表面上，从而产生螺旋状的应用路径。此时，通过点胶单元应用的液态胶粘剂的表面张力导致的延展性而形成平坦的液态胶粘剂垫。
在液态胶粘剂按照线性图案应用到托盘的整个上表面上之后，可使用橡胶辊轴来形成液态胶粘剂垫。可选地，在液态胶粘剂应用到托盘的整个上表面上之后，可使用旋涂形成液态胶粘剂垫。
如图10(b’)所例示，为了允许包括从其上表面突出的电极的半导体封装件P装载到液态胶粘剂300，通过成形板400按压液态胶粘剂300的上表面，使得凹槽410形成在液态胶粘剂300的平坦的上表面上。
如图10(b”)所例示，由于使用成形板400在液态胶粘剂300上形成凹槽410，所以具有形成在其下表面上的突起的半导体封装件P可装载到液态胶粘剂300。
如图10(c)所例示，将半导体封装件P的下表面上的突起容纳在由成形板形成的凹槽中，并且半导体封装件P的边缘装载到液态胶粘剂300的上边缘。此时，由于使用半导体封装件处理器(未示出)，其设置有对应于将半导体封装件P装载到液态胶粘剂300的布置而布置的大量半导体封装件P，所以大量的半导体封装件P可被同时装载到液态胶粘剂300。
图10(d)示出了形成在半导体封装件P上的薄膜700。此时，半导体封装件P的上表面和侧表面均匀地经受溅射，同时半导体封装件P的下表面不经受溅射，从而不形成薄膜。
在溅射之后，如图10(e)所例示，半导体封装件P从液态胶粘剂300分离，而沉积材料保持在液态胶粘剂300的上表面上。
随后，通过喷射高压气体或使用橡胶辊轴从托盘100去除液态胶粘剂300。如图10(f)所例示，当从托盘100去除液态胶粘剂300时，在溅射处理期间已沉积在液态胶粘剂300上的材料也被去除。
因此，即使在溅射处理之后，未被沉积材料污染的托盘100可在下一次溅射处理中重复使用
在传统技术中，当附着到双面胶带的半导体封装件P经受溅射时，沉积材料浸润在半导体封装件P和双面胶带之间限定的间隙中，从而增大有缺陷的半导体封装件P的产生。此外，通过双面胶带的粘着材料产生大量排气，从而处理的压力和温度增加，从而导致对半导体封装件P的热损伤。
与传统技术相比，由于本发明在溅射设备中使用液态胶粘剂，所以半导体封装件容易地附着和分离，也自动地卸载或卸载，从而提高生产率和产量。
此外，由于半导体封装件的边缘附着到液态胶粘剂，所以半导体封装件与液态胶粘剂紧密接触，在液态胶粘剂和半导体封装件之间没有任何间隙。此外，由于半导体封装件的下表面粘着到液态胶粘剂，所以半导体封装件除了下表面之外的所有表面被均匀地沉积，从而极大地提高了半导体封装件的质量。
除了这些有益效果，由于本发明使用液态胶粘剂，所以溅射处理期间产生的排气量与使用双面胶带的情况相比可减少，从而减少由增加的处理压力和温度产生的热损伤。
此外，由于液态胶粘剂可从托盘容易地去除，所以未被外来物质污染的托盘可重复利用。此外，每当装载半导体封装件时，由于分配液态胶粘剂以形成新的液态胶粘剂垫，所以可减少由先前沉积过程中装载半导体封装件的区域处沉积的材料导致的有缺陷的半导体封装元件的产生。

Claims (32)

1.一种使用液态胶粘剂用于半导体封装件EMI屏蔽的溅射方法，其包括以下步骤：
(a)安装托盘；
(b)将所述液态胶粘剂应用到所述托盘上；
(c)固化所述液态胶粘剂；
(d)将多个半导体封装件装载到所述托盘，以使所述多个半导体封装件附着到所述液态胶粘剂；
(e)对所述多个半导体封装件进行溅射处理；
(f)从所述托盘卸载所述多个半导体封装件；以及
(g)从所述托盘去除所述液态胶粘剂。
2.根据权利要求1所述的溅射方法，其中，在步骤(a)中，所述托盘的上表面涂覆有聚四氟乙烯，从而形成有涂层，以允许所述液态胶粘剂容易地脱离。
3.根据权利要求1所述的溅射方法，其中，在步骤(a)中，所述托盘被构造为具有平坦表面。
4.根据权利要求3所述的溅射方法，其中，在步骤(b)中，将所述液态胶粘剂按照线性图案应用到所述托盘的上表面上。
5.根据权利要求3所述的溅射方法，其中，在步骤(b)中，将所述液态胶粘剂按照螺旋图案应用到所述托盘的上表面上。
6.根据权利要求3所述的溅射方法，其中，在步骤(b)中，将所述液态胶粘剂按照线性图案应用到所述托盘的上表面上，并使用橡胶辊轴将其平坦化。
7.根据权利要求3所述的溅射方法，其中，在步骤(b)中，将所述液态胶粘剂按照线性图案应用到所述托盘的整个上表面上，并且通过旋涂将其平坦化。
8.根据权利要求3所述的溅射方法，进一步包括：在步骤(b)之后，使用成形板按压所述液态胶粘剂的上表面，以在所述液态胶粘剂的上表面上形成凹槽。
9.根据权利要求3所述的溅射方法，其中，在步骤(f)中，预备分离器，所述分离器具有其中容纳在步骤(e)中已经受溅射处理的半导体封装件的容纳凹槽，其中，所述半导体封装件容纳在所述容纳凹槽中，所述分离器沿着将所述半导体封装件从所述托盘卸载的方向运动。
10.根据权利要求3所述的溅射方法，其中，在步骤(f)中，在已在步骤(e)中经受溅射处理的所述半导体封装件的侧表面设置条状分离器，其中，所述条状分离器沿着从所述托盘分离所述半导体封装件并卸载所述半导体封装件的方向运动。
11.根据权利要求1所述的溅射方法，其中，在步骤(a)中，所述托盘包括在与装载所述半导体封装件的点对应的点处的孔。
12.根据权利要求11所述的溅射方法，其中，在步骤(b)中，按照线性栅格图案应用所述液态胶粘剂，使得所述托盘的孔露出。
13.根据权利要求11所述的溅射方法，其中，在步骤(e)中，在所述溅射处理期间产生的气体通过所述托盘的孔而排出。
14.根据权利要求11所述的溅射方法，其中，在步骤(f)中，在所述托盘的孔中设置推针，其中，所述推针向上推动所述半导体封装件，从而将所述半导体封装件从所述托盘分离并卸载。
15.根据权利要求1所述的溅射方法，其中，在步骤(c)中，所述液态胶粘剂在大气压下并在100℃-200℃的温度范围内固化。
16.根据权利要求1所述的溅射方法，其中，在步骤(g)中，使用气体压力去除所述液态胶粘剂。
17.根据权利要求1所述的溅射方法，其中，在步骤(g)中，使用橡胶辊轴去除所述液态胶粘剂。
18.一种使用液态胶粘剂用于半导体封装件EMI屏蔽的溅射设备，其包括：
托盘，其上装载半导体封装件；
点胶单元，其设置在所述托盘之上并将所述液态胶粘剂应用到所述托盘的上表面；以及
卸载单元，其设置在所述托盘周围，以从所述托盘卸载所述半导体封装件。
19.根据权利要求18所述的溅射设备，其中，所述托盘的上表面涂覆有聚四氟乙烯，从而形成有涂层，以允许所述液态胶粘剂容易地脱离。
20.根据权利要求18所述的溅射设备，其中，所述托盘被构造为具有平坦表面。
21.根据权利要求18所述的溅射设备，其中，在将所述液态胶粘剂应用到所述托盘之后，设置橡胶辊轴或旋涂单元以将所述液态胶粘剂平坦化。
22.根据权利要求18所述的溅射设备，进一步包括成形板，其按压所述液态胶粘剂的上表面，以在所述液态胶粘剂的上表面上形成凹槽。
23.根据权利要求18所述的溅射设备，其中，所述卸载单元包括具有容纳凹槽的分离器，所述半导体封装件容纳在所述容纳凹槽中。
24.根据权利要求18所述的溅射设备，其中，所述卸载单元包括设置在所述半导体封装件的侧表面的条状分离器。
25.根据权利要求18所述的溅射设备，其中，所述托盘包括在与装载所述半导体封装件的点对应的点处的孔。
26.根据权利要求25所述的溅射设备，其中，在溅射处理中产生的气体通过所述托盘的孔排出。
27.根据权利要求25所述的溅射设备，其中，所述卸载单元包括设置在所述托盘的下方并且延伸通过所述托盘的孔的推针。
28.根据权利要求18所述的溅射设备，其中，所述液态胶粘剂由硅树脂和固化剂的混合物制成。
29.根据权利要求18所述的溅射设备，其中，所述硅树脂和所述固化剂按照2:1-100:1的混合比例进行混合。
30.根据权利要求18所述的溅射设备，其中，所述点胶单元包括：
第一储存器，其用于储存硅树脂；
第二储存器，其用于储存固化剂；
混合部，其用于按照预定混合比例混合所述硅树脂和所述固化剂；以及
点胶部，其设置在所述混合部的下端，以应用所述硅树脂和所述固化剂的混合物。
31.根据权利要求30所述的溅射设备，其中，所述点胶单元包括控制所述液态胶粘剂的应用位置和长度的位置控制器。
32.根据权利要求30所述的溅射设备，其中，所述点胶单元包括控制所述硅树脂和所述固化剂的混合比例的自动混合控制器。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106319425A (zh) * 2016-09-27 2017-01-11 昆山维嘉益材料科技有限公司 一种emi自动化溅镀工艺
CN111211079A (zh) * 2019-01-23 2020-05-29 苏州日月新半导体有限公司 集成电路封装体的制造方法

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101614721B1 (ko) * 2015-03-24 2016-04-22 (주)씨앤아이테크놀로지 점착패드를 이용하여 전자파 차폐막 형성을 위한 반도체 패키지 부착 및 분리 방법
KR101689018B1 (ko) * 2015-04-28 2016-12-22 (주) 씨앤아이테크놀로지 포켓을 이용한 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 방법
KR101689833B1 (ko) 2015-05-19 2017-01-10 주식회사 프로텍 Bga 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 방법 및 이에 사용되는 베이스 테이프
KR20160147176A (ko) 2015-06-12 2016-12-22 주식회사 프로텍 비지에이 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 방법 및 그 방법에 의해 생산되는 비지에이 반도체 패키지
KR101662068B1 (ko) * 2015-08-07 2016-10-04 (주) 씨앤아이테크놀로지 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 방법
KR101589242B1 (ko) 2015-08-24 2016-01-28 제너셈(주) 전자파 차폐를 위한 반도체패키지의 스퍼터링 방법
KR101662069B1 (ko) * 2015-09-18 2016-10-10 (주) 씨앤아이테크놀로지 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 방법
CN108292647B (zh) * 2015-09-30 2022-09-30 天工方案公司 与屏蔽的模块的制造相关的装置和方法
KR101712187B1 (ko) * 2015-11-05 2017-03-13 (주) 씨앤아이테크놀로지 반도체 패키지의 일괄 처리 방법 및 장치
US10163867B2 (en) 2015-11-12 2018-12-25 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package and manufacturing method thereof
KR101674322B1 (ko) * 2015-11-18 2016-11-08 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 디바이스 및 그 제조 방법
KR101590593B1 (ko) 2015-12-03 2016-02-02 제너셈(주) 반도체패키지의 스퍼터링 방법
WO2017164566A1 (ko) * 2016-03-24 2017-09-28 주식회사 프로텍 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 장치 및 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 방법
KR101813675B1 (ko) 2016-08-23 2017-12-29 (주) 씨앤아이테크놀로지 반도체 공정 장치
KR102634389B1 (ko) 2016-09-07 2024-02-06 삼성전자주식회사 반도체 패키지 및 그의 제조 방법
KR101934177B1 (ko) * 2017-01-20 2019-01-02 한국기술교육대학교 산학협력단 바이오 매스를 이용한 다기능 카본 나노구조체 제조방법 및 이를 이용한 카본 나노구조체
KR101951796B1 (ko) * 2017-04-28 2019-02-25 (주)에스엔텍 홈이 형성된 플레이트를 이용한 소자의 공정처리 수행방법
US10410999B2 (en) 2017-12-19 2019-09-10 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with integrated heat distribution and manufacturing method thereof
KR102111378B1 (ko) * 2018-03-16 2020-05-18 엔트리움 주식회사 전자파 보호층을 갖는 전자 장치의 제조 방법
JP2023526745A (ja) 2020-05-07 2023-06-23 ダウ シリコーンズ コーポレーション シリコーンハイブリッド感圧接着剤、並びにその調製及び凸凹の表面における使用方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040108582A1 (en) * 2002-12-06 2004-06-10 Samsung Electronics Co., Ltd. In-line die attaching and curing apparatus for a multi-chip package
US20050287708A1 (en) * 2004-06-24 2005-12-29 Kim Sang-Young Semiconductor chip package manufacturing method including screen printing process
CN101183640A (zh) * 2006-11-15 2008-05-21 奇梦达股份公司 在晶片载体的表面上制造粘合区的方法以及用于制造粘合区的模版印刷装置
CN102270588A (zh) * 2010-06-02 2011-12-07 新科金朋有限公司 在半导体管芯周围形成emi屏蔽层的半导体器件和方法
CN102925088A (zh) * 2011-08-10 2013-02-13 烟台德邦科技有限公司 一种太阳能晶硅切片临时粘接胶及其制备方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2925074B2 (ja) * 1996-11-08 1999-07-26 三星電子株式会社 Ｌｏｃ型半導体チップパッケージ及びその製造方法
KR100214552B1 (ko) 1997-01-25 1999-08-02 구본준 캐리어프레임 및 서브스트레이트와 이들을 이용한 볼 그리드 어 레이 패키지의 제조방법
JP2001035817A (ja) * 1999-07-22 2001-02-09 Toshiba Corp ウェーハの分割方法及び半導体装置の製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040108582A1 (en) * 2002-12-06 2004-06-10 Samsung Electronics Co., Ltd. In-line die attaching and curing apparatus for a multi-chip package
US20050287708A1 (en) * 2004-06-24 2005-12-29 Kim Sang-Young Semiconductor chip package manufacturing method including screen printing process
CN101183640A (zh) * 2006-11-15 2008-05-21 奇梦达股份公司 在晶片载体的表面上制造粘合区的方法以及用于制造粘合区的模版印刷装置
CN102270588A (zh) * 2010-06-02 2011-12-07 新科金朋有限公司 在半导体管芯周围形成emi屏蔽层的半导体器件和方法
CN102925088A (zh) * 2011-08-10 2013-02-13 烟台德邦科技有限公司 一种太阳能晶硅切片临时粘接胶及其制备方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106319425A (zh) * 2016-09-27 2017-01-11 昆山维嘉益材料科技有限公司 一种emi自动化溅镀工艺
CN111211079A (zh) * 2019-01-23 2020-05-29 苏州日月新半导体有限公司 集成电路封装体的制造方法
CN111211079B (zh) * 2019-01-23 2020-12-25 苏州日月新半导体有限公司 集成电路封装体的制造方法

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