CN105377774A - 玻璃基板的制造方法以及玻璃基板制造装置 - Google Patents

玻璃基板的制造方法以及玻璃基板制造装置 Download PDF

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Abstract

包括使用内壁的至少一部分由含有铂族金属的材料构成的处理装置，处理含有因还原反应而放出氧的澄清剂的熔融玻璃的工序。另外，在处理熔融玻璃的工序中，在由处理装置的内壁和熔融玻璃的表面形成的气相空间中，通过调整从熔融玻璃放出的氧的量而控制气相空间的氧浓度，从而抑制铂族金属的挥发。另外，在处理装置的内部，以气泡放出量最大位置和熔融玻璃在熔融玻璃的流动方向的温度分布的最高温度位置、在熔融玻璃的流动方向上分开的方式调整气泡放出量最大位置，其中在气泡放出量最大位置，从熔融玻璃的表面放出至所述气相空间的气泡的放出量为最大。

Description

玻璃基板的制造方法以及玻璃基板制造装置
技术领域
本发明有关玻璃基板的制造方法以及玻璃基板制造装置。
背景技术
一般而言，玻璃基板的制造，在从玻璃原料生成熔融玻璃之后，经过澄清工序、搅拌工序或同质化工序之后，包含将熔融玻璃成形为玻璃基板的工序。
在进行上述工序的任一种处理装置中，对于与熔融玻璃接触的构件，都需要根据与该部件接触的熔融玻璃的温度、所要求的玻璃基板的品质等，使用适当的材料。也就是说，为了从高温的熔融玻璃量产高等级的玻璃基板，优选考虑，作为玻璃基板的缺陷的主要原因的异物等，不从制造玻璃基板的任一玻璃处理装置混入熔融玻璃。例如，在生成熔融玻璃之后，由于直至供给至成形工序为止的熔融玻璃为极高温状态，因此，进行熔融、澄清、供给、搅拌等的各种处理的处理装置，使用含有高耐热性的铂族金属(例如，铂)的构件。(例如，参照专利文献1)。
在上述的工序中包含除去熔融玻璃内含的微小的气泡的澄清工序。对于液晶显示器或等离子显示器等的面板显示器或用于平板显示器(FPD)的玻璃基板，需要排除残存于熔融玻璃中的气泡所导致的缺陷。
因此，在面板显示器或FPD用玻璃基板的制造中，进行澄清工序。澄清如下进行：在加热澄清管的主体的同时，使含有澄清剂的熔融玻璃通过该澄清管主体，通过澄清剂的氧化还原反应而除去熔融玻璃中的气泡。
更具体而言，使用因还原反应放出氧的澄清剂，在澄清管中通过进一步提高粗熔解的熔融玻璃的温度，通过澄清剂的还原而使氧放出，在使熔融玻璃中的气泡上浮脱泡后，通过降低温度，将未完全脱泡而残留的氧用于被还原的澄清剂的氧化而使熔融玻璃吸收残留的氧。在高温下进行澄清工序的澄清管也使用含有耐热性高的铂族金属(例如，铂)的构件。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2010-111533号公报
发明内容
发明所要解决的课题
澄清工序，在熔解工序至成形工序之间为熔融玻璃的温度最高的工序，进行澄清工序的澄清管，为了加热熔融玻璃而被加热至极高的温度。于是，用于澄清管的铂族金属，被由于熔融玻璃中的澄清剂的还原而产生的氧而氧化，作为氧化物挥发。另一方面，铂族金属的氧化物，在澄清管的局部温度下降的位置被还原，被还原的铂族金属凝集并附着于澄清管的内壁面。当附着于内壁面的铂族金属的一部分作为异物而混入熔融玻璃中时，有可能招致玻璃基板的品质的下降。特别是，由于澄清工序，在熔解工序至成形工序之间为熔融玻璃的温度最高的工序，因此，在主要进行澄清工序的澄清管中，被加热为极高的温度。因此，澄清管中的铂族金属的挥发旺盛，特别希望降低铂族金属的挥发及凝集。
本发明的目的在于提供一种玻璃基板的制造方法及玻璃基板制造装置，在玻璃基板的成形前，在处理熔融玻璃的工序中，降低用于玻璃处理装置的铂族金属的挥发，由此，能够抑制异物混入熔融玻璃。
解决课题的技术方案
本发明的玻璃基板的制造方法及玻璃基板制造装置包含以下的方式。
(方式1)
一种玻璃基板的制造方法，其特征在于，包括：使用处理装置处理熔融玻璃的工序，所述处理装置的内壁的至少一部分由含有铂族金属的材料构成，所述熔融玻璃含有因还原反应而放出氧的澄清剂，
在处理所述熔融玻璃的工序中，
在由所述处理装置的内壁和所述熔融玻璃的表面所形成的气相空间中，通过调整从所述熔融玻璃放出的氧的量而控制所述气相空间的氧浓度，从而抑制所述铂族金属的挥发。
(方式2)
一种玻璃基板的制造方法，其为使用用于处理熔融玻璃的处理装置处理熔融玻璃的玻璃基板的制造方法，
在处理含有因还原反应而放出氧的澄清剂的熔融玻璃时，
以在熔融玻璃的表面的上部形成气相空间的方式，将熔融玻璃向内壁的至少一部分由含有铂族金属的材料构成的处理装置的内部供给，
通过调整从所述熔融玻璃放出的氧的量而控制所述气相空间的氧浓度，从而抑制所述铂族金属的挥发。
(方式3)
根据方式1或2所述的玻璃基板的制造方法，所述玻璃基板含有0.01摩尔％～0.3摩尔％的氧化锡，
从所述熔融玻璃放出的氧的量受所述氧化锡的含有量调整。
(方式4)
根据方式1～3中任一项所述的玻璃基板的制造方法，通过进一步调整从所述气相空间向所述处理装置的外部排出的氧的量而控制所述氧浓度。
(方式5)
根据方式1～4中任一项所述的玻璃基板的制造方法，以所述氧浓度在规定的范围内的方式，将调节了供给量的气体供给至所述气相空间。
(方式6)
根据方式1～5中任一项所述的玻璃基板的制造方法，在所述处理装置中，使所述熔融玻璃沿所述熔融玻璃的与所述气相空间接触的表面的方向流动，
所述氧的放出量根据所述熔融玻璃的流动方向的位置而变化，
通过调整所述熔融玻璃的流动方向的位置上的所述氧的放出量的分布，
调整所述气相空间的所述熔融玻璃的流动方向上的氧浓度的分布从而抑制所述铂族金属的挥发。
(方式7)
根据方式6所述的玻璃基板的制造方法，所述处理装置的温度根据所述熔融玻璃的流动方向的位置而变化，
使用计算机模拟预测所述氧的放出量的分布，
使用所述计算机模拟确定处理条件，以使所述熔融玻璃的流动方向上的所述氧的放出量为最大的位置从所述处理装置的温度为最高的位置分开。
(方式8)
根据方式1～7中任一项所述的玻璃基板的制造方法，在所述处理装置中，使所述熔融玻璃沿所述熔融玻璃的与所述气相空间接触的表面的方向流动，
所述处理装置中的与气相空间接触的内壁的温度具有沿所述熔融玻璃的流动方向的温度分布，在所述熔融玻璃的处理中，以所述熔融玻璃的流动方向的气泡放出量最大位置与所述熔融玻璃的流动方向上的所述温度分布的最高温度位置在所述熔融玻璃的流动方向上分开的方式调整所述气泡放出量最大位置，其中在所述气泡放出量最大位置，从熔融玻璃的表面放出至所述气相空间的气泡的放出量为最大。
(方式9)
一种玻璃基板的制造方法，其为使用用于处理熔融玻璃的处理装置处理熔融玻璃的玻璃基板的制造方法，其特征在于，
具有熔解玻璃的原料而生成熔融玻璃的工序，
包括处理含有因还原反应而放出氧的澄清剂的熔融玻璃的工序，
在处理所述熔融玻璃的工序中，
以在熔融玻璃的表面的上部形成气相空间的方式，将熔融玻璃向内壁的至少一部分由含有铂族金属的材料构成的处理装置的内部供给，并且，在所述处理装置中，使所述熔融玻璃沿所述熔融玻璃的与所述气相空间接触的表面的方向流动，
所述处理装置中的与气相空间接触的内壁的温度具有沿所述熔融玻璃的流动方向的温度分布，
在所述熔融玻璃的处理中，以所述熔融玻璃的流动方向的气泡放出量最大位置与所述熔融玻璃的流动方向上的所述温度分布的最高温度位置、在所述熔融玻璃的流动方向上分开的方式调整所述气泡放出量最大位置，其中在所述气泡放出量最大位置，从与所述气相空间接触的熔融玻璃的表面放出至所述气相空间的气泡的放出量为最大。
(方式10)
根据方式8或9所述的玻璃基板的制造方法，所述处理装置包括所述内壁的至少一部分由含有铂族金属的材料构成的、至少进行所述熔融玻璃的脱泡的澄清管，
所述处理熔融玻璃的工序为包括在所述澄清管中进行所述熔融玻璃的脱泡的脱泡处理的澄清工序。
(方式11)
根据方式8～10中任一项所述的玻璃基板的制造方法，使用计算机模拟预测所述气泡放出量最大位置，
使用所述计算机模拟确定处理条件，以使所述气泡放出量最大位置与所述最高温度位置在所述熔融玻璃的流动方向上分开。
(方式12)
根据方式8～11中任一项所述的玻璃基板的制造方法，通过所述熔融玻璃的温度分布、以及所述熔融玻璃的流速的至少一项的调整进行所述气泡放出量最大位置的调整。
(方式13)
根据方式8～12中任一项所述的玻璃基板的制造方法，所述气泡放出量最大位置相对于所述最高温度位置而位于所述熔融玻璃的流动的下游侧。
(方式14)
根据方式8～13任一项所述的玻璃基板的制造方法，所述处理装置包括所述内壁的至少一部分由含有铂族金属的材料构成的、至少进行所述熔融玻璃的脱泡的澄清管，
在所述澄清管中设置有用于连通所述气相空间和所述处理装置的外侧的大气的排气管，
所述熔融玻璃的流动方向上的所述排气管的配置位置在所述气泡放出量最大位置和所述最高温度位置之间。
(方式15)
根据方式8～14中任一项所述的玻璃基板的制造方法，所述处理装置包括所述内壁的至少一部分由含有铂族金属的材料构成的、至少进行所述熔融玻璃的脱泡的澄清管，
在所述澄清管中设置有用于连通所述气相空间和所述澄清管的外侧的大气的排气管，
所述气泡放出量最大位置和所述熔融玻璃的流动方向上的所述排气管的配置位置，以所述温度分布的最高温度位置为基准，位于所述熔融玻璃的流动方向的同一侧。
(方式16)
根据方式14或15所述的玻璃基板的制造方法，在所述处理装置的外周设置有沿所述处理装置的外侧延伸的凸缘构件，所述凸缘构件的所述熔融玻璃的流动方向的配置位置位于所述气泡放出量最大位置和所述排气管的配置位置之间的区域以外的区域。
(方式17)
根据方式14～16中任一项所述的玻璃基板的制造方法，所述温度分布的所述最高温度位置、所述排气管的配置位置、以及所述气泡放出量最大位置，从所述熔融玻璃的流动方向的上游侧按照所述最高温度位置、所述排气管的配置位置、以及所述气泡放出量最大位置的顺序排列。
(方式18)
根据方式8～13中任一项所述的玻璃基板的制造方法，在所述处理装置中，设置有用于连通所述气相空间和所述处理装置的外侧的大气的排气管，
所述气泡放出量最大位置和所述熔融玻璃的流动方向上的所述排气管的配置位置位于所述熔融玻璃的流动方向的相同位置。
(方式19)
一种玻璃基板制造装置，其为使用用于处理熔融玻璃的处理装置处理熔融玻璃的玻璃基板制造装置，其特征在于，具备：
处理装置，其被构成为：内壁的至少一部分由含有铂族金属的材料构成，且向内部供给含有因还原反应而放出氧的澄清剂的熔融玻璃，且在所述熔融玻璃的表面的上部形成气相空间；以及
控制装置，其被构成为：通过调整从所述熔融玻璃放出的氧的量，且调整从所述气相空间排出的氧的量，使得所述气相空间的氧浓度在规定的范围内。
(方式20)
一种玻璃基板制造装置，其为使用用于处理熔融玻璃的处理装置处理熔融玻璃的玻璃基板制造装置，其特征在于，
具有：熔解槽，熔解玻璃的原料而生成熔融玻璃；以及处理装置，其被构成为：内壁的至少一部分由含有铂族金属的材料构成，且向内部供给含有因还原反应而放出氧的澄清剂的熔融玻璃，且使所述熔融玻璃沿所述熔融玻璃的与所述气相空间接触的表面的方向流动，在所述熔融玻璃的表面的上部形成气相空间，与所述气相空间接触的所述内壁的温度具有沿所述熔融玻璃的流动方向的温度分布，
在所述熔融玻璃的处理中，以所述熔融玻璃的流动方向的气泡放出量最大位置和所述熔融玻璃的流动方向上的所述温度分布的最高温度位置在所述熔融玻璃的流动方向上分开的方式调整所述气泡放出量最大位置，其中在所述气泡放出量最大位置，从熔融玻璃的表面放出至所述气相空间的气泡的放出量为最大。
(方式21)
根据方式19或20所述的玻璃基板的制造方法，所述处理装置包括进行所述熔融玻璃的脱泡的澄清管。
(方式22)
根据方式1～17中任一项所述的玻璃基板的制造方法、或根据方式19～21中任一项所述的玻璃基板制造装置，在所述处理装置的内部流动的熔融玻璃的最高温度为1630℃～1750℃。
(方式23)
根据方式1～18中任一项所述的玻璃基板的制造方法、或根据方式19～22中任一项所述的玻璃基板制造装置，所述玻璃基板的氧化锡的含有量为0.01摩尔％～0.3摩尔％。
(方式24)
根据方式1～18、22及23中任一项所述的玻璃基板的制造方法、或根据方式19～23中任一项所述的玻璃基板制造装置，所述气相空间中的铂族金属的蒸汽压为0.1Pa～15Pa。
(方式25)
根据方式1～24中任一项所述的玻璃基板的制造方法、或根据方式19～24中任一项所述的玻璃基板制造装置，通过由于所述铂族金属的挥发而生成的氧化物的凝集而生成的凝集物(以下，称为“铂族金属的凝集物”)，例如最大长度相对于最小长度之比的长短比为100以上。
例如，铂族金属的凝集物的最大长度为50μm～300μm、最小长度为0.5μm～2μm。在此，铂族金属的凝集物的最大长度是指与拍摄铂族金属的凝集物而得到的异物的像外接的外接长方形中的最大长边的长度，最小长度是指所述外接长方形的最小短边的长度。
或者，作为通过所述铂族金属的挥发物的凝集而生成的凝集物，可以规定，最大长度相对于最小长度之比的长短比为100以上，铂族金属的凝集物的最大长度为100μm以上，优选为100μm～300μm。
(方式26)
根据方式1～25中任一项所述的玻璃基板的制造方法、或根据方式19～25中任一项所述的玻璃基板制造装置，所述玻璃基板为显示器用玻璃基板。
并且，所述玻璃基板，优选氧化物半导体显示器用玻璃基板或者LTPS显示器用玻璃基板。
发明效果
根据上述各方式的玻璃基板的制造方法及玻璃基板制造装置，在熔融玻璃的处理工序例如澄清工序中，通过抑制铂族金属的挥发，能够抑制异物混入熔融玻璃。
附图说明
图1为示出玻璃基板的制造方法的工序的流程图。
图2为示出玻璃基板制造装置的构成的示意图。
图3为用于图2的制造装置的第一实施方式的澄清管的概略图。
图4为第一实施方式的澄清管的长度方向上的垂直截面图。
图5为示出第一实施方式的澄清管的长度方向上的位置和澄清管120的上端部的温度及氧放出量的关系的图。
图6为第二实施方式涉及的澄清管的外观图。
图7为表示第二实施方式涉及的澄清管的截面和澄清管的温度分布的图。
图8为示出实验例1的结果的图。
具体实施方式
参照附图，对于本发明涉及的玻璃基板的制造方法及玻璃处理装置的实施方式进行说明。此外，在本说明书中，所谓通过氧浓度等的调整来抑制异物混入熔融玻璃，是指与不进行上述调整的情况相比，使异物混入熔融玻璃的量降低，虽然也包含使异物混入熔融玻璃的量为零，但并不意味着将异物混入熔融玻璃的量限定为零。
在本说明书中，所谓液面的上部，是指相对于液面而位于垂直方向上方的部分。
在本说明书中，所谓从熔解槽朝向成形装置流动的熔融玻璃的上游侧，是指相对于观察的位置而制造熔融玻璃的熔解槽一侧。并且，所谓上述熔融玻璃的下游侧，是指相对于观察的位置的成形装置一侧。
在本说明书中，所谓处理装置的内部，是指被内壁包围的空间。
另外，所谓铂族金属的凝集物的异物，是指例如一个方向上形成细长的线状的形状，作为最大长度相对于最小长度之比的长短比超过100的物质。例如，铂族金属的凝集物的最大长度为50μm～300μm，最小长度为0.5μm～2μm。在此，铂族金属的凝集物的最大长度是指与拍摄铂族金属的凝集物而得到的异物的像外接的外接长方形中的最大长边的长度，最小长度是指所述外接长方形的最小短边的长度。
(玻璃基板的制造方法的整体概要)
图1为示出本实施方式的玻璃基板的制造方法的工序的一例的图。玻璃基板的制造方法，主要具有：熔解工序(ST1)、澄清工序(ST2)、搅拌工序(ST3)、成形工序(ST4)、退火工序(ST5)以及切断工序(ST6)。
在熔解工序(ST1)中，通过加热玻璃原料而制作熔融玻璃。熔融玻璃的加热，可以通过使电流流过熔融玻璃本身而使其发热从而进行加热的通电加热进行。并且，也可以通过燃烧器的辅助性加热而熔解玻璃原料。
此外，熔融玻璃含有澄清剂。作为澄清剂，抑制氧化锡、亚砷酸、锑等，没有特别的限制。但是，从降低环境负荷的观点出发，优选使用氧化锡作为澄清剂。
在澄清工序(ST2)中，由于熔融玻璃升温，产生含有熔融玻璃中所包含的氧、CO2或SO2的气泡。该气泡，吸收通过澄清剂的还原反应而生成的氧，气泡的直径扩大(成长)，上浮至熔融玻璃的液面即熔融玻璃的自由表面而破裂、消失，即，气泡中的气体被放出。其后，在澄清工序中，通过降低熔融玻璃的温度，通过澄清剂的还原反应而得到的还原物质发生氧化反应。由此，残存于熔融玻璃的气泡中的氧等的气体成分被再次吸收至熔融玻璃中，残存的气泡的直径缩小，气泡消失。通过澄清剂进行的氧化反应以及还原反应，通过控制熔融玻璃的温度而进行。
此外，澄清工序，也可以使用在减压气氛下使存在于熔融玻璃的气泡的直径扩大而使其脱泡的减压脱泡方式。减压脱泡方式，在不使用澄清剂这点上是有效的。但是，减压脱泡方式的装置复杂化及大型化。因此，优选采用使用澄清剂、使熔融玻璃温度上升的澄清方法。
在搅拌工序(ST3)中，通过使用搅拌器搅拌熔融玻璃，进行玻璃成分的同质化。由此，能够减少成为皮纹等的原因的玻璃的构成不均。
成形工序(ST4)及退火工序(ST5)在成形装置中进行。
在成形工序(ST4)中，将熔融玻璃成形为片状玻璃，制作片状玻璃流。成形中使用溢流下引法。
在退火工序(ST5)中，成形并流动的片状玻璃，成为希望的厚度，以不产生内部应变并且不产生翘曲的方式被冷却。
在切断工序(ST6)中，通过将退火后的片状玻璃切断为规定的长度，得到板状的玻璃基板。被切断的玻璃基板，进一步被切断为规定的尺寸，制作目标尺寸的玻璃基板。
(玻璃基板制造装置)
图2为进行本实施方式中的熔解工序(ST1)～切断工序(ST7)的玻璃基板制造装置的概略图。玻璃基板制造装置，如图2所示，主要具有：熔解装置100、成形装置200、切断装置300。熔解装置100具有：熔解槽101、澄清管120、搅拌槽103、移送管104、105、玻璃供给管106。
在图2所示的熔解槽101中设置有未图示的燃烧器等的加热单元。添加有澄清剂的玻璃原料投入熔解槽，进行熔解工序(ST1)。在熔解槽101中熔融的高温(例如，1500℃～1600℃)的熔融玻璃，经由移送管104而被供给至澄清管120。此外，在熔解槽101中，可以通过使电流流过至少一对电极之间而通电加热电极间的熔融玻璃，此外，也可以在通电加热的基础上，通过辅助性地付与燃烧器的火焰，而加热玻璃原料。
在澄清管120中，调整熔融玻璃MG的温度，利用澄清剂的氧化还原反应，进行熔融玻璃的澄清工序(ST2)。
具体而言，在熔解槽101中得到的熔融玻璃，从熔解槽101通过移送管104而流入澄清管120。澄清管120及移送管104、105及玻璃供给管106为铂族金属制的管。澄清管120中，与熔解槽101同样地设置有加热单元。并且，至少在移送管104中也设置有加热单元。在澄清工序ST2中，通过升温熔融玻璃而澄清熔融玻璃。例如，澄清管120中的熔融玻璃的温度为1600℃～1720℃。在澄清管120中被澄清的熔融玻璃，从澄清管120通过移送管105而流入搅拌装置103。熔融玻璃，通过移送管105时被冷却。于是，通过澄清剂的还原反应而放出氧，该放出的氧被包含于熔融玻璃中的气泡吸收。吸收氧而气泡直径增大的气泡上浮至熔融玻璃的表面(液面)，破裂、消失。然后，使熔融玻璃的温度下降。从而，被还原的澄清剂产生氧化反应，熔融玻璃吸收残存于熔融玻璃中的氧。
澄清后的熔融玻璃，经由移送管105而被供给至搅拌槽103。
在搅拌槽103中，通过搅拌器103a搅拌熔融玻璃，进行搅拌工序(ST3)。例如，在搅拌装置103中，熔融玻璃的温度为1250℃～1450℃。例如，在搅拌装置103中，熔融玻璃的粘度为500泊～1300泊。在搅拌槽103中被搅拌的熔融玻璃，经由玻璃供给管106而被供给至成形装置200。熔融玻璃，通过移送管106时，以成为适于熔融玻璃的成形的粘度而被冷却。例如，熔融玻璃被冷却至1100～1300℃。在成形装置200中，通过溢流下引法，从熔融玻璃成形片状玻璃(成形工序ST4)，退火(退火工序ST5)。
通过切断装置300，形成从片状玻璃被切出的板状的玻璃基板(切断工序ST6)。
澄清管120、搅拌槽103、移送管104、105以及玻璃供给管106，其内壁的至少一部分由包含铂族金属的材料构成。更优选的是，澄清管120、搅拌槽103、移送管104、105以及玻璃供给管106为铂族金属制的管。此外，在本说明书中，“铂族金属”，表示由铂族元素构成的金属的意思，其作为不仅包含由单一的铂族元素构成的金属也包含铂族元素的合金的用语使用。这里，铂族元素是指铂(Pt)、钯(Pd)、铑(Rh)、钌(Ru)、锇(Os)、铱(Ir)这六元素。铂族金属虽然高价，但其融点高，对于熔融玻璃的耐腐蚀性优异。
(玻璃基板的适用例)
玻璃基板的表面的铂族金属的凝集物，当在使用玻璃基板的面板制造工序中从玻璃基板的表面脱离时，脱离的表面的部分成为凹部，形成于玻璃基板上的薄膜不能均匀地形成，存在引起画面的显示缺陷的问题。进一步，当在玻璃基板中存在铂族金属的凝集物时，在退火工序中，由于玻璃和铂族金属的热膨胀率差而产生应变，因此，存在引起画面的显示缺陷的问题。因此，本实施方式适用于对于画面的显示缺陷要求严格的显示器用玻璃基板。特别是，本实施方式适用于对于画面的显示缺陷要求严格的、使用IGZO(铟、镓、锌、氧)等的氧化物半导体的氧化物半导体显示器用玻璃基板以及使用LTPS(低温多晶硅)半导体的LTPS显示器用玻璃基板等的高精细显示器用玻璃基板。
由以上可知，通过本实施方式的玻璃基板的制造方法制造的玻璃基板，适用于要求碱金属氧化物的含量极少的液晶显示器、等离子显示器、有机EL显示器等的面板显示器用的玻璃基板或平板显示器(FPD)用的玻璃基板。并且，也适用于氧化物半导体显示器用玻璃基板或者LTPS显示器用玻璃基板。进一步，作为保护显示器的盖玻璃、磁盘用玻璃、太阳能电池用玻璃基板也适用。作为面板显示器或平板显示器用的玻璃基板，使用无碱玻璃或者含有微量碱的玻璃。面板显示器或平板显示器用的玻璃基板，高温时的粘性高。例如，具有102.5泊的粘性的熔融玻璃的温度为1500℃以上。
此外，作为显示器用玻璃基板，玻璃基板中的铂族金属的凝集物数目优选为1000个/m3以下，更优选为100个/m3以下，进一步优选为50个/m3以下。并且，玻璃基板中的气泡数目优选为1000个/m3以下，更优选为200个/m3以下，进一步优选为50个/m3以下。如此，通过降低玻璃基板中的铂金金属凝集物数目及气泡数目，能够降低显示器的显示不良数，使成品率提高。
(玻璃组成)
在熔解槽101中，玻璃原料通过未图示的加热单元熔解，生成熔融玻璃。玻璃原料，以能够实质上得到希望的组成的玻璃的方式被调制。作为玻璃的组成的一例，作为面板显示器或平板显示器用的玻璃基板而优选的无碱玻璃，含有SiO2：50质量％～70质量％、Al2O3：10质量％～25质量％、B2O3：0质量％～15质量％、MgO：0质量％～10质量％、CaO：0质量％～20质量％、SrO：0质量％～20质量％、BaO：0质量％～10质量％。这里，MgO、CaO、SrO以及BaO的合计的含有量为5质量％～30质量％。
或者，适合氧化物半导体显示器用玻璃基板及LTPS显示器用玻璃基板的玻璃基板，含有SiO2：55质量％～70质量％、Al2O3：15质量％～25质量％、B2O3：0质量％～10质量％、MgO：0质量％～10质量％、CaO：0质量％～20质量％、SrO：0质量％～20质量％、BaO：0质量％～10质量％。这里，MgO、CaO、SrO以及BaO的合计的含有量为5质量％～30质量％。此时，更优选含有60质量％～70质量％的SiO2、含有3质量％～10质量％的BaO。
作为面板显示器或平板显示器用的玻璃基板，除了无碱玻璃之外，也可以使用含有微量碱金属的含有微量碱的玻璃。玻璃基板的玻璃为含有氧化锡的无碱玻璃或者含有氧化锡的含有微量碱的玻璃时，抑制后述的用于本实施方式的玻璃处理装置的内壁的铂族金属的挥发而生成的铂族金属的凝集物的异物混入熔融玻璃的效果显著。无碱玻璃或者含有微量碱的玻璃，与碱性玻璃相比，其玻璃粘度高。由于在熔解工序中通过提高熔融温度，更多的氧化锡在熔解工序中被还原，因此，为了得到澄清效果，需要提高澄清工序中的熔融玻璃温度，促进氧化锡的还原，并且使熔融玻璃粘度下降。此外，氧化锡与现有作为澄清剂使用的亚砷酸或锑相比，促进还原反应的温度高，因此，为了提高熔融玻璃的温度而促进澄清，需要提高澄清管120的内壁的温度。也就是说，在制造含有氧化锡的无碱玻璃基板或者含有氧化锡的含有微量碱的玻璃的玻璃基板的情况下，需要提高澄清工序中的熔融玻璃温度，因此，容易产生铂族金属的挥发。
此外，无碱玻璃基板为实质上不含有金属氧化物(Li2O、K2O以及Na2O)的玻璃。此外，含有微量碱的玻璃为碱金属氧化物的含量(Li2O、K2O以及Na2O的合量)在0以上0.8摩尔％以下的玻璃。含有微量碱的玻璃，作为成分，例如含有0.1质量％～0.5质量％的碱金属氧化物，优选含有0.2质量％～0.5质量％的碱金属氧化物。这里，碱金属氧化物为选自Li2O、Na2O以及K2O中的至少一种。碱金属氧化物的含量的合计可以为不足0.1质量％。玻璃基板中的碱金属氧化物的含量即使为0～0.8摩尔％，通过后述的方法，也能够抑制铂族金属的凝集物作为异物而混入熔融玻璃中。
通过本实施方式制造的玻璃基板，除了上述成分之外，还可以含有0.01质量％～1质量％(优选0.01质量％～0.5质量％)的SnO2、0质量％～0.2质量％(优选0.01质量％～0.08质量％)的Fe2O3。通过本实施方式制造的玻璃基板，考虑到环境负荷，优选不含有或实质上不含有As2O3、Sb2O3以及PbO。
此外，作为通过本实施方式制造的玻璃基板，进一步例示以下的玻璃组成的玻璃基板。从而，以玻璃基板具有以下的玻璃组成的方式，调制玻璃原料。
例如，以摩尔％表示，含有：SiO255～75摩尔％、Al2O35～20摩尔％、B2O30～15摩尔％、RO5～20摩尔％(RO为MgO、CaO、SrO以及BaO的合量)、R’2O0～0.4摩尔％(R’为Li2O、K2O以及Na2O和合量)、SnO20.01～0.4摩尔％。此时，SiO2、Al2O3、B2O3以及RO(R为Mg、Ca、Sr以及Ba中的所述玻璃基板所含有的全元素)的至少一种，摩尔比((2×SiO2)+Al2O3)/((2×B2O3)+RO)可以为4.0以上。摩尔比((2×SiO2)+Al2O3)/((2×B2O3)+RO)为4.0以上的玻璃，为高温粘性高的玻璃的一例。高温粘性高的玻璃，由于一般情况下需要提高澄清工序中的熔融玻璃温度，因此，易于产生铂族金属的挥发。也就是说，在制造具有这种组成的玻璃基板的情况下，后述的本实施方式的效果即抑制铂族金属的凝集物作为异物而混入熔融玻璃中的效果显著。此外，高温粘性示出熔融玻璃为高温时的玻璃的粘性，这里所说的高温例如显示1300℃以上。
本实施方式使用的熔融玻璃，可以为粘度为102.5泊时的温度为1500～1700℃的玻璃组成。这种玻璃为高温粘性高的玻璃，高温粘性高的玻璃，由于一般情况下需要提高澄清工序中的熔融玻璃温度，因此，易于产生铂族金属的挥发。也就是说，即使为高温粘性高的玻璃组成，后述的本实施方式的效果即抑制铂族金属的凝集物作为异物而混入熔融玻璃中的效果也是显著的。
本实施方式使用的熔融玻璃的应变点可以为650℃以上，较优选为660℃以上，进一步优选为690℃以上，特别优选为730℃以上。并且，应变点高的玻璃，存在粘度为102.5泊的熔融玻璃的温度变高的倾向。也就是说，制造应变点越高的玻璃基板，后述的本实施方式的效果即抑制铂族金属的凝集物作为异物而混入熔融玻璃中的效果越显著。并且，应变点越高的玻璃，由于使用于高精细显示器，因此，对于铂族金属的凝集物作为异物混入的问题的要求越严格。因此，应变点越高的玻璃基板，越适用能够抑制铂族金属的凝集物的异物混入的本实施方式。
此外，以成为含有氧化锡、粘度为102.5泊时的熔融玻璃的温度为1500℃以上的玻璃的方式，熔解玻璃原料的情况下，本实施方式的上述效果更为显著，粘度为102.5泊时的熔融玻璃的温度，例如为1500℃～1700℃，也可以为1550℃～1650℃。
熔融玻璃所包含的澄清剂例如氧化锡的含量变化的话，从熔融玻璃放出至气相空间的氧的放出量也变化。从抑制铂族金属的挥发的观点出发，气相空间中的氧浓度，优选通过氧化锡的含量控制(调整)。因此，从抑制铂或者铂合金等的挥发的观点出发，氧化锡的含量受到限制，为0.01～0.3摩尔％，优选为0.03～0.2摩尔。氧化锡的含量多的话则产生在熔融玻璃中发生氧化锡的二次结晶的问题，因此不优选。并且，氧化锡的含量过多的话，则从熔融玻璃放出至气相空间的氧增加，气相空间的氧浓度过分上升，产生来自处理装置的铂族金属的挥发量增加的问题。氧化锡的含量过少的话则熔融玻璃的气泡的脱泡不充分。
(第一实施方式的澄清管的构成)
下面，参照图3、图4，对于第一实施方式涉及的澄清管120的构成进行说明。图3为示出第一实施方式的澄清管120的构成的概略图。图4为澄清管120的长度方向上的垂直截面图。
如图3、图4所示，在澄清管120的长度方向的两端的外周面上，设置有电极121a、121b，在与澄清管120的气相空间接触的壁上，设置有排气管127。也就是说，本实施方式的澄清工序，为处理含有因还原反应而放出氧的澄清剂的熔融玻璃的工序，在该澄清工序中，在内壁的至少一部分由含有铂族金属的材料构成的处理装置的内部，以在熔融玻璃的表面的上部形成气相空间的方式，供给熔融玻璃。并且，在澄清管120中，熔融玻璃在澄清管120的长度方向上流动。
此外，在澄清管120的外部，也可以设置未图示的隔热材料(例如，耐火砖、耐火隔热砖等)。
澄清管120的电极121a、121b以及排气管127，由上述的铂族金属构成。
此外，在本实施例中，以澄清管120由铂族金属构成的情况为具体例而说明，澄清管120的一部分也可以由耐火物或其他金属等构成。
电极121a、121b，连接于电源装置122。通过在电极121a、121b之间施加电压，电流流过电极121a、121b之间的澄清管120，澄清管120被通电加热。通过该通电加热，以澄清管120的主体的最高温度例如为1600℃～1750℃、更优选为1630℃～1750℃的方式进行加热，从移送管104供给的熔融玻璃的最高温度被加热至适于脱泡的温度，例如为1600℃～1720℃，更优选为1620℃～1720℃。
此外，通过通电加热控制熔融玻璃的温度，调节熔融玻璃的粘度，由此，能够调整通过澄清管120的熔融玻璃的流速。
此外，在电极121a、121b上可以设置未图示的温度测量装置(热电偶等)。温度测量装置测量电极121a、121b的温度，将测量的结果输出至控制装置123。
控制装置123控制电源装置122使澄清管120通电的电流量，由此，控制通过澄清管120的熔融玻璃的温度以及流速。控制装置123为包含CPU、存储器等的计算机。
如图3、图4所示，在电极121a上，可以设置用于将净化气体供给至与澄清管120内的气相空间接触的熔融玻璃的表面(液面)的上方的气相空间120a的净化气体供给管124a。同样地，在电极121b上，也可以设置用于将净化气体供给至与澄清管120内的气相空间接触的熔融玻璃的表面(液面)的上方的气相空间120a的净化气体供给管124b。
在本实施方式中，净化气体供给管124a与净化气体供给装置125a连接，净化气体从熔融玻璃的上游侧从净化气体供给装置125a经由净化气体供给管124a而被供给至澄清管120内的气相空间120a。同样地，净化气体供给管124b与净化气体供给装置125b连接，净化气体从熔融玻璃的下游侧从净化气体供给装置125b经由净化气体供给管124b而被供给至澄清管120内的气相空间120a。在此，所谓上游侧及下游侧，是指相对于熔融玻璃流动的方向的气相空间120a的中央位置而言的上游侧及下游侧。
通过调节净化气体供给管124a、124b的内径，能够调节从净化气体供给管124a、124b供给的净化气体的量。
可以使用对于铂为非活性的气体、与铂族金属的反应性比氧低的气体，作为净化气体。具体而言，可以使用氮气(N2)、稀有气体(例如氩气(Ar))等。此外，在图4中，以氮气作为净化气体为例进行了记载。
净化气体供给装置125a、125b通过控制装置123控制，调整净化气体的供给量、供给压力。
在澄清管120的与气相空间接触的壁上，设置有排气管127。排气管127设置于气相空间120a的上部。排气管127优选设置于澄清管120中的熔融玻璃的流动方向的上游侧端部和下游侧端部之间的位置。排气管127，可以为从澄清管120的主体外壁面向外侧呈烟囱状突出的形状。排气管127，连通气相空间120a(参照图4)和澄清管120的外部空间。
氧浓度计128设置于排气管127。氧浓度计128测量通过排气管127的气体的量以及氧浓度，将该测量信号输出至控制装置123。氧浓度计128没有特别的限定，可以使用公知的氧浓度计。
在本实施方式中，通过调整例如澄清剂的含量、熔融玻璃的温度、熔融玻璃的粘度、玻璃原料的种类、熔融玻璃的温度履历中的一个或其组合，控制从熔融玻璃放出的氧量。放出的氧量的控制，通过以下说明的澄清剂的含量、熔融玻璃的温度以及粘度、玻璃原料的种类、以及熔融玻璃的温度履历中的至少一个的调整而进行。
(澄清剂的含量)
例如，澄清剂的含量增加的话，在澄清管120中放出至气相空间120a的氧量增加。另一方面，如果减少澄清剂的含量的话，能够降低从熔融玻璃放出的氧量。
此外，澄清剂的量过少的话则不能充分地减少残存于熔融玻璃的气泡。因此，澄清剂例如为氧化锡的话，澄清剂的含量为0.01摩尔％～0.3摩尔％，优选为0.03摩尔％～0.2摩尔％或者0.01～0.5质量％。也就是说，在本实施方式中，通过以0.01摩尔％～0.3摩尔％的范围调整玻璃基板的氧化锡的含量，调整气相空间的氧浓度，能够兼顾澄清剂的气泡减少和铂族金属的挥发抑制。
(熔融玻璃的温度以及粘度)
熔融玻璃的温度能够通过澄清管120的温度调整。使熔融玻璃的温度上升时，通过澄清剂的还原反应从熔融玻璃放出的氧的量增加。当熔融玻璃的温度低时，氧的发生量少，不能充分地得到澄清效果。并且，当熔融玻璃的温度低时，熔融玻璃粘度变大，气泡的上浮速度变慢。从而，气相空间120a不再放出熔融玻璃中的气泡，不能充分地进行澄清。
另一方面，当为了提高熔融玻璃的温度而提高澄清管120的温度时，产生铂族金属的挥发的问题。因此，为了在抑制铂族金属的挥发的同时维持气泡的产生，澄清管120的温度，例如以成为1600～1750℃的方式控制。由此，澄清管120内的熔融玻璃的最高温度为1630℃～1750℃，优选为1650℃～1750℃。此时，熔融玻璃的最小粘度为200～800泊。也就是说，在本实施方式中，通过以1600℃～1750℃的范围调整澄清工序中的澄清管的最高温度，调整气相空间的氧浓度，能够兼顾澄清剂的气泡减少和铂族金属的挥发抑制。
(玻璃原料的种类)
熔融玻璃中含有的氧量，因玻璃原料所含有的氧化物的量而变化。因此，通过调整玻璃原料的种类以及量，具体而言，通过调整玻璃原料所含有的氧化物的量，能够调整放出至澄清管120内的气相空间120a的氧量。
(熔融玻璃的温度履历)
在澄清工序之前的工序(熔解工序)也产生澄清剂的还原反应，有时也从熔融玻璃放出氧，因此，放出至澄清管120内的气相空间120a的氧量，因在澄清工序之前的工序(熔解工序)中从熔融玻璃放出的氧量而变化。因此，可以通过熔解槽101中的熔解温度等调整放出至澄清管120内的气相空间120a的氧量。具体而言，熔解工序中的温度越低，熔解工序中的澄清剂的还原反应越减少，来自熔解工序中的熔融玻璃的氧放出量越减少，因此，放出至澄清管120内的气相空间120a的氧量增加。但是，当熔解工序中的熔融温度过低时则产生不能充分地熔解玻璃原料的问题，当熔解工序中的熔融温度过高时则澄清剂的还原反应增加，结果产生不能充分地得到澄清工序中的澄清效果的问题。因此，例如，通过以1500℃～1610℃的范围调整熔解工序中的熔融玻璃温度的最高温度，调整澄清管120内的气相空间的氧浓度，能够兼顾玻璃原料的充分熔解和构成澄清管120的壁的铂族金属的挥发抑制。
此外，澄清剂的还原反应量也因熔解工序之后的熔融玻璃的升温速度而变化。具体而言，熔解工序之后的熔融玻璃的升温速度越快，则澄清剂的还原反应越被促进。但是，当升温速度过快时则移送管104和澄清管120的温度变得过高，产生移送管104和澄清管120的熔损以及移送管104和澄清管120的铂族金属的挥发增加的问题，当升温速度过慢时则产生无法充分地得到澄清工序中的澄清效果的问题。因此，例如，在移送管104中使熔融玻璃温度升温至1630℃以上的情况下，通过在3℃/分钟～20℃/分钟的范围调整移送管中的熔融玻璃的升温速度，且调整以的升温速度使所述熔融玻璃的温度升温至1630℃以上的澄清管120内的气相空间的氧浓度，能够兼顾澄清剂的气泡减少和铂族金属的挥发抑制。更优选的是，在以3℃/分钟～10℃/分钟的升温速度使熔融玻璃的温度升温至1630℃以上的范围内调整升温速度以及熔融玻璃温度。
为了铂族金属的挥发，优选以气相空间120a的氧浓度为0～10％的方式调整。此外，使气相空间120a的氧浓度为0％的话，能够抑制铂族金属的挥发，因此，从抑制铂族金属的挥发的观点出发，优选使氧浓度为0％。但是，总是使气相空间120a的氧浓度为0％的话，存在极度减少澄清剂的含量和成本增加的问题，因此，为了实现澄清或者低成本和铂族金属的挥发的抑制，优选以以气相空间120a的氧浓度为0.01％以上的方式进行调节。并且，优选以以气相空间120a的氧浓度为10％以下的方式进行调节。为了兼顾铂族金属的挥发抑制和气泡数目降低，优选以0.1％以上3.0％以下的范围进行调节，更优选以0.1％以上1.0％以下的范围进行调节，进一步优选以0.3％以上0.7％以下的范围进行调节。这里，当气相空间的氧浓度变得过小时，则由于熔融玻璃和气相空间的氧浓度差变大而从熔融玻璃放出至气相空间120a的氧增加，熔融玻璃被过度还原，结果，在成形后的玻璃基板中有可能残存硫氧化物或氮气等的气泡。另一方面，当氧浓度过大时，则铂族金属的挥发被促进，挥发的铂族金属的析出量有可能增大。并且，当气相空间的氧浓度过大时，熔融玻璃和气相空间的氧浓度差变得过小，氧难以从熔融玻璃放出至气相空间120a，结果导致玻璃基板中的氧等的气泡的残存量增加。
并且，在本实施方式中，通过调整熔融玻璃的温度分布、熔融玻璃的流速、澄清剂的含量，也能够调整澄清管120的长度方向的位置中的从熔融玻璃放出的氧量的分布、从与气相空间接触的熔融玻璃的液面(液面)放出至气相空间的氧的放出量成为最大的熔融玻璃的流动方向的位置(氧放出量最大位置)。由此，能够控制气相空间120a中的氧浓度的分布。
氧放出量最大位置，在本实施方式中，以在熔融玻璃的流动方向上，从熔融玻璃的温度成为最高的熔融玻璃的流动方向上的位置(最高温度位置)分开的方式调整。
此外，温度越高，铂族金属的挥发越被促进。因此，最高温度位置，成为铂族金属最旺盛地易于挥发的温度条件。并且，氧的含量越多的气氛，铂族金属的挥发越旺盛。
因此，通过以氧放出量最大位置和最高温度位置在熔融玻璃的流动方向上分开的方式调整氧放出量最大位置，在氧放出量最大位置，从与气相空间接触的熔融玻璃的表面(液面)放出的气泡中的氧流动至最高温度位置的情况变少。因此，通过熔融玻璃的脱泡而放出的氧，流入铂族金属从澄清管120的壁旺盛地挥发的最高温度位置，与促进铂族金属的挥发的情况相比，最高温度位置中的铂族金属的挥发降低。因此，能够抑制以下情况：铂族金属的挥发物凝集于澄清管120的壁而制造凝集物，该凝集物的一部分作为微粒子脱离而混入熔融玻璃。以下对于该点进行说明。
图5为示出澄清管120的长度方向上的位置(熔融玻璃的流动方向的位置)和澄清管120的上端部的温度及氧放出量之间的关系的图。在图5中，横轴表示熔融玻璃的流动方向的位置即澄清管120长度方向的位置，左侧的纵轴表示澄清管120的温度，右侧纵轴表示氧放出量。
图5的实线的曲线表示长度方向上的位置和澄清管120的温度的关系。本实施方式的澄清管120，其电极121a、121b为凸缘形状，具有高散热功能，因此，澄清管120的两端附近的温度易于变为局部低温。并且，由于排气管127也从澄清管120突出，因此，澄清管120的排气管127附近的温度也易于变为局部低温。因此，澄清管120的壁的温度由于熔融玻璃的流动方向的位置而变化。
例如，澄清管120的两端附近(即，电极121a、121b的附近)以及排气管127的附近，在熔融玻璃的流动方向的位置成为低温的区域。另一方面，排气管127和电极121a、121b之间的中间部分，在熔融玻璃的流动方向的位置成为高温的区域。这种澄清管120的温度分布中的最低温度，由于通过电极121a、121b的澄清管120的通电加热，例如成为1500℃以上的高温。
图5示出澄清管120的温度分布的一例。在该温度分布中，以P表示温度为最高温度Tmax℃的长度方向上的位置(最高温度位置)。
在此，最高温度位置不限于位置P，具有位置P周围的容许范围。最高温度位置P的容许范围，优选为(Tmax-20)℃～Tmax℃的范围内的温度区域，进一步优选为(Tmax-10)℃～Tmax℃的范围内的温度区域，特别优选为(Tmax-5)℃～Tmax℃的范围内的温度区域。以后，将具有容许范围的最高温度位置称为最高温度位置范围R。在图5中，以(Tmax-20)℃～Tmax℃的范围内的温度区域表示最高温度位置范围R。
另一方面，图5的一点划线的曲线表示长度方向上的位置和氧放出量的关系。熔融玻璃在澄清管120内被加热时，氧由于熔融玻璃内的澄清剂的还原反应而向熔融玻璃中放出。该氧的放出激烈地发生。放出的氧，被熔融玻璃中的气泡吸收，气泡的直径扩大(气泡成长)，或者，成为熔融玻璃中的气泡而吸收熔融玻璃中已有的气泡，气泡的直径扩大(气泡成长)，战胜熔融玻璃的粘性而朝向与气相空间接触的熔融玻璃的表面(液面)开始上浮。此时，从熔融玻璃的表面(液面)放出的氧的放出量成为最大的澄清管120的长度方向的位置(氧放出量最大位置)A，以与上述最高温度位置范围R在澄清管120的长度方向(熔融玻璃的流动方向)上分开的方式调整。具体而言，氧放出量最大位置A，优选以相对于最高温度位置范围R而位于熔融玻璃流的下游侧的方式调整。
一般地，熔融玻璃的温度越高，放出氧的澄清剂的还原反应越活跃，熔融玻璃的温度越高的区域，熔融玻璃的粘度变得越小，熔融玻璃的上浮速度越快。并且，与熔融玻璃接触的内壁的温度越高的区域，熔融玻璃的温度变得越高，从而，气泡从熔融玻璃的放出变得越活跃。因此，一般情况下，氧放出量最大位置A和最高温度位置范围R大致一致。但是，在本实施方式中，如上所述，以氧放出量最大位置A相对于最高温度位置范围R分开的方式时，调整氧放出量最大位置A。
此外，利用计算机模拟能够求得氧放出量及氧放出量的分布。例如，通过预先实验等，确定氧放出量的上限及下限以及氧放出量的分布。氧放出量增大，气相空间的氧浓度上升，为了抑制铂族金属的挥发促进，设定氧放出量的上限；氧放出量减少，熔融玻璃中的气泡的直径不增大、气泡的上浮速度不增大，以脱泡效果不降低的方式设定氧放出量的下限。并且，在适于效率高的脱泡和抑制铂族金属的挥发的氧放出量的分布中，也在上述的上限和下限之间确定。以实现这种氧放出量位于上述上限和下限之间的目标氧放出量以及目标氧放出量的分布的方式，利用计算机模拟，抽出澄清条件。澄清条件中，例如包含澄清剂的含量、熔融玻璃的温度、熔融玻璃的粘度、玻璃原料的种类以及熔融玻璃的温度履历中的一个或其组合。
在计算机模拟中，例如将澄清管120和设置于其周围的未图示的隔热材料和澄清管120的通电加热模块化而进行热传导模拟的同时，使用作为该模拟结果的熔融玻璃的温度以及温度分布的计算结果，使用预先设定的熔融玻璃的温度和澄清剂的氧的放出量的对应关系，确定澄清剂的氧的放出量和放出量的分布，模拟熔融玻璃中的还原反应，进一步，预先设定于熔融玻璃中的气泡吸收氧，模拟气泡的直径扩大和直径扩大的气泡上浮，从而能够预测氧放出量及其分布。
进一步，将澄清管120和设置于其周围的未图示的隔热材料和澄清管120的通电加热模块化而进行热传导模拟的同时，使用作为该模拟结果的熔融玻璃的温度的计算值，使用预先设定的熔融玻璃的温度和澄清剂的氧的放出量的对应关系，确定澄清剂的氧的放出量，使规定的尺寸的气泡产生，模拟熔融玻璃中的氧化还原反应，进一步，预先设定于熔融玻璃中的气泡吸收氧，模拟气泡的直径扩大和直径扩大的气泡上浮，从而能够预测氧放出量最大位置A。这种情况下，也能够预测氧的整体的放出量。这种模拟，可以使用公知的模拟程序等在计算机上执行。并且，能够以氧放出量最大位置A与最高温度位置范围R在熔融玻璃的流动方向上分开的方式，使用计算机模拟决定澄清条件。
这里，氧放出量最大位置A，可以通过在澄清管120内流动的熔融玻璃的温度分布、熔融玻璃的流速、澄清剂的含量以及种类中的至少一个的调整而进行。熔融玻璃的温度分布，对于从澄清剂放出的氧的量以及氧的放出开始位置乃至熔融玻璃中的气泡的上浮速度产生影响。熔融玻璃的温度分布，例如可以通过加热电极121b的通电加热中的澄清管120的加热量，或者通过澄清管120的外周上的电流分布的调整而调整。并且，熔融玻璃的温度分布，例如，可以通过从澄清管120的外周朝向外侧的散热量的调整而调整。散热量的调整，通过包围澄清管120的外周的隔热材料的隔热特性(热传导率等)或热阻(＝(隔热材料的厚度)/热传导率)而进行。可以变更这种调整参数，使用计算机模拟调整氧放出量最大位置A。
熔融玻璃的流速，对于从熔融玻璃中的氧的放出开始位置开始至熔融玻璃的表面(液面)中的氧的放出位置为止的距离产生影响。熔融玻璃的流速的调整，例如，可以通过澄清管120的熔融玻璃的流出口附近的熔融玻璃的温度(粘度)或成形装置200等的位于之后工序的装置的熔融玻璃的引出量调整。变更这种调整参数，可以使用计算机模拟调整氧放出量最大位置A。
实际在制造玻璃基板时，使用通过计算机模拟调整的氧放出量最大位置A成为希望的位置时的上述调整参数的各值(澄清条件)。
在本实施方式中，澄清管120中，设置有连通气相空间120a和澄清管120的外侧的大气的排气管127。熔融玻璃的流动方向上的排气管127的配置位置，优选在氧放出量最大位置A和最高温度位置范围R之间。这样，通过确定排气管127的配置位置，在含有来自与气相空间接触的熔融玻璃的表面(液面)的氧的气泡大量放出的氧放出量最大位置A，从表面放出的气泡中的氧，在通过气流流至最高温度位置范围R之前，氧的大部分被从排气管127放出至澄清管120a的外侧。因此，在氧放出量最大位置A放出的气泡中的氧流至最高温度位置范围R的可能性低，能够降低最高温度位置范围R内的铂族金属的挥发。
氧放出量最大位置A及排气管127优选相对于最高温度位置范围R(包含最高温度位置P)均位于同一侧。也就是说，优选的是，氧放出量最大位置A及排气管127在熔融玻璃的流动方向上，均位于最高温度位置范围R的上游侧，或均位于最高温度位置范围R的下游侧。这种情况下，在氧放出量最大位置A放出的气泡中的氧流至最高温度位置范围R的可能性低，能够降低最高温度位置范围R内的铂族金属的挥发。
例如，从熔融玻璃的上游侧，可以按照最高温度位置范围R、氧放出量最大位置A、排气管127的顺序配置。这种情况下，在氧放出量最大位置A放出的氧沿排气管127的方向流动，因此，在氧放出量最大位置A放出的氧，在熔融玻璃的最高温度位置范围R附近的气相空间120a的温度高的气氛中难以流动。
特别优选的是，从熔融玻璃的上游侧，按照最高温度位置范围R、排气管127的配置位置、氧放出量最大位置A的顺序配置。
此外，氧放出量最大位置A、排气管127的配置位置，在熔融玻璃的流动方向上可以为相同的位置。通过使氧放出量最大位置A和排气管127的配置位置在熔融玻璃的流动方向上为相同的位置，在氧放出量最大位置A从熔融玻璃的表面(液面)放出的氧可以经由位于上方的排气管127而放出至澄清管120的外侧。这种情况下，在氧放出量最大位置A从熔融玻璃的表面放出的氧，不会在气相空间120a内扩散，并且不会在气相空间120a内流动而流向排气管127。因此，在氧放出量最大位置A从熔融玻璃的表面(液面)放出的氧，几乎不再被用于铂族金属的挥发。此外，所谓使氧放出量最大位置A和排气管127的配置位置在熔融玻璃的流动方向上为相同的位置，是指在熔融玻璃的流动方向上，氧放出量最大位置A，位于以排气管127的中心位置为中心的排气管127的管直径的尺寸的范围内的区域。并且，对于氧放出量最大位置A，在确定了氧放出量最大位置A的容许范围的情况下，该容许范围可以与上述管直径的尺寸的范围内的区域部分重合。
在本实施方式中，在澄清管120的外周，设置沿澄清管120的外侧延伸的凸缘形状的构件(例如，电极121a、121b等)。凸缘形状的构件，优选在熔融玻璃的流动方向上，位于氧放出量最大位置A和排气管127的位置之间的区域以外的区域。也就是说，优选的是，凸缘形状的构件，与氧放出量最大位置A和排气管127的位置相比位于熔融玻璃的上游侧，或者与氧放出量最大位置A和排气管127的位置相比位于熔融玻璃的下游侧。由于从凸缘形状的构件向外部的散热量大，因此，澄清管120的设置有凸缘形状的构件的部分的附近，温度局部变低。这种情况下，气相空间120a内的铂族金属的挥发物，通过凸缘形状的构件的附近而被冷却还原，被还原的铂族金属有时会凝集于澄清管120的内壁面。因此，优选不将凸缘形状的构件配置于氧放出量最大位置A和排气管127的配置位置之间的区域。
此外，在本实施方式中，调整从设置于气相空间120a的上部的排气管127排出的氧的量。
从排气管127排出的氧的量，通过氧浓度计128测量从排气管127排出的气体的氧浓度的同时，测量从排气管127排出的气体的总量，从而能够算出。通过根据由氧浓度计128测量的氧浓度调节从排气管127排出的气体的总量，能够调整排出的氧的量。
例如，在排气管127设置吸引气相空间120a内的气体的吸引装置，通过调整吸引装置的输出，能够调整从排气管127排出的气体的总量。并且，如图4所示，在将净化气体供给至气相空间120a的情况下，通过控制吸引装置，也可以调节供给至气相空间120a的净化气体的量。
在本实施方式中，通过调整从熔融玻璃放出的氧的量的同时，调整从设置于气相空间120a的上部的排气管127排出的氧的量，以气相空间120a的氧浓度为规定的范围的方式而调整。由此，抑制了铂族金属的氧化挥发，降低了由于挥发的铂族金属被还原而产生的铂族金属的析出量。使用氧化锡作为澄清剂的情况下，与使用As2O3、Sb2O3的情况相比较，氧化锡发挥澄清效果的温度域变高，铂族金属的挥发变得显著，因此，本实施方式的效果特别有效。
此外，在本实施方式中，通过从净化气体供给管124a及净化气体供给管124b将净化气体供给至澄清管120内的气相空间120a，排出从澄清管120内的熔融玻璃放出的氧，而能够使气相空间120a的氧浓度下降。此时，通过根据由氧浓度计128测量的氧浓度调节净化气体的供给量，以气相空间120a氧浓度为规定的范围的方式进行调节。由此，抑制了铂族金属的氧化挥发，降低了由于挥发的铂族金属被还原而产生的铂族金属的析出量。
在本实施方式中，在测量从排气管127排出的气体的量的同时，通过氧浓度计128测量氧浓度，以从排气管127排出的氧量(＝从排气管127排出的气体的总量×氧浓度)为规定的范围的方式，调节净化气体的供给量。也就是说，由氧浓度计128测量的来自排气管127的全部排气量以及排气中的氧浓度的信号被输出至控制装置123，控制装置123根据来自氧浓度计128的信号控制净化气体供给装置125a、125b，调整净化气体的供给量、供给压力。
从澄清管120内的熔融玻璃放出的氧的量，在本实施方式中，以熔融玻璃的上游侧比下游侧多的方式调整，因此，优选的是，使从熔融玻璃的上游侧供给的净化气体多于从熔融玻璃的下游侧供给的净化气体。也就是说，优选的是，使从净化气体供给管124a供给的净化气体的量多于从净化气体供给管124b供给的净化气体的量。通过使从净化气体供给管124a供给的净化气体的量多于从净化气体供给管124b供给的净化气体的量，能够更为有效地通过净化气体稀释从熔融玻璃放出的氧并排出。
此外，可以在排气管127设置吸引气相空间120a内的气体的吸引装置。通过吸引装置使排气管127侧减压(例如，与气相空间120a内的压力相比减压10Pa左右)，能够有效地排出气相空间120a内的氧及净化气体。并且，也可以通过控制吸引装置而调节供给至气相空间120a的净化气体的量。
(第二实施方式的澄清管的构成)
下面，对于第二实施方式的澄清管120的构成进行详细说明。此外，澄清装置，除了澄清管120之外，还包含排气管(通气管)127、电极121a、121b以及包围澄清管120的外周的未图示的耐火物保护层及耐火砖。图6为主要表示澄清管120的外观图。图7为示出表示澄清管120的内部的截面图和澄清管的温度分布的一例的图。
在澄清管120中，安装有排气管(通气管)127、以及一对电极121a、121b。在澄清管120的内部，进行含有因还原反应而放出氧的澄清剂的熔融玻璃的澄清工序。在该澄清工序中，以在熔融玻璃的表面的上部形成气相空间的方式，将熔融玻璃供给至内壁的至少一部分由含有铂族金属的材料构成的澄清管120的内部，并且，在澄清管120中，使熔融玻璃在沿与熔融玻璃的气相空间接触的表面的方向上，具体而言，在澄清管120的长度方向上流动。气相空间沿熔融玻璃的流动的方向而形成。包围气相空间的内壁的至少一部分由包含铂族金属的材料构成。在本实施方式中，包围气相空间的壁整体由含有铂族金属的材料构成。
排气管(通气管)127，为熔融玻璃的流动方向的中途，设置于与气相空间接触的内壁，使气相空间与澄清管120的外侧的大气连通。排气管(通气管)127，与澄清管120同样地，优选由铂族金属成形。就排气管(通气管)127而言，排气管(通气管)127的温度由于散热功能而易于下降，因此，可以设置用于加热排气管(通气管)127的加热机构。
一对电极121a、121b为设置于澄清管120的两端的凸缘形状的电极板。电极121a、121b，使从未图示的电源供给的电流流动至澄清管120，通过该电流，澄清管120被通电加热。使用氧化锡作为澄清剂的情况下，例如，澄清管120以最高温度为1600℃～1750℃，更优选为1630℃～1750℃的方式而被加热，熔融玻璃被加热至发生氧化锡的还原反应的温度，例如为1600℃～1720℃，更优选为1620℃～1720℃。通过控制流过澄清管120的电流，能够控制流过澄清管120的内部的熔融玻璃的温度。如此，通过澄清管120的内部的熔融玻璃被加热而被澄清。电极121a、121b，在澄清管120中设置有一对，电极的数目没有特别地限制。通过电极121a、121b的通电加热，与澄清管120的气相空间接触的内壁的温度例如为1500～1750℃的范围。
在澄清管120的内部，通过添加于熔融玻璃的澄清剂例如氧化锡的氧化还原反应，除去含有熔融玻璃所包含的CO2或者SO2的气泡。具体而言，首先，提高熔融玻璃的温度，使澄清剂还原，从而使氧气泡在熔融玻璃中产生。含有熔融玻璃中所包含的CO2、N2、SO2等的气体成分的气泡，吸收通过澄清剂的还原反应而产生的氧。吸收氧而气泡的直径扩大(成长)的气泡，上浮至与气相空间接触的熔融玻璃的表面(液面)，放出气泡，即，破裂消失。消失的气泡中所包含的气体，放出至气相空间，经由排气管127而排出至澄清管120的外部。然后，降低熔融玻璃的温度，使被还原的澄清剂氧化。由此，残留于熔融玻璃中的气泡的氧溶入熔融玻璃而被吸收(吸收处理)。从而，残存的气泡变小、消失。如此，通过澄清剂的氧化还原反应，熔融玻璃所包含的气泡被除去。
虽然图中没有示出，在澄清管120的外壁面设置有耐火物保护层。在耐火物保护层的外侧进一步设置有耐火砖。耐火砖载置于基台(未图示)。
在这样的澄清管120中，澄清管120中的与气相空间接触的壁的温度，沿熔融玻璃的流动方向具有温度分布。并且，进行熔融玻璃的脱泡时，以从与气相空间接触的熔融玻璃的表面(液面)放出至气相空间的气泡的放出量为最大的熔融玻璃的流动方向的气泡放出量最大位置，和熔融玻璃的流动方向上的温度分布的最高温度位置，在熔融玻璃的流动方向上分开的方式，调整所述气泡放出量最大位置。
此外，就铂族金属而言，内壁的温度越高其挥发越被促进。因此，最高温度位置，成为铂族金属最旺盛地易于挥发的温度条件。并且，氧的含量越多的气氛，铂族金属的挥发越旺盛。
因此，通过以所述气泡放出量最大位置和所述最高温度位置在熔融玻璃的流动方向上分开的方式调整气泡放出量最大位置，在气泡放出量最大位置，从熔融玻璃的表面(液面)放出的气泡中的氧流动至最高温度位置的情况变少。因此，通过熔融玻璃的脱泡而放出的氧，流入铂族金属从澄清管120的壁旺盛地挥发的最高温度位置，与促进铂族金属的挥发的情况相比，最高温度位置中的铂族金属的挥发降低。因此，能够抑制以下情况：铂族金属的挥发物凝集于澄清管120的壁而制造凝集物，该凝集物的一部分作为微粒子脱离而混入熔融玻璃。以下对于该点进行说明。
图7表示澄清管120的截面和澄清管120的壁的温度分布的位置关系的图。图7的上段为澄清管120的截面图。图7的下段为表示澄清管120的与气相空间接触的内壁的温度分布的图表。在表示澄清管120的与气相空间接触的内壁的温度分布的图表中，横轴表示熔融玻璃的流动方向的位置即澄清管120长度方向的位置，纵轴表示澄清管120的与气相空间接触的内壁的温度。
在本实施方式的澄清管120中，具有凸缘形状的电极(凸缘构件)121a、121b，由于具有高散热功能，因此，澄清管120的两端附近的壁，与沿该内壁的熔融玻璃的流动方向(X方向：澄清管120的长度方向)的周边的内壁(与气相空间接触的澄清管120的内壁)的部分相比，易于形成低温。并且，由于排气管127也从澄清管120突出，因此，与排气管127附近的气相空间接触的澄清管120的内壁与沿该内壁的X方向的周边的内壁(与气相空间接触的澄清管120的内壁)的部分相比也易于形成低温。因此，与气相空间接触的澄清管120的内壁的温度，沿X方向具有温度分布。澄清管120的两端附近即一对电极121a、121b的端附近的内壁以及排气管127的附近的壁，在X方向上成为温度低的低温区域，排气管127和电极121a、121b之间的中间部分，在X方向上成为温度高的高温区域。这种内壁的温度分布中的温度，即使为最低温度，由于通过电极121a、121b对于澄清管120的通电加热也会成为高温例如1500℃以上的温度。因此，在气相空间中，构成澄清管120的铂族金属挥发，存在铂族金属的挥发物。图7示出温度分布的一例。在该温度分布中，以P表示温度为最高温度Tmax℃的X方向上的位置。
在此，温度分布的最高温度位置不限于位置P，具有位置P周围的容许范围。最高温度位置的容许范围，优选为(Tmax-20)℃～Tmax℃的范围内的温度区域，进一步优选为(Tmax-10)℃～Tmax℃的范围内的温度区域，特别优选为(Tmax-5)℃～Tmax℃的范围内的温度区域。以后，将具有容许范围的最高温度位置称为最高温度位置R。
另一方面，熔融玻璃在澄清管120内被加热，澄清剂发生还原反应而向熔融玻璃中放出氧的放出。该氧的放出激烈地发生。放出的氧，被熔融玻璃中的气泡吸收，气泡的直径扩大(气泡成长)，或者，成为熔融玻璃中的气泡而吸收熔融玻璃中已有的气泡，气泡的直径扩大(成长)，战胜熔融玻璃的粘性而朝向与气相空间接触的熔融玻璃的表面(液面)开始上浮。此时，从熔融玻璃的表面(液面)放出的氧的放出量成为最大的澄清管120的长度方向的气泡放出量最大位置A，与上述最高温度位置R在X方向上分开。具体而言，气泡放出量最大位置A，优选相对于最高温度位置R而位于熔融玻璃流的下游侧。
如此，以气泡放出量最大位置A相对于最高温度位置R分开的方式，调整气泡放出量最大位置A。
气泡放出量最大位置A可以通过实验求得，也可以通过计算机模拟预测求得。通过计算机模拟预测求得的情况下，将澄清管120和设置于其周围的未图示的耐火物保护层以及耐火砖和通过澄清管120的通电加热而制造的加热源模块化而进行热传导模拟的同时，使用作为该模拟结果的熔融玻璃的温度的计算值，使用预先设定的熔融玻璃的温度和澄清剂的氧的放出量的对应关系，确定澄清剂的氧的放出量，使规定的尺寸的气泡产生，模拟熔融玻璃中的氧化还原反应，进一步，预先设定于熔融玻璃中的气泡吸收氧，模拟气泡的直径扩大和直径扩大的气泡上浮，从而能够预测气泡放出量最大位置A。这种情况下，也能够预测气泡的整体的放出量。这种模拟，可以使用公知的模拟程序等在计算机上执行。并且，能够以气泡放出量最大位置A与最高温度位置R在X方向上分开的方式，使用计算机模拟决定澄清条件。
这里，气泡放出量最大位置A，优选通过流过澄清管120内的熔融玻璃的温度分布以及熔融玻璃的流速的至少一个的调整而进行。熔融玻璃的温度分布，对于从澄清剂放出的氧的量以及氧的放出开始位置乃至熔融玻璃中的气泡的上浮速度产生影响。熔融玻璃的温度分布，例如可以通过加热电极121b的通电加热中的澄清管120的加热量，或者通过澄清管120的外周上的电流分布的调整而调整。并且，熔融玻璃的温度分布，例如，可以通过从澄清管120的外周朝向外侧的散热量的调整而调整。散热量的调整，通过包围澄清管120的外周的耐火物保护层或耐火砖的隔热特性(热传导率等)和热阻(＝(耐火物保护层和耐火砖的厚度)/热传导率)而进行。可以变更这种调整参数，使用计算机模拟调整气泡放出量最大位置A。
熔融玻璃的流速，对于从熔融玻璃中的氧的放出开始位置开始至与气相空间接触的熔融玻璃的表面(液面)中的氧的放出位置为止的距离产生影响。熔融玻璃的流速的调整，例如，可以通过澄清管120的熔融玻璃的流出口附近的熔融玻璃的温度(粘度)或成形装置200等的位于之后工序的装置的熔融玻璃的引出量调整。变更这种调整参数，可以使用计算机模拟调整气泡放出量最大位置A。
实际在制造玻璃基板时，使用通过计算机模拟调整的气泡放出量最大位置A成为希望的位置时的上述调整参数的各值(澄清条件)。
在本实施方式中，澄清管120中，设置有连通气相空间和澄清管120的外侧的大气的排气管127。此时，X方向上的排气管127的配置位置优选在气泡放出量最大位置A和最高温度位置R之间。这样，通过确定排气管127的配置位置，在含有氧的气泡大量地从熔融玻璃的与气相空间接触的表面放出的气泡放出量最大位置A，从表面放出的气泡中的氧，在通过气流流至气泡放出量最大位置A之前，氧的大部分被从排气管127放出至澄清管120a的外侧。因此，在气泡放出量最大位置A放出的气泡中的氧流至最高温度位置R的可能性低，能够降低最高温度位置R内的铂族金属的挥发。
气泡放出量最大位置A及X方向上的排气管127的配置位置，优选以澄清管120的壁的温度分布的最高温度位置R为基准而位于X方向的同一侧。这种情况下，在气泡放出量最大位置A放出的气泡中的氧流至最高温度位置R的可能性低，能够降低最高温度位置R的铂族金属的挥发。
最高温度位置R、排气管127的配置位置以及气泡放出量最大位置A，优选从X方向的上游侧按照最高温度位置R、排气管127的配置位置以及气泡放出量最大位置A的顺序配置。
在本实施方式中，在澄清管120的外周，设置沿澄清管120的外侧延伸的包含电极121a、121b的凸缘形状的构件(凸缘构件)，凸缘形状的构件的X方向的配置位置，优选位于气泡放出量最大位置A和排气管127的配置位置之间的区域以外的上述长度方向的区域。凸缘形状的构件，由于其形状，向排气管127的外侧的散热量大，因此，在设置有凸缘形状的构件的澄清管120的内壁附近，温度容易局部变低。这种情况下，气相空间内的铂族金属的挥发物，通过设置有上述凸缘形状的构件的内壁附近，挥发物被冷却而有时会在澄清管120的内壁凝集。因此，凸缘形状的构件的配置位置，优选位于气泡放出量最大位置A和排气管127的配置位置之间的区域以外的区域。
在本实施方式中，最高温度位置R、排气管127的配置位置以及气泡放出量最大位置A，从X方向的上游侧按照最高温度位置R、排气管127的配置位置以及气泡放出量最大位置A的顺序配置，气泡放出量最大位置A和排气管127的配置位置只要以最高温度位置R为基准位于X方向(澄清管120的长度方向)的同一侧，最高温度位置R、排气管127的配置位置以及气泡放出量最大位置A不受限制。例如，可以从熔融玻璃流动的X方向的上游侧按照最高温度位置R、气泡放出量最大位置A以及排气管127的配置位置的顺序配置。这种情况下，在气泡放出量最大位置A放出的氧，由于沿排气管127的方向流动，因此，在气泡放出量最大位置A放出的氧，在熔融玻璃的最高温度位置R附近的气相空间的温度高的气氛中难以流动。
此外，气泡放出量最大位置A、排气管127的配置位置，可以为X方向的相同位置。通过使气泡放出量最大位置A和排气管127的配置位置为X方向的相同位置，在气泡放出量最大位置A从熔融玻璃的表面(液面)放出的氧可以经由位于上方的排气管127而放出至澄清管120的外侧，因此，氧不会在气相空间内扩散，并且不会在气相空间内流动而流向排气管127。因此，在气泡放出量最大位置A从熔融玻璃的表面(液面)放出的氧，几乎不再被用于铂族金属的挥发。此外，所谓使气泡放出量最大位置A和排气管127的配置位置为X方向的相同位置，是指气泡放出量最大位置A位于X方向上的相对于排气管127的管的中心位置的排气管127的管直径的尺寸的范围内的区域(沿X方向的区域)。并且，对于气泡放出量最大位置A，在确定了气泡放出量最大位置A的容许范围的情况下，该容许范围可以与上述管直径的尺寸的范围内的区域部分重合。
澄清管120的与气相空间接触的澄清管120的内壁的即使为150℃以上，在本实施方式中，由于降低了铂族金属的挥发，抑制了铂族金属的挥发物的凝集，因此，本实施方式的效果显著。
此外，在第一实施方式及第二实施方式的任一方式中，气相空间中的铂族金属的蒸汽压，优选为了抑制铂族金属的挥发而调整。从抑制铂族金属的挥发及凝集的观点出发，气相空间中的铂族金属的蒸汽压优选为0.1Pa～15Pa，更优选3Pa～10Pa。
此外，在第一实施方式及第二实施方式中，作为处理含有因还原反应而放出氧的澄清剂的熔融玻璃的装置，使用澄清管120而进行了说明，但不一定限于澄清管120。只要为具有气相空间、处理含有因还原反应而放出氧的澄清剂的熔融玻璃的部分，不限定为澄清管。
(实验例1)
为了确认第一实施方式的效果，使用氧化锡作为澄清剂，使用图3所示的第一实施方式的澄清管120，进行1小时的熔融玻璃的澄清的同时，进行上述实施方式的调整。该澄清后，成形为2270×2000mm、厚0.5mm的片状玻璃，制作100片玻璃基板。
此时，在实施例1～8中，调整来自熔融玻璃的氧放出量、净化气体(N2)的供给量以及排气管127的吸引量，以0.1％～3％的范围调整气相空间120a的氧浓度。以如下方式进行调整：实验例1的氧浓度为0％、实验例2的氧浓度为0.1％、实验例3的氧浓度为0.3％、实验例4的氧浓度为0.5％、实验例5的氧浓度为0.7％、实验例6的氧浓度为1％、实验例7的氧浓度为2％、实验例8的氧浓度为3％。
作为现有例，不进行气相空间120a的氧浓度的调整。此时，氧浓度为21％。玻璃基板的铂凝集物，通过目视检查，以每100片玻璃基板的铂凝集物数量进行评价。将长短比为100以上、最大长度为100μm以上的铂凝集物作为检查对象的铂异物。
上述检查的结果是，按照实施例1～8的顺序，分别为0.10个/m3、1.2个/m3、3.9个/m3、7.4个/m3、12个/m3、19个/m3、57个/m3、113个/m3。上述结果，与现有例的异物量4306个/m3相比减少。由此可知，实施例1～8与现有例对比，能够减少异物量。此外，实施例1～8的作为缺陷而残存于玻璃基板的气泡的数目，按照实施例1～8的顺序，分别为34个/m3、28个/m3、19个/m3、13个/m3、11个/m3、15个/m3、88个/m3、255个/m3。上述结果比现有例的异物量19201个/m3少。此外，玻璃基板的玻璃的组成为SiO266.6摩尔％、Al2O310.6摩尔％、B2O311.0摩尔％、MgO、CaO、SrO以及BaO的总量为11.4摩尔％、SnO20.15摩尔％、Fe2O30.05％、碱金属氧化物的总量为0.2摩尔％，应变点为660℃、粘度为102.5泊时的熔融玻璃的温度为1570℃。
图8为示出实验例1的实施例1～8的结果的图。在图8中，对于其他实验例的结果也进行了标注。
(实验例2)
为了确认第二实施方式的效果，使用氧化锡作为澄清剂，使用图6所示的第二实施方式的澄清管120，进行1小时的熔融玻璃的澄清的同时，进行上述实施方式的调整。具体而言，调整熔融玻璃的温度分布，改变气泡放出量最大位置A。该澄清后，成形为2270×2000mm、厚0.5mm的片状玻璃，制作100片玻璃基板。此时，在实施例9中，以气泡放出量最大位置A和温度分布的最高温度位置在熔融玻璃的流动方向上分开的方式调整熔融玻璃的温度。排气管127的位置，在熔融玻璃的流动方向的气泡放出量最大位置A和温度分布的最高温度之间。作为现有例，不进行气泡放出量最大位置A和温度分布的最高温度的调整。这种情况下，气泡放出量最大位置A和温度分布的最高温度大致一致。
玻璃基板的铂凝集物，通过目视检查，以每100片玻璃基板的铂凝集物数量进行评价。
将长短比为100以上、最大长度为100μm以上的铂异物作为检查对象的异物。
上述检查的结果是，与气泡放出量最大位置A和温度分布的最高温度一致的现有例相比，在实施例9中，起因于混入玻璃基板的铂的铂凝集物数量为1/3以下。实施例9的作为缺陷而残存于玻璃基板的气泡的数目为300个/m3以下。由此，在实施例9中，能够确认与现有例对比铂凝集物数量减少。此外，玻璃基板的玻璃的组成为SiO266.6摩尔％、Al2O310.6摩尔％、B2O311.0摩尔％、MgO、CaO、SrO以及BaO的总量为11.4摩尔％、SnO20.15摩尔％、Fe2O30.05％、碱金属氧化物的总量为0.2摩尔％，应变点为660℃、粘度为102.5泊时的熔融玻璃的温度为1570℃。
(实验例3)
与实验例1对比，除了将玻璃基板的玻璃的组成变更为SiO270摩尔％、Al2O312.9摩尔％、B2O32.5摩尔％、MgO3.5摩尔％、CaO6摩尔％、SrO1.5摩尔％、BaO3.5摩尔％、SnO20.1摩尔％以外，通过与实施例1相同的方法制作玻璃基板。此时，玻璃基板的应变点为745℃。
其结果是，可知与实验例1同样地，与现有例对比能够减少铂凝集物个数。
(实验例4)
与实验例2对比，除了将玻璃基板的玻璃的组成变更为SiO270摩尔％、Al2O312.9摩尔％、B2O32.5摩尔％、MgO3.5摩尔％、CaO6摩尔％、SrO1.5摩尔％、BaO3.5摩尔％、SnO20.1摩尔％以外，通过与实施例2相同的方法制作玻璃基板。此时，玻璃基板的应变点为745℃。
其结果是，可知与实验例2同样地，与现有例对比能够减少铂凝集物个数。
以上对于本发明的玻璃基板的制造方法以及玻璃基板制造装置进行了详细地说明，本发明不限于上述实施方式，在不脱离本发明主旨的范围内，当然可以进行各种改良或变更。在上述的说明中，以将澄清管作为处理装置为例进行了说明，但本发明不限于此，也可以将本发明适用于熔解槽、搅拌槽或成形装置、移送管、供给管。
符号说明
100熔解装置；101熔解槽；103搅拌槽；104、105移送管；106玻璃供给管；120澄清槽；121a、121b电极；122电源装置；123控制装置；124a、124b净化气体供给管；125a、125b净化气体供给装置；127排气管；128氧浓度计；200成形装置；300切断装置；A氧放出量最大位置；P最高温度位置；R最高温度位置范围。

Claims (19)

1.一种玻璃基板的制造方法，其特征在于，包括：使用处理装置处理熔融玻璃的工序，所述处理装置的内壁的至少一部分由含有铂族金属的材料构成，所述熔融玻璃含有因还原反应而放出氧的澄清剂，
在处理所述熔融玻璃的工序中，
在由所述处理装置的内壁和所述熔融玻璃的表面所形成的气相空间中，通过调整从所述熔融玻璃放出的氧的量而控制所述气相空间的氧浓度，从而抑制所述铂族金属的挥发。
2.一种玻璃基板的制造方法，使用处理熔融玻璃的处理装置处理熔融玻璃，
在处理含有因还原反应而放出氧的澄清剂的熔融玻璃时，
以在熔融玻璃的表面的上部形成气相空间的方式，向内壁的至少一部分由含有铂族金属的材料构成的处理装置的内部供给熔融玻璃，
通过调整从所述熔融玻璃放出的氧的量而控制所述气相空间的氧浓度，从而抑制所述铂族金属的挥发。
3.根据权利要求1或2所述的玻璃基板的制造方法，其中，
所述玻璃基板含有0.01摩尔％～0.3摩尔％的氧化锡，
从所述熔融玻璃放出的氧的量通过所述氧化锡的含有量而调整。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的玻璃基板的制造方法，通过进一步调整从所述气相空间向所述处理装置的外部排出的氧的量而控制所述氧浓度。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的玻璃基板的制造方法，将被调节了供给量的气体供给至所述气相空间，以使所述氧浓度在规定的范围内的方式。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的玻璃基板的制造方法，
在所述处理装置中，使所述熔融玻璃在沿着所述熔融玻璃的与所述气相空间接触的表面的方向上流动，
所述氧的放出量根据所述熔融玻璃的流动方向的位置而变化，
通过调整所述熔融玻璃的流动方向的位置上的所述氧的放出量的分布，
从而调整所述气相空间的所述熔融玻璃的流动方向上的氧浓度的分布，以抑制所述铂族金属的挥发。
7.根据权利要求6所述的玻璃基板的制造方法，
所述处理装置的温度根据所述熔融玻璃的流动方向的位置而变化，
使用计算机模拟预测所述氧的放出量的分布，
使用所述计算机模拟确定处理条件，以使所述熔融玻璃的流动方向上的所述氧的放出量为最大的位置与所述处理装置的温度为最高的位置分开。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的玻璃基板的制造方法，
在所述处理装置中，使所述熔融玻璃在沿着所述熔融玻璃的与所述气相空间接触的表面的方向上流动，
所述处理装置中的与气相空间接触的内壁的温度具有沿所述熔融玻璃的流动方向的温度分布，在所述熔融玻璃的处理中，以所述熔融玻璃的流动方向的气泡放出量最大位置与所述熔融玻璃的流动方向上的所述温度分布的最高温度位置在所述熔融玻璃的流动方向上分开的方式调整所述气泡放出量最大位置，其中，在所述气泡放出量最大位置，从熔融玻璃的表面放出至所述气相空间的气泡的放出量为最大。
9.一种玻璃基板的制造方法，使用处理熔融玻璃的处理装置处理熔融玻璃，其特征在于，
具有熔解玻璃原料而生成熔融玻璃的工序，
并包括处理含有因还原反应而放出氧的澄清剂的熔融玻璃的工序，
在处理所述熔融玻璃的工序中，
以在熔融玻璃的表面的上部形成气相空间的方式，向内壁的至少一部分由含有铂族金属的材料构成的处理装置的内部供给熔融玻璃，并且，在所述处理装置中，使所述熔融玻璃在沿着所述熔融玻璃的与所述气相空间接触的表面的方向上流动，
所述处理装置中的与气相空间接触的内壁的温度具有沿所述熔融玻璃的流动方向的温度分布，在所述熔融玻璃的处理中，以所述熔融玻璃的流动方向的气泡放出量最大位置与所述熔融玻璃的流动方向上的所述温度分布的最高温度位置在所述熔融玻璃的流动方向上分开的方式调整所述气泡放出量最大位置，其中，在所述气泡放出量最大位置，从与所述气相空间接触的熔融玻璃的表面放出至所述气相空间的气泡的放出量为最大。
10.根据权利要求8或9所述的玻璃基板的制造方法，
所述处理装置包括所述内壁的至少一部分由含有铂族金属的材料构成的、至少进行所述熔融玻璃的脱泡的澄清管，
处理所述熔融玻璃的工序为包括在所述澄清管中进行所述熔融玻璃的脱泡的脱泡处理的澄清工序。
11.根据权利要求8～10中任一项所述的玻璃基板的制造方法，
使用计算机模拟预测所述气泡放出量最大位置，
使用所述计算机模拟确定处理条件，以使所述气泡放出量最大位置与所述最高温度位置在所述熔融玻璃的流动方向上分开。
12.根据权利要求8～11中任一项所述的玻璃基板的制造方法，通过所述熔融玻璃的温度分布、以及所述熔融玻璃的流速中的至少一项的调整进行所述气泡放出量最大位置的调整。
13.根据权利要求8～12中任一项所述的玻璃基板的制造方法，所述气泡放出量最大位置相对于所述最高温度位置，位于所述熔融玻璃的流动的下游侧。
14.根据权利要求8～13中任一项所述的玻璃基板的制造方法，
所述处理装置包括所述内壁的至少一部分由含有铂族金属的材料构成的、至少进行所述熔融玻璃的脱泡的澄清管，
在所述澄清管上设置有用于连通所述气相空间和所述处理装置的外侧的大气的排气管，
所述熔融玻璃的流动方向上的所述排气管的配置位置在所述气泡放出量最大位置和所述最高温度位置之间。
15.根据权利要求8～14中任一项所述的玻璃基板的制造方法，
所述处理装置包括所述内壁的至少一部分由含有铂族金属的材料构成的、至少进行所述熔融玻璃的脱泡的澄清管，
在所述澄清管上设置有用于连通所述气相空间和所述澄清管的外侧的大气的排气管，
所述气泡放出量最大位置和所述熔融玻璃的流动方向上的所述排气管的配置位置以所述温度分布的最高温度位置为基准，位于所述熔融玻璃的流动方向的同一侧。
16.根据权利要求14或15所述的玻璃基板的制造方法，在所述处理装置的外周设置有沿所述处理装置的外侧延伸的凸缘构件，所述凸缘构件的所述熔融玻璃的流动方向的配置位置位于所述气泡放出量最大位置和所述排气管的配置位置之间的区域以外的区域。
17.一种玻璃基板制造装置，使用处理熔融玻璃的处理装置处理熔融玻璃，具备：
处理装置，其被构成为：内壁的至少一部分由含有铂族金属的材料构成，且内部将被供给含有因还原反应而放出氧的澄清剂的熔融玻璃，并在所述熔融玻璃的表面的上部将形成气相空间；以及
控制装置，其被构成为：通过调整从所述熔融玻璃放出的氧的量，且调整从所述气相空间排出的氧的量，使得所述气相空间的氧浓度被调整为规定的范围内。
18.一种玻璃基板制造装置，使用处理熔融玻璃的处理装置处理熔融玻璃，其特征在于，
具有：
熔解槽，熔解玻璃原料而生成熔融玻璃；以及
处理装置，其被构成为：内壁的至少一部分由含有铂族金属的材料构成，且内部将被供给含有因还原反应而放出氧的澄清剂的熔融玻璃，且使所述熔融玻璃在沿所述熔融玻璃的与所述气相空间接触的表面的方向流动，在所述熔融玻璃的表面的上部将形成气相空间，与所述气相空间接触的所述内壁的温度具有沿所述熔融玻璃的流动方向的温度分布，
在所述熔融玻璃的处理中，以所述熔融玻璃的流动方向的气泡放出量最大位置和所述熔融玻璃的流动方向上的所述温度分布的最高温度位置在所述熔融玻璃的流动方向上分开的方式调整所述气泡放出量最大位置，其中，在所述气泡放出量最大位置，从熔融玻璃的所述表面放出至所述气相空间的气泡的放出量为最大。
19.根据权利要求17或18所述的玻璃基板制造装置，所述处理装置包括进行所述熔融玻璃的脱泡的澄清管。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109970319A (zh) * 2017-12-27 2019-07-05 安瀚视特控股株式会社 玻璃衬底的制造方法、及玻璃衬底制造装置
CN110799462A (zh) * 2017-03-16 2020-02-14 康宁股份有限公司 用于减少玻璃熔体表面上的气泡寿命的方法

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6630215B2 (ja) * 2016-03-31 2020-01-15 ＡｖａｎＳｔｒａｔｅ株式会社 ガラス基板の製造方法、及び、ガラス基板の製造装置
JP6499250B2 (ja) * 2016-09-30 2019-04-10 ＡｖａｎＳｔｒａｔｅ株式会社 ガラス基板の製造方法、およびガラス基板製造装置
JP6847620B2 (ja) * 2016-09-30 2021-03-24 ＡｖａｎＳｔｒａｔｅ株式会社 ガラス基板の製造方法、およびガラス基板製造装置
JP7153241B2 (ja) * 2017-09-05 2022-10-14 日本電気硝子株式会社 無アルカリガラス基板の製造方法及び無アルカリガラス基板
JP2022507801A (ja) * 2018-11-21 2022-01-18 コーニング インコーポレイテッド ガラス融液表面の気泡寿命を縮める方法
KR20210084656A (ko) * 2018-11-28 2021-07-07 코닝 인코포레이티드 유리 제조 공정에서 기포들을 제어하는 방법
CN115367999A (zh) * 2022-09-21 2022-11-22 成都光明光电股份有限公司 间隙式光学玻璃生产方法及其装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010202444A (ja) * 2009-03-03 2010-09-16 Asahi Glass Co Ltd ガラス溶融炉及びガラス溶融方法
CN101932530A (zh) * 2007-11-08 2010-12-29 康宁股份有限公司 澄清玻璃的方法和系统
WO2012132471A1 (ja) * 2011-03-31 2012-10-04 ＡｖａｎＳｔｒａｔｅ株式会社 ガラス板製造方法
JP2013521205A (ja) * 2010-02-25 2013-06-10 コーニング インコーポレイテッド ガラス物品を作製する装置および方法
JP2013212942A (ja) * 2012-03-30 2013-10-17 Avanstrate Inc ガラス板の製造方法およびガラス板製造装置
JP2013216531A (ja) * 2012-04-06 2013-10-24 Avanstrate Inc ガラス板の製造方法及びガラス板の製造装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8269131B2 (en) 2008-02-28 2012-09-18 Corning Incorporated Nickel-containing flanges for use in direct resistance heating of platinum-containing vessels
KR20130094215A (ko) * 2010-07-30 2013-08-23 아사히 가라스 가부시키가이샤 용융 유리의 감압 탈포 장치, 용융 유리의 감압 탈포 방법, 유리 제품의 제조 장치 및 유리 제품의 제조 방법
DE102010047896B4 (de) * 2010-10-11 2016-03-03 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Reduktion der Abdampfrate aus Platin und Pt-Legierungen: Bauteil und Verfahren
JP2012132071A (ja) * 2010-12-22 2012-07-12 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk 高温装置の揮発損失防止方法
JP5705664B2 (ja) * 2011-06-29 2015-04-22 ＡｖａｎＳｔｒａｔｅ株式会社 ガラス板製造装置、およびこの装置を用いたガラス板の製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101932530A (zh) * 2007-11-08 2010-12-29 康宁股份有限公司 澄清玻璃的方法和系统
JP2010202444A (ja) * 2009-03-03 2010-09-16 Asahi Glass Co Ltd ガラス溶融炉及びガラス溶融方法
JP2013521205A (ja) * 2010-02-25 2013-06-10 コーニング インコーポレイテッド ガラス物品を作製する装置および方法
WO2012132471A1 (ja) * 2011-03-31 2012-10-04 ＡｖａｎＳｔｒａｔｅ株式会社 ガラス板製造方法
JP2013212942A (ja) * 2012-03-30 2013-10-17 Avanstrate Inc ガラス板の製造方法およびガラス板製造装置
JP2013216531A (ja) * 2012-04-06 2013-10-24 Avanstrate Inc ガラス板の製造方法及びガラス板の製造装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110799462A (zh) * 2017-03-16 2020-02-14 康宁股份有限公司 用于减少玻璃熔体表面上的气泡寿命的方法
US11505487B2 (en) 2017-03-16 2022-11-22 Corning Incorporated Method for decreasing bubble lifetime on a glass melt surface
CN109970319A (zh) * 2017-12-27 2019-07-05 安瀚视特控股株式会社 玻璃衬底的制造方法、及玻璃衬底制造装置
CN109970319B (zh) * 2017-12-27 2021-11-09 安瀚视特控股株式会社 玻璃衬底的制造方法、及玻璃衬底制造装置

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