CN103359911B

CN103359911B - 玻璃基板的制造方法

Info

Publication number: CN103359911B
Application number: CN201310032914.1A
Authority: CN
Inventors: 村上次伸
Original assignee: Avanstrate Inc
Current assignee: Avanstrate Inc
Priority date: 2012-04-05
Filing date: 2013-01-28
Publication date: 2015-12-23
Anticipated expiration: 2033-01-28
Also published as: JP2013216520A; CN103359911A; JP5730806B2

Abstract

本发明提供一种玻璃基板的制造方法，其能够消除波筋和失透的原因，提高玻璃制品的品质。在含有脱泡工序的玻璃基板的制造方法中，具备用于将熔融玻璃从澄清槽30送入下一工序的输送管40，该输送管40连接于用于使熔融玻璃从澄清槽30流出的出口侧。另外，还具有液位调整工序，其中，在使配合有澄清剂的熔融玻璃通过澄清槽30时，调整熔融玻璃的流量使得所述熔融玻璃的液位为规定的液位。另外，将输送管40设置在如下位置，在该位置，当使规定液位的熔融玻璃通过时，澄清槽30内流动的熔融玻璃的上部表面附近的熔融玻璃不会滞留在所述出口附近而是流向输送管40。

Description

玻璃基板的制造方法

技术领域

本发明涉及一种玻璃基板的制造方法，其通过对将玻璃原料熔融而生成的熔融玻璃进行成型来制造玻璃基板。

背景技术

玻璃基板一般是经过由玻璃原料生成熔融玻璃后，将熔融玻璃成型为玻璃基板的工序来制造的。上述各自的工序是通过在例如使玻璃材料熔融的熔解装置、除去熔融玻璃所内含的微小气泡的澄清槽、使玻璃成分均质化的搅拌槽、进行玻璃基板的成型的成型装置中实施适当处理来进行的。玻璃基板制造用的装置通过输送玻璃原料的输送管来连接。

在上述工序中，特别将根据需要除去熔融玻璃所内含的微小气泡的工序称作澄清，该工序是利用下述方法进行的：一边对管状的澄清槽的主体进行加热，一边使配合有As₂O₃等澄清剂的熔融玻璃通过该澄清槽主体(以下也仅称为主体)，利用澄清剂的氧化还原反应来除去熔融玻璃中的气泡。更具体而言，按照下述方式进行澄清：进一步提高粗熔解后的熔融玻璃的温度从而使澄清剂发挥功能使气泡浮上脱泡后，降低温度，由此使熔融玻璃吸收未完全脱泡而残留的较小的气泡。即，澄清包括使气泡浮上脱泡的处理(以下也称为脱泡处理或脱泡工序)以及使小泡吸收在熔融玻璃中的处理(以下也称为吸收处理或吸收工序)。

以往，澄清剂一般为As₂O₃，但近年来，从环境负荷的观点出发，开始使用SnO₂或Fe₂O₃等。

为了由高温的熔融玻璃进行高品质的玻璃基板的量产，期望考虑作为玻璃基板缺陷的主要因素的杂质等不要从制造玻璃基板的任何装置中混入到熔融玻璃中。因此，在玻璃基板的制造过程中与熔融玻璃接触的部件的内壁需要根据与该部件接触的熔融玻璃的温度、所要求的玻璃基板的品质等由适当的材料构成。例如，已知构成上述澄清槽主体的材料一般使用铂或铂合金等铂族金属(专利文献1)。铂或铂合金等虽然价格高但其熔点高、对熔融玻璃的耐腐蚀性优异。

脱泡工序时对澄清槽主体进行加热的温度根据想要进行成型的玻璃基板的组成而不同，为1000℃～1650℃左右。

另外，玻璃原料可根据想要制造的玻璃基板的组成进行适当调制，例如在制造作为LCD用基板而使用的玻璃基板的情况下，玻璃组合物由SiO₂、B₂O₃、Al₂O₃、MgO、CaO、SrO、BaO、RO等构成。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特表2006-522001号公报

发明内容

发明所要解决的课题

若在上述澄清槽的出口附近发生熔融玻璃的滞留，则熔融玻璃在澄清槽内保持在高温的时间变长，因此熔融玻璃成分中的硼酸挥发，在熔融玻璃的液面附近生成比重较小的富含二氧化硅(SiO₂)的异质坯料。若在熔融玻璃的一部分上生成富含二氧化硅的异质坯料，则存在下述课题：该富含二氧化硅的异质坯料是导致在玻璃制品中生成波筋或失透等缺陷的原因。

另外，在熔融玻璃中混入玻璃材料以外的杂质的情况下，也会成为上述的波筋或失透的原因。例如，若利用使用了高氧化锆系耐火物的熔融窑在高温使玻璃原料熔融，则有时一部分氧化锆会从熔融窑混入熔融玻璃中，生成比重较大的玻璃。

鉴于以上情况，本发明的目的在于提供一种玻璃基板的制造方法，其能够消除在玻璃基板的制造过程中作为波筋或失透的原因之一的上述问题，提高玻璃制品的品质。

用于解决问题的手段

为了达成上述目的，本发明是一种玻璃基板的制造方法，其包含一边对澄清槽主体进行加热一边使配合有澄清剂的熔融玻璃通过澄清槽主体从而进行脱泡处理的脱泡工序，所述玻璃基板的制造方法构成如下。

澄清槽由铂族金属构成，并具备用于将熔融玻璃从该澄清槽送入下一工序的输送管，该输送管连接于用于使熔融玻璃从澄清槽流出的出口侧。

另外，还具有液位调整工序，其中，在使配合有澄清剂的熔融玻璃通过上述澄清槽时，调整熔融玻璃的流量使得熔融玻璃的液位为规定液位。

另外，将输送管设置在如下位置，在该位置，当使规定液位的熔融玻璃通过时，澄清槽内流动的熔融玻璃的上部表面附近的熔融玻璃不会滞留在上述出口附近而是流向输送管。

另外，输送管的下部位于相对于澄清槽的底部至少30mm以上的上部侧为宜。

发明效果

根据本发明的玻璃基板的制造方法，将连接于澄清槽的输送管的位置设置于不会在澄清槽内发生熔融玻璃的滞留这样的位置上，因此不会生成能够成为波筋或失透的原因的富含二氧化硅的异质坯料。另外，只要输送管的下部位于相对于澄清槽的底部至少30mm以上的上部侧，即使生成了熔入有杂质且比重变大的熔融玻璃，也能够防止流入澄清槽之后的装置，因此能够防止混入熔融玻璃中的杂质成为玻璃制品的缺陷的原因。因此，能够提高玻璃制品的品质。

附图说明

图1是玻璃基板制造装置的示意性构成图，其用于说明实施方式的玻璃基板的制造方法。

图2是示出澄清槽的基本构成的示意图。

图3是澄清槽30以及与其连接的输送管40的示意图。

图4是输送管40的位置与本发明的位置不同情况下所产生的问题的说明图。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的玻璃基板的制造方法的实施方式进行说明。

图1是用于说明实施方式的玻璃基板的制造方法的示意图，其简略地示出了玻璃基板制造中的基本流程。

玻璃基板制造装置100具备：对玻璃原料进行加热从而生成熔融玻璃的熔融窑10、对熔融玻璃进行澄清的澄清槽30、对熔融玻璃进行成型的成型装置(未图示)、和连接它们之间的输送管20、40。输送管20连接熔融窑10和澄清槽30，其用于将从熔融窑10导出的熔融玻璃供给至澄清槽30。输送管40连接澄清槽30和成型装置(未图示)，其用于将从澄清槽30导出的熔融玻璃供给至成型装置(未图示)。需要说明的是，有时在澄清槽30和成型装置之间配置有用于搅拌熔融玻璃使其均质化的搅拌槽。箭头示出了熔融玻璃的流动方向。

投入至熔融窑10的玻璃原料可根据想要制造的玻璃基板的组成来适当调制。作为一个示例，可以举出制造作为TFT型LCD用基板而使用的玻璃基板，此时，优选为含有如下成分的无碱玻璃，

SiO₂：50%～70%、

Al₂O₃：0%～25%、

B₂O₃：1%～15%、

MgO：0%～10%、

CaO：0%～20%、

SrO：0%～20%、

BaO：0%～10%、

RO：5%～30%(其中，R是Mg、Ca、Sr以及Ba的总量)

其中，构成玻璃基板的玻璃组合物以质量%表示。

需要说明的是，虽然本实施方式中为无碱玻璃，但玻璃基板也可以是微量含有碱金属的微量含碱玻璃。含有碱金属的情况下，优选的是，所含有的R’O的总量为0.10%以上且0.5%以下、优选为0.20%以上且0.5%以下(其中，R’是选自Li、Na以及K中的至少1种，是玻璃基板所含有的成分)。当然，R’O的总量可以小于0.10%。

另外，适用本发明的玻璃基板的制造方法的情况下，可以按照下述方式调制玻璃原料：除上述各成分外，玻璃组合物以质量%表示还可以含有0.01%～1%(优选为0.01%～0.5%)的SnO₂、0%～0.2%(优选为0.01%～0.08%)的Fe₂O₃，考虑到环境负荷，实质上不含有As₂O₃、Sb₂O₃以及PbO，由此来调制上述玻璃原料。

由熔融窑10生成的熔融玻璃通过输送管20送至澄清槽30。在澄清槽30中进行包括脱泡工序的澄清，该脱泡工序中，将熔融玻璃保持在规定温度(上述组成的玻璃的情况下例如为1500℃以上)，从而进行熔融玻璃中所含有的气泡的除去。

进一步，在澄清槽30中进行了澄清的熔融玻璃通过输送管40送至成型装置中。在从澄清槽30送至成型装置时的输送管40中，对熔融玻璃进行冷却以使其为适于成型的温度(上述组成的玻璃的情况下例如为1200℃左右)。在成型装置中，熔融玻璃成型为玻璃基板。

接着，使用图2对含有脱泡工序的澄清进行说明。图2是示出澄清槽30的基本构成的示意图，以内部透视的方式来表示。

澄清槽30主要由澄清槽主体(以下也称为主体)1、以及与主体1连接的加热电极1a和1b构成。主体1是铂或铂铑合金等铂合金的金属管，一般采用圆筒状。澄清槽主体1为圆筒状，通常将其内径设定为比输送管20和40内径大30%～40%以上。由此使在主体1内流动的熔融玻璃MG的流速下降从而使熔融玻璃MG滞留在主体1的时间变长，由此能够有效地进行熔融玻璃MG的澄清。以主体1的管路作为流路，熔融玻璃MG在主体1的内部流动。加热电极1a和1b使电流从主体1的外周壁面流向主体1，使用由主体1的电阻产生的焦耳热对主体1的外周壁面进行加热从而将熔融玻璃MG的温度提高至规定温度，使用配合在熔融玻璃MG中的澄清剂进行熔融玻璃MG的脱泡。

在主体1的内部流动的熔融玻璃MG并不是流经主体1的整个流路截面，通常情况下，在主体1内部的上方存在用于放出由熔融玻璃MG的脱泡处理而脱出的气泡的气相空间a。另外，在主体1上部设置有未图示的气体排出口，其用于将从气相空间a放出的气泡中的气体成分排放到大气中。

气相空间a能够通过调整流经澄清槽30的主体1的熔融玻璃MG的液位而得到规定的面积。另外，也能够保持恒定面积的气相空间a。

接着，使用图3对本发明的玻璃基板的制造方法进行说明。

本发明中，在含有上述脱泡工序的玻璃基板的制造方法中，具备用于将熔融玻璃从澄清槽30送入下一个工序的输送管40，其连接于用于使熔融玻璃从澄清槽30流出的出口侧。另外，具有液位调整工序，其中，在使配合有澄清剂的熔融玻璃通过澄清槽30时，对熔融玻璃的流量进行调整以使熔融玻璃的液位为规定液位。

另外，将输送管40设置在如下位置，在该位置，当使规定液位的熔融玻璃通过时，澄清槽30内流动的熔融玻璃的上部表面附近的熔融玻璃不会滞留在上述出口附近而是流向输送管40。

具体而言，本实施方式中，按照使澄清槽30内的规定液位的熔融玻璃的液位h与输送管的上部40a的位置一致的方式设置输送管40。

只要将输送管40的设置位置如上进行设定，则熔融玻璃不会滞留在澄清槽30的出口附近而是流向输送管40，因此在熔融玻璃表面不会生成富含二氧化硅的异质坯料。

若按照输送管的上部40a的位置在液位h下方的方式设置输送管40，则熔融玻璃会滞留在澄清槽30的出口附近，在熔融玻璃表面容易生成富含二氧化硅的异质坯料。

即使熔融玻璃的液位h和输送管的上部40a的位置不一致，只要按照输送管的上部40a在液位h上方的方式设置输送管40就不会产生上述的滞留，但也有可能产生其他问题。

使用图4对上述的其他问题进行说明。若按照输送管的上部40a在液位h上方的方式进行设置，则熔融玻璃MG的上部表面与空气接触。因此，与空气接触的熔融玻璃成分挥发。

与此相对，若如本发明那样使熔融玻璃的液位h与输送管的上部40a的位置一致，则从澄清槽30流入的熔融玻璃会流经输送管40内的整个流路截面，因此熔融玻璃不会与空气接触。因此，能够防止熔融玻璃成分与空气接触而挥发。

优选使上述的澄清槽30内的熔融玻璃的液位与输送管上部40a的位置一致，但只要澄清槽30内的熔融玻璃MG的液面与输送管的上部40a的差值在20mm以内则也可以说是优选范围内。另外，若上述差值为15mm以内则更为优选；若为5mm以内则最为优选。

只要上述差值为这些范围内，则熔融玻璃MG会无滞留地流向输送管40，并且熔融玻璃MG的上部表面与空气接触可能性也小。因此，只要上述差值在能够期待所述效果的上述范围内，则也被包括在使熔融玻璃的液位与输送管40的上部的位置一致这种本发明的表述内。

为了使液位h与输送管的上部40a的位置总是在上述差值的范围内，在玻璃基板的制造工序需要具有液位调整工序，其用于调整熔融玻璃的流量以使熔融玻璃MG的液位为规定的液位(本实施方式中为h)。

对于液位的调整考虑了各种各样的适合方法，例如考虑有通过下述方法进行调整：根据需要使用激光位移计来测量液位，由此进行投入至熔融窑10的玻璃材料的量的增减；等等。液位可以在熔融窑10中测量，也可以在澄清槽30中测量。在澄清槽30中测量液位的情况下，例如可以使用激光位移计从设置在澄清槽30的气体排出口等来测量液位。

另外，本实施方式中，输送管40的下部40b位于相对澄清槽30的底部30b至少30mm以上的上部侧(图3)。只要使输送管40的下部40b的位置在上述位置，则即使在熔融玻璃中混入杂质并进入澄清槽30内，也能够防止杂质流入输送管40而被运送至之后的工序中。特别是在对玻璃材料进行熔融的熔融窑10由高氧化锆系耐火物构成的情况下，在熔融玻璃中容易混入氧化锆。因此，导致混入了氧化锆的熔融玻璃流入澄清槽30。但是，相对于熔融玻璃的成分，氧化锆的比重高，因此混入在熔融玻璃中的氧化锆沉淀在流经的澄清槽30的底部30b。图3中示意性地示出了氧化锆的沉淀物Z。本实施方式中，输送管40的下部40b位于相对澄清槽30的底部30b至少30mm以上的上部侧，因此氧化锆的沉淀物Z流向输送管40的可能性小。

进一步，本实施方式中，在澄清槽30的出口附近的底部30b设置有氧化锆排出用的排出口30c，能够根据需要将氧化锆的沉淀物Z排出。排出口30c可以使用例如排水管等构成。

由以上说明能够理解的是，根据本发明的玻璃基板的制造方法，通过澄清槽主体的熔融玻璃可无滞留地流向输送管40。因此，不会生成由熔融玻璃的滞留引起的富含二氧化硅的异质坯料。另外，即使在熔融玻璃中混入从熔融窑10熔出的二氧化锆等杂质并流向澄清槽的情况下，输送管40的下部40b的位置设置在比澄清槽30的底部30b高的位置上，因此混入的杂质流向之后的工序的可能性小。

因此，能够提高玻璃制品的品质。

然而，据知对于玻璃基板而言，其有效发挥澄清作用的温度因所使用的澄清剂而不同。例如，As₂O₃(亚砷酸)除去气泡的能力优异，澄清温度在1500℃左右以上的范围就足够。但是，亚砷酸对环境的负荷高，因此正如所述那样，近年来开始使用SnO₂(氧化锡)作为环境负荷低的澄清剂。但是，与亚砷酸相比，氧化锡在脱泡工序时放出气泡的能力较弱，因此需要降低玻璃粘性来提高脱泡效果，因此需要以较高温度进行澄清。例如，使用氧化锡作为澄清剂的情况下，需要升温至1600℃～1700℃、优选为1630℃～1710℃、进一步优选为1630℃～1720℃附近。即，需要将澄清槽30的温度提高至构成澄清槽30的主体1的铂或铂合金的耐热温度附近。作为澄清温度需要如上述那样的高温的情况下，硼酸(B₂O₃)容易从熔融玻璃中挥发，因此也容易生成富含二氧化硅的异质坯料。

因此，本发明特别适合于使用氧化锡作为澄清剂的玻璃基板的制造。

另外，在供给至澄清槽30之前以及在澄清槽30内，按照在澄清槽30内促进澄清剂的氧的放出反应、以及为气泡容易上浮的粘度、优选为120poise(泊)～400泊的方式对熔融玻璃进行加热。例如，在无碱玻璃或仅含有微量碱的微量含碱玻璃(高温粘性玻璃)、例如为达到10^2.5泊的情况需要1300℃以上、优选1400℃以上、进一步优选1500℃以上的熔融温度的玻璃材料的情况下，升温至1700℃、优选为1710℃、进一步优选为1720℃附近。

即，需要将澄清槽30的温度提高至构成澄清槽30的主体1的铂或铂合金的耐热温度附近。

作为澄清温度需要如上所述的高温的情况下，硼酸(B₂O₃)容易从熔融玻璃中挥发，因此也容易生成富含二氧化硅的异质坯料。因此，本发明也特别适合于使用高温粘性高的玻璃材料来制造玻璃基板的情况。具体而言，可以说本发明适合于由达到10^2.5泊情况下需要1300℃以上的熔融温度的玻璃材料构成熔融玻璃的情况。对于上述熔融温度需要1400℃以上、进一步1500℃以上的熔融温度的玻璃材料更加适合。

另外，玻璃材料为无碱玻璃或微量含碱玻璃的情况下，难熔性的二氧化硅不熔融而易残留，易生成富含二氧化硅的异质坯料，因此可以说本发明也适合于由无碱玻璃或微量含碱玻璃构成玻璃材料的情况。

进一步，在熔融玻璃由以下的1、2的材料构成的情况的玻璃基板的制造中，本发明也是适合的。

1)由分别含有SiO₂、Al₂O₃、B₂O₃、碱土金属的材料构成，SiO₂的含量为50%～70%；

2)由分别含有SiO₂、Al₂O₃、B₂O₃、碱土金属的材料构成，所述B₂O₃的含量为5%以上。

如上述1那样构成的玻璃基材的情况下，SiO₂含量高，因此倾向于容易生成富含二氧化硅的异质坯料。因此，可以说本发明适合于SiO₂含量为55%以上、进一步60%以上的玻璃材料的情况。

另外，如上述2那样构成的玻璃材料的情况下，能够使B₂O₃的含量较高，因在低温中易熔解的B₂O₃的性质而倾向于易生成富含二氧化硅的异质坯料。因此，本发明也适合于B₂O₃含量为8%以上、进一步10%以上的玻璃材料的情况。

另外，本发明也特别适合于使用高温粘性高的熔融玻璃来制造玻璃基板的情况。具体而言，适合于由达到10^2.5泊的情况下需要1300℃以上的熔融温度的玻璃材料构成熔融玻璃的情况。对于上述的熔融温度需要1400℃以上、进一步1500℃以上的熔融温度的玻璃材料更加适合。

另外，特别适合于使用无碱玻璃或微量含碱玻璃等高温粘性高的熔融玻璃来制造玻璃基板的情况。

通过在任意一种情况适用本发明，能够消除波筋或失透的原因，提高玻璃制品的品质。

可知，在实施本发明的玻璃基板的制造方法时，并不限于实施方式的制造方法。例如，对于实施方式所示例出的玻璃原料以外的玻璃原料，若使用以往以来一直使用的通用的原料则也能够适用本发明的玻璃基板的制造方法。

除此之外，在不脱离发明主旨的范围内能够进行各种各样的适合的其他方式的变更。

另外，在本说明书中，“铂族金属”意味着由铂族元素构成的铂族，作为不仅为由单一的铂族元素构成的金属、还包括铂族元素的合金的词语来使用。这里，铂族元素是指铂(Pt)、钯(Pd)、铑(Rh)、钌(Ru)、锇(Os)、铱(Ir)这6种元素。铂族金属虽然价格高，但熔点高、对熔融玻璃的耐腐蚀性也优异。

另外，澄清槽优选如图所示的圆筒形，但只要可以确保将熔融玻璃MG收纳到其内部的空间，对其形状没有限制，例如其外形可以为长方体等。

本发明适合于利用溢流下拉法(overflowdownload)对玻璃进行成型的玻璃基板的制造。溢流下拉法中，使熔融玻璃沿着楔状成型体的两个侧面流下，在所述楔状成型体的下端部合流，由此成型为板状玻璃，对成型后的板状玻璃进行缓慢冷却、切断。溢流下拉法通过使熔解后的玻璃不与任何物体接触而在垂直方向进行拉伸然后冷却，由此能够实现平滑的表面。之后，切断后的板状玻璃进一步按照顾客的规格而切断为规定的尺寸，进行端面研磨、清洗等，然后发货。

本发明特别适合于液晶显示器、等离子体显示器、有机EL显示器的平板显示器(FPD)用的玻璃基板的制造。

本发明适合于例如厚度为0.5mm～0.7mm、且尺寸为300mm×400mm～2850mm×3050mm的FPD用玻璃基板的制造。

需要说明的是，液晶显示装置用玻璃基板等在其表面形成有半导体元件，因此优选完全不含有碱金属成分、或即使含有也是对半导体元件不会产生影响的程度的微量。另外，对于液晶显示装置用玻璃基板等而言，若在玻璃基板中存在气泡则会导致显示缺陷，因此优选尽可能减少气泡。在液晶显示装置用玻璃基板等中，可以如上所述进行玻璃组成、熔融玻璃的温度、澄清剂等的选择，因此本发明适合于液晶显示装置用玻璃基板等的制造。

符号说明

1主体(澄清槽主体)

10熔融窑

20、40输送管

40a输送管上部

40b输送管下部

30澄清槽

30b澄清槽底部

30c排出口

100玻璃基板制造装置

MG熔融玻璃

a气相空间

Z沉淀物(氧化锆的沉淀物)

Claims

1.一种玻璃基板的制造方法，其是包含脱泡工序的玻璃基板的制造方法，所述脱泡工序是通过一边对澄清槽主体进行加热一边使配合有澄清剂的熔融玻璃通过所述澄清槽来进行脱泡处理的，该玻璃基板的制造方法的特征在于，

所述澄清槽为如下澄清槽：

由铂族金属构成；

所述澄清槽具备用于将所述熔融玻璃从该澄清槽送入下一工序的输送管，该输送管连接于用于使熔融玻璃从所述澄清槽流出的出口侧；

所述澄清槽具有液位调整工序，其中，在使配合有澄清剂的熔融玻璃通过所述澄清槽时，调整所述熔融玻璃的流量使得所述熔融玻璃的液位为规定液位；

所述澄清槽中，将所述输送管设置在如下位置，在该位置，当使所述规定的液位的熔融玻璃通过时，澄清槽内流动的所述熔融玻璃的上部表面附近的该熔融玻璃不会滞留在所述出口附近而是流向所述输送管；

所述澄清槽为圆筒状，

所述澄清槽的内径为比所述输送管的内径大，

按照使所述澄清槽内的熔融玻璃的液位与所述输送管的上部的位置一致的方式或者按照所述澄清槽内的熔融玻璃的液位在所述输送管的上部的位置的下方的方式设置所述输送管。

2.如权利要求1所述的玻璃基板的制造方法，其特征在于，所述澄清槽内的熔融玻璃的液位与所述输送管的上部的差值在20mm以内。

3.如权利要求2所述的玻璃基板的制造方法，其特征在于，对于所述输送管而言，该输送管的下部位于相对于所述澄清槽的底部至少30mm以上的上部侧。

4.如权利要求3所述的玻璃基板的制造方法，其特征在于，为了在所述澄清槽的前工序中对玻璃材料进行熔融而使用的熔融窑由高氧化锆系耐火物构成。

5.如权利要求4所述的玻璃基板的制造方法，其特征在于，所述澄清槽在所述澄清槽的所述出口附近的底部设置有氧化锆排出用的排出口。

6.如权利要求1～5任一项所述的玻璃基板的制造方法，其特征在于，所述熔融玻璃由分别含有SiO₂、Al₂O₃、B₂O₃、碱土金属的材料构成，所述SiO₂的含量为50％～70％。

7.如权利要求1～5任一项所述的玻璃基板的制造方法，其特征在于，所述熔融玻璃由分别含有SiO₂、Al₂O₃、B₂O₃、碱土金属的材料构成，所述B₂O₃的含量为5％以上。

8.如权利要求1～5任一项所述的玻璃基板的制造方法，其特征在于，所述熔融玻璃由无碱玻璃或微量含碱玻璃构成。

9.如权利要求1～5任一项所述的玻璃基板的制造方法，其特征在于，在所述澄清槽内流动的所述熔融玻璃的至少一部分的温度为1630度以上且1720度以下。

10.如权利要求1～5任一项所述的玻璃基板的制造方法，其特征在于，所述熔融玻璃由使粘度为10^2.5泊时需要1300度以上的熔融温度的材料构成。

11.如权利要求1～5任一项所述的玻璃基板的制造方法，其特征在于，所述澄清剂为氧化锡。