CN203498243U - 玻璃基板的制造装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种在玻璃基板的制造过程中加热澄清管进行消泡处理时,即便使用环境负荷较少的SnO2等作为澄清剂,也可以减少附着在澄清管内部的挥发物的玻璃基板的制造装置。预先在澄清管内部的上部区域设定使熔融玻璃通过澄清管进行消泡时成为熔融玻璃的液面上的空间的气相空间。将增强部形成为在经设定的气相空间的至少一部分中不会产生气相空间中的气流滞留的形状。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种通过将使玻璃原料熔融而生成的熔融玻璃成形而制造玻璃基板的玻璃基板的制造装置。
背景技术
玻璃基板一股而言是在自玻璃原料中生成熔融玻璃之后,经由将熔融玻璃成形为玻璃基板的步骤而制造。在所述步骤中,视需要而包含将熔融玻璃所内含的小气泡去除的步骤(以下也称为澄清)。澄清是通过一面加热澄清管,一面使调配有As2O3等澄清剂的熔融玻璃通过该澄清管,利用澄清剂的氧化还原反应将熔融玻璃中的泡去除而进行。更具体而言,将经粗熔解的熔融玻璃的温度进而提高,使澄清剂发挥功能,从而使泡浮起消泡。其后,通过降低温度,而使熔融玻璃吸收未完全消泡而残存的相对较小的泡。即,澄清包含使泡浮起消泡的处理(以下也称为消泡处理或消泡步骤)、及使熔融玻璃吸收小泡的处理(以下也称为吸收处理或吸收步骤)。澄清剂以往通常为As2O3,但近年来,考虑到减轻环境负荷的观点,而采用SnO2或Fe2O3等。
为了自高温的熔融玻璃量产高品质的玻璃基板,而期待考虑不使成为玻璃基板缺陷的主要因素的异物等自制造玻璃基板的任一装置中混入熔融玻璃。因此,在玻璃基板的制造过程中,与熔融玻璃相接的构件的内壁必须相应于和该构件相接的熔融玻璃的温度、所要求的玻璃基板的品质等,由合适的材料构成。例如,已知构成上述澄清管的材料通常采用铂或铂合金等铂族金属(专利文献1)。铂或铂合金虽为高价,但熔点高,对熔融玻璃的抗腐蚀性也优异。
消泡步骤时加热澄清管的温度因应成形的玻璃基板的组成而不同,但为1000~1650℃左右。
当使上述熔融玻璃通过澄清管时,在澄清管的内部表面和熔融玻璃的液面之间,必须具有一定广度的消泡用的气相空间。
[背景技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利特表2006—522001号公报
实用新型内容
[实用新型所要解决的问题]
在上述气相空间中由于自熔融玻璃释放含氧的气泡,所以,澄清管中和气相空间相接的内壁部分的铂或铂合金进行挥发。
然而,在玻璃基板的制造中,已知因使用的澄清剂不同,有效地发挥澄清作用的温度也不同。例如,As2O3(亚砷酸)去除气泡的能力优异,澄清温度也因在1500℃左右以上的范围而充分,因此,以往通常使用As2O3作为澄清剂。然而,亚砷酸的环境负荷较高,所以,如上所述,近年来逐步地使用SnO2(氧化锡)等,作为环境负荷不高的澄清剂。然而,氧化锡与亚砷酸相比,在消泡步骤时释放泡的能力较弱,所以,必须降低玻璃的粘性,提高消泡效果,因此,必须以较高的温度进行澄清。例如,在将氧化锡用作澄清剂的情况下,优选升温至1600℃以上。因此,在和上述气相空间相接的澄清管的内壁部分,存在该内壁部分变得比以往容易挥发的课题。为防止这种因铂挥发导致的薄壁化、或高温导致的强度下降,而在澄清管中在周方向上设置环状增强材等增强部时,在增强部的附近变得容易附着铂的挥发物。存在该附着的挥发物坠落后混入消泡步骤中的熔融玻璃中,导致玻璃基板的品质下降的可能性。
本实用新型是鉴于以上方面而提供一种玻璃基板的制造装置,在玻璃基板的制造过程中,当加热澄清管实施消泡处理时,即便使用环境负荷较少的SnO2等作为澄清剂,也能一面保持澄清管的强度,一面减少澄清管的增强部附近所附着的挥发物。
[解决问题的技术手段]
为实现上述目的,本实用新型的一形态是具有用以将熔融玻璃澄清的澄清槽的玻璃基板的制造装置。所述澄清槽包含:
澄清管;
增强部,设置在所述澄清管的周方向上,使所述澄清管增强;及
气相空间,预先设定在所述澄清管的内部表面的上部的区域,在使熔融玻璃通过所述澄清管进行澄清时成为所述熔融玻璃的液面上的空间;
所述增强部是经形成为在所述气相空间的至少一部分,形成为不会产生所述气相空间中的气流滞留的形状。
而且,本实用新型的其他一形态是具有用以将熔融玻璃澄清的澄清槽的玻璃基板的制造装置。所述澄清槽包含:
澄清管;
增强部,设置在所述澄清管的周方向上,具有自所述澄清管的内部表面朝向所述澄清管的内侧突出的部分,且使所述澄清管增强;及
气相空间,预先设定在所述澄清管的内部表面的上部的区域,且使熔融玻璃通过所述澄清管进行澄清时成为所述熔融玻璃的液面上的空间;
所述气相空间中所属的所述增强部的至少一部分朝向所述澄清管内侧的突出量小于与熔融玻璃接触的液相中的所述增强部的部分朝向所述澄清管内侧的突出量。
此时,优选所述增强部为沿着所述澄清管的内周设置的板状构件。
而且,优选位于所述澄清管顶部的所述增强部的顶上部分属于所述气相空间,且所述增强部的所述顶上部分朝向所述澄清管内侧的突出量为0。
进而,优选所述气相空间中所属的增强部的至少一部分沿着所述澄清管的延伸方向的截面形状为曲面状。
本实用新型的其他一形态是具有用以将熔融玻璃澄清的澄清槽的玻璃基板的制造装置。所述澄清槽包含:
澄清管;
增强部,设置在所述澄清管的周方向上,且自所述澄清管的内部表面朝向所述澄清管的内侧突出;及
气相空间,预先设定在所述澄清管的内部表面的上部的区域,在使熔融玻璃通过所述澄清管进行澄清时成为所述熔融玻璃的液面上的空间;
所述气相空间中所属的所述增强部形成有贯穿所述增强部的于所述澄清管的突出部分的孔。
所述形态分别尤其适合所述澄清剂为氧化锡的情况。
所述形态分别尤其适合所述熔融玻璃在粘度设为102.5泊时由需要1300℃以上的熔融温度的材料构成的情况。
[实用新型的效果]
根据本实用新型的玻璃基板的制造装置,即便澄清的相关温度比以往需要高温,也可通过增强部,一方面保持澄清管的强度,一方面在增强部的附近挥发物变得难以附着。因此,可避免在消泡步骤中异物混入至熔融玻璃中,所以,可保持玻璃制品的品质。
附图说明
图1是用以对实施方式的玻璃基板的制造方法进行说明的玻璃基板制造装置的概略性构成图。
图2是表示澄清槽的基本构成的概略图。
图3(a)是沿着图2的3a-3a线的剖视图,图3(b)是增强部的平面图。
图4(a)及图4(b)是表示本实施方式的变化例的图,且是沿着图2的3a-3a线的剖视图。
图5是说明以往的增强部附近的气流滞留的剖视图。
图6是表示本实施方式的变化例的增强部附近的放大剖视图。
[符号的说明]
31 澄清管
31a 澄清管的内部表面
33 增强部
10 熔融槽
20、40 传送管
30 澄清槽
g 气相空间
具体实施方式
以下,一面参照附图,一面说明本实用新型的玻璃基板的制造装置的实施方式。
图1是用以说明实施方式的玻璃基板的制造装置的概略图,且简略地表示玻璃基板制造中的基本流程。
玻璃基板制造装置(以下也简称为装置)100包含:将玻璃原料加热生成熔融玻璃的熔融槽10、使熔融玻璃澄清的澄清槽30、使熔融玻璃成形的成形装置(未图示)、及连接它们之间的传送管20、40。
传送管20是将熔融槽10与澄清槽30连接,且将自熔融槽10导出的熔融玻璃供给至澄清槽30。传送管40是将澄清槽30与成形装置(未图示)连接,且将自澄清槽30导出的熔融玻璃供给至成形装置(未图示)。另外,在澄清槽30与成形装置之间,有时配置有用以将熔融玻璃搅拌均化的搅拌槽。箭头是表示熔融玻璃流动的方向。
投放到熔融槽10的玻璃原料是相应于应制造的玻璃基板的组成而适当地制备。作为一例,若列举制造用作TFT型LCD用基板的玻璃基板的情况,则以质量%表示构成玻璃基板的玻璃组成物,优选含有
SiO2:50~70%、
A12O3:0~25%、
B2O3:1~15%、
MgO:0~10%、
CaO:0~20%、
SrO:0~20%、
BaO:0~10%、
RO:5~30%(其中,R为Mg、Ca、Sr及Ba的总量)
的无碱玻璃。
另外,本实施方式是设为无碱玻璃,但玻璃基板也可以是微量含有碱金属的含微量碱玻璃。在含有碱金属的情况下,优选含有R'2O合计为0.10%以上0.5%以下,优选0.20%以上0.5%以下(其中,R’是选自Li、Na及K的至少1种,且是玻璃基板所含有的碱金属)的碱金属。毫无疑问,R'2O的合计也可以小于0.10%。
而且,在适用本实施方式的玻璃基板的制造方法的情况下,也可以玻璃组成物不仅含有所述各成分,而且以质量%表示含有SnO2:0.01~1%(优选0.01~0.5%)、Fe2O3:0~0.2%(优选0.01~0.08%),且考虑到环境负荷,实质上不含有As2O3、Sb2O3及PbO的方式,制备玻璃原料。
熔融槽10中生成的熔融玻璃是经由传送管20传送到澄清槽30。在澄清槽30中,将熔融玻璃保持为规定温度(在所述组成的玻璃的情况下,例如为1500℃以上),实施包含将熔融玻璃中所含的气泡去除的消泡步骤的澄清。进而,澄清槽30中经澄清的熔融玻璃是经由传送管40传送到成形装置。熔融玻璃是在自澄清槽30向成形装置传送时的传送管40中,被冷却到适合成形的温度(在所述组成的玻璃的情况下,例如为1200℃左右)。在成形装置中,将熔融玻璃成形为玻璃基板。
其次,利用图2,说明包含消泡步骤的澄清。图2是表示澄清槽30的基本构成的侧视图。
澄清槽30主要包括澄清管31、与澄清管31连接的加热器电极32a及32b、及使澄清管31增强的作为增强材的增强部33。
澄清管31是铂或铂铑合金等铂合金的金属管,且一股而言采用圆筒状。将澄清管31的管路作为流路,从而熔融玻璃MG在澄清管31的内部流动。
加热器电极32a及32b是使电流自澄清管31的外周壁面流入澄清管31。若电流流入澄清管31中,则因澄清管31的电阻而产生焦耳热,而将澄清管31的外周壁加热,从而熔融玻璃MG的温度上升到规定的温度。这样一来,澄清槽30一面加热熔融玻璃MG,一面使调配有澄清剂的熔融玻璃MG通过澄清管31,进行熔融玻璃MG的消泡。
增强部33是铂或铂铑合金等铂合金的金属板,且是配置在澄清管31、31之间,并在两侧焊接地连接有澄清管31、31的环状板材。即,增强部33是沿着澄清管31的内周设置的板状构件。在图2所示的例子中,在澄清槽30的延伸方向上设置有5个澄清管31,且在澄清管31与邻接的澄清管31之间的4个部位设置有增强部33。增强部33是沿着澄清管31的周方向设置,使澄清管31增强。即,提高了澄清管31的机械强度。在本实施方式中,增强部33的外径等于澄清管31。另外,也可以使增强部33的外径略大于澄清管31,使得增强部33自澄清管31的外周面突出。由此,可提高焊接的施工性,并且进一步提高澄清管31的强度。
在澄清管31的内部流动的熔融玻璃MG不是在澄清管31的流路截面整体中流动,而通常在澄清管31内部的上方,存在用以使利用熔融玻璃MG的消泡处理而消泡的泡释放的气相空间g。气相空间g是在使熔融玻璃MG通过澄清管31进行消泡时,预先设定为熔融玻璃MG的液面上的空间。而且,在澄清管31上部,设置有用以使自气相空间g释放的泡中的气体成分释放至大气的气体排气口30a。气相空间g中的气流F是沿着澄清管31的内部表面31a,朝向气体排气口30a流动。
其次,利用图3(a)、图3(b),对本实施方式的玻璃基板的制造方法及玻璃基板制造用的澄清槽进行详细说明。图3(a)是沿着图2的3a-3a线的剖视图,图3(b)是增强部33的前视图。
如图3(a)所示,增强部33是沿着澄清管31的周方向设置,且自澄清管31的内部表面31a朝向澄清管31的内侧突出的环状构件。增强部33的周方向的屈曲强度高于澄清管31的周方向的屈曲强度。因此,通过在澄清管31设置增强部33,使得澄清管31的周方向的屈曲强度提高。在本实施方式中,在包含上述消泡步骤的玻璃基板的制造方法中,将澄清管31的内部表面31a的上部的区域且使熔融玻璃MG通过澄清管31进行消泡时成为熔融玻璃MG的液面上的空间预先设定为气相空间g。而且,将气相空间g中所属的增强部33去除。即,气相空间g中所属的增强部33的部分中朝向澄清管31内侧的突出量成为0。
在本实施方式中,气相空间g中所属的增强部33的部分中朝向澄清管31内侧的突出量为0,但该突出量也可以不为0。在本实施方式中,只要气相空间g中所属的增强部33的至少一部分中朝向澄清管31内侧的突出量小于与熔融玻璃接触的液相中的增强部33的部分中朝向澄清管内侧的突出量即可。
如图3(b)所示,增强部33是对应着气相空间g中所属的部分,设置有切口部33a。构成切口部33a的内缘的圆弧的半径r等于澄清管31的内周圆的半径R、即澄清管31的内径D的1/2。因此,增强部33中形成有切口部33a的部分如图3(a)所示成为增强部33未自澄清管31的内部表面31a突出,且将气相空间g中所属的部分去除的状态。即,本实施方式是在气相空间g中,增强部33自澄清管31的内部表面31a突出的量p成为0。在其他部分中,增强部33设置成自澄清管31的内部表面31a以大于0的规定的突出量p突出。此处,增强部33的突出量p是和澄清管31的内部表面31a相距的澄清管31的径向的高度,且考虑澄清管31的壁厚t、挥发量、温度及强度、以及增强部33的板厚等而决定。而且,在本实施方式中,切口部32a的宽度w等于或略大于澄清管31的壁厚t。
气相空间g可通过调整在澄清槽30的澄清管31流动的熔融玻璃MG的液位而获得规定的广度。而且,也可以保持固定的广度的气相空间g。所述液位k可通过利用例如雷射移位计,视需要进行测量,且增减投放到熔融槽10中的玻璃材料的量等较佳的方法进行调整。若熔融玻璃的液位下降,则存在增强部33自澄清管31的内部表面31a突出的部分曝露于气相空间g的可能性,所以,期待将熔融玻璃的液位调整为不低于预先设定的气相空间g的下限。
自澄清管31的内部表面31a挥发的挥发物是附着在气相空间g内气流F所滞留的部分。如图2所示,气相空间g中的气流F形成为沿着澄清管31的内部表面31a,朝向气体排出口30a。因此,如图5所示,在澄清管中设置增强部的情况下,若增强部自澄清管的内部表面朝向澄清管的内侧突出,则因增强部附近的气流F中产生的涡流等,而在增强部的附近滞留气流F。由此,若增强部的附近的挥发物的浓度上升成为过饱和的状态,则该附近变得容易附着挥发物。此处,所谓增强部的附近是指包括增强部的表面在内,受到增强部的影响而可能滞留气流F的区域。存在如下可能性:附着在该增强部附近的挥发物坠落而混入到消泡步骤中的熔融玻璃MG中,导致玻璃基板的品质下降。
本实施方式的玻璃基板的制造方法、及玻璃基板制造用的澄清槽30是在使熔融玻璃通过澄清管31进行消泡处理时,预先设定气相空间g作为熔融玻璃MG的液面上的空间。而且,通过将气相空间g中所属的增强部33去除,而将增强部33形成为不产生气相空间g中的气流F滞留的形状。即,增强部33在气相空间g的至少一部分中,设置成防止铂的挥发物浓度局部地上升的形状。换言之,增强部33是在气相空间g的至少一部分中,形成为不产生与朝向气体排气口30a的气流F逆向的气流的形状。
因此,通过将环境负荷较少的SnO2用作调配在熔融玻璃MG中的澄清剂,而即便与澄清相关的温度需要高温,且澄清管31的与气相空间g相接的部分进行挥发的情况,在增强部33的附近也不会滞留气相空间g内的气流,从而挥发物的浓度不会局部地上升达到过饱和状态,因此,挥发物不附着于增强部33的附近。而且,除了气相空间g以外,增强部33设置在澄清管31的周方向上,所以,可利用增强部33保持澄清管31的强度。因此,在消泡步骤中,可一面保持澄清管31的强度,一面有效地避免异物混入至熔融玻璃MG中,从而可保持玻璃制品的品质。
另外,在澄清槽30内,熔融玻璃以成为泡容易浮起的粘度、优选120poise(泊)至400泊的范围的方式,在供给至澄清槽30之前进行加热,以促进澄清剂的氧释放反应。例如,在无碱玻璃或仅微量含有碱的含微量碱玻璃(高温粘性玻璃)、例如设为102.5泊时需要1300℃以上、优选1400℃以上、进而优选1500℃以上的熔融温度的玻璃材料的情况下,升温至1700℃、优选1710℃、进而优选1720℃附近为止。
即,必须将澄清槽30的温度提高到构成澄清槽30的澄清管31的铂或铂合金的耐受温度附近为止。
因此,本实施方式尤其适合于使用高温粘性较高的玻璃材料,制造玻璃基板的情况。具体而言,尤其适合于由设为102.5泊时需要1300℃以上的熔融温度的玻璃材料构成熔融玻璃的情况。所述熔融温度因需要1400℃以上、进而1500℃以上的熔融温度的玻璃材料而较佳。
而且,在将氧化锡用作澄清剂的情况下,升温至1630℃~1700℃、优选1630℃~1710℃、进而优选1630℃~1720℃附近为止。即,必须将澄清槽30的温度提高到构成澄清槽30的本体1的铂或铂合金的耐热温度附近为止。因此,本实用新型尤其适合于将氧化锡用作澄清剂的玻璃基板的制造。
本实用新型尤其适合于液晶显示器、等离子显示器、有机EL显示器等平板显示器(FPD)用途的玻璃基板的制造。
无论何种情况均可通过适用本实用新型,而即便澄清管31的内壁与气相空间g相接的部分进行挥发,也可以抑制挥发物附着在澄清管31的内部表面31a。
在实施使用本实用新型的玻璃基板制造装置的玻璃基板的制造方法时,应明确并非限定于上述实施方式的制造方法。例如,即便除了上述实施方式中所例示的玻璃原料以外的玻璃原料,只要使用以往一直采用的通用的原料,则可适用本实用新型的玻璃基板的制造方法。
而且,上述实施方式是将作为熔融玻璃MG的液面上的空间而预先设定的气相空间g中所属的增强部33全部去除。然而,如图4(a)或图4(b)所示,增强部33也可以通过将气相空间g中所属的至少一部分去除,而形成为不产生被去除的部分中的气流滞留的形状。即,气相空间g中所属的增强部33的至少一部分中朝向澄清管31内侧的突出量,变得小于与熔融玻璃接触的液相中的增强部33的部分中朝向澄清管内侧的突出量即可。
在澄清管31的与气相空间g相接的部分出现挥发的情况下,存在澄清管31的顶部a中容易附着挥发物的倾向。因此,优选在气相空间g的至少顶部a,以增强部33不自澄清管31的内部表面31a突出的方式,构成增强部33。例如,将增强部33的一部分构件去除。即,在本实施方式中,优选位于澄清管31的顶部a的增强部33的顶上部分属于气相空间g,且增强部33的顶上部分朝向澄清管31内侧的突出量为0。由此,增强部33成为在顶部a的附近中不产生气流滞留的形状,从而抑制挥发物附着在增强部33的附近。因此,可以一面利用增强部33保持澄清管31的强度,一面抑制异物混入熔融玻璃MG中,从而保持玻璃制品的品质。而且,也可以通过在气相空间g中所属的增强部33形成1个或2个以上的孔,而不产生增强部33的附近中的气流滞留。而且,在气相空间g的至少一部分中,只要增强部33自澄清管31的内部表面31a突出的量p小于其他部分,则可获得一定的效果。即,由于增强部33自澄清管31的内部表面31a突出的量p比以往减少,因此,可抑制增强部33的附近的气流滞留,从而抑制挥发物的附着,且抑制异物混入熔融玻璃MG中,从而可保持玻璃制品的品质。而且,如图6所示,也可以将气相空间g中所属的增强部33的至少一部分中沿着澄清管31的延伸方向的截面形状形成为曲面状,优选形成为平滑的曲面状,从而不产生增强部33附近的气流F的滞留。
上述实施方式采用如下构成:增强部33使用周方向上无切痕的环状板材,且在澄清管31、31之间配置增强部33,在增强部33的两侧连接有澄清管31。然而,本实用新型的形态不限于上述实施方式。例如,将具有切痕的环状增强部固定在澄清管31的内部表面31a,使增强部的切痕的部分对应于预先设定在澄清管31内部的气相空间g。可以此方式,将增强部的切痕的部分,设定为增强部未自澄清管31的内部表面31a突出的区域。
另外,在本说明书中,「铂族金属」表示包含铂族元素的金族,且用作不仅包括含有单一的铂族元素的金属而且包括铂族元素的合金的术语。此处,所谓铂族元素是指铂(Pt)、钯(Pd)、铑(Rh)、钌(Ru)、锇(Os)、铱(Ir)的6元素。铂族金属虽昂贵,但熔点高,且对于熔融玻璃的抗腐蚀性也优异。
而且,澄清槽优选如图所示为圆筒形,但若能确保将熔融玻璃MG收容在其内部的空间,则该形状并无限制,例如该外形也可是长方体等。
本实用新型适合于利用溢流下拉法将玻璃成形的玻璃基板的制造。溢流下拉法是通过使熔融玻璃沿着楔状成形体的两侧面流下,且在所述楔状成形体的下端部合流,而成形为板状玻璃,并将经成形的板状玻璃缓冷、切断。溢流下拉法可通过将经熔解的玻璃不接触任何物体地在垂直方向上拉伸进行冷却,而实现平滑的表面。其后,将经切断的板状玻璃进而结合客户的规格切断为规定尺寸,经端面抛光,清洗等而出货。
本实用新型适合于例如厚度为0.5~0.7mm且尺寸为300×400mm~2850×3050mm的FPD用玻璃基板的制造。
另外,液晶显示装置用玻璃基板等因在其表面形成半导体元件,而优选完全不含碱金属成分,或者即便含有微量碱金属,也是不会对半导体元件造成影响的程度。而且,液晶显示装置用玻璃基板等由于如果玻璃基板中存在泡则成为显示缺陷的原因,故优选极度地减少泡。根据以上这些情况,液晶显示装置用玻璃基板等如上所述地选择玻璃组成、熔融玻璃的温度、及澄清剂等,所以,本实用新型的装置适合于液晶显示装置用玻璃基板等的制造。
其他方面,可在不脱离实用新型的主旨的范围内变更为各种较佳的其他方式。
例如,上述实施方式中,对环状板材用作增强部的情况进行了说明,但增强部也可以是使澄清管屈曲而设置在澄清管的周方向上的凹凸。在使澄清管以突出至径向外侧的方式屈曲而形成增强部的情况下,凹部形成在澄清管的内部表面。而且,在使澄清管以突出至径向内侧的方式屈曲而形成增强部的情况下,凸部形成在澄清管的内部表面。在具有如此的凹部或凸部作为增强部的情况下,在气相空间的至少一部分中,可将这些凹部或凸部形成为不产生气相空间中的气流滞留的形状。具体而言,将气相空间中的凹部或凸部形成为小于其他区域,或者在气相空间不形成凹部或凸部,便可使澄清管的内部表面平坦。
Claims (6)
1.一种玻璃基板的制造装置,具有用以将熔融玻璃澄清的澄清槽,其特征在于:
所述澄清槽包含:
澄清管;
增强部,设置在所述澄清管的周方向上,使所述澄清管增强;及
气相空间,预先设定在所述澄清管的内部表面的上部的区域,在使熔融玻璃通过所述澄清管进行澄清时成为所述熔融玻璃的液面上的空间;
所述增强部是经形成为在所述气相空间的至少一部分,不会产生所述气相空间中的气流滞留的形状。
2.一种玻璃基板的制造装置,具有用以将熔融玻璃澄清的澄清槽,其特征在于:
所述澄清槽包含:
澄清管;
增强部,设置在所述澄清管的周方向上,具有自所述澄清管的内部表面朝向所述澄清管的内侧突出的部分,且使所述澄清管增强;及
气相空间,预先设定在所述澄清管的内部表面的上部的区域,且使熔融玻璃通过所述澄清管进行澄清时成为所述熔融玻璃的液面上的空间;
所述气相空间中所属的所述增强部的至少一部分朝向所述澄清管内侧的突出量小于与熔融玻璃接触的液相中的所述增强部的部分朝向所述澄清管内侧的突出量。
3.根据权利要求2所述的玻璃基板的制造装置,其特征在于:所述增强部是沿着所述澄清管的内周设置的板状构件。
4.根据权利要求2或3所述的玻璃基板的制造装置,其特征在于:位于所述澄清管顶部的所述增强部的顶上部分属于所述气相空间,且所述增强部的所述顶上部分朝向所述澄清管内侧的突出量为0。
5.根据权利要求2或3所述的玻璃基板的制造装置,其特征在于:所述气相空间中所属的增强部的至少一部分沿着所述澄清管的延伸方向的截面形状为曲面状。
6.一种玻璃基板的制造装置,具有用以将熔融玻璃澄清的澄清槽,其特征在于:
所述澄清槽包含:
澄清管;
增强部,设置在所述澄清管的周方向上,且自所述澄清管的内部表面朝向所述澄清管的内侧突出;及
气相空间,预先设定在所述澄清管的内部表面的上部的区域,在使熔融玻璃通过所述澄清管进行澄清时成为所述熔融玻璃的液面上的空间;
所述气相空间中所属的所述增强部形成有贯穿所述增强部于所述澄清管的突出部分的孔。
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