TW201427916A

TW201427916A - 玻璃基板之製造裝置及玻璃基板之製造方法

Info

Publication number: TW201427916A
Application number: TW102135172A
Authority: TW
Inventors: Shingo Fujimoto; Takao Hamatani
Original assignee: Avanstrate Inc
Priority date: 2012-09-27
Filing date: 2013-09-27
Publication date: 2014-07-16
Also published as: JPWO2014050824A1; TWI585052B; KR101622057B1; JP5752811B2; WO2014050824A1; CN203498243U; KR20140078695A

Abstract

本發明提供一種於玻璃基板之製造過程中加熱澄清管進行脫泡處理時，即便使用環境負荷較少之SnO2等作為澄清劑，亦可減少附著於澄清管之內部之揮發物的玻璃基板之製造裝置及製造方法。預先設定澄清管之內部之上部之區域、且於使熔融玻璃通過澄清管進行脫泡時成為熔融玻璃之液面上之空間的氣相空間。將加強部於所設定之氣相空間之至少一部分中，形成為氣相空間中不產生氣流滯留之形狀。

Description

玻璃基板之製造裝置及玻璃基板之製造方法

本發明係關於一種藉由使將玻璃原料熔融所生成之熔融玻璃成形而製造玻璃基板的玻璃基板之製造裝置及玻璃基板之製造方法。

玻璃基板通常經過如下步驟進行製造：於由玻璃原料生成熔融玻璃後，使熔融玻璃成形為玻璃基板。於上述步驟中，包括視需要將熔融玻璃包容之微小之氣泡去除之步驟(以下，亦稱為澄清)。澄清係藉由如下而進行：一面加熱澄清管，一面使調配有As₂O₃等澄清劑之熔融玻璃通過該澄清管，利用澄清劑之氧化還原反應將熔融玻璃中之氣泡去除。更具體而言，進一步提高粗熔解後之熔融玻璃之溫度，使澄清劑發揮功能，使氣泡浮上脫泡。其後，藉由降低溫度，使未完全脫泡而殘留之相對較小之氣泡由熔融玻璃所吸收。即，澄清包含使氣泡浮上脫泡之處理(以下，亦稱為脫泡處理或脫泡步驟)及使小氣泡吸收於熔融玻璃之處理(以下，亦稱為吸收處理或吸收步驟)。關於澄清劑，先前通常為As₂O₃，但近年來，就降低環境負荷之觀點而言，使用SnO₂或Fe₂O₃等。

為了由高溫之熔融玻璃量產品質較高之玻璃基板，而期待考慮成為玻璃基板之缺陷之要因之雜質等未自製造玻璃基板之任一裝置混入熔融玻璃。因此，於玻璃基板之製造過程中與熔融玻璃接觸之構件之內壁必須根據與該構件接觸之熔融玻璃之溫度、所要求之玻璃基板之品質等，藉由適當之材料所構成。例如，已知構成上述澄清管之材料通常使用有鉑或鉑合金等鉑族金屬(專利文獻1)。鉑或鉑合金雖高價但熔點較高，對熔融玻璃之耐蝕性亦優異。

於脫泡步驟時加熱澄清管之溫度係根據應成形之玻璃基板之組成而不同，為1000~1650℃左右。

於使上述熔融玻璃通過澄清管時，必須於澄清管之內部表面與熔融玻璃之液面之間具有固定寬窄之脫泡用之氣相空間。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特表2006-522001號公報

於上述氣相空間中自熔融玻璃釋放包含氧氣之氣泡，故而澄清管中之與氣相空間接觸之內壁部分之鉑或鉑合金揮發。

且說，已知於玻璃基板之製造中，有效發揮澄清作用之溫度係根據使用之澄清劑而不同。例如，As₂O₃(亞砷酸)係去除氣泡之能力優異，澄清溫度亦為1500℃左右以上之範圍而足夠，故而先前通常使用As₂O₃作為澄清劑。然而，亞砷酸之環境負荷較高，故而如已敍述般，近年來使用有SnO₂(氧化錫)等作為環境負荷不高之澄清劑。然而，氧化錫係與亞砷酸相比，於脫泡步驟時釋放氣泡之能力較弱，故而必須降低玻璃之黏性而提高脫泡效果，因此必須以較高之溫度進行澄清。例如，於將氧化錫用作澄清劑之情形時，較佳為使其升溫至1600℃以上。因此，於上述與氣相空間接觸之澄清管之內壁部分中，有該內壁部分較先前更容易揮發之課題。於為了防止因此種鉑之揮發所致之薄壁化、或因高溫所致之強度之降低而於澄清管於周方向上設有環狀之加強材料等加強部的情形時，於加強部之附近容易附著鉑之揮發物。該附著之揮發物掉落並混入至脫泡步驟中之熔融玻璃中，從而有招致玻璃基板之品質之降低之虞。

鑒於以上方面，本發明提供一種於在玻璃基板之製造過程中加熱澄清管進行脫泡處理時，即便使用環境負荷較少之SnO₂等作為澄清劑，亦可保持澄清管之強度並且減少附著於澄清管之加強部之附近之揮發物的玻璃基板之製造方法及製造裝置。

為了達成上述目的，本發明之一態樣係一種玻璃基板之製造裝置，其係於玻璃基板之製造步驟中，具有用以澄清熔融玻璃之澄清槽者，且上述澄清槽具備：澄清管，其包含鉑或鉑合金；加強部，其設置於上述澄清管之周方向，加強上述澄清管；及氣相空間，其係上述澄清管之內部表面之上部之區域，且於使熔融玻璃通過上述澄清管進行澄清時作為上述熔融玻璃之液面上之空間而預先設定；且上述加強部係於上述氣相空間之至少一部分中，形成為上述氣相空間中不產生氣流滯留之形狀。即，上述加強部係於上述氣相空間中，形成為防止鉑之揮發物之濃度局部上升之形狀。換言之，上述加強部係形成為不產生與上述氣相空間中之氣流逆向之氣流的形狀。

又，本發明之另一態樣係一種玻璃基板之製造裝置，其係於玻璃基板之製造步驟中，具有用以澄清熔融玻璃之澄清槽者，且上述澄清槽具備：澄清管，其包含鉑或鉑合金；加強部，其設置於上述澄清管之周方向，且自上述澄清管之內部表面向上述澄清管之內側突出；及氣相空間，其係上述澄清管之內部表面之上部之區域，且於使熔融玻璃通過上述澄清管進行澄清時作為上述熔融玻璃之液面上之空間而預先設定；且將屬於上述氣相空間之上述加強部之至少一部分去除。

於上述態樣中，亦可將屬於上述氣相空間之加強部之至少一部分形成為曲面狀。

又，本發明之另一態樣係一種玻璃基板之製造方法，其包括如下脫泡步驟：使用上述玻璃基板之製造裝置，一面加熱上述澄清管，一面使調配有澄清劑之熔融玻璃通過上述澄清管進行脫泡。

上述態樣尤其適於上述澄清劑為氧化錫之情形。

上述態樣尤其適於如下情形：上述熔融玻璃係由在將黏度設為10^2.5泊之情形時需要1300℃以上之熔融溫度之材料所構成。

根據本發明之玻璃基板之製造裝置及玻璃基板之製造方法，即便澄清之溫度需要高於先前之溫度，亦利用加強部保持澄清管之強度並且於加強部之附近難以附著揮發物。因此，可避免於脫泡步驟中雜質混入熔融玻璃，故而可保持玻璃製品之品質。

3a-3a‧‧‧線

10‧‧‧熔融槽

20‧‧‧移送管

30‧‧‧澄清槽

30a‧‧‧氣體排氣口

31‧‧‧澄清管

31a‧‧‧澄清管之內部表面

32a‧‧‧加熱器電極

32b‧‧‧加熱器電極

33‧‧‧加強部

33a‧‧‧缺口部

40‧‧‧移送管

100‧‧‧玻璃基板製造裝置

a‧‧‧頂部

D‧‧‧澄清管之內徑

F‧‧‧氣流

g‧‧‧氣相空間

MG‧‧‧熔融玻璃

p‧‧‧突出量

r‧‧‧缺口部之圓弧之半徑

R‧‧‧澄清管之內周圓之半徑

t‧‧‧澄清管之壁厚

w‧‧‧缺口部之寬度

圖1係用以說明實施形態之玻璃基板之製造方法的玻璃基板製造裝置之概略性構成圖。

圖2係表示澄清槽之基本構成之概略圖。

圖3(a)係沿圖2之3a-3a線之剖面圖，(b)係加強部之俯視圖。

圖4係表示本實施形態之變化例之圖，(a)及(b)係沿圖2之3a-3a線之剖面圖。

圖5係對先前之加強部附近中之氣流之滯留進行說明之剖面圖。

圖6係表示本實施形態之變化例之加強部附近之放大剖面圖。

以下，一面參照圖式，一面對本發明之玻璃基板之製造方法之實施形態進行說明。

圖1係用以說明實施形態之玻璃基板之製造方法之概略圖，且係簡單地表示玻璃基板之製造中之基本流程者。

玻璃基板製造裝置(以下，亦僅稱為裝置)100具備：加熱玻璃原料並生成熔融玻璃之熔融槽10；澄清熔融玻璃之澄清槽30；成形熔融玻璃之成形裝置(未圖示)；及連接該等之間之移送管20、40。

移送管20係連接熔融槽10與澄清槽30，且將自熔融槽10導出之熔融玻璃供給至澄清槽30。移送管40係連接澄清槽30與成形裝置(未圖示)，且將自澄清槽30導出之熔融玻璃供給至成形裝置(未圖示)。再者，於澄清槽30與成形裝置之間會有配置用以攪拌熔融玻璃而進行均質化之攪拌槽之情形。箭頭表示熔融玻璃流動之方向。

投入至熔融槽10之玻璃原料係根據應製造之玻璃基板之組成而適當製備。作為一例，若列舉製造用作TFT(Thin Film Transistor，薄膜電晶體)型LCD(Liquid Crystal Display，液晶顯示器)用基板之玻璃基板之情形，若將構成玻璃基板之玻璃組成物以質量%表示，則較佳為含有如下之無鹼玻璃：SiO₂：50~70%、Al₂O₃：0~25%、B₂O₃：1~15%、MgO：0~10%、CaO：0~20%、SrO：0~20%、BaO：0~10%、RO：5~30%(其中，R為選自Mg、Ca、Sr及Ba中之至少1種，質量%意指該等之合計量)。

再者，於本實施形態中雖採用無鹼玻璃，但玻璃基板亦可為包含微量之鹼金屬的微量含鹼玻璃。於含有鹼金屬之情形時，較佳為包含R'₂O之合計為0.10%以上且0.5%以下、較佳為0.20%以上且0.5%以下(其中，R'為選自Li、Na及K中之至少1種，為玻璃基板所含有者)。當然，R'₂O之合計亦可未達0.10%。

又，於應用本發明之玻璃基板之製造方法之情形時，亦可以如下方式製備玻璃原料：玻璃組成物除上述各成分以外，以質量%表示，含有SnO₂：0.01~1%(較佳為0.01~0.5%)、Fe₂O₃：0~0.2%(較佳為0.01~0.08%)，且考慮環境負荷，實質上不含As₂O₃、Sb₂O₃及PbO。

熔融槽10中生成之熔融玻璃經由移送管20被送至澄清槽30。於澄清槽30中，將熔融玻璃保持為特定溫度(於上述組成之玻璃之情形時例如為1500℃以上)，而進行包含將熔融玻璃中所含之氣泡去除之脫泡步驟。進而，於澄清槽30中經澄清之熔融玻璃經由移送管40被送至成形裝置。熔融玻璃係於自澄清槽30被送至成形裝置時之移送管40當中，以成為適於成形之溫度(於上述組成之玻璃之情形時例如為1200℃左右)之方式予以冷卻。於成形裝置中，熔融玻璃成形為玻璃基板。

繼而，使用圖2對包含脫泡步驟之澄清進行說明。圖2係表示澄清槽30之基本構成之側視圖。

澄清槽30主要包含澄清管31、與澄清管31連接之加熱器電極32a及32b、以及作為加強澄清管之加強材料之加強部33。

澄清管31係鉑或鉑銠合金等鉑合金之金屬管，通常採用圓筒狀者。以澄清管31之管路作為流路，熔融玻璃MG於澄清管31之內部流動。

加熱器電極32a及32b係自澄清管31之外周壁面向澄清管31流通電流。若電流流通於澄清管31中，則藉由澄清管31之電阻而產生焦耳熱，澄清管31之外周壁受到加熱，熔融玻璃MG之溫度上升至特定之溫度。以此種方式，澄清槽30一面加熱熔融玻璃MG，一面使調配有澄清劑之熔融玻璃MG通過澄清管31，進行熔融玻璃MG之脫泡。

加強部33係鉑或鉑銠合金等鉑合金之金屬板，係配置於澄清管31、31之間且於兩側焊接有澄清管31、31從而連接而成之環狀之板材。加強部33係設置於澄清管31之周方向，加強澄清管31。於本實施形態中，加強部33之外徑係設為與澄清管31相等。再者，亦可使加強部33之外徑稍大於澄清管31，而使加強部33自澄清管31之外周面突出。藉此，可提高焊接之施工性，並且進一步提高澄清管31之強度。

於澄清管31之內部流動之熔融玻璃MG並非於澄清管31之流路剖面整體流動，通常於澄清管31內部之上方，存在用以使藉由熔融玻璃MG之脫泡處理而脫泡之氣泡釋放之氣相空間g。氣相空間g係於使熔融玻璃MG通過澄清管31進行脫泡時作為熔融玻璃MG之液面上之空間而預先設定。又，於澄清管31上部，設有用以使自氣相空間g釋放出之氣泡中之氣體成分向大氣釋放之氣體排氣口30a。氣相空間g中之氣流F係沿澄清管31之內部表面31a，朝向氣體排氣口30a流動。

繼而，使用圖3，對本實施形態之玻璃基板之製造方法、及玻璃基板製造用之澄清槽詳細地進行說明。於圖3中，(a)係沿圖2之3a-3a線之剖面圖，(b)係加強部33之前視圖。

如圖3之(a)所示，加強部33係設置於澄清管31之周方向，且自澄清管31之內部表面31a向澄清管31之內側突出之環狀之構件。加強部33之周方向之屈曲強度高於澄清管31之周方向之屈曲強度。因此，藉由對澄清管31設置加強部33，而提高澄清管31之周方向之屈曲強度。於本實施形態中，於包含上述脫泡步驟之玻璃基板之製造方法中，以澄清管31之內部表面31a之上部之區域、且於使熔融玻璃MG通過澄清管31進行脫泡時作為熔融玻璃MG之液面上之空間而而預先設定氣相空間g。而且，將屬於氣相空間g之加強部33去除。

如圖3之(b)所示，加強部33係與屬於氣相空間g之部分對應而設有缺口部33a。構成缺口部33a之內緣之圓弧之半徑r係與澄清管31之內周圓之半徑R、即澄清管31之內徑D之1/2相等。因此，如圖3之(a)所示，加強部33中形成有缺口部33a之部分成為如下狀態：加強部33 未自澄清管31之內部表面31a突出，屬於氣相空間g之部分被去除。即，於本實施形態中，於氣相空間g中，加強部33自澄清管31之內部表面31a突出之量p成為0。於其他部分中，加強部33係以自澄清管31之內部表面31a以大於0之特定之突出量p突出的方式設置。此處，加強部33之突出量p係距離澄清管31之內部表面31a的澄清管31之直徑方向之高度，考慮澄清管31之壁厚t、揮發量、溫度及強度、加強部33之板厚等而決定。又，於本實施形態中，缺口部33a之寬度w係與澄清管31之壁厚t相等或稍大於澄清管31之壁厚t。

氣相空間g可藉由調整在澄清槽30之澄清管31中流動之熔融玻璃MG之液位而獲得特定之寬窄。又，亦可保持固定寬窄之氣相空間g。上述液位係視需要使用例如雷射位移計進行測量，並藉由增減投入至熔融槽10之玻璃材料之量等較佳之方法而進行調整。若熔融玻璃之液位下降，則有自加強部33之澄清管31之內部表面31a突出之部分於氣相空間g露出之虞，故而熔融玻璃之液位較理想為以不會低於預先設定之氣相空間g之下限的方式進行調整。

自澄清管31之內部表面31a揮發之揮發物附著於氣相空間g內之氣流F滯留之部分。如圖2所示，氣相空間g中之氣流F係以沿澄清管31之內部表面31a朝向氣體排出口30a之方式形成。因此，如圖5所示，於在澄清管設有加強部之情形時，若加強部自澄清管之內部表面向澄清管之內側突出，則藉由加強部之附近之氣流F中產生之渦流等，氣流F滯留於加強部之附近。藉此，若加強部之附近之揮發物之濃度上升而成為過飽和之狀態，則揮發物容易附著於該附近。此處，所謂加強部之附近係包含加強部之表面，受到加強部之影響而可滯留氣流F之區域。附著於該加強部之附近之揮發物掉落並混入脫泡步驟中之熔融玻璃MG中，從而有招致玻璃基板之品質之降低之虞。

於本實施形態之玻璃基板之製造方法、及玻璃基板製造用之澄清槽30中，於使熔融玻璃通過澄清管31進行脫泡處理時作為熔融玻璃MG之液面上之空間而預先設定氣相空間g。而且，藉由將屬於氣相空間g之加強部33去除，而將加強部33形成為氣相空間g中不產生氣流F滯留之形狀。即，加強部33係於氣相空間g之至少一部分中，設為防止鉑之揮發物之濃度局部上升的形狀。換言之，加強部33係於氣相空間g之至少一部分中，形成為不會產生與朝向氣體排氣口30a之氣流F逆向之氣流或使氣流F之流動停滯、滯留之氣流的形狀。

因此，即便於因使用環境負荷較少之SnO₂作為調配於熔融玻璃MG之澄清劑而澄清之溫度需要高溫，澄清管31之與氣相空間g接觸之部分進行了揮發的情形時，亦未於加強部33之附近滯留氣相空間g內之氣流，從而揮發物之濃度不會局部上升而成為過飽和狀態，故而揮發物未附著於加強部33之附近。又，由於除氣相空間g以外，將加強部33設置於澄清管31之周方向，故而可藉由加強部33保持澄清管31之強度。因此，於脫泡步驟中，可保持澄清管31之強度並且有效地避免雜質混入於熔融玻璃MG，從而可保持玻璃製品之品質。

且說，於澄清槽30內，為了促進澄清劑之氧氣之釋放反應，熔融玻璃係以成為氣泡容易浮上之黏度、較佳為120poise(泊)至400泊之範圍之方式，於供給至澄清槽30之前進行加熱。例如，於無鹼玻璃或僅含有微量之鹼的含微量鹼之玻璃(高溫黏性玻璃)，即當設為例如10^2.5泊時需要1300℃以上、較佳為1400℃以上、進而較佳為1500℃以上之熔融溫度之玻璃材料之情形時，升溫至1700℃、較佳為1710℃、進而較佳為1720℃附近為止。

即，必須使澄清槽30之溫度上升至構成澄清槽30之澄清管31之鉑或鉑合金之耐熱溫度附近為止。

因此，本實施形態尤其適於使用高溫黏性較高之玻璃材料製造玻璃基板之情形。具體而言，尤其適於如下情形：由在將熔融玻璃設為10^2.5泊之情形時需要1300℃以上之熔融溫度之玻璃材料所構成。更適於上述熔融溫度需要1400℃以上、進而1500℃以上之熔融溫度之玻璃材料。

又，於將氧化錫用作澄清劑之情形時，係升溫至1630℃~1700℃、較佳為1630℃~1710℃、進而較佳為1630℃~1720℃附近為止。即，必須使澄清槽30之溫度上升至構成澄清槽30之本體1之鉑或鉑合金之耐熱溫度附近為止。因此，本發明尤其適於將氧化錫用作澄清劑之玻璃基板之製造。

本發明尤其適於液晶顯示器、電漿顯示器、有機EL(Electroluminescence，電致發光)顯示器等平板顯示器(FPD)用之玻璃基板之製造。

藉由於任一情形時均應用本發明，而即便於澄清管31之內壁之與氣相空間g接觸之部分揮發之情形時，亦可抑制揮發物附著於澄清管31之內部表面31a。

應明瞭於實施本發明之玻璃基板之製造方法時，並不限定於上述實施形態之製造方法。例如，關於除上述實施形態中例示之玻璃原料以外之玻璃原料，若使用自先前以來使用之通用之原料，亦可應用本發明之玻璃基板之製造方法。

又，於上述實施形態中，將屬於作為熔融玻璃MG之液面上之空間而預先設定之氣相空間g的加強部33全部去除。然而，如圖4之(a)或圖4之(b)所示，加強部33亦可藉由將屬於氣相空間g之至少一部分去除，而形成為所去除之部分中不產生氣流滯留之形狀。於澄清管31之與氣相空間g相接之部分揮發之情形時，有揮發物容易附著於澄清管31之頂部a之傾向。因此，於氣相空間g之至少頂部a，以加強部33不自澄清管31之內部表面31a突出之方式，將加強部33之一部分去除。藉此，加強部33成為於頂部a之附近不產生氣流滯留之形狀，從而抑制揮發物附著於加強部33之附近。因此，可藉由加強部33保持澄清管31之強度並且抑制雜質混入於熔融玻璃MG，從而保持玻璃製品之品質。又，亦可藉由在屬於氣相空間g之加強部33形成1個或2個以上之孔，而於加強部33之附近不產生氣流之滯留。又，於氣相空間g之至少一部分中，即便僅將加強部33自澄清管31之內部表面31a突出之量p設為小於其他部分，亦可獲得一定之效果。即，由於加強部33自澄清管31之內部表面31a突出之量p較先前有所減少，故而可抑制氣流滯留於加強部33之附近，抑制揮發物之附著，抑制雜質混入於熔融玻璃MG，從而保持玻璃製品之品質。又，如圖6所示，亦可將屬於氣相空間g之加強部33之至少一部分形成為曲面狀、較佳為光滑之曲面狀，而避免於加強部33之附近產生氣流F之滯留。

於上述實施形態中，加強部33採用如下構成：於周方向使用無縫隙之環狀之板材，於澄清管31、31之間配置加強部33，於加強部33之兩側連接澄清管31。然而，本發明之態樣並不限於上述實施形態。例如，將具有縫隙之環狀之加強部固定於澄清管31之內部表面31a，使加強部33之縫隙之部分對應於預先設定於澄清管31之內部之氣相空間g。以此種方式，亦可將加強部33之縫隙之部分設定作為加強部33未自澄清管31之內部表面31a突出之區域。又，加強部33亦可於具有缺口部33a之周方向將無縫隙之環狀之板材固定於澄清管31之內部表面31a。又，亦可藉由越靠近氣體排氣口30a越增大缺口部33a之圓弧之半徑r，而使氣流F朝向氣體排氣口30a流動。

再者，於本說明書中，「鉑族金屬」意指包含鉑族元素之金屬，作為不僅含有包含單一之鉑族元素之金屬而且含有鉑族元素之合金的用語使用。此處，所謂鉑族元素係指鉑(Pt)、鈀(Pd)、銠(Rh)、釕(Ru)、鋨(Os)、銥(Ir)之6種元素。鉑族金屬雖高價但熔點較高，對熔融玻璃之耐蝕性亦優異。

又，澄清槽較佳為如圖示般為圓筒形，但只要確保將熔融玻璃MG收容於其內部之空間則其形狀並無限制，例如其外形亦可為長方體等。

本發明適於利用溢流下拉法成形玻璃之玻璃基板之製造。溢流下拉法係藉由使熔融玻璃沿楔狀成形體之兩側面流下，並使之於上述楔狀成形體之下端部合流而成形為板狀玻璃，將所成形之板狀玻璃緩冷、切斷。溢流下拉法係藉由使已熔解之玻璃不接觸於任何物質而於垂直方向上拉長並進行冷卻，而可實現光滑之表面。其後，經切斷之板狀玻璃進而根據客戶之規格被切斷為特定之尺寸，並進行端面研磨、洗淨等，予以出貨。

本發明例如適於厚度為0.5~0.7mm、尺寸為300×400mm~2850×3050mm之FPD用玻璃基板之製造。

再者，液晶顯示裝置用玻璃基板等係於其表面形成有半導體元件，故而較佳為完全不含鹼金屬成分、或者即便含有鹼金屬成分亦為不會對半導體元件造成影響之程度之微量。又，液晶顯示裝置用玻璃基板等若於玻璃基板中存在氣泡則成為顯示缺陷之原因，故而較佳為儘量減少氣泡。就該等而言，於液晶顯示裝置用玻璃基板等中，如上所述，選擇玻璃組成、熔融玻璃之溫度、澄清劑等，故而本發明適於液晶顯示裝置用玻璃基板等之製造。

此外，於不脫離發明之主旨之範圍內可變更為各種較佳之其他形態。

例如，於上述實施形態中，對使用環狀之板材作為加強部之情形進行了說明，但加強部亦可為使澄清管彎曲而設置於澄清管之周方向之凹凸。於使澄清管以向直徑方向外側突出之方式彎曲而形成加強部之情形時，於澄清管之內部表面形成有凹部。又，於使澄清管以向直徑方向內側突出之方式彎曲而形成加強部之情形時，於澄清管之內部表面形成有凸部。於具有此種凹部或凸部作為加強部之情形時，於氣相空間之至少一部分中，可使該等凹部或凸部形成為氣相空間中不產生氣流之滯留之形狀。具體而言，可使氣相空間中之凹部或凸部小於其他區域地形成、或者於氣相空間內不形成凹部或凸部而使澄清管之內部表面平坦。

[產業上之可利用性]

本發明之裝置可有利地用於藉由成形熔融玻璃而製造玻璃基板、尤其是液晶顯示器、電漿顯示器、有機EL顯示器等平板顯示器(FPD)用之玻璃基板時。