CN105283578A - In-Ce-O系溅镀靶材及其制造方法 - Google Patents

In-Ce-O系溅镀靶材及其制造方法 Download PDF

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Abstract

[课题]本发明的目的在于提供一种In-Ce-O系溅镀靶材及其制造方法，上述In-Ce-O系溅镀靶材尽管包含可获得高折射率膜的以Ce/(In+Ce)原子比计为0.16～0.40的Ce，也可长时间地抑制结核或异常放电的产生。[解决手段]所述溅镀靶材是包含以氧化铟为主成分且含有铈的In-Ce-O系氧化物烧结体，且在制造折射率为2.1以上的透明导电膜时使用的In-Ce-O系溅镀靶材，上述溅镀靶材的特征在于：Ce的含量以Ce/(In+Ce)原子比计为0.16～0.40，且粒径5μm以下的氧化铈粒子分散于上述In-Ce-O系氧化物烧结体中。

Description

In-Ce-O系溅镀靶材及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种In-Ce-O系溅镀靶材，所述In-Ce-O系溅镀靶材在制造适用于液晶显示器或有机电致发光显示装置等显示元件、太阳电池、发光二极管等的折射率为2.1以上的透明导电膜时使用，本发明特别是涉及一种透明导电膜的制造时可防止异常放电(电弧击穿(arcing))的In-Ce-O系溅镀靶材及其制造方法。
背景技术
众所周知在氧化铟中添加了铈(Ce)的膜的折射率高，且在光学膜的设计方面为有用的材料。
例如，专利文献1中，揭示了一种含有10质量％～40质量％的氧化铈且剩余部分包含氧化铟的溅镀靶材，亦即，将Ce相对于In、Ce的合计的原子比即Ce/(In+Ce)设定为0.082～0.35的范围的In-Ce-O系溅镀靶材，使用此种溅镀靶材，获得折射率为2.0以上的膜(光碟用保护膜)。
此外，上述溅镀靶材是由In-Ce-O系氧化物烧结体制作而成，所述In-Ce-O系氧化物烧结体在利用冷等静压机(coldisostaticpress)将混合了氧化铟原料粉末与氧化铈原料粉末的粉末成形之后，进行烧结而获得。然而，若长期使用如此制作的溅镀靶材，则存在如下课题，即，在靶材表面容易产生结核(nodule)，从而引起异常放电。
而且，专利文献2中记载了如下内容：在将Ce相对于In、Ce的合计的原子比即Ce/(In+Ce)设定为0.005～0.15的范围的In-Ce-O系溅镀靶材中，通过将分散于氧化铟中的氧化铈粒子的直径设为5μm以下，而可防止上述异常放电。
然而，上述专利文献2也记载了如下内容：作为光学膜，为了获得高折射率(折射率例如为2.1以上)而需要增加Ce的添加量，若伴随添加量的增加而Ce/(In+Ce)超过上述0.15，则氧化铈粒子的粒径会超过5μm，从而引起异常放电(参照专利文献2的段落0028)，在增加Ce的添加量的情况下，存在难以获得可防止异常放电的良好的溅镀靶材的问题。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利特开2005-243187号公报(参照权利要求书)
[专利文献2]日本专利特开2005-290458号公报(参照权利要求书)
发明内容
发明要解决的课题
本发明着眼于上述问题而完成，其课题在于提供一种In-Ce-O系溅镀靶材，即便所述In-Ce-O系溅镀靶材的Ce相对于In、Ce的合计的原子比、亦即Ce/(In+Ce)超过上述0.15，也可抑制靶材表面的上述结核的产生而防止异常放电，本发明还提供In-Ce-O系溅镀靶材的制造方法。
解决问题的技术手段
为了解决上述课题本发明人进行了积极研究后发现：通过进行原料粉末的更严格的微细化处理，即便在Ce相对于In、Ce的合计的原子比即Ce/(In+Ce)超过了0.15而处于0.16～0.40的范围内，也可将经电子探针微量分析器(ElectronProbeMicroAnalyzer，EPMA)分析而检测的In-Ce-O系氧化物烧结体中的氧化铈粒子的结晶粒径制备为5μm以下，结果，抑制上述靶材表面的结核的产生，从而可抑制电弧击穿的产生。
亦即，本发明的第1发明是一种In-Ce-O系溅镀靶材，包含以氧化铟为主成分、且含有铈的In-Ce-O系氧化物烧结体，且在制造折射率为2.1以上的透明导电膜时使用，上述In-Ce-O系溅镀靶材的特征在于：
Ce的含量以Ce/(In+Ce)原子比计为0.16～0.40，并且
粒径5μm以下的氧化铈粒子分散于上述In-Ce-O系氧化物烧结体中；
第2发明根据第1发明所述的In-Ce-O系溅镀靶材，其特征在于：
上述In-Ce-O系氧化物烧结体的相对密度为95％以上，电阻率为7mΩ·cm以上、50mΩ·cm以下。
继而，第3发明是一种In-Ce-O系溅镀靶材的制造方法，其是制造第1发明所述的In-Ce-O系溅镀靶材的方法，上述In-Ce-O系溅镀靶材的制造方法的特征在于包括：
氧化铈粉末粉碎步骤，利用湿式粉碎法将氧化铈原料粉末粉碎至根据粒度分布求出的累积90％粒径(D90)为0.5μm以上、1.0μm以下为止；
混合粉末浆料粉碎步骤，将经粉碎的上述氧化铈粉末与氧化铟原料粉末加以混合而形成混合粉末浆料，并利用湿式粉碎法将上述混合粉末浆料粉碎至根据粒度分布求出的累积90％粒径(D90)为0.7μm以上、1.0μm以下为止：
造粒粉制造步骤，对经粉碎的上述混合粉末浆料添加有机粘合剂，并进行喷雾、干燥而获得造粒粉；
成形体制造步骤，将所获得的造粒粉加压成形而获得成形体；以及
烧结体制造步骤，对所获得的成形体进行煅烧而获得In-Ce-O系氧化物烧结体；
第4发明根据第3发明所述的In-Ce-O系溅镀靶材的制造方法，其特征在于：
在将Ce/(In+Ce)原子比设为A(其中，0.16≤A≤0.40)时，
氧化铈粉末粉碎步骤中的根据粒度分布求出的氧化铈粉末的累积90％粒径(D90)为0.5(μm)≤D90≤-1.5×A+1.15(μm)。
发明的效果
本发明的In-Ce-O系溅镀靶材的特征在于：Ce的含量以Ce/(In+Ce)原子比计为0.16～0.40，且粒径5μm以下的氧化铈粒子分散于上述In-Ce-O系氧化物烧结体中。
而且，即便在可获得高折射率的膜的以Ce/(In+Ce)原子比计为0.16～0.40的In-Ce-O系溅镀靶材中，也可通过长时间地抑制结核或异常放电的产生的稳定的直流溅镀法来成膜，因此具有如下效果，即能够以低成本且在工业上提供高品质且高折射率的透明导电膜。
附图说明
[图1]是表示Ce/(In+Ce)与氧化铈粉末的关系的曲线图。
具体实施方式
以下，对本发明的实施形态进行详细说明。
(1)In-Ce-O系溅镀靶材
首先，本发明的In-Ce-O系溅镀靶材中，为了制造折射率为2.1以上的高折射率的透明导电膜，而将Ce相对于In、Ce的合计的原子比、亦即Ce/(In+Ce)设定为0.16～0.40的范围。
而且，为了长时间地抑制结核的产生或异常放电，而将经EPMA分析检测的In-Ce-O系氧化物烧结体中的氧化铈粒子的结晶粒径调整为5μm以下。
此处，经EPMA分析的In-Ce-O系氧化物烧结体中的上述氧化铈粒子的结晶粒径如以下般而求出。
首先，将所获得的In-Ce-O系氧化物烧结体切断，对剖面进行研磨后，对所述剖面进行EPMA观察，在烧结体表面的50μm×50μm见方的框内进行元素分析而求出映射图像(mappingimage)，根据所获得的映射图像确定氧化铈粒子且测定所观察到的氧化铈粒子的最大直径。然后，根据在烧结体表面的例如3处框内同样地测定到的氧化铈粒子的最大直径而算出平均值，并将所述平均值作为氧化铈粒子的结晶粒径。
而且，关于上述In-Ce-O系氧化物烧结体的相对密度，优选为95％以上。另外，相对密度是理论密度设为100％的情况下的相对的密度，将以“氧化铟的理论密度”与“氧化铈的理论密度”下的原料粉末添加量进行加权平均所得的值作为理论密度。而且，使用7.18g/cm3作为“氧化铟的理论密度”，而且，使用7.215g/cm3作为“氧化铈的理论密度”。另外，若In-Ce-O系氧化物烧结体的相对密度小于95％，则有时因存在于烧结体中的孔隙而产生结核，从而成为诱发异常放电的原因。
接下来，关于上述In-Ce-O系氧化物烧结体的电阻率，优选为7mΩ·cm以上、50mΩ·cm以下。这是因为，若电阻率超过50mΩ·cm，则有时直流(direct-current，DC)溅镀的放电稳定性劣化而引起异常放电(电弧击穿)。另外，电阻率的下限值(7mΩ·cm)是基于以下的理由而规定。亦即，因本发明的In-Ce-O系氧化物烧结体中含有大量的Ce含量以Ce/(In+Ce)原子比计为0.16～0.40的组成，故现实情况为难以制作出电阻率小于7mΩ·cm的In-Ce-O系氧化物烧结体。
(2)In-Ce-O系溅镀靶材的制造方法
本发明中，为了抑制结核的产生而不会在溅镀成膜时引起异常放电(电弧击穿)，故尽管为Ce相对于In、Ce的合计的原子比、亦即Ce/(In+Ce)超过了0.15的In-Ce-O系氧化物烧结体，仍将分散于所述烧结体中的氧化铈粒子的结晶粒径调整为5μm以下。
而且，为了将上述结晶粒径设为5μm以下，而利用使用了湿式珠磨机(beadsmill)等的湿式粉碎法将氧化铈原料粉末粉碎至根据粒度分布求出的累积90％粒径(D90)为0.5μm以上、1.0μm以下为止，然后将经粉碎的氧化铈粉末与氧化铟原料粉末加以混合而形成混合粉末浆料，且，利用使用了湿式珠磨机等的湿式粉碎法将上述混合粉末浆料粉碎至根据粒度分布求出的累积90％粒径(D90)为0.7μm以上、1.0μm以下为止。继而，对经粉碎的混合粉末浆料添加有机粘合剂，并进行喷雾、干燥而获得造粒粉，并且将所获得的造粒粉进行加压成形而制造成形体，且，通过对所述成形体进行煅烧而制作出氧化铈粒子的结晶粒径调整为5μm以下的In-Ce-O系氧化物烧结体。
另外，在普通的溅镀靶材(In-Ce-O系氧化物烧结体)的制造中，采用如上述专利文献1或专利文献2中记载般将氧化铟原料粉末与氧化铈原料粉末加以混合并粉碎而使用的方法。
然而，在为了将氧化铈原料粉末微细化而进行长时间粉碎时，由于与氧化铈粉末的相对的粉碎容易度的差异，而氧化铟原料粉末容易成为过度粉碎状态。而且，若氧化铟原料粉末成为过度粉碎状态，则烧结时会引起异常粒成长，从而In-Ce-O系氧化物烧结体的密度难以成为高密度，结果，容易引起结核或异常放电。
因此，本发明中采用如下的方法，即，首先使用珠磨机或者球磨机等的湿式粉碎法单独地将氧化铈原料粉末粉碎，然后，将经粉碎的氧化铈粉末与氧化铟原料粉末加以混合，并使用所获得的混合粉末浆料，进而利用湿式粉碎法将混合粉末粉碎。利用所述方法，可进行氧化铈粉末的微细化而不会产生氧化铟粉末的过度粉碎。而且，首先仅将氧化铈原料粉末粉碎，因而比起将氧化铟原料粉末与氧化铈原料粉末双方粉碎的情况而可抑制粉碎时间，且比起之前而可降低由粉碎介质的磨损所引起的杂质的混入。
然而，在将氧化铈原料粉末粉碎至根据粒度分布求出的累积90％粒径(D90)小于0.5μm为止的情况下，氧化铈粉末成为过度粉碎状态，烧结时引起异常粒成长而In-Ce-O系氧化物烧结体的密度降低或烧结体中的氧化铈粒子的结晶粒径反而增大，因而成为结核或异常放电的原因。相反地，在进行上述累积90％粒径(D90)超过1.0μm的粉碎的情况下，In-Ce-O系氧化物烧结体中的氧化铈粒子的结晶粒径超过5μm，从而成为结核或异常放电的原因。因此，重要的是利用湿式粉碎法将氧化铈原料粉末粉碎至根据粒度分布求出的累积90％粒径(D90)为0.5μm以上、1.0μm以下为止。
进而，如根据表示Ce/(In+Ce)与氧化铈粉末的关系的图1的曲线图而确认，在Ce的含量以Ce/(In+Ce)原子比计设为A(其中，0.16≤A≤0.40)的情况下，更优选为以将根据粒度分布求出的氧化铈粉末的累积90％粒径(D90)调整为以下范围的方式，来将氧化铈粉末粉碎。
亦即，在将Ce/(In+Ce)原子比设为A(其中，0.16≤A≤0.40)时，更优选为将氧化铈粉末粉碎至上述氧化铈粉末粉碎步骤中根据粒度分布求出的氧化铈粉末的累积90％粒径(D90)为0.5(μm)≤D90≤-1.5×A+1.15(μm)为止。
另一方面，在将上述混合粉末浆料粉碎至根据粒度分布求出的累积90％粒径(D90)小于0.7μm为止时，此次氧化铈粉末成为过度粉碎状态，烧结时引起异常粒成长，In-Ce-O系氧化物烧结体的密度降低或烧结体中的氧化铈粒子的结晶粒径反而增大，因而成为结核或异常放电的原因。此外，在将混合粉末浆料粉碎至根据粒度分布求出的累积90％粒径(D90)小于0.7μm为止时，会产生如下问题，即，粉碎时间延长引起生产性的下降，或伴随粉碎介质的磨损而引起杂质的增大。相反，在进行累积90％粒径(D90)超过1.0μm的粉碎的情况下，因粗粉的存在而妨碍烧结，从而烧结体的密度下降，故成为结核或异常放电的原因。因此，重要的是利用湿式粉碎法将上述混合粉末浆料粉碎至根据粒度分布求出的累积90％粒径(D90)为0.7μm以上、1.0μm以下为止。
另外，在Ce/(In+Ce)超过了0.4的情况下，即便将上述混合粉末浆料粉碎至根据粒度分布求出的累积90％粒径(D90)为0.7μm为止，In-Ce-O系氧化物烧结体中的氧化铈粒子的结晶粒径也超过5μm，从而容易引起结核或异常放电。
因此，重要的是Ce相对于In、Ce的合计的原子比、亦即Ce/(In+Ce)的上限值为0.4。
实施例
以下，关于本发明的实施例，列举比较例进行具体说明。
[实施例1]
准备氧化铟原料粉末(纯度99.9％，平均粒径0.5μm，D90：1.0μm)与氧化铈原料粉末(纯度99.9％，平均粒径0.8μm，D90：1.2μm)。另外，粒度分布的测定中使用激光衍射式粒度分布测定装置(岛津制作所股份有限公司制造，SALD-2200)。
首先，将氧化铈原料粉末混合于纯水中，制作固体成分为70％的氧化铈粉末浆料。此时，为了使氧化铈原料粉末分散于纯水中而添加有分散剂。然后，将所制作的氧化铈粉末浆料在珠磨机中重复通过(pass)，从而获得粉碎为根据粒度分布求出的累积90％粒径(D90)为0.6μm的氧化铈粉末。此时，考虑到耐磨损性，粉碎颗粒使用φ0.5mm氧化锆颗粒(zirconiabeads)(YTZ)。
将包含经如此粉碎的氧化铈粉末的浆料与氧化铟原料粉末，以Ce相对于In、Ce的合计的原子比为Ce/(In+Ce)＝0.30的方式混合于纯水中，制作出固体成分为70％的氧化铈粉末与氧化铟粉末的混合浆料。然后，将所制作的氧化铈与氧化铟的混合浆料在珠磨机中重复通过，并以所述混合浆料中所含的混合粉末的累积90％粒径(D90)为0.9μm的方式进行粉碎。
在粉碎后的氧化铈与氧化铟的混合浆料中添加粘合剂(聚乙烯醇(PVA))，利用喷雾干燥机(spraydryer)(大川原化工机股份有限公司制造，ODL-20型)进行喷雾、干燥，由此获得造粒粉。
将所述造粒粉填充至直径180mm的模具中，利用冷等静压机施加294MPa(3ton/cm2)的压力，并以所述压力保持3分钟而获得成形体。
将所述成形体载置于烧结炉(丸祥电器股份有限公司制造的电炉)内，在最高温度设为1400℃而保持时间为30小时的条件下进行烧结，从而获得In-Ce-O系氧化物烧结体。
所获得的In-Ce-O系氧化物烧结体的相对密度为95.4％，电阻率为28mΩ·cm。
然后，将所获得的In-Ce-O系氧化物烧结体切断，对剖面进行研磨后，利用电子探针微量分析器EPMA(岛津制作所制造，EPMA-1600)对所述剖面进行分析，之后观察氧化铈粒子，并利用上述方法进行计测，结果氧化铈粒子的结晶粒径为4.0μm。
继而，对上述In-Ce-O系氧化物烧结体进行磨削加工，制作出直径为4英寸(101.6mm)、厚度为5mm尺寸的溅镀靶材。
使用所述溅镀靶材并利用直流磁控溅镀(DCmagnetronsputter)法进行溅镀成膜。实施5小时溅镀成膜，阴极电流异常增大的次数(异常放电次数)为0次。而且，经溅镀成膜的透明导电膜的波长550nm下的折射率为2.2。将这些结果表示于表1-1与表1-2中。
[实施例2～实施例4、比较例1]
设为0.16(实施例2)、0.20(实施例3)、0.40(实施例4)、0.45(比较例1)来代替实施例1中的Ce/(In+Ce)＝0.30，除此以外与实施例1同样，从而获得实施例2～实施例4与比较例1的溅镀靶材。
然后，使用实施例2～实施例4与比较例1的溅镀靶材，与实施例1同样地实施溅镀成膜，并分别记录异常放电的次数。将这些结果也表示于表1-1与表1-2中。
[实施例5～实施例8、比较例2]
关于根据粒度分布求出的氧化铈粉末的累积90％粒径(D90)，设定为与实施例1的0.6μm不同的0.8μm，且Ce/(In+Ce)设为0.16(实施例5)、0.20(实施例6)、0.30(实施例7)、0.40(实施例8)、0.45(比较例2)，除此以外与实施例1同样地进行，获得实施例5～实施例8与比较例2的溅镀靶材。
而且，使用实施例5～实施例8与比较例2的溅镀靶材，与实施例1同样地实施溅镀成膜，并分别记录异常放电的次数。将这些结果也表示于表1-1与表1-2中。
[比较例3～比较例8]
不将氧化铈原料粉末单独粉碎，而将氧化铈原料粉末与氧化铟原料粉末加以混合后进行粉碎，将根据粒度分布求出的混合粉末的累积90％粒径(D90)设为与实施例1相同的0.9μm，且Ce/(In+Ce)设为0.16(比较例3)、0.20(比较例4)、0.30(比较例5)、0.40(比较例6)、0.45(比较例7)、0.13(比较例8)，除此以外与实施例1同样地进行，获得比较例3～比较例8的溅镀靶材。
而且，使用比较例3～比较例8的溅镀靶材，与实施例1同样地实施溅镀成膜，并分别记录异常放电的次数。将这些结果也表示于表1-1与表1-2中。
[比较例9]
对根据粒度分布求出的氧化铈粉末的累积90％粒径(D90)设定为与实施例1的0.6μm不同的0.4μm，且将Ce/(In+Ce)设为0.16来代替Ce/(In+Ce)＝0.30，除此以外与实施例1同样地进行，获得比较例9的溅镀靶材。
而且，使用比较例9的溅镀靶材，与实施例1同样地实施溅镀成膜，并记录异常放电的次数。将所述结果也表示于表1-1与表1-2中。
[比较例10]
将根据粒度分布求出的混合粉末的累积90％粒径(D90)设为0.5μm而非设为0.9μm，除此以外与比较例3同样地进行，获得比较例10的溅镀靶材。
而且，使用比较例10的溅镀靶材，与实施例1同样地实施溅镀成膜，并记录异常放电的次数。将所述结果也表示于表1-1与表1-2中。
[表1-1]
[表1-2]
(1)在Ce的含量以Ce/(In+Ce)原子比计为0.16～0.40的范围内，且，粒径5μm以下的氧化铈粒子分散于In-Ce-O系氧化物烧结体中的实施例1～实施例8的In-Ce-O系溅镀靶材中，确认获得高折射率(波长550nm下的折射率为2.1～2.3)的透明导电膜，进而确认，即便进行5小时的溅镀成膜也可明显抑制异常放电(最大2次)。
另外，实施例1～实施例8的In-Ce-O系溅镀靶材利用满足本发明的“氧化铈粉末粉碎步骤”“混合粉末浆料粉碎步骤”“造粒粉制造步骤”“成形体制造步骤”及“烧结体制造步骤”的全部要件的(参照表1-1与表1-2)制造方法而获得。
(2)与此相对，关于比较例1、比较例2的In-Ce-O系溅镀靶材，虽利用满足本发明的“氧化铈粉末粉碎步骤”、“混合粉末浆料粉碎步骤”、“造粒粉制造步骤”、“成形体制造步骤”及“烧结体制造步骤”的全部要件的(参照表1-1与表1-2)制造方法而获得，但Ce的含量设定为以Ce/(In+Ce)原子比计而超出了0.16～0.40的范围(均为0.45)，氧化铈粉末的混合量过多，因而确认分散于In-Ce-O系溅镀靶材的氧化铈粒子的结晶粒径超过5.0μm(比较例1为5.2μm，比较例2为5.5μm)，异常放电的产生次数明显多(比较例1为21次，比较例2为30次)。
(3)而且，比较例3～比较例7的In-Ce-O系溅镀靶材利用不满足本发明的“氧化铈粉末粉碎步骤”的方法而获得，亦即，并未进行氧化铈原料粉末的微细化处理(根据粒度分布求出的累积90％粒径为1.2μm)，因而确认分散于In-Ce-O系溅镀靶材的氧化铈粒子的结晶粒径超过5.0μm(5.3μm～8.0μm：参照表1的数据)，异常放电的产生次数明显多(12次～101次：参照表1-2的数据)。
(4)比较例8的In-Ce-O系溅镀靶材中，Ce含量设定为以Ce/(In+Ce)原子比计超出了0.16～0.40的范围即“0.13”，从而氧化铈粉末的混合量过少，因而确认无法获得目标高折射率的透明导电膜(比较例8的透明导电膜在波长550nm下的折射率为2.0)。另外，因氧化铈粉末的混合量过少，故还确认即便不进行氧化铈原料粉末的微细化异常放电也不怎么产生(1次)。
(5)比较例9的In-Ce-O系溅镀靶材利用不满足本发明的“氧化铈粉末粉碎步骤”的方法而获得，亦即，将氧化铈原料粉末粉碎至过度粉碎状态(根据粒度分布求出的累积90％粒径为0.4μm)为止，因而确认因异常粒成长而烧结体中的氧化铈粒径增大，烧结体的相对密度也低，因此异常放电次数增加(420次)。
(6)比较例10的In-Ce-O系溅镀靶材利用不满足本发明的“氧化铈粉末粉碎步骤”与“混合粉末浆料粉碎步骤”的方法而获得，亦即，不进行氧化铈原料粉末的微细化处理(根据粒度分布求出的累积90％粒径为1.2μm)，自开始便在氧化铟粉末与氧化铈粉末混合的状态下长时间进行粉碎，因而氧化铟粉末为过度粉碎状态(根据粒度分布求出的混合粉末的累积90％粒径为0.5μm)，尽管可将烧结体中的氧化铈粒子设为5μm以下，但产生异常粒成长而烧结体的相对密度大幅减少。因此确认异常放电的次数增加(51次)。
[产业上的可利用性]
根据本发明的In-Ce-O系溅镀靶材，尽管将Ce的含量设定为以Ce/(In+Ce)原子比计超过0.15的“0.16～0.40”的范围，仍可利用抑制了结核或异常放电的产生的稳定的直流溅镀法而成膜，因而具有如下的产业上的可利用性，即能够以低成本且在工业上提供高品质且高折射率的透明导电膜。

Claims (4)

1.一种In-Ce-O系溅镀靶材，包含以氧化铟为主成分、且含有铈的In-Ce-O系氧化物烧结体，且在制造折射率为2.1以上的透明导电膜时使用，所述In-Ce-O系溅镀靶材的特征在于：
Ce的含量以Ce/(In+Ce)原子比计为0.16～0.40，并且
粒径5μm以下的氧化铈粒子分散于所述In-Ce-O系氧化物烧结体中。
2.根据权利要求1所述的In-Ce-O系溅镀靶材，其特征在于：所述In-Ce-O系氧化物烧结体的相对密度为95％以上，电阻率为7mΩ·cm以上、50mΩ·cm以下。
3.一种In-Ce-O系溅镀靶材的制造方法，其是制造根据权利要求1所述的In-Ce-O系溅镀靶材的方法，所述In-Ce-O系溅镀靶材的制造方法的特征在于包括：
氧化铈粉末粉碎步骤，利用湿式粉碎法将氧化铈原料粉末粉碎至根据粒度分布求出的累积90％粒径(D90)为0.5μm以上、1.0μm以下为止；
混合粉末浆料粉碎步骤，将经粉碎的所述氧化铈粉末与氧化铟原料粉末加以混合而形成混合粉末浆料，并利用湿式粉碎法将所述混合粉末浆料粉碎至根据粒度分布求出的累积90％粒径(D90)为0.7μm以上、1.0μm以下为止；
造粒粉制造步骤，对经粉碎的所述混合粉末浆料添加有机粘合剂，并进行喷雾、干燥而获得造粒粉；
成形体制造步骤，将所获得的造粒粉加压成形而获得成形体；以及
烧结体制造步骤，对所获得的成形体进行煅烧而获得In-Ce-O系氧化物烧结体。
4.根据权利要求3所述的In-Ce-O系溅镀靶材的制造方法，其特征在于：在将Ce/(In+Ce)原子比设为A(其中，0.16≤A≤0.40)时，
所述氧化铈粉末粉碎步骤中的根据粒度分布求出的氧化铈粉末的累积90％粒径(D90)为0.5(μm)≤D90≤-1.5×A+1.15(μm)。
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