CN105206696A - 太阳能电池模块 - Google Patents

太阳能电池模块 Download PDF

Info

Publication number
CN105206696A
CN105206696A CN201510341156.0A CN201510341156A CN105206696A CN 105206696 A CN105206696 A CN 105206696A CN 201510341156 A CN201510341156 A CN 201510341156A CN 105206696 A CN105206696 A CN 105206696A
Authority
CN
China
Prior art keywords
solar cell
connector
electrode
line
solar
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201510341156.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105206696B (zh
Inventor
金保中
金玟杓
张大熙
阳惠英
禹泰基
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shangrao Xinyuan Yuedong Technology Development Co ltd
Original Assignee
LG Electronics Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020140074609A external-priority patent/KR102244597B1/ko
Priority claimed from KR1020140128553A external-priority patent/KR102273018B1/ko
Application filed by LG Electronics Inc filed Critical LG Electronics Inc
Publication of CN105206696A publication Critical patent/CN105206696A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105206696B publication Critical patent/CN105206696B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H01L31/0512Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module made of a particular material or composition of materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H01L31/0516Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module specially adapted for interconnection of back-contact solar cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/02002Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
    • H01L31/02005Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02008Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
    • H01L31/0201Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules comprising specially adapted module bus-bar structures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/02016Circuit arrangements of general character for the devices
    • H01L31/02019Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02021Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0224Electrodes
    • H01L31/022408Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022441Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/068Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H01L31/0682Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells back-junction, i.e. rearside emitter, solar cells, e.g. interdigitated base-emitter regions back-junction cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52PV systems with concentrators
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547Monocrystalline silicon PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本申请涉及一种太阳能电池模块,该太阳能电池模块包括:多个太阳能电池,其各自包括半导体基板以及形成在该半导体基板上的第一电极和第二电极;多条线,其连接到在多个太阳能电池当中的彼此相邻地定位的第一太阳能电池和第二太阳能电池的第一电极和第二电极,所述多条线使用用于第一太阳能电池和第二太阳能电池的串联连接的导电粘合剂,或者通过绝缘层与第一太阳能电池和第二太阳能电池的第一电极和第二电极绝缘;以及连接件,其被定位在第一太阳能电池和第二太阳能电池之间,并且连接到所述多条线。连接件的宽度等于或大于第一太阳能电池和连接件之间的第一距离或第二太阳能电池和连接件之间的第二距离中的至少一个。

Description

太阳能电池模块
相关申请的交叉引用
本申请要求于2014年6月18日在韩国知识产权局申请的韩国专利申请No.10-2014-0074609以及于2014年9月25日在韩国知识产权局申请的韩国专利申请No.10-2014-0128553的优先权和权益,这些韩国专利申请的全部内容通过引用方式被并入到本文中。
技术领域
本发明的实施方式涉及太阳能电池模块。
背景技术
太阳能电池通常包括:基板和发射体区,该基板和该发射体区由不同的导电类型(例如,p型和n型)的半导体形成;以及分别连接到基板和发射体区的电极。p-n结在基板和发射体区之间的界面处形成。
使用半导体基板的太阳能电池可以根据结构被分类成常规太阳能电池和背接触太阳能电池。
常规太阳能电池被构造成使得发射体区被定位在基板的前表面上,连接到发射体区的电极被定位在基板的前表面上,并且连接到基板的电极被定位在基板上的后表面上。背接触太阳能电池被构造成使得发射体区被定位在基板的后表面上,并且所有电极被定位在基板的后表面上。
因为背接触太阳能电池的所有电极形成在基板的后表面上,所以形成在基板的后表面上的电极通过互连件(interconnector)或单独的导电金属串联连接到相邻的太阳能电池的电极。因此,可以制造太阳能电池模块。
发明内容
本发明的实施方式提供了能够进一步提高效率和结构稳定性的太阳能电池模块。
在一个方面,存在一种太阳能电池模块,该太阳能电池模块包括:多个太阳能电池,其各自包括半导体基板以及第一电极和第二电极,所述第一电极和所述第二电极形成在所述半导体基板上并且收集不同的导电类型的载流子;多条线,其连接到在所述多个太阳能电池当中的彼此相邻地定位的第一太阳能电池和第二太阳能电池的所述第一电极和所述第二电极,所述多条线使用用于所述第一太阳能电池和所述第二太阳能电池的串联连接的导电粘合剂,或者通过绝缘层与所述第一太阳能电池和所述第二太阳能电池的所述第一电极和所述第二电极绝缘;;以及连接件,其被定位在所述第一太阳能电池和所述第二太阳能电池之间并且连接到所述多条线,其中,所述连接件的宽度等于或大于所述第一太阳能电池和所述连接件之间的第一距离或所述第二太阳能电池和所述连接件之间的第二距离中的至少一个,以及其中,其中,所述连接件上的所述绝缘层的施加面积比所述连接件上的所述导电粘合剂的施加面积大。
每条线的端部和所述连接件之间的交叠区域可以等于或小于所述连接件的宽度。
每条线的所述端部和所述连接件之间的交叠区域可以等于或大于所述连接件的宽度*1/3。
所述连接件可以包括:第一表面,光入射到所述第一表面上;以及与所述第一表面相对的第二表面,并且,所述多条线全部连接到所述连接件的所述第二表面。
所述连接件的第一表面可以包括多个不平坦部分,所述多个不平坦部分各自具有不同的倾斜角。所述连接件的所述第二表面可以包括与形成所述多条线的材料中的至少一种相同的材料。
形成所述连接件的所述第一表面的材料可以与形成所述连接件的所述第二表面的材料不同。
所述连接件的长度可以等于或大于定位在所述多条线当中的最上侧和最下侧的两条线之间的距离,并且可以小于所述第一太阳能电池的宽度和所述多个太阳能电池的串(strings)之间的距离的和。
所述连接件的中间宽度可以小于所述连接件的边缘宽度。
所述连接件的所述边缘宽度和所述连接件的所述中间宽度之间的最大的差可以为10mm。
所述第一电极和所述第二电极可以彼此平行交替地形成在所述半导体基板的后表面上。所述多条线可以包括将所述第一太阳能电池的所述第一电极连接到所述第二太阳能电池的所述第二电极的第一线以及将所述第一太阳能电池的所述第二电极连接到所述第二太阳能电池的所述第一电极的第二线。
所述第一线可以通过导电粘合剂连接到所述第一太阳能电池的所述第一电极和所述第二太阳能电池的所述第二电极,并且可以通过绝缘层与所述第一太阳能电池的所述第二电极和所述第二太阳能电池的所述第一电极绝缘。所述第二线可以通过所述导电粘合剂连接到所述第一太阳能电池的所述第二电极和所述第二太阳能电池的所述第一电极,并且可以通过所述绝缘层与所述第一太阳能电池的所述第一电极和所述第二太阳能电池的所述第二电极绝缘。
所述第一线和所述第二线可以在所述连接件上以等于或小于所述连接件的所述宽度的距离彼此面对。
所述太阳能电池模块还可以包括:多个串,其各自具有通过所述连接件连接的所述多个太阳能电池的列;以及套管条(bushingbar),其被构造为连接第一串和第二串,所述第一串和所述第二串在所述串当中被彼此相邻地定位。所述连接件的横截面积可以小于所述套管条的横截面积。
所述套管条的形成材料、所述连接件的形成材料、以及所述多条线的形成材料可以共同地包括至少一种材料。
所述套管条可以包括:第一表面,光入射在所述第一表面上;以及与所述第一表面相对的第二表面。连接到所述套管条的所述多条线全部连接到所述套管条的所述第二表面。所述套管条的所述第一表面包括多个不平坦部分,所述多个不平坦部分各自具有在一个方向上倾斜的倾斜面。
所述第一太阳能电池和所述连接件之间的距离以及所述第二太阳能电池和所述连接件之间的距离可以为50μm至3mm。
所述连接件的所述宽度可以为0.1mm至20mm,并且所述连接件的厚度可以为0.015mm至2mm。所述连接件的厚度大于所述第一太阳能电池或所述第二太阳能电池中的至少一个的厚度。所述连接件的厚度可以等于或小于所述第一线或所述第二线中的至少一个的厚度。
所述第一线的横截面积可以与所述第二线的横截面积不同。
所述第一太阳能电池的所述第一电极的横截面积可以比所述第二太阳能电池的所述第一电极的截面积小。所述第一线的所述横截面积可以比所述第二线的所述横截面积大。
附图说明
附图被包括进来以提供对本发明的进一步理解,并且被并入本说明书并构成本说明书的一部分,附图例示了本发明的实施方式,并且与本说明书一起用来解释本发明的原理。在附图中:
图1示出了根据本发明的示例性实施方式的太阳能电池模块的整个形状;
图2示出了根据本发明的第一实施方式的太阳能电池模块的后平面;
图3示出了应用到图2的太阳能电池的示例;
图4示出了在图3中所示的太阳能电池的第一电极和第二电极的图案;
图5是沿着图2的线csx1-csx1截取的横截面图;
图6是用于详细地说明连接件的、沿着图2的线csy1-csy1截取的横截面图;
图7例示了连接件的光反射效应;
图8至图11示出了连接件的不平坦部分的各种形状;
图12示出了根据本发明的第二实施方式的太阳能电池模块的后平面;
图13是沿着图12的线csx2-csx2截取的横截面图;
图14示出了根据本发明的第三实施方式的太阳能电池模块的后平面;
图15是沿着图14的线Icx3-Icx3截取的横截面图;
图16示出了根据本发明的第四实施方式的太阳能电池模块的后平面;
图17是沿着图16的线Icx4-Icx4截取的横截面图;
图18例示了根据本发明的第五实施方式的太阳能电池模块;
图19示出了根据本发明的第六实施方式的包括具有传统结构的太阳能电池的太阳能电池模块的后平面;以及
图20和图21是沿着图19的线A-A和B-B截取的横截面图;
图22示出了将太阳能电池划分成三个区域以及这三个区域的布线构件的厚度彼此不同;
图23是沿着图22的线III-III'截取的横截面图;
图24和图25示出了设置在图22中所示的布线构件的反面中的布线构件;
图26示出了布线构件的横截面以及用于调整布线构件的厚度的方法的示例;
图27示出了布线构件的厚度在太阳能电池的所有区域中相同,并且布线构件之间的距离根据区域而不同;
图28是沿着图27的线V-V'截取的横截面图;以及
图29和图30示出了各自具有与太阳能电池的面积无关的不同尺寸的布线构件。
具体实施方式
现在将详细地参考本发明的实施方式,在附图中例示了本发明的实施方式的示例。然而,本发明可以以许多不同的形式来实现,并且不应当被解释为限制于本文中阐述的实施方式。在任何可能的情况下,将在整个附图中使用相同的附图标记来指代相同或相似的部件。将要注意的是,如果确定公知技术会模糊本发明的实施方式,那么将省略这些公知技术的详细描述。
在以下描述中,“前表面”可以是半导体基板的一个表面,光直接入射在该表面上,而“后表面”可以是与半导体基板的所述一个表面相对的表面,光不直接入射在该表面上,或者反射光可以入射在该表面上。
另外,在以下描述中,两个不同的组件的长度或宽度彼此相同的事实意指它们在10%的误差的裕量内彼此相同。
将参照图1至图21描述本发明的示例实施方式。
图1示出了根据本发明的示例实施方式的太阳能电池模块的整个形状。图2示出了根据本发明的第一实施方式的太阳能电池模块的后平面。图3示出了应用到图2的太阳能电池的示例。图4示出了在图3中所示的太阳能电池的第一电极和第二电极的图案。图5是沿着图2的线csx1-csx1截取的横截面图。图6是用于详细地说明连接件的、沿着图2的线csy1-csy1截取的横截面图。图7例示了连接件的光反射效应。
如图1所示,根据本发明的实施方式的太阳能电池模块10包括多个串11,所述多个串11中的每一个包括通过连接件Cn连接成一列的多个太阳能电池、以及连接相邻的串11的套管条13。
每个串11包括连接成一列的多个太阳能电池110,并且相邻的太阳能电池通过连接件Cn相连。例如,图1示出了十个太阳能电池110形成一列的一串,并且形成了第一串11a至第六串11f。
在第一串11a至第六串11f中,连接件Cn包括设置在两个相邻太阳能电池110之间并且连接这两个相邻的太阳能电池单元110的第一连接件Cn1、以及仅连接到第一串11a的一端和第六串11f的一端的第二连接件Cn2。
除了设置位置之外,第一连接件Cn1和第二连接件Cn2具有相同的构造。因为第一连接件Cn1和第二连接件Cn2之间的位置差异,第二连接件Cn2仅连接到第一线IC1和第二线IC2中的一个,而第一连接件Cn1连接到第一线IC1和第二线IC2二者。此外,第一连接件Cn1和第二连接件Cn2可以具有形成在第一连接件Cn1和第二连接件Cn2的表面上的不平坦部分的不同形状。这在随后描述。
定位在相邻的太阳能电池110之间并且连接所述相邻的太阳能电池110的第一连接件Cn1的数目小于属于一串接一串的太阳能电池110的数目。因此,在一串中使用了总共九个第一连接件Cn1,并且在第一串11a和第六串11f中分别使用了总共两个第二连接件Cn2。
如上所述,每个串11包括通过连接件Cn连接的多个太阳能电池110,并且太阳能电池模块10包括至少两个串。因此,构成太阳能电池模块10的多个太阳能电池110可以完全地布置成m*n矩阵的形式。
套管条13分别定位在串上和串下,并且连接两个相邻的串。在本文中公开的实施方式中,由于太阳能电池模块10包括六个串,因此五个套管条13被用于串联连接这些串。取决于设置位置,套管条13可以包括上套管条13a和下套管条13b。
上套管条13a被定位在串11上方,并且下套管条13b被定位在串11下方。
如图1中所示,下套管条13b被用在第一串11a和第二串11b之间的连接、第三串11c和第四串11d之间的连接、以及第五串11e和第六串11f之间的连接。上套管条13a被用在第二串11b和第三串11c之间的连接以及第四串11d和第五串11e之间的连接。
如上所述,因为套管条13连接串,所以套管条13的负荷大于连接件Cn的负荷。正因为如此,可以优选但不是必需的是,套管条13由具有比连接件Cn大的电导率的材料形成,或者具有比连接件Cn大的横截面积。例如,套管条13的宽度可以大于连接件Cn的宽度,或者套管条13的厚度可以大于连接件Cn的厚度。
在另一示例中,套管条13和连接件Cn可以被制造成具有相同的构造。例如,套管条13可以具有与图6中所示的连接件Cn相同的构造。
套管条13可以包括与形成连接件Cn的金属材料中的至少一种相同的材料。例如,如果连接件Cn包括铅(Pb)和锡(Sn)中的一种,则套管条13可以包括铅(Pb)和锡(Sn)中的一种。
由于套管条13和连接件Cn必须物理上牢固地附接到第一线IC1和第二线IC2,因此优选但不是必需的是,它们具有矩形带横截面。然而,优选但不是必需的是,与套管条13和连接件Cn不同,第一线IC1和第二线IC2具有圆形线横截面,使得通过减小热变形而不产生太阳能电池的弯曲。
连接到连接件Cn的第一线IC1和第二线IC2连接到连接件Cn的后表面,并且连接到套管条13的第一线IC1和第二线IC2连接到套管条13的后表面。因此,优选但不是必需的是,当从太阳能电池模块的前面观看时,看不见第一线IC1和第二线IC2与套管条13和连接件Cn之间的连接。
本发明的实施方式描述了第二连接件Cn2具有与第一连接件Cn1相同的构造。然而,套管条13可以被构造为第二连接件Cn2。
到目前为止,描述了太阳能电池模块10的整个形状。在下文中,将对两个相邻的太阳能电池通过第一线IC1、第二线IC2和连接件Cn的连接进行描述。
如图2中所示,根据本发明的实施方式的太阳能电池模块包括多个太阳能电池C1和C2、连接到形成在多个太阳能电池C1和C2的后表面上的多个第一电极和第二电极C141和C142的多条第一线IC1和第二线IC2、以及连接到多条第一线IC1和第二线IC2并且串联连接多个太阳能电池C1和C2的连接件Cn。
在本文中公开的实施方式中,多个太阳能电池C1和C2中的每一个包括半导体基板110以及形成在半导体基板110的后表面上并且彼此分离的多个第一电极C141和第二电极C142。
更具体地,如图3和图4中所示,根据本发明的实施方式的太阳能电池的示例可以包括半导体基板110、抗反射层130、多个发射体区121、多个后表面场区172、多个第一电极C141、以及多个第二电极C142。
如果有必要或期望的话,则可以在本发明的实施方式中省略抗反射层130和后表面场区172。在以下描述中,使用包括抗反射层130和后表面场区172的太阳能电池作为示例来描述本发明的实施方式。
半导体基板110可以是由第一导电类型(例如,n型,但不是必需的)的硅形成的半导体基板。半导体基板110可以通过掺杂由具有第一导电类型(例如,n型)的杂质的晶体硅材料形成的半导体晶片而形成。
多个发射体区121可以在与半导体基板110的前表面相对的后表面内彼此分离,并且可以彼此平行地在第一方向x上延伸。多个发射体区121可以包含与半导体基板110的第一导电类型(例如,n型)相反的第二导电类型(例如,p型)的杂质。
因此,p-n结可以通过半导体基板110和发射体区121来形成。
多个后表面场区172可以被定位在半导体基板110的后表面内,并且可以彼此分离。多个后表面场区172可以在与多个发射体区121平行的第一方向x上延伸。因此,如图3和图4中所示,多个发射体区121和多个后表面场区172可以被交替地定位在半导体基板110的后表面处。
每个后表面场区172可以是这样的区域(例如,n++型区域):该区域比具有与半导体基板110相同的导电类型的杂质,比半导体基板110被更严重地掺杂。
多个第一电极C141可以分别物理地电连接到多个发射体区121,并且可以沿着所述发射体区121形成在半导体基板110的后表面上。
多个第二电极C142可以沿着多个后表面场区172形成在半导体基板110的后表面上,并且可以通过多个后表面场区172物理地电连接到半导体基板110。
如图4中所示,多个第一电极C141可以在第一方向x上延伸,并且可以在与第一方向x交叉的第二方向y上彼此分离。
此外,如图4中所示,多个第二电极C142可以在第一方向x上延伸,并且可以在第二方向y上彼此分离。
多个第一电极C141和第二电极C142可以彼此分离,并且可以彼此电绝缘。此外,多个第一电极C141和第二电极C142可以被交替地设置。
这样构造的多个第一电极C141和第二电极C142可以包括与形成连接件Cn或套管条13的金属材料中的至少一种相同的材料。连接件Cn或套管条13可以通过使用熔化和联接处理的焊接方法连接到多个第一电极C141和第二电极C142。因此,当多个第一电极C141和第二电极C142包括与连接件Cn或套管条13相同的金属材料时,连接强度可以增加。此外,多个第一电极C141和第二电极C142、连接件Cn、以及套管条13能够同时彼此连接。
在根据本发明的实施方式的具有上述构造的太阳能电池中,由第一电极C141收集的空穴和由第二电极C142收集的电子可以通过到外部电路装置而用作外部装置的电力。
应用到根据本发明的实施方式的太阳能电池模块的太阳能电池不限制于图3和图4。除了包括在太阳能电池中的第一电极C141和第二电极C142形成在半导体基板110的后表面上以外,太阳能电池的组件可以以多种形式改变。
例如,本发明的实施方式可以被应用到金属绕通(MWT)太阳能电池,该MWT太阳能电池被构造成使得第一电极C141的一部分和发射体区121被定位在半导体基板110的前表面上,并且第一电极C141的一部分通过半导体基板110的孔连接到形成在半导体基板110的后表面上的第一电极C141的剩余部分。
如图2中所示,多个太阳能电池各自具有图3和图4中所示的结构,并且可以在第二方向y上排列。例如,第一太阳能电池C1和第二太阳能电池C2可以在第二方向y上排列。
包括在第一太阳能电池C1和第二太阳能电池C2中的第一电极C141和第二电极C142的纵向方向可以对应于第一方向x。
第一太阳能电池C1和第二太阳能电池C2可以在第一太阳能电池C1和第二太阳能电池C2在如上所述的第二方向y上延伸的状态下,通过第一线IC1和第二线IC2以及连接件Cn彼此串联连接,由此形成太阳能电池模块。多个太阳能电池在多个太阳能电池被设置在第二方向y上的状态下通过连接件Cn连接,由此形成一串。
在本文中公开的实施方式中,第一线IC1和第二线IC2以及连接件Cn可以包括导电金属材料。第一线IC1和第二线IC2可以连接到每个太阳能电池的半导体基板110的后表面上,然后可以连接到用于太阳能电池的串联连接的连接件Cn。
多条第一线IC1和第二线IC2中的每一个可以被构造为导线(其中,宽度和厚度彼此相同)或带形状(其中,宽度大于厚度)。
更具体地,多条第一线IC1可以通过导电粘合剂CA连接到包括在多个太阳能电池C1和C2当中的两个相邻的太阳能电池中的一个中的多个第一电极C141,并且可以通过绝缘层IL与所述一个太阳能电池的多个第二电极C142绝缘。另外,多条第二线IC2可以通过导电粘合剂CA来连接到包括在这两个相邻的太阳能电池中的另一太阳能电池中的多个第二电极C142,并且可以通过绝缘层IL与所述另一太阳能的多个第一电极C141绝缘。
例如,如图2和图5中所示,多条第一线IC1可以仅连接到包括在两个相邻的太阳能电池C1和C2的第一太阳能电池中C1的多个第一电极C141。
多条第一线IC1中的每一条可以在与多个第一电极C141的纵向方向交叉的第二方向y上延伸。如图2中所示,当从半导体基板110的后表面观看时,多条第一线IC1可以延伸到半导体基板110的外部。
如图2和图5中所示,每个第一线多个IC1可以使用导电粘合剂CA连接到多个第一电极C141。
导电粘合剂CA可以使用焊膏(其在附接金属材料方面是优异的)、导电粘合剂膏(其中,金属颗粒包括在绝缘树脂中)、或导电粘合剂膜。
此外,绝缘层IL可以被定位在多条第一线IC1和多个第二电极C142之间用于所述多条第一线IC1和所述多个第二电极C142之间的绝缘。
绝缘层IL的材料不被特别限定,只要它是绝缘材料即可。例如,绝缘树脂(诸如环氧树脂)可以被用于绝缘层IL。
此外,优选但不是必需的是,绝缘层IL的材料的熔化温度等于或高于约400℃,并且其固化温度约为210℃至250℃。
绝缘层IL的施加面积比导电粘合剂CA的施加面积大。换句话说,如图所示,导电性粘接CA的施加面积比绝缘层IL的施加面积小。导电粘合剂CA被构造为将多条第一线IC1和多条第二线IC2分别电连接到多个第一电极C141和多个第二电极C142。另一方面,绝缘层IL被构造为将多条第一线IC1和多条第二线IC2分别与多个第一电极C141和多个第二电极C142绝缘。因此,当导电粘合剂CA的施加面积增加时,必须被绝缘的部分可以通过导电粘合剂CA电连接。正因为如此,本发明的实施方式减小了导电粘合剂CA的施加面积,并且考虑到这一点,增加了绝缘层IL的施加面积。
接下来,多条第二线IC2可以与包括在多个太阳能电池当中的两个相邻的太阳能电池中的另一太阳能电池中的多个第二电极C142交叠,并且可以连接所述另一太阳能电池的多个第二电极C142。
例如,如图2和图5中所示,多条第二线IC2可以与包括在两个相邻的太阳能电池C1和C2中的第二太阳能电池C2中的多个第二电极C142交叠,并且可以连接到第二太阳能电池C2的多个第二电极C142。
多条第二线IC2中的每一条可以在与多个第二电极C142的纵向方向交叉的第二方向y上延伸。如图1中所示,从半导体基板110的后表面观看时,多条第二线IC2可以延伸到半导体基板110的外部。
如图2和图5中所示,多条第二线IC2中的每一条可以使用上述导电粘合剂CA连接到多个第二电极C142。
此外,上述绝缘层IL可以被定位在多条第二线IC2和多个第一电极C141之间用于所述多条第二线IC2和所述多个第一电极C141之间的绝缘。
到目前为止,本发明的实施方式描述了第一线IC1连接到第一太阳能电池C1的第一电极C141,并且第二线IC2连接到第二太阳能电池C2的第二电极C142。然而,如图2和图5中所示,第二线IC2可以使用导电粘合剂CA连接到包括在第一太阳能电池C1中的第二电极C142,而且第一线IC1可以使用导电粘合剂CA连接到包括在第二太阳能电池C2中的第一电极C141。
也就是说,多条第一线IC1和第二线IC2可以在每个太阳能电池的半导体基板110的后表面处连接到每个太阳能电池的多个第一电极C141和第二电极C142。
因此,如图2和图5中所示,第一线IC1可以连接到每个太阳能电池的第一电极C141,并且第二线IC2可以连接到每个太阳能电池的第二电极C142。
如图2和图5中所示,连接到每个太阳能电池的后表面的多条第一线IC1和第二线IC2的一部分(其延伸到每个太阳能电池的半导体基板110的外部)可以连接到定位在第一太阳能电池C1和第二太阳能电池C2之间的连接件Cn的后表面。因此,第一太阳能电池C1和第二太阳能电池C2可以形成一串。
在该示例中,连接件Cn的纵向方向可以是第一方向x,其与每个太阳能电池的第一电极C141和第二电极C142的纵向方向相同。
在本文中公开的实施方式中,可以形成一个连接件Cn或多个连接件Cn。例如,本发明的第一实施方式描述了连接件Cn被构造为在第一方向x延伸的一种金属焊盘。
如图2和图5中所示,连接件Cn可以被定位在太阳能电池的半导体基板110之间。也就是说,连接件Cn可以与每个太阳能电池的半导体基板110不交叠,并且可以与每个太阳能电池的半导体基板110分离。例如,如图2中所示,当从串的后表面观看时,连接件Cn可以与第一太阳能电池C1的半导体基板110分隔开距离D1,并且连接件Cn可以与第二太阳能电池C2的半导体基板110分隔开距离D2。距离D1和距离D2可以彼此相同或彼此不同。
更具体地,距离D1和D2中的每一个根据从第一太阳能电池C1和第二太阳能电池C2之间的距离减去连接件Cn的宽度WI3的值而确定。例如,距离D1和D2中的每一个可以为50μm至3mm。例如,距离D1和D2可以相等地为100μm。例如,距离D1和D2中的一个可以为500μm,而另一个可以为200μm。
如上所述地设置距离D1和D2是为了防止通过太阳能电池C1和C2的半导体基板110与连接件Cn之间的连接的短路,以使入射到在太阳能电池C1和C2的半导体基板110与连接件Cn之间的空间中形成的距离D1和D2上的光最小化,并且使太阳能电池模块的发电效率最大化。
当连接件Cn被如上所述地定位在太阳能电池的半导体基板110之间时,连接件Cn可以反射在所述太阳能电池之间入射的光,并且可以使光再次入射到太阳能电池上。另外,半导体基板110之间的连接件Cn可以用于固定第一线IC1和第二线IC2,并且因此可以进一步提高太阳能电池模块的结构稳定性。
考虑到相邻太阳能电池之间的足够的粘合强度和距离,连接件Cn的宽度WI3等于或大于距离D1和D2中的至少一个。优选地,连接件Cn的宽度的WI3可以为0.1mm至20mm。此外,连接件Cn的厚度可以为0.015mm至2mm。
当连接件Cn的宽度WI3过度地减小时,不能获得足够的粘合强度。另外,从连接件Cn反射的光的量过度地减小,并且发电效率降低。因此,优选的是,连接件Cn的宽度WI3等于或大于距离D1和D2中的至少一个。
连接件Cn的长度CL等于或大于定位在连接到连接件Cn的多条第一线IC1和第二线IC2当中的最上侧和最下侧的两条线之间的距离WL。此外,连接件Cn的长度CL小于太阳能电池的宽度和串之间的距离SL的和。
如果连接件Cn的长度CL小于距离WL,所有第一线IC1和第二线IC2的一部分(其必须连接到连接件Cn)可能无法正常地连接到连接件Cn。此外,如果连接件Cn的长度CL等于或大于太阳能电池的宽度和串之间的距离SL的和,则连接件Cn可以电连接到相邻的串。
优选但不是必需的是,考虑到制造处理,连接件Cn的厚度等于或小于第一线IC1或第二线IC2的厚度。当由金属材料制成的连接件Cn的厚度增加时,不容易使连接件Cn弯曲,因为连接件Cn的柔性减小。因此,可能难以将第一线IC1或第二线IC2附接到连接件Cn。此外,如果连接件Cn的柔性减小,当第一线IC1或第二线IC2热变形时,则可能在具有小柔性的粘合剂部分中产生裂纹。
作为示例,图2示出了使用导电粘合剂CA连接到每个太阳能电池的半导体基板110的后表面的第一线IC1和第二线IC2的总数目为6。然而,本发明的实施方式不限于此。连接到每个太阳能电池的半导体基板110的后表面的第一线IC1和第二线IC2的总数目可以为6至40。更优选地,如果太阳能电池的尺寸为156mm*156mm,则第一线IC1和第二线IC2的总数目可以为28至32。
如图2和图5中所示,连接到第一太阳能电池C1的第一线IC1和连接到第二太阳能电池C2的第二线IC2被定位在不同的行上,并且独立地和单独地形成。因此,第一线IC1的端部和第二条线IC2的端部(其中的每一个与连接件Cn交叠)可以以距离DC1彼此分隔开。因此,第一线IC1的端部和二线IC2的端部可以偏移。
例如,当多个太阳能电池当中产生其中第一线IC1和第二线IC2与第一电极C141和第二电极C142之间的连接不良的太阳能电池时,不良的太阳能电池的第一线IC1和第二线IC2可能与连接件Cn断开。结果,可以容易地替换仅不良的太阳能电池。
此外,优选但不是必需的是,连接件Cn与第一线IC1和第二线IC2中的一个之间的交叠区域OA等于或小于连接件Cn的宽度WI3,并且等于或大于连接件Cn的宽度WI3*1/3。当交叠区域OA大于连接件Cn的宽度WI3时,这在设计方面是有害的,因为第一线IC1和第二线IC2伸出到连接件Cn的外部。另外,不是必须要连接的一部分可以连接起来。当交叠区域OA小于连接件Cn的宽度WI3*1/3时,结的面积减小。因此,第一线IC1和第二线IC2不稳定地连接到连接件Cn。
此外,可能优选但不是必需的是,第一线IC1和第二线IC2被设置在连接件Cn上。第一线IC1和第二线IC2之间的面对距离FA等于或小于连接件Cn的宽度。由电极收集的载流子从连接件Cn传输到第一线IC1和第二线IC2,或者从第一线IC1和第二线IC2传输到连接件Cn。因此,当第一线IC1和第二线IC2在连接件Cn上彼此面对时,能够有效地传输载流子。
相反,与连接件Cn交叠的第一线IC1和第二线IC2可以彼此不分离,并可以彼此连接。这在本发明的第二实施方式中详细地描述。
下面参照图6详细地描述连接件Cn的结构。
如图6中所示,连接件Cn可以包括由具有导电性的第一金属材料形成的芯CO、涂敷在芯CO的入射表面上的第一涂敷部CT1、以及涂覆在芯CO的后表面上的第二涂敷部CT2。
在本文中公开的实施方式中,芯CO的第一金属材料可以是具有良好导电性的金属材料(例如,铜(Cu)、铝(Al)和镍(Ni))。
如图6中所示,多个不平坦部分可以形成在第一涂敷部CT1的入射表面上。第一涂敷部CT1的每个不平坦部分可以具有棱锥形状,以便使入射到连接件Cn上的光散射。
此外,第一涂敷部CT1可以包括具有比第一金属材料大的表面反射率的第二金属材料,以便增加由连接件Cn导致的反射率。例如,第二金属材料可以使用具有比可用作第一金属材料的铜(Cu)大的表面反射率的银(Ag)。
第二涂敷部CT2可以包括具有比第一金属材料和第二金属材料低的熔点的第三金属材料,以便进一步提高第二涂敷部CT2与连接到连接件Cn的后表面的多条第一线IC1和第二线IC2之间的接触强度和接触电阻。
例如,第三金属材料可以包括锡(Sn)或铟(In)中的至少一种,其具有比可用作第一金属材料和第二金属材料的铜(Cu)和银(Ag)低的熔点,并且具有良好的粘合强度。更具体地,第三金属材料的示例可以包括合金(诸如基于Sn的SnPb、SnAgCu、SnZnBi、SnCu和SnAg)或In。如上所述,当第二涂敷部CT2包括焊料材料时,连接件Cn可以通过用于对基材加热并使其熔化以使它们联接的焊接方法来物理地电连接到第一线IC1和第二线IC2。另选地,连接件Cn可以通过导电膜连接到第一线IC1和第二线IC2,其中,导电金属颗粒被插设到聚合物或上述导电粘合剂中。
如图6中所示,第二涂敷部CT2的后表面可以具有多个槽HIC,多条第一线IC1和第二线IC2被插设在所述多个槽HIC中。也就是说,形成在第二涂敷部CT2的后表面上的多个槽HIC中的每一个可以具有这样的结构:多条第一线IC1和第二线IC2能够被插设在该结构中。
因此,第二涂敷部CT2与第一线IC1和第二线IC2之间的连接面积可以增加,并且其之间的接触电阻可以被最小化。此外,当多条第一线IC1和第二线IC2连接到连接件Cn时,所述多条第一线IC1和第二线IC2可以被更容易地对齐和固定。
不具有槽HIC的第二涂敷部CT2的厚度TCT2可以为5μm至30μm,以便充分地显示第二涂敷部CT2的连接强度。
如果第二涂敷部CT2的厚度不足够,则多条第一线IC1和第二线IC2可以使用导电粘合剂CA来连接到连接件Cn。
然而,如上所述,当第二涂敷部CT2的厚度为5μm至30μm时,导电粘合剂CA不是单独必需的。因此,制造处理可以被进一步简化,并且制造成本可以被进一步降低。
如图7中所示,串(在该串中,多个太阳能电池C1和C2如上所述地通过第一线IC1和第二线IC2以及连接件Cn而彼此串联连接)可以被设置在透明基板FG和第一填充物EC1之间以及第二填充物EC2和后片材BS之间。在这种状态下,串、透明基板FG、第一填充物EC1、第二填充物EC2和后片材BS可以被层压在一起,以形成一体式模块。
透明基板FG可以由具有透光性的玻璃材料或塑料材料形成,并且第一填充物EC1和第二填充物EC2可以由具有弹性和绝缘的材料(例如,乙烯乙酸乙烯(EVA)形成。此外,后片材BS可以由具有防潮功能的绝缘材料形成。
如图7中所示,当用作反射器的连接件Cn被定位在多个太阳能电池之间时,入射在太阳能电池之间的光可以通过连接件Cn和透明基板FG再次入射到太阳能电池上。因此,可以进一步提高太阳能电池的效率。
到目前为止,本发明的实施方式描述了第一线IC1和第二线IC2二者被固定到连接件Cn的后表面,使得连接件Cn被定位更靠近太阳能电池模块的入射表面。相反,第一线IC1和第二线IC2二者可以被固定到连接件Cn的前表面,或者可以被固定到连接件Cn的不同表面。
作为示例,图5示出了连接件Cn不具有多个不平坦部分。然而,如图6和图8至图11中所示,连接件Cn可以在连接件Cn的入射表面上具有多个不平坦部分,以便使光反射到两个相邻的太阳能电池上。
更具体地,如图6中所示,第一涂敷部CT1的表面可以具有拥有均匀尺寸的不平坦部分CC。不平坦部分CC包括上升倾斜表面Up和下降倾斜表面Dn。因此,入射到不平坦部分CC的光被反射在连接件Cn的在上升倾斜表面Up处的左侧面上,并且被反射在连接件Cn的在下升倾斜表面Dn处的右侧面上。结果,入射到连接件Cn上的光可以由于不平坦部分CC而附加地入射在通过连接件Cn连接的两个太阳能电池中的每一个上。
另选地,如图8和图9中所示,第一涂敷部CT1的表面可以具有拥有不同尺寸的第一不平坦部分CC1和第二不平坦部分CC2。
图8和图9中所示的不平坦部分CC与图6中所示的不平坦部分CC的相同之处在于:不平坦部分CC包括上升倾斜表面Up和下降倾斜表面Dn。
图8和图9中所示的不平坦部分CC与图6中所示的不平坦部分CC的不同之处在于:不平坦部分CC取决于不平坦部分CC的位置而具有不同的尺寸。如图8中所示,不平坦部分CC包括第一不平坦部分CC1以及具有比第一不平坦部分CC大的尺寸的第二不平坦部分CC2。在本文中公开的实施方式中,不平坦部分的尺寸指示不平坦部分的横截面积。
第二不平坦部分CC2可以基于与连接件Cn的纵向方向(即,y轴方向)交叉的方向(即,x轴方向)形成在连接件Cn的中部中,而第一不平坦部分CC1可以形成在其它部分中。另选地,如图9中所示,第一不平坦部分CC1可以形成在连接件Cn的中部中,而第二不平坦部分CC2可以形成在其它部分中。
在本发明公开的实施方式中,连接件Cn的中部对应于在与连接件Cn的纵向方向(即,y轴方向)交叉的方向(即,x轴方向)上将连接件Cn划分成三个部分时的中间部分。连接件Cn的中间部分可以大于连接件Cn的整个宽度的20%,并且可以小于连接件Cn的整个宽度的40%。
当具有相对大的尺寸的第二不平坦部分CC2如图8中所示地被定位在连接件Cn的中部中时,连接件Cn的中部能够在比第一不平坦部分CC1高的高度处反射光。因此,从连接件Cn的中部反射的光可以在没有第一不平坦部分CC1的干扰的情况下平滑地反射。
图10和图11示出了不平坦部分包括仅上升倾斜表面或仅下降倾斜表面的示例。更具体地,图10示出了不平坦部分包括仅上升倾斜表面Up的示例,而图11示出了不平坦部分包括仅下降倾斜表面Dn的示例。
如上所述,当不平坦部分包括仅上升倾斜表面或仅下降倾斜表面时,连接件Cn仅在任何一个方向上反射光。因此,如以上参照图1描述的,图10和图11的不平坦部分在定位在串的一端处的第二连接件Cn2中可以比在定位在太阳能电池之间的第一连接件Cn1中更有利。也就是说,由于第二连接件Cn2仅被定位在串的一端处,因此可能优选但不是必需的是,不平坦部分包括仅上升倾斜表面或仅下降倾斜表面。此外,可能优选但不是必需的是,第一连接件Cn1包括上升倾斜表面和下降倾斜表面两者。
本发明的实施方式描述了连接件Cn具有不平坦部分。然而,套管条13可以以与连接件Cn相同的方式包括:具有上升倾斜表面和下降倾斜表面的不平坦部分,或者具有上升倾斜表面或下降倾斜表面的不平坦部分。
例如,参照图1,上套管条13a可以包括具有仅下降倾斜表面的不平坦部分,以便使光反射到太阳能电池模块的内部,并且下套管条13b可以包括具有仅上升倾斜表面的不平坦部分。
可能优选但不是必需的是,连接件Cn的高度大于两个相邻的太阳能电池的高度。在这种情况下,使光反射的连接件Cn的上表面被定位在比太阳能电池高的位置处。因此,使连接件Cn反射的光可以很好地透射到两个相邻的太阳能电池。
在下文中,描述了根据本发明的第二实施方式的太阳能电池模块。
到目前为止,本发明的第一实施方式描述了连接到第一太阳能电池C1的第一线IC1和连接到第二太阳能电池C2的第二线IC2被定位在不同的行上,并且独立地和单独地形成,并且第一线IC1的端部和第二线IC2的端部(其中的每一个与连接件Cn交叠)彼此分离。相反,连接到第一太阳能电池C1的第一线IC1和连接到第二太阳能电池C2的第二线IC2可以彼此连接,并且可以形成为一条线。这在下面被详细地描述。
图12和图13示出了根据本发明的第二实施方式的太阳能电池模块。更具体地,图12示出了根据本发明的第二实施方式的太阳能电池模块的后平面。图13是沿着图12的线csx2-csx2截取的横截面图。
如图12和图13中所示,连接到第一太阳能电池C1的第一线IC1和连接到第二太阳能电池C2的第二线IC2可以彼此连接,并且可以形成为一条线。因此,第一线IC1的端部和第二条线IC2的端部(其中的每一个与连接件Cn交叠)可以彼此不分离,并且可以彼此连接以形成一体。因此,第一线IC1的端部和第二线IC2的端部可以被定位在相同的行上。
因此,连接到第一太阳能电池C1的多条第一线IC1中的每一条和连接到第二太阳能电池C2的多条第二线IC2中的每一条可以被定位在相同的行上。
如图12和图13中所示,连接到第一太阳能电池C1的多条第一线IC1可以使用导电粘合剂CA连接到多个第一电极C141。另外,连接到第二太阳能电池C2的多条第二线IC2可以使用导电粘合剂CA连接到多个第二电极C142。
到目前为止,作为示例,本发明的第一实施方式和第二实施方式描述了连接件Cn被定位在太阳能电池的半导体基板110之间,并且在它们之间没有交叠的情况下与每个半导体基板110分离。相反,连接件Cn可以被定位在太阳能电池的半导体基板110之间,并且可以与半导体基板110的一些交叠。这在下面被详细地描述。
图14和图15示出了根据本发明的第三实施方式的太阳能电池模块。更具体地,图14示出了根据本发明的第三实施方式的太阳能电池模块的后平面,并且图15是沿着图14的线Icx3-Icx3截取的横截面图。
根据本发明的第三实施方式的连接件Cn的至少一部分可以与包括在多个太阳能电池C1和C2中的半导体基板110的一些交叠。
例如,如图14和图15中所示,连接件Cn的一部分可以与第一太阳能电池C1的半导体基板110交叠,并且连接件Cn可以与第二太阳能电池C2的半导体基板110分离。
相反,连接件Cn的整个区域可以与第一太阳能电池C1的半导体基板110交叠。
连接到第一太阳能电池C1的多条第一线IC1可以连接到连接件Cn的前表面,并且连接到第二太阳能电池C2的多条第二线IC2可以连接到连接件Cn的后表面。
如图15中所示,用于防止第一太阳能电池C1的半导体基板110和连接件Cn之间的不必要的短路的绝缘层的IL,可以形成在第一太阳能电池C1的半导体基板110和连接件Cn之间的交叠区域当中的、第一线IC1的非形成区域中。
作为示例,图14和图15示出了连接到第一太阳能电池C1的第一线IC1延伸到第一太阳能电池C1的半导体基板110的外部。然而,第一太阳能电池C1的第一线IC1可以不延伸到第一太阳能电池C1的半导体基板110的外部。
到目前为止,作为示例,本发明的第一实施方式至第三实施方式描述了连接件Cn被构造为在第一方向x延伸的金属焊盘。然而,连接件Cn可以是多个。这在下面被详细地描述。
图16和图17示出了根据本发明的第四实施方式的太阳能电池模块。更具体地,图16示出了根据本发明的第四实施方式的太阳能电池模块的后平面,并且图17是沿着图16的线Icx4-Icx4截取的横截面图。
如图16和图17中所示,多个连接件Cn可以彼此分离,并且可以在第一方向x上延伸。
即使在这种情况下,入射在太阳能电池之间的光可以通过在第一方向x上延伸的多个连接件Cn再次入射在太阳能电池上,并且因此可以进一步提高太阳能电池模块的效率。
多个连接件Cn中的每一个可以以与第一实施方式相同的方式包括:芯CO、第一涂敷部CT1和第二涂敷部CT2。
在本发明的第四实施方式中,连接件Cn的宽度WI3可以与第一线IC1和第二线IC2的宽度WI1和WI2相同。然而,连接件Cn的WI3宽度或厚度可以大于第一线IC1和第二线IC2的宽度WI1和WI2或厚度,以便确保太阳能电池之间的串联电阻。
图18示出了根据本发明的第五实施方式的太阳能电池模块。
除了太阳能电池C1和C2中的每一个是伪正方形型太阳能电池(其中太阳能电池的角部Cr倾斜)以外,根据本发明的第五实施方式的太阳能电池C1和C2具有与如图3和图4中所示的、根据本发明的第一实施方式的太阳能电池C1和C2相同的构造。伪正方形型太阳能电池的角部与根据本发明的上述实施方式的太阳能电池不同地倾斜。由于制造处理的特性,伪正方形型太阳能电池被制造为具有倾斜角。一般而言,该角部形成与圆的一部分对应的弧,并且每个太阳能电池的四个角部具有相同的尺寸。
因此,当伪正方形型太阳能电池构成太阳能电池模块时,两个相邻的太阳能电池C1和C2之间的距离可以根据位置而不同地设置。更具体地,两个相邻的太阳能电池C1和C2之间的距离在角部处逐渐增加,并且在其它区域中是均匀的。也就是说,在角部处的距离大于在其它区域中的距离。
在本发明的第五实施方式中,连接件Cn具有I形,其中,连接件Cn的两端朝太阳能电池的外部逐渐变宽。因此,无论太阳能电池C1和C2的角部Cr如何,第一太阳能电池C1和连接件Cn之间的距离或第二太阳能电池C2和连接件Cn之间的距离可以是均匀的。
在本发明的第五实施方式中,连接件Cn的宽度和厚度被设置为与上述实施方式相同,并且连接件Cn的长度等于或稍大于太阳能电池的、在与连接件Cn的纵向方向相同的方向上的宽度。优选地,考虑到处理裕量以及相邻的串的连接件在连接件Cn的纵向方向上之间的距离,连接件Cn的长度等于或大于太阳能电池的宽度。连接件Cn的最大长度为180nm。
例如,当使用各自具有156(mm)*156(mm)的尺寸(其在当前的市场上被广泛地使用)的太阳能电池来构造太阳能电池模块时,连接件Cn的最大长度为180nm。
如上所述,因为连接件Cn的长度大于太阳能电池的宽度,并且还拥有具有在边缘处逐渐增加的宽度的形状,因此连接件Cn具有覆盖太阳能电池C1和C2的角部Cr的形状。
因此,即使当太阳能电池具有倾斜的角部Cr,从连接件Cn反射的光也可以入射到相邻的太阳能电池C1和C2上,而不管太阳能电池的角部Cr的存在或不存在。
优选但不是必需的是,考虑到太阳能电池的角部Cr,连接件Cn的边缘宽度Mn比连接件Cn的中间宽度Mi大至多10mm。
本发明的仅第五实施方式描述了连接件Cn的长度大于太阳能电池的宽度。然而,连接件Cn的长度可以大于太阳能电池的宽度,而不管太阳能电池的角部Cr的存在或不存在。因此,在本发明的上述第一实施方式至第四实施方式中,连接件Cn的长度可以大于太阳能电池的宽度。
作为示例,本发明的第一实施方式至第五实施方式描述了使用背接触太阳能电池,其中,第一电极C141和第二电极C142二者形成在基板的后表面上。然而,本发明的上述实施方式可以被同样地应用到具有常规结构的太阳能电池,其中,第一电极C141和第二电极C142分别形成在基板的前表面和后表面上。本发明的以下第六实施方式将描述根据本发明的上述实施方式的连接件Cn可以被同样地应用到包括具有常规结构的太阳能电池的太阳能电池模块。在本发明的第六实施方式中不再重复在第一实施方式至第五实施方式中例示的构造和组件相同或等同的构造和组件的描述,并且主要地描述它们之间的差异。
图19是根据本发明的第六实施方式的包括具有常规结构的太阳能电池的太阳能电池模块的平面图,并且图20和图21是沿着图19的线A-A和B-B截取的横截面图。
如图19至图21中所示,根据本发明的第六实施方式的太阳能电池模块包括多个太阳能电池C1、C2和C3、连接两个相邻的太阳能电池的多条线125、以及设置在两个相邻的太阳能电池之间并且物理地电连接到多条线125的连接件Cn。
根据本发明的第六实施方式的太阳能电池模块与本发明的上述实施方式的不同之处在于:形成在多个太阳能电池C1、C2和C3中的一个的前表面上的第一电极113;以及形成在通过多条线125彼此连接的、与所述一个太阳能电池的相邻的其它太阳能电池的后表面上的第二电极115。
线125连接到形成在第一太阳能电池C1的前表面上的第一电极113,并且连接到形成在与第一太阳能电池C1相邻的第二太阳能电池C2的后表面上的第二电极115。
根据本发明的第六实施方式的太阳能电池具有常规结构,其中,电极被定位在半导体基板111的前表面和后表面中的每一个上。
如图20中所示,根据本发明的第六实施方式的太阳能电池具有拥有薄的厚度的立方体形状。第一电极113形成在太阳能电池的前表面(光入射到该前表面上)上,并且连接到布线构件125。第一电极113收集与半导体基板111的导电类型相反的导电类型的载流子。例如,如果半导体基板111为p型半导体基板,则第一电极113收集电子。
第一电极113在与布线构件125的纵向方向交叉的方向上延伸。第一电极113彼此平行地布置,并且因此全部形成条布置。
半导体基板111形成p-n结。半导体基板111包括第一导电类型的杂质,并且形成p型半导体基板或n型半导体基板。
第二电极115A在与第一电极113交叉的方向上形成在半导体基板111的后表面上。第二电极115收集与第一电极113相反的导电类型的载流子。
例如,第二电极115具有岛(island)形状,并且具有岛形状的多个电极在布线构件的纵向方向上连接到布线构件125。
发射体区和用于减小势垒的后表面场区以及用于防止载流子在表面处的组合的钝化层,存在于半导体基板111和第一电极113或第二电极115之间。然而,在附图中省略了该构造。
具有上述构造的太阳能电池是通过多条线125彼此连接。本发明的第六实施方式中的线125具有与上述实施方式相同的构造。
多条线125被用于连接两个相邻的太阳能电池。线125的一侧连接到第一太阳能电池C1的第一电极113,并且另一侧连接到第二太阳能电池C2的第二电极115。使用材料的熔化和联接处理的焊接方法被优选地用于将第一电极113和第二电极115连接到多条线125。
在本发明的第六实施方式中,焊盘140可以选择性地形成在第一电极113和线125的交叉处。焊盘140增加了第一电极113和线125的交叉面积,并且减小了在线125连接到第一电极113时的接触电阻。此外,焊盘140增加了第一电极113与线125之间的连接强度。
焊接方法的一个示例将多条线125设置在两个相邻的太阳能电池的前表面和后表面中的每一个,将多条线125设置在第一电极113和第二电极115对面,并且在该状态下在等于或高于熔化温度的温度下加热多条线125的涂覆部达数秒。因此,当涂敷部熔化并冷却时,多条线125连接到第一电极113和第二电极115。
在另选的示例中,多条线125可以使用上述导电粘合剂CA附接。
连接件Cn被设置在第一太阳能电池C1和第二太阳能电池C2之间,以及在第二太阳能电池C2和第三太阳能电池C3之间,并且因此将相邻的第一太阳能电池C1和第二太阳能电池C2与相邻的第二太阳能电池C2和第三太阳能电池C3连接起来。
如上所述,第一太阳能电池C1和第二太阳能电池C2通过具有细电线形状的线125连接起来,并且第二太阳能电池C2和第三太阳能电池C3也通过具有细电线形状的线125连接起来。在这种情况下,线125可能受机械冲击而断裂或热变形。
然而,在本发明的第六实施方式中,由于连接件Cn连接到线125,因此上述问题可以得到解决。此外,因为连接件Cn具有不平坦部分,因此太阳能电池的发热量可以通过增加入射到相邻的太阳能电池上的光的量而增加。
在本发明的第六实施方式中,优选但不是必需的是,线125附接到连接件Cn的后表面。线125通过焊接方法或导电粘合剂CA附接到连接件Cn。
下面参照图22至图30描述各自具有不同的厚度的布线构件的示例。在以下描述中,太阳能电池模块的构造与上述太阳能电池模块相同,并且为了简洁起见和易于阅读,简单示出了定位在太阳能电池中的仅布线构件。
图22示出了太阳能电池被划分成三个区域,并且这三个区域的布线构件的厚度彼此不同。图23是沿着图22的线III-III'截取的横截面图。
布线构件25被彼此平行地设置在太阳能电池100的后表面上,并连接到太阳能电池100的电极。布线构件25具有条布置,并且每个区域的布线构件25以在它们之间相隔规则的距离而彼此分离。因此,如图22中所示,电极节距d1、d2和d3在“A1”、“A2”和“A3”中彼此相同。
如图22中所示,“A1”、“A2”和“A3”分别指示通过将太阳能电池100在与布线构件25的纵向方向交叉的水平方向上划分成三个区域而得到的三个区域。第二区域A2指示太阳能电池100的基板的中间部分,并且第一区域A1和第三区域A3指示第二区域A2的左区域和右区域。
在本文中公开的实施方式中,第一区域A1至第三区域A3基于太阳能电池100的弯曲差异而与太阳能电池分开。
通过布线构件25的热变形而产生的应力在布线构件25的纵向方向上传递,并且使太阳能电池100弯曲。由于包括从布线构件25传递的应力的数个变量(例如,太阳能电池的厚度差、太阳能电池的形成材料的物理属性差异等),太阳能电池100的弯曲程度可以根据位置而改变。可以通过不管太阳能电池10的面积如何都在相同的条件下附接布线构件,并且执行布线构件上热处理而产生的太阳能电池的弯曲,来确认太阳能电池100的弯曲程度之间的差异。
在本文中公开的实施方式中,通过减小应力差来减少太阳能电池的弯曲的问题。
在图22和图23中,假定第二区域A2的应力小于第一区域A1和第三区域A3的应力,并且第一区域A1和第三区域A3的应力彼此相同。
在本文中公开的实施方式中,相对厚的布线构件25b被设置在具有相对小的应力的第二区域A2中,并且相对薄的布线构件25a被设置在具有相对大的应力的第一区域A1和第三区域A3中。
如图22和图23中所示,第一区域A1中的具有矩形横截面的布线构件25具有第一水平宽度w1和第一竖直宽度t1,并且第二区域A2中的具有矩形横截面的布线构件25具有比第一水平宽度w1大的第二水平宽度w2以及比第一竖直宽度t1大的第二竖直宽度t2。因此,第二区域A2的布线构件25b的尺寸可以大于第一区域A1的布线构件25a的尺寸。
此外,第三区域A3中的具有矩形横截面的布线构件25具有比第二水平宽度w2小的第三水平宽度w3以及比第二竖直宽度t2小的第三竖直宽度t3。
在本发明的实施方式中,相对厚的布线构件25b被设置在具有相对小的应力的第二区域A2中,并且相对薄的布线构件25a被设置在具有相对大的应力的第一区域A1和第三区域A3中。因此,可以通过减小在第二区域A2和第三区域A3中的布线构件25的纵向方向上传递的应力而减小第二区域A2和第三区域A3中的应力。
换句话说,由于布线构件25在纵向方向上收缩和膨胀,因此太阳能电池通过由布线构件25在纵向方向上的收缩和膨胀产生的应力的传递而弯曲。随着布线构件25的横截面积增加,应力的传递可以更平滑地执行。然而,在本发明的实施方式中,因为相对薄的布线构件被设置在相对大的应力的第一区域A1和第三区域A3中,所以不能平滑地执行应力的传递。结果,太阳能电池的第一区域至第三区域的应力之间的差可以减小。
图24和图25示出了设置在图22和图23中所示的布线构件的反面中的布线构件。不像图22和图23,在图24和图25中,第二区域A2的应力大于第一区域A1和第三区域A3的应力。
由于这一点,相对薄的布线构件25b被设置在具有相对大的应力的第二区域A2中,并且相对厚的布线构件25a被设置在具有相对较小的应力的第一区域A1和第三区域A3中。
图26示出了布线构件的横截面以及用于调整布线构件的厚度的方法的示例。如上所述,布线构件25包括芯层253以及包围芯层253的涂敷层251。
图26的(A)和(B)中示出的布线构件具有相同的竖直宽度和相同的水平宽度,并且因此具有相同的横截面积。然而,布线构件的芯层253和涂敷层251在厚度上彼此不同。也就是说,图26的(A)中示出的布线构件具有比图26的(B)中示出的布线构件厚的芯层253,并且具有比图26的(B)中示出的布线构件薄的覆盖层251。因此,图26的(A)中示出的布线构件的整个厚度与图26的(B)中示出的布线构件的整个厚度相同。
与此类似,厚布线构件25b和薄布线构件25a各自包括芯层253和覆盖层251。因此,布线构件的厚度可以通过改变芯层253或涂敷层251的厚度而改变。
到目前为止,本发明的实施方式描述了布线构件根据太阳能电池的面积具有不同的厚度,并且具有不同厚度的布线构件之间的距离在太阳能电池的所有区域中均匀。
相反,布线构件可以在太阳能电池的所有区域中具有相同的厚度,并且具有相同的厚度的布线构件之间的距离可以在太阳能电池的区域中是不均匀的。因此,布线构件的分布(即,布线构件每单位面积的数目)可以在太阳能电池的区域中被不同地设置。
图27示出了布线构件的厚度在太阳能电池的所有区域中相同,并且布线构件之间的距离根据区域而不同。图28是沿着图27的线V-V'截取的横截面图。
在图27和图28中,假定第二区域A2的应力小于第一区域A1和第三区域A3的应力,并且第一区域A1和第三区域A3的应力彼此相同。
第一区域A1中的布线构件25具有第一水平宽度w1和第一竖直宽度t1,并且第二区域A2中的布线构件25具有等于第一水平宽度w1的第二水平宽度w2以及等于第一竖直宽度t1的第二竖直宽度t2。因此,第一区域A1中的布线构件25的尺寸与第二区域A2中的布线构件25的尺寸相同。此外,第三区域A3中的布线构件25具有等于第二水平宽度w2的第三水平宽度w3以及等于第二竖直宽度t2的第三竖直宽度t3。
第一区域A1中的布线构件25之间的距离为“d1”,并且第二区域A2中的布线构件25之间的距离为小于“d1”的“d2”。
因此,第二区域A2中的布线构件每单位面积的分布多于第一区域A1中的布线构件每单位面积的分布。因为布线构件在具有相对大的应力的第一区域A1中较少地分布,所以传递至第一区域A1的布线构件的应力小于第二区域A2。结果,太阳能电池的区域的应力之间的差可以减小,并且太阳能电池的弯曲可以减小。
在太阳能电池的中部中产生的载流子的量多于在太阳能电池的外周中产生的载流子的量。也就是说,在第二区域A2中收集的载流子的量多于在第一区域A1或第三区域A3中收集的载流子的量。然而,在图27和图28中,由于相对大数目的布线构件被设置在第二区域A2中,因此通过太阳能电池的电极收集的载流子可以在没有载流子的损失的情况下被传递。
到目前为止,本发明的实施方式描述了太阳能电池被划分成区域,并且布线构件根据太阳能电池的区域被正确地设置。然而,具有不同尺寸的布线构件可以与太阳能电池的面积无关地布置。这在下面参照图29和图30被描述。
图29示出了薄布线构件25a和厚布线构件25b被设置成没有规则的图案。图30示出了薄布线构件25a和厚的布线构件25b被交替地设置。
此外,薄布线构件25a和厚布线构件25B可以根据太阳能电池的第一电极和第二电极而设置。
如上所述,一个太阳能电池的布线构件连接到这一个太阳能电池的第一电极和第二电极中的仅一个。例如,薄布线构件25a可以连接到太阳能电池的第一电极和第二电极中的一个,并且厚布线构件25b可以连接到该太阳能电池的第一电极和第二电极中的另一电极(未连接到薄布线构件25a)。在这种情况下,薄布线构件25a可以对应于第一布线构件21和第二布线构件23中的一个,并且厚布线构件25b可以对应于其它布线构件。
太阳能电池包括如图3中所示的发射体区121和后表面场区172。发射体区121的面积和后表面场区172的面积可以彼此不同,以便提高太阳能电池的发电效率。在这种情况下,可以根据发射体区121和后表面场区172的不同区域来构造形成在与发射体区121和后表面场区172对应的位置处的第一电极C141和第二电极C142。因此,第一电极C141和第二电极C142的厚度可以彼此不同。
然而,当第一电极C141和第二电极C142如上所述地具有不同的厚度时,不同的应力可以通过第一电极C141和第二电极C142而传递至太阳能电池。因此,太阳能电池可能弯曲。然而,可以通过如上所述不同地形成布线构件的厚度,来减小太阳能电池的弯曲。
本发明的实施方式描述了布线构件被划分成薄布线构件和厚布线构件。然而,布线构件可以被划分成两个或更多个布线构件。
此外,布线构件可以在布线构件的纵向方向上具有不同的厚度。
尽管已经参照本公开的多个示例性实施方式描述了实施方式,但是应该理解的是,本领域技术人员能够设计出将落入本公开的原理的范围内的众多其它修改和实施方式。更具体地,在本公开、附图和所附权利要求的范围内,能够对主题组合布置的组成部分和/或布置进行各种变型和修改。除了对这些组成部分和/或布置的变型和修改之外,对于本领域技术人员而言替代使用也将是显而易见的。

Claims (22)

1.一种太阳能电池模块,该太阳能电池模块包括:
多个太阳能电池,其各自包括半导体基板以及第一电极和第二电极,所述第一电极和所述第二电极形成在所述半导体基板上,并且收集不同的导电类型的载流子;
多条线,其连接到在所述多个太阳能电池当中的彼此相邻地定位的、第一太阳能电池和第二太阳能电池的所述第一电极和所述第二电极,所述多条线使用用于所述第一太阳能电池和所述第二太阳能电池的串联连接的导电粘合剂,或者所述多条线通过绝缘层与所述第一太阳能电池和所述第二太阳能电池的所述第一电极和所述第二电极绝缘;以及
连接件,其被定位在所述第一太阳能电池和所述第二太阳能电池之间,并且连接到所述多条线,
其中,所述连接件的宽度等于或大于所述第一太阳能电池和所述连接件之间的第一距离或所述第二太阳能电池和所述连接件之间的第二距离中的至少一个,以及
其中,所述连接件上的所述绝缘层的施加面积比所述连接件上的所述导电粘合剂的施加面积大。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池模块,其中,每条线的端部和所述连接件之间的交叠区域等于或小于所述连接件的宽度。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池模块,其中,每条线的所述端部和所述连接件之间的交叠区域等于或大于所述连接件的宽度*1/3。
4.根据权利要求2所述的太阳能电池模块,其中,所述连接件包括:第一表面,光入射到所述第一表面上;以及与所述第一表面相对的第二表面,以及
其中,所述多条线全部连接到所述连接件的所述第二表面。
5.根据权利要求3所述的太阳能电池模块,其中,所述连接件的第一表面包括多个不平坦部分,所述多个不平坦部分各自具有不同的倾斜角。
6.根据权利要求4所述的太阳能电池模块,其中,所述连接件的所述第二表面包括与形成所述多条线的材料中的至少一种相同的材料。
7.根据权利要求5所述的太阳能电池模块,其中,形成所述连接件的所述第一表面的材料与形成所述连接件的所述第二表面的材料不同。
8.根据权利要求2所述的太阳能电池模块,其中,所述连接件的长度等于或大于定位在所述多条线当中的最上侧和最下侧的两条线之间的距离,并且小于所述第一太阳能电池的宽度和所述多个太阳能电池的串之间的距离的和。
9.根据权利要求8所述的太阳能电池模块,其中,所述连接件的中间宽度小于所述连接件的边缘宽度。
10.根据权利要求9所述的太阳能电池模块,其中,所述连接件的所述边缘宽度和所述连接件的所述中间宽度之间的最大的差为10mm。
11.根据权利要求1所述的太阳能电池模块,其中,所述第一电极和所述第二电极彼此平行交替地形成在所述半导体基板的后表面上,以及
其中,所述多条线包括:第一线,其将所述第一太阳能电池的所述第一电极连接到所述第二太阳能电池的所述第二电极;以及第二线,其将所述第一太阳能电池的所述第二电极连接到所述第二太阳能电池的所述第一电极。
12.根据权利要求11所述的太阳能电池模块,其中,所述第一线通过导电粘合剂连接到所述第一太阳能电池的所述第一电极和所述第二太阳能电池的所述第二电极,并且通过绝缘层与所述第一太阳能电池的所述第二电极和所述第二太阳能电池的所述第一电极绝缘,以及
其中,所述第二线通过所述导电粘合剂连接到所述第一太阳能电池的所述第二电极和所述第二太阳能电池的所述第一电极,并且通过所述绝缘层与所述第一太阳能电池的所述第一电极和所述第二太阳能电池的所述第二电极绝缘。
13.根据权利要求11所述的太阳能电池模块,其中,所述第一线和所述第二线在所述连接件上以等于或小于所述连接件的所述宽度的距离而彼此面对。
14.根据权利要求2所述的太阳能电池模块,所述太阳能电池模块还包括:
多个串,其各自具有通过所述连接件连接的所述多个太阳能电池的列;以及
套管条,其被构造为连接第一串和第二串,所述第一串和所述第二串在所述串当中被彼此相邻地定位,
其中,所述连接件的横截面积小于所述套管条的横截面积。
15.根据权利要求14所述的太阳能电池模块,其中,所述套管条的形成材料、所述连接件的形成材料、以及所述多条线的形成材料共同地包括至少一种材料。
16.根据权利要求14所述的太阳能电池模块,其中,所述套管条包括:第一表面,光入射在所述第一表面上;以及与所述第一表面相对的第二表面,
其中,连接到所述套管条的所述多条线全部连接到所述套管条的所述第二表面,以及
其中,所述套管条的所述第一表面包括多个不平坦部分,所述多个不平坦部分各自具有在一个方向上倾斜的倾斜面。
17.根据权利要求1所述的太阳能电池模块,其中,所述第一太阳能电池和所述连接件之间的距离以及所述第二太阳能电池和所述连接件之间的距离为50μm至3mm。
18.根据权利要求17所述的太阳能电池模块,其中,所述连接件的所述宽度为0.1mm至20mm,并且所述连接件的厚度为0.015mm至2mm。
19.根据权利要求1所述的太阳能电池模块,其中,所述连接件的厚度大于所述第一太阳能电池或所述第二太阳能电池中的至少一个的厚度。
20.根据权利要求11所述的太阳能电池模块,其中,所述连接件的厚度等于或小于所述第一线或所述第二线中的至少一个的厚度。
21.根据权利要求11所述的太阳能电池模块,其中,所述第一线的横截面积与所述第二线的横截面积不同。
22.根据权利要求21所述的太阳能电池模块,其中,所述第一太阳能电池的所述第一电极的横截面积比所述第二太阳能电池的所述第一电极的截面积小,以及
其中,所述第一线的所述横截面积比所述第二线的所述横截面积大。
CN201510341156.0A 2014-06-18 2015-06-18 太阳能电池模块 Active CN105206696B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2014-0074609 2014-06-18
KR1020140074609A KR102244597B1 (ko) 2014-06-18 2014-06-18 태양 전지 모듈
KR10-2014-0128553 2014-09-25
KR1020140128553A KR102273018B1 (ko) 2014-09-25 2014-09-25 태양 전지 모듈

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105206696A true CN105206696A (zh) 2015-12-30
CN105206696B CN105206696B (zh) 2017-05-24

Family

ID=53434179

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510341156.0A Active CN105206696B (zh) 2014-06-18 2015-06-18 太阳能电池模块

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10483421B2 (zh)
EP (1) EP2958152B1 (zh)
JP (2) JP6208714B2 (zh)
CN (1) CN105206696B (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107425082A (zh) * 2016-05-03 2017-12-01 Lg电子株式会社 太阳能电池模块
CN109950334A (zh) * 2019-04-02 2019-06-28 晶澳(扬州)太阳能科技有限公司 Mwt太阳能电池组串及其制备方法、组件
CN110277960A (zh) * 2018-03-15 2019-09-24 波音公司 具有高封装密度的可卷曲太阳能电源模块
CN110959198A (zh) * 2017-07-20 2020-04-03 梅耶博格瑞士股份公司 稳定的叠瓦状太阳能电池串及其生产方法
CN110970522A (zh) * 2018-09-28 2020-04-07 松下电器产业株式会社 太阳能电池模块及太阳能电池模块的制造方法
CN111403530A (zh) * 2020-03-25 2020-07-10 常州亚玛顿股份有限公司 一种异形反光导电体的高光利用率组件

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150100146A (ko) * 2014-02-24 2015-09-02 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈
KR101820103B1 (ko) * 2014-10-27 2018-01-18 엘지전자 주식회사 태양전지 모듈, 그 리페어 방법 및 리페어 장치
JP6352894B2 (ja) 2015-12-24 2018-07-04 トヨタ自動車株式会社 太陽電池モジュール
JP6877897B2 (ja) * 2016-06-22 2021-05-26 シャープ株式会社 太陽電池モジュール
KR101806972B1 (ko) * 2016-07-21 2018-01-18 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈
EP3288086A1 (en) 2016-08-26 2018-02-28 LG Electronics Inc. Solar cell module and method for manufacturing the same
KR101806971B1 (ko) * 2016-08-26 2018-01-18 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈의 제조 방법과 그에 의한 태양 전지 모듈
JP2018046112A (ja) * 2016-09-13 2018-03-22 パナソニックIpマネジメント株式会社 太陽電池モジュール
JP2018056490A (ja) * 2016-09-30 2018-04-05 パナソニックIpマネジメント株式会社 太陽電池モジュールおよび太陽電池セル
CN108010981A (zh) * 2017-12-28 2018-05-08 常州华威新材料有限公司 提高光伏转换效率的反光膜及其制备方法
JP2021193695A (ja) * 2018-09-28 2021-12-23 パナソニック株式会社 太陽電池モジュールの製造方法および太陽電池モジュール
KR20200039184A (ko) * 2018-10-05 2020-04-16 엘지전자 주식회사 태양 전지 패널
KR102600380B1 (ko) * 2018-12-05 2023-11-09 상라오 징코 솔라 테크놀러지 디벨롭먼트 컴퍼니, 리미티드 태양 전지 및 이의 제조 방법, 그리고 태양 전지 패널
JP2020107758A (ja) 2018-12-27 2020-07-09 パナソニック株式会社 太陽電池モジュール
KR102367612B1 (ko) 2020-04-29 2022-02-24 엘지전자 주식회사 태양 전지 패널 및 이의 제조 방법
US11791431B2 (en) 2021-05-28 2023-10-17 Zhejiang Aiko Solar Energy Technology Co., Ltd. Back contact solar cell string and preparation method therefor, module, and system
CN113193058A (zh) * 2021-05-28 2021-07-30 浙江爱旭太阳能科技有限公司 一种背接触太阳能电池串及制备方法、组件及系统
CN113327997A (zh) * 2021-07-15 2021-08-31 浙江爱旭太阳能科技有限公司 一种背接触太阳能电池串及制备方法、组件及系统
EP4125137A1 (en) * 2021-07-28 2023-02-01 Meyer Burger (Switzerland) AG Solar cell module

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110120530A1 (en) * 2007-08-23 2011-05-26 Takayuki Isaka Back surface contact type solar cell, back surface contact type solar cell with wiring board, solar cell string, and solar cell module
KR20120131301A (ko) * 2011-05-25 2012-12-05 현대중공업 주식회사 태양전지 모듈
KR101284278B1 (ko) * 2011-04-12 2013-07-08 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈 및 태양 전지 모듈에 사용되는 인터커넥터

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100018565A1 (en) 2007-01-25 2010-01-28 Yasushi Funakoshi Solar cell, solar cell array and solar cell module, and method of fabricating solar cell array
DE102007013553A1 (de) 2007-03-19 2008-09-25 Q-Cells Ag Solarzellenvorrichtung, Solarzellenmodul und Verbindungsanordnung
DE102008044910A1 (de) 2008-08-30 2010-03-04 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Solarzelle und Solarzellenmodul mit einseitiger Verschaltung
JP2011003724A (ja) 2009-06-18 2011-01-06 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池モジュール
JP5445419B2 (ja) 2010-09-27 2014-03-19 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール及びその製造方法
JP5842170B2 (ja) * 2011-06-23 2016-01-13 パナソニックIpマネジメント株式会社 太陽電池モジュール
DE112013002371T5 (de) 2012-05-09 2015-01-22 Sanyo Electric Co., Ltd Solarzellenmodul
KR101890324B1 (ko) * 2012-06-22 2018-09-28 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈 및 이에 적용되는 리본 결합체
KR102319721B1 (ko) 2013-10-29 2021-11-01 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 태양 전지 모듈
KR102175893B1 (ko) 2014-02-24 2020-11-06 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈의 제조 방법
KR20150100146A (ko) 2014-02-24 2015-09-02 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110120530A1 (en) * 2007-08-23 2011-05-26 Takayuki Isaka Back surface contact type solar cell, back surface contact type solar cell with wiring board, solar cell string, and solar cell module
KR101284278B1 (ko) * 2011-04-12 2013-07-08 엘지전자 주식회사 태양 전지 모듈 및 태양 전지 모듈에 사용되는 인터커넥터
KR20120131301A (ko) * 2011-05-25 2012-12-05 현대중공업 주식회사 태양전지 모듈

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107425082A (zh) * 2016-05-03 2017-12-01 Lg电子株式会社 太阳能电池模块
CN110959198A (zh) * 2017-07-20 2020-04-03 梅耶博格瑞士股份公司 稳定的叠瓦状太阳能电池串及其生产方法
CN110277960A (zh) * 2018-03-15 2019-09-24 波音公司 具有高封装密度的可卷曲太阳能电源模块
CN110970522A (zh) * 2018-09-28 2020-04-07 松下电器产业株式会社 太阳能电池模块及太阳能电池模块的制造方法
CN110970522B (zh) * 2018-09-28 2023-10-10 松下控股株式会社 太阳能电池模块及太阳能电池模块的制造方法
CN109950334A (zh) * 2019-04-02 2019-06-28 晶澳(扬州)太阳能科技有限公司 Mwt太阳能电池组串及其制备方法、组件
CN109950334B (zh) * 2019-04-02 2024-03-26 晶澳(扬州)太阳能科技有限公司 Mwt太阳能电池组串及其制备方法、组件
CN111403530A (zh) * 2020-03-25 2020-07-10 常州亚玛顿股份有限公司 一种异形反光导电体的高光利用率组件

Also Published As

Publication number Publication date
US20150372177A1 (en) 2015-12-24
EP2958152A1 (en) 2015-12-23
JP2018011073A (ja) 2018-01-18
JP6208714B2 (ja) 2017-10-04
JP6382414B2 (ja) 2018-08-29
JP2016005002A (ja) 2016-01-12
US10483421B2 (en) 2019-11-19
CN105206696B (zh) 2017-05-24
EP2958152B1 (en) 2021-04-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105206696A (zh) 太阳能电池模块
JP7432571B2 (ja) 太陽電池モジュールとその製造方法
CN104883124B (zh) 太阳能电池模块
CN102473755B (zh) 太阳能电池组件
JP6139581B2 (ja) 太陽電池モジュール
CN106784100B (zh) 太阳能电池模块
EP3525246B1 (en) Solar cell module
CN104868012A (zh) 太阳能电池模块及其制造方法
JP2005129773A (ja) 太陽電池モジュールおよび太陽電池素子の接続用配線
JP5923732B2 (ja) 太陽電池モジュール
KR102244597B1 (ko) 태양 전지 모듈
CN108091714A (zh) 太阳能电池板
JP3683700B2 (ja) 太陽電池装置
KR102219791B1 (ko) 태양 전지 모듈
US10211356B2 (en) Cell interconnects
JP2005191116A (ja) 太陽電池素子接続用インナーリード及び太陽電池モジュール
KR20160016304A (ko) 태양 전지 모듈
KR20160010179A (ko) 태양 전지 모듈
KR20190125258A (ko) 태양 전지 모듈
JP4741538B2 (ja) 太陽電池モジュール
KR102156358B1 (ko) 연결 부재 및 이를 구비한 태양전지 모듈
KR20160034100A (ko) 태양 전지 모듈

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract

Application publication date: 20151230

Assignee: Hanhua thinksin Co.,Ltd.

Assignor: LG ELECTRONICS Inc.

Contract record no.: X2022990000645

Denomination of invention: solar cell module

Granted publication date: 20170524

License type: Common License

Record date: 20220914

EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20221025

Address after: No. 3, Yingbin Avenue, Shangrao Economic and Technological Development Zone, Jiangxi Province

Patentee after: Shangrao Jingke Green Energy Technology Development Co.,Ltd.

Address before: Seoul, South Kerean

Patentee before: LG ELECTRONICS Inc.

TR01 Transfer of patent right
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: No. 3, Yingbin Avenue, Shangrao Economic and Technological Development Zone, Jiangxi Province 334100

Patentee after: Shangrao Xinyuan Yuedong Technology Development Co.,Ltd.

Address before: No. 3, Yingbin Avenue, Shangrao Economic and Technological Development Zone, Jiangxi Province 334100

Patentee before: Shangrao Jingke Green Energy Technology Development Co.,Ltd.

CP01 Change in the name or title of a patent holder