CN105103250A

CN105103250A - 陶瓷电子部件

Info

Publication number: CN105103250A
Application number: CN201480019334.1A
Authority: CN
Inventors: 大塚幸司; 中村智彰
Original assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Current assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date: 2013-04-03
Filing date: 2014-03-17
Publication date: 2015-11-25
Anticipated expiration: 2034-03-17
Also published as: US20160042868A1; JP6106009B2; KR20150112023A; WO2014162854A1; US9837213B2; JP2014203910A; CN105103250B; KR101768862B1

Abstract

本发明提供一种陶瓷电子部件，在陶瓷电子部件被安装在基板的状态下，即使因热冲击等原因导致基板发生翘曲，也能抑制因该翘曲产生的应力传递到陶瓷芯片。电容器(10)的外部电极(12)具有：位于规定陶瓷芯片(11)的长度尺寸的面上的大致矩形轮廓的一个第一面状部分(Sea)；与位于规定陶瓷芯片(11)的高度尺寸的两个面上和规定宽度尺寸的两个面上且与第一面状部分(Sea)连续的大致矩形轮廓的4个第二面状部分(SEb)。第二面状部分(SEb)包括：在陶瓷芯片11的外面成膜的印制金属膜(12a)、与隔着紧贴力缓解膜(12c)在印制金属膜(12a)的外面成膜的镀覆金属膜(12b)。

Description

陶瓷电子部件

技术领域

本发明涉及使用了陶瓷芯片作为部件主体的陶瓷电子部件。

背景技术

对于使用陶瓷芯片作为部件主体的陶瓷电子部件，例如电容器、电感器和寄存器等，一般都是在大致长方体形状的陶瓷芯片的外表面设置两个以上的外部电极。各外部电极具有：位于规定陶瓷芯片的长度尺寸或宽度尺寸的面上的一个第一面状部分；和与位于规定所述陶瓷芯片的至少高度尺寸的面上且与所述第一面状部分连续的至少一个第二面状部分，沿着其高度方向的截面形状大致成コ字形状或者大致成L字形状。

这种陶瓷电子部件，利用粘接剂等接合材料将作为各外部电极的主要部分的第二面状部分与基板的导体焊垫电连接，由此将其安装在该基板上。但是，在该安装状态下，如果因热冲击等原因在基板发生翘曲，则因该翘曲所产生的应力通过导体焊垫、接合材料和外部电极传递到陶瓷芯片，因该应力在陶瓷芯片的陶瓷部分和设置于陶瓷芯片的内外的导体部分发生龟裂和变形等，结果是，有可能引起陶瓷电子部件的性能下降。

在下述专利文献1的图1中，公开了以下内容：为了防止因与上述应力相应的应力而在陶瓷元件1产生裂纹，在外部端子电极5a和5b的绕入部15a和15b上设置有与陶瓷元件1的主面11和12分离的前端分离部15a2和15b2。但是，外部电阻电极5a和5b的绕入部15a和15b具有与陶瓷元件1的主面11和12接合的基端侧接合部15a1和15b1，因此，难以抑制与上述应力相应的应力通过外部端子电极5a和5b传递到陶瓷元件1。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010-109238号公报

发明内容

发明所要解决的课题

本发明的目的在于提供一种陶瓷电子部件，在陶瓷电子部件被安装在基板的状态下，即使因热冲击等原因导致基板发生翘曲，也能抑制因该翘曲所产生的应力传递到陶瓷芯片。

用于解决课题的方法

为了达到所述目的，本发明的陶瓷电子部件包括两个以上的外部电极，上述外部电极包括：位于规定大致长方体形状的陶瓷芯片的长度尺寸或者宽度尺寸的面上的一个第一面状部分；和位于规定上述陶瓷芯片的至少高度尺寸的面上的与所述第一面状部分连续的至少一个第二面状部分，上述第二面状部分至少包括：镀覆金属膜；和用于缓解上述镀覆金属膜与成膜上述镀覆金属膜的面的紧贴力的紧贴力缓解膜。

发明效果

根据本发明，提供一种陶瓷电子部件，在陶瓷电子部件被安装在基板上的状态下，即使因热冲击等原因导致基板发生翘曲，也能抑制因该翘曲所产生的应力传递到陶瓷芯片。

通过以下的说明与附图，本发明的所述目的及其他目的、基于各个目的的特征和效果将会更加明确。

附图说明

图1是表示在层叠陶瓷电容器中应用本发明的实施方式的沿着高度方向的截面图。

图2是图1的主要部分放大图。

图3是图1和图2所示的实施方式的作用和效果的说明图。

图4是表示图1和图2所示的实施方式的第1变形例的图2对应图。

图5是表示图1和图2所示的实施方式的第2变形例的图2对应图。

图6是表示图1和图2所示的实施方式的第3变形例的图2对应图。

图7是表示图1和图2所示的实施方式的第4变形例的图2对应图。

图8是表示图1和图2所示的实施方式的第5变形例的图2对应图。

图9是表示图1和图2所示的实施方式的第6变形例的图2对应图。

图10是表示图1和图2所示的实施方式的第7变形例的图2对应图。

图11是表示图1和图2所示的实施方式的第8变形例的图2对应图。

具体实施方式

首先，引用图1和图2，对在层叠陶瓷电容器中应用本发明的实施方式进行说明。

由图1可知，层叠陶瓷电容器10(以下简称为电容器10)在大致呈长方体形状的陶瓷芯片11的外表面设置有两个外部电极12。

陶瓷芯片11具有长度尺寸(图1中的左右方向尺寸)＞宽度尺寸(图1中的前后方向尺寸)＝高度尺寸(图1中的上下方向尺寸)，或者长度尺寸＞宽度尺寸＞高度尺寸的尺寸关系，在八个角部带有圆角。陶瓷芯片11具有：隔着电容形成层11a在高度方向上层叠的多个(图1中是16个)内部电极层11b；和以分别覆盖高度方向两侧的内部电极层11b的方式设置的保护层11c。多个内部电极层11b的一部分(从图1的上方起第奇数个)的端部与外部电极12中的一方(图1的左侧)连接，且其他部分(从图1的上方起第偶数个)的端部与外部电极12中的另一方(图1中的右侧)连接。在图1中，为了便于图示，内部电极层11b的总数为16个，但实际的总数比其多。

陶瓷芯片11的除了各内部电极层11b的部分、即各电容形成层11a和各保护层11c的材料使用了电介质陶瓷，优选ε＞1000或者CLASS2(2类)(高介电率)的电介质陶瓷，各电容形成层11a的厚度尺寸大致相同，各保护用电介质层11c的厚度尺寸也大致相同。作为各电容形成层11a和各保护层11c所使用的电介质陶瓷的具体例子，有钛酸钡、钛酸锶、钛酸钙、钛酸镁、锆酸钙、钛酸锆酸钙、锆酸钡或者氧化钛等。另外，电介质芯片11的各内部电极层11b的材料使用了金属，各内部电极层11a的厚度尺寸与俯视形状(大致呈矩形)大致相同。作为各内部电极层11b所使用的金属的具体例，有镍、铜、钯、铂、银、金、或者它们的合金。

另一方面，各外部电极12具有：位于规定陶瓷芯片11的长度尺寸的面上的大致矩形轮廓的一个第一面状部分SEa；位于规定陶瓷芯片11的高度尺寸的两个面上和规定宽度尺寸的两个面上、并且与第一面状部分SEa连续的大致矩形轮廓的四个第二面状部分SEb。即，各外部电极12为大致矩形轮廓的一个第一面状部分SEa与大致成四角筒状的四个第二面状部分SEb连续的形状，沿着其高度方向的截面形状为大致コ字形。另外，陶瓷芯片11的8个角部具有圆角，因此，第一面状部分SEa与各个第二面状部分SEb的边界处存在带有圆角的环状部分SEc(以下称作边界部分SEc)。

此外，上述边界部分SEc是第一面状部分SEa与各第二面状部分SEb的共有部分，因此，在本说明书和请求保护的范围中，并不将其作为外部电极12的一部分。但是，为了便于理解地说明外部电极12的膜结构，在以下的记载中，将边界部分SEc作为表示外部电极12的部分区域的用语。

由图2可知，第一面状部分SEa和边界部分Sec包括：在陶瓷芯片11的外表面成膜的印制(焼付け)金属膜12a；和在印制金属膜12a的外表面成膜的镀覆金属膜12b。另外，第二面状部分SEb包括：在陶瓷芯片11的外表面成膜的印制金属膜12a；和隔着紧贴力缓解膜12c在印制金属膜12a的外面成膜的镀覆金属膜12b。另外，构成第一面状部分SEa的印制金属膜12a与构成第二面状部分SEb的印制金属膜12a是连续的一个印制金属膜，构成第一面状部分SEa的镀覆金属膜12b与构成第二面状部分SEb的镀覆金属膜12b是连续的一个镀覆金属膜。

印制金属膜12a是通过涂敷包含金属粉末的膏体并实施烘烤处理而形成的金属膜，作为印制金属膜12a所使用的金属的具体例子，有镍、铜、钯、铂、银、金或者它们的合金。另外，镀覆金属膜12b是使用电解电镀和无电解电镀等镀覆法来形成的金属膜，作为镀覆金属膜12b所使用的金属的具体例子，有锡、银、钯、金或者铜。紧贴力缓解膜12c是采用溅射和真空蒸镀等物理气相生长法(PVD)来形成的金属膜，作为紧贴力缓解膜12c所使用的金属的具体例子，有锡、银、钯、金或者铜。重要的一点在于，作为紧贴力缓解膜12c，使用和与镀覆金属膜12b的内面的紧贴力相比，与印制金属膜12a的外表面的紧贴力(密接力)低的金属膜。

下面，使用图3，对根据图1和图2所示的实施方式(电容器10)所获得的作用和效果进行说明。

利用粘接剂等接合材料30将作为各外部电极12的主要部分的第二面状部分SEb与基板20的导体焊垫21电连接，从而将上述电容器10安装在该基板20。如图3所示，在导体焊垫21的端部比各外部电极12向外侧突出的情况下，接合材料30侵润在各外部电极12的第一面状部分SEa的外面，由此形成填角30a。

在该安装状态下，如果因热冲击等原因在基板20上产生翘曲BE(参照图3的粗线箭头)，则基于该翘曲BE的应力通过导体焊垫21、接合材料30和外部电极12传递到陶瓷芯片11，因该应力在陶瓷芯片11的各电容形成层11a以及各保护层11c和设置于陶瓷芯片11内的各内部电极层11b上产生龟裂和变形等，结果有可能引起电容器10的性能下降，具体而言，有可能引起电容下降等。

但是，对于上述电容器10，各外部电极12的第二面状部分SEb包括：在陶瓷芯片11的外表面成膜的印制金属膜12a；和隔着紧贴力缓解膜12c在印制金属膜12a的外面成膜的镀覆金属膜12b，镀覆金属膜12b与印制金属膜12a的外面的紧贴力由紧贴力缓解膜12c所缓解。

因此，根据以下(1)缓解构成第二面状部分SEb的紧贴力缓解膜12c与印制金属膜12a的紧贴的作用(图示省大致)；和(2)将构成第二面状部分SEb的紧贴力缓解膜12c与镀覆金属膜12b一同从印制金属膜12a剥离的作用(按照图3的剥离EX)，能够抑制基于基板20的翘曲BE的应力通过导体焊垫21、接合材料30和外部电极12传递到陶瓷芯片11。

即，对于上述电容器10，根据上述作用(1)或者上述作用(1)和(2)能够抑制基于基板20的翘曲BE的应力传递到陶瓷芯片11，因此，能够极大地防止因该应力而在陶瓷芯片11的各电容形成层11a和各保护层11c以及设置于陶瓷芯片11内的各内部电极层11b发生龟裂或变形等，从而能够极大地避免电容器10产生电容降低等性能下降。

为了检验该作用和效果，准备10个长度尺寸为2.0mm、宽度尺寸和高度尺寸为1.25mm的样品(与上述电容器10相当)，对它们实施翘曲强度试验。另外，各个样品的陶瓷芯片11的除各内部电极层11b外的部分使用钛酸钡，各内部电极层11b使用镍。另外，各个样品的外部电极层12的印制金属膜12a使用镍，镀覆金属膜12b(通过电解电镀形成)使用锡，紧贴力缓解膜12c(通过溅射形成)使用铜，印制金属膜12a的厚度为5μm，镀覆金属膜12b的厚度为3μm，紧贴力缓解膜12的厚度为0.05μm。

此处的翘曲强度试验中，将样品焊接在JIS-C-6484基准的玻璃环氧基板的一面之后，在用挡块支承该玻璃环氧基板的一面的从样品焊接位置向两侧45mm的部位的状态下，用治具(按压部由曲率半径为230mm的曲面构成的器具)按照0.5mm/sec的一定速度将另一面的与样品焊接位置对应的部位向下侧按压使其变形，在该变形过程中，测定治具的按压量(单位为mm)与样品的电容下降。

根据试验的结果也能够确认以下情况：在治具的按压量达到10mm为止，未发生12.5％以上的电容下降的样品是10个中的6个，该10个样品的翘曲强度(mm)足超过大概7.4mm。另外，用光学显微镜观察试验后的10个样品的玻璃环氧基板侧的第二面状部分SEb的样态，也能确认产生了上述作用(1)或者上述作用(1)和(2)。

另一方面，为了比较，准备从上述样品中去除了紧贴力缓解膜12c的10个比较样品，对它们实施同样的翘曲强度试验后，也能确认以下情况：在治具的按压量达到10mm为止，发生12.5％以上的电容下降的比较样品是10个中的10个，该10个比较样品的翘曲强度(mm)的平均值大概为3.6mm，且比7.4mm低。

下面，分别引用图4～图11，对图1和图2所示的实施方式(电容器10)的第1～第8变形例进行说明。

【第1变形例(图4)】该第1变形例中，与在图1和图2所示的实施方式(电容器10)的构造的不同在于：外部电极12-1的第一面状部分SEa包括在陶瓷芯片11的外表面成膜的印制金属膜12a-1；和在印制金属膜12a-1的外表面成膜的镀覆金属膜12b-2的这一点，以及外部电极12-1的第二面状部分SEb和边界部分SEc包括在陶瓷芯片11的外表面成膜的印制金属12a-1；和隔着紧贴力缓解膜12c-1在印制金属膜12a-1的外表面成膜的镀覆金属膜12b-1这一点上，即，使紧贴力缓解膜12c-1不仅设置在第二面状部分SEb，还设置到边界部分SEc这一点。

对于该第1变形例，也能得到与上述作用(1)或者上述作用(1)和(2)同等的作用，从而能够获得与先前已述的效果同等的效果。

【第2变形例(图5)】该第2变形例中，与在图1和图2所示的实施方式(电容器10)的构造的不同在于：外部电极12-2的第一面状部分SEa、第二面状部分SEb和边界部分Sec包括：在陶瓷芯片11的外表面成膜的印制金属膜12a-2；和隔着紧贴力缓解膜12c-2在印制金属膜12a-2的外表面成膜的镀覆金属膜12b-2这一点，即，使紧贴力缓解膜12c-2不仅设置在第二面状部分SEb，还设置到边界部分SEc和第一面状部分SEa这一点。

对于该第2变形例，也能得到与上述作用(1)或者上述作用(1)和(2)同等的作用，从而能够获得与先前已述的效果同等的效果。

此外，在上述第2变形例中，在外部电极12-2的第一面状部分SEa、第二面状部分SEb和边界部分SEc中，没有印制金属膜12a-2与镀覆金属膜12b-2直接紧贴的部位，因此，如果伴随上述作用(2)发生剥离部位极度扩大，则外部电极12-2的内部导通性有可能降低。

在这种情况下，如图5所示，也可以在外部电极12-2的第一面状部分SEa和边界部分SEc中的印制金属膜12a-2与紧贴力缓解膜12c-2之间，存在用来强化该印制金属膜12a-2与紧贴力缓解膜12c-2的紧贴力的紧贴力强化层12d，或者，在外部电极12-2的第一面状部分SEa中的印制金属膜12a-2与紧贴力缓解膜12c-2之间，存在用来强化该印制金属膜12a-2与紧贴力缓解膜12c-2的紧贴力的紧贴力强化层12d(图示省略)。该紧贴力强化膜12d是采用溅射或真空蒸镀等物理气相生长法(PVD)或化学气相生长法(CVD)来形成的金属膜，作为用于紧贴力强化膜12d的金属的具体例子有：钛、铬、钼、钨或者铁。另外，在存在该紧贴力强化层12d的情况下，为了极力提高与印制金属膜12a-2的外表面的紧贴力，优选在印制金属膜12a-2的外表面形成紧贴力强化膜12d之前，在该金属膜12a-2的外表面的成膜部位进行逆溅射(溅射清洗)等清洁处理。

【第3变形例(图6)】该第3变形例中，与在图1和图2所示的实施方式(电容器10)的构造的不同在于：使外部电极12-3的第二面状部分SEb中的印制金属膜12a-3的长度尺寸比镀覆金属膜12b-3和紧贴力缓解膜12c-3的长度尺寸短这一点，即，镀覆金属膜12b-3的端部隔着紧贴力缓解膜12c-3成膜在陶瓷芯片11的外表面这一点。

对于该第3变形例，由于紧贴力缓解膜12c-3与陶瓷芯片11的外表面的紧贴力和与印制金属膜12a-3外表面的紧贴力同样地较低，因此，除了与上述作用(1)或者上述作用(1)和(2)同样的作用外，还获得(3)缓解构成第二面状部分SEb的紧贴力缓解膜12c-3与陶瓷芯片11的紧贴的作用，和(4)构成第二面状部分SEb的紧贴力缓解膜12c-3与镀覆金属膜12b-3一同从陶瓷芯片11剥离的作用(图示省大致)，能够获得与先前已述的效果同等的效果。

【第4变形例(图7)】该第4变形例中，与在图1和图2所示的实施方式(电容器10)的构造的不同在于：外部电极12-4的第二面状部分SEb包括隔着紧贴力缓解膜12c-4在陶瓷芯片11的外表面成膜的镀覆金属膜12b-4这一点，即，在印制金属膜12a-4仅设置在第一面状部分SEa和边界部分SEc这一点。

对于该第4变形例，也能获得与上述作用(3)或者上述作用(3)和(4)大体同等的作用，能够获得与先前已述的效果同等的效果。

【第5变形例(图8)】该第5变形例中，与在图1和图2所示的实施方式(电容器10)的构造的不同在于：外部电极12-4的第二面状部分SEb和边界部分Sec包括隔着紧贴力缓解膜12c-5在陶瓷芯片11的外表面成膜的镀覆金属膜12b-5这一点，即，使印制金属膜12a-5仅设置在第一面状部分SEa这一点。

对于该第5变形例，也能获得与上述作用(3)或者上述作用(3)和(4)大体同等的作用，能够获得与先前已述的效果同等的效果。

【第6变形例(图9)】该第6变形例中，在图1和图2所示的实施方式(电容器10)的构造的不同在于：外部电极12-6的第二面状部分SEa仅设置在规定陶瓷芯片11的高度尺寸的面的一方(图9中的下侧)这一点；和外部电极12-6是大致矩形轮廓的一个第一面状部分SEa与大致矩形轮廓的一个第二面状部分SEb连续的形状，沿着其高度方向的截面形状大致成L字形这一点。另外，外部电极12-6的第一面状部分SEa和边界部分Sec包括印制金属膜12a-6和镀覆金属膜12b-6，第二面状部分SEb包括印制金属膜12a-6、镀覆金属膜12b-6和紧贴力缓解膜12c-6。

对于该第6变形例，也能获得与上述作用(1)或者上述作用(1)和(2)同等的作用，能够获得与先前已述的效果同等的效果。

【第7变形例(图10)】该第7变形例中，与在图1和图2所示的实施方式(电容器10)的构造的不同在于：外部电极12-7的第二面状部分SEb仅设置在规定陶瓷芯片11的高度尺寸的面的一方(图10中的下侧)这一点；外部电极12-7是大致矩形轮廓的一个第一面状部分SEa与大致矩形轮廓的一个第二面状部分SEb连续的形状，沿着其高度方向的截面形状大致成L字形状这一点；和外部电极12-7的第二面状部分SEb包括隔着紧贴力缓解膜12c-7在陶瓷芯片11的外表面成膜的镀覆金属膜12b-7这一点。另外，外部电极12-7的第一面状部分SEa和边界部分Sec包括印制金属膜12a-7和镀覆金属膜12b-7。

对于该第7变形例，也能获得与上述作用(3)或者上述作用(3)和(4)大体同等的作用，能够获得与先前已述的效果同等的效果。

【第8变形例(图11)】该第8变形例中，与在图1和图2所示的实施方式(电容器10)的构造的不同在于：外部电极12-8的第二面状部分SEb和边界部分SEc仅设置于规定陶瓷芯片11的高度尺寸的面的一方(图11中的下侧)这一点；外部电极12-8是大致矩形轮廓的一个第一面状部分SEa与大致矩形轮廓的一个第二面状部分SEb连续的形状，沿着其高度方向的截面形状大致成L字形这一点；和外部电极12-8的第二面状部分SEb和边界部分Sec包括隔着紧贴力缓解膜12c-8在陶瓷芯片11的外表面成膜的镀覆金属膜12b-8这一点。另外，外部电极12-8的第一面状部分Sea包括印制金属膜12a-8和镀覆金属膜12b-8。

对于该第8变形例，也能获得与上述作用(3)或者上述作用(3)和(4)大体同等的作用，能够获得与先前上述的效果同等的效果。

下面，对图1和图2所示的实施方式(电容器10)与图4～图11所示的第1～第8变形例中的共通的变形事项进行说明。

【第1变形事项】在多个内部电极层11b的端在规定陶瓷芯片11的宽度尺寸的面露出的情况下(多个内部电极层11b的方向从上方看相差90度的情况下)，使外部电极12和12-1～12-5的一个第一面状部分SEa位于规定陶瓷芯片11的宽度尺寸的面上，按照与其连续的方式使四个第二面状部分SEb中的两个位于规定陶瓷芯片11的高度尺寸的两个面上，并且使其余的两个位于规定陶瓷芯片11的长度尺寸的两个面上即可。此情况下的外部电极也是大致矩形轮廓的一个第一面状部分SEa与形成大致四角筒状的第二面状部分SEb连续的形状，因此，与外部电极12和12-1～12-5同样，沿着其高度方向的截面形状为大致コ字形。

【第2变形事项】在多个内部电极层11b的端在规定陶瓷芯片11的宽度尺寸的面露出的情况下(多个内部电极层11b的方向从上方看相差90度的情况下)，使外部电极12-6～12-8的一个第一面状部分SEa位于规定陶瓷芯片11的宽度尺寸的面上，以与其连续的方式使一个第二面状部分SEb位于规定陶瓷芯片11的高度尺寸的面的一方即可。此情况下的外部电极也是大致矩形轮廓的一个第一面状部分SEa与大致矩形轮廓的一个第二面状部分SEb连续的形状，因此，与外部电极12-6～12-8同样，沿着其高度方向的截面形状大致为L字形。

【第3变形事项】也可以采用使各外部电极12和12-1～12-5的第二面状部分SEb为仅位于规定陶瓷芯片11的高度尺寸的两个面上的2个。此情况下的外部电极是大致矩形轮廓的一个第一面状部分SEa与大致矩形轮廓的两个第二面状部分SEb连续的形状，沿着其高度方向的截面形状为大致コ字形。

另外，在多个内部电极层11b的端在规定陶瓷芯片11的宽度尺寸的面露出的情况下(多个内部电极层11b的方向从上方看相差90度的情况下)，如果使在前一段落中已述的外部电极的一个第一面状部分SEa位于规定陶瓷芯片11的宽度尺寸的面上，则能够获得沿着高度方向的截面形状为大致コ字形的外部电极。

【第4变形事项】也可以将在镀覆金属膜12b和12b-1～12-8的外表面形成其它镀覆金属膜的电极作为外部电极。该其它的镀覆金属膜并不限于一个，也可以是两个以上，但是，优选最外面的镀覆金属膜的材料与其内侧的镀覆金属膜的材料不同。另外，作为最外侧的镀覆金属膜所使用的金属的具体例子有锡、银、钯、金或者铜，作为其内侧的镀覆金属膜所使用的金属的具体例子有铂、银、钯、铬、金、铜或者镍。

【第5变形事项】作为紧贴力缓解膜12c和12c-1～12c-8，表示了使用物理气相生长法(PVD)来形成的金属膜，但是，只要是能够缓解形成镀覆金属膜12b和12b-1～12b-8的面(印制金属膜的外表面或者陶瓷芯片的外表面)与该镀覆金属膜的紧贴力的膜，能够使用上述金属膜以外的膜。例如，即使将二氧化硅和聚酰亚胺等非金属材料形成膜状所成的膜用作上述紧贴力缓解膜，也能获得与先前已述的效果同等的效果。

以上，以层叠陶瓷电容器为例，说明了本发明的特征和效果等，但是，即使在使用陶瓷芯片作为部件主体的电容器以外的陶瓷电子部件、例如电感器和寄存器等中应用本发明，利用外部电极也能抑制基于基板的翘曲的应力传递到陶瓷芯片，能够极大地避免陶瓷芯片的陶瓷部分和设置于陶瓷芯片的内外的导体部分发生龟裂和变形等，甚至陶瓷电子部件发生性能下降的情况。

另外，在外部电极12-6～12-8与前述第2变形事项中已述的外部电极那样截面形状成大致L字形状的外部电极的情况下，和在上述第3变形事项中已述的外部电极那样截面形状成大致コ字形状的外部电极的情况下，根据设置于陶瓷芯片的内外的导体部分的形态，能够在大致为长方体形状的陶瓷芯片的外表面设置三个以上的外部电极，但是，在这种情况下，利用该各外部电极也能抑制因基板的翘曲的应力向陶瓷芯片传递。

符号说明

10…层叠陶瓷电容器、11…陶瓷芯片、11a…电容形成层、11b…内部电极层、11c…保护层、12、12-1～12-8…外部电极、SEa…第一面状部分、SEb…第二面状部分、SEc…边界部分、12a、12a-1…12a-8…印制金属膜、12b、12b-1～12b-8…镀覆金属膜、12c、12c-1～12c-8…紧贴力缓解膜。

Claims

1.一种陶瓷电子部件，其特征在于：

所述陶瓷电子部件包括两个以上的外部电极，所述外部电极包括：位于规定大致长方体形状的陶瓷芯片的长度尺寸或者宽度尺寸的面上的一个第一面状部分；和位于规定所述陶瓷芯片的至少高度尺寸的面上的与所述第一面状部分连续的至少一个第二面状部分，

所述第二面状部分至少包括：镀覆金属膜；和用于缓解所述镀覆金属膜与成膜所述镀覆金属膜的面的紧贴力的紧贴力缓解膜。

2.如权利要求1所述的陶瓷电子部件，其特征在于：

所述第二面状部分包括：在所述陶瓷芯片的外表面成膜的印制金属膜；和隔着所述紧贴力缓解膜在所述印制金属膜的外表面成膜的所述镀覆金属膜。

3.如权利要求1所述的陶瓷电子部件，其特征在于：

所述第二面状部分包括隔着所述紧贴力缓解膜在所述陶瓷芯片的外表面成膜的所述镀覆金属膜。

4.如权利要求2或3所述的陶瓷电子部件，其特征在于：

所述紧贴力缓解膜是与所述印制金属膜的外表面或者所述陶瓷芯片的外表面的紧贴力比与所述镀覆金属膜的内表面的紧贴力低的金属膜。

5.如权利要求1～4中任一项所述的陶瓷电子部件，其特征在于：

所述第一面状部分包括：在所述陶瓷芯片的外表面成膜的印制金属膜；和在所述印制金属膜的外表面成膜的所述镀覆金属膜。

6.如权利要求1～5中任一项所述的陶瓷电子部件，其特征在于：

在所述镀覆金属膜的外表面成膜其它的镀覆金属膜。

7.如权利要求1～6中任一项所述的陶瓷电子部件，其特征在于：

所述第二面状部分是四个或者两个，所述两个以上的外部电极的沿着高度方向的截面形状大致成コ字形状。

8.如权利要求1～6中任一项所述的陶瓷电子部件，其特征在于：

所述第二面状部分是一个，所述两个以上的外部电极的沿着高度方向的截面形状大致成L字形状。