CN105097869A - 具有低反射黑底的平板显示器及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本公开涉及具有低反射黑底的平板显示器及其制造方法。本公开提出一种平板显示器，该平板显示器包括：基板，其具有开放区和非开放区；模糊层，其设置在所述基板的内表面上的所述非开放区内；黑底，其堆叠在所述模糊层上；驱动元件，其位于所述非开放区内；显示元件，其位于所述开放区内并被所述驱动元件驱动。

Description

具有低反射黑底的平板显示器及其制造方法

本申请要求2014年5月22日提交的韩国专利申请No.10-2014-0061756号的优先权，该申请出于所有目的以引用方式并入本文，如同在本文中完全阐明。

技术领域

本公开涉及具有低反射黑底的平板显示器及其制造方法。尤其是，本公开涉及具有黑底的平板显示器及其制造方法，该黑底包含模糊层(hazylayer)以防从外部入射的光被直接反射到用户。

背景技术

现在，为了克服阴极射线管的众多缺点(诸如，重重量和大体积)，开发了各种平板显示装置。平板显示装置包括液晶显示装置(或LCD)、场致发射显示器(或FED)、等离子体显示面板(或PDP)及电致发光装置(或EL)。尤其是，日益需要采用低温多晶硅(或LTPS)作为沟道器件的高品质平板显示器。

电致发光显示装置按照发光材料分为无机发光二极管显示装置和有机发光二极管显示装置。作为自发光显示装置，电致显示装置具有反应速度很快、亮度很高及视角大的优点。尤其是，由于高能效、低电流泄漏并易于使用电流控制再现颜色，日益需要有机发光二极管显示器。

图1是示出有机发光二极管结构的图示。如图1中所示，有机发光二极管包括有机发光材料层，以及其间带有有机发光材料层的、相互面对的阴极和阳极。有机发光材料层包括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、发光层EML、电子传输层ETL和电子注入层EIL。有机发光二极管由于在激发态形成的激发子的能量而辐射光，在所述激发态下，空穴和电子在发光层EML中复合。

有机发光二极管由于在激发态形成的激发子的能量而辐射光，在所述激发态下，来自阳极的空穴和来自阴极的电子在在发光层EML中复合。有机发光二极管显示器能够通过控制如图1中所示有机发光二极管的发光层EML所产生和辐射的光的量(或“亮度”)而表现视频数据。

使用有机发光二极管的有机发光二极管显示器(或OLED)可以分为无源矩阵型有机发光二极管显示器(或PMOLED)和有源矩阵型有机发光二极管显示器(或AMOLED)。

有源矩阵型有机发光二极管显示器(或AMOLED)通过使用薄膜晶体管(或TFT)控制施加到有机发光二极管的电流来显示视频数据。

图2是示出有源矩阵有机发光二极管显示器(或AMOLED)内一个像素的结构的示例性电路图。图3是示出根据相关技术使用薄膜晶体管的AMOLED的结构的平面图。图4是沿图3中截线I-I′的剖视图，用于示出根据相关技术的底部发光型AMOLED的结构。图5是沿图3中截线I-I′的剖视图，用于示出根据相关技术的顶部发光型AMOLED的结构。因为平面图中并未示出底部发光型和顶部发光型之间的差异，所以图3是通用的。

参照图2和3，有源矩阵有机发光二极管显示器包括开关薄膜晶体管ST、连接到开关薄膜晶体管ST的驱动薄膜晶体管DT、连接到驱动薄膜晶体管DT的有机发光二极管OLED。扫描线SL、数据线DL和驱动电流线VDD形成在基板SUB上以限定像素区。有机发光二极管OLED形成在像素区内以限定发光区。

开关薄膜晶体管ST形成在扫描线SL和数据线DL交叉的位置。开关薄膜晶体管ST起到选择哪个像素连接到开关薄膜晶体管ST的作用。开关薄膜晶体管ST包括从选通线GL分支的栅极SG、与栅极SG重叠的半导体沟道层SA、源极SS和漏极SD。驱动薄膜晶体管DT起到驱动位于开关薄膜晶体管ST所选择的像素处的有机发光二极管OD的阳极ANO的作用。

驱动薄膜晶体管DT包括连接到开关薄膜晶体管ST的漏极SD的栅极DG、半导体沟道层DA、连接到驱动电流线VDD的源极DS以及漏极DD。驱动薄膜晶体管DT的漏极DD连接到有机发光二极管OLED的阳极ANO。有机发光层OLE插入阳极ANO与阴极CAT之间。阴极CAT连接到基础电压(或，地电压)VSS。有存储电容Cst位于驱动薄膜晶体管DT的栅极DG和驱动电流线VDD之间或位于驱动薄膜晶体管DT的栅极DG和驱动薄膜晶体管DT的漏极DD之间。

参照图4，我们将详细解释底部发光型有机发光二极管显示器。在有源矩阵有机发光二极管显示器的基板SUB上，分别形成开关薄膜晶体管ST和驱动薄膜晶体管DT的栅极SG和DG。栅绝缘层GI沉积在栅极SG和DG上。在与栅极SG和DG重叠的栅绝缘层GI上，分别形成半导体层SA和DA。在半导体层SA和DA上，形成相互面对并相互分离的源极SS和DS及漏极SD和DD。开关薄膜晶体管ST的漏极SD经由穿透栅绝缘层GI的漏接触孔DH连接到驱动薄膜晶体管DT的栅极DG。钝化层PAS沉积在具有开关薄膜晶体管ST和驱动薄膜晶体管DT的基板SUB上。

如上所述，因为有许多元件，所以具有薄膜晶体管ST和DT的基板SUB具有不平坦的表面和高度差。有机发光层OL可优选地形成在平坦表面上，以在有机发光层OL的整个区域上确保一致的发光分布。因为，为了使基板SUB的表面光滑，涂覆层(overcoatlayer)OC(或，平面层)沉积在基板SUB上。

在涂覆层OC上，形成有机发光二极管OLE的阳极ANO。这里，阳极ANO经由形成在涂覆层OC和钝化层PAS处的像素接触孔PH连接到驱动薄膜晶体管DT的漏极DD。

在具有阳极ANO的基板SUB上，堤状物(bank)(或“堤状物图案”)形成在具有开关薄膜晶体管ST、驱动薄膜晶体管DT和各种线DL、SL及VDD的区域上，用于限定发光区。阳极ANO被堤状物BN暴露的部分将成为发光区。有机发光层OL形成在从堤状物BN暴露的阳极ANO上。阴极CAT形成在有机发光层OL上。

间隔体SP可位于具有阴极CAT的基板SUB上。优选地，间隔体SP位于包括在非发光区内的堤状物BM上。密封(encap)基板ENC覆盖并层合在下基板SUB的上侧，使间隔体SP在其间。为了连接密封基板ENC和下基板SUB，可在它们之间插入粘合剂层或粘合剂材料(未示出)。

在底部发光型且全彩色的AMOLED的情况下，从有机发光层OL发射的光向下基板SUB辐射。因此，优选地，滤色器CF位于涂覆层OC和钝化层PAS之间，而阳极ANO由透明导电材料制成。另外，优选地，阴极CAT包括具有良好反射属性的金属材料，用于将来自有机发光层OL的光朝下基板SUB反射。另外，有机发光层OL可包括产生白光的有机材料。有机发光层OL和阴极CAT可沉积为覆盖下基板SUB的整个表面。

下文中，参照图5，将说明顶部发光型全彩有机发光二极管显示器。基本结构与底部发光型非常相似。因此，关于相同结构的说明可不再提及。对于顶部发光型的情况，来自有机发光层OL的光朝位于下基板SUB上的密封基板ENC辐射。因此，优选地，阳极ANO具有良好的反射属性，阴极CAT由透明导电材料制成。

为了重现/表现全彩色，每个像素内的有机发光层OL可包括位于每个像素内的红色、绿色和蓝色中的任一颜色。阴极CAT可沉积为覆盖下基板SUB的整个表面。否则，有机发光层OL可包括产生白光的有机材料，滤色器CF可以位于有机发光层OL上或阴极CAT上。这里，方便起见，附图示出滤色器CF位于阴极CAT上。滤色器CF可以按照红色R、绿色G、蓝色B的次序排列。

对于底部发光型，用户可以在下基板SUB侧看到视频信息。相反，对于顶部发射型而言，用户可在密封基板ENC侧看到视频信息。因此，从外部入射的光可以被下基板SUB或密封基板ENC的外表面反射，使得反射光会妨碍用户的观感及质量。尤其是，在黑底位于每个像素之间的情况下，光可以进一步被黑底表面反射，使得视频质量可能更糟。

为了避免这些缺点，在一种方法中，可以在显示面板的观察侧附接λ/4偏振片。例如，在底部发光型中，偏振板可以附接在下基板SUB的外表面上。在顶部发光型中，偏振板或片可以附接在密封基板ENC的外表面上。然而，用偏振板或片，整体的光透射率会降低。因为显示器的整体亮度可降低，所以为确保足够的亮度，会要求更高的功耗。

发明内容

为了克服上述缺陷，本公开的目标是，提出一种没有任何用于防止光反射的偏振片或板的平板显示器以及制造该平板显示器的方法。本公开的另一个目标是，提出一种包括用于减少位于每个像素之间的黑底反射的光的低反射黑底的平板显示器以及制造该平板显示器的方法。本公开的又一个目标是，提出一种包括具有低反射性质的黑底以去除任何用于减少光反射并增强色性质的偏振片或板的平板显示器以及制造该平板显示器的方法。

为了实现上述目标，本公开提出一种平板显示器，该平板显示器包括：基板，其具有开放区和非开放区；模糊层，其设置在所述基板的内表面上的所述非开放区内；黑底，其堆叠在所述模糊层上；驱动元件，其位于所述非开放区内；显示元件，其位于所述开放区内并被所述驱动元件驱动。

在一个实施方式中，所述模糊层和所述黑底之间的界面具有提高的粗糙度用于散射反射来自所述基板外部的光。

在一个实施方式中，穿过所述模糊层将视频信息提供到所述基板的外部。

在一个实施方式中，所述模糊层包含氧化硅、氮化硅和非晶硅中的至少一种。

另外，本公开提出一种用于制造平板显示器的方法，该方法包括：在基板上形成无机层；通过对所述无机层的表面进行表面处理，形成具有提高粗糙度的模糊层；在所述模糊层上形成黑底；使用所述黑底作为掩模，将所述模糊层图案化；以及在所述基板上形成显示元件。

在一个实施方式中，进行所述表面处理包括干蚀刻工艺、湿蚀刻工艺和等离子体处理中的至少一种。

在一个实施方式中，形成所述无机层包括沉积厚度为到的氧化硅、氮化硅及非晶硅中的至少一种。

在一个实施方式中，形成所述显示元件包括：在具有所述黑底的所述基板上沉积缓冲层；以及在所述缓冲层上形成有机发光二极管显示元件。

在一个实施方式中，形成所述显示单元包括：在所述基板上的所述黑底之间形成滤色器；在下基板上形成有机发光二极管显示元件；以及将所述基板和所述下基板以预定距离附接。

根据本公开，所述平板显示器包括模糊层以防止光被形成在基板内用户观察侧的黑底直接反射到用户视野。尤其是，模糊层具有由表面处理而形成的高粗糙度。结果，被黑底反射的光可显著减少。另外，在没有任何偏振片或板的情况下，可确保色纯度。因为不需求偏振片或板，所以可简化结构并可降低制造成本。另外，在低功耗的情况下，可提高亮度和光透射率。

附图说明

附图被包括以提供对本发明的进一步理解，并入且构成本说明书的一部分，附图示出本发明的实施方式并且与描述一起用于说明本发明的原理。

在附图中：

图1是示出根据相关技术的有机发光二极管的结构的图示。

图2是示出根据相关技术的有源矩阵有机发光二极管显示器(或AMOLED)中一个像素的结构的示例性电路图。

图3是示出根据相关技术使用薄膜晶体管的AMOLED的结构的平面图。

图4是沿图3中截线I-I′的剖视图，用于示出根据相关技术的底部发光型AMOLED的结构。

图5是沿图3中截线I-I′的剖视图，用于示出根据相关技术的顶部发光型AMOLED的结构。

图6是示出根据本公开使用薄膜晶体管的有机发光二极管显示器的结构的平面图。

图7是沿图6中截线II-II′的剖视图，用于示出根据本公开的第一实施方式的底部发光型AMOLED的结构。

图8是沿图5中截线II-II′的剖视图，用于示出根据本公开的第二实施方式的顶部发光型AMOLED的结构。

图9A到9E是示出根据本公开的第一实施方式的用于制造底部发光型AMOLED的方法的剖视图。

图10A到10E是示出根据本公开的第二实施方式的用于制造顶部发光型AMOLED的方法的剖视图。

图11是示出根据本公开的用于制造有机发光二极管显示器的方法的流程图。

具体实施方式

参照附图，将说明本公开的优选实施方式。在具体实施方式中，类似的附图标记始终指示类似的元件。然而，本公开并不受这些实施方式约束，而是能够在不改变技术精神的情况下施以各种变化或修改。在下面的实施方式中，元件的名称按照易于说明进行选择，以致它们可能和实际名称不同。

下文中，参照图6和7，将说明本公开的第一实施方式。图6是示出按照本公开使用薄膜晶体管的有机发光二极管显示器结构的平面图。图7是沿图6中截线II-II′的剖视图，用于示出根据本公开的第一实施方式的底部发光型AMOLED的结构。

根据本公开的第一实施方式的底部发光型有机发光二极管显示器具有以矩阵方式位于基板SUB上的多个像素区。每个像素区包括开放区AA和非开放区NA，用于将像素数据表示到视频信息中的有机发光二极管形成在开放区AA中，用于驱动有机发光二极管的各种元件位于非开放区NA中。

用于开关薄膜晶体管ST和驱动薄膜晶体管DT的栅极SG和DG分别形成在基板SUB上。栅极绝缘层GI沉积在栅极SG和DG上。半导体层SA和DA形成在栅极绝缘层GI与栅极SG和DG重叠的部分上。相互面对并且以预定距离分开的源极SS和DS与漏极SD和DD分别形成在半导体层SA和DA上。开关薄膜晶体管ST的漏极SD经由穿透栅绝缘体GI的漏接触孔DH而接触驱动薄膜晶体管DT的栅极DG。钝化层PAS沉积在具有开关薄膜晶体管ST和驱动薄膜晶体管DT的基板SUB上。

如上所述，因为有许多元件，所以具有薄膜晶体管ST和DT的基板SUB具有不平坦的表面和高度差。为了让基板SUB的表面平滑，涂覆层OC(或平面层)沉积在基板SUB上方。

有机发光二极管OLE的阳极ANO形成在涂覆层OC上。这里，阳极ANO经由形成在涂覆层OC和钝化层PAS处的像素接触孔PH连接到驱动薄膜晶体管DT的漏极DD。

在具有阳极ANO的基板SUB上，堤状物(或“堤状物图案”)BN形成在具有开关薄膜晶体管ST、驱动薄膜晶体管DT和各种线DL、SL及VDD的区域上，用于限定开放区AA(或，发光区)。阳极ANO被堤状物BN暴露的部分将成为开放区AA。有机发光层OL沉积在从堤状物BN暴露的阳极ANO上。阴极CAT形成在有机发光层OL上。

间隔体SP可以位于具有阴极CAT的基板SUB上。优选地，间隔体SP位于包括在非开放区NA(或，非发光区)内的堤状物BM上。密封基板ENC覆盖并层合在下基板SUB的上侧，使间隔体SP在其间。为了连接密封基板ENC和下基板SUB，可以在它们之间插入粘合剂层或粘合剂材料(未示出)。

在底部发光型且全彩色的AMOLED的情况下，从有机发光层OL发射的光向下基板SUB辐射。因此，优选地，滤色器CF位于涂覆层OC和钝化层PAS之间，阳极ANO由透明导电材料制成。另外，优选地，阴极CAT包括具有良好反射属性的金属材料，用于将来自有机发光层OL的光朝下基板SUB反射。另外，有机发光层OL可包括产生白光的有机材料。有机发光层OL和阴极CAT可沉积为覆盖下基板的整个表面。

当使用底部发光型有机发光二极管显示器时，用户从基板SUB的外表面观看或观察视频信息。还可在面对用户的基板SUB的内表面上包括黑底BM，黑底BM正覆盖非开放区NA。通过混合邻近的两种颜色(即，红和绿或绿和蓝)，黑底BM可避免颜色失真。另外，黑底BM可避免外部光被薄膜晶体管ST和DT或线DL、GL及VDD反射。

也就是说，优选地，黑底BM由黑色材料制成。然而，所有黑色材料都具有一定的反射属性，即使其程度低。因此，外部光可被黑底BM反射，这样，用户可注意到反射光。另外，当显示器未使用时，由于黑底BM，导致非开放区NA可具有比开放区AA更高的反射性。结果，用户可注意到黑条，以致显示器的观察质量可下降。另外，当显示器工作时，由于黑底BM反射的光，导致显示器的颜色可失真，以致原始的颜色非适当地重现或表现。

在本公开的第一实施方式中，在黑底BM之下还包括模糊层SIO，用于解决位于底部发光型有机发光二极管显示器的非开放区的黑底BM反射光的问题。模糊层SIO插入在黑底BM和基板SUB之间。模糊层SIO可以包含无机材料(诸如，氧化硅SiOx、氮化硅SiNx，或非晶硅a-Si)。尤其是，优选地，模糊层SIO具有提高的粗糙度，所述提高的粗糙度是因对与黑底BM的界面进行表面处理而得到的。

下文中，参照图9A到9E及11，将说明根据本公开的第一实施方式的用于制造底部发光型有机发光二极管显示器的方法。图9A到9E是示出根据本公开的第一实施方式的用于制造底部发光型AMOLED的方法的剖视图。图11是示出根据本公开的用于制造有机发光二极管显示器的方法的流程图。这里，附图示出在非开放区内形成包括模糊层SIO的黑底BM以及形成缓冲层BM。在本公开中，后面的工艺并不那么重要，所以为了方便，没有对其进行说明。

如图9A中所示，在基板SUB的内表面上，通过沉积厚度到的氧化硅SiOx、氮化硅SiNx或非晶硅a-Si而形成无机层SI。由于使用针对无机材料的沉积法，无机层SI具有低粗糙度，即，该表面非常光滑或处于平坦状况。因此，无机层SI不可被原样用作用于减少反射的元件(参照图11中的S10)。

如图9B中所示，通过在无机层SI的顶表面上进行表面处理，无机层SI的表面被制成具有提高的粗糙度，使得形成模糊层SIO。例如，使用干蚀刻工艺或湿蚀刻工艺，无机层SI的顶表面可以具有提高的粗糙度。否则，使用等离子体处理，无机层SI的某些厚度可被不规则氧化，使得无机层SI的顶表面可具有提高的粗糙度。(参照图11中的S20)

如图9C中所示，通过沉积黑色材料并将其图案化，黑底BM形成在非开放区NA上方。薄膜晶体管ST和DT及线SL、DL及VDD随后形成在非开放区NA内。(参照图11中的S30)

如图9D中所示，使用黑底BM作为掩模将模糊层SIO图案化，覆盖开放区AA的模糊层SIO的部分被去除。黑底BM和模糊层SIO之间的界面具有提高的粗糙度，黑底BM和模糊层SIO堆叠起来。另一方面，在开放区AA，没有模糊层SIO。(参照图11中的S40)

如图9E中所示，缓冲层BUF沉积在具有黑底BM和模糊层SIO的基板SUB上，所述黑底BM和模糊层SIO仅堆叠在非开放区NA内。因为黑底BM和模糊层SIO仅位于非开放区内，所以基板SUB的表面不是平坦的或光滑的状况。如果薄膜晶体管ST和DT及有机发光二极管OLE形成在不平坦的表面上，则不确保元件的特性。因此，优选地，缓冲层BUF沉积在基板SUB上，用于获得平坦表面。此后，尽管其未在附图中示出，但形成薄膜晶体管ST和DT，形成滤色器CF，形成包括阳极ANO、有机发光层OL和阴极CAT的有机发光二极管OLE。(参照图11中的S50)

下文中，参照图8，将说明根据本公开第二实施方式的顶部发光型全彩色有机发光二极管显示器。图8是沿图5中截线II-II′的剖视图，用于示出根据本公开的第二实施方式的顶部发光型AMOLED的结构。顶部发光型有机发光二极管显示器的基本结构和底部发光型的基本结构非常相似。因为，相似或共同的结构将不予说明。

对于顶部发光型的情况来说，来自有机发光层OL的光向位于下基板SUB上方的密封基板ENC辐射。因此，优选地，阳极ANO由具有良好反射特性的材料制成，阴极CAT由透明的导电材料制成。

为了再现/表现全彩色，每个像素内的有机发光层OL可包括位于每个像素内的红色、绿色和蓝色中的任一种颜色。阴极CAT可沉积为覆盖下基板SUB的整个表面。否则，有机发光层OL可包括产生白光的有机材料，滤色器CF可以位于有机发光层OL上或阴极CAT上。

这里，方便起见，将说明下滤色器CFL位于有机发光层OL和阴极CAT之间。下滤色器CFL包括红滤色器R、绿滤色器G和蓝滤色器B。另外，每个下滤色器CFL的厚度互不相同。这意味着，有机发光二极管显示器采用微腔结构，以提高色效率。也就是说，为了使阳极ANO和阴极CAT之间的距离对应于该颜色波长的整数倍，可控制每个像素内的下滤色器CFL的厚度。为了在附图中示出这些结构特征，下滤色器CFL的厚度示出为非常厚。实际上，优选地，下滤色器CFL具有合适的厚度以在插入于阳极ANO和阴极CAT之间的有机发光层OL上得到足够的亮度。

另外，在第二实施方式中，为了提高色纯度，在密封基板ENC的内表面处还可以包括上滤色器CFU。优选地，上滤色器CFU可被设置成与下滤色器CFL精确重叠。

对于顶部发光型有机发光二极管显示器来说，用户在密封基板ENC的外侧观看或观察视频信息。还可在面对用户的密封基板ENC的内表面上包括黑底BM，黑底BM正覆盖非开放区NA。黑底BM可通过混合邻近的两种颜色(即，红和绿或绿和蓝)避免颜色失真。

例如，优选地，黑底BM由黑色材料制成。然而，所有黑色材料都具有一定的反射属性，即使其程度低。因为，外部光可被黑底BM反射，这样用户可注意到反射光。另外，当显示器未使用时，由于黑底BM，导致非开放区NA可具有比开放区AA更高的反射性。结果，用户可注意到黑条，以致显示器的观察质量可下降。另外，当显示器工作时，由于黑底BM反射的光，导致显示器的颜色可失真，以致原始的颜色非适当地重现或表现。

在本公开的第二实施方式中，在黑底BM之下还包括模糊层SIO，用于解决位于顶部发光型有机发光二极管显示器的非开放区的黑底BM反射光的问题。模糊层SIO插入黑底BM和密封基板NEC之间。模糊层SIO可以包含无机材料(诸如，氧化硅SiOx，氮化硅SiNx，或非晶硅a-Si)。尤其是，模糊层SIO优选地具有提高的粗糙度，该粗糙度是因对与黑底BM的界面进行表面处理而得到的。

下文中，参照图10A到图10E及图11，将说明根据本公开的第一实施方式的用于制造顶部发光型有机发光二极管显示器的方法。图10A至10E是示出根据本公开的第二实施方式的用于制造顶部发光型AMOLED的方法的剖视图。这里，附图示出在非开放区内形成包括模糊层SIO的黑底BM及形成缓冲层BM。在本公开中，后面的工艺并不那么重要，所以为了方便，没有对其进行说明。。

如图10A中所示，在密封基板ENC的内表面上，通过沉积厚度到的氧化硅SiOx、氮化硅SiNx或非晶硅a-Si而形成无机层SI。由于使用针对无机材料的沉积方法，无机层SI有低的粗糙度，即，该表面非常光滑或处于平坦的状况。因此，无机层SI不可被原样用作用于减少反射的元件。(参照图11中的S10)

如图10B中所示，通过对无机层SI的顶表面进行表面处理，无机层SI的表面被制成具有高粗糙度，使得形成模糊层SIO。例如，使用干蚀刻工艺或湿蚀刻工艺，无机层SI的顶表面可以具有提高的粗糙度。否则，使用等离子体处理，无机层SI的某些厚度可以不规则地是氧化物，使得无机层SI的顶表面可具有提高的粗糙度。(参照图11中的S20)

如图10C中所示，通过沉积黑色材料并将其图案化，黑底BM形成在非开放区NA上方。非开放区NA可与随后形成的薄膜晶体管ST与DT及线SL、DL与VDD重叠。(参照图11中的S30)

如图10D中所示，通过使用黑底BM作为掩模将模糊层SIO图案化，覆盖开放区AA的模糊层SIO的部分被去除。黑底BM和模糊层SIO之间的界面具有提高的粗糙度，黑底BM和模糊层SIO堆叠起来。另一方面，在开放区AA，没有模糊层SIO。(参照图11中的S40)

如图10E中所示，上滤色器CFU形成在非开放区NA内。尤其是，顺序地设置红滤色器R、绿滤色器G和蓝滤色器B。此后，尽管在附图中未示出，但在下基板SUB上，形成薄膜晶体管ST和DT，形成滤色器CF，形成包括阳极ANO、有机发光层OL和阴极CAT的有机发光二极管OLE。然后，密封基板ENC和下基板SUB相互连接并附接，因为各开放区AA和各非开放区NA相互对应，使得完成了有机发光二极管显示器。(参照图11中的S50)

如上所述，在本公开的优选实施方式中，有机发光二极管显示器具有用于对外部光进行散射反射或漫反射的模糊层SIO，使得黑底BM反射的光无法被直接反射到用户的视线范围，但可被散射或漫射。在相关技术中，偏振片或板可附加到面对用户的表面的外部。在这种情况下，透射率显著降低。然而，根据本公开，不要求有偏振片或板，使得光透射率不降低。也就是说，可以在较低功耗的情况下，获得较高的亮度或照度(luminescence)。

另外，通过仅仅在基板和黑底之间插入低反射材料，对于降低黑底BM引起的外部光的反射是有限制的。然而，在本公开中，具有提高粗糙度的模糊层SIO插入在黑底BM和基板SUB或ENC之间。模糊层SIO将反射光成为散射反射或漫反射光。因此，可显著减少外部光的反射。

例如，当仅有黑底BM时，黑底BM反射的外部光是至少8％。然而，在黑底BM和基板SUB或ENC之间带有模糊层SIO的情况下，外部光的反射最多是6％。也就是说，反射率至少进一步降低20％。在其它方面，当在不进行用于提高粗糙度的表面处理的情况下插入无机层SI时，外部光的反射率是和仅有黑底BM的情况相同的。诸如氧化硅SiOx、氮化硅SiNx或非晶硅a-Si的无机材料具有吸收光的特性。在实际状况中，通过仅仅增加无机层，无法将反射率降低到所要的等级。因此，为了减少外部光的反射率通过进行表面处理而具有提高粗糙度的模糊层SIO比仅仅增加无机层SI更有效。

另外，如果需要的话，模糊层SIO可以位于开放区AA内。然而，在本公开的最佳模式下，模糊层SIO仅位于非开放区NA内。当模糊层SIO可以位于开放区AA内时，来自有机发光层OL的光可被漫射或散射，使得颜色纯度可降低。因此，优选地，模糊层SIO仅位于非开放区NA内。

尽管已参照附图详细描述了本发明的实施方式，但是本领域的技术人员应理解，在不改变本发明的技术精神或基本特征的情况下，可以其它具体形式实现本发明。因此，应注意到，上述实施方式在所有方面都只是例证性的，而不被解释为限制本发明。本发明的范围由随附权利要求书而非本发明的具体实施方式限定。在权利要求书的含义和范围内的所有变化或修改或其等同物应被理解为落入本发明的范围内。

Claims (9)

1.一种平板显示器，该平板显示器包括：

基板，其具有开放区和非开放区；

模糊层，其设置在所述基板的内表面上的所述非开放区内；

黑底，其堆叠在所述模糊层上；

驱动元件，其位于所述非开放区内；以及

显示元件，其位于所述开放区内并被所述驱动元件驱动。

2.根据权利要求1中所述的平板显示器，其中，在所述模糊层和所述黑底之间的界面具有提高的粗糙度，用于散射反射来自所述基板的外部的光。

3.根据权利要求1中所述的平板显示器，其中，穿过所述模糊层将视频信息提供到所述基板的外部。

4.根据权利要求1中所述的平板显示器，其中，所述模糊层包含氧化硅、氮化硅和非晶硅中的至少一种。

5.一种用于制造平板显示器的方法，该方法包括：

在基板上形成无机层；

通过对所述无机层的表面进行表面处理，形成具有提高的粗糙度的模糊层；

在所述模糊层上，形成黑底；

用所述黑底作为掩模，将所述模糊层图案化；以及

在所述基板上形成显示元件。

6.根据权利要求5中所述的方法，其中，进行所述表面处理包括干蚀刻工艺、湿蚀刻工艺和等离子体处理中的至少一种。

7.根据权利要求6中所述的方法，其中，形成所述无机层包括沉积厚度为到的氧化硅、氮化硅及非晶硅中的至少一种。

8.根据权利要求5中所述的方法，其中，形成所述显示元件包括：

在具有所述黑底的所述基板上，沉积缓冲层；以及

在所述缓冲层上，形成有机发光二极管显示元件。

9.根据权利要求5中所述的方法，其中，形成所述显示元件包括：

在所述基板上的所述黑底之间，形成滤色器；

在下基板上，形成有机发光二极管显示元件；以及

将所述基板和所述下基板以预定距离附接。