CN111477764A - Oled显示面板及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本申请提供了OLED显示面板及其制作方法。该OLED显示面板包括:阵列基板;OLED结构层,OLED结构层设置在阵列基板的表面上;多个间隔设置的彩色滤光片,彩色滤光片设置在OLED结构层远离阵列基板的一侧,且多个彩色滤光片之间具有间隙;第一有机材料层,第一有机材料层设置在OLED结构层远离阵列基板的一侧,其中,第一有机材料层远离阵列基板的表面具有多个间隔设置的第一粗糙表面,第一粗糙表面在阵列基板上的正投影覆盖间隙在阵列基板上的正投影的至少一部分;黑化后遮光的第一金属层,第一金属层位于第一粗糙表面上。该显示面板中采用黑化的第一金属层取代黑矩阵,节省BM胶材的使用以及两道BM Mark工艺,进而避免BM引起的Mark对位的问题;可以增大L‑Decay角度,从而提升显示面板的出光效率。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体的,涉及OLED显示面板及其制作方法。
背景技术
OLED显示装置不仅具有自发光、广视角、高亮度、快速反应时间,而且具有R、G、B全彩和Touch(触控模组)等组件皆可制作的特质。OLED显示装置的结构特性有利于多种功能进行整合,例如:Touch、天线、Pol-Less(偏光片)等,实现多功能柔性显示。在制作工艺中,COE工艺主要包括制作黑色矩阵层(BM)和RGB彩色滤光片等结构的工艺步骤,经过涂胶曝光显影等工艺实现图案化。然而,COE中的黑色矩阵层为黑色有机光刻胶,BM在曝光过程中,由于在可见光和近红外波段透过率极低(<1%),容易导致Mark对位困难,使用风险高。
因此,关于OLED显示面板的研究有待深入。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此,本发明的一个目的在于提出一种OLED显示面板,该显示面板中采用黑化的第一金属层取代黑矩阵BM,节省BM胶材的使用以及两道BM Mark工艺,进而避免BM引起的Mark对位的问题。
在本发明的一方面,本申请提供了一种OLED显示面板。根据本发明的实施例,该OLED显示面板包括:阵列基板;OLED结构层,所述OLED结构层设置在所述阵列基板的表面上;多个间隔设置的彩色滤光片,所述彩色滤光片设置在所述OLED结构层远离所述阵列基板的一侧,且多个所述彩色滤光片之间具有间隙;第一有机材料层,所述第一有机材料层设置在所述OLED结构层远离所述阵列基板的一侧,其中,所述第一有机材料层远离所述阵列基板的表面具有多个间隔设置的第一粗糙表面,所述第一粗糙表面在所述阵列基板上的正投影覆盖所述间隙在所述阵列基板上的正投影的至少一部分;黑化后遮光的第一金属层,所述第一金属层位于所述第一粗糙表面上。由此,该显示面板中采用黑化的第一金属层取代黑矩阵BM(即黑化的第一金属层可以起到BM的作用),节省BM胶材的使用以及两道BMMark工艺,进而避免BM引起的Mark对位的问题;而且取代BM之后,可以减薄膜层的厚度,进而增大L-Decay角度(亮度衰减角度),从而可以提升显示面板的出光效率。
根据本发明的实施例,该OLED显示面板还包括:封装薄膜层,所述封装薄膜层设置在所述OLED结构层远离所述阵列基板的表面上,其中,所述彩色滤光片设置在所述封装薄膜层远离所述阵列基板的表面上,所述第一有机材料层位于所述彩色滤光片远离所述阵列基板的表面上,且覆盖所述间隙暴露的所述封装薄膜层的表面。
根据本发明的实施例,该OLED显示面板还包括:多个间隔设置的第二金属层,所述第二金属层设置在所述封装薄膜层远离所述阵列基板的表面上,且所述第二金属层在所述阵列基板上的正投影位于所述间隙在所述阵列基板上的正投影的内部;其中,所述第一有机材料层具有贯穿所述第一有机材料层的通孔,所述通孔暴露出所述第二金属层的至少部分表面,且至少一部分所述第一金属层通过所述通孔与所述第二金属层电连接,所述第一金属层为触控电极中第一触控电极,所述第二金属层为用于电连接所述第一触控电极的桥电极。
根据本发明的实施例,该OLED显示面板还包括:封装薄膜层,所述封装薄膜层包括第一无机层、所述第一有机材料层和第二无机层,其中,所述第一无机层设置在所述OLED结构层远离所述阵列基板的表面上,所述第一有机材料层设置在所述第一无机层远离所述阵列基板的表面上,所述第二无机层设置在所述第一有机材料层远离所述阵列基板的一侧,其中,所述彩色滤光片设置在第一有机材料层远离所述阵列基板的表面上。
根据本发明的实施例,该OLED显示面板还包括:第二有机材料层,所述第二有机材料层设置在所述彩色滤光片和所述第二无机层之间,且覆盖所述彩色滤光片和所述间隙。
根据本发明的实施例,所述第二有机材料远离所述阵列基板的表面具有多个间隔设置的第二粗糙表面,且所述第二粗糙表面在所述阵列基板上的正投影覆盖所述间隙在所述阵列基板上的正投影的至少一部分,所述显示面板还包括:黑化后遮光的第三金属层,所述第三金属层位于所述第二粗糙表面上。
根据本发明的实施例,所述第一粗糙表面和所述第二粗糙表面中的凹凸结构的最低点与最高点之间的间距分别为200~400nm。
根据本发明的实施例,所述第一有机材料层和所述第二有机材料层的材料分别为OC光刻胶。
在本发明的另一方面,本发明提供了一种制作OLED显示面板的方法。根据本发明的实施例,制作OLED显示面板的方法包括:提供阵列基板;在所述阵列基板的表面上形成OLED结构层;在所述OLED结构层远离所述阵列基板的一侧形成多个间隔设置的彩色滤光片,且多个所述彩色滤光片之间具有间隙;在所述OLED结构层远离所述阵列基板的一侧形成第一有机材料层,并在所述第一有机材料层远离所述阵列基板的表面的预定区域形成多个间隔设置的第一粗糙表面,所述第一粗糙表面在所述阵列基板上的正投影覆盖所述间隙在所述阵列基板上的正投影的至少一部分;在所述第一粗糙表面上沉积形成黑化后遮光的第一金属层。由此,该显示面板中采用黑化的第一金属层取代黑矩阵BM(即黑化的第一金属层可以起到BM的作用),节省BM胶材的使用以及两道BM Mark工艺,进而避免BM引起的Mark对位的问题;而且取代BM之后,可以减薄膜层的厚度,进而增大L-Decay角度(亮度衰减角度),从而可以提升显示面板的出光效率;再者,上述制作方法简单易实施,工业化成熟,便于工业化量产,制作成本也较低。
根据本发明的实施例,制作OLED显示面板的方法还包括:在所述OLED结构层远离所述阵列基板的表面上形成封装薄膜层,其中,所述彩色滤光片形成在所述封装薄膜层远离所述阵列基板的表面上,所述第一有机材料层形成在所述彩色滤光片远离所述阵列基板的表面上,且覆盖所述间隙暴露的所述封装薄膜层的表面。
根据本发明的实施例,制作OLED显示面板的方法还包括:在所述封装薄膜层远离所述阵列基板的表面上形成多个间隔设置的第二金属层,且所述第二金属层在所述阵列基板上的正投影位于所述间隙在所述阵列基板上的正投影的内部;形成贯穿所述第一有机材料层的通孔,所述通孔暴露出所述第二金属层的至少部分表面,且至少一部分所述第一金属层通过所述通孔与所述第二金属层电连接,所述第一金属层为触控电极中第一触控电极,所述第二金属层为用于电连接所述第一触控电极的桥电极。
根据本发明的实施例,制作OLED显示面板的方法还包括:形成封装薄膜层,所述封装薄膜层包括第一无机层、第二无机层和所述第一有机材料层,形成所述封装薄膜层的方法包括:在所述OLED结构层远离所述阵列基板的表面上形成所述第一无机层;在所述第一无机层远离所述阵列基板的表面上形成所述第一有机材料层;在所述第一有机材料层远离所述阵列基板的一侧形成所述第二无机层,其中,所述彩色滤光片形成在所述第一有机材料层远离所述阵列基板的表面上。
根据本发明的实施例,制作OLED显示面板的方法还包括:在所述彩色滤光片和所述第二无机层之间形成第二有机材料层,且所述第二有机材料层覆盖所述彩色滤光片和所述间隙。
根据本发明的实施例,制作OLED显示面板的方法还包括:在所述第二有机材料远离所述阵列基板的表面形成多个间隔设置的第二粗糙表面,且所述第二粗糙表面在所述阵列基板上的正投影覆盖所述间隙在所述阵列基板上的正投影的至少一部分,在所述第二粗糙表面上沉积形成黑化后遮光的第三金属层。
根据本发明的实施例,所述第一粗糙表面和所述第二粗糙表面是通过干刻的方法形成的,所述干刻的刻蚀气体包括四氟化碳和氧气,其中,所述四氟化碳和所述氧气的流量比例为2:1~5:1。
根据本发明的实施例,所述氧气的流量为60~150sccm。
附图说明
图1是本发明一个实施例中OLED显示面板的结构示意图;
图2中的(a)是图1虚线方框的放大图,图2中的(b)是黑化的第一金属层示意图;
图3是本发明又一个实施例中OLED显示面板的结构示意图;
图4是本发明又一个实施例中OLED显示面板的结构示意图;
图5是本发明又一个实施例中OLED显示面板的结构示意图;
图6是本发明又一个实施例中OLED显示面板的结构示意图;
图7是本发明又一个实施例中OLED显示面板的结构示意图;
图8是本发明又一个实施例中制作OLED显示面板的流程示意图;
图9是本发明又一个实施例中制作OLED显示面板的流程示意图;
图10是本发明又一个实施例中制作OLED显示面板的流程示意图;
图11是本发明又一个实施例中制作OLED显示面板的流程示意图.
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例。下面描述的实施例是示例性的,仅用于解释本发明,而不能理解为对本发明的限制。实施例中未注明具体技术或条件的,按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。
在本发明的一方面,本申请提供了一种OLED显示面板。根据本发明的实施例,参照图1至图7,该OLED显示面板包括:阵列基板10;OLED结构层20,OLED结构层20设置在阵列基板10的表面上;多个间隔设置的彩色滤光片30,彩色滤光片30设置在OLED结构层20远离阵列基板10的一侧,且多个彩色滤光片30之间具有间隙31;第一有机材料层40,第一有机材料层40设置在OLED结构层20远离阵列基板10的一侧,其中,第一有机材料层40远离阵列基板10的表面具有多个间隔设置的第一粗糙表面41,第一粗糙表面41在阵列基板10上的正投影覆盖间隙31在阵列基板10上的正投影的至少一部分,在一些实施例中,在阵列基板10上的正投影完全覆盖间隙31在阵列基板10上的正投影;黑化后遮光的第一金属层50,第一金属层50位于第一粗糙表面41上(参照图2,图2中的(a)为图1中局部第一粗糙面和第一金属层(图1中虚线框部分)的放大图,图2中的(b)为黑化后遮光的第一金属层的表面)。由此,该显示面板中采用黑化的第一金属层取代黑矩阵BM(即黑化的第一金属层可以起到BM的作用),节省BM胶材的使用以及两道BM Mark工艺,进而避免BM引起的Mark对位的问题;而且取代BM之后,可以减薄膜层的厚度,进而增大L-Decay角度(亮度衰减角度),从而可以提升显示面板的出光效率。
而且,发明人发现,黑矩阵BM材料由于组成成分中含有炭黑颗粒,,且使用低温工艺,工艺Margin小(可调值小),在段差较大出极易出现炭黑的残留,影响信赖性、后续制程以及COE结构(包括BM、RGB彩膜等结构)上走线搭接,并且BM边缘锯齿严重。而本发明中通过第一金属层取代BM,可以完美的消除上述由BM带来的技术问题,进而提升显示面板的信赖性和显示质量。
根据本申请的实施例,在显示面板的制作工艺中,在第一有机材料的预定区域的表面形成多个第一粗糙面,之后沉积金属层,并去除非第一粗糙面上的其他金属层部分,从而得到第一金属层,由于第一粗糙面表面为凹凸不平的粗糙面,且沉积的金属层是等厚度的,所以第一金属层是随着凹凸不平的第一粗糙面分布的非平坦面,所以照射到第一金属层表面的光线发生漫反射,从而导致第一金属层表面黑化而呈现黑色,以此可以代替BM,起到黑矩阵的作用,所以本申请的显示面板无需再设置黑矩阵,如此,不仅可以节省制作工艺,而且可以避免因BM引起的Mark对位的问题。
其中,阵列基板可以为TFT基板,其具体结构没有特殊要求,本领域技术人员可以根据实际生产要求灵活设计阵列基板的具体结构。在一些实施例中,阵列基板包括:衬底;设置在衬底表面上的缓冲层;设置在缓冲层远离衬底表面上的有源层;设置在缓冲层远离衬底表面上的栅绝缘层,且栅绝缘层覆盖有源层;设置在栅绝缘层远离衬底表面上的栅极;设置在栅绝缘层远离衬底表面上且覆盖栅极的层间介质层;设置在层间介质层远离衬底表面上的源极和漏极,且源极和漏极分别通过过孔与有源层电连接;设置在层间介质层远离衬底表面上且覆盖源极和漏极的平坦层。其中,OLED结构层设置在平坦层远离衬底的表面上。
其中,OLED结构层的具体结构没有特殊要求,本领域技术人员可以根据实际情况灵活选择目前常规的OLED结构层。在一些实施例中,OLED结构层包括:具有多个开口的像素界定层,设置在开口中的阳极(阳极通过过孔与漏极电连接),依次设置在阳极远离阵列基板的HTL(空穴传输层)、发光层、ETL(电子传输层)和阴极。由此,OLED器件的电压-电流特性较佳,提高了OLED器件的发光效率。
在一些实施例中,多个彩色滤光片的种类包括红色滤光片、绿色滤光片和蓝色滤光片;在另一些实施例中,多个彩色滤光片的种类包括红色滤光片、绿色滤光片、蓝色滤光片和黄色滤光片;在又一些实施例中,多个彩色滤光片的种类包括红色滤光片、绿色滤光片、蓝色滤光片、黄色滤光片和白色滤光片。
根据本发明的实施例,该OLED显示面板还包括:封装薄膜层60,其中,在一些实施例中,彩色滤光片30可以设置在封装薄膜层60远离阵列基板10的表面上,结构示意图可参照图1、图3和图4;在另一些实施例中,彩色滤光片30可以嵌入在封装薄膜层60内部设置,结构示意图可参照图5至图7,具体介绍如下:
在一些实施例中,参照图1,封装薄膜层60设置在OLED结构层20远离阵列基板10的表面上,其中,彩色滤光片30设置在封装薄膜层60远离阵列基板10的表面上,第一有机材料层40位于彩色滤光片30远离阵列基板10的表面上,且覆盖间隙31暴露的封装薄膜层60的表面。由此,上述结构的OLED显示面板性能较佳,而且可以有效减小膜层厚度,进而增大L-Decay角度(亮度衰减角度),从而可以提升显示面板的出光效率。
进一步的,参照图3,该OLED显示面板还包括:多个间隔设置的第二金属层70,第二金属层70设置在封装薄膜层60远离阵列基板10的表面上,且第二金属层70在阵列基板10上的正投影位于间隙31在阵列基板10上的正投影的内部(即第二金属层设置在间隙的内部);其中,第一有机材料层40具有贯穿第一有机材料层40的通孔42,通孔暴露出第二金属层70的至少部分表面,且至少一部分第一金属层50通过所述通孔42与第二金属层70电连接(所以通孔42的侧壁的表面也是第一粗糙表面,即侧壁的第一金属层部分也是凹凸不平的非平整表面),第一金属层50为触控电极中第一触控电极,第二金属层70为用于电连接第一触控电极的桥电极。由此,第一金属层作为触控模组的第一触控电极(第一触控电极可以为TX或RX),得到FMLOC工艺结构的触控显示面板;而且第一金属层的表面也是凹凸不平的,相对平整的金属层表面,第一金属层具有较大的表面积,故而可以降低TX/RX的电阻,进而提升触控面板的触控灵敏度。
在一些示例中,第二金属层可以设置在彩色滤光片中的每个间隙中;在另一些示例中,第二金属层设置在一部分的间隙中,所以只有设置有第二金属层70的地方才需要相应的形成通孔,并使与第二金属层正对应的第一金属层通过通孔与第二金属层电连接(如图3和图4所示),本领域技术人员可以根据触模组中第一触控电极的设计要求灵活选择和设计,在此不作限制要求。
还需要说明的是,由于通孔42是贯穿第一有机材料层40的,所以第二金属层被暴露的表面没有第一有机材料层,也就没有第一粗糙表面,所以第一金属层与第二金属层接触的部分为平整的,并非是凹凸不平的,所以与第二金属层接触的第一金属层部分是没有黑化的,但是由于第一金属层与第二金属层接触的面积很小,所以在实施例中,此处非黑化的第一金属层部分并不会对显示面板的显示效果造成很大的影响,在观看显示画面时用户并不会看到漏光点。
其中,第二金属层的厚度为150nm~300nm,由此,以便有效保证第二金属层良好的电学性能,以及与第一金属层良好的接触性能。
更进一步的,参照图4,该显示面板还包括第三有机材料层43,第三有机材料层43设置在第一有机材料层40远离阵列基板10的表面上,并填充通孔42。由此,第三有机材料的设置可以提供一个平坦的表面,以便后续触控模组等结构的制作。其中,第三有机材料层的具体材料没有特殊要求,本领域技术人员可以根据实际情况灵活选择,只要具有较佳的流平效果,提供一个平整的表面即可,在一些具体示例中,第三有机材料层的材料为OC光刻胶。另外,第三有机材料层的厚度为2.0~2.5微米,由此,可以有效保证第三有机材料良好的表面平整性。
在另一些实施例中,彩色滤光片30可以嵌入在封装薄膜层60内部设置,参照图5,封装薄膜层60包括第一无机层61、第一有机材料层40和第二无机层62,其中,第一无机层61设置在OLED结构层远离阵列基板10的表面上,第一有机材料层40设置在第一无机层61远离阵列基板10的表面上,第二无机层62设置在第一有机材料层40远离阵列基板10的一侧,其中,彩色滤光片30设置在第一有机材料层40远离阵列基板10的表面上。由此,将彩色滤光片30嵌入设置在封装薄膜层的内部,可以有效缩减彩色滤光片与OLED结构层中的发光层之间的间距,从而可以有效提升出光效率;而且,此时第一金属层50位于间隙31内,可以进一步的提升光利用率。其中,第一有机材料层代替现有技术中薄膜封装层中的IJP油墨层,但是根据本发明的实施例,本发明的薄膜封装层依然具有良好的封装效果以及较佳的表面平整性,完全满足对薄膜封装的使用要求,而且减少了IJP的制程,可以进一步降低显示面板制作成本。
进一步的,参照图6,该OLED显示面板还包括:第二有机材料层80,第二有机材料层80设置在彩色滤光片30和第二无机层62之间,且覆盖彩色滤光片30和间隙31。由此,第二有机材料层的设置可以提升膜层的流平效果,进而提升第二无机层表面的平整性,以便后续触控模组和玻璃盖板的贴合工艺的操作。
更进一步的,参照图7,第二有机材料80远离阵列基板10的表面具有多个间隔设置的第二粗糙表面81,且第二粗糙表面81在阵列基板10上的正投影覆盖间隙31在阵列基板10上的正投影的至少一部分,显示面板还包括:黑化后遮光的第三金属层90,所述第三金属层90位于第二粗糙表面81上。由此,双层黑化的金属层(第一金属层和第三金属层),可以跟进一步的提升显示面板的出光效率,提高显示面板的显示质量。
根据本发明的实施例,第一粗糙表面中的凹凸结构的最低点与最高点之间的间距D为200nm~400nm(比如200nm、230nm、250nm、280nm、300nm、330nm、350nm、380nm、400nm),以及第二粗糙表面中的凹凸结构的最低点与最高点之间的间距分别为200nm~400nm(比如200nm、230nm、250nm、280nm、300nm、330nm、350nm、380nm、400nm)。由此,上述尺寸的凹凸结构,有助于光线在第一金属层和第三金属层的表面发生漫反射,进而有助于第一金属层和第三金属层的黑化。
根据本发明的实施例,第一有机材料层和第二有机材料层的材料分别为OC光刻胶。由此,采用OC光刻胶,不仅光透过率较佳,有助于提升显示面板的出光效果;而且便于第一粗糙表面和第二粗糙表面的制作,即在第一有机材料层和第二有机材料层的表面涂覆PR光刻胶之后,通过干刻的方法即可得到第一粗糙表面和第二粗糙表面。
其中,第一有机材料层和第二有机材料层的厚度分别为2.0~2.5微米,比如2.0微米、2.1微米、2.2微米、2.3微米、2.4微米、2.5微米。由此,即便于第一有机材料层和第二有机材料层的制作,而且性能较佳。
根据本发明的实施例,第一金属层和第三金属层的厚度分别为150nm~300nm(比如150nm、180nm、200nm、220nm、240nm、260nm、280nm、300nm)。由此,既可以保证第一金属层较佳的导电性能,且第一金属层与第二金属层良好的接触性能,又可以保证第一金属层和第三金属层在漫反射过程中比较容易的发生黑化,且黑化效果较佳,以保证其可以起到良好的BM的作用。
其中,第一金属层和第三金属层的材料分别选自钛、铝和钛铝合金中的至少一种。由此,导电性较佳,电阻较低,在漫射中容易黑化,而且使用性能较佳。
根据本发明的实施例,该显示面板还包括:设置在在第二无机层远离阵列基板的表面上的触控模组(Touch),以便实现显示面板的触控功能。
在本发明的另一方面,本发明提供了一种制作OLED显示面板的方法。根据本发明的实施例,制作OLED显示面板的方法包括:提供阵列基板;在阵列基板的表面上形成OLED结构层;在OLED结构层远离阵列基板的一侧形成多个间隔设置的彩色滤光片,且多个彩色滤光片之间具有间隙;在OLED结构层远离阵列基板的一侧形成第一有机材料层,并在第一有机材料层远离阵列基板的表面的预定区域形成多个间隔设置的第一粗糙表面,第一粗糙表面在阵列基板上的正投影覆盖间隙在阵列基板上的正投影的至少一部分;在第一粗糙表面上沉积形成黑化后遮光的第一金属层。由此,该显示面板中采用黑化的第一金属层取代黑矩阵BM(即黑化的第一金属层可以起到BM的作用),节省BM胶材的使用以及两道BM Mark工艺,进而避免BM引起的Mark对位的问题;而且取代BM之后,可以减薄膜层的厚度,进而增大L-Decay角度(亮度衰减角度),从而可以提升显示面板的出光效率;再者,上述制作方法简单易实施,工业化成熟,便于工业化量产,制作成本也较低。
其中,阵列基板的具体结构与前面所述的阵列基板的结构的要求一致,在此不再过多的赘述。而且,阵列基板的制作工艺也没有特殊的限制要求,本领域技术人员可以根据现有技术的制作工艺进行制作,在此不再一一赘述。
其中,OLED结构的具体结构与前面所述的OLED结构层的要求一致,在此不再过多的赘述。而且,OLED结构的制作工艺也没有特殊的限制要求,本领域技术人员可以根据现有技术的制作工艺进行制作,在此不再一一赘述。
根据本发明的实施例,该OLED显示面板的制作方法还包括:制作封装薄膜层60的步骤,其中,在一些实施例中,封装薄膜层60形成在彩色滤光片30之前,即在封装薄膜层60形成之后再进行制作彩色滤光片30,结构示意图可参照图1、图3和图8;在另一些实施例中,彩色滤光片30可以嵌入在封装薄膜层60内部设置,即在制作封装薄膜层60的过程中同时形成彩色滤光片30,结构示意图可参照图5至图7和图11,具体介绍如下:
在一些实施例中,参照图8,制作OLED显示面板的方法包括:在OLED结构层20远离阵列基板10的表面上形成封装薄膜层60,其中,彩色滤光片30形成在封装薄膜层60远离阵列基板10的表面上,第一有机材料层40形成在彩色滤光片30远离阵列基板10的表面上,且覆盖间隙31暴露的封装薄膜层60的表面,结构示意图参照图1。由此,上述结构的OLED显示面板性能较佳,而且可以有效减小膜层厚度,进而增大L-Decay角度(亮度衰减角度),从而可以提升显示面板的出光效率。
进一步的,参照图9,制作OLED显示面板的方法还包括:在封装薄膜层60远离阵列基板10的表面上形成多个间隔设置的第二金属层70,且第二金属层70在阵列基板10上的正投影位于间隙31在阵列基板10上的正投影的内部;形成贯穿第一有机材料层40的通孔42,通孔42暴露出第二金属层70的至少部分表面,且至少一部分第一金属层50通过通孔42与第二金属层40电连接,第一金属层为触控电极中第一触控电极,第二金属层为用于电连接第一触控电极的桥电极。由此,第一金属层作为触控模组的第一触控电极(第一触控电极可以为TX或RX),得到FMLOC工艺结构的触控显示面板;而且第一金属层的表面也是凹凸不平的,相对平整的金属层表面,第一金属层具有较大的表面积,故而可以降低TX/RX的电阻,进而提升触控面板的触控灵敏度。
其中,参照图10,在形成通孔之前,预先在第一有机材料层40的表面上图案化的PR光刻胶层44,以便在形成通孔以及形成第一粗糙面的过程中对彩色滤光片30进行保护;之后形成通孔42,;然后利用干刻的方法对第一有机材料层的预定区域(未被PR光刻胶覆盖的表面)进行离子轰击,得到第一粗糙表面41;去除PR光刻胶44之后,在第一有机材料层的整个表面上沉积形成整面金属层51,然后通过刻蚀工艺将非第一粗糙表面上的金属层部分去除,得到第一金属层50;对第一金属层50进行光照处理,光线在第一金属层发生漫反射,从而使得第一金属层50黑化,进而具有遮光的效果。由此,上述制备工艺比较成熟,便于操作和工业化管理,而且采用干刻的方法可以得到表面性能较佳的第一粗糙表面,而且便于控制第一粗糙表面凹凸结构中的最低点与最高之间的间距D的大小。
在另一些实施例中,彩色滤光片30可以嵌入在封装薄膜层60内部设置,即在制作封装薄膜层60的过程中同时形成彩色滤光片30,具体的:参照图11,封装薄膜层60包括第一无机层61、第二无机层62和第一有机材料层40,形成所述封装薄膜层的方法包括:在OLED结构层20远离阵列基板10的表面上形成第一无机层61;在第一无机层61远离阵列基板10的表面上形成第一有机材料层40;在第一有机材料层40远离阵列基板10的一侧形成第二无机层62,其中,彩色滤光片30形成在第一有机材料层40远离阵列基板10的表面上。由此,将彩色滤光片30嵌入设置在封装薄膜层的内部,可以有效缩减彩色滤光片与OLED结构层中的发光层之间的间距,从而可以有效提升出光效率;而且,此时第一金属层50位于间隙31内,可以进一步的提升光利用率。
在一些具体实施例中,参照图11,制作步骤包括:在OLED结构层20远离阵列基板10的表面上通过CVD沉积形成第一无机层61;在第一无机层61的表面上涂覆形成第一有机材料层40;在第一有机材料层的表面上涂覆形成PR光刻胶44,并通过曝光显影时PR光刻胶图案化,之后利用干刻工艺对未被PR光刻胶44保护的第一有机材料层的表面进行离子轰击,以便得到第一粗糙表面41,然后将PR光刻胶44去除;之后在第一有机材料层40的整个表面上溅射沉积形成整面金属层51;之后对整面金属层51进行刻蚀,从而将非第一粗糙表面的金属层部分去除,得到第一金属层50;对第一金属层50进行光照处理,光线在第一金属层发生漫反射,从而使得第一金属层50黑化,使其具有遮光效果;在第一有机材料层的非第一粗糙表面部分涂胶形成彩色滤光片30;最后再通过CVD工艺形成第二无机层62。
进一步的,制作OLED显示面板的方法还包括:在彩色滤光片30和第二无机层62之间形成第二有机材料层80,且第二有机材料层80覆盖彩色滤光片30和间隙31,结构示意图可参照图6。由此,第二有机材料层的设置可以提升膜层的流平效果,进而提升第二无机层表面的平整性,以便后续触控模组和玻璃盖板的贴合工艺的操作。
更进一步的,制作OLED显示面板的方法还包括:在第二有机材料80远离阵列基板的表面形成多个间隔设置的第二粗糙表面81,且第二粗糙表面81在阵列基板10上的正投影覆盖间隙31在阵列基板10上的正投影的至少一部分,在第二粗糙表面81上沉积形成黑化后遮光的第三金属层90,结构示意图可参照图7。由此,双层黑化后遮光的金属层(第一金属层和第三金属层),可以跟进一步的提升显示面板的出光效率,提高显示面板的显示质量。其中,黑化的第三金属层的制作步骤与前面所述的第一金属层的制作步骤相同,在此不再过多的赘述。
根据本发明的实施例,如前所述,第一粗糙表面和第二粗糙表面是通过干刻的方法形成的,干刻的刻蚀气体包括四氟化碳和氧气,在干刻的过程中,氧气与有机材料层(包括第一有机材料层和第二有机材料层,或者为OC光刻胶)发生化学反应,从而形成第一粗糙表面和第二粗糙表面。其中,四氟化碳和氧气的流量比例为2:1~5:1,比如四氟化碳和氧气的流量比例为2:1、3:1、4:1、5:1。由此,在上述比例范围内可以较好的控制刻蚀过程,有助于得到尺寸适宜的第一粗糙表面和第二粗糙表面。
进一步的,氧气的流量为60~150sccm,比如60sccm、70sccm、80sccm、90sccm、100sccm、110sccm、120sccm、130sccm、140sccm、150sccm。由此,在上述范围内的氧气流量,可以较好的控制刻蚀过程,有助于得到尺寸适宜的第一粗糙表面和第二粗糙表面;若流量小于60sccm,则对有机材料层表面的刻蚀效果较差,粗糙表面的凹凸结构的尺寸较小,不利于金属层的黑化;若流量大于150sccm,则有可能导致粗糙表面的凹凸结构的尺寸偏大,甚至将有机材料层刻穿。
其中,根据一些具体实施例中,在对第一金属层黑化时采用的氧气的流量以及黑化后第一金属层的吸光度(OD)和透过率测试结果参照下表1。
表1
氧气流量(sccm) | 150 | 60 | 0 |
OD(550nm) | 0.99 | 0.12 | 0.013 |
透过率(550nm) | 10.32% | 74.87% | 94.76% |
由表1的测试结果可见,可通过控制氧气的流量,对第一金属层的吸光度和透过率进行调节,随着氧气流量的增加,第一金属层的黑化程度越深,遮光效果越佳,从而使得第一金属层的吸光度越大,透过率越低,当氧气流量达150sccm时,得到的第一金属层具有优异的吸光度和较低的透过率,可以很好的起到黑矩阵的作用。
根据本发明的实施例,该制作OLED显示面板的方法可以用于制作前面所述的OLED显示面板,其中,在制作OLED显示面板的方法中对第一金属层、第二金属层、第三金属层、第一粗糙表面、第二粗糙表面、第一有机材料层、第二有机材料层、彩色滤光片、等各个结构的要求,与前面所述的OLED显示面板中对第一金属层、第二金属层、第三金属层、第一粗糙表面、第二粗糙表面、第一有机材料层、第二有机材料层、彩色滤光片、等各个结构的要求一致,在此不再一一赘述。
在本发明的又一方面,本发明提供了一种显示装置,该显示装置包括前面所述的OLED显示面板。由此,可以有效提升显示装置的显示质量。本领域技术人员可以理解,该显示装置具有前面所述的OLED显示面板的所有特征和优点,在此不再一一赘述。
其中,该显示装置的具体种类没有特殊要求,本领域技术人员可以根据实际需求灵活选择。在一些实施例中,该显示装置的具体种类可以为手机、电视、笔记本、ipad、kindle、游戏机等一切具有显示功能的显示装置。
本领域技术人员可以理解,该显示装置除了前面所述的OLED显示面板,还包括常规显示装置所必备的结构和部件,以手机为例,手机除了前面所述的OLED显示面板,还包括电池盖板、玻璃盖板、照相模组、音频模组、主板、电池等常规结构和部件。
文中术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外,在不相互矛盾的情况下,本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例,可以理解的是,上述实施例是示例性的,不能理解为对本发明的限制,本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
Claims (16)
1.一种OLED显示面板,其特征在于,包括:
阵列基板;
OLED结构层,所述OLED结构层设置在所述阵列基板的表面上;
多个间隔设置的彩色滤光片,所述彩色滤光片设置在所述OLED结构层远离所述阵列基板的一侧,且多个所述彩色滤光片之间具有间隙;
第一有机材料层,所述第一有机材料层设置在所述OLED结构层远离所述阵列基板的一侧,其中,所述第一有机材料层远离所述阵列基板的表面具有多个间隔设置的第一粗糙表面,所述第一粗糙表面在所述阵列基板上的正投影覆盖所述间隙在所述阵列基板上的正投影的至少一部分;
黑化后遮光的第一金属层,所述第一金属层位于所述第一粗糙表面上。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:
封装薄膜层,所述封装薄膜层设置在所述OLED结构层远离所述阵列基板的表面上,
其中,所述彩色滤光片设置在所述封装薄膜层远离所述阵列基板的表面上,所述第一有机材料层位于所述彩色滤光片远离所述阵列基板的表面上,且覆盖所述间隙暴露的所述封装薄膜层的表面。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,还包括:
多个间隔设置的第二金属层,所述第二金属层设置在所述封装薄膜层远离所述阵列基板的表面上,且所述第二金属层在所述阵列基板上的正投影位于所述间隙在所述阵列基板上的正投影的内部;
其中,所述第一有机材料层具有贯穿所述第一有机材料层的通孔,所述通孔暴露出所述第二金属层的至少部分表面,且至少一部分所述第一金属层通过所述通孔与所述第二金属层电连接,所述第一金属层为触控电极中第一触控电极,所述第二金属层为用于电连接所述第一触控电极的桥电极。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:
封装薄膜层,所述封装薄膜层包括第一无机层、所述第一有机材料层和第二无机层,
其中,所述第一无机层设置在所述OLED结构层远离所述阵列基板的表面上,所述第一有机材料层设置在所述第一无机层远离所述阵列基板的表面上,所述第二无机层设置在所述第一有机材料层远离所述阵列基板的一侧,其中,所述彩色滤光片设置在所述第一有机材料层远离所述阵列基板的表面上。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,还包括:
第二有机材料层,所述第二有机材料层设置在所述彩色滤光片和所述第二无机层之间,且覆盖所述彩色滤光片和所述间隙。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述第二有机材料远离所述阵列基板的表面具有多个间隔设置的第二粗糙表面,且所述第二粗糙表面在所述阵列基板上的正投影覆盖所述间隙在所述阵列基板上的正投影的至少一部分,所述显示面板还包括:
黑化后遮光的第三金属层,所述第三金属层位于所述第二粗糙表面上。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述第一粗糙表面和所述第二粗糙表面中的凹凸结构的最低点与最高点之间的间距分别为200~400nm。
8.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述第一有机材料层和所述第二有机材料层的材料分别为OC光刻胶。
9.一种制作OLED显示面板的方法,其特征在于,包括:
提供阵列基板;
在所述阵列基板的表面上形成OLED结构层;
在所述OLED结构层远离所述阵列基板的一侧形成多个间隔设置的彩色滤光片,且多个所述彩色滤光片之间具有间隙;
在所述OLED结构层远离所述阵列基板的一侧形成第一有机材料层,并在所述第一有机材料层远离所述阵列基板的表面的预定区域形成多个间隔设置的第一粗糙表面,所述第一粗糙表面在所述阵列基板上的正投影覆盖所述间隙在所述阵列基板上的正投影的至少一部分;
在所述第一粗糙表面上沉积形成黑化后遮光的第一金属层。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,还包括:
在所述OLED结构层远离所述阵列基板的表面上形成封装薄膜层,
其中,所述彩色滤光片形成在所述封装薄膜层远离所述阵列基板的表面上,所述第一有机材料层形成在所述彩色滤光片远离所述阵列基板的表面上,且覆盖所述间隙暴露的所述封装薄膜层的表面。
11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,还包括:
在所述封装薄膜层远离所述阵列基板的表面上形成多个间隔设置的第二金属层,且所述第二金属层在所述阵列基板上的正投影位于所述间隙在所述阵列基板上的正投影的内部;
形成贯穿所述第一有机材料层的通孔,所述通孔暴露出所述第二金属层的至少部分表面,且至少一部分所述第一金属层通过所述通孔与所述第二金属层电连接,所述第一金属层为触控电极中第一触控电极,所述第二金属层为用于电连接所述第一触控电极的桥电极。
12.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,还包括:
形成封装薄膜层,所述封装薄膜层包括第一无机层、第二无机层和所述第一有机材料层,形成所述封装薄膜层的方法包括:
在所述OLED结构层远离所述阵列基板的表面上形成所述第一无机层;
在所述第一无机层远离所述阵列基板的表面上形成所述第一有机材料层;
在所述第一有机材料层远离所述阵列基板的一侧形成所述第二无机层,
其中,所述彩色滤光片形成在所述第一有机材料层远离所述阵列基板的表面上。
13.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,还包括:
在所述彩色滤光片和所述第二无机层之间形成第二有机材料层,且所述第二有机材料层覆盖所述彩色滤光片和所述间隙。
14.根据权利要求13所述的方法,其特征在于,还包括:
在所述第二有机材料远离所述阵列基板的表面形成多个间隔设置的第二粗糙表面,且所述第二粗糙表面在所述阵列基板上的正投影覆盖所述间隙在所述阵列基板上的正投影的至少一部分,
在所述第二粗糙表面上沉积形成黑化后遮光的第三金属层。
15.根据权利要求14所述的方法,其特征在于,所述第一粗糙表面和所述第二粗糙表面是通过干刻的方法形成的,所述干刻的刻蚀气体包括四氟化碳和氧气,其中,所述四氟化碳和所述氧气的流量比例为2:1~5:1。
16.根据权利要求15所述的方法,其特征在于,所述氧气的流量为60~150sccm。
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