CN112420952A - 一种显示面板及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本方案公开了一种显示面板及其制备方法，其中，显示面板包括：阵列基板；位于阵列基板上的电致发光层；位于电致发光层上的薄膜封装层；位于薄膜封装层上的触控金属层；位于触控金属层上的具有掺杂纳米粒子的有机胶层的连接层。本申请所述技术方案通过在连接层中加入纳米粒子，使环境光发生散射，干扰反射光的干涉现象，从而降低“彩晕”问题，提高显示面板的显示效果。

Description

一种显示面板及其制备方法

技术领域

本申请涉及显示技术领域。更具体地，涉及一种显示面板及其制备方法。

背景技术

有机电致发光显示面板(OLED)以其低功耗、高饱和度、快响应时间及宽视角等独特优势逐渐成为显示领域的主流技术，未来在车载、手机、平板、电脑及电视产品上具有广阔的应用空间。

柔性显示面板已经成为OLED的发展趋势，偏光片(POL)是目前柔性显示面板中的常用元件，然而偏光片价格高、膜材质地脆、厚度大、透过率低，难以满足产品对于低功耗、轻薄化柔性显示的需求，因此，现有柔性显示面板会采用去偏光片结构来替代偏光片，即采用透过率高，厚度小的薄膜材料，取代偏光片，形成去偏光片(POL Less)结构。

然而，去偏光片结构的柔性显示装置，会由于反射环境光，而产生“彩晕”的现象，影响显示效果。

发明内容

本申请实施例提供一种显示面板及其制备方法，以解决显示面板反射环境光会产生“彩晕”的现象，影响显示效果的问题。

为达到上述目的，本方案采用下述技术方案：

第一方面，本方案提供一种显示面板，包括：

阵列基板；

位于所述阵列基板一侧的电致发光层；

位于所述电致发光层远离阵列基板一侧的薄膜封装层；

位于所述薄膜封装层远离所述电致发光层一侧的触控金属层；

位于所述触控金属层远离所述薄膜封装层一侧的具有掺杂纳米粒子的连接层。

在一种优选地实施例中，所述纳米粒子包括一氧化硅和一氧化钛中的至少一种。

在一种优选地实施例中，所述纳米粒子的尺寸为400nm至600nm。

在一种优选地实施例中，所述触控金属层包括：

位于所述薄膜封装层远离所述电致发光层一侧的第一金属层；

覆盖在所述第一金属层上的绝缘层，且所述绝缘层上开设接触孔；

位于所述绝缘层远离所述第一金属层一侧的第二金属层，所述第二金属层通过所述接触孔与所述第一金属层接触。

在一种优选地实施例中，所述触控金属层包括：

位于所述薄膜封装层远离所述电致发光层一侧的绝缘层；

位于所述绝缘层远离所述薄膜封装层一侧的第一金属层。

在一种优选地实施例中，所述显示面板包括：黑矩阵层和滤光层；

所述连接层包括：掺有纳米粒子的第一有机胶层和掺有纳米粒子的第二有机胶层；所述黑矩阵层和所述滤光层位于所述第一有机胶层和所述第二有机胶层之间；

所述第一有机胶层位于所述触控金属层远离所述薄膜封装层一侧。

在一种优选地实施例中，所述黑矩阵层上设有填充槽；所述滤光层的至少一部分位于填充槽内。

第二方面，本方案提供一种显示面板制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供阵列基板；

在阵列基板的一侧形成电致发光层；

在电致发光层远离阵列基板的一侧形成薄膜封装层；

在薄膜封装层远离电致发光层的一侧形成触控金属层；

在触控金属层远离薄膜封装层的一侧形成具有掺杂纳米粒子的连接层。

在一种优选地实施例中，所述在薄膜封装层远离电致发光层的一侧形成触控金属层的步骤包括：

在薄膜封装层远离电致发光层的一侧形成第一金属层；

在第一金属层上覆盖绝缘层；

在绝缘层上开设接触孔；

在绝缘层上形成第二金属层，第二金属层通过接触孔与第一金属层接触。

在一种优选地实施例中，所述在触控金属层远离薄膜封装层的一侧形成具有掺杂纳米粒子的连接层的步骤包括：

在触控金属层远离薄膜封装层的一侧形成掺有纳米粒子的第一有机胶层；

在第一有机胶层远离触控金属层的一侧形成黑矩阵层；

在黑矩阵层上形成填充槽；

在填充槽内形成滤光层；

在黑矩阵层和滤光层远离第一有机胶层的一侧形成第二有机胶层。

本发明的有益效果如下：

本申请所述技术方案通过在连接层中的有机胶层加入纳米粒子，使环境光发生散射，干扰反射光的干涉现象，从而降低“彩晕”问题，提高显示面板的显示效果。

附图说明

下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。

图1示出本方案所述显示面板的一种实例示意图；

图2示出本方案所述显示面板制备方法的流程图；

图3示出本方案所述显示面板制备过程中在阵列基板上形成电致发光层的示意图；

图4示出本方案所述显示面板制备过程中在电致发光层上形成薄膜封装层的示意图；

图5示出本方案所述显示面板制备过程中形成触控金属层中第一金属层的示意图；

图6示出本方案所述显示面板制备过程中形成触控金属层中绝缘层和接触孔的示意图；

图7示出本方案所述显示面板制备过程中形成触控金属层中第二金属层的示意图；

图8示出本方案所述显示面板制备过程中形成触控金属层中第一有机胶层的示意图；

图9示出本方案所述显示面板制备过程中形成触控金属层中BM层的示意图；

图10示出本方案所述显示面板制备过程中形成触控金属层中CF层的示意图；

图11示出本方案所述显示面板制备过程中形成触控金属层中第二有机胶层的示意图。

附图标号

1、阵列基板；

2、电致发光层；201、像素；

3、薄膜封装层；

4、触控金属层；401、第一金属层；402、接触孔；403、第二金属层；404、绝缘层；

5、连接层；501、第一有机胶层；502、黑矩阵层；503、滤光层；504、第二有机胶层；505、纳米粒子。

具体实施方式

为使本发明的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是所有实施例的穷举。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

经过对现有技术的分析和研究，黑矩阵(black metric，BM)/滤光片(colourfilter，CF)具备透过率、膜厚小等优点，可以用来取代POL(POL Less，去偏光片)，来实现AMOLED面板低反射。然而，POL Less结构的柔性显示面板反射环境光会产生“彩晕”的现象，影响显示效果。

因此，本方案旨在提供一种显示面板，该显示面板通过在连接层中的有机胶层添加纳米粒子，使环境光发生散射，干扰反射光的干涉现象，从而降低“彩晕”问题，提高显示面板的显示效果。

以下，结合附图对本方案提出的一种显示面板进行详细描述。

如图1所示，该显示面板由下至上依次包括：阵列基板1、电致发光层2、薄膜封装层3、触控金属层4和掺有纳米粒子505的连接层5。

本方案中，可以将阵列基板1作为背板结构，在阵列基板1上利用镀膜工艺形成电致发光层2EL，并在电致发光层2中形成像素201。在一种实施例中，如图1所示，电致发光层2包括绿子像素。本方案中，根据电致发光层2的尺寸结构和布局方式，可以在电致发光层2中设计红子像素、绿子像素和蓝子像素中的一种或多种，以满足显示满足设计的需求。本方案中，可以先在阵列基板1上形成像素定义层(图未示出)，然后在像素定义层上光刻出凹槽，在凹槽内填充像素材料，形成电致发光层2。

本方案中，在形成电致发光层2后，利用薄膜封装技术TFE，对电致发光层2进行封装。在一种实施例中，可以单独采用无机材料或有机材料对电致发光层2进行封装。在另一种实施例中，可以采用无机材料层和有机材料层交叉的方式对电致发光层2进行封装。

本方案中，在薄膜封装完成后，需要在薄膜封装层3上沉积一层触控金属材料。可以采用封装触控一体化(DOT，Direct On-cell Touch)技术，在薄膜封装层3上形成触控金属层4，触控金属层4可以为自容式单层金属层，也可以为互容式单层金属层。在一种实施例中，触控金属层4可以为互容式，其可以包括：第一金属层401、绝缘层404和第二金属层403。先在薄膜封装层3上形成第一金属层401，之后，在薄膜封装层3和第一金属层401上形成绝缘层404；在绝缘层404上通过光刻Photo工艺形成接触孔402；最后，在形成第二金属层403时，一并完成接触孔402内金属材料的填充，从而使第一金属层401和第二金属层403通过接触孔402相接触。第一金属层401和第二金属层403均可以采用金属网格(metal mesh)的结构。此外，第一金属层401和第二金属层403的面积均不大于薄膜封装层3的面积。第一金属层401和第二金属层403均可以采用金属网格(metal mesh)的结构。此外，第一金属层401和第二金属层403的面积均不大于薄膜封装层3的面积。

在另一种实施例中，触控金属层4可以为自容式，其可以包括第一金属层401。先在薄膜封装层3上形成绝缘层404；随后，在绝缘层404上形成第一金属层401。第一金属层401可以采用金属网格(metal mesh)的结构。

本方案中，在触控金属层4上形成连接层5。为了防止在光散射膜层后续贴合光学无基材胶带OCA和盖板CW后，光散射效果降低的问题。本方案中采用在连接层5中的有机胶层增加纳米粒子505的形式，使得有机胶层的透过率达到90％以上，从而提高光散射的效果，降低“彩晕”现象。在一种实施例中，通过光刻Photo工艺在绝缘层404和接触孔402内的金属材料上形成掺有纳米粒子505的第一有机胶层501。随后，利用光刻工艺分别形成黑矩阵层502和滤光层503。最后，在黑矩阵层502和滤光层503上利用光刻工艺形成掺有纳米粒子505的第二有机胶层504。其中，第一有机胶层501可以采用有机光伏材料OPV；第二有机胶层504可以采用绝缘盖层(OC，Over Coating)。此外，对于有机胶层内掺如的纳米粒子505可以为一氧化硅SiO或一氧化钛TiO等材料，纳米粒子505的尺寸在400nm至600nm，优选地，纳米粒子505的尺寸可以为500nm。

相应的，本方案还提供了一些实施例的用于制备显示面板的示例性制备工艺。应当理解，下述操作不是穷举的并且也能够在任何示出的操作之前、之后或之间执行其他操作。此外，一些操作可以同时执行，或者按照顺序不同的顺序执行。

如图2所示，该制备方法包括：

S1、提供阵列基板1；

S2、在阵列基板1的一侧上形成电致发光层2；

S3、在电致发光层2远离阵列基板的一侧形成薄膜封装层3；

S4、在薄膜封装层3远离电致发光层的一侧形成触控金属层4；

S5、在触控金属层4远离薄膜封装层的一侧形成具有掺杂纳米粒子505的连接层5。

在步骤S1中提供的阵列基板1的基础上，按照步骤S2在阵列基板1上形成电致发光材料EL。如图3所示，在一种实施例中，可以采用蒸镀工艺在阵列基板1上形成像素定义层(图中未示出)，然后再像素定义层上光刻出凹槽，在凹槽内填充像素材料201，形成电致发光层2。其中，本实例中，电致发光层2中的像素包括绿子像素、红子像素、蓝子像素中的一种或多种。

在步骤S3中需要对电致发光层2进行封装，形成薄膜封装层3。如图4所示，在一种实施例中，利用薄膜封装技术TFE对电致发光层2进行封装，其中，可以单独使用无机材料或有机材料对电致发光层2进行封装，也可以利用无机材料层和有机材料曾交叉封装的方式对电致发光层2进行封装。

在步骤S4中进一步在薄膜封装层3上形成触控金属层4。触控金属层4可以为自容式单层金属层，也可以为互容式双层金属层。在一种实施例中，如图5所示，利用沉积工艺在薄膜封装层3上形成第一金属层401，并通过光致抗蚀剂掩膜(PR Mask)实现图案化。如图6所示，再通过气相沉积工艺在第一金属层401和薄膜封装层3上形成一层无极绝缘层404，并通过PR Mask实现图案化；通过光刻工艺，在绝缘层404上开设接触孔402，并在接触孔402内填充金属材料。如图7所示，最后，在绝缘层404上形成第二金属层403，并通过PR Mask实现图案化，第二金属层403通过填充在接触孔402内的金属材料，使第一金属层401和第二金属层403接触。此处需要注意的是：在绝缘层404上开设接触孔402后，可以先完成接触孔402内金属材料的填充，之后再进行第二金属层403的沉积；为了简化工艺，也可以利用沉积工艺，连续完成在接触孔402内填充金属材料和形成第二金属层403的工序。

本方案中，触控金属层4可以采用封装触控一体化DOT技术形成，触控金属层4中沉积的金属材料的结构可以为金属网格(metal mesh)结构。

在步骤S5中，进一步在触控金属层4上形成连接层5。连接层5中采用掺有纳米粒子505的有机胶。通过在连接层5中的有机胶层增加尺寸为500纳米左右的纳米粒子505，使得有机胶层的透过率达到90％以上，从而提高光散射的效果，降低“彩晕”现象。

在一种实施例中，可以在有机胶层为有机高分子材料，其中加入氧化硅SiO或氧化钛TiO等材料的纳米粒子505。

在一种实施例中，如图8所示，利用光刻工艺在触控金属层4上涂布掺有纳米粒子505的第一有机胶层501，并进行图案化处理。如图9所示，利用光刻工艺，在第一有机胶层501上涂布曝光显影低温黑矩阵(black metric，BM)材料；随后，在BM材料上开设凹槽，如图10所示，利用掩膜板蒸镀或者喷墨打印方式，从凹槽内向外涂布曝光显影低温滤光片(colour filter，CF)材料。如图11所示，在BM层和CF层上，利用光刻工艺，涂布掺有纳米粒子505的第二有机胶层504，并进行图案化处理。本施例中所述低温可以设定为不超过90℃。此外，第一有机胶层501可以为有机光伏层(OPV)；第二有机胶层504可为绝缘盖层(OC)。

综上所述，本方案通过在连接层的有机胶层中加入纳米粒子，使环境光发生散射，干扰反射光的干涉现象，从而降低“彩晕”问题，提高显示面板的显示效果。

显然，本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定，对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动，这里无法对所有的实施方式予以穷举，凡是属于本发明的技术方案所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之列。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

阵列基板；

位于所述阵列基板一侧的电致发光层；

位于所述电致发光层远离阵列基板一侧的薄膜封装层；

位于所述薄膜封装层远离所述电致发光层一侧的触控金属层；

位于所述触控金属层远离所述薄膜封装层一侧的具有掺杂纳米粒子的连接层。

2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述纳米粒子包括一氧化硅和一氧化钛中的至少一种。

3.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述纳米粒子的尺寸为400nm至600nm。

4.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述触控金属层包括：

位于所述薄膜封装层远离所述电致发光层一侧的第一金属层；

覆盖在所述第一金属层上的绝缘层，且所述绝缘层上开设接触孔；

位于所述绝缘层远离所述第一金属层一侧的第二金属层，所述第二金属层通过所述接触孔与所述第一金属层接触。

5.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述触控金属层包括：

位于所述薄膜封装层远离所述电致发光层一侧的绝缘层；

位于所述绝缘层远离所述薄膜封装层一侧的第一金属层。

6.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：黑矩阵层和滤光层；

所述连接层包括：掺有纳米粒子的第一有机胶层和掺有纳米粒子的第二有机胶层；所述黑矩阵层和所述滤光层位于所述第一有机胶层和所述第二有机胶层之间；

所述第一有机胶层位于所述触控金属层远离所述薄膜封装层一侧。

7.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述黑矩阵层上设有填充槽；所述滤光层的至少一部分位于填充槽内。

8.一种显示面板制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供阵列基板；

在阵列基板的一侧形成电致发光层；

在电致发光层远离阵列基板的一侧形成薄膜封装层；

在薄膜封装层远离电致发光层的一侧形成触控金属层；

在触控金属层远离薄膜封装层的一侧形成具有掺杂纳米粒子的连接层。

9.如权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述在薄膜封装层远离电致发光层的一侧形成触控金属层的步骤包括：

在薄膜封装层远离电致发光层的一侧形成第一金属层；

在第一金属层上覆盖绝缘层；

在绝缘层上开设接触孔；

在绝缘层上形成第二金属层，第二金属层通过接触孔与第一金属层接触。

10.如权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述在触控金属层远离薄膜封装层的一侧形成具有掺杂纳米粒子的连接层的步骤包括：

在触控金属层远离薄膜封装层的一侧形成掺有纳米粒子的第一有机胶层；

在第一有机胶层远离触控金属层的一侧形成黑矩阵层；

在黑矩阵层上形成填充槽；

在填充槽内形成滤光层；

在黑矩阵层和滤光层远离第一有机胶层的一侧形成第二有机胶层。

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