CN110265568A - 一种显示器件及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种显示器件及其制备方法，首先，将黑色矩阵层直接设置在所述第二金属层上，缩短了黑色矩阵层与发光层之间的距离，避免光线的损失，提高光线的透过率；其次，所述黑色矩阵层可以遮挡第二金属层，避免由第二金属层的高反射率产生的影响客户体验度的现象；最后，利用所述黑色矩阵层替代现有技术中第二金属层用来蚀刻填充色阻材料的凹槽的PR掩膜板，在保证显示器件的低反射率和高透过率的同时，可以减少一道曝光和剥离制程，从而降低生产成本。

Description

一种显示器件及其制备方法

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种显示器件及其制备方法。

背景技术

OLED(英文全称：Organic Light-Emitting Diode,简称OLED)器件又称为有机电激光显示装置、有机发光半导体。OLED的基本结构是由一薄而透明具有半导体特性的铟锡氧化物(ITO)与电力之正极相连，再加上另一个金属面阴极，包成如三明治的结构。整个结构层中包括了:空穴传输层(HTL)、发光层(EL)与电子传输层(ETL)。当电力供应至适当电压时，正极空穴与面阴极电荷就会在发光层中结合，在库伦力的作用下以一定几率复合形成处于激发态的激子(电子-空穴对)，而此激发态在通常的环境中是不稳定的，激发态的激子复合并将能量传递给发光材料，使其从基态能级跃迁为激发态，激发态能量通过辐射驰豫过程产生光子，释放出光能，产生光亮，依其配方不同产生红、绿和蓝RGB三基色，构成基本色彩。

首先OLED的特性是自己发光，不像薄膜晶体管液晶显示装置(英文全称：Thinfilm transistor-liquid crystal display，简称TFT-LCD)需要背光，因此可视度和亮度均高。其次OLED具有电压需求低、省电效率高、反应快、重量轻、厚度薄，构造简单，成本低、广视角、几乎无穷高的对比度、较低耗电、极高反应速度等优点，已经成为当今最重要的显示技术之一，正在逐步替代TFT-LCD，有望成为继LCD之后的下一代主流显示技术。

偏光片(POL)能够有效地降低强光下面板的反射率，却损失了接近58％的出光。这对于OLED来说，极大地增加了其寿命负担；另一方面，偏光片厚度较大、材质脆，不利于动态弯折产品的开发。为了开发基于OLED显示技术的动态弯折产品，必须导入新材料、新技术以及新工艺替代偏光片。

使用彩膜(Color Filter)替代偏光片(POL)被归属为POL-less(去偏光片)技术。传统的DOT(英文全称：Direct on-cell touch的，内置触控)和POL-less工艺结合需要考虑DOT和POL-less CF相对位置关系，若将DOT置于POL-less上方，虽然增加POL-less的透过率，但是DOT的Metal Mesh Line(金属网线)由于对外界环境光的反射率高，太阳光下显示器的反射率仍然较高，甚至于会看到Metal Mesh Line的影子，从而影响用户使用体验。若要将DOT至于POL-less下方，虽然POL-less中的BM可以遮挡DOT的Metal Mesh Line，但是由于POL-less膜层距离EL膜层间隔TFE和DOT，距离较大，光线会很大部分被BM吸收或者阻挡，从而严重影响显示器的透过率。由此可见，POL-less和DOT技术若不能很好结合，则无法达到替代传统圆偏光片，实现柔性显示的目标。因此需要寻求一种新型的显示器件以解决上述问题。

发明内容

本发明的一个目的是提供一种显示器件及其制备方法，其能够解决现有技术中的DOT和POL-less的结合中存在的问题，保证显示器件低反射率和高透过率的同时，减少一道曝光制程和一道剥离制程，极大的降低生产成本。

为了解决上述问题，本发明的一个实施方式提供了一种显示器件，其中包括：阵列基板层、发光层、封装层、缓冲层、第一金属层、绝缘层、第二金属层以及黑色矩阵层。其中所述发光层设置于所述阵列基板层上；所述封装层设置于所述发光层上；所述缓冲层设置于所述封装层上；所述第一金属层设置于所述缓冲层上；所述绝缘层覆盖于所述第一金属层上；所述第二金属层设置于所述绝缘层上，所述第二金属层通过过孔连接于所述第一金属层上；所述黑色矩阵层覆盖于所述第二金属层上；其中所述黑色矩阵层上对应于所述发光层的位置处向下凹陷形成凹槽；所述凹槽内填充有色阻材料。

进一步的，其中所述凹槽由所述黑色矩阵层背向所述阵列基板层的一侧表面凹陷至所述第二金属层朝向所述阵列基板层的一侧表面。

进一步的，其中所述凹槽由所述黑色矩阵层背向所述阵列基板层的一侧表面凹陷至所述绝缘层中。

进一步的，其中所述凹槽由所述黑色矩阵层背向所述阵列基板层的一侧表面凹陷至所述缓冲层中。

进一步的，其中所述显示器件还包括：阳极、像素定义层以及阴极。其中所述阳极相互间隔设置于所述阵列基板层上，所述发光层设置于所述阳极上；所述像素定义层设置于相邻所述阳极之间的阵列基板层上；所述阴极设置于所述发光层上。

进一步的，其中还包括平坦层，所述平坦层设置于所述黑色矩阵层上。

本发明的另一个实施方式还提供了一种制备本发明所涉及的显示器件的制备方法，其中包括以下步骤：

步骤S1，制备阵列基板层；

步骤S2，在所述阵列基板层上制备发光层；

步骤S3，在所述发光层上制备所述封装层；

步骤S4，在所述封装层上制备缓冲层；

步骤S5，在所述缓冲层上制备第一金属层；

步骤S6，在所述第一金属层上覆盖制备绝缘层；

步骤S7，在所述绝缘层上制备第二金属层，所述第二金属层通过过孔与所述第一金属层连接；

步骤S8，在所述第二金属层上制备黑色矩阵层，在所述黑色矩阵层上对应于所述发光层的位置处向下凹陷形成凹槽；

步骤S9，在所述凹槽内填充有色阻材料。

进一步的，其中所述步骤S8中的凹槽通过对所述黑色矩阵层以及所述第二金属层进行刻蚀得到。

进一步的，其中所述步骤S8中的凹槽通过对所述黑色矩阵层、所述第二金属层以及所述绝缘层进行刻蚀得到。

进一步的，其中所述步骤S8中的凹槽通过对所述黑色矩阵层、所述第二金属层、所述绝缘层以及所述缓冲层进行刻蚀得到。

本发明的优点是：本发明涉及一种显示器件及其制备方法，首先，将黑色矩阵层直接设置在所述第二金属层上，缩短了黑色矩阵层与发光层之间的距离，避免光线的损失，提高光线的透过率；其次，所述黑色矩阵层可以遮挡第二金属层，避免由第二金属层的高反射率产生的影响客户体验度的现象；最后，利用所述黑色矩阵层替代现有技术中第二金属层用来蚀刻填充色阻材料的凹槽的PR掩膜板，在保证显示器件的低反射率和高透过率的同时，可以减少一道曝光和剥离制程，从而降低生产成本。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明显示器件实施例一的结构示意图。

图2是本发明显示器件实施例二的结构示意图。

图3是本发明显示器件实施例三的结构示意图。

图4是本发明显示器件的制备步骤图。

图中部件标识如下：

100、显示器件

1、阵列基板层 2、阳极

3、像素定义层 4、发光层

5、阴极 6、封装层

7、缓冲层 8、第一金属层

9、绝缘层 10、第二金属层

11、黑色矩阵层 12、平坦层

13、凹槽

具体实施方式

以下结合说明书附图详细说明本发明的优选实施例，以向本领域中的技术人员完整介绍本发明的技术内容，以举例证明本发明可以实施，使得本发明公开的技术内容更加清楚，使得本领域的技术人员更容易理解如何实施本发明。然而本发明可以通过许多不同形式的实施例来得以体现，本发明的保护范围并非仅限于文中提到的实施例，下文实施例的说明并非用来限制本发明的范围。

本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是附图中的方向，本文所使用的方向用语是用来解释和说明本发明，而不是用来限定本发明的保护范围。

在附图中，结构相同的部件以相同数字标号表示，各处结构或功能相似的组件以相似数字标号表示。此外，为了便于理解和描述，附图所示的每一组件的尺寸和厚度是任意示出的，本发明并没有限定每个组件的尺寸和厚度。

当某些组件，被描述为“在”另一组件“上”时，所述组件可以直接置于所述另一组件上；也可以存在一中间组件，所述组件置于所述中间组件上，且所述中间组件置于另一组件上。当一个组件被描述为“安装至”或“连接至”另一组件时，二者可以理解为直接“安装”或“连接”，或者一个组件通过一中间组件“安装至”或“连接至”另一个组件。

实施例1

如图1所示，一种显示器件100，其中包括：阵列基板层1、阳极2、像素定义层3、发光层4、阴极5、封装层6、缓冲层7、第一金属层8、绝缘层9、第二金属层10、黑色矩阵层11以及平坦层12。

如图1所示，其中所述阳极2相互间隔设置于所述阵列基板层1上，所述像素定义层3设置于相邻所述阳极2之间的阵列基板层1上，所述发光层4设置于所述阳极2上；所述阴极5设置于所述发光层4上；所述封装层6设置于所述阴极5上。

如图1所示，所述缓冲层7设置于所述封装层6上，所述缓冲层7的组成材料可以选择SiNx，由此组成的缓冲层7具有良好的透过率，可以保证显示器件100的高透过率。

如图1所示，所述第一金属层8设置于所述缓冲层上；所述绝缘层9覆盖于所述第一金属层8上；所述第二金属层10设置于所述绝缘层9上，所述第二金属层10通过过孔连接于所述第一金属层8上。其中所述第一金属层8提供激励信号，第二金属层10接收信号，当手指触摸显示器件100时，第一金属层8和第二金属层10之间形成电容，使得第一金属层8和第二金属层10相接触，使得耦合电容减小，从而可以判断出手指的触摸位置。

如图1所示，所述黑色矩阵层11覆盖于所述第二金属层10上。首先，通过将黑色矩阵层11直接设置在所述第二金属层10上，缩短了黑色矩阵层11与发光层4之间的距离，避免了光线的损失，提高光线的透过率；其次，所述黑色矩阵层11可以遮挡第二金属层10，避免由第二金属层11的高反射率产生的影响客户体验度的现象。

如图1所示，所述黑色矩阵层11上对应于所述发光层4的位置处向下凹陷形成凹槽13；所述凹槽13内填充有色阻材料。其中所述凹槽13由所述黑色矩阵层11背向所述阵列基板层1的一侧表面向下凹陷，可以根据实际需要凹陷至所述第二金属层10朝向所述阵列基板层1的一侧表面至所述缓冲层7朝向所述阵列基板层1的一侧表面之间。在本实施例中，所述凹槽13由所述黑色矩阵层11背向所述阵列基板层1的一侧表面凹陷至所述第二金属层10朝向所述阵列基板层1的一侧表面。其中所述凹槽13内填充的色组材料主要是使发光层4发出的光线能够顺利发射出来。并且，所述黑色矩阵层11直接设置在所述第二金属层10上，利用黑色矩阵层11充当第二金属层10用来蚀刻填充色阻材料的凹槽13的PR掩膜板，在保证显示器件的低反射率和高透过率的同时，可以减少一道曝光和剥离制程，从而降低生产成本。

如图1所示，所述平坦层12设置于所述黑色矩阵层11上。所述平坦层12的组成材料可以选择SiNx，也可以选择SiO2，由此制成的平坦层12具有良好的光透过率。

实施例2

如图2所示，本实施方式与实施方式一所述的显示器件100存在的区别之处在于：其中所述凹槽13由所述黑色矩阵层11背向所述阵列基板层1的一侧表面凹陷至所述绝缘层9中。首先，通过将黑色矩阵层11直接设置在所述第二金属层10上，缩短了黑色矩阵层11与发光层4之间的距离，避免了光线的损失，提高光线的透过率；其次，所述黑色矩阵层11可以遮挡第二金属层10，避免由第二金属层11的高反射率产生的影响客户体验度的现象。其中所述黑色矩阵层11直接设置在所述第二金属层10上，利用黑色矩阵层11充当第二金属层10用来蚀刻填充色阻材料的凹槽13的PR掩膜板，在保证显示器件的低反射率和高透过率的同时，可以减少一道曝光和剥离制程，从而降低生产成本。

实施例3

如图3所示，本实施方式与实施方式一所述的显示器件100存在的区别之处在于：其中所述凹槽13由所述黑色矩阵层11背向所述阵列基板层1的一侧表面凹陷至所述缓冲层7中。首先，通过将黑色矩阵层11直接设置在所述第二金属层10上，缩短了黑色矩阵层11与发光层4之间的距离，避免了光线的损失，提高光线的透过率；其次，所述黑色矩阵层11可以遮挡第二金属层10，避免由第二金属层11的高反射率产生的影响客户体验度的现象。其中所述黑色矩阵层11直接设置在所述第二金属层10上，利用黑色矩阵层11充当第二金属层10用来蚀刻填充色阻材料的凹槽13的PR掩膜板，在保证显示器件的低反射率和高透过率的同时，可以减少一道曝光和剥离制程，从而降低生产成本。

如图4所示，本发明的另一个实施方式还提供了一种制备本发明所涉及的显示器件100的制备方法，其中包括以下步骤：步骤S1，制备阵列基板层1；步骤S2，在所述阵列基板层1上制备发光层4；步骤S3，在所述发光层4上制备所述封装层6；步骤S4，在所述封装层6上制备缓冲层7；步骤S5，在所述缓冲层7上制备第一金属层8；步骤S6，在所述第一金属层8上覆盖制备绝缘层9；步骤S7，在所述绝缘层9上制备第二金属层10，所述第二金属层10通过过孔与所述第一金属层8连接；步骤S8，在所述第二金属层10上制备黑色矩阵层11，通过曝光、显影、烘烤制程技术在对应于所述发光层4的位置处向下凹陷形成凹槽13；步骤S9，在所述凹槽13内填充有色阻材料。

其中所述步骤S8中的凹槽13可以通过对所述黑色矩阵层11以及所述第二金属层10进行刻蚀得到。

其中所述步骤S8中的凹槽13也可以通过对所述黑色矩阵层11、所述第二金属层10以及所述绝缘层9进行刻蚀得到。

其中所述步骤S8中的凹槽13还可以通过对所述黑色矩阵层11、所述第二金属层10、所述绝缘层9以及所述缓冲层7进行刻蚀得到。

通过上述方法制备的显示器件100，首先，通过将黑色矩阵层11直接设置在所述第二金属层10上，缩短了黑色矩阵层11与发光层4之间的距离，避免了光线的损失，提高光线的透过率；其次，所述黑色矩阵层11可以遮挡第二金属层10，避免由第二金属层11的高反射率产生的影响客户体验度的现象。其中所述黑色矩阵层11直接设置在所述第二金属层10上，利用黑色矩阵层11充当第二金属层10用来蚀刻填充色阻材料的凹槽13的PR掩膜板，在保证显示器件的低反射率和高透过率的同时，可以减少一道曝光和剥离制程，从而降低生产成本。

以上对本发明所提供的显示器件及其制备方法进行了详细介绍。应理解，本文所述的示例性实施方式应仅被认为是描述性的，用于帮助理解本发明的方法及其核心思想，而并不用于限制本发明。在每个示例性实施方式中对特征或方面的描述通常应被视作适用于其他示例性实施例中的类似特征或方面。尽管参考示例性实施例描述了本发明，但可建议所属领域的技术人员进行各种变化和更改。本发明意图涵盖所附权利要求书的范围内的这些变化和更改，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种显示器件，其特征在于，包括：

阵列基板层；

发光层，所述发光层设置于所述阵列基板层上；

封装层，所述封装层设置于所述发光层上；

缓冲层，所述缓冲层设置于所述封装层上；

第一金属层，所述第一金属层设置于所述缓冲层上；

绝缘层，所述绝缘层覆盖于所述第一金属层上；

第二金属层，所述第二金属层设置于所述绝缘层上，所述第二金属层通过过孔连接于所述第一金属层上；以及

黑色矩阵层，所述黑色矩阵层覆盖于所述第二金属层上；

其中所述黑色矩阵层上对应于所述发光层的位置处向下凹陷形成凹槽；

所述凹槽内填充有色阻材料。

2.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述凹槽由所述黑色矩阵层背向所述阵列基板层的一侧表面凹陷至所述第二金属层朝向所述阵列基板层的一侧表面。

3.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述凹槽由所述黑色矩阵层背向所述阵列基板层的一侧表面凹陷至所述绝缘层中。

4.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述凹槽由所述黑色矩阵层背向所述阵列基板层的一侧表面凹陷至所述缓冲层中。

5.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，还包括：

阳极，所述阳极相互间隔设置于所述阵列基板层上，所述发光层设置于所述阳极上；

像素定义层，所述像素定义层设置于相邻所述阳极之间的阵列基板层上；

阴极，所述阴极设置于所述发光层上。

6.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，还包括平坦层，所述平坦层设置于所述黑色矩阵层上。

7.一种制备权利要求1所述的显示器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1，制备阵列基板层；

步骤S2，在所述阵列基板层上制备发光层；

步骤S3，在所述发光层上制备所述封装层；

步骤S4，在所述封装层上制备缓冲层；

步骤S5，在所述缓冲层上制备第一金属层；

步骤S6，在所述第一金属层上覆盖制备绝缘层；

步骤S7，在所述绝缘层上制备第二金属层，所述第二金属层通过过孔与所述第一金属层连接；

步骤S8，在所述第二金属层上制备黑色矩阵层，在所述黑色矩阵层上对应于所述发光层的位置处向下凹陷形成凹槽；以及

步骤S9，在所述凹槽内填充有色阻材料。

8.根据权利要求7所述的显示器件的制备方法，其特征在于，所述步骤S8中的凹槽通过对所述黑色矩阵层以及所述第二金属层进行刻蚀得到。

9.根据权利要求7所述的显示器件的制备方法，其特征在于，所述步骤S8中的凹槽通过对所述黑色矩阵层、所述第二金属层以及所述绝缘层进行刻蚀得到。

10.根据权利要求7所述的显示器件的制备方法，其特征在于，所述步骤S8中的凹槽通过对所述黑色矩阵层、所述第二金属层、所述绝缘层以及所述缓冲层进行刻蚀得到。